CN102420112B - 基板处理方法及基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的基板处理方法是在处理室内对基板实施使用药液的处理的方法，包括：高温药液供给工序，对基板表面供给温度比所述处理室的温度高的药液；冲洗液供给工序，在所述高温药液供给工序后，对基板表面供给用于冲洗药液的冲洗液。所述冲洗液供给工序包括：周缘部处理工序，选择性地对基板表面的中央部供给冲洗液，从而一方面抑制对该中央部的药液处理，而另一方面使对基板表面的周缘部的药液处理得以进行；整个面冲洗工序，在所述周缘部处理工序之后，使冲洗液遍及基板表面的整个区域，从而在基板表面整个区域将药液置换成冲洗液。

Description

基板处理方法及基板处理装置
技术领域
本发明涉及用于对基板实施利用处理液的处理的基板处理方法及基板处理装置。成为处理对象的基板例如包括半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板、等离子显示器用基板、FED(Field Emission Display：场致发射显示装置)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等基板。
背景技术
在半导体装置、液晶显示装置的制造工序中，为了对半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板等基板的表面实施利用药液的处理，往往使用一张一张地处理基板的单张式基板处理装置。
单张式基板处理装置具有：旋转卡盘，将基板保持为大致水平，并使基板旋转；药液喷嘴，对通过旋转卡盘实现旋转的基板的表面供给药液；纯水喷嘴，对通过旋转卡盘实现旋转的基板的表面的中央部供给纯水。
在单张式基板处理装置中，从药液喷嘴对旋转中的基板的表面供给药液。由此，对基板的表面实施利用药液的处理(药液处理)。在停止供给药液后，从纯水喷嘴对基板的表面的中央部供给纯水。供给到基板的表面上的纯水受到基板旋转产生的离心力，在基板的表面上向周缘流动。由此，用纯水来冲洗附着于基板的药液(冲洗处理)。冲洗处理时的基板的转速与药液处理时的基板的转速相同。另外，从纯水喷嘴供给的纯水的供给流量与药液的供给流量为大致相同，并且是恒定的。在停止供给纯水后，使基板的旋转加速，从而附着于基板上的纯水被甩掉而除去。由此，基板干燥，结束一系列的处理。
对基板供给药液的方式分为中心喷出方式和扫描方式这两种。在中心喷出方式中，向通过旋转卡盘进行旋转的基板的表面的旋转中心喷出药液(参照日本特开2005-286221号公报)。在扫描方式中，药液喷嘴在基板的上方移动(日本特开2007-88381号公报)。即，通过旋转卡盘使基板旋转，另一方面，从药液喷嘴对旋转着的基板的表面供给药液，并且该药液喷嘴在基板之上移动。
在单张式基板处理装置中，有时例如为了提高处理速度，而使用加热为高温的药液。药液喷嘴供给的药液在刚刚供给至基板的表面之后是高温的，但在基板的表面流动的过程中被基板及周围空气夺去热，液温降低。因此，从药液喷嘴对基板的表面供给的高温的药液在供给位置发挥最强的处理能力。
通过中心喷出方式供给药液时，供给到基板表面的中央部的药液，受到基板旋转产生的离心力，在基板表面上向周缘流动，遍及基板表面的整个区域。在使用加热为高温的药液的情况下，在基板上，在中央部药液的温度相对高，在中央部以外的区域，药液的温度相对低。其结果，在基板表面内处理效率有偏差。即，在基板表面的中央部，利用药液的处理相对快地进行，相对地，在基板表面上的除中央部以外的区域，处理相对慢。其结果，在基板表面内处理不均匀。
另一方面，在利用扫描方式供给药液时，伴随着喷嘴的移动，基板表面上的药液供给位置也移动。即，药液供给位置在基板的表面的旋转中心与周缘部之间移动(扫描)。
但是，利用该扫描方式对基板供给加热为高温的药液时，也不能对基板表面实施均匀的药液处理。即，基板表面上的位置越远离旋转中心越高速移动，所以如果药液供给流量恒定，则药液供给位置越远离旋转中心，单位面积内的药液供给量越少。其结果，在基板表面内处理效率有偏差。即，在基板表面的中央部，利用药液的处理相对快地进行，相对地，在基板表面的中央部以外的区域，利用药液的处理相对慢。因此，即使在使用扫描方式对基板供给高温药液的情况下，也不能对基板表面实施均匀的药液处理。
发明内容
本发明的目的在于，提供能够对基板表面的整个区域均匀地实施利用药液的处理的基板处理方法及基板处理装置。
本发明的基板处理方法，在处理室内包括：高温药液供给工序，对基板表面供给温度比所述处理室的温度高温的药液；冲洗液供给工序，在进行了所述高温药液供给工序后，对基板表的面供给用于冲洗药液的冲洗液。所述冲洗液供给工序包括：周缘部处理工序，选择性地对基板的表面的中央部供给冲洗液，从而抑制该中央部的药液处理，并且使基板的表面的周缘部的药液处理得以进行；整个面冲洗工序，在进行了所述周缘部处理工序之后，使冲洗液遍及基板的表面的整个区域，从而在基板的表面的整个区域将药液置换成冲洗液。优选周缘部处理工序在所述冲洗液供给工序的初期进行。在周缘部处理工序中，通过残留于基板表面的周缘部的药液，选择性地对该周缘部进行处理。
在对基板表面供给高温药液的高温药液供给工序中，在基板表面的中央部，利用药液的处理相对快地进行，相对地，在基板表面的除中央部以外的区域，利用药液的处理相对慢。因此，在基板表面内，利用药液的处理不均匀。
根据本发明的方法，在接着高温药液供给工序执行的冲洗液供给工序的例如初期，执行周缘部处理工序。在周缘部处理工序中，选择性地对基板表面的中央部供给冲洗液。通过选择性地供给该冲洗液，基板表面的中央部的药液快速地置换成冲洗液，而在基板表面的周缘部，置换为冲洗液的置换效率低，因此，在基板表面的周缘部会残留有药液。因此，一方面，在基板表面的中央部，利用药液的处理停止，另一方面，利用残留药液选择性地对基板表面的周缘部进行处理。通过这样的利用残留药液的处理，能够补偿基板表面的周缘部的处理的缓慢。由此，能够利用药液对基板表面的整个区域实施均匀的处理。
另外，因为在冲洗液供给工序中执行周缘部处理工序，所以无需追加使用药液选择性地对基板表面的周缘部进行处理的工序。即，能够在不延长整体的处理时间的情况下，利用药液对基板表面实施均匀的处理。
本发明的一个实施方式的基板处理方法还包括药液处理旋转工序，使所述基板以规定的第一转速旋转，并且，该药液处理旋转工序与所述高温药液供给工序并行执行。并且，所述周缘部处理工序包括低速旋转工序，在该低速旋转工序中，一边对基板的表面的中央供给冲洗液，一边使所述基板以慢于所述第一转速的第二转速旋转。
根据该方法，周缘部处理工序包括使基板以比高温药液供给工序中的基板的转速慢的转速旋转的低速旋转工序。在该低速旋转工序中，对供给至基板的表面的冲洗液所作用的离心力小或者几乎没有。因此，供给至基板表面的中央部的冲洗液会滞留在该中央部。由此，在冲洗液供给工序的初期，能够选择性地对基板表面的中央部供给冲洗液。
所述周缘部处理工序还可以在所述低速旋转工序之前包括高速旋转工序，在该高速旋转工序中，一边对基板的表面的中央供给冲洗液，一边使所述基板以与所述第一转速相等的速度旋转。
根据该方法，例如在所述冲洗液供给工序开始时执行高速旋转工序，在高速旋转工序后执行低速旋转工序。在高速旋转工序中，供给至基板表面的冲洗液受到基板旋转产生的离心力，而在基板表面上扩散。在高速旋转工序之后执行的低速旋转工序中，基板的转速降低，对在基板表面上流动的冲洗液所作用的离心力变小或变得几乎没有。因此，通过在冲洗液已覆盖了基板表面中央部的整个区域的时刻执行低速旋转工序，能够使药液仅残留在基板表面的周缘部。由此，能够利用药液选择性地仅对基板表面的周缘部进行处理。
在本发明的一个实施方式的基板处理方法中，所述周缘部处理工序中的冲洗液的供给流量比所述高温药液供给工序中的药液的供给流量少。根据该方法，小流量地供给至基板表面的冲洗液几乎不扩散，而滞留在基板表面的中央部。由此，能够在冲洗液供给工序的初期，选择性地对基板表面的中央部供给冲洗液。
优选在所述冲洗液供给工序中供给至基板表面的冲洗液，温度比所述处理室的温度高。若在冲洗液供给工序中对基板表面供给常温(例如与处理室内的空气温度实质上相等的温度)的冲洗液，则在冲洗液供给工序开始时，基板表面上的药液可能会被冲洗液夺去热而温度急剧地降低。因此，残留于基板表面的周缘部的药液的温度可能降低，而该残留药液的处理能力降低。因此，通过对基板表面供给高温的冲洗液，能够抑制残留于基板表面的周缘部的药液的温度降低。由此，能够使残留于基板表面的周缘部的药液发挥强的处理能力。
本发明的基板处理装置包括：处理室，旋转单元，用于在所述处理室内使基板旋转，高温药液供给单元，用于对基板的表面供给温度比所述处理室的温度高的药液，冲洗液供给单元，用于对基板的表面供给用于冲洗药液的冲洗液，控制单元，用于对所述旋转单元的旋转动作、所述高温药液供给单元的药液供给动作及所述冲洗液供给单元的冲洗液供给动作进行控制。所述控制单元包括：周缘部处理控制单元，控制所述旋转单元及所述冲洗液供给单元，来选择性地对基板的表面的中央部供给冲洗液，从而一方面抑制对该中央部的药液处理，而另一方面使对基板的表面的周缘部的药液处理得以进行，整个面冲洗控制单元，控制所述旋转单元及所述冲洗液供给单元，使得冲洗液遍及基板的表面的整个区域，从而在基板的表面的整个区域将药液置换成冲洗液。
根据该结构，能够实现与基板处理方法的发明相关地阐述的作用效果同样的作用效果。
通过下面参照附图陈述的实施方式的说明，进一步明确本发明的上述的、或其他目的、特征及效果。
附图说明
图1是示意地表示本发明的第一实施方式的基板处理装置的结构的剖视图。
图2是表示图1所示的基板处理装置的电气结构的框图。
图3是第一、第二、第三处理例的整体工序图。图3A、图3B及图3C分别是用于说明第一、第二、第三处理例中的DIW供给工序(图3的步骤S3)的详细的流程图。
图4是表示第一处理例中的晶片的转速的变化的图。
图5A、图5B及图5C是用于说明第一处理例的多个工序中的晶片的处理状态的图。
图6是表示第二处理例中的晶片的转速的变化的图。
图7是用于说明第二处理例的一个工序(DIW供给工序)中的晶片的处理状态的图。
图8是示意地表示本发明的第二实施方式的基板处理装置的结构的剖视图。
图9是表示第三处理例中的处理液的供给流量的变化的图。
图10A、图10B及图10C是用于说明第三处理例的多个工序中的晶片的处理状态的图。
图11是示意地表示本发明的第三实施方式的基板处理装置的结构的剖视图。
图12是表示第四处理例的工序的工序图。
图13是表示第一蚀刻试验中的蚀刻量的面内分布的曲线。
图14是表示第二蚀刻试验中的蚀刻量的面内分布的曲线。
具体实施方式
图1是示意地表示本发明的一个实施方式(第一实施方式)的基板处理装置1的结构的剖视图。该基板处理装置1是对作为基板的一个例子的圆形半导体晶片W(下面，简称为“晶片W”)进行处理的单张式装置。在该实施方式中，对晶片W的器件形成区域一侧的表面实施作为清洗处理的一个例子的蚀刻处理(例如，氧化膜蚀刻处理)。在蚀刻处理中，作为药液利用蚀刻液。蚀刻液能够例示氢氟酸。
基板处理装置1具有由隔离壁2划分的处理室3。在处理室3内具有旋转卡盘4、药液喷嘴5、DIW喷嘴6及杯7。旋转卡盘4，大致水平地保持晶片W，并且使晶片W围绕穿过晶片W的中心的大致铅垂的旋转轴线C旋转。药液喷嘴5，向旋转卡盘4所保持的晶片W的表面(即，上表面)供给高温蚀刻液。DIW喷嘴6，对旋转卡盘4所保持的晶片W的表面的中央部供给作为冲洗液的常温(例如25℃)的DIW(去离子水)。杯7容置旋转卡盘4。
旋转卡盘4包括旋转马达(旋转单元)8、旋转基座9及夹持构件10。旋转基座9是借助旋转马达8的旋转驱动力围绕旋转轴线C旋转的圆盘状的构件。夹持构件10，以大致相等的间隔设置于旋转基座9的周缘的多处，并将晶片W夹持为大致水平的姿势。根据该结构，旋转卡盘4在通过多个夹持构件10夹持着晶片W的状态下，通过旋转马达8的旋转驱动力使旋转基座9旋转。由此，旋转卡盘4能够使该晶片W以保持为大致水平的姿势的状态，与旋转基座9一起围绕旋转轴线C旋转。
作为旋转卡盘4，不限于采用夹持式卡盘，也可以采用真空吸附式卡盘(真空卡盘)等其他结构的卡盘。关于真空吸附式卡盘，通过真空吸附晶片W的背面，以水平的姿势保持晶片W，进而在该状态下围绕铅垂的旋转轴线旋转。由此，真空吸附式卡盘能够使所保持的晶片W旋转。
药液喷嘴5例如是以连续液流的状态喷出加热为高温(例如60℃)的蚀刻液的直线型喷嘴。药液喷嘴5以使其喷出口朝向下方的状态安装于机械臂11的前端部。机械臂11大致水平地延伸，机械臂11的基端部由在杯7的侧方大致铅垂地延伸的支撑轴12的上端部支撑着。支撑轴12与包括马达的喷嘴驱动机构13相结合。通过从喷嘴驱动机构13对支撑轴12输入旋转力而使支撑轴12转动，能够使机械臂11在旋转卡盘4的上方摆动，从而使药液喷嘴5沿着晶片W的表面水平移动。
药液喷嘴5上连接有蚀刻液供给管14，该蚀刻液供给管14用于供给来自高温蚀刻液供给源的高温蚀刻液。在蚀刻液供给管14的途中部安装有蚀刻液阀15，该蚀刻液阀15用于对从药液喷嘴5供给蚀刻液和停止供给进行切换。
通过在晶片W保持于旋转卡盘4并在该晶片W的上方配置有药液喷嘴5的状态下，从药液喷嘴5供给蚀刻液，能够对晶片W的表面供给蚀刻液。在从药液喷嘴5对晶片W的表面供给蚀刻液时，使机械臂11在规定的角度范围内摆动。由此，晶片W的表面上的蚀刻液的供给位置，在从晶片W的旋转中心(晶片W的旋转轴线C上的点)到晶片W的周缘的范围内，描画圆弧状轨迹地移动。
DIW喷嘴6例如是以连续液流的状态供给DIW的直线型喷嘴。DIW喷嘴6以使供给口朝向晶片W的旋转中心附近的方式固定配置在旋转卡盘4的上方。在DIW喷嘴6上连接有DIW供给管16，该DIW供给管16用于供给来自DIW供给源的常温(例如25℃)的DIW。在DIW供给管16的途中部安装有DIW阀18，该DIW阀18用于对从DIW喷嘴6供给DIW和停止供给进行切换。
杯7是为了捕获在晶片W的处理中用过之后的蚀刻液及DIW而设置的，形成为有底圆筒容器状。
图2是表示基板处理装置1的电气结构的框图。
基板处理装置1具有包括微型计算机的结构的控制装置20。该控制装置20作为控制对象连接有旋转马达8、喷嘴驱动机构13、蚀刻液阀15及DIW阀18等，控制装置20被程序化以对这些控制对象进行控制。
图3是表示在基板处理装置1中执行的蚀刻处理的一个例子的工序图。图3A是表示第一处理例中的DIW供给工序(图3中的步骤S3)的详细工序的流程图。图4是表示第一处理例中的晶片W的转速的变化的图。图5A、图5B及图5C是用于说明第一处理例的多个工序中的晶片处理状态的图。
作为处理对象的晶片W通过搬送机械手(未图示)搬入到处理室3内，以晶片W的表面朝向上方的状态被交接到旋转卡盘4。此时，为了不妨碍搬入晶片W，药液喷嘴5配置于杯7的侧方的原位置。
晶片W保持于旋转卡盘4之后，控制装置20控制旋转马达8，使晶片W以第一液处理速度(第一转速，例如300rpm)旋转。另外，机械臂11回转，药液喷嘴5从原位置移动到晶片W的旋转轴线C上。
当药液喷嘴5的移动结束时，控制装置20使蚀刻液阀15打开，从药液喷嘴5供给高温(例如60℃)的蚀刻液(图3的步骤SI：高温蚀刻液供给工序，控制装置20作为高温药液供给控制单元进行工作)。在该高温蚀刻液供给工序中，来自药液喷嘴5的蚀刻液的供给流量例如为2.0L/min，且是恒定的(参照图5A)。在高温蚀刻液供给工序中，控制装置20控制喷嘴驱动机构13，使机械臂11在规定的角度范围内摆动。机械臂11的摆动是匀速的。通过机械臂11的摆动，药液喷嘴5在晶片W的旋转轴线C和晶片W的周缘部的上方之间往复移动。由此，晶片W的表面上的蚀刻液供给位置，在从晶片W的旋转中心到晶片W的周缘部的范围内，一边描画与晶片W的旋转方向交叉的圆弧状的轨迹，一边往复移动(参照图5A)。在高温蚀刻液供给工序中，晶片的转速例如为300rpm，且是恒定的(参照图4)。
此外，所说的晶片W的周缘部例如为，以晶片W的旋转中心为中心，半径为晶片W半径的2/3左右的圆的外侧的环状区域。更具体而言，在外径200mm的晶片W上，以晶片W的旋转中心为中心的半径70mm左右的圆的外侧的环状区域相当于周缘部。同样地，在外径300mm的晶片W上，以晶片W的旋转中心为中心的半径100mm左右的圆的外侧的环状区域相当于周缘部。
从药液喷嘴5供给到晶片W的表面的蚀刻液扩散到晶片W的表面的整个区域。由此，蚀刻液均匀且快速地供给至晶片W的表面的整个区域。通过从药液喷嘴5对晶片W的表面供给蚀刻液，能够通过该蚀刻液的化学能力，除去形成于晶片W表面的氧化膜。
当从药液喷嘴5开始供给蚀刻液起经过规定时间(例如35秒钟)时，控制装置20使蚀刻液阀15关闭，停止对晶片W供给蚀刻液(图3的步骤S2：停止供给高温蚀刻液)。另外，控制装置20控制旋转马达8，使晶片W的转速减速到规定的低转速(第二转速，例如10rpm)(参照图4)。然后，控制装置20使机械臂11回转，而使药液喷嘴5返回到原位置。
从药液喷嘴5供给至晶片W的表面的高温的蚀刻液，在刚刚落下至晶片W的表面后是高温的，但在晶片W上流动的过程中，热被晶片W和周围空气夺去，从而蚀刻液的液温降低。即，来自药液喷嘴5的高温的蚀刻液在蚀刻液供给位置(落下位置)发挥最强的蚀刻力。另一方面，晶片W的表面位置越远离旋转轴线C越高速地移动。为此，当如该第一处理例那样，在高温蚀刻液供给工序中的蚀刻液的供给流量恒定的情况下，随着蚀刻液供给位置远离旋转轴线C，单位面积内的蚀刻液的供给量变少。由此，晶片W的中央部的蚀刻效率高于晶片W的周缘部的蚀刻效率。即，在晶片W表面的中央部蚀刻处理相对快地进行，相对地，在晶片W表面的除了中央部以外的区域，蚀刻处理相对慢。由此，在晶片W的表面内蚀刻处理不均匀。
在停止供给蚀刻液(图3的步骤S2)及使晶片W减速(参照图4)之后，控制装置20使DIW阀18打开，从DIW喷嘴6供给常温(例如25℃)的DIW(图3的步骤S3：DIW供给工序)。从DIW喷嘴6喷出的DIW供给至旋转中的晶片W的表面的旋转中心附近(参照图5B)。来自DIW喷嘴6的DIW的供给流量例如为2.0L/min，是恒定的。
此时，如图4所示，晶片W的转速是低转速(例如10rpm)，所以晶片W旋转产生的离心力几乎不会作用于已供给至晶片W的表面的DIW。因此，供给至晶片W的表面的DIW滞留在晶片W表面的中央部，几乎不会到达晶片W的周缘部。因此，晶片W表面的中央部的蚀刻液快速地置换成DIW，但在晶片W表面的周缘部，置换为DIW的置换效率低，因此，在晶片W的表面的周缘部残留有蚀刻液(参照图5B)。在该第一处理例中，在处于图5B的状态时，DIW不会到达晶片W的表面的周缘部，而且DIW甚至不会到达晶片W的中央部的外周部分。因此，在晶片W的中央部的外周部分也残留有蚀刻液。通过该残留蚀刻液，选择性地对晶片W的表面的周缘部及晶片W的中央部的外周部分进行蚀刻处理。即，在从DIW喷嘴6开始供给DIW起的规定的低速旋转期间T1(例如1～10秒钟)，控制装置20执行利用残留药液选择性地对晶片W的周缘部进行处理的周缘部处理工序(低速旋转工序，图3A的步骤S31)。该动作是作为控制装置20的周缘部处理控制单元或低速旋转冲洗控制单元的功能。
当从DIW喷嘴6开始供给DIW起经过规定的低速旋转期间T1时，控制装置20控制旋转马达8，使晶片W的转速加速到第二液处理速度(例如500rpm)，来执行整个面冲洗工序(图3A的步骤S32，并参照图4)。为此，供给至晶片W的表面的DIW受到晶片W旋转产生的离心力而在晶片W的表面上向周缘流动，从而扩散到晶片W的表面的整个区域(参照图5C)。由此，附着于晶片W的表面的蚀刻液被DIW冲洗。执行该整个表面冲洗工序的控制装置20的动作是作为整个表面冲洗控制单元的功能。
该在第一处理例中，如图4所示，晶片W加速到第二液处理速度(例如500rpm)之后，维持该第二液处理速度不变。但是，在规定的时刻(从开始供给DIW起经过例如25秒钟)以后，对晶片W的转速进行多级切换。
具体而言，到了规定的时刻以后，通过控制装置20对旋转马达8的控制，晶片W的转速以第三液处理速度(例如280rpm，例如5秒钟)、第二液处理速度(例如1秒钟)、第四液处理速度(例如30rpm，例如5秒钟)、第五液处理速度(例如15rpm，例如3秒钟)、第六液处理速度(例如10rpm，例如5秒钟)的顺序变化。随着该晶片W的转速的变化，DIW从晶片W的周缘飞散的飞散方向发生变化，从而附着在杯7上壁、旋转基座9的上表面等的蚀刻液等被冲洗掉。
从DIW喷嘴6开始供给DIW起经过规定时间(例如40秒钟)时，控制装置20使DIW阀18关闭，停止对晶片W供给DIW(图3的步骤S4：停止供给DIW)。
之后，控制装置20控制旋转马达8，使晶片W的转速加速到规定的高转速(例如3000rpm)。由此，附着于晶片W的DIW被甩掉而除去(图3的步骤S5：旋转脱水)。
晶片W的高速旋转持续规定时间之后，控制装置20使晶片W停止旋转。由此，对一张晶片W的蚀刻处理结束，通过搬送机械手从处理室3搬出处理完毕的晶片W。
如上所述，在第一处理例中，在接着高温蚀刻液供给工序执行的DIW供给工序开始时，晶片W的转速降低为低转速(例如10rpm)。因此，晶片W旋转产生的离心力几乎不会作用于供给至晶片W表面的DIW。因此，供给至晶片W表面的中央部的DIW滞留在该中央部。由此，在DIW供给工序的初期，选择性地向晶片W表面的中央部供给DIW。虽然通过该DIW的供给，晶片W表面的中央部的蚀刻液快速地置换成DIW，但在晶片W表面的周缘部置换为DIW的置换效率低，因此，在晶片W表面的周缘部残留有蚀刻液。通过该残留蚀刻液，选择性地对晶片W的周缘部进行蚀刻处理。即，通过选择性地对晶片W表面的中央部供给DIW，能够补偿晶片W表面的周缘部的蚀刻处理的缓慢。由此，能够对晶片W表面的整个区域实施均匀的蚀刻处理。
另外，因为在DIW供给工序中选择性地对晶片W的周缘部进行蚀刻处理，所以无需另外追加选择性地对晶片W的周缘部进行蚀刻处理的工序。即，在不会使整体的处理时间变长的情况下，能够对晶片W的表面实施均匀的蚀刻处理。
图6是表示第二处理例中的晶片W的转速的变化的图。图7是用于说明第二处理例的DIW供给工序的初期的晶片处理状态的图。并且，图3B是用于说明第二处理例中的DIW供给工序(图3的步骤S3)的详细内容的流程图。参照图3、图6及图7说明第二处理例。
第二处理例与第一处理例同样地，依次执行高温蚀刻液供给工序(图3所示的步骤S 1)、停止供给高温蚀刻液工序(图3所示的步骤S2)、DIW供给工序(图3所示的步骤S3)、停止供给DIW工序(图3所示的步骤S4)及旋转脱水(图3所示的步骤S5)。该第二处理例与第一处理例的不同点在于，在DIW供给工序中，使将晶片W的转速降低到低转速(例如10rpm)的时刻比开始DIW供给工序的时刻，延迟规定的延迟期间T2(例如0.5～1.0秒钟)。除此之外，因为与第一处理例相同，所以省略说明。
具体而言，开始从DIW喷嘴6供给常温(例如25℃)的DIW之后，到经过延迟期间T2为止的期间，控制装置20使晶片W继续以第一液处理速度旋转，执行高速旋转工序(图3B的步骤S30)。因此，在延迟期间T2内，落下至晶片W的表面的中央的DIW受到晶片W旋转产生的离心力而在晶片W的表面上扩散。延迟期间T2内的控制装置20的动作是作为控制装置20的高速旋转冲洗控制单元的功能。
经过延迟期间T2时，控制装置20控制旋转马达8，使晶片W的转速减速到低转速(例如10rpm)(图3B的步骤S31，低速旋转工序，低速旋转冲洗控制单元)。通过该减速，离心力几乎不会作用于晶片W表面的DIW。由此，覆盖晶片W的表面上的DIW液膜停止扩大，在晶片W的表面的中央部能够形成比较大的DIW的积液。延迟期间T2设定为从DIW喷嘴6供给的DIW覆盖晶片W的表面的中央部整个区域所需的足够的时间。由此，DIW几乎不会到达晶片W表面的周缘部，从而能够仅在该周缘部残留有蚀刻液(参照图7)。由此，能够利用残留蚀刻液选择性地仅对晶片W的周缘部进行蚀刻处理。之后，控制装置20控制旋转马达8，将晶片W的转速加速到第二液处理速度(例如500rpm)，来执行整个表面冲洗工序(步骤S32)。这是作为控制装置20的整个表面冲洗控制单元的功能。
图8是示意地表示本发明的第二实施方式的基板处理装置101的结构的剖视图。在图8中，对相当于图1所示的各部分的部分标注与上述的各部分相同的参照附图标记。图8所示的基板处理装置101与图1所示的基板处理装置1的不同点在于，在DIW供给管16的途中部安装有流量调节阀17，该流量调节阀17调节在DIW供给管16中流通的DIW的流量。流量调节阀17配置于DIW阀18与DIW喷嘴6之间。流量调节阀17与控制装置20(参照图2)相连接而作为其控制对象。
图9是表示作为在基板处理装置101中执行的蚀刻处理的一个例子的第三处理例的处理液(蚀刻液及DIW)的供给流量的变化的图。图10A、图10B及图10C是用于说明第三处理例的多个工序中的晶片处理状态的图。另外，图3C是用于说明第三处理例中的DIW供给工序(图3的步骤S3)的详细内容的流程图。
在第三处理例中，为了选择性地对晶片W的表面的中央部供给DIW，DIW供给工序(图3的步骤S3)的初期的DIW的供给流量设定得比高温蚀刻液供给工序中的蚀刻液的供给流量少。
第三处理例与第一处理例同样，依次执行高温蚀刻液供给工序(图3所示的步骤S 1)、停止供给高温蚀刻液工序(图3所示的步骤S2)、DIW供给工序(图3所示的步骤S3)、停止供给DIW工序(图3所示的步骤S4)及旋转脱水(图3所示的步骤S5)。另外，晶片W的转速与第一处理例同样地进行切换(参照图4)。但是，也可以如图4中以虚线A所示，省去低速旋转期间T1，在高温蚀刻液供给期间之后将晶片W的转速也维持液处理速度(300rpm)。
以下，参照图3、图3C、图4、图8～图10C说明第三处理例。
作为处理对象的晶片W通过搬送机械手(未图示)搬入处理室3内，以晶片W的表面朝向上方的状态被交接到旋转卡盘4。此时，为了不妨碍搬入晶片W，药液喷嘴5还配置于杯7的侧方的原位置。
晶片W保持于旋转卡盘4之后，控制装置20控制旋转马达8，使晶片W以规定的液处理速度(例如300rpm)旋转。另外，控制装置20使机械臂11回转，以使药液喷嘴5从原位置移动到晶片W的旋转轴线C上。
当药液喷嘴5的移动结束时，控制装置20使蚀刻液阀15打开，从药液喷嘴5供给高温(例如60℃)的蚀刻液(图3所示的步骤S1：高温蚀刻液供给工序)。在高温蚀刻液供给工序中，来自药液喷嘴5的蚀刻液的供给流量例如为2.0L/min，且是恒定的(参照图9)。另外，在高温蚀刻液供给工序中，控制装置20控制喷嘴驱动机构13，使机械臂11在规定的角度范围内摆动。机械臂11的摆动是匀速的。通过该机械臂11的摆动，药液喷嘴5在晶片W的旋转轴线C与晶片W的周缘部的上方之间往复移动。由此，晶片W的表面上的蚀刻液供给位置(落下点)，在从晶片W的旋转中心到晶片W的周缘部的范围内，一边描画与晶片W的旋转方向交叉的圆弧状的轨迹一边往复移动(参照图10A)。在高温蚀刻液供给工序中，晶片的转速例如为300rpm，且是恒定的(参照图4、图6及图10A)。以上的利用蚀刻液的处理与上述的第一实施方式的第一处理例(图4)及第二处理例(图6)同样。
当从药液喷嘴5开始供给蚀刻液起经过规定时间(例如35秒钟)时，控制装置20使蚀刻液阀15关闭，停止向晶片W供给蚀刻液(图3所示的步骤S2：停止供给高温蚀刻液，并参照图9)。另外，控制装置20通过使机械臂11回转来使药液喷嘴5返回原位置。在步骤S1的高温蚀刻液供给工序中，如上所述，在晶片W表面的中央部，蚀刻处理相对快地进行，相对地，在晶片W表面的除中央部以外的区域，蚀刻处理相对慢，在晶片W的表面内蚀刻处理不均匀。
停止供给蚀刻液之后，控制装置20使DIW阀18打开，从DIW喷嘴6供给常温(例如25℃)的DIW。从DIW喷嘴6供给的DIW供给于旋转中的晶片W的表面的中央部(步骤S3：DIW供给工序)。此时，控制装置20控制流量调节阀17，设定流量调节阀17的开度，使得来自DIW喷嘴6的DIW的供给流量为比蚀刻液供给工序中的蚀刻液的流量小的规定的小流量(例如0.5L/min)，来执行小流量冲洗工序(图3C的步骤S35)。执行该小流量冲洗工序的控制装置20的动作是作为控制装置20的小流量冲洗控制单元的功能。
因为来自DIW喷嘴6的DIW的供给流量是小流量，所以供给至晶片W的表面的DIW滞留于晶片W表面的中央部。通过滞留于该晶片W的中央部的DIW，晶片W表面的中央部的蚀刻液被快速地置换成DIW，但在晶片W表面的周缘部，置换为DIW的置换效率低。因此，在晶片W的表面的周缘部残留有蚀刻液(参照图10B)。通过该残留蚀刻液，选择性地对该晶片W的表面的周缘部进行蚀刻处理。
然后，当从DIW喷嘴6开始供给DIW起经过规定的小流量期间T3(例如1～10秒钟)时，控制装置20控制流量调节阀17的开度，使来自DIW喷嘴6的DIW的供给流量成为规定的大流量(例如2.0L/min)，来执行大流量冲洗工序(图3C的步骤S36)(参照图9)。执行该大流量冲洗工序的控制装置20的动作是作为控制装置20的大流量冲洗控制单元的功能。
大流量地供给至晶片W的表面的DIW，受到晶片W旋转产生的离心力而在晶片W的表面上向周缘流动，从而扩散至晶片W的表面的整个区域(参照图10C，整个面冲洗工序)。由此，附着于晶片W的表面的蚀刻液被DIW冲洗掉。
在第三处理例中，也可以如图4中以虚线A所示的，将晶片W的转速维持为液处理速度(300rpm)。但是，在规定的时刻(从开始供给DIW起经过例如25秒钟)以后，与第一处理例同样地切换晶片W的转速(参照图4)。随着该晶片W的转速的变化，DIW从晶片W的周缘飞散的飞散方向发生变化，从而附着于杯7上壁、旋转基座9的上表面等的蚀刻液等被冲洗掉。
从DIW喷嘴6开始供给DIW起经过规定时间(例如40秒钟)时，控制装置20使DIW阀18关闭，停止对晶片W供给DIW(步骤S4：停止供给DIW)。
之后，控制装置20控制旋转马达8，使晶片W的转速加速到规定的高转速(例如3000rpm)。由此，附着于晶片W的DIW被甩掉而除去(步骤S5：旋转脱水)。
当晶片W的高速旋转持续规定时间时，控制装置20使晶片W停止旋转。由此，对一张晶片W的蚀刻处理结束，通过搬送机械手从处理室3搬出处理完毕的晶片W。
如上所述，在第二实施方式(第三处理例)中，DIW供给工序的初期的DIW的供给流量是比高温蚀刻液供给工序中的蚀刻液的供给流量小的小流量。因此，在DIW供给工序的初期，供给至晶片W表面的DIW几乎不扩散，而滞留于晶片W表面的中央部。
由此，在DIW供给工序的初期，选择性地对晶片W表面的中央部供给DIW。通过该DIW的选择性地供给，晶片W表面的中央部的蚀刻液快速地置换为DIW，而在晶片W表面的周缘部，置换为DIW的置换效率低。因此，在晶片W表面的周缘部残留有蚀刻液。通过该残留蚀刻液，选择性地对晶片W的周缘部进行蚀刻处理。这样，能够补偿晶片W表面的周缘部的蚀刻处理的缓慢。由此，能够对晶片W表面的整个区域实施均匀的蚀刻处理。
另外，在DIW供给工序中，通过残留蚀刻液选择性地对晶片W的周缘部进行蚀刻处理，所以无需另外追加选择性地对晶片W周缘部进行蚀刻处理的工序。即，在不会使整体的处理时间变长的情况下，能够对晶片W的表面实施均匀的蚀刻处理。
第三处理例也能够与第一处理例(图4)及第二处理例(图6)中的任一个组合。在将第一处理例及第三处理例组合的情况下，在DIW供给工序的初期，在低速旋转期间T1，晶片W以低转速旋转，并且在小流量期间T3小流量地供给DIW。在将第二处理例及第三处理例组合的情况下，在DIW供给工序的初期，从开始供给DIW延迟了延迟期间T2后，开始进入低速旋转期间T1，并且在小流量期间T3，小流量地供给DIW。
图11是示意地表示本发明的第三实施方式的基板处理装置201的结构的剖视图。在该实施方式中，DIW喷嘴6与高温DIW供给管202相连接，该高温DIW供给管202供给来自高温DIW供给源且加热到约60℃的DIW(高温DIW)。在高温DIW供给管202的途中部安装有高温DIW阀203，该高温DIW阀203用于对从DIW喷嘴6供给高温DIW和停止供给进行切换。高温DIW阀203连接于控制装置20(参照图2)而作为其控制对象。
图12是表示作为在基板处理装置201中执行的蚀刻处理的一个例子的第四处理例的工序图。
在第四处理例中，作为冲洗处理中利用的冲洗液，使用高温(约60℃)的DIW来代替常温的DIW。
图12所示的高温蚀刻液供给工序(步骤S11)、停止供给高温蚀刻液工序(步骤S12)、高温DIW供给工序(步骤S13)、停止供给高温DIW工序(步骤S14)及旋转脱水工序(步骤S15)分别是与上述的第一、第二、第三处理例的高温蚀刻液供给工序(图3所示的步骤S1)、停止供给高温蚀刻液工序(图3所示的步骤S2)、DIW供给工序(图3所示的步骤S3)、停止供给DIW工序(图3所示的步骤S4)及旋转脱水工序(图3所示的步骤S5)同样的处理。
在上述的第一实施方式的第一处理例、第二处理例及第三处理例中，作为冲洗液的常温的DIW供给至晶片W的表面。因此，在DIW供给工序(图3所示的步骤S3)开始时，晶片W的表面上的蚀刻液可能被供给至晶片W的表面的DIW夺去热，从而温度急剧地降低。此时，可能使残留于晶片W的周缘部的蚀刻液的液温降低，该蚀刻液发挥的蚀刻力变弱。
相对地，在该第三实施方式(第四处理例)中，对晶片W表面供给高温的DIW。因此，能够抑制残留在周缘部的蚀刻液的液温降低。由此，能够使残留于周缘部的蚀刻液发挥强的蚀刻力。
另外，第三实施方式(第四处理例)能够与上述的第一处理例、第二处理例及第三处理例中的任一处理例组合。即，在第一处理例、第二处理例及第三处理例中，只要使用高温的DIW来代替常温的DIW即可。尤其优选第四处理例与第二处理例(参照图6)相组合。在DIW供给工序开始时，在第二处理例中，与第一处理例相比，残留在晶片W的表面上的蚀刻液的量少。因此，如果使用高温的DIW，则残留在晶片W的表面上的蚀刻液保持高温，由此发挥强的蚀刻力，所以能够良好地对晶片W实施蚀刻处理。
当然，也能够组合第一处理例、第三处理例及第四处理例。此时，在高温DIW供给工序的初期，在低速旋转期间T1，晶片W以低转速旋转，并且在小流量期间T3，小流量地供给高温DIW。并且，也能够组合第二处理例、第三处理例及第四处理例。此时，在高温DIW供给工序的初期，从开始供给高温DIW起延迟了延迟期间T2后，开始进入低速旋转期间T1，并且在小流量期间T3，小流量地供给高温DIW。
接着，对第一蚀刻试验进行说明。
使用在表面形成有氧化膜的硅晶片W(外径300mm)作为样品，使用基板处理装置1进行下述的蚀刻处理。
<第一实施例>
对样品实施了第一处理例(参照图3A及图4)的蚀刻处理。低转速设为10rpm，低速旋转期间T1设为10秒钟。
<第二实施例>
对样品实施了第二处理例(参照图3B及图6)的蚀刻处理。低转速设为10rpm，低速旋转期间T1设为10秒钟。另外，延迟期间T2设为0.7秒钟。
<第一比较例>
与第一处理例中，在停止供给蚀刻液后，使晶片W的转速还维持第一液处理速度不变(在图4以虚线A所示)。从开始供给DIW起经过例如10秒钟之后，与第一处理例同样地切换晶片W的转速(参照图4)。
在第一实施例、第二实施例及第一比较例中，第一液处理速度(蚀刻液供给工序中的晶片W的转速)设为300rpm，第二液处理速度(DIW供给工序中的晶片W的转速)设为300rpm。
来自药液喷嘴5的蚀刻液的供给流量及液温分别是2.0L/min及60℃。作为蚀刻液使用氢氟酸。来自DIW喷嘴6的DIW的供给流量为2.0L/m，且是恒定的。另外，DIW的液温是25℃。
关于第一实施例、第二实施例及第一比较例，求出晶片W上的氧化膜的蚀刻量的面内分布(半径方向位置与蚀刻量之间的关系)。图13示出了该蚀刻试验的结果。图13是表示第一蚀刻试验中的蚀刻量的面内分布的曲线，横轴表示晶片W的半径方向的位置(距晶片W中心的距离)，纵轴表示蚀刻量。
接着，对第二蚀刻试验进行说明。
使用在表面形成有氧化膜的硅晶片W(外径300mm)作为样品，利用基板处理装置1、101、201进行下述的蚀刻处理。
<第三实施例>
使用基板处理装置1，对样品实施与第一处理例(参照图3A及图4)的蚀刻处理同样的处理。低转速设为10rpm，低速旋转期间T1设为10秒钟。另外，来自DIW喷嘴6的DIW的液温是25℃。该第三实施例的处理与第一处理例的不同点在于，在蚀刻液供给工序，使药液喷嘴5的喷出口停止为朝向晶片W的表面的旋转中心的状态(所谓的中心喷出方式)。
<第四实施例>
使用基板处理装置101(参照图8)，对样品实施与第三处理例(参照图3C及图9)的蚀刻处理同样的处理。在小流量期间T3，来自DIW喷嘴6的DIW的供给流量为0.5L/min。另外，来自DIW喷嘴6的DIW的液温为25℃。该第四实施例的处理与第三处理例的不同点在于，在蚀刻液供给工序中，使药液喷嘴5的喷出口停止为朝向晶片W的表面的旋转中心的状态(所谓的中心喷出方式)。
<第五实施例>
使用处理装置201(参照图11)，对样品实施与将第一处理例(图3A及图4)、第三处理例(图3C及图9)和第四处理例(图12)组合了的处理同样的处理。即，在高温DIW供给工序的初期，在低速旋转期间T1使晶片W的转速为低转速，在小流量期间T3，高温DIW的供给流量为规定的小流量。具体而言，低转速设为10rpm，低速旋转期间T1及小流量期间T3都设为10秒钟。在小流量期间T3，来自DIW喷嘴6的DIW的供给流量为0.5L/min。另外，来自DIW喷嘴6的DIW的液温为60℃。在该第五实施例中，在蚀刻液供给工序中，使药液喷嘴5的喷出口停止为朝向晶片W的表面的旋转中心的状态(所谓的中心喷出方式)。
<第二比较例>
与第一处理例中，在停止供给蚀刻液后，将晶片W的转速还维持第一液处理速度不变(在图4以虚线A所示)。从开始供给DIW起经过10秒钟之后，与第一处理例同样地切换晶片W的转速(参照图4)。
另外，与第一处理例不同，在蚀刻液供给工序中，使药液喷嘴5的喷出口停止为朝向晶片W的表面的旋转中心的状态(所谓的中心喷出方式)。另外，来自DIW喷嘴6的DIW的液温为25℃。
在第三实施例、第四实施例、第五实施例及第二比较例中，第一液处理速度(蚀刻液供给工序中的晶片W的转速)设为1000rpm，第二液处理速度(DIW供给工序及高温DIW供给工序中的晶片W的转速)设为1000rpm。
来自药液喷嘴5的蚀刻液的供给流量及液温分别为2.0L/min及60℃。作为蚀刻液使用氢氟酸。另外，来自DIW喷嘴6的DIW的供给流量除了小流量期间T3以外，均为2.0L/min。
关于第三实施例、第四实施例、第五实施例及第二比较例，求出晶片W的氧化膜的蚀刻量的面内分布(半径方向位置与蚀刻量之间的关系)。图14示出了该蚀刻试验的结果。图14是表示第二蚀刻试验的蚀刻量的面内分布的曲线，横轴表示晶片W的半径方向的位置(距晶片W的中心的距离)，纵轴表示蚀刻量。
根据图13及图14可知，在第一～第五实施例中，能够抑制晶片W的周缘部的蚀刻量减小。尤其可知，第二实施例的蚀刻的面内均匀性佳。
以上，说明了本发明的3个实施方式，但本发明还能够以其他方式实施。
例如，在第一实施方式的第一处理例中，也可以将晶片W的减速的时刻不是设定在高温蚀刻液供给工序结束(步骤S2)，而是设定在DIW供给工序开始(步骤S3)。
另外，在DIW供给工序(图3所示的步骤S3)或高温DIW供给工序(图12所示的步骤S13)中，也可以与停止供给蚀刻液连续地开始供给DIW(高温DIW)。
另外，例示了作为晶片W的低转速(低速旋转期间T1的转速)设置为例如10rpm，但希望低转速在供给至晶片W的DIW不会因晶片W旋转产生的离心力而移动的范围内，即0rpm～100rpm的范围内。
另外，在第二实施方式的第三处理例中，可以在DIW供给工序(图3所示的步骤S3)或高温DIW供给工序(图12所示的步骤S13)的整个期间，使来自DIW喷嘴6的DIW的供给流量为小流量(例如0.5L/min)。
另外，在上述的各实施方式中，蚀刻液供给工序(图3所示的步骤S1，图12所示的步骤S11)中的药液喷嘴5的扫描，可以是仅在向一个方向移动中从药液喷嘴5供给药液的所谓的单向扫描。另外，药液喷嘴5的扫描可以在隔着晶片W的旋转中心为对置关系的一对周缘位置之间进行。
另外，在上述的各实施方式中，举例说明了用于除去氧化膜的蚀刻处理，但对于用于除去晶片W的氮化膜的蚀刻处理，本发明也同样适用。此时，可以采用例如磷酸作为蚀刻液。另外，对于用于减薄晶片W的蚀刻处理，本发明也适用。此时，可以采用例如氟硝酸作为蚀刻液。
另外，也可以对晶片W实施清洗处理等利用药液的其他处理。作为药液的例子，除了上述的氟酸以外，能够例示SC1(ammonia-hydrogen peroxidemixture：氨气过氧化氢混合洗涤液)、SC2(hydrochloric acid/hydrogen peroxidemixture：盐酸过氧化氢混合洗涤液)、SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxidemixture：硫酸过氧化氢混合洗涤液)、稀释氢氟酸液(Buffered HF：氟酸与氟化铵的混合液)。
另外，在上述的各实施方式中，作为冲洗液例示了DIW，但作为其他的冲洗液，能够例示碳酸水、电解离子水、臭氧水、再生水(含氢水)及磁化水。
另外，如实施例说明那样，在上述的各实施方式中，在高温蚀刻液的供给中(图3所示的步骤S1或图12所示的步骤S11)，可以使药液喷嘴5停止在使其喷出口朝向晶片W的表面的旋转中心附近的状态(所谓的中心喷出方式)。此时，对晶片W的表面的中央部供给蚀刻液。供给至晶片W的表面的蚀刻液受到晶片W旋转产生的离心力，而在晶片W的表面上向周缘流动，扩散到晶片W的表面的整个区域。由此，对晶片W的表面的整个区域实施利用蚀刻液的处理。
对本发明的实施方式进行了详细地说明，但这些只不过是为了明确本发明的技术内容所用的具体例，本发明不应该限定解释为这些具体例，本发明的保护范围仅通过权利要求书来限定。
本申请与2010年9月28日向日本专利局提交的JP特愿2010-217217号相对应，在此通过引用包括了该申请的全部公开内容。

Claims (17)

1.一种基板处理方法，在处理室内对基板实施使用药液的处理，其特征在于，
包括：
高温药液供给工序，对基板的表面供给温度比所述处理室的温度高的药液，
冲洗液供给工序，在所述高温药液供给工序后，对基板的表面供给用于冲洗药液的冲洗液，
药液处理旋转工序，与所述高温药液供给工序并行执行，使所述基板以规定的第一转速旋转；
所述冲洗液供给工序包括：
周缘部处理工序，选择性地对基板的表面的中央部供给冲洗液，从而一方面抑制对该中央部的药液处理，另一方面使对基板的表面的周缘部的药液处理得以进行，
整个面冲洗工序，在所述周缘部处理工序之后，使冲洗液遍及基板的表面的整个区域，从而在基板的表面的整个区域将药液置换成冲洗液；
所述周缘部处理工序包括低速旋转工序，在该低速旋转工序中，一边对基板的表面的中央供给冲洗液，一边使所述基板以慢于所述第一转速的第二转速旋转。
2.根据权利要求1记载的基板处理方法，其特征在于，所述周缘部处理工序在所述低速旋转工序之前还包括高速旋转工序，在该高速旋转工序中，一边对基板的表面的中央供给冲洗液，一边使所述基板以与所述第一转速相等的速度旋转。
3.根据权利要求1或2记载的基板处理方法，其特征在于，所述周缘部处理工序包括，以比所述高温药液供给工序中的药液的供给流量小的供给流量对基板的表面的中央供给冲洗液的工序。
4.根据权利要求1或2记载的基板处理方法，其特征在于，在所述冲洗液供给工序中供给至基板的表面的冲洗液，是温度比所述处理室的温度高的高温冲洗液。
5.根据权利要求3记载的基板处理方法，其特征在于，在所述冲洗液供给工序中供给至基板的表面的冲洗液，是温度比所述处理室的温度高的高温冲洗液。
6.一种基板处理方法，在处理室内对基板实施使用药液的处理，其特征在于，
包括：
高温药液供给工序，一边使所述基板以第一液处理速度旋转，一边对基板的表面供给温度比所述处理室的温度高的药液，
冲洗液供给工序，在所述高温药液供给工序后，对基板的表面供给用于冲洗药液的冲洗液；
所述冲洗液供给工序包括：
低速旋转工序，一边对基板的表面的中央供给冲洗液，一边使基板以比第一液处理速度慢的低转速旋转，该低转速设定为使所述冲洗液能够滞留在基板的表面的中央部，
整个面冲洗工序，在所述低速旋转工序之后，一边对基板的表面的中央供给冲洗液，一边使基板以快于所述低转速的第二液处理速度旋转，以使所述冲洗液遍及基板的表面的整个区域。
7.根据权利要求6记载的基板处理方法，其特征在于，所述冲洗液供给工序还包括：
小流量冲洗工序，一边使所述基板旋转，一边以规定的小流量对基板的表面的中央供给冲洗液，
大流量冲洗工序，在所述小流量冲洗工序之后，一边使所述基板旋转，一边以大于所述小流量的大流量对基板的表面的中央供给冲洗液。
8.根据权利要求6或7记载的基板处理方法，其特征在于，在所述冲洗液供给工序中供给至基板的表面的冲洗液，是温度比所述处理室的温度高的高温冲洗液。
9.一种基板处理方法，在处理室内对基板实施使用药液的处理，其特征在于，
包括：
高温药液供给工序，一边使所述基板以第一液处理速度旋转，一边对基板的表面供给温度比所述处理室的温度高的药液，
冲洗液供给工序，在所述高温药液供给工序后，对基板的表面供给用于冲洗药液的冲洗液；
所述冲洗液供给工序包括：
高速旋转工序，一边对基板的表面的中央供给冲洗液，一边使基板以所述第一液处理速度旋转规定时间，该规定时间设定为使所述冲洗液能够在基板的表面的中央部内扩散，
低速旋转工序，在所述高速旋转工序之后，一边对基板的表面的中央供给冲洗液，一边使基板以比所述第一液处理速度慢的低转速旋转，该低转速设定为使所述冲洗液能够滞留在基板的表面的中央部，
整个面冲洗工序，在所述低速旋转工序之后，一边对基板的表面的中央供给冲洗液，一边使基板以快于所述低转速的第二液处理速度旋转，以使所述冲洗液遍及基板的表面的整个区域。
10.根据权利要求9记载的基板处理方法，其特征在于，所述冲洗液供给工序还包括：
小流量冲洗工序，一边使所述基板旋转，一边以规定的小流量对基板的表面的中央供给冲洗液，
大流量冲洗工序，在所述小流量冲洗工序之后，一边使所述基板旋转，一边以大于所述小流量的大流量对基板的表面的中央供给冲洗液。
11.根据权利要求9或10记载的基板处理方法，其特征在于，在所述冲洗液供给工序中供给至基板的表面的冲洗液，是温度比所述处理室的温度高的高温冲洗液。
12.一种基板处理装置，其特征在于，
包括：
处理室，
旋转单元，用于在所述处理室内使基板旋转，
高温药液供给单元，用于对基板的表面供给温度比所述处理室的温度高的药液，
冲洗液供给单元，用于对基板的表面供给用于冲洗药液的冲洗液，
控制单元，用于对所述旋转单元的旋转动作、所述高温药液供给单元的药液供给动作及所述冲洗液供给单元的冲洗液供给动作进行控制；
所述控制单元包括：
高温药液供给控制单元，控制所述旋转单元及所述高温药液供给单元，来一边使所述基板以第一液处理速度旋转，一边对基板的表面供给温度比所述处理室的温度高的药液，
低速旋转冲洗控制单元，控制所述旋转单元及所述冲洗液供给单元，来一边对基板的表面的中央供给冲洗液，一边使基板以比所述第一液处理速度慢的低转速旋转，该低转速设定为使所述冲洗液能够滞留在基板的表面的中央部，
整个面冲洗控制单元，控制所述旋转单元及所述冲洗液供给单元，来一边对基板的表面的中央供给冲洗液，一边使基板以快于所述低转速的第二液处理速度旋转，以使所述冲洗液遍及基板的表面的整个区域。
13.根据权利要求12记载的基板处理装置，其特征在于，所述控制单元还包括：
小流量冲洗控制单元，控制所述旋转单元及所述冲洗液供给单元，来一边使所述基板旋转，一边以规定的小流量对基板的表面的中央供给冲洗液，
大流量冲洗控制单元，控制所述旋转单元及所述冲洗液供给单元，来一边使所述基板旋转，一边以大于所述小流量的大流量对基板的表面的中央供给冲洗液。
14.根据权利要求12或13记载的基板处理装置，其特征在于，所述洗控液供给单元对基板的表面供给温度比所述处理室的温度高的高温冲洗液。
15.一种基板处理装置，其特征在于，
包括：
处理室，
旋转单元，用于在所述处理室内使基板旋转，
高温药液供给单元，用于对基板的表面供给温度比所述处理室的温度高的药液，
冲洗液供给单元，用于对基板的表面供给用于冲洗药液的冲洗液，
控制单元，用于对所述旋转单元的旋转动作、所述高温药液供给单元的药液供给动作及所述冲洗液供给单元的冲洗液供给动作进行控制；
所述控制单元包括：
高温药液供给控制单元，控制所述旋转单元及所述高温药液供给单元，来一边使所述基板以第一液处理速度旋转，一边对基板的表面供给温度比所述处理室的温度高的药液，
高速旋转冲洗控制单元，控制所述旋转单元及所述冲洗液供给单元，来一边对基板的表面的中央供给冲洗液，一边使基板以所述第一液处理速度旋转规定时间，该规定时间设定为使所述冲洗液能够在基板的表面的中央部内扩散，
低速旋转冲洗控制单元，控制所述旋转单元及所述冲洗液供给单元，来一边对基板的表面的中央供给冲洗液，一边使基板以比所述第一液处理速度慢的低转速旋转，该低转速设定为使所述冲洗液能够滞留在基板的表面的中央部，
整个面冲洗控制单元，控制所述旋转单元及所述冲洗液供给单元，来一边对基板的表面的中央供给冲洗液，一边使基板以快于所述低转速的第二液处理速度旋转，以使所述冲洗液遍及基板的表面的整个区域。
16.根据权利要求15记载的基板处理装置，其特征在于，所述控制单元还包括：
小流量冲洗控制单元，控制所述旋转单元及所述冲洗液供给单元，来一边使所述基板旋转，一边以规定的小流量对基板的表面的中央供给冲洗液，
大流量冲洗控制单元，控制所述旋转单元及所述冲洗液供给单元，来一边使所述基板旋转，一边以大于所述小流量的大流量对基板的表面的中央供给冲洗液。
17.根据权利要求15或16记载的基板处理装置，其特征在于，所述洗控液供给单元对基板的表面供给温度比所述处理室的温度高的高温冲洗液。
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