CN102414140B - 玻璃基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的玻璃基板是具有第一表面和第二表面的玻璃基板，其特征在于，第一表面的平均表面粗糙度Ra为0.2nm以下，至少第二表面采用大气压等离子体法进行了化学处理，并且平均表面粗糙度Ra为0.3～1.5nm。

Description

玻璃基板及其制造方法
技术领域
本发明涉及即使接触剥离也难以引起静电的带电的玻璃基板及其制造方法、或者即使玻璃基板之间的接触、或与板(平台、工作台)等构件接触也难以粘着的玻璃基板及其制造方法。
背景技术
玻璃基板作为液晶显示器(LCD)等平板显示器的基板已广泛使用。此外，平板显示器特别是LCD、有机EL显示器(OLED)中，使用基本上不含碱金属氧化物的无碱玻璃基板。
在上述的用途中，无碱玻璃基板要求以下的特性。(1)耐化学品性优异，具体而言，对于光刻-蚀刻工序中使用的各种酸、碱等的药液的耐性优异，(2)玻璃基板的形变点高以致不发生热收缩，具体而言，形变点为600℃以上。
在平板显示器的制膜、退火等工序中，将玻璃基板加热到几百℃。现在的多晶硅TFT-LCD，其工艺温度为约400～600℃。这种情况下，对玻璃基板要求高形变点，具体而言要求600℃以上的形变点。
为了高效率地制造大面积、板厚小的无碱玻璃基板，以下的特性也成为必需。(3)熔融性优异，以致使玻璃中难以产生泡、异物、纹络等熔融缺陷，(4)耐失透性优异，以致使熔融或成型中产生的异物不混入玻璃基板中。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2001-343632号公报
专利文献2：日本特开2002-72922号公报
发明内容
发明要解决的课题
然而，无碱玻璃基板多是静电的带电成为问题。原本为绝缘体的玻璃非常容易带电，但基本上不含碱金属氧化物的无碱玻璃在其中具有特别容易带电、一旦所带的静电不逃逸而被维持的倾向。在LCD、OLED等的制造工序中，在各个工序中引起玻璃基板的带电。特别地，制膜工序等中的与金属、绝缘体的板的接触剥离中引起的所谓剥离带电成为了大问题。玻璃基板与板的接触、剥离产生的带电在常压的大气中的工序中理所当然要发生的，在玻璃基板的表面进行薄膜的蚀刻的工序、制膜工序等真空工序中也发生，而成为问题。导电性的物质与在这些工序中带电的玻璃基板靠近时，则产生放电。所带的静电的电压达到数10kV，因此由于放电而产生玻璃基板的表面上的元件、电极线或者根据情况的玻璃本身的破坏(绝缘破坏或静电破坏)，成为显示不良的原因。在LCD中，以TFT-LCD为代表的有源矩阵型的LCD，在玻璃基板的表面形成薄膜晶体管等微细的半导体元件、电子回路，但该元件、回路非常不耐受静电破坏，尤其成为问题。此外，带电的玻璃基板招引环境中存在的灰尘，因此也成为玻璃基板的表面污染的原因。
此外，作为次要的问题，表面平滑的玻璃基板容易粘着于金属、陶瓷的板，将其剥离时，有时产生玻璃基板破损等问题。玻璃基板、板的带电也对该粘着产生影响。
作为玻璃基板的防带电对策，经常采用使用电离器将电荷中和或者提高环境中的湿度而使蓄积的电荷放电到空中的方法等。但是，这些防带电对策除了成为成本上升的要因以外，在工序中发生带电的场所多种多样，因此还存在难以寻求有效对策的问题。此外，这些防带电对策对于等离子体蚀刻工序、制膜工序等真空工序不能应用。因此，在LCD、OLED等平板显示器用途中，强烈要求在真空工序中也难以带电的玻璃基板(参照专利文献1、2)。
另一方面，不与各种板接触的一侧的玻璃基板的表面希望具有高表面精度。该表面一般称为玻璃基板的优先保证面或者简称为“正面”。例如，在薄膜晶体管型的LCD的制造工序中，各种配线膜、驱动像素的器件以薄膜的形式在玻璃基板的优先保证面形成。假设在玻璃基板的优先保证面存在损伤、污垢，或者表面的凹凸大，则产生配线膜的断线、TFT的形成不良等，成为显示不良的原因。因此，作为TV用的广视角技术而受到关注的IPS方式、超高精细的LCD，对于玻璃基板的优先保证面的损伤、污垢的要求标准非常严格。此外，对于作为下一代的显示器受到关注的OLED，由于使用了低温p-Si(LTPS)的高精细的驱动回路在玻璃基板的优先保证面上形成，因此玻璃基板的优先保证面的平滑性变得非常重要。
因此，本发明的技术课题在于，提供在各种显示器的制造工序中难以引起带电、同时难以粘着于板、并且配线膜的断线、TFT的形成不良等难以发生的玻璃基板。
用于解决课题的手段
关于本发明人等深入研究的结果，发现通过将除端面以外的玻璃基板的两表面的平均表面粗糙度Ra规定为规定范围，并对玻璃基板的一个表面采用大气压等离子体法进行化学处理，能够解决上述技术课题，提出了本发明。即，本发明的玻璃基板，是具有第一表面和第二表面的玻璃基板，其特征在于，第一表面的平均表面粗糙度Ra为0.2nm以下，至少第二表面采用大气压等离子体法进行了化学处理，并且平均表面粗糙度Ra为0.3～1.5nm。应予说明，“第一表面”是指除端面以外的玻璃基板的一面，“第二表面”是指除端面以外的玻璃基板的另一面。
作为减少玻璃基板的带电、特别是减少剥离带电以及与板的粘着的方法，微观上使玻璃基板与板的接触面积减少的方法最有效。如果玻璃基板与板以强力接触，在两者的界面产生电子的交换。如果接下来将两者剥离，则产生带电。因此，通过将玻璃基板的第二表面的平均表面粗糙度Ra控制在适当范围，能够减少玻璃基板与板的接触面积，其结果能够减少带电量。此外，容易带电并且表面平滑性非常高的玻璃基板，在吸附于板时，具有非常容易粘着于板的特征。因此，通过将玻璃基板的第二表面的平均表面粗糙度Ra控制在适当范围，能够减少玻璃基板与板的接触面积，其结果，能够防止玻璃基板的粘着。
玻璃基板的第二表面的平均表面粗糙度Ra越大，越容易防止接触剥离产生的带电、与板的粘着。但是，如果玻璃基板的第二表面的平均表面粗糙度Ra过大，有可能损害玻璃基板的面强度，除此之外，在各种显示器的制造工序内的药液处理工序中还侵蚀玻璃基板的表面，其结果有可能在各种显示器的显示中产生不利情况。此外，如果玻璃基板的第二表面的平均表面粗糙度Ra过大，化学处理的工艺成本高涨，而且容易产生玻璃基板的污染等次要的不利情况。因此，如果将玻璃基板的第二平均表面粗糙度Ra控制在0.3～1.5nm，则有效地防止剥离带电、玻璃基板的粘着等，同时不会使工艺成本不当地高涨，能够抑制玻璃基板的强度等的降低。其中，对于“平均表面粗糙度Ra”而言，优选玻璃基板的第二表面内70％以上具有规定的平均表面粗糙度Ra即可，是玻璃基板的面内的多个位置的平均值。即，即使玻璃基板的表面的特定位置(例如，玻璃基板的周边部、角部等)比1.5nm大，相反比0.3nm小，如果玻璃基板的第二(或第一)的表面内70％以上、优选80％以上为规定的平均表面粗糙度Ra，则遵循本发明的主旨，能够获得本发明的效果。
本发明的玻璃基板，其特征在于，采用大气压等离子体法对玻璃基板的表面进行化学处理。作为使玻璃基板的表面粗糙的方法，在大气压等离子体法以外也可考虑用氢氟酸等药液进行化学处理的方法等。该化学处理能够以比较低的成本、简单的工艺进行化学处理，但化学处理时对于药液的飞散等引起的对玻璃基板的优先保障面的影响、作业环境的安全上的问题必须注意。此外，近年来，LCD用玻璃基板的尺寸逐渐超过2m见方。但是，药液处理等湿法对大面积的玻璃基板进行均一的化学处理是非常困难的。另一方面，大气压等离子体法是干法，因此存在装置的初期成本升高的可能性，但能够均一且高效率地对大面积且薄壁的玻璃基板进行化学处理，对这样的玻璃基板是最佳的方法。此外，大气压等离子体法能够减轻化学处理时药液的飞散等产生的对玻璃基板的优先保障面的影响，同时能够消除作业环境的安全上的问题。应予说明，对于一般的物理研磨，不仅玻璃基板的表面的平均表面粗糙度Ra变大，而且在玻璃基板的表面产生称为潜伤的微细裂纹，这成为断线的原因，或者成为玻璃基板的强度下降的原因，但对于大气压等离子体法，由于不产生这样的问题，因此能够尽可能地防止玻璃基板的强度下降。
本发明的玻璃基板，将第一表面的平均表面粗糙度Ra控制在0.2nm以下。这样，在玻璃基板的表面能够高精度地形成各种配线膜、驱动像素的器件，其结果，能够确实可靠地防止薄膜配线膜的断线、TFT的形成不良等。
第二，本发明的玻璃基板，其特征在于，大气压等离子体法的气体源是含有F的气体。这样，能够产生含有HF系气体的等离子体，利用该等离子体，能够蚀刻玻璃基板的表面。
第三，本发明的玻璃基板，其特征在于，采用下拉法成型而成。
第四，本发明的玻璃基板，其特征在于，第一表面的面积和第二表面的面积超过0.2m2。
第五，本发明的玻璃基板，其特征在于，板厚为0.5mm以下。
第六，本发明的玻璃基板，其特征在于，作为玻璃组成，以下述氧化物换算的质量％计，含有SiO2 50～70％、A12O3 10～20％、B2O3 0～15％、MgO+CaO+SrO+BaO 1～30％、MgO 0～10％、CaO 0～20％、SrO 0～20％、BaO 0～20％，并且基本上不含碱金属氧化物。其中，所谓“基本上不含碱金属氧化物”是指玻璃组成中的碱金属氧化物的含量为1000ppm以下的情形。
第七，本发明的玻璃基板，其特征在于，第一表面是形成电极线和/或各种器件的面，并且第二表面是不形成电极线和/或各种器件的面。这样，能够防止工序中的带电或者与板的粘着，同时能够在玻璃基板的表面高精度地形成各种配线膜、驱动像素的器件。
第八，本发明的玻璃基板的制造方法，是具有第一表面和第二表面的玻璃基板的制造方法，其特征在于，以使第一表面的平均表面粗糙度Ra为0.2nm以下、第二表面的平均表面粗糙度Ra为0.3～1.5nm的方式，采用大气压等离子体法对第二表面进行化学处理。
第九，本发明的玻璃基板的制造方法，其特征在于，作为大气压等离子体法的气体源，使用含有F的气体。这样，能够产生含有HF系气体的等离子体，采用该等离子体能够将玻璃基板的表面蚀刻。
第十，本发明的玻璃基板的制造方法，其特征在于，作为含有F的气体，使用CF4气体或SF6气体。这样，能够高效率地发生含有HF系气体的等离子体，利用该等离子体能够适当地将玻璃基板的表面蚀刻。
第十一，本发明的玻璃基板的制造方法，其特征在于，使大气压等离子体法的处理速度为0.5～10m/分钟。这样，能够对玻璃基板的第二表面适当进行化学处理，同时能够提高玻璃基板的制造效率。
第十二，本发明的玻璃基板的制造方法，其特征在于，化学处理前的第二表面的平均表面粗糙度Ra为0.2nm以下。这样，能够对玻璃基板的第二表面均一地进行化学处理。
第十三，本发明的玻璃基板的制造方法，其特征在于，第一表面是形成电极线和/或各种器件的面，并且第二表面是不形成电极线和/或各种器件的面。
发明的效果
本发明的玻璃基板，剥离带电量低，能够抑制在LCD、OLED等的制造工序中产生的静电的带电，因此能够防止玻璃基板上的元件、配线的破坏，其结果，能够提高LCD、OLED等的制造效率。此外，本发明的玻璃基板，在LCD、OLED等的制造工序中玻璃基板难以粘着于板，能够避免玻璃基板破损的不利情况。因此，本发明的玻璃基板适合作为LCD、OLED等的平板显示器用基板等各种电子设备用基板。
附图说明
图1(a)是表示在用于测定剥离带电量的装置中载置了玻璃基板的状态的说明图。
图1(b)是表示用于测定剥离带电量的装置中使玻璃基板与板密合的状态的说明图。
具体实施方式
本发明的玻璃基板中，玻璃基板的第二表面的平均表面粗糙度Ra为0.3～1.5nm，优选0.4～1.2nm，更优选0.5～1.0nm、进一步优选0.5～小于0.8nm。玻璃基板的第二表面的平均表面粗糙度Ra越大，带电量越倾向于变小，但如果平均表面粗糙度Ra过大，在玻璃基板的表面容易产生大的缺陷，玻璃基板的强度容易降低。此外，平均表面粗糙度Ra越大，化学处理越花费成本、时间，玻璃基板的制造成本高涨。因此，有必要将玻璃基板的第二表面的平均表面粗糙度Ra控制在适当的范围，防止玻璃基板的强度下降，而且在不使生产性降低的情况下，防止玻璃基板的带电、粘着。
本发明的玻璃基板中，大气压等离子体法优选将CF4气体、SF6气体等含有F的气体用于气体源。这样，容易将玻璃基板的平均表面粗糙度Ra控制在规定范围。大气压等离子体法用于有机膜的表面改性、显示器用玻璃基板等的表面的有机污垢的除去等，但以往的大气压等离子体法使用Ar气、N2气作为气体源，使玻璃基板的平均表面粗糙度Ra变大是不可能的。但是，使用CF4气体、SF6气体等含有F的气体作为气体源，将这些气体与H2O混合，与等离子体反应时，则产生含有HF系气体的等离子体，利用该等离子体能够对玻璃基板的表面进行化学处理，其结果，能够使玻璃基板的平均表面粗糙度Ra变大。应予说明，大气压等离子体法在实际生产上，优选将这些含有F的气体与Ar等载气混合，用作处理气体(+等离子体)。
大气压等离子体法的处理时间优选0.5秒以上5分钟以内，处理速度优选0.5～10m/分钟。这样，容易以短时间使玻璃基板的平均表面粗糙度Ra为规定范围。
本发明的玻璃基板，优选采用下拉法、特别是溢流下拉法成型而成。这样，能够高效率地使大面积且表面精度良好的玻璃基板成型。此外，本发明的玻璃基板优选玻璃基板的第一表面和化学处理前的第二表面为アズフオ一ム面(锻造面)。这样，能够使玻璃基板的制造工序简单化，能够使玻璃基板的制造成本低廉化。现在，在下拉法中，从上述观点出发最优选的方法为溢流下拉法。对于其他的成型方法，例如在浮法中，玻璃基板的表面被熔融锡污染，同时称为起伏的微小的表面凹凸使TFT-LCD的显示性能降低，因此只要不研磨优先保证面，则无法成为制品。另一方面，溢流下拉法难以产生上述不利情况，因此能够省略研磨工序，其结果能够使玻璃基板的制造成本低廉化。
本发明的玻璃基板，面积越大，其效果越大。这是因为，大面积的玻璃基板容易蓄积静电，容易引起带电，而且在由于吸附而粘着于板的情况下，在其后的提升(lift-up)等工序中玻璃基板容易破损。因此，本发明的玻璃基板中，第一表面的面积和第二表面的面积优选0.2m2以上、0.5m2以上、0.6m2以上、特别优选1.0m2以上。
本发明的玻璃基板，板厚越小，其效果越大。这是因为，板厚小的玻璃基板在由于吸附而玻璃基板粘着于板的情况下，在其后的提升等工序中玻璃基板容易破损。因此，本发明的玻璃基板中，板厚优选0.7mm以下、0.6mm以下、0.5mm以下、特别优选0.4mm以下。
本发明的玻璃基板，作为玻璃组成，以下述氧化物换算的质量％计，优选含有SiO2 50～70％、Al2O3 10～20％、B2O3 0～15％、MgO+CaO+SrO+BaO 1～25％、MgO 0～10％、CaO 0～20％、SrO 0～20％、BaO 0～20％，基本上不含碱金属氧化物。以下示出如上所述限定玻璃组成中的各成分的含量的理由。
SiO2的含量为50～70％、优选55～65％。如果SiO2的含量少，则耐热性、耐酸性等下降。另一方面，如果SiO2的含量多，高温粘度升高，熔融性降低，而且玻璃中容易产生失透结晶(方晶石)等缺陷。
Al2O3的含量为10～25％、优选12％～23％、更优选13％～20％。如果Al2O3的含量比10％少，提高耐热性变得困难。此外，Al2O3还具有提高杨氏模量、比杨氏模量的作用，但如果Al2O3的含量比10％少，杨氏模量、比杨氏模量变得容易下降。应予说明，如果比杨氏模量下降，玻璃基板的挠曲量变大，特别是大面积的玻璃基板的挠曲量显著变大。另一方面，如果Al2O3的含量比25％多，采用大气压等离子体法，在玻璃基板的表面容易产生反应生成物，其结果，进行大气压等离子体法时，在玻璃基板的表面容易产生粗糙度的波动。
B2O3作为熔剂发挥作用，是降低高温粘性、提高熔融性的成分，其含量为0～15％、优选1～13％。如果B2O3的含量少，作为熔剂的作用变得不充分，而且高温粘性升高，玻璃基板的泡品位容易降低。另一方面，如果B2O3的含量多，难以采用大气压等离子体法对玻璃基板的表面进行化学处理。此外，如果B2O3的含量多，耐热性、杨氏模量降低。
MgO+CaO+SrO+BaO是降低液相温度、难以使玻璃中产生结晶异物的成分，而且是提高熔融性、成型性的成分，其含量为1～25％、优选5～20％、更优选10～20％。如果MgO+CaO+SrO+BaO的含量少，难以采用大气压等离子体法对玻璃基板的表面进行化学处理，而且不能充分地发挥作为熔剂的作用，熔融性降低。另一方面，如果MgO+CaO+SrO+BaO的含量过多，密度上升，比杨氏模量下降。
MgO是不使形变点下降、降低高温粘性、提高熔融性的成分，而且在碱土类金属氧化物中，是最具有降低密度的效果的成分，其含量为0～10％、优选0～8％、更优选0～6％、进一步优选0～5％、最优选0～3％。但是，如果MgO的含量多，液相温度上升，耐失透性变得容易降低。
CaO是不使形变点下降、降低高温粘性、显著提高熔融性的成分，同时在本发明涉及的玻璃组成系统中，抑制失透的效果高，并且在碱土类金属氧化物中，如果相对地增加其含量，变得容易实现低密度化。如果CaO的含量多，热膨胀系数、密度过度上升，玻璃组成的平衡受损，相反耐失透性变得容易降低。因此，CaO的含量为0～20％、优选0～15％、更优选1～10％。
SrO、BaO是不使形变点下降、降低高温粘性、提高熔融性的成分，但如果SrO、BaO的含量多，密度、热膨胀系数容易变高。SrO含量为0～20％、优选0～15％、更优选0～10％。此外，BaO的含量为0～20％、优选0～15％。
除了上述成分以外，可以在玻璃组成中添加以总量计至多10％、优选5％的其他成分。
ZrO2是提高杨氏模量的成分，其含量优选0～5％、0～3％、0～0.5％、特别优选0～0.2％。如果ZrO2的含量多，液相温度上升，锆石的失透结晶容易析出。
TiO2是降低高温粘性、提高熔融性的成分，同时还是抑制日晒的成分，如果在玻璃组成中大量含有，玻璃着色，透射率降低。因此，TiO2的含量优选0～5％、0～3％、0～1％、特别优选0～0.02％。
P2O5是提高耐失透性的成分，如果在玻璃组成中大量含有，玻璃中产生分相、乳白，而且耐水性显著下降。因此，P2O5的含量优选0～5％、0～1％、特别优选0～0.5％。
Y2O3、Nb2O5和La2O3具有提高形变点、杨氏模量等的作用。但是，如果这些成分的含量比5％多，密度容易上升。
作为澄清剂，可添加至多2％左右的SnO2、F、Cl、SO3、C、或Al、Si等金属粉末。此外，作为澄清剂，还可添加至多2％左右的CeO2等。
F、Cl等卤素具有促进无碱玻璃的熔融的效果，如果添加这些成分，能够使熔融温度低温化，同时能够促进澄清剂的作用，作为结果，能够使玻璃的熔融成本低廉化，同时实现玻璃制造窑的长寿命化。
本发明的玻璃基板的制造方法，是具有第一表面和第二表面的玻璃基板的制造方法，其特征在于，以使第一表面的表面粗糙度Ra为0.2nm以下、使第二表面的表面粗糙度Ra为0.3～1.5nm的方式，采用大气压等离子体法对第二表面进行化学处理。应予说明，本发明的玻璃基板的制造方法的技术特征(最佳方式)记载于本发明的玻璃基板的说明栏中，因此在此省略其说明。
实施例
[试料的制备]
作为本发明的玻璃基板，将优选的玻璃组成及其特性示于表1。如下所述制作表中的各试料。首先，以成为表中的玻璃组成的方式，调合玻璃原料，使用铂舟皿，在1600℃熔融24小时。接下来，将得到的熔融玻璃浇铸到碳板上，成型为平板形状。对于得到的玻璃，评价表中的特性。
[表1]
密度是采用公知的阿基米德法测定的值。
热膨胀系数是采用膨胀计测定的值，是30～380℃的温度范围的平均值。
形变点是基于ASTM C336的方法测定的值。
软化点是基于ASTM C338的方法测定的值。
相当于高温粘度102.5 d Pa·s的温度是采用铂球提升法测定的值。
杨氏模量是采用共振法测定的值。
液相温度是将玻璃粉碎，将通过标准筛30目(筛网眼500μm)、残留于50目(筛网眼300μm)的玻璃粉末装入铂舟皿，在温度梯度炉中保持24小时，测定结晶析出的温度所得的值。
液相粘度是采用铂球提升法测定液相温度TL下的玻璃的粘度所得的值。
接下来，对于表1的试料No.3，用实际生产的制造设备进行熔融，用溢流下拉法成型为厚0.4mm的平板形状，将得到的玻璃切断为400～500mm大小，洗涤，作为LCD用玻璃基板，得到了适当品位的玻璃基板。将该玻璃基板用于剥离带电评价和粘着性评价。
将剥离带电评价和粘着性评价的结果示于表2。应予说明，表2的试料No.3-1～3-6的表面，两面(第一表面和第二表面)均为锻造面，平均表面粗糙度Ra为0.15nm。
[表2]
接下来，对于试料No.3-2～3-6，采用使用了CF4气体或SF6气体的大气压等离子体法对玻璃基板的一个表面(第二表面)进行化学处理。化学处理的条件如表中所述。将化学处理后的试料No.3-2～3-6用纯水进行洗涤，干燥，用于以下的评价。应予说明，试料No.3-2～3-6的另一面(第一表面)为锻造面的状态，平均表面粗糙度Ra为0.15nm。
[平均表面粗糙度Ra的测定]
使用AFM(Veeco公司制D3000、悬臂：Si)，对10μm见方的范围进行测定，算出面内的平均表面粗糙度Ra。具体而言，对于玻璃基板内的中央部和周边部(从基板端部到内侧50mm)的9个部位，测定表面粗糙度Ra，算出其平均值。
[剥离带电评价]
剥离带电评价中，使用了图1中所示的装置。该装置具有以下的构成。
玻璃基板G的支承台1具有支承玻璃基板4角的特氟隆(注册商标)制的垫2。此外，在支承台1设置有升降自由的金属铝制的板3，使板3上下，由此使玻璃基板G与板3接触、剥离，能够使玻璃基板G带电。应予说明，使板3接地。此外，在板3形成孔(未图示)，将该孔与隔膜型的真空泵(未图示)连接。驱动真空泵时，则从板3的孔抽吸空气，由此能使玻璃基板G真空吸附于板3。此外，在玻璃基板G的上方10mm的位置设置表面电位计4，由此能够连续测定在玻璃基板G中央部产生的带电量。此外，在玻璃基板G的上方设置带有电离器的气枪5，由此能够将玻璃基板G的带电除去。应予说明，该装置的板的尺寸为350～450mm。
对使用该装置对剥离带电量进行测定的方法进行说明。应予说明，在20℃±1℃、湿度40％±1％的环境下进行实验。该带电量受到气氛、特别是大气中的湿度的影响而大幅变化，因此必须特别注意湿度的管理。
(1)使玻璃基板的化学处理面为下侧，载置于支承台1。
(2)采用带有电离器的气枪5，将玻璃基板除电到10V以下。
(3)使板上升与玻璃基板接触的同时，将其真空吸附，使板和玻璃基板密合30秒钟。
(4)通过使板下降而将玻璃基板剥离，用表面电位计连续地测定玻璃基板中央部产生的带电量。
(5)反复进行(3)和(4)，连续进行合计5次的剥离带电评价。
(6)求出各测定中的最大带电量，将它们累积作为剥离带电量。
[粘着性评价]
对于未化学处理的玻璃基板(试料No.3-1的同等品)和化学处理后的玻璃基板(试料No.3-2～3-6)，将未化学处理面与化学处理面相向地重合后，载置到平坦的板上，均等地施加10kg的重量，放置30分钟。此外，为了比较，对于试料No.3-1，采用同样的方法进行了评价。接下来，将两玻璃基板剥离，将立刻就剥离的记为“○”，将难以剥离的记为“△”，将不能在玻璃基板无破损的情况下剥离的记为“×”。
[评价结果]
由表2可知，试料No.3-2～3-6，由于玻璃基板的一个表面(第一表面)的平均表面粗糙度Ra为0.5～1.0nm，因此剥离带电量低，粘着性评价中玻璃基板没有破损。另一方面，试料No.3-1的剥离带电量高，粘着性评价中玻璃基板破损。应予说明，此次使用表1的No.3的试料进行了各种评价，但认为对于其他的试料(No.1、2、4～8)，也能获得同样的评价结果。

Claims (6)

1.一种玻璃基板的制造方法，是具有第一表面和第二表面的玻璃基板的制造方法，其特征在于，
使用第一表面的面积和第二表面的面积超过0.5m2的玻璃基板，
以使第一表面的平均表面粗糙度Ra为0.2nm以下、使第二表面的平均表面粗糙度Ra为0.3～1.5nm的方式，采用以含有F的气体作为气体源的大气压等离子体法至少对第二表面进行化学处理，
所述大气压等离子体法具有，使含有F的气体、H2O、等离子体反应，产生含有HF系气体的等离子体的工序，以及利用所述含有HF系气体的等离子体对第二表面进行化学处理的工序。
2.如权利要求1所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，
所述大气压等离子体法，作为载气使用Ar。
3.如权利要求1所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，
作为含有F的气体，使用CF4气体或SF6气体。
4.如权利要求1～3中任一项所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，
使大气压等离子体法的处理速度为0.5～10m/分钟。
5.如权利要求1～3中任一项所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，
化学处理前的第二表面的平均表面粗糙度Ra为0.2nm以下。
6.如权利要求1～3中任一项所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，
第一表面是形成电极线和/或各种器件的面，并且第二表面是不形成电极线和/或各种器件的面。
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