CN103730604A - 一种提升有机发光二极管结构强度的方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种有机发光二极管显示技术领域，尤指一种提升有机发光二极管结构强度的方法。依次执行如下步骤：通过研磨工艺去除有机发光二极管切割时产生的切割裂痕；通过蚀刻工艺去除研磨工艺过程中产生的微裂痕。采用上述方法解决因有机发光二极管留存有切割裂痕而影响显示屏强度的问题，降低有机发光二极管中玻璃基层上的应力残留，提升有机发光二极管的结构强度。

Description

一种提升有机发光二极管结构强度的方法

技术领域

本发明涉及一种有机发光二极管显示技术领域，尤指一种提升有机发光二极管结构强度的方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)具有自发光的特性，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当电流通过时，有机材料就会发光，而且有机发光二极管显示屏幕可视角度大，并且能够显著节省电能，因此现在有机发光二极管的应用越来越广泛。

目前有机发光二极管的封装方式通常采用激光熔接封合(Laser Frit)，将整版的玻璃封装后，在整体进行薄化处理，处理后在进入切割流程，依据所需要的有机发光二极管大小进行切割。这种加工方式，在切割断面上会留存一些切割裂痕，影响整个显示屏的结构强度。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种提升有机发光二极管结构强度的方法，可以解决因有机发光二极管留存有切割裂痕而影响显示屏强度的问题。

实现上述目的的技术方案是：

本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法，包括依次执行如下步骤：

通过研磨工艺去除有机发光二极管切割时产生的切割裂痕；

通过蚀刻工艺去除所述研磨工艺过程中产生的微裂痕。

采用上述方案，通过研磨可以完全去除有机发光二极管切割时产生的切割裂痕，但是会留有研磨过程中形成的新的微裂痕，再通过蚀刻工艺，利用液态渗透原理，消除研磨形成的微裂痕，降低有机发光二极管中玻璃基层上的应力残留，达到提升有机发光二极管的结构强度。

本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法的进一步改进在于：所述研磨工艺采用磨轮进行研磨。

本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法的进一步改进在于：所述磨轮的材质为人工钻石。

本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法的进一步改进在于：所述磨轮为圆柱状或者圆盘状。

本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法的进一步改进在于：所述蚀刻工艺采用酸性溶液或者酸性膏状物质进行蚀刻。

本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法的进一步改进在于：进行蚀刻工艺之前，对有机发光二极管的侧面包覆供保护用于封装有机发光二极管结构的熔块的一耐酸性光阻层。

本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法的进一步改进在于：所述耐酸性光阻层通过浸泡方式包覆于所述有机发光二极管的侧面。

本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法的进一步改进在于：所述耐酸性光阻层通过喷墨方式包覆于所述有机发光二极管的侧面。

本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法的进一步改进在于：所述耐酸性光阻层通过印刷方式包覆于所述有机发光二极管的侧面。

附图说明

图1为本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法的流程图；

图2为本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法中有机发光二极管的封装结构示意图；

图3为本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法中包覆耐酸性光阻层后的结构示意图；

图4为本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法中进行蚀刻工艺后的状态示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明。

请参阅图1所示，为本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法的流程图。有机发光二极管(有机发光二极管)的显示屏越来越普及，目前制作有机发光二极管显示屏的方法多为激光熔接封合(Laser Frit)，对封装好的玻璃基层进行薄化处理，一般是采用透过蚀刻液进行蚀刻，达到减薄显示屏的功能。然后依据所需尺寸进行切割，切割后进入模组制程以得到可使用的显示屏。上述切割过程中会致使玻璃基层的切割处留有裂痕，该裂痕的存在直接影响显示屏的结构强度。下面结合附图对本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法进行说明。

有机发光二极管显示屏包括四个首尾相接的侧面、一顶面以及一底面，顶面和底面为玻璃基板，该有机发光二极管显示屏的侧面由切割形成，该侧面上留有切割裂痕。

如图1所示，本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法包括依次执行以下步骤：S101，对切割好的有机发光二极管进行研磨，研磨切割处留下的切割裂痕，通过研磨工艺将切割裂痕完全去除；S103，于有机发光二极管的四个侧面的中间位置包覆一耐酸性光阻层；S105，通过蚀刻工艺消除研磨形成的微裂痕。

下面结合图2至图4，对本发明一种提升有机发光二极管结构强度的方法进行详细说明。

如图2所示，为封装好的有机发光二极管结构示意图，玻璃基层10采用激光熔接封合工艺封装，于两个玻璃基层10之间形成了熔块20。依据所需要的尺寸对整版的有机发光二极管进行切割，切割后会于玻璃基层10的切割面即侧面形成有切割裂痕。

以下对上述图1中所示的各个步骤进行详细描述。

首先，执行步骤S101，通过研磨工艺去除有机发光二极管切割时产生的切割裂痕。在本实施例中，所述研磨工艺可以采用磨轮进行研磨。具体地，选用磨轮对侧面进行研磨，去除切割裂痕。磨轮的材质可以选用人工钻石，磨轮的形式可以是圆柱状或圆盘状。在用磨轮去除切割裂痕的同时，还可以用磨轮进行显示屏的异形加工，制作出特定形状的显示屏。还可以采用磨轮对显示屏的侧面研磨出导角，以减少应力集中的情况。

执行步骤S103，于有机发光二极管的四个侧面的中间位置包覆一耐酸性光阻层，用以保护激光熔接封合工艺中用的熔块不被后续的蚀刻工艺所破坏。如图3所示，为包覆了耐酸性光阻层的有机发光二极管结构示意图，耐酸性光阻层30覆于有机发光二极管侧面的中间位置，耐酸性光阻层30部分包覆了玻璃基层10，将玻璃基层10上因研磨产生的微裂痕露于外部。耐酸性光阻层30可以选用浸泡方式、喷墨方式或者印刷方式涂覆于有机发光二极管的侧面。

执行步骤S105，通过蚀刻工艺消除研磨形成的微裂痕。在本实施例中，对包覆了耐酸性光阻层30的有机发光二极管进行蚀刻工艺处理，采用酸性溶液或者膏状物质蚀刻掉研磨留下的微裂痕。采用酸性溶液蚀刻时，可选用浸泡的方式进行蚀刻。采用膏状物质蚀刻时，可以选用将膏状物质涂覆于需蚀刻的位置进行。根据液态渗透原理，蚀刻用的酸性溶液或者膏状物质会渗透到玻璃基层上研磨留下的微裂痕中，蚀刻去掉微裂痕，确保有机发光二极管侧面的平整、无裂痕。进行蚀刻的同时，还可以消除玻璃基层10的直角，如图4所述，蚀刻后，玻璃基层10的直角蚀刻为圆角，以降低玻璃基层10的应力残留。

下面对本发明的有益效果进行详细说明。

本发明采用磨轮进行研磨显示屏的切割断面，可以完全消除切割产生的裂痕，有效增强显示屏结构的强度。但因研磨工艺会留下研磨痕迹，即研磨后的显示屏断面会形成有微裂痕，该微裂痕虽然微小，但对显示屏整体的结构强度还是有影响的。本发明又采用二次蚀刻工艺，因在显示屏切割前，现有技术中就对封装后的显示屏进行过蚀刻工艺，该蚀刻工艺的目的是为减薄显示屏的厚度，所以在此将本发明中的蚀刻工艺称为二次蚀刻，采用二次蚀刻去掉研磨留下的微裂痕，提高显示屏的结构强度。本发明因采用研磨工艺和蚀刻工艺的依次进行的技术方案，有效地去除了显示屏断面上的裂痕，显著的提高显示屏的结构强度。

以上结合附图实施例对本发明进行了详细说明，本领域中普通技术人员可根据上述说明对本发明做出种种变化例。因而，实施例中的某些细节不应构成对本发明的限定，本发明将以所附权利要求书界定的范围作为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种提升有机发光二极管结构强度的方法，其特征在于，该方法包括：

通过研磨工艺去除有机发光二极管切割时产生的切割裂痕；

通过蚀刻工艺去除所述研磨工艺过程中产生的微裂痕。

2.如权利要求1所述的一种提升有机发光二极管结构强度的方法，其特征在于：所述研磨工艺采用磨轮进行研磨。

3.如权利要求2所述的一种提升有机发光二极管结构强度的方法，其特征在于：所述磨轮的材质为人工钻石。

4.如权利要求2所述的一种提升有机发光二极管结构强度的方法，其特征在于：所述磨轮为圆柱状或者圆盘状。

5.如权利要求1所述的一种提升有机发光二极管结构强度的方法，其特征在于：所述蚀刻工艺采用酸性溶液或者酸性膏状物质进行蚀刻。

6.如权利要求1所述的一种提升有机发光二极管结构强度的方法，其特征在于：进行蚀刻工艺之前，对有机发光二极管的侧面包覆供保护用于封装所述有机发光二极管用的熔块的一耐酸性光阻层。

7.如权利要求6所述的一种提升有机发光二极管结构强度的方法，其特征在于：所述耐酸性光阻层通过浸泡方式包覆于所述有机发光二极管的侧面。

8.如权利要求6所述的一种提升有机发光二极管结构强度的方法，其特征在于：所述耐酸性光阻层通过喷墨方式包覆于所述有机发光二极管的侧面。

9.如权利要求6所述的一种提升有机发光二极管结构强度的方法，其特征在于：所述耐酸性光阻层通过印刷方式包覆于所述有机发光二极管的侧面。

Images