TW201623182A - 玻璃基板及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種玻璃基板，其在各種顯示器的製程中難以引起帶電，且難以貼付在平板上，而且難以產生配線膜的斷線或TFT的形成不良等。該玻璃基板是一種具有第一表面和第二表面的玻璃基板，其特徵在於，第一表面的平均表面粗度Ra小於等於0.2nm，且至少第二表面利用常壓電漿處理進行化學處理，且平均表面粗度Ra為0.3～1.5nm。

Description

玻璃基板及其製造方法
本發明是關於一種即使接觸剝離也難以引起靜電的帶電之玻璃基板及其製造方法，或即使玻璃基板彼此接觸或與平板（定盤、載台）等構件相接觸也難以產生貼付之玻璃基板及其製造方法。
玻璃基板作為液晶顯示器（LCD）等平板顯示器的基板而得到廣泛使用。而且，在平板顯示器特別是在LCD或有機EL顯示器（OLED）中，使用實質上不含有鹼金屬氧化物的無鹼玻璃基板。
在上述那樣的用途中，無鹼玻璃基板要求以下的特性。（1）耐藥品性優良，具體的是對光蝕刻（photolitho-etching）步驟中所使用的各種各樣的酸、鹼等藥液的耐性優良，（2）應變點高，以免玻璃基板產生熱收縮，具體地說是應變點大於等於600°C。
由於平板顯示器的製膜、退火等步驟，玻璃基板被加熱到數百°C。現在的多結晶矽TFT-LCD，其步驟溫度約為400～600°C。在這種情況下，玻璃基板要求高應變點，具體是大於等於600°C的應變點。
為了效率良好地製造大面積且板厚小的無鹼玻璃基板，以下的特性也是必要的。（3）熔融性優良，難以在玻璃中產生泡、雜質、紋理等熔融缺陷，（4）耐失透性優良，以免熔融或成形中產生的異物混入到玻璃基板中。 [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利早期公開之特開2001-343632號公報 [專利文獻2]日本專利早期公開之特開2002-72922號公報
然而，無鹼玻璃基板的靜電帶電多會形成問題。本來是絕緣體的玻璃非常容易帶電，而其中的實質上不含有鹼金屬氧化物的無鹼玻璃特別容易帶電，具有暫時帶電的靜電不會消除而維持的傾向。在LCD或OLED等的製程中，玻璃基板的帶電會在各種各樣的步驟中被引起。特別是在製膜步驟等中的因與金屬或絕緣體的平板的接觸剝離而產生之所謂的剝離帶電，就形成大的問題。因玻璃基板與平板的接觸、剝離所形成的帶電不只是在常壓的大氣中的步驟，在對玻璃基板的表面進行薄膜的蝕刻的步驟、製膜步驟等真空步驟中也會產生而形成問題。如導電性的物質接近在這些步驟中帶電了的玻璃基板，會產生放電。帶電的靜電的電壓會達到數10kV，所以會因放電而產生玻璃基板表面上的元件或電極線的破壞，或因場合而產生玻璃本身的破壞（絕緣破壞或靜電破壞），形成顯示不良的原因。在LCD中由TFT-LCD所代表的主動矩陣型的LCD，是在玻璃基板的表面上形成薄膜電晶體等微細的半導體元件或電子電路，但該元件或電路對靜電破壞非常弱，所以特別成為問題。而且，帶電了的玻璃基板吸引環境中所存在的灰塵，所以也形成玻璃基板的表面污染的原因。
另外，作為派生問題，表面平滑的玻璃基板容易貼付在金屬或陶瓷的平板上，當將它們進行剝離時，有時會產生玻璃基板破損等問題。玻璃基板或平板的帶電也對該貼付施予影響。
作為玻璃基板的帶電防止措施，眾所周知的有利用除靜電器（ionizer）而中和電荷，或提高環境中的濕度而使貯存的電荷向空中放電之方法等。但是，這些帶電防止措施除了形成成本上升的要因以外，還因為在步驟中引起帶電的場所涉及多個方面，所以存在難以採取有效對策的問題。另外，這些帶電防止措施在電漿蝕刻步驟或製膜步驟等真空步驟中無法應用。因此，LCD、OLED等平板顯示器用途強烈要求在真空步驟中也難以帶電的玻璃基板（參照專利文獻1、2）。
另一方面，與各種平板不接觸一側的玻璃基板的表面，最好有高表面精度。該表面一般被稱作玻璃基板的優先保證面或只稱作「正面」。例如，在薄膜電晶體型的LCD的製程中，各種配線膜或驅動像素的元件是以薄膜形式而形成在玻璃基板的優先保證面上。假如玻璃基板的優先保證面上存在傷痕或髒污，或表面的凹凸大，則會產生配線膜的斷線或TFT的形成不良等，形成顯示不良的原因。因此，作為TV用的廣視角技術而受到矚目的IPS（in-plane switching，面內切換）方式或超高精細的LCD，對玻璃基板的優先保證面的傷痕或髒污的要求基準非常嚴。而且，作為新一代的顯示器而受到矚目的OLED是在玻璃基板的優先保證面上形成利用低溫多晶矽（low temperature poly-silicon，LTPS）的高精細的驅動電路，所以，玻璃基板的優先保證面的平滑性非常重要。
因此，本發明的技術課題是提供一種玻璃基板，其在各種顯示器的製程中難以引起帶電，且難以貼付在平板上，而且難以產生配線膜的斷線或TFT的形成不良等。
本發明者等經過銳意研討，結果發現藉由將除了端面以外的玻璃基板的兩表面的平均表面粗度Ra限制在規定範圍內，且利用常壓電漿處理而對玻璃基板的一側表面進行化學處理，能夠解決上述技術課題，並作為本發明而提出申請。亦即，本發明的玻璃基板提供一種具有第一表面和第二表面的玻璃基板，其特徵在於，第一表面的平均表面粗度Ra小於等於0.2nm，且至少第二表面利用常壓電漿處理進行化學處理，且平均表面粗度Ra為0.3～1.5nm。另外，「第一表面」是指除了端面以外的玻璃基板的一面，「第二表面」是指除了端面以外的玻璃基板的另一面。
作為使玻璃基板的帶電特別是剝離帶電或與平板的貼付減少的方法，最有效的是微觀地使玻璃基板和平板的接觸面積減小的方法。當玻璃基板和平板以強力而接觸時，會在兩者的界面產生電子的交換。繼而當兩者被剝離時產生帶電。因此，藉由將玻璃基板的第二表面的平均表面粗度Ra限制在適當範圍中，可使玻璃基板和平板的接觸面積減少，結果能夠減小帶電量。而且，容易帶電且表面平滑性非常高的玻璃基板，具有當吸附在平板上時非常容易貼付在平板上之特徵。因此，藉由將玻璃基板的第二表面的平均表面粗度Ra限制在適當範圍中，可使玻璃基板和平板的接觸面積減少，結果能夠防止玻璃基板的貼付。
玻璃基板的第二表面的平均表面粗度Ra越大，越容易防止因接觸剝離所造成的帶電、與平板的貼付。但是，如玻璃基板的第二表面的平均表面粗度Ra過大，則玻璃基板的面強度有可能受損，除此以外，在各種顯示器的製程內的藥液處理步驟中還有可能使玻璃基板的表面受到侵蝕，結果使各種顯示器的顯示產生問題。而且，如玻璃基板的第二表面的平均表面粗度Ra過大，則化學處理的處理成本提高，並且容易產生玻璃基板的污染等派生問題。因此，如將玻璃基板的第二平均表面粗度Ra限制為0.3～1.5nm，則可有效地防止剝離帶電或玻璃基板的貼付等，並且不使處理成本不當增高地抑制玻璃基板的強度等的下降。這裏的「平均表面粗度Ra」只要在玻璃基板的第二表面內，70%以上具有規定的平均表面粗度Ra即可，最好是玻璃基板的面內的多處位置的平均值。亦即，即使玻璃基板的表面的特定位置（例如玻璃基板的周邊部或角部等）較1.5nm大，或較0.3nm小，只要玻璃基板的第二（或第一）表面內的70%以上較佳是80%以上為規定的平均表面粗度Ra，則符合本發明的主旨，可得到本發明的效果。
本發明的玻璃基板的特徵在於，利用常壓電漿處理而對玻璃基板的表面進行化學處理。作為使玻璃基板的表面粗糙的方法，除了常壓電漿處理以外，還考慮有利用氫氟酸等藥液進行化學處理的方法等。該化學處理雖然可以比較低的成本且簡單的處理而進行化學處理，但需要注意在化學處理時因藥液的飛散等而對玻璃基板的優先保證面的影響或作業環境的安全上的問題。而且，近年，LCD用玻璃基板的尺寸正在超過2m平方。但是，藥液處理等濕式處理非常難以均勻地對大面積的玻璃基板進行化學處理。另一方面，因為常壓電漿處理為乾式處理，所以雖然裝置的初期成本有可能增高，但能夠均勻且效率良好地對大面積且薄壁的玻璃基板進行化學處理，是對這種玻璃基板最佳的處理。而且，常壓電漿處理能夠減小化學處理時因藥液的飛散等而對玻璃基板的優先保障面的影響，且消除作業環境的安全上的問題。另外，一般的物理研磨不只是使玻璃基板的表面的平均表面粗度Ra增大，還會在玻璃基板的表面上產生被稱作潛傷的微細裂紋，其形成斷線的原因或形成玻璃基板的強度下降的原因，但在常壓電漿處理中不會產生這樣的問題，所以能夠盡可能地防止玻璃基板的強度下降。
本發明的玻璃基板將第一表面的平均表面粗度Ra限制在0.2nm以下。這樣一來，可在玻璃基板的表面上高精度地形成各種配線膜或驅動像素的元件，結果，能夠確實地防止薄膜配線膜的斷線或TFT的形成不良等。
第二，本發明的玻璃基板的特徵在於，常壓電漿處理的源為含有F的氣體。這樣一來，可產生含有HF系氣體的電漿，能夠利用該電漿而對玻璃基板的表面進行蝕刻。
第三，本發明的玻璃基板的特徵在於，利用下拉法而成形。
第四，本發明的玻璃基板的特徵在於，第一表面的面積及第二表面的面積超過0.2m2 。
第五，本發明的玻璃基板的特徵在於，板厚小於等於0.5mm。
第六，本發明的玻璃基板的特徵在於，作為玻璃組成，按照下述氧化物換算的質量%，含有SiO2 50～70%，Al2 O3 10～20%，B2 O3 0～15%，MgO+CaO+SrO+BaO　1～30%，MgO　0～10%，CaO　0～20%，SrO　0～20%，BaO　0～20%，且實質上不含有鹼金屬氧化物。這裏所說的「實質上不含有鹼金屬氧化物」，是指玻璃組成中的鹼金屬氧化物的含有量小於等於1000ppm的情況。
第七，本發明的玻璃基板的特徵在於，第一表面為形成電極線或各種元件的面，且第二表面為未形成電極線或各種元件的面。這樣一來，能夠防止步驟中的帶電或與平板的貼付，且在玻璃基板的表面上高精度地形成各種配線膜或驅動像素的元件。
第八，本發明的玻璃基板的製造方法是製造具有第一表面和第二表面的玻璃基板的方法，其特徵在於，使第一表面的平均表面粗度Ra小於等於0.2nm，且為了使第二表面的平均表面粗度Ra為0.3～1.5nm，而利用常壓電漿處理對第二表面進行化學處理。
第九，本發明的玻璃基板的製造方法的特徵在於，利用含有F的氣體作為常壓電漿處理的源。這樣一來，可產生含有HF系氣體的電漿，能夠利用該電漿而對玻璃基板的表面進行蝕刻。
第十，本發明的玻璃基板的製造方法的特徵在於，利用CF4 氣體或SF6 氣體作為含有F的氣體。這樣一來，可效率良好地產生含有HF系氣體的電漿，利用該電漿可適當地對玻璃基板的表面進行蝕刻。
第十一，本發明的玻璃基板的製造方法的特徵在於，使常壓電漿處理的處理速度為0.5～10m/分。這樣一來，可對玻璃基板的第二表面適當地進行化學處理，且提高玻璃基板的製造效率。
第十二，本發明的玻璃基板的製造方法的特徵在於，化學處理前的第二表面的平均表面粗度Ra小於等於0.2nm。這樣一來，可對玻璃基板的第二表面均勻地進行化學處理。
第十三，本發明的玻璃基板的製造方法的特徵在於，第一表面為形成電極線或各種元件的面，且第二表面為未形成電極線或各種元件的面。
本發明的玻璃基板的剝離帶電量低，能夠抑制在LCD或OLED等製程中所產生的靜電的帶電，所以，可防止玻璃基板上的元件或配線的破壞，結果能夠提高LCD或OLED等的製造效率。而且，本發明的玻璃基板能夠在LCD或OLED等的製程中使玻璃基板難以貼付在平板上，避免玻璃基板產生破損的問題。因此，本發明的玻璃基板適合用作LCD、OLED等平板顯示器用基板等各種電子機器用基板。
在本發明的玻璃基板中，玻璃基板的第二表面的平均表面粗度Ra為0.3～1.5nm，較佳為0.4～1.2nm，更佳為0.5～1.0nm，特佳為0.5～小於0.8nm。玻璃基板的第二表面的平均表面粗度Ra越大，帶電量呈越小的傾向，但如平均表面粗度Ra過大，則玻璃基板的表面容易產生大的缺陷，使玻璃基板的強度容易降低。而且，平均表面粗度Ra越大，化學處理越花費成本或時間，使玻璃基板的製造成本升高。因此，需要將玻璃基板的第二表面的平均表面粗度Ra限制在適當範圍，防止玻璃基板的強度下降，而且，不使生產性下降地防止玻璃基板的帶電或貼付。
在本發明的玻璃基板中，常壓電漿處理將CF4 氣體、SF6 氣體等含有F的氣體用於源較佳。這樣一來，容易將玻璃基板的平均表面粗度Ra限制在規定範圍內。常壓電漿處理被用於有機薄膜的表面改質或顯示器用玻璃基板等的表面的有機髒污的除去等，但習知的常壓電漿處理是利用Ar氣體或N2 氣體作為源，不可能使玻璃基板的平均表面粗度Ra增大。但是，當利用CF4 氣體、SF6 氣體等含有F的氣體作為源，並將這些氣體與H2 O進行混合，且與電漿進行反應時，可產生含有HF系氣體的電漿，並利用該電漿而對玻璃基板的表面進行化學處理，結果可使玻璃基板的平均表面粗度Ra增大。另外，常壓電漿處理在實際生產中將這些含有F的氣體與Ar等輸運氣體進行混合，並作為處理氣體（＋電漿）使用較佳。
常壓電漿處理的處理時間最好大於等於0.5秒且在5分鐘以內，處理速度為0.5～10m/分較佳。這樣一來，容易在短時間內使玻璃基板的平均表面粗度Ra達到規定範圍。
本發明的玻璃基板利用下拉法特別是溢流下拉法而成形較佳。這樣一來，可效率良好地形成大面積且表面精度良好的玻璃基板。而且，本發明的玻璃基板使玻璃基板的第一表面及化學處理前的第二表面為火焰拋光面較佳。這樣一來，可使玻璃基板的製程簡略化，能夠使玻璃基板的製造成本低廉化。現在，在下拉法中，從上述觀點來看的最適當的方法是溢流下拉法。如採用其它的成形方法例如浮動法，則玻璃基板的表面因熔融錫而受到污染，且被稱作波筋的微小的表面凹凸使TFT-LCD的顯示性能下降，所以如不對優先保證面進行研磨則無法形成製品。另一方面，溢流下拉法難以產生上述問題，所以可省略研磨步驟，結果能夠使玻璃基板的製造成本低廉化。
本發明的玻璃基板是面積越大，其效果越大。這是因為，大面積的玻璃基板容易貯存靜電並容易引起帶電，且在由於吸附而貼付在平板上的情況下，在其後的提升等步驟中玻璃基板容易破損。因此，在本發明的玻璃基板中，第一表面的面積及第二表面的面積大於等於0.2m2 ，大於等於0.5m2 ，大於等於0.6m2 較佳，特別以大於等於1.0m2 較佳。
本發明的玻璃基板是板厚越小，其效果越大。這是因為，板厚小的玻璃基板在玻璃基板因為吸附而貼付在平板上的情況下，在其後的提升等步驟中玻璃基板容易破損。因此，在本發明的玻璃基板中，板厚小於等於0.7mm，小於等於0.6mm，小於等於0.5mm較佳，特別以小於等於0.4mm較佳。
本發明的玻璃基板的玻璃組成，按照下述氧化物換算的質量%，含有SiO2 50～70%，Al2 O3 10～20%，B2 O3 0～15%，MgO+CaO+SrO+BaO　1～25%，MgO　0～10%，CaO　0～20%，SrO　0～20%，BaO　0～20%，且實質上不含有鹼金屬氧化物較佳。將氣體組成中的各成分的含有量如上述那樣進行限定的理由如下所示。
SiO2 的含有量為50～70%，較佳為55～65%。如SiO2 的含有量小，則耐熱性、耐酸性下降。另一方面，如SiO2 的含有量大，則高溫黏度增高，熔融性下降，除此以外，在玻璃中容易產生失透結晶（方晶石）等缺陷。
Al2 O3 的含有量為10～25%，較佳為12%～23%，更佳為13%～20%。如Al2 O3 的含有量較10%小，則難以提高耐熱性。而且，雖然Al2 O3 有提高楊氏模數、比楊氏模數的作用，但如Al2 O3 的含有量較10%小，則楊氏模數、比楊氏模數容易下降。另外，如比楊氏模數下降，則玻璃基板的撓曲量增大，特別是大面積的玻璃基板的撓曲量顯著增大。另一方面，如Al2 O3 的含有量較25%大，則玻璃基板的表面容易因常壓電漿處理而產生反應生成物，結果是在進行常壓電漿處理時，玻璃基板的表面容易產生粗度的參差不齊。
B2 O3 作為助熔劑發揮作用，是降低高溫黏性並提高熔融性的成分，其含有量為0～15%，較佳為1～13%。如B2 O3 的含有量低，則作為助熔劑的作用不充分，而且，高溫黏性增高，玻璃基板的泡品位容易降低。另一方面，如B2 O3 的含有量大，則難以利用常壓電漿處理對玻璃基板的表面進行化學處理。而且，如B2 O3 的含有量大，則耐熱性、楊氏模數降低。
Mgo+CaO+SrO+BaO是使液相溫度降低並使玻璃中難以產生結晶異物的成分，而且，是提高熔融性或成形性的成分，其含有量為1～25%，較佳為5～20%，更佳為10～20%。如MgO+CaO+SrO+BaO的含有量低，則難以利用常壓電漿處理而對玻璃基板的表面進行化學處理，而且，無法充分地發揮作為助熔劑的作用，熔融性下降。另一方面，如MgO+CaO+SrO+BaO的含有量過多，則密度上升，比楊氏模數降低。
MgO是不使應變點下降而降低高溫黏性並提高熔融性的成分，而且，在鹼土類金屬氧化物中也是最有降低密度之效果的成分，其含有量為0～10%，較佳為0～8%，更佳為0～6%，特佳為0～5%，最佳為0～3%。但是，如MgO的含有量多，則液相溫度上升，容易使耐失透性下降。
CaO是不使應變點下降而降低高溫黏性且使熔融性顯著提高的成分，且在關於本發明的玻璃組成系統中，抑制失透的效果高，而且，如在鹼土類金屬氧化物中使其含有量相對增加，則容易謀求低密度化。如CaO的含有量多，則熱膨脹係數或密度會過於上升，或使玻璃組成的平衡受損，反而使耐失透性容易下降。因此，CaO的含有量為0～20%，較佳為0～15%，更佳為1～10%。
SrO、BaO是不使應變點下降而降低高溫黏性並提高熔融性的成分，但如SrO、BaO的含有量大，則密度或熱膨脹係數容易增高。SrO含有量為0～20%，較佳為0～15%，更佳為0～10%。而且，BaO的含有量為0～20%，較佳為0～15%。
除了上述成分以外，還可在玻璃組成中添加其它的成分，以合量計到10%，較佳是到5%。
ZrO2 是提高楊氏模數的成分，其含有量較佳為0～5%，0～3%，0～0.5%，特別是以0～0.2%為佳。如ZrO2 的含有量多，則液相溫度上升，鋯的失透結晶容易析出。
TiO2 是降低高溫黏性且提高熔融性的成分，且是抑制負感現象（solarisation）的成分，但如在玻璃組成中的含量多，則玻璃著色，透過率下降。因此，TiO2 的含有量較佳為0～5%，0～3%，0～1%，特別以0～0.02%為佳。
P2 O5 為提高耐失透性的成分，但如玻璃組成中的含量多，則除了玻璃中產生分相、乳白以外，耐水性也顯著降低。因此，P2 O5 的含有量為0～5%，0～1%，特別以0～0.5%為佳。
Y2 O3 、Nb2 O5 及La2 O3 具有提高應變點、楊氏模數等的作用。但是，如這些成分的含有量超過5%，則密度容易上升。
作為澄清劑，可將SnO2 、F、Cl、SO3 、C或者Al或Si等金屬粉末添加到2%左右。而且，作為澄清劑，也可將CeO2 等添加到2%左右。
F、Cl等鹵素具有促進無鹼玻璃熔融的效果，如添加這些成分，則可使熔融溫度低溫化，且促進澄清劑的作用，作為結果，可使玻璃的熔融成本低廉化，且謀求玻璃製造爐的長壽命化。。
本發明的玻璃基板的製造方法是一種具有第一表面和第二表面的玻璃基板的製造方法，其特徵在於，使第一表面的表面粗度Ra小於等於0.2nm，且為了使第二表面的表面粗度Ra為0.3～1.5nm，而利用常壓電漿處理對第二表面進行化學處理。另外，本發明的玻璃基板之製造方法的技術特徵（較佳的形態）記述於本發明的玻璃基板的說明欄中，所以在這裏省略其記述。
[實施例]
［試樣的調製］
作為本發明的玻璃基板，較佳的玻璃組成及其特性如表1所示。表中的各試樣如以下那樣進行製作。首先如表中的玻璃組成那樣，調合玻璃原料，並利用白金鍋進行1600°C-24小時的熔融。接著，使得到的熔融玻璃流出到碳板上，形成平板形狀。對所得到的玻璃之表中的特性進行評價。
[表1]
密度是利用眾所周知的阿基米德法所測定的值。
熱膨脹係數是利用膨脹計所測定的值，是在30～380°C的溫度範圍中的平均值。
應變點是根據ASTM　C336的方法所測定的值。
軟化點是根據ASTM　C338的方法所測定的值。
相當於高溫黏度102.5 dPa·s的溫度是利用白金球拉起法所測定的值。
楊氏模數是利用共振法所測定的值。
液相溫度是將玻璃進行粉碎，並通過標準篩30網眼（篩孔500μm），且將50網眼（篩孔300μm）處所殘留的玻璃粉末置入白金鍋中，在溫度調配爐中保持24小時，並對析出結晶的溫度進行測定之值。
液相黏度是對液相溫度TL的玻璃的黏度利用白金球拉起法進行測定之值。
接著，對表1的試樣No.3，利用實際生產的製造設備進行熔融，並以溢流下拉法形成厚0.4mm的平板形狀，且將所得到的玻璃切斷為400-500mm尺寸並進行洗淨，得到適當品位的玻璃基板作為LCD用玻璃基板。將該玻璃基板用於剝離帶電評價及貼付性評價。
剝離帶電評價及貼付性評價的結果如表2所示。另外，表2的試樣No.3-1～3-6的表面兩面（第一表面及第二表面）都是火焰拋光面，平均表面粗度Ra為0.15nm。
[表2]
接著，關於試樣No.3-2～3-6，藉由利用CF4 氣體或SF6 氣體的常壓電漿處理而對玻璃基板的一側的表面（第二表面）進行化學處理。化學處理的條件如表中所述。將化學處理後的試樣No.3-2～3-6利用純水洗淨、乾燥，並用於以下的評價。另外，試樣No.3-2～3-6的另一面（第一表面）保持火焰拋光面的狀態，平均表面粗度Ra為0.15nm。
［平均表面粗度Ra的測定］
利用AFM（Veeco社製D3000，懸臂：Si），測定10μm平方的範圍，計算面內的平均表面粗度Ra。具體地說，對玻璃基板內的中央部和周邊部（從基板端部向內側50mm）的9處位置，測定表面粗度Ra，並計算其平均值。
［剝離帶電評價］
在剝離帶電評價中利用圖1所示的裝置。該裝置具有以下的構成。
玻璃基板G的支持台1設置有對玻璃基板4角進行支持的鐵氟龍（登錄商標）製的襯墊2。而且，在支持台1上，設置有升降自如的金屬鋁製的平板3，藉由使平板3上下動作，可使玻璃基板G和平板3接觸、剝離，並使玻璃基板G帶電。另外，平板3被接地。而且，在平板3上形成有孔（未圖示），且該孔與隔膜型的真空泵（未圖示）相連接。當驅動真空泵時，從平板3的孔吸引空氣，可藉此而使玻璃基板G真空吸附在平板3上。而且，在玻璃基板G的上方10mm的位置設置表面電位計4，可藉此而對玻璃基板G中央部所產生的帶電量進行連續測定。而且，在玻璃基板G的上方設置帶除靜電器的氣槍5，可藉此而除去玻璃基板G的帶電。另外，該裝置的平板的尺寸為350-450mm。
對利用該裝置測定剝離帶電量之方法進行說明。另外，實驗是在20°C±1°C、濕度40%±1%的環境下進行。該帶電量受環境特別是大氣中的濕度的影響而發生大的變化，所以需要特別留意濕度的管理。
（1）以玻璃基板的化學處理面為下側而載置在支持台1上。
（2）利用帶除靜電器的氣槍5，而將玻璃基板除電到10V以下。
（3）使平板上升並與玻璃基板相接觸且形成真空吸附，並使平板與玻璃基板進行30秒的緊密貼合。
（4）藉由使平板下降而將玻璃基板剝離，並利用表面電位計對玻璃基板中央部所產生的帶電量連續地進行測定。
（5）反覆進行（3）和（4），連續進行共計5次的剝離帶電評價。
（6）求取各測定的最大帶電量，並將它們相加而形成剝離帶電量。
［貼付性評價］
對未化學處理的玻璃基板（與試樣No3-1為同等品）和化學處理後的玻璃基板（試樣No3-2～3-6），使未化學處理面和化學處理面對向重合後，載置在平坦的平板上並均等地加以10kg的加重，放置30分鐘。而且，為了比較，對試樣No.3-1利用同樣的方法進行評價。接著，將兩玻璃基板拉開，將馬上剝離的情況作為「○」，將難以剝離的情況作為「Δ」，將玻璃基板無法不破損地剝離之情況作為「×」。
［評價結果］
由表2可知，試樣No.3-2～3-6因為玻璃基板的一側的表面（第一表面）的平均表面粗度Ra為0.5～1.0nm，所以剝離帶電量低，在貼付性評價中玻璃基板不破損。另一方面，試樣No.3-1剝離帶電量高，在貼付性評價中玻璃基板破損。另外，此次是利用表1的No.3的試樣進行了各種評價，但認為其它的試樣（No.1、2、4～8）也可得到同樣的評價結果。
1‧‧‧支持台
2‧‧‧襯墊
3‧‧‧平板
4‧‧‧表面電位計
5‧‧‧氣槍
G‧‧‧玻璃基板
圖1（a）所示為在剝離帶電量的測定所利用的裝置中載置玻璃基板的狀態之說明圖。 圖1（b）所示為在剝離帶電量的測定所利用的裝置中，使玻璃基板和平板緊密貼合之狀態的說明圖。
1‧‧‧支持台
2‧‧‧襯墊
3‧‧‧平板
4‧‧‧表面電位計
5‧‧‧氣槍
G‧‧‧玻璃基板

Claims (13)

  1. 一種玻璃基板，為一種具有第一表面和第二表面的玻璃基板，其特徵在於， 上述第一表面的平均表面粗度Ra小於等於0.2nm， 至少上述第二表面利用常壓電漿處理進行化學處理，且平均表面粗度Ra為0.3～1.5nm。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的玻璃基板，其中，上述常壓電漿處理的源為含有F的氣體。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的玻璃基板，其中，利用下拉法而成形。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中的任一項所述的玻璃基板，其中，上述第一表面的面積及上述第二表面的面積超過0.2m2 。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中的任一項所述的玻璃基板，其中，板厚小於等於0.5mm。
  6. 如申請專利範圍第1項至第5項中的任一項所述的玻璃基板，其中，作為玻璃組成，按照下述氧化物換算的質量%，含有SiO2 50～70%，Al2 O3 10～20%，B2 O3 0～15%，MgO+CaO+SrO+BaO　1～30%，MgO　0～10%，CaO　0～20%，SrO　0～20%，BaO　0～20%，且實質上不含有鹼金屬氧化物。
  7. 如申請專利範圍第1項至第6項中的任一項所述的玻璃基板，其中，上述第一表面為形成電極線或各種元件的面，且上述第二表面為未形成電極線或各種元件的面。
  8. 一種玻璃基板的製造方法，是製造具有第一表面和第二表面的玻璃基板的方法，其特徵在於， 使上述第一表面的平均表面粗度Ra小於等於0.2nm，且至少對上述第二表面利用常壓電漿處理進行化學處理，以使上述第二表面的平均表面粗度Ra為0.3～1.5nm。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的玻璃基板的製造方法，其中，利用含有F的氣體作為上述常壓電漿處理的源。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的玻璃基板的製造方法，其中，利用CF4 氣體或SF6 氣體作為上述含有F的氣體。
  11. 如申請專利範圍第8項至第10項中的任一項所述之玻璃基板的製造方法，其中，上述常壓電漿處理的處理速度為0.5～10m/分。
  12. 如申請專利範圍第8項至第11項中的任一項所述之玻璃基板的製造方法，其中，上述化學處理前的上述第二表面的平均表面粗度Ra小於等於0.2nm。
  13. 如申請專利範圍第8項至第12項中的任一項所述之玻璃基板的製造方法，其中，上述第一表面為形成電極線或各種元件的面，且上述第二表面為未形成電極線或各種元件的面。
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