CN102405515B - 具有气体馈送的石英窗及包含该石英窗的处理设备 - Google Patents
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Abstract
本文揭露将工艺气体提供到处理系统中衬底的方法与设备。在一些实施例中，该衬底处理系统可以包括：工艺腔室，其具有衬底支撑件设置在其中；光源，其设置在该工艺腔室上方以将能量导向该衬底支撑件；以及窗组件，其设置在该光源与该衬底支撑件之间，以容许该光源提供的光能朝向该衬底支撑件进入该工艺腔室，其中该窗组件包括入口以及一个或多个出口，该入口用以接收工艺气体，该一个或多个出口用以将该工艺气体分布到该工艺腔室内。
Description
技术领域
本发明的实施例一般地涉及半导体处理设备。
背景技术
在一些半导体工艺腔室中，例如在快速热处理(RTP)腔室中，工艺气体可以从侧面被注入且横跨衬底的表面而流动。在这样的工艺腔室中，高强度灯一般设置在衬底支撑件上方且实质上横跨腔室室顶的长度。因此，在这样的腔室中一般不会从上方注入工艺气体，这是因为灯的设置会阻碍这样的构造。
不幸地，发明人已经观察到侧面注入工艺气体会导致衬底的非均匀处理。举例而言，在氧化工艺中，氧化物层可能在衬底的周边边缘靠近侧面注射气体处比在衬底的中间部分处具有更高的生长速率，这是因为工艺气体较集中于衬底的周边边缘处。
因此，发明人已经提供半导体处理设备，这种半导体处理设备可促进设置在其内的衬底的更均匀处理。
发明内容
本文揭露向处理系统中的衬底提高工艺气体的方法与设备。在一些实施例中，该衬底处理系统可以包括：工艺腔室，所述工艺腔室具有设置在其中的衬底支撑件；光源，其设置在该工艺腔室上方以将能量导向该衬底支撑件；以及窗组件，其设置在该光源与该衬底支撑件之间，以容许该光源提供的光能朝向该衬底支撑件进入该工艺腔室，其中该窗组件包括一入口以及一个或多个出口，该入口用以接收工艺气体，该一个或多个出口用以将该工艺气体分布到该工艺腔室内。
在一些实施例中，该窗组件还包含：上窗；以及下窗，其设置在该上窗下方，并且界定在该上窗与该下窗之间的一间隙以使从该入口提供的该工艺气体流动，其中该一个或多个出口设置在该下窗中。在一些实施例中，该窗组件还包含：上窗；以及导管，其设置在该上窗下方，并且具有设置在所述导管第一端且用以接收该工艺气体的该入口，其中该导管具有使该工艺气体流入该工艺腔室的一个或多个出口。在一些实施例中，该窗组件可还包含：第二导管，其设置在该上窗下方以使第二工艺气体流经其间，并且具有设置在其间的一个或多个第二出口以促进该第二工艺气体流入该工艺腔室内。
在一些实施例中，一种用以向衬底提供工艺气体的方法可以包含：将气体提供到窗组件的一入口，设置在工艺腔室中的该窗组件位于衬底支撑件与光源之间，该光源配置成将能量导向该衬底支撑件；使该气体流经该窗组件；以及使该气体经由设置在该窗组件中的一个或多个出口流入该工艺腔室。下文揭露其他实施例与进一步实施例。
附图简述
可通过参考本发明的实施例来详细理解本发明的上述特征、本发明的更具体的描述(简短地在前面概述过)，其中一些实施例在附图中示出。但是应注意的是，附图仅示出本发明的典型实施例，因此不应视为对其范围的限制，因为本发明可允许其他等效实施例。
图1绘示根据本发明一些实施例的快速热处理系统的示意性侧视图。
图2绘示根据本发明一些实施例的快速热处理系统的示意性侧视图。
图3A-B绘示根据本发明一些实施例的快速热处理系统的气体输送系统的部分示意性仰视图。
图4绘示根据本发明一些实施例的方法的流程图，该方法将工艺气体提供到衬底。
图5A-D说明性地绘示根据本发明一些实施例的快速热处理系统的气体输送系统的一部分的示例。
为促进了解，在可能时使用相同的附图标记来表示附图所共有的相同元件。前述附图并非依比例绘制，并且可能为了说明目的而被简化。
具体实施方式
本文揭露用以将工艺气体输送到衬底处理系统中衬底的方法与设备。该发明设备可包括工艺腔室，其具有窗组件以用于控制工艺气体到半导体工艺腔室内的流动。该发明方法与设备有利地促进将工艺气体的期望分布提供给设置在工艺腔室(例如用于快速热处理(RTP)的工艺腔室)中的衬底。
在下文，意图使术语衬底广泛地涵盖在热处理腔室中正被处理的对象。术语衬底可包括例如半导体晶片、平板显示器、玻璃板或碟片、塑料工件等。
图1绘示根据本发明的一些实施例的快速热处理系统(RTP)。示例性RTP腔室可以包括可由美国加州圣克拉拉市的应用材料公司(Applied Materials，Inc.)获得的RADIANCE或RADIANCEPlus腔室。RTP系统可以包括工艺腔室100，该工艺腔室100具有用以处理衬底106的灯头101。衬底106可以是需要处理(例如，需要快速热处理)的任何适当的衬底。衬底106可以包含诸如结晶硅(例如Si<100>或Si<111>)、氧化硅、应变硅、硅锗、掺杂或非掺杂多晶硅、掺杂或非掺杂硅晶片、图案化或非图案化晶片、绝缘体上硅(SOI)、碳掺杂氧化硅、氮化硅、掺杂硅、锗、砷化镓、玻璃、蓝宝石(sapphire)等的材料。在一些实施例中，衬底106可以是例如碟形的八英寸(200mm)或十二英寸(300mm)直径硅衬底。
衬底106被装设在腔室100内而位于衬底支撑件108上并且被灯头101加热，其中灯头101设置在和衬底支撑件108相对的位置。灯头101产生导向衬底106的前侧107的辐射。或者(未示出)，灯头101可配置成对衬底106的背侧进行加热，例如通过设置在衬底106下方或通过将辐射导向衬底106的背侧。辐射经由水冷式石英窗组件114进入工艺腔室100。衬底106下方为反射体102，其中反射体102被装设在水冷式不锈钢基部116上。基部116包括循环回路146，冷却剂经由循环回路146来循环以冷却反射体102。在一些实施例中，反射体102由铝制成且具有高反射性表面涂层120。可高于23℃的水，可以被循环通过基部116，以将反射体102的温度保持在低于经加热的衬底106的温度以下。或者，可在相同或不同温度下提供其他冷却剂。举例而言，抗冻剂(例如乙二醇、丙二醇等)或其他热传流体可以被循环通过基部116和/或基部116可以耦合到冷却器(未示出)。衬底106的下侧或背侧以及反射体102的顶部形成反射空穴118。反射空穴118增强衬底106的有效发射率(emissivity)。
在一些实施例中，衬底106与反射体106之间的间隔可为约0.3英寸(即7.6mm)，因而形成了具有宽高比为约27的反射空穴118。在设计用于八英寸硅晶片的处理系统中，衬底106与反射体102之间的距离为约3-9mm。空穴118的宽高比应大于约20∶1。若间隔太大，则归因于所形成的虚拟黑体空穴的发射率增强效果将降低。若间隔太小(例如小于约3mm)，则从衬底106到反射体102的热传导将增加，由此将大的热负载施加在经加热的衬底106上，这是因为热损失到反射板的主要机制将是经由气体的传导。热负载将取决于处理期间的工艺气体类型与腔室压力。
衬底106的局部区域处的温度是藉由多个温度探针(诸如152a、152b和152c)来测量的。各温度探针包括蓝宝石光管126，蓝宝石光管126通过导管124，其中导管124从基部116的背侧延伸到反射体102的顶部。在一些实施例中，蓝宝石光管126的直径为约0.125英寸且导管124稍大。蓝宝石光管126被定位在导管124内，从而使其最顶端和反射体102的上表面齐平或稍低于反射体102的上表面。光管126的另一端耦合到柔性光纤125，柔性光纤125将取样的光从反射空穴118传送到高温计128。
高温计128连接到温度控制器150，温度控制器150响应于所测量温度而控制供应到灯头的功率。在一些实施例中，诸如就200mm晶片而言，灯头101可以使用187个灯将高准直化辐射从钨卤素灯传递到工艺腔室100。在一些实施例中，诸如就300mm晶片而言，灯头101可以使用409个灯。本文揭露的灯的数量和配置为示例性，且也可以适当地使用其他数量和配置。
灯可分隔成多个区。这些区可个别由控制器调整以容许衬底106的不同区域的受控辐射式加热。在美国专利号US 5,755,511中，描述了此类控制系统，该专利转让给了本发明的受让人，且该专利的全部内容通过引用结合于此。
如前所示，所描述的实施例使用遍及反射器402而分布的测量法或温度探针以便在衬底106的不同半径处测量温度。在热处理期间，例如以约240rpm旋转衬底106。因此，每一探针实际上取样衬底106上相对应的环状环区域的温度轮廓。
衬底支撑件108可配置成静止或可使衬底106旋转。衬底支撑件108包括支撑件或边缘环134，其绕衬底106的外周而接触于衬底，因而使衬底106的整个下侧(除了绕着外周的小环状区域外)曝露。支撑环134亦称为边缘环134，且此二术语在说明书中可彼此交替使用。在一些实施例中，支撑环134的径向宽度约一英寸(2.5厘米(cm))。为了最小化处理期间发生在衬底106边缘的热不连续性，支撑环134由相同于或相似于衬底106的材料制成，例如硅或碳化硅。
支撑环134安放在可旋转管状石英筒136上，该用硅涂覆该石英筒以使该石英筒在高温计128的频率范围中为不透明的。石英筒136上的硅涂层充当挡板以阻断来自会污染强度测量值的外部源的辐射。石英筒136的底部由环状上轴承141固持，该环状上轴承141安放在多个球状轴承137上，这些球状轴承进而被固持于静止的、环状的、下轴承座圈139内。在一些实施例中，球状轴承137由钢制成，且以氮化硅涂覆以减少操作期间形成的颗粒。上轴承141磁性耦合到致动器(未示出)，该致动器在热处理期间旋转筒136、边缘环134以及衬底106。
净化环145被嵌入腔室主体并且包围石英筒136。在一些实施例中，净化环145具有内部环状空穴147，其开启到上轴承141上方的区域。内部空穴147经由通道149连接到气体供应器(未示出)。在处理期间，净化气体经由净化环145流进腔室。气体经由排放端口排出，其中该排放端口耦合到真空泵(未示出)。
在一些实施例中，支撑环134具有大于石英筒136的半径的外径，以致其延伸超出石英筒136。支撑环134超出筒136的环状延伸与位于其下方的净化环145的协同作用起到挡板的作用，可阻止漫射光免于进入位于衬底106的背侧的反射空穴118。为了进一步降低漫射光进入反射空穴118的可能性，支撑环134以及净化环145亦可用吸收由灯头101产生的辐射的材料(例如，黑色或灰色材料)涂覆。
窗组件114设置在工艺腔室100的上部中，以容许灯头101提供的光能进入工艺腔室100。在一些实施例中，窗组件114包括上窗154及下窗156。上窗154及下窗156各包含可使灯头提供的能量穿透的材料，以容许来自灯头101的辐射经由上窗154及下窗156进入工艺腔室100。在一些实施例中，上窗154及下窗156为石英。然而，上窗154及下窗156也可以由不同的材料制成。
大致上，上窗154及下窗156配置成容许灯头101提供的最大能量通过其间。在一些实施例中，可以改变上窗154和/或下窗156的厚度以控制通过其间的能量的量。举例而言，在一些实施例中，上窗的厚度可以介于约3mm与约8mm之间。在一些实施例中，下窗的厚度可以介于约3mm与约8mm之间。
在处理期间，工艺气体可以经由窗组件114被导入工艺腔室100内衬底106上方。相较于利用侧面注射气体系统的工艺腔室(例如将气体从工艺腔室的侧面输送到工艺腔室的处理容积内)，窗组件114可以用来从上方更均匀地分布工艺气体到衬底106。
在一些实施例中，下窗156设置在上窗154下方且和上窗154相隔离，以在其间定义间隙158。间隙158形成用以接收且流动来自入口130的工艺气体的容室(plenum)。在一些实施例中，间隙可以为约1-5mm。下窗156包括一个或多个出口160用以将工艺气体从容室(例如间隙158)输送到工艺腔室100的处理容积内。可以选择一个或多个出口160的尺寸、几何形态、数量及位置以促进期望的工艺气体流动图案。
举例而言，各出口160的剖面可以是圆形、矩形、方形、椭圆形、狭缝形、多边形、或诸如此类者、或其组合。各出口160可以具有配置例如控制从其流出的工艺气体的流速和/或方向的剖面。在一些实施例中，至少一个出口160可以具有沿着平行于气流方向的轴而变化的剖面。举例而言，在一些实施例中，至少一些出口160可以具有扩展的剖面以促进流经其间的工艺气体的分散。例如，至少一些出口160可以在邻近下窗156的上表面处具有第一宽度，该第一宽度小于第二宽度，其中该第二宽度邻近下窗156的面向下方衬底支撑件的表面处。在一些实施例中，至少一些出口160可以具有锥形化剖面(tapering cross section)以促进提供流经期间的工艺气体的更高流速。例如，至少一些出口160可以在邻近下窗156的上表面处具有第一宽度，该第一宽度大于第二宽度，其中该第二宽度邻近下窗156的面向下方衬底支撑件的表面处。在一些实施例中，至少一些出口160可以具有非垂直的中心轴以促进以不垂直于衬底的角度来导引流经其间的工艺气体流。
一个或多个出口160能够以任何适当的配置被分布在下窗156中，以达成工艺气体到衬底106的期望分布。期望的分布可以是均匀的或非均匀的，取决于正在工艺腔室中执行的工艺。例如且如图3A所示，多个出口160可以在二维中依期望被分布遍及下窗16的表面。在一些实施例中，多个出口160可以均匀地被分布遍及下窗156的整个表面。在一些实施例中，多个出口160能够被分组成一个或多个期望的区，例如外区302、中间区304及内区306，如图3A所示。在出口160这种配置中，衬底支撑件108可以是静止的或绕着中心轴旋转。
在一些实施例中，如图3B所示，多个出口160可以沿着下窗156的表面的区段308(例如一线)(尽管也可以使用多个线、楔形、多个线或楔形、多个区段、或诸如此类者)被分布。区段308可以横跨至少约衬底106宽度，并且可以延伸至少超过衬底106中心轴。在这样的实施例中，衬底支撑件108可以在处理期间被旋转，以促进工艺气体到衬底106的均匀分布。也可以利用该些出口的其他分布。举例而言，非均匀分布可以用来补偿工艺腔室中配置非对称性(例如相对于处理容积而非对称地设置的排放端口)所造成的非均匀气流
图2绘示可用在工艺腔室100中的窗组件114的替代性实施例。窗组件114可以包括上窗254及设置在上窗254下方的导管202。上窗154类似于如上文讨论的上窗154。导管202可以由任何可使来自灯头101的辐射穿透的适当材料制成。这样的材料可以包括石英、朱砂(cinnabar)、方解石(calcite)、或诸如此类者。在一些实施例中，导管202可以由工艺腔室100的一侧来支撑。在一些实施例中，导管202可藉由任何适当的固持机构来耦合到上窗254，其中该固持机构可使灯头101提供的能量穿透。例如，导管202可被粘合、接合、或焊接到上窗154。
导管202耦合到入口130且配置成使工艺气体在其内流动。导管202具有一个或多个穿过其下表面的出口204，以促进工艺气体到工艺腔室100的处理容积内的流动。这些出口可以均匀地或非均匀地被分布，并且可以具有如上文所讨论的出口160的形状和/或剖面。
这些出口204相对于例如衬底支撑件108的位置主要受导管202的几何形态控制。导管202可以具有将期望的工艺气体流提供到衬底106所需的任何适当组态。举例而言，在一些实施例中且如图2所示，导管202可以至少延伸衬底106宽度。在一些实施例中，导管202可以沿着与衬底支撑件108的中心轴相交的线延伸。导管的其他组态是可行的，并且将在下文参照图5A-D来讨论。
导管202可以被建构成可促进工艺气体到衬底106的期望分布的任何几何形态。举例而言，导管202可以是线性的或非线性的，并且可以具有被分组成区、被集结、或被均匀分布等的一个或多个类似或变化尺寸的出口204。图5A-D绘示上窗154的仰视图，其显示本文可设想的各种导管配置的一些配置。如图5A所示，导管502(类似于导管202)可以是线性的，并且可以至少延伸衬底106宽度(图5A显示延伸大于上窗154宽度)。导管502具有一个或多个出口504(类似于出口204)，这些出口504沿着导管502的期望部分形成在其中，以促进将工艺气体提供到工艺腔室中的期望位置。在图5A绘示的实施例中，绘示有多个出口504。在一些实施例中，这些出口504可以分组成一个或多个区域或区(例如图5A绘示的506、508、510)。这些出口504能够以在各区内或在区和区之间为相同或不同的方式来建构。
如图5B所示，导管502可以延伸足以与衬底106的中心轴相交的距离(例如超过上窗154的中心点)。图5B显示的导管502可以和如上文讨论的用于旋转的衬底支撑件结合，以促进在处理期间提供期望的气体分布。图5B的导管502具有一个或多个出口504，这些出口504能够以类似于如上文关于图5A所讨论的方式来建构。
如图5C所示，可以提供两个或多个导管，即导管502A和第二导管502B，如图所示。各导管502A-B包括一个或多个出口504A和504B，这些出口504A和504B能够以类似于如上文关于图5A-B所讨论的方式来建构。各导管可以耦合到相同或不同的气体源，以在处理期间将不同量的工艺气体或不同的工艺气体(包括具有类似组成但百分比不同的工艺气体)提供到工艺腔室。举例而言，导管502A可以耦合到第一入口130A，并且导管502B可以耦合到第二入口130B(入口130A-B类似于如上文关于图1所讨论的入口130)，以在处理期间促进将不同的工艺气体提供到工艺腔室。替代地或组合地，能够以不同的尺寸和/或数量和/或区来提供出口504A和出口504B以促进在处理期间将不同量的工艺气体提供到工艺腔室的不同区域。
参照图5D，其显示导管502的另一示例性实施例。导管502包括第一部分512与第二部分514。第一部分512可以具有可在邻近工艺腔室的中心处提供工艺气体的期望配置(例如第一部分512设置在邻近上窗154的中心处)。第一部分512包括一个或多个出口504，这些出口504以期望的图案面向工艺腔室的处理容积。第一部分512可以具有和第二部分514不同的几何形态。举例而言，如图5D所示，第一部分512为圆形且其直径大于第二部分514的宽度(尽管也可以使用第一部分512的其他形状和配置)。第二部分514将导管502的第一部分512连接到工艺腔室的入口130。
图5A-D仅绘示导管504的一些示例，并且其他配置是可行的。举例而言，导管504可以具有其他形状，诸如椭圆形、方形、矩形、及诸如此类者。再者，窗组件可以包含多个导管，或单个分支导管。在使用多个导管的实施例中，各导管可以提供相同的工艺气体，或可以用于提供不同的工艺气体，如上文关于图5C的讨论。
在操作时，窗组件可以用来以期望的图案将工艺气体提供到工艺腔室。举例而言，用于将工艺气体提供到置于工艺腔室中的衬底的示例性方法400绘制在图4中。方法400可以在任何适当的工艺腔室中执行，其中该工艺腔室需要工艺气体的输入以及藉由光源对衬底进行加热。处理可以包括在衬底顶上形成一层，例如藉由选择性氧化工艺(例如基团氧化)来形成的氧化物层等。能够以方法400来利用的示例性腔室为具有窗组件114的工艺腔室100。方法400是在下文以具有窗组件114的工艺腔室100(如图1所示)来叙述。
方法400一般地开始于402，其中可以将气体提供到窗组件114的入口130，其中置于工艺腔室100的窗组件介于衬底支撑件108与光源101，光源101配置成将能量导向衬底支撑件108。气体可以是任何适于处理衬底的气体。在提供多种气体时，这些气体能够以个别方式或工艺气体混合物方式流动。各气体能够以个别方式(诸如，如图5C所示的经由导管502A与第二导管502B，或通过使这些气体经由在本文揭露的任何实施例来连续地流动)或工艺气体混合物方式(经由本文揭露的任何实施例)流动。
在一些实施例中，气体可以作为氧化工艺(例如衬底106的选择性氧化)的一部分，并且可以包含氧(O2)、氮(N2)、氢(H2)、氨(NH3)、一氧化二氮(N2O)、一氧化氮(NO)、或其组合。在一些实施例中，气体混合物包含氧(O2)与氮(N2)。在一些实施例中，气体可以作为退火工艺的一部分，并且可以包含氮(N2)、氢(H2)、氨(NH3)、或诸如此类者。在一些实施例中，工艺气体可以进一步包括惰性气体，例如氦(He)、氩(Ar)、或诸如此类者。也可以使用其他工艺和气体组合。
接着，在404，气体可以流经窗组件114。举例而言，在一些实施例中，气体可以从入口130流入介于窗组件114的上窗154与下窗156之间的间隙158。在一些实施例中，气体可以从入口130流入设置在窗组件114的上窗156下方的导管204、504。在一些实施例中，可以提供多种气体的独立控制和/或分布。举例而言，可以从第一入口130A提供第一气体或气体混合物到第一导管504A，并且可以从第二入口130B提供第二气体或气体混合物到第二导管504B。
接着，在406，气体可以经由设置在窗组件114中的一个或多个出口(例如160、204、504)流入工艺腔室100。工艺气体能够以期望的图案(例如均匀的或非均匀的)流经一个或多个出口160到工艺腔室100内。工艺气体能够以任何适当的方向和/或任何适当的流速来流动，其以一个或多个出口160所决定和/或以工艺气体源提供的工艺气体的流速所决定，以提供工艺气体到衬底106表面的期望分布。取决于一个或多个出口的配置，衬底106可以在处理期间被旋转以促进期望的气体分布，如上文所讨论。
在一些实施例中，相较于从工艺腔室的侧面注射气体，可以藉由从面向衬底的窗组件提供工艺气体来增加形成在衬底上的氧化物层的生长速率。在一些实施例中，可以通过控制氧化气体(例如氧(O2))的流动来控制衬底的中心和/或中间区的氧化物膜厚。在一些实施例中，相较于从工艺腔室的侧面注射气体，可以通过增加从面向衬底的窗组件提供的惰气(例如氮(N2))流量来增加衬底的中心和/或中间区的冷却速率。一旦将工艺气体和/或工艺气体混合物提供到衬底表面，则方法400一般终止且衬底106可以依需要被进一步处理。
因此，本文揭露用以将工艺气体提供到衬底的方法与设备。该发明设备可包括窗组件，该窗组件可促进工艺气体流入工艺腔室内。该发明系统与方法有利地促进工艺气体到工艺腔室(例如用于快速热处理(RTP)的工艺腔室)中衬底的期望分布。
尽管前述说明导向本发明的实施例，可在不悖离本发明的基本范畴下设想出本发明的其他实施例与进一步实施例。
Claims (12)
1.一种衬底处理系统，包括：
工艺腔室，所述工艺腔室具有设置在所述工艺腔室中的衬底支撑件；
光源，设置在所述工艺腔室上方以将能量导向所述衬底支撑件；以及
窗组件，设置在所述光源与所述衬底支撑件之间，以容许所述光源提供的光能朝向所述衬底支撑件进入所述工艺腔室，其中所述窗组件包括入口、一个或多个出口、上窗以及导管，所述入口用以接收工艺气体，而所述一个或多个出口用以将所述工艺气体分布到所述工艺腔室内；所述导管设置在所述上窗下方并具有设置在所述导管第一端且用以接收所述工艺气体的所述入口，其中所述导管具有使所述工艺气体流入所述工艺腔室的一个或多个出口，且其中所述导管是线性的；其中所述一个或多个出口中的至少一个出口具有以下中的至少一个：
沿着与气流方向平行的轴而变化的剖面；或者
不垂直于所述衬底支撑件的支撑表面的中心轴。
2.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述窗组件还包含：
第二导管，设置在所述上窗下方以使第二工艺气体流过所述第二导管，并且具有设置成穿过所述第二导管的一个或多个第二出口以促进所述第二工艺气体流入所述工艺腔室内。
3.如权利要求1或2所述的系统，其特征在于，所述一个或多个出口设置在两个或更多个区中。
4.如权利要求1或2所述的系统，其特征在于，所述一个或多个出口对称地被安排在与所述衬底支撑件相对的区域中。
5.如权利要求1或2所述的系统，其特征在于，所述一个或多个出口非对称地被安排在与所述衬底支撑件相对的区域中。
6.如权利要求1或2所述的系统，其特征在于，所述导管沿着与所述衬底支撑件的中心轴相交的线延伸。
7.如权利要求1或2所述的系统，其特征在于，所述导管仅延伸横越所述上窗的一部分。
8.如权利要求1或2中的任一项所述的系统，其特征在于，所述衬底支撑件绕中心轴旋转。
9.一种用于向衬底提供工艺气体的方法，包含：
将气体提供到窗组件的入口，所述窗组件设置在工艺腔室中并且位于衬底支撑件与光源之间，且所述光源配置成将能量导向所述衬底支撑件；
使所述气体流经设置于所述窗组件的上窗下方的导管；以及
使所述气体经由设置在所述窗组件中的一个或多个出口流入所述工艺腔室，其中所述一个或多个出口设置于所述导管中，且其中所述导管是线性的；其中所述一个或多个出口中的至少一个出口具有以下中的至少一个：
沿着与气流方向平行的轴而变化的剖面；或者
不垂直于所述衬底支撑件的支撑表面的中心轴。
10.如权利要求9所述的方法，其中使所述气体流经窗组件还包括使所述气体流经设置在上窗下方的导管，其中所述一个或多个出口设置在所述导管中，且其特征在于，还包含：
使第二气体流经第二导管，所述第二导管设置在所述上窗下方，并且具有设置在所述第二导管中的一个或多个出口以促进所述第二气体流入所述工艺腔室内。
11.如权利要求9或10所述的方法，其中设置在所述窗组件中的所述一个或多个出口非对称地被安排，且其特征在于，还包含：
旋转所述衬底支撑件，以提供所述工艺气体遍及衬底的表面的均匀分布，所述衬底设置在所述衬底支撑件上。
12.如权利要求9或10所述的方法，其特征在于，还包含：
将能量从所述光源经由所述窗组件引导到所述工艺腔室内，同时使所述气体流经所述窗组件。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |