JP2002064104A - ガス処理装置 - Google Patents
ガス処理装置Info
- Publication number
- JP2002064104A JP2002064104A JP2000246982A JP2000246982A JP2002064104A JP 2002064104 A JP2002064104 A JP 2002064104A JP 2000246982 A JP2000246982 A JP 2000246982A JP 2000246982 A JP2000246982 A JP 2000246982A JP 2002064104 A JP2002064104 A JP 2002064104A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- processing
- gas supply
- ring
- processing container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理容器内にてウエハ載置台と対向するよう
に石英製のガス供給部を設けたガス処理装置において、
ガス供給部の石英製のガス導入ポートと処理容器の金属
製の側壁部内のガス供給路とを高い気密性をもって、ま
たコンタミネーションのおそれなく接続すること。 【解決手段】 ガス供給路の出口側に大径部を形成し、
この中にフッ素樹脂からなるブッシュを圧入する。ブッ
シュの外周面には環状溝が形成され、ここにＯリングを
嵌合させておくことによりブッシュと側壁部との気密が
保たれる。一方ブッシュの中にも環状溝を形成しここに
Ｏリングを嵌合させた状態で石英製のガス導入ポートを
ブッシュ内に挿入し、これによりガス導入ポートとブッ
シュとが高い気密性で接続される。
に石英製のガス供給部を設けたガス処理装置において、
ガス供給部の石英製のガス導入ポートと処理容器の金属
製の側壁部内のガス供給路とを高い気密性をもって、ま
たコンタミネーションのおそれなく接続すること。 【解決手段】 ガス供給路の出口側に大径部を形成し、
この中にフッ素樹脂からなるブッシュを圧入する。ブッ
シュの外周面には環状溝が形成され、ここにＯリングを
嵌合させておくことによりブッシュと側壁部との気密が
保たれる。一方ブッシュの中にも環状溝を形成しここに
Ｏリングを嵌合させた状態で石英製のガス導入ポートを
ブッシュ内に挿入し、これによりガス導入ポートとブッ
シュとが高い気密性で接続される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、処理容器内に置か
れた被処理体例えば半導体ウエハに対して処理ガスによ
り処理を行うガス処理装置に関するものである。
れた被処理体例えば半導体ウエハに対して処理ガスによ
り処理を行うガス処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置の一つとして、処理容器
内の載置台に半導体ウエハ（以下ウエハという）を載置
し、処理ガスによりウエハに対して所定の処理、例えば
薄膜の改質処理、成膜処理あるいはエッチング処理など
を行うガス処理装置がある。この種の装置の中には、下
面側に多数のガス噴射孔を備えたガスシャワ−ヘッドな
どと呼ばれるガス供給部を載置台に対向するように設け
たタイプの装置があり、処理容器の上方側に例えばオゾ
ン発生用の紫外線ランプや熱輻射ランプを設けた装置に
あっては、処理容器の上面を構成する光透過窓の下方側
に石英製のガス供給部が設けられている。ガス供給部を
石英により構成する理由は、ウエハに対するコンタミネ
−ションを避けるため及び輻射光を透過させるためであ
る。
内の載置台に半導体ウエハ（以下ウエハという）を載置
し、処理ガスによりウエハに対して所定の処理、例えば
薄膜の改質処理、成膜処理あるいはエッチング処理など
を行うガス処理装置がある。この種の装置の中には、下
面側に多数のガス噴射孔を備えたガスシャワ−ヘッドな
どと呼ばれるガス供給部を載置台に対向するように設け
たタイプの装置があり、処理容器の上方側に例えばオゾ
ン発生用の紫外線ランプや熱輻射ランプを設けた装置に
あっては、処理容器の上面を構成する光透過窓の下方側
に石英製のガス供給部が設けられている。ガス供給部を
石英により構成する理由は、ウエハに対するコンタミネ
−ションを避けるため及び輻射光を透過させるためであ
る。
【０００３】ところで装置のメンテナンスを行う場合に
は処理容器の上面を開くことがあるが、ガス供給部と外
部からのガス配管との接続を前記上面において行うよう
にすると、処理容器の上面を開く度にガス供給部のガス
導入ポ−トを外さなければならず、作業が面倒である
し、繰り返し取り外しを行うと接続部の気密性も悪くな
る。このため処理容器の側壁部にガス供給路を形成し、
このガス供給路とガス供給部とを接続するようにしてい
る。しかしながらガス導入ポ−トはガス供給部本体に一
体化して作られた石英部材であるため軸方向に高い精度
を出すことは困難があり、一方処理容器の側壁部はステ
ンレスやアルミニウムなどの金属製であるから、これら
を高い気密性を確保しつつ石英部材を破損させることな
く接続するにはかなりの工夫が必要である。
は処理容器の上面を開くことがあるが、ガス供給部と外
部からのガス配管との接続を前記上面において行うよう
にすると、処理容器の上面を開く度にガス供給部のガス
導入ポ−トを外さなければならず、作業が面倒である
し、繰り返し取り外しを行うと接続部の気密性も悪くな
る。このため処理容器の側壁部にガス供給路を形成し、
このガス供給路とガス供給部とを接続するようにしてい
る。しかしながらガス導入ポ−トはガス供給部本体に一
体化して作られた石英部材であるため軸方向に高い精度
を出すことは困難があり、一方処理容器の側壁部はステ
ンレスやアルミニウムなどの金属製であるから、これら
を高い気密性を確保しつつ石英部材を破損させることな
く接続するにはかなりの工夫が必要である。
【０００４】図６は、このようなガス供給装置の従来例
を示すものであり、１は処理容器、１１はウエハ載置
台、１２は光透過窓、１３は輻射ランプである紫外線ラ
ンプ、１４はランプハウスである。光透過窓１２の下方
側にはガス導入ポ−ト１５ａを備えた石英製のガス供給
部１５が設けられる一方、処理容器１の側壁部には外部
のガス配管に接続されたガス供給路１６が形成されてお
り、図７に示すようにガス供給路１６の出口に形成され
た環状の金属製のポ−ト１７とガス導入ポ−ト１５ａと
を樹脂製のフレキシブルチュ−ブ１８で接続し、両端部
を金属バンド１９ａ，１９ｂで止めている。
を示すものであり、１は処理容器、１１はウエハ載置
台、１２は光透過窓、１３は輻射ランプである紫外線ラ
ンプ、１４はランプハウスである。光透過窓１２の下方
側にはガス導入ポ−ト１５ａを備えた石英製のガス供給
部１５が設けられる一方、処理容器１の側壁部には外部
のガス配管に接続されたガス供給路１６が形成されてお
り、図７に示すようにガス供給路１６の出口に形成され
た環状の金属製のポ−ト１７とガス導入ポ−ト１５ａと
を樹脂製のフレキシブルチュ−ブ１８で接続し、両端部
を金属バンド１９ａ，１９ｂで止めている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら図７に示
すような接続構造では、気密性が十分でなく、ウエハＷ
に対する目標とする均一な処理に悪影響を及ぼす懸念が
あり、また金属バンドがウエハに対する金属汚染源にな
るおそれがあった。
すような接続構造では、気密性が十分でなく、ウエハＷ
に対する目標とする均一な処理に悪影響を及ぼす懸念が
あり、また金属バンドがウエハに対する金属汚染源にな
るおそれがあった。
【０００６】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は、処理容器の側壁部のガス供給路
と石英製のガス供給部とを高い気密性で接続することの
できるガス処理装置を提供することにある。
のであり、その目的は、処理容器の側壁部のガス供給路
と石英製のガス供給部とを高い気密性で接続することの
できるガス処理装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明にかかる
ガス処理装置は、被処理体を処理ガスで処理するための
処理容器と、この処理容器の中に設けられ、被処理体を
載置するための載置台と、前記処理容器の中にて載置台
と対向するように設けられ、前記被処理体に処理ガスを
供給するガス供給部本体とこのガス供給部本体に一体化
された筒状のガス導入ポ−トとを備えた石英製のガス供
給部と、前記処理容器の壁部の中に形成され、当該壁部
の内面に開口するガス供給路と、前記壁部のガス供給路
内に嵌合されると共に、その中に前記ガス供給部のガス
導入ポ−トが嵌入された樹脂製の接続用筒状部材と、こ
の接続用筒状部材の外周面と前記ガス供給路の内周面と
の間に気密に介装された樹脂性の第１のリング状シ−ル
部材と、前記接続用筒状部材の内周面と前記ガス供給部
のガス導入ポ−トの外周面との間に気密に介装された樹
脂性の第２のリング状シ−ル部材と、を備えたことを特
徴とする。前記接続用筒状部材の外周面及び内周面に
は、例えば夫々前記リング状シ−ル部材が入り込む環状
溝が形成されている。
ガス処理装置は、被処理体を処理ガスで処理するための
処理容器と、この処理容器の中に設けられ、被処理体を
載置するための載置台と、前記処理容器の中にて載置台
と対向するように設けられ、前記被処理体に処理ガスを
供給するガス供給部本体とこのガス供給部本体に一体化
された筒状のガス導入ポ−トとを備えた石英製のガス供
給部と、前記処理容器の壁部の中に形成され、当該壁部
の内面に開口するガス供給路と、前記壁部のガス供給路
内に嵌合されると共に、その中に前記ガス供給部のガス
導入ポ−トが嵌入された樹脂製の接続用筒状部材と、こ
の接続用筒状部材の外周面と前記ガス供給路の内周面と
の間に気密に介装された樹脂性の第１のリング状シ−ル
部材と、前記接続用筒状部材の内周面と前記ガス供給部
のガス導入ポ−トの外周面との間に気密に介装された樹
脂性の第２のリング状シ−ル部材と、を備えたことを特
徴とする。前記接続用筒状部材の外周面及び内周面に
は、例えば夫々前記リング状シ−ル部材が入り込む環状
溝が形成されている。
【０００８】この発明によれば、樹脂製の接続用筒状部
材を壁部のガス供給路内に嵌入すると共に、この接続用
筒状部材の中に石英製のガス導入ポ−トを嵌入させて、
夫々の間には樹脂製のリング状シ−ル部材を介在させて
いるので、高い気密性を確保しながら両者を接続するこ
とができ、また組み立て誤差があっても樹脂製のリング
状シ−ルにより吸収できる。
材を壁部のガス供給路内に嵌入すると共に、この接続用
筒状部材の中に石英製のガス導入ポ−トを嵌入させて、
夫々の間には樹脂製のリング状シ−ル部材を介在させて
いるので、高い気密性を確保しながら両者を接続するこ
とができ、また組み立て誤差があっても樹脂製のリング
状シ−ルにより吸収できる。
【０００９】また請求項２の発明は、接続用筒状部材の
方向を上記の発明の方向と逆にしたものであり、処理容
器の壁部から筒状に突出し、前記ガス供給路の出口を形
成する接続ポ−トを設け、前記ガス供給部のガス導入ポ
−ト内に樹脂製の接続用筒状部材を嵌入すると共にこの
接続用筒状部材の中に前記接続ポートを嵌入し、更に接
続用筒状部材の外周面と前記ガス導入ポ−トの内周面と
の間に気密に介装された樹脂性の第１のリング状シ−ル
部材と、前記接続用筒状部材の内周面と前記接続ポ−ト
の間に気密に介装された樹脂性の第２のリング状シ−ル
部材と、を含むものである。
方向を上記の発明の方向と逆にしたものであり、処理容
器の壁部から筒状に突出し、前記ガス供給路の出口を形
成する接続ポ−トを設け、前記ガス供給部のガス導入ポ
−ト内に樹脂製の接続用筒状部材を嵌入すると共にこの
接続用筒状部材の中に前記接続ポートを嵌入し、更に接
続用筒状部材の外周面と前記ガス導入ポ−トの内周面と
の間に気密に介装された樹脂性の第１のリング状シ−ル
部材と、前記接続用筒状部材の内周面と前記接続ポ−ト
の間に気密に介装された樹脂性の第２のリング状シ−ル
部材と、を含むものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に本発明のガス処理装置をオ
ゾン処理装置に適用した実施の形態について説明する。
このオゾン処理装置は、図１に示すように被処理体であ
るウエハＷを処理するための処理容器２、例えばステン
レスやアルミニウムなどからなる金属製の円筒状の処理
容器２を備えている。この処理容器２の底部付近には、
ヒ−タ３１が内蔵された偏平な円柱状の被処理体載置台
であるウエハ載置台（以下載置台という）３が設けられ
ている。また載置台３の中には図示しない外部の搬送ア
−ムとの間でウエハＷの受け渡しをするためのリフトピ
ン３２が例えば周方向３か所にて貫通できるようになっ
ている。これらリフトピン３２は外部の昇降機構３３に
より昇降部材３４を介して昇降できるように構成されて
いる。
ゾン処理装置に適用した実施の形態について説明する。
このオゾン処理装置は、図１に示すように被処理体であ
るウエハＷを処理するための処理容器２、例えばステン
レスやアルミニウムなどからなる金属製の円筒状の処理
容器２を備えている。この処理容器２の底部付近には、
ヒ−タ３１が内蔵された偏平な円柱状の被処理体載置台
であるウエハ載置台（以下載置台という）３が設けられ
ている。また載置台３の中には図示しない外部の搬送ア
−ムとの間でウエハＷの受け渡しをするためのリフトピ
ン３２が例えば周方向３か所にて貫通できるようになっ
ている。これらリフトピン３２は外部の昇降機構３３に
より昇降部材３４を介して昇降できるように構成されて
いる。
【００１１】前記処理容器２の上部側には、前記載置台
３と対向してガス供給部であるガスシャワ−ヘッド４が
設けられている。このガスシャワ−ヘッド４は、図２に
示すようにリング管４１とこのリング管４１で囲まれる
領域に管路４２を縦横に配置してなる格子状部４３とを
含む石英製のシャワ−ヘッド本体４０を備えており、リ
ング管４１と格子状部４３とは内部が連通していると共
に、格子状部４３の下面には処理ガスを処理雰囲気内に
供給するためのガス噴射孔４４が多数形成されている。
３と対向してガス供給部であるガスシャワ−ヘッド４が
設けられている。このガスシャワ−ヘッド４は、図２に
示すようにリング管４１とこのリング管４１で囲まれる
領域に管路４２を縦横に配置してなる格子状部４３とを
含む石英製のシャワ−ヘッド本体４０を備えており、リ
ング管４１と格子状部４３とは内部が連通していると共
に、格子状部４３の下面には処理ガスを処理雰囲気内に
供給するためのガス噴射孔４４が多数形成されている。
【００１２】前記リング管４１の側部外周面には、石英
製の筒状のガス導入ポ−ト５がリング管４１内に連通す
るように一体化して接続されていると共に、リング管４
１の下部には、例えば３か所にサポ−ト４５設けられ、
ガスシャワ−ヘッド４はこのサポ−ト４５を介して処理
容器２内に支持されている。
製の筒状のガス導入ポ−ト５がリング管４１内に連通す
るように一体化して接続されていると共に、リング管４
１の下部には、例えば３か所にサポ−ト４５設けられ、
ガスシャワ−ヘッド４はこのサポ−ト４５を介して処理
容器２内に支持されている。
【００１３】一方前記処理容器２は、筒状胴部２１とこ
の筒状胴部２１の上に前記ガスシャワ−ヘッド４を囲む
ように設けられたリング状のベ−ス体（リッド）２２と
を備え、前記筒状胴部２１及びベ−ス体２２の中にはガ
ス供給路５１が形成されている。この例では筒状胴部２
１及びベ−ス体２２は処理容器２の側壁部に相当する。
前記ガス供給路５１の入口側は、外部のガス配管５３の
一端側に接続されており、その他端側には、ガス供給源
５２例えばオゾンガス発生部が接続されている。またガ
ス供給路５１の出口側は水平に伸び、先端部の口径が大
きくなって大径部５４として形成され、処理容器２内に
開口している。そして前記シャワ−ヘッド４のガス導入
ポ−ト５と前記ガス供給路５１とは図３及び図４に示す
ように接続用筒状体であるブッシュ６を用いて互いに接
続されている。
の筒状胴部２１の上に前記ガスシャワ−ヘッド４を囲む
ように設けられたリング状のベ−ス体（リッド）２２と
を備え、前記筒状胴部２１及びベ−ス体２２の中にはガ
ス供給路５１が形成されている。この例では筒状胴部２
１及びベ−ス体２２は処理容器２の側壁部に相当する。
前記ガス供給路５１の入口側は、外部のガス配管５３の
一端側に接続されており、その他端側には、ガス供給源
５２例えばオゾンガス発生部が接続されている。またガ
ス供給路５１の出口側は水平に伸び、先端部の口径が大
きくなって大径部５４として形成され、処理容器２内に
開口している。そして前記シャワ−ヘッド４のガス導入
ポ−ト５と前記ガス供給路５１とは図３及び図４に示す
ように接続用筒状体であるブッシュ６を用いて互いに接
続されている。
【００１４】このブッシュ６は樹脂例えばフッ素樹脂で
あるＰＴＦＥ樹脂（例えば商品名テフロン）により構成
されており、外径は前記ガス供給路５１の先端部の大径
部５４の口径に適合した大きさに設定されている。また
ブッシュ６の内径は前方側が前記ガス導入ポ−ト５の外
径に適合した大きさに設定されていると共に、背面側が
前記ガス供給路５１とほぼ同じ大きさに設定されてい
て、その境目が段部６０となっている。更に前記ブッシ
ュ６の外周面には周方向に沿って第１の環状溝６１が形
成されると共に、内周面には周方向に沿って第２の環状
溝６２が形成されている。ブッシュ６は前記第１の環状
溝６１内に樹脂製（例えば商品名バイトン）の第１のリ
ング状シール部材である第１のＯリング７１が嵌められ
た状態で、ガス供給路５１の先端部の大径部５４内に圧
入され、そして前記第２の環状溝６２内に樹脂製の例え
ば同様の第２のリング状シール部材であるＯリング７２
が嵌められた状態で、シャワ−ヘッド４のガス導入ポ−
ト５が前記段部６０に当接する位置まで密入されてい
る。
あるＰＴＦＥ樹脂（例えば商品名テフロン）により構成
されており、外径は前記ガス供給路５１の先端部の大径
部５４の口径に適合した大きさに設定されている。また
ブッシュ６の内径は前方側が前記ガス導入ポ−ト５の外
径に適合した大きさに設定されていると共に、背面側が
前記ガス供給路５１とほぼ同じ大きさに設定されてい
て、その境目が段部６０となっている。更に前記ブッシ
ュ６の外周面には周方向に沿って第１の環状溝６１が形
成されると共に、内周面には周方向に沿って第２の環状
溝６２が形成されている。ブッシュ６は前記第１の環状
溝６１内に樹脂製（例えば商品名バイトン）の第１のリ
ング状シール部材である第１のＯリング７１が嵌められ
た状態で、ガス供給路５１の先端部の大径部５４内に圧
入され、そして前記第２の環状溝６２内に樹脂製の例え
ば同様の第２のリング状シール部材であるＯリング７２
が嵌められた状態で、シャワ−ヘッド４のガス導入ポ−
ト５が前記段部６０に当接する位置まで密入されてい
る。
【００１５】図１に説明を戻すと、前記ベ−ス体２２の
上面側には処理容器２の上面を形成する石英製の光透過
窓２３が設けられており、その上側にはランプハウス２
４が設けられている。ランプハウス２４の中には、輻射
ランプである例えば複数の直管状の紫外線ランプ２５が
並行状に配設されている。また処理容器２の側壁部には
ゲ−トバルブＧにより開閉されるウエハＷの搬送口２６
が形成されている。更に載置台３の周囲には多数のガス
通過孔８１ａが穿設されたバッフル板８１が設けられ、
排気の均一化が図られている。更にまた載置台３の下方
側おいて、処理容器２の底面に垂直に円筒部８２が接続
され、この円筒部８２の下部側は、周方向に複数の排気
孔８３が形成されたバッフル筒８４として構成されてい
る。このバッフル筒８４の外側はリング状の排気空間８
５になっており、この排気空間８５は、図示しない真空
排気手段に接続された排気管８６に連通している。従っ
て処理容器２内の処理空間（ウエハＷとガスシャワ−ヘ
ッド６との間の領域）のガスはバッフル板８１→円筒部
８２→バッフル筒８４→排気孔８３→排気空間８５→排
気管８６の経路で排気される。
上面側には処理容器２の上面を形成する石英製の光透過
窓２３が設けられており、その上側にはランプハウス２
４が設けられている。ランプハウス２４の中には、輻射
ランプである例えば複数の直管状の紫外線ランプ２５が
並行状に配設されている。また処理容器２の側壁部には
ゲ−トバルブＧにより開閉されるウエハＷの搬送口２６
が形成されている。更に載置台３の周囲には多数のガス
通過孔８１ａが穿設されたバッフル板８１が設けられ、
排気の均一化が図られている。更にまた載置台３の下方
側おいて、処理容器２の底面に垂直に円筒部８２が接続
され、この円筒部８２の下部側は、周方向に複数の排気
孔８３が形成されたバッフル筒８４として構成されてい
る。このバッフル筒８４の外側はリング状の排気空間８
５になっており、この排気空間８５は、図示しない真空
排気手段に接続された排気管８６に連通している。従っ
て処理容器２内の処理空間（ウエハＷとガスシャワ−ヘ
ッド６との間の領域）のガスはバッフル板８１→円筒部
８２→バッフル筒８４→排気孔８３→排気空間８５→排
気管８６の経路で排気される。
【００１６】次に上述実施の形態の作用について説明す
る。先ず図示しない搬送ア−ムにより搬送口２６を介し
て被処理体であるウエハＷを例えば図示しないロ−ドロ
ック室から処理容器２内に搬入し、リフトピン３２の昇
降動作との協同作用で載置台３に受け渡す。この載置台
３はヒ−タ３１により加熱されており、ウエハＷは３５
０℃〜７５０℃の範囲内で選択される温度に設定され
る。次いでオゾン発生部５２にて一部オゾンに変えられ
た酸素ガス（オゾンを含む酸素ガス）をガス配管５３→
側壁部２１、２２内のガス供給路５１→ブッシュ６→ガ
ス導入ポ−ト５の経路でシャワ−ヘッド本体４０内に導
入し、ガス供給孔４４から処理空間内に例えば１０ＳＬ
Ｍの流量で供給すると共に、処理空間の圧力を例えば１
０００Ｐａの減圧雰囲気に調整する。
る。先ず図示しない搬送ア−ムにより搬送口２６を介し
て被処理体であるウエハＷを例えば図示しないロ−ドロ
ック室から処理容器２内に搬入し、リフトピン３２の昇
降動作との協同作用で載置台３に受け渡す。この載置台
３はヒ−タ３１により加熱されており、ウエハＷは３５
０℃〜７５０℃の範囲内で選択される温度に設定され
る。次いでオゾン発生部５２にて一部オゾンに変えられ
た酸素ガス（オゾンを含む酸素ガス）をガス配管５３→
側壁部２１、２２内のガス供給路５１→ブッシュ６→ガ
ス導入ポ−ト５の経路でシャワ−ヘッド本体４０内に導
入し、ガス供給孔４４から処理空間内に例えば１０ＳＬ
Ｍの流量で供給すると共に、処理空間の圧力を例えば１
０００Ｐａの減圧雰囲気に調整する。
【００１７】一方紫外線ランプ２４からの紫外線は光透
過窓２４を通って処理容器２の中に入り更に石英製のガ
スシャワ−ヘッド４を通って処理空間に照射され、オゾ
ンはガスシャワ−ヘッド４内及び処理空間において紫外
線のエネルギ−により活性化されて酸素ラジカルが生成
される。ウエハＷはこの酸素ラジカルにより改質処理
（アニ−ル処理）され、具体例を挙げるとウエハＷに酸
化タンタル（ＴａＯx ）膜が付いているものとすると、
酸素ラジカルはこの膜の間隙箇所に入り込んで酸素イオ
ンとなりタンタルと化学的に安定した構造を形成する。
過窓２４を通って処理容器２の中に入り更に石英製のガ
スシャワ−ヘッド４を通って処理空間に照射され、オゾ
ンはガスシャワ−ヘッド４内及び処理空間において紫外
線のエネルギ−により活性化されて酸素ラジカルが生成
される。ウエハＷはこの酸素ラジカルにより改質処理
（アニ−ル処理）され、具体例を挙げるとウエハＷに酸
化タンタル（ＴａＯx ）膜が付いているものとすると、
酸素ラジカルはこの膜の間隙箇所に入り込んで酸素イオ
ンとなりタンタルと化学的に安定した構造を形成する。
【００１８】上述の実施の形態によれば、処理容器２の
ベ−ス体２２の中に形成されたガス供給路５１の先端部
（大径部５４）に樹脂製のブッシュ６を第１のＯリング
７１を介して圧入し、そしてこのブッシュ６の中にガス
シャワ−ヘッド４の石英製のガス導入ポ−ト５を第２の
Ｏリング７２を介して嵌入している。従って第１のＯリ
ング７１によりブッシュ６の外面とガス供給路５１の内
面との間の気密性が確保され、第２のＯリング７２によ
りブッシュ６の内面とガス導入ポ−ト５の外面との間の
気密性が確保され、この結果、金属製の側壁部（筒状胴
部２１及びベ−ス体２２）内のガス供給路５１と石英製
のガス導入ポ−ト５とを高い気密性を確保して接続する
ことができ、処理空間へのガスの漏洩による処理の面内
均一性に対する悪影響の懸念がなくなる。
ベ−ス体２２の中に形成されたガス供給路５１の先端部
（大径部５４）に樹脂製のブッシュ６を第１のＯリング
７１を介して圧入し、そしてこのブッシュ６の中にガス
シャワ−ヘッド４の石英製のガス導入ポ−ト５を第２の
Ｏリング７２を介して嵌入している。従って第１のＯリ
ング７１によりブッシュ６の外面とガス供給路５１の内
面との間の気密性が確保され、第２のＯリング７２によ
りブッシュ６の内面とガス導入ポ−ト５の外面との間の
気密性が確保され、この結果、金属製の側壁部（筒状胴
部２１及びベ−ス体２２）内のガス供給路５１と石英製
のガス導入ポ−ト５とを高い気密性を確保して接続する
ことができ、処理空間へのガスの漏洩による処理の面内
均一性に対する悪影響の懸念がなくなる。
【００１９】そして石英部材は予定としている形状に加
工することが困難であること、また装置の組み立て誤差
を生じる場合があることから、ガス導入ポ−ト５の軸及
びその方向がブッシュ６に対して微妙に狂う場合も考え
られるが、その場合でも第２のＯリング７２がいわばク
ッションの役割を果たし、その誤差分が吸収され、ガス
導入ポ−ト５の損傷を避けることができる。更にまたブ
ッシュ６とガス導入ポ−ト５との間に熱膨張により無理
な力が加わろうとした場合においても、その無理な力が
第２のＯリング７２のクッション作用により吸収され
る。更にまた従来のように金属バンドを用いていないの
でウエハＷに対する金属のコンタミネ−ションのおそれ
もない。
工することが困難であること、また装置の組み立て誤差
を生じる場合があることから、ガス導入ポ−ト５の軸及
びその方向がブッシュ６に対して微妙に狂う場合も考え
られるが、その場合でも第２のＯリング７２がいわばク
ッションの役割を果たし、その誤差分が吸収され、ガス
導入ポ−ト５の損傷を避けることができる。更にまたブ
ッシュ６とガス導入ポ−ト５との間に熱膨張により無理
な力が加わろうとした場合においても、その無理な力が
第２のＯリング７２のクッション作用により吸収され
る。更にまた従来のように金属バンドを用いていないの
でウエハＷに対する金属のコンタミネ−ションのおそれ
もない。
【００２０】ここで本発明においては、前記ブッシュ６
の使い方を逆にしてもよい。図５はこのような実施の形
態を示す図であり、ガスシャワ−ヘッド４のガス導入ポ
−ト５の先端部を拡大して大径部５５として形成し、こ
の中にブッシュ６を第１のＯリング６３を介して圧入し
ている。そして前記ベ−ス体２２の内面におけるガス供
給路５１を囲む部位を筒状に突出させてガス供給路５１
の出口となる接続ポ−ト５６を形成し、前記ブッシュ６
の中にこの接続ポ−ト５６を第２のＯリング６４を介し
て嵌入している。なお７３、７４は環状溝である。この
ような実施の形態においても同様の効果がある。
の使い方を逆にしてもよい。図５はこのような実施の形
態を示す図であり、ガスシャワ−ヘッド４のガス導入ポ
−ト５の先端部を拡大して大径部５５として形成し、こ
の中にブッシュ６を第１のＯリング６３を介して圧入し
ている。そして前記ベ−ス体２２の内面におけるガス供
給路５１を囲む部位を筒状に突出させてガス供給路５１
の出口となる接続ポ−ト５６を形成し、前記ブッシュ６
の中にこの接続ポ−ト５６を第２のＯリング６４を介し
て嵌入している。なお７３、７４は環状溝である。この
ような実施の形態においても同様の効果がある。
【００２１】以上においてＯリングが入り込む環状溝は
ブッシュ６側に設ける代りに処理容器１の壁部側あるい
は導入ポート側に設けてもよい。また本発明はオゾン処
理装置に限らず輻射ランプとして被処理体を加熱して処
理ガスを分解するための熱輻射ランプ例えばハロゲンラ
ンプを用いて被処理体に対してＣＶＤ処理などを行う装
置であってもよいし、あるいは透過窓の上方にマイクロ
波導波管を設けてそこから透過窓及びガスシャワーヘッ
ドを介して処理容器内にマイクロ波を導入し、このマイ
クロ波により処理ガスをプラズマ化してプラズマ処理例
えばＣＶＤ処理やエッチング処理などを行う装置であっ
てもよい。
ブッシュ６側に設ける代りに処理容器１の壁部側あるい
は導入ポート側に設けてもよい。また本発明はオゾン処
理装置に限らず輻射ランプとして被処理体を加熱して処
理ガスを分解するための熱輻射ランプ例えばハロゲンラ
ンプを用いて被処理体に対してＣＶＤ処理などを行う装
置であってもよいし、あるいは透過窓の上方にマイクロ
波導波管を設けてそこから透過窓及びガスシャワーヘッ
ドを介して処理容器内にマイクロ波を導入し、このマイ
クロ波により処理ガスをプラズマ化してプラズマ処理例
えばＣＶＤ処理やエッチング処理などを行う装置であっ
てもよい。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、被処理体と対向する石
英製のガス供給部を備えたガス処理装置において、処理
容器の壁部内に形成されたガス供給路とガス供給部とを
高い気密性をもって接続することができ、また被処理体
に対するコンタミネーションのおそれもない。
英製のガス供給部を備えたガス処理装置において、処理
容器の壁部内に形成されたガス供給路とガス供給部とを
高い気密性をもって接続することができ、また被処理体
に対するコンタミネーションのおそれもない。
【図1】本発明の実施の形態の全体構成を示す縦断側面
図である。
図である。
【図２】上記実施の形態で用いられるガス供給部（ガス
シャワーヘッド）を示す平面図である。
シャワーヘッド）を示す平面図である。
【図３】上記実施の形態においてガス供給部のガス導入
ポートと処理容器内のガス供給路との接続構造を示す断
面図である。
ポートと処理容器内のガス供給路との接続構造を示す断
面図である。
【図４】ガス供給部のガス導入ポートと処理容器内のガ
ス供給路との接続構造を分解して示す断面図である。
ス供給路との接続構造を分解して示す断面図である。
【図５】本発明の他の実施の形態におけるガス供給部の
ガス導入ポートと処理容器内のガス供給路との接続構造
を示す断面図である。
ガス導入ポートと処理容器内のガス供給路との接続構造
を示す断面図である。
【図６】従来のガス処理装置の全体概略構成を示す縦断
側面図である。
側面図である。
【図７】図６のガス処理装置におけるガス供給部のガス
導入ポートと処理容器内のガス供給路との接続構造を示
す断面図である。
導入ポートと処理容器内のガス供給路との接続構造を示
す断面図である。
２ 処理容器 ２３ 光透過窓 ２４ 紫外線ランプ ２３ 載置台 ４ ガスシャワーヘッド（ガス供給部） ４０ シャワーヘッド本体 ４４ ガス供給孔 ５ ガス導入ポート ５１ ガス供給路 ５４、５５ 大径部 ５６ 接続ポート ６ ブッシュ ６１，６２，６３，６４ 環状溝 ７１、７２、７３，７４ Ｏリング（樹脂製のリング
状シール材）
状シール材）
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G075 AA24 AA51 BA05 BC04 BC06 BD14 CA33 CA57 CA65 DA02 EA05 EB01 EB31 EC02 EC13 EC26 ED13 EE02 FB02 FB06 FB12 FC04 5F004 AA16 BA20 BB05 BB11 BB28 BC07 BC08 BD04 5F045 AA09 AA11 BB14 DP03 DQ10 EF04 EF05 EH03 EK12
Claims (5)
- 【請求項１】 被処理体を処理ガスで処理するための処
理容器と、 この処理容器の中に設けられ、被処理体を載置するため
の載置台と、 前記処理容器の中にて載置台と対向するように設けら
れ、前記被処理体に処理ガスを供給するガス供給部本体
とこのガス供給部本体に一体化された筒状のガス導入ポ
−トとを備えた石英製のガス供給部と、 前記処理容器の壁部の中に形成され、当該壁部の内面に
開口するガス供給路と、 前記壁部のガス供給路内に嵌合されると共に、その中に
前記ガス供給部のガス導入ポ−トが嵌入された樹脂製の
接続用筒状部材と、 この接続用筒状部材の外周面と前記ガス供給路の内周面
との間に気密に介装された樹脂性の第１のリング状シ−
ル部材と、 前記接続用筒状部材の内周面と前記ガス供給部のガス導
入ポ−トの外周面との間に気密に介装された樹脂性の第
２のリング状シ−ル部材と、を備えたことを特徴とする
ガス処理装置。 - 【請求項２】 被処理体を処理ガスで処理するための処
理容器と、 この処理容器の中に設けられ、被処理体を載置するため
の載置台と、 前記処理容器の中にて載置台と対向するように設けら
れ、前記被処理体に処理ガスを供給するガス供給部本体
とこのガス供給部本体に一体化された筒状のガス導入ポ
−トとを備えた石英製のガス供給部と、 前記処理容器の壁部の中に形成され当該壁部の内面に開
口するガス供給路と、 前記壁部から筒状に突出し、前記ガス供給路の出口を形
成する接続ポ−トと、 前記ガス供給部のガス導入ポ−ト内に嵌合されると共
に、その中に前記接続ポ−トが嵌入された樹脂製の接続
用筒状部材と、 この接続用筒状部材の外周面と前記ガス導入ポ−トの内
周面との間に気密に介装された樹脂性の第１のリング状
シ−ル部材と、 前記接続用筒状部材の内周面と前記接続ポ−トの間に気
密に介装された樹脂性の第２のリング状シ−ル部材と、
を備えたことを特徴とするガス処理装置。 - 【請求項３】 接続用筒状部材の外周面及び内周面に
は、夫々前記リング状シ−ル部材が入り込む環状溝が形
成されていることを特徴とする請求項１または２記載の
ガス処理装置。 - 【請求項４】 処理ガス供給部の上方の処理容器の上面
部には光透過窓が設けられ、この光透過窓の上には処理
ガスを分解するためあるいは被処理体を加熱するための
輻射ランプが設けられていることを特徴とする請求項
１、２または３に記載のガス処理装置。 - 【請求項５】 ガス供給路は処理容器の側壁部の内面に
開口することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか
に記載のガス処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000246982A JP2002064104A (ja) | 2000-08-16 | 2000-08-16 | ガス処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000246982A JP2002064104A (ja) | 2000-08-16 | 2000-08-16 | ガス処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002064104A true JP2002064104A (ja) | 2002-02-28 |
Family
ID=18737169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000246982A Pending JP2002064104A (ja) | 2000-08-16 | 2000-08-16 | ガス処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002064104A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002080249A1 (fr) * | 2001-03-28 | 2002-10-10 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement au plasma |
| JP2011249503A (ja) * | 2010-05-26 | 2011-12-08 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、およびガス供給部材支持装置 |
| CN102405515A (zh) * | 2009-04-20 | 2012-04-04 | 应用材料公司 | 具有气体馈送的石英窗及包含该石英窗的处理设备 |
| JP2014505996A (ja) * | 2010-11-30 | 2014-03-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Ｕｖチャンバ内におけるウエハ処理プロファイルを調節する方法および装置 |
| JP2014515561A (ja) * | 2011-05-31 | 2014-06-30 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマエッチングリアクタのセラミックシャワーヘッドのためのガス分配システム |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03146674A (ja) * | 1989-10-19 | 1991-06-21 | Commiss Energ Atom | 拡散プラズマによって補助された化学処理装置 |
| JPH07111248A (ja) * | 1993-08-16 | 1995-04-25 | Canon Sales Co Inc | 成膜装置 |
| JPH08330293A (ja) * | 1995-05-30 | 1996-12-13 | Anelva Corp | 絶縁膜の作成方法及びこの方法に使用されるプラズマ気相成長装置 |
| JPH1028854A (ja) * | 1996-07-15 | 1998-02-03 | Ckd Corp | パージシステム及びパージ継手 |
| JPH11230436A (ja) * | 1998-02-16 | 1999-08-27 | Ckd Corp | 溶接レス継手 |
| JP2000182974A (ja) * | 1998-12-11 | 2000-06-30 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式の熱処理装置 |
| JP2000216141A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Seiko Epson Corp | 表面処理装置 |
-
2000
- 2000-08-16 JP JP2000246982A patent/JP2002064104A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03146674A (ja) * | 1989-10-19 | 1991-06-21 | Commiss Energ Atom | 拡散プラズマによって補助された化学処理装置 |
| JPH07111248A (ja) * | 1993-08-16 | 1995-04-25 | Canon Sales Co Inc | 成膜装置 |
| JPH08330293A (ja) * | 1995-05-30 | 1996-12-13 | Anelva Corp | 絶縁膜の作成方法及びこの方法に使用されるプラズマ気相成長装置 |
| JPH1028854A (ja) * | 1996-07-15 | 1998-02-03 | Ckd Corp | パージシステム及びパージ継手 |
| JPH11230436A (ja) * | 1998-02-16 | 1999-08-27 | Ckd Corp | 溶接レス継手 |
| JP2000182974A (ja) * | 1998-12-11 | 2000-06-30 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式の熱処理装置 |
| JP2000216141A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Seiko Epson Corp | 表面処理装置 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002080249A1 (fr) * | 2001-03-28 | 2002-10-10 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement au plasma |
| US7115184B2 (en) | 2001-03-28 | 2006-10-03 | Tadahiro Ohmi | Plasma processing device |
| CN102405515A (zh) * | 2009-04-20 | 2012-04-04 | 应用材料公司 | 具有气体馈送的石英窗及包含该石英窗的处理设备 |
| JP2012524416A (ja) * | 2009-04-20 | 2012-10-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ガス供給機構を有する石英窓および該石英窓を含む処理装置 |
| TWI549212B (zh) * | 2009-04-20 | 2016-09-11 | 應用材料股份有限公司 | 具有氣體供給之石英窗及包含該石英窗之處理設備 |
| JP2011249503A (ja) * | 2010-05-26 | 2011-12-08 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、およびガス供給部材支持装置 |
| KR101286763B1 (ko) * | 2010-05-26 | 2013-07-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 가스 공급 부재 지지 장치 |
| US8663424B2 (en) | 2010-05-26 | 2014-03-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and gas supply member support device |
| TWI494460B (zh) * | 2010-05-26 | 2015-08-01 | Tokyo Electron Ltd | A plasma processing device and a gas supply member supporting device |
| JP2014505996A (ja) * | 2010-11-30 | 2014-03-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Ｕｖチャンバ内におけるウエハ処理プロファイルを調節する方法および装置 |
| JP2014515561A (ja) * | 2011-05-31 | 2014-06-30 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマエッチングリアクタのセラミックシャワーヘッドのためのガス分配システム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7547633B2 (en) | UV assisted thermal processing | |
| US8253075B2 (en) | Heat treatment apparatus, heater, and method for manufacturing the heater | |
| US6435865B1 (en) | Apparatus and method for positioning gas injectors in a vertical furnace | |
| JP3121915B2 (ja) | 封止装置 | |
| JP5689483B2 (ja) | 基板処理装置、基板支持具及び半導体装置の製造方法 | |
| WO1997031389A1 (fr) | Dispositif de traitement thermique | |
| WO2007099957A1 (ja) | プラズマ処理装置およびそれに用いる基板加熱機構 | |
| US20170283949A1 (en) | Substrate Processing Apparatus | |
| TW201101403A (en) | Substrate processing device and the manufacturing method of semiconductor device | |
| WO2002056357A1 (fr) | Dispositif de traitement a feuilles | |
| KR100353499B1 (ko) | 급속 열처리(ｒｔｐ) 시스템용 팽창성 엘라스토머 요소 | |
| JP5157101B2 (ja) | ガス供給装置及び基板処理装置 | |
| US6660097B2 (en) | Single-substrate-processing apparatus for semiconductor process | |
| JP2002064104A (ja) | ガス処理装置 | |
| JP2020088193A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JP2008053489A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP5465828B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JP3915314B2 (ja) | 枚葉式の処理装置 | |
| US20150380219A1 (en) | Mounting Stage and Plasma Processing Apparatus | |
| JP2011091389A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH0930893A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP4995579B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法 | |
| KR102334531B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| JP2006278631A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2010080706A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070706 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100909 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100914 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110405 |