KR101699690B1 - 가스 공급부를 갖는 석영 윈도우 및 이를 통합하는 프로세싱 장비 - Google Patents

가스 공급부를 갖는 석영 윈도우 및 이를 통합하는 프로세싱 장비 Download PDF

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Abstract

프로세싱 시스템에서 기판에 프로세스 가스를 제공하기 위한 방법들 및 장치가 본 명세서에 개시된다. 일부 실시예들에서, 기판 프로세싱 시스템은, 내부에 기판 지지체가 배치된 프로세스 챔버; 기판 지지체를 향해 에너지를 지향시키기 위해 프로세스 챔버 위에 배치되는 광원; 및 광원에 의해 제공되는 광 에너지가 기판 지지체를 향해 프로세스 챔버에 진입하도록 허용하기 위해 광원과 기판 지지체 사이에 배치되는 윈도우 어셈블리를 포함할 수 있으며, 윈도우 어셈블리는 프로세스가스를 수용하는 유입구 및 프로세스 챔버로 프로세스 가스를 분포시키는 하나 이상의 배출구들을 포함한다.

Description

가스 공급부를 갖는 석영 윈도우 및 이를 통합하는 프로세싱 장비{QUARTZ WINDOW HAVING GAS FEED AND PROCESSING EQUIPMENT INCORPORATING SAME}
[0001] 본 발명의 실시예들은 일반적으로 반도체 프로세싱 장비에 관한 것이다.
[0002] 일부 반도체 프로세스 챔버들, 예를 들어 급속 열처리(RTP) 프로세스 챔버들에서, 프로세스 가스들은 기판의 측면(side)으로부터 주입되어 기판의 표면을 가로질러 흐를 수 있다. 이러한 프로세스 챔버들에서, 고휘도 램프들(high intensity lamps)은 통상적으로 기판 지지체 위에 배치되며 실질적으로 챔버 실링(ceiling)의 길이(length)에 걸쳐 놓여있다(span). 따라서, 이러한 챔버의 위편으로부터 프로세스 가스들을 주입하는 것은 통상적이지 않으며, 이는 램프들의 위치가 이러한 구성들을 방해할 수 있기 때문이다.
[0003] 불행히도, 발명자들은 프로세스 가스들의 측면 주입이 기판의 불균일한 프로세싱을 야기시킬 수 있다는 것을 발견했다. 예를 들어, 산화 프로세스에서, 산화물층은 기판의 중간 부분에서보다는 측면 주입 가스 유입구 근처에 있는 기판의 주변부 에지에서 더 높은 성장률을 가질 수 있는데, 이는 기판의 주변부 에지에서의 프로세스 가스의 농도가 더 높을 수 있기 때문이다.
[0004] 따라서, 발명자들은 반도체 프로세싱 장비 내부에 배치되는 기판의 보다 균일한 프로세싱을 조장(facilitate)하는 반도체 프로세싱 장비를 제공했다.
[0005] 프로세싱 시스템내의 기판에 프로세스 가스를 제공하기 위한 방법들 및 장치가 본 명세서에서 개시된다. 일부 실시예들에서, 기판 프로세싱 시스템은 내부에 기판 지지체가 배치된 프로세스 챔버; 기판 지지체를 향해 에너지를 지향시키기 위해 프로세스 챔버 위에 배치된 광원; 및 광원에 의해 제공되는 광 에너지가기판 지지체를 향해 프로세스 챔버에 진입하게 허용하기 위해, 광원과 기판 지지체 사이에 배치되는 윈도우 어셈블리를 포함할 수 있으며, 윈도우 어셈블리는 프로세스 가스를 수용하는 유입구(inlet) 및 프로세스 챔버속으로 프로세스 가스를 분포시키는 하나 이상의 배출구들을 포함한다.
[0006] 일부 실시예들에서, 윈도우 어셈블리는 상부 윈도우; 및 상부 윈도우 아래에 배치된 하부 윈도우를 더 포함할 수 있고, 하부 윈도우는 유입구로부터 제공되는 프로세스 가스가 흐르도록 상부 윈도우와의 사이에 갭을 한정하며, 하나 이상의 배출구들은 하부 윈도우에 배치된다. 일부 실시예들에서, 윈도우 어셈블리는 상부 윈도우 및 상부 윈도우 아래에 배치되는 도관을 더 포함할 수 있으며, 도관은 프로세스 가스를 수용하기 위해 도관의 제 1 단부에 배치되는 유입구를 가지며 도관은 프로세스 챔버로 프로세스 가스가 흐르도록 하나 이상의 배출구들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 윈도우 어셈블리는 제 2 도관을 더 포함할 수 있으며, 제 2 도관은 제 2 도관을 통해 제 2 프로세스 가스가 흐르도록 상부 윈도우 아래에 배치되며 프로세스 챔버속으로의 제 2 프로세스 가스의 흐름을 조장하기 위해 제 2 도관을 관통하게 배치된 하나 이상의 제 2 배출구들을 갖는다.
[0007] 일부 실시예들에서, 기판에 프로세스 가스를 제공하기 위한 방법은 프로세스 챔버에서, 기판 지지체와 기판 지지체를 향해 에너지를 지향시키도록 구성된 광원 사이에 배치되는 윈도우 어셈블리의 유입구에 가스를 제공하는 단계; 윈도우 어셈블리를 통해 가스를 흘려보내는 단계; 및 윈도우 어셈블리내에 배치된 하나 이상의 배출구들을 통해 프로세스 챔버로 가스를 흘려보내는 단계를 포함한다. 다른 및 추가의 실시예들이 하기에 개시된다.
[0008] 본 발명에 대해 앞서 언급된 특징들이 상세하게 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 발명의 보다 특정한 설명이 실시예들을 참조로 이루어질 수 있으며, 실시예들 중 일부는 첨부되는 도면들에 예시된다. 그러나 발명에 대해 다른 등가적인 유효 실시예들이 허용될 수 있기 때문에, 첨부되는 도면들은 단지 본 발명의 전형적 실시예들만을 예시하는 것이며 따라서 본 발명의 범주를 제한하게 고려되지 않는다는 것이 주목된다.
[0009] 도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 급속 열 처리 시스템의 개략적 측면도를 도시한다.
[0010] 도 2는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 급속 열 처리 시스템의 개략적 측면도를 도시한다.
[0011] 도 3a-b는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 급속 열 처리 시스템의 가스 전달 시스템에 대한 개략적인 부분 저면도들을 도시한다.
[0012] 도 4는 본 발명의 일부 실시예들에 따라 기판에 프로세스 가스를 제공하는 방법에 대한 흐름도를 도시한다.
[0013] 도 5a-d는 본 발명의 일부 실시예들에 따라 급속 열 처리 시스템의 가스 전달 시스템의 일부의 예들을 예시적으로 도시한다.
[0014] 이해들 돕기 위해, 도면들에 대해 공통되는 동일한 부재들을 표시하기 위해 가능한 동일한 참조 부호들이 사용되었다. 상기 도면들은 실제비례(scale)를 따른 것은 아니며 예시를 목적으로 간략화될 수 있다.
[0015] 기판 프로세싱 시스템내의 기판으로 프로세스 가스를 전달하기 위한 방법들 및 장치가 본 명세서에 개시된다. 발명의 장치는 반도체 프로세스 챔버로의 프로세스 가스의 흐름을 제어하기 위한 윈도우 어셈블리를 가지는 프로세스 챔버를 포함할 수 있다. 발명의 방법들 및 장치는 유리하게 프로세스 챔버, 예를 들어 급속 열 처리(RTP)를 위해 구성된 프로세스 챔버내에 배치된 기판으로 원하는 분포의 프로세스 가스를 제공하는 것을 조장한다.
[0016] 하기 설명에서, 기판이란 용어는 열 처리 챔버에서 프로세싱될 임의의 대상물(object)을 광범위하게 커버하도록 의도된다. 기판이란 용어는 예를 들어, 반도체 웨이퍼들, 플랫 패널 디스플레이들, 글래스 플레이트들 또는 디스크들, 플라스틱 소재들(workpieces) 및 이와 유사한 것을 포함할 수 있다.
[0017] 도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 급속 열처리 시스템(RTP)을 도시한다. 예시적 RTP 챔버들은 캘리포니아 산타클라라의 어플라이드 머티리얼스, 인크로부터 입수가능한
Figure 112011092165896-pct00001
또는
Figure 112011092165896-pct00002
챔버들을 포함할 수 있다. RTP 시스템은 기판(106)을 프로세싱하기 위해 램프헤드(101)를 가지는 프로세스 챔버(100)를 포함할 수 있다. 기판(106)은 예를 들어, 급속 열처리에 의한 프로세싱을 요구하는 임의의 적절한 기판일 수 있다. 기판(106)은 결정질 실리콘(이를 테면, Si<100> 또는 Si<111>), 실리콘 산화물, 응력이 가해진(strained) 실리콘, 실리콘 게르마늄, 도핑된 또는 도핑되지 않은 폴리실리콘, 도핑된 또는 도핑되지 않은 실리콘 웨이퍼들, 패터닝된 또는 패터닝되지 않은 웨이퍼들, 실리콘 온 인슐레이터(SOI), 탄소 도핑 실리콘 산화물들, 실리콘 질화물, 도핑된 실리콘, 게르마늄, 갈륨 아세나이드, 글래스, 사파이어, 또는 이와 유사한 것과 같은 물질을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판(106)은 예를 들어, 디스크-형상의, 8인치(200 mm) 또는 12인치(300 mm) 직경 실리콘 기판일 수 있다.
[0018] 기판(106)은 챔버(100) 내부에서 기판 지지체(108) 상에 장착되며 기판 지지체(108)에 마주하는 위치에 배치되는 램프헤드(101)에 의해 가열된다. 램프헤드(101)는 기판(106)의 전면측(107)으로 지향되는 복사선(radiation)을 생성한다. 대안적으로(미도시), 램프헤드(101)는 예를 들어, 기판(106) 아래에 배치됨으로써 또는 기판(106)의 후면측으로 복사선을 지향시킴으로써, 기판(106)의 후면측을 가열하도록 구성될 수 있다. 복사선은 수냉식(water-cooled) 석영 윈도우 어셈블리(114)를 통해 프로세스 챔버(100)에 진입한다. 기판(106) 아래에 반사기(102)가 있으며, 반사기(102)는 수냉식의, 스테인레스 스틸 베이스(116) 상에 장착된다. 베이스(116)는 순환 회로(circulation circuit)(146)를 포함하며, 순환 회로(146)를 통해 반사기(102)가 냉각되도록 냉각수가 순환한다. 일부 실시예들에서, 반사기(102)는 알루미늄으로 만들어지며 반사성이 높은 표면 코팅(120)을 갖는다. 가열된 기판(106)의 온도 보다 훨씬 아래의 온도로 반사기(102)의 온도를 유지하기 위해, 섭씨 23도를 초과할 수 있는 물이 베이스(116)를 통해 순환될 수 있다. 대안적으로, 동일한 또는 상이한 온도들로 다른 냉각수들이 제공될 수 있다. 예를 들어, 부동액(이를 테면, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 또는 이와 유사한 것) 또는 다른 열전달 유체들이 베이스(116)을 통해 순화될 수 있고 그리고/ 또는 베이스(116)는 냉각장치(chiller)(미도시)에 연결될 수 있다. 기판(106)의 밑면 또는 후면측 및 반사기(102)의 상부는 반사 캐비티(118)를 형성한다. 반사 캐비티(118)는 기판(106)의 유효 방사율(effective emissivity)을 향상시킨다.
[0019] 일부 실시예들에서, 기판(106)과 반사기(102) 간의 간격(separation)은 대략 0.3 인치(7.6 mm)일 수 있으며, 따라서 약 27의 폭-대-높이 비를 가지는 반사 캐비티(118)를 형성한다. 8-인치 실리콘 웨이퍼에 대해 설계된 프로세싱 시스템들에서, 기판(106)과 반사기(102) 간의 거리는 약 3-9mm이다. 캐비티(118)의 폭-대-높이 비는 약 20:1 보다는 커야 한다. 상기 간격이 너무 크게 구성되면, 형성되는 가상의 흑체 캐비티(virtual blackbody cavity)로 인한 방사율-향상 효과가 감소될 것이다. 상기 간격이 너무 작으면, 예를 들어 약 3mm 미만이면, 기판(106)으로부터 반사기(102)로의 열 전도는 증가될 것이며, 이로 인해 가열된 기판(106) 상에 큰 열적 부하(load)가 부과될 것이며, 이는 반사 플레이트에서 열 손실에 대한 주요 메커니즘이 가스를 통한 전도일 것이기 때문이다. 열적 부하(loading)는 프로세싱 동안 챔버 압력 및 프로세스 가스의 타입과 관련될 것이다.
[0020] 기판(106)의 로컬화된 영역들에서의 온도들은 152a, 152b, 및 152c와 같은 다수의 온도 프로브들에 의해 측정된다. 각각의 온도 프로브는 반사기(102)의 상부를 지나 베이스(116)의 후면측으로부터 연장하는 도관(124)을 통과하는 사파이어 광 파이프(126)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 사파이어 광 파이프(126)는 직경이 약 0.125인치이며 도관(124)이 약간 더 크다. 사파이어 광 파이프(126)는 사파이어 광 파이프(126)의 최상부 단부가 반사기(102)의 상부 표면과 동일한 높이가 되거나(flush with) 또는 반사기의 상부 표면 약간 아래에 있도록 도관(124)내에 위치된다. 광 파이프(126)의 다른 단부는 반사 캐비티(118)로부터의 샘플링된 광을 고온계(128)로 전달하는 가요성(flexible) 광섬유(125)에 연결된다.
[0021] 고온계(128)는 측정된 온도에 응답하여 램프헤드(101)에 공급되는 전력을 제어하는 온도 제어기(150)에 연결된다. 일부 실시예들에서, 이를 테면 200mm 웨이퍼에 대해, 램프헤드(101)는 텅스텐-할로겐 램프들로부터 고도로 시준된(collimated) 복사선을 프로세스 챔버(100)로 전달하기 위해 187개 광원(light)들을 사용할 수 있다. 일부 실시예들에서, 이를 테면, 300mm 웨이퍼에 대해, 램프헤드(101)는 409개의 광원(light)들을 사용할 수 있다. 본 명세서에 개시되는 광원들의 개수 및 구성은 예시적인 것이며 다른 개수들 및 구성들 또한 적절하게 사용될 수 있다.
[0022] 램프들은 다수의 구역들로 분할될 수 있다. 구역들은 기판(106)의 상이한 영역들의 제어된 복사 가열(radiative heating)을 허용하기 위해 제어기에 의해 개별적으로 조절될 수 있다. 이러한 제어 시스템은 본 발명의 양수인에게 양도되었으며 전체 개시물이 참조로 본 명세서에 통합되는 미국 특허 제 5,755,511호에 개시된다.
[0023] 앞서 표시된 것처럼, 개시된 실시예들은 기판(106)의 상이한 반경들에서 온도를 측정하기 위해 반사기(102) 위로 분포되는 측정 또는 온도 프로브들을 이용한다. 열처리 동안, 기판(106)은 예를 들어 약 240rpm으로 회전된다. 따라서, 실제로 각각의 프로브는 기판(106) 상에서 상응하는 환형 링 영역의 온도 프로파일을 샘플링한다.
[0024] 기판 지지체(108)는 고정되게 구성되거나 또는 기판(106)을 회전시킬 수 있다. 기판 지지체(108)는 기판의 외부 주변부(perimeter) 둘레에서 기판(106)이 접촉하는 에지 링 또는 지지체를 포함하며, 이로 인해 외부 주변부 부근의 작은 환형 영역을 제외하고 기판(106)의 전체 밑면이 노출되게 한다. 지지체 링(134)은 또한 에지 링(134)으로도 공지되어 있으며 이러한 2개의 용어들은 명세서 내에서 상호교환되게 이용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 지지체 링(134)은 대략 1인치(2.5cm)의 반경방향 폭(radial width)을 갖는다. 프로세싱 동안 기판(106)의 에지에서 발생할 열적 불연속성들을 최소화시키기 위해, 지지체 링(134)은 기판(106)과 동일한 물질, 또는 유사한 물질, 예를 들면 실리콘 또는 실리콘 탄화물로 만들어진다.
[0025] 지지체 링(134)은 회전식 튜브형 석영 실린더(136) 상에 놓이며, 상기 회전식 튜브형 석영 실린더(136)는 고온계(128)의 주파수 범위에서 불투명(opaque)해지게 실리콘으로 코팅된다. 석영 실린더(136) 상의 실리콘 코팅은 강도(intensity) 측정치들에 악영향을 줄 수 있는 외부 소스들로부터의 복사선을 차단하는 배플(baffle)로서 작용한다. 석영 실린더(136)의 바닥부는, 결국에는 고정식의, 환형의, 하부 베어링 레이스(race)(139) 내에 유지되는 다수의 볼 베어링들(137) 상에 놓이는 환형 상부 베어링(141)에 의해 유지된다. 일부 실시예들에서, 볼 베어링들(137)은 스틸로 만들어지며 실리콘 질화물로 코팅되어 동작들 동안 입자 형성을 감소시킨다. 상부 베어링(141)은 열적 프로세싱 동안 실린더(136), 에지 링(134) 및 기판(106)을 회전하는 액추에이터(미도시)에 자기적으로 연결된다.
[0026] 챔버 바디에 끼움장착되는(fitted) 퍼지 링(145)은 석영 실린더(136)를 둘러싼다. 일부 실시예들에서, 퍼지 링(145)은 상부 베어링(141) 위쪽 영역으로 개방되는 내부 환형 캐비티(147)를 포함한다. 내부 캐비티(147)는 통로(149)를 통해 가스 공급부(미도시)에 연결된다. 프로세싱 동안, 퍼지 가스는 퍼지 링(145)을 통해 챔버로 흘러간다. 가스들은 진공 펌프(미도시)에 연결되는 배기 포트를 통해 배기된다.
[0027] 일부 실시예들에서, 지지체 링(134)은 석영 실린더(136) 너머로 연장되도록, 석영 실린더(136)의 반경보다 더 큰 외부 반경을 갖는다. 실린더(136) 너머의 지지체 링(134)의 환형 연장부는, 그 아래에 위치되는 퍼지 링(145)과 협력하여, 기판(106)의 후면측에서 표유(stray) 광이 반사 캐비티(118)에 진입하는 것을 방지하는 배플로서 기능한다. 표유 광이 반사 캐비티(118)로 진입할 가능성을 추가로 감소시키기 위해, 지지체 링(134) 및 퍼지 링(145)은 또한 램프헤드(101)에 의해 생성되는 복사선을 흡수하는 물질(예를 들면, 블랙 물질 또는 그레이 물질)로 코팅될 수 있다.
[0028] 램프헤드(101)에 의해 제공되는 광 에너지가 프로세스 챔버(100)로 진입하도록 허용하기 위해 윈도우 어셈블리(114)가 프로세스 챔버(100)의 상부 부분에 배치된다. 일부 실시예들에서, 윈도우 어셈블리(114)는 상부 윈도우(154) 및 하부 윈도우(156)를 포함한다. 상부 윈도우(154) 및 하부 윈도우(156) 각각은, 램프헤드(101)로부터의 복사선이 상부 윈도우(154) 및 하부 윈도우(156)를 통해 프로세스 챔버(100)로 진입하도록 허용하기 위해 램프헤드(101)에 의해 제공되는 에너지에 대해 투과성인(transparent) 물질을 포함한다. 일부 실시예들에서, 상부 윈도우(154) 및 하부 윈도우(156)는 석영이다. 그러나 상부 윈도우(154) 및 하부 윈도우(156)는 마찬가지로 상이한 물질들로 구성될 수 있다.
[0029] 일반적으로, 상부 윈도우(154) 및 하부 윈도우(156)는 램프헤드(101)에 의해 제공되는 최대 에너지가 상부 윈도우(154) 및 하부 윈도우(156)를 통해 통과하게 허용하도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 상부 윈도우(154) 및/또는 하부 윈도우(156)의 두께는 상부 윈도우(154) 및 하부 윈도우(156)를 통과하는 에너지의 양을 제어하기 위해 변경될 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 상부 윈도우의 두께는 약 3 내지 약 8mm일 수 있다. 일부 실시예들에서, 하부 윈도우의 두께는 약 3 내지 약 8mm일 수 있다.
[0030] 프로세싱 동안, 프로세스 가스는 윈도우 어셈블리(114)를 통해 프로세스 챔버(100) 속의 기판(106) 위로 도입(introduce)될 수 있다. 윈도우 어셈블리(114)는 측면(side) 주입 가스 시스템들(이를 테면, 프로세스 챔버의 측면들로부터 프로세스 챔버의 프로세싱 볼륨으로 가스를 전달함)을 이용하는 프로세스 챔버들과 비교할 때, 오버헤드로부터 기판(106)으로 프로세스 가스를 보다 균일하게 분포시키기 위해 이용될 수 있다.
[0031] 일부 실시예들에서, 하부 윈도우(156)는 상부 윈도우(154) 아래에 배치되며 하부 윈도우(156)는 상부 윈도우(154)와의 사이에 갭(158)을 한정하기 위해 상부 윈도우(154)로부터 이격된다. 갭(158)은 플래넘(plenum)을 형성하며, 플래넘 은 유입구(130)로부터의 프로세스 가스를 그 내부에서 수용하고 흘려보낸다. 일부 실시예들에서, 갭은 약 1-5mm일 수 있다. 하부 윈도우(156)는 프로세스 가스를 플래넘(이를 테면, 갭(158))으로부터 프로세스 챔버(100)의 프로세싱 볼륨으로 전달하기 위한 하나 이상의 배출구들(160)을 포함한다. 하나 이상의 배출구들(160)의 크기, 기하형상, 개수 및 위치는 원하는 패턴의 프로세스 가스 흐름이 조장되도록 선택적으로 선택될 수 있다.
[0032] 예를 들어, 각각의 배출구(160)의 단면은 둥근형(round), 직사각형, 정사각형, 타원형, 슬롯형, 다각형, 또는 이와 유사한 것 또는 이들이 조합들일 수 있다. 각각의 배출구(160)는 예를 들어, 배출구(160)로부터 흐르는 프로세스 가스의 유량 및/또는 방향을 제어하도록 구성된 단면을 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 적어도 일부 배출구들(160)은 가스 흐름의 방향에 평행한 축을 따라 변하는 단면을 가질 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 적어도 일부 배출구들(160)은 배출구들(160)을 통해 흐르는 프로세스 가스의 분포를 조장하기 위해 확장형 단면을 가질 수 있다. 예를 들어, 적어도 일부 배출구들(160)은 하부 윈도우(156)의 상부 표면 근처에서 제 1 폭을 가질 수 있으며, 제 1 폭은 하부 윈도우(156)의 하부의 기판 지지체를 면하는 표면 근처의 제 2 폭보다 작다. 일부 실시예들에서, 적어도 일부 배출구들(160)은 배출구들(160)을 통해 흐르는 더 높은 속도의 프로세스 가스 제공을 조장하기 위해 테이퍼링(tapering) 단면을 가질 수 있다. 예를 들어, 적어도 일부 배출구들(160)은 하부 윈도우(156)의 상부 표면 근처에서 제 1 폭을 가질 수 있으며, 제 1 폭은 하부 윈도우(156)의 하부의 기판 지지체를 면하는 표면 근처의 제 2 폭보다 크다. 일부 실시예들에서, 적어도 일부 배출구들(160)은 기판에 비-직각 각도로, 배출구들(160)을 통해 흐르는 프로세스 가스의 흐름 지향을 조장하기 위해 비-수직 중심축을 가질 수 있다.
[0033] 하나 이상의 배출구들(160)은 기판(106)으로 프로세스 가스의 원하는 분포를 달성하기 위해 임의의 적절한 구성으로 하부 윈도우(156)에 분포될 수 있다. 원하는 분포는 프로세스 챔버에서 수행되는 프로세스에 따라, 균일하거나 불균일할 수 있다. 예를 들어 그리고 도 3a에 도시된 것처럼, 다수의 배출구들(160)은 요구에 따라 하부 윈도우(156)의 표면을 가로질러(across) 2 차원들로 분포될 수 있다. 일부 실시예들에서, 다수의 배출구들(160)은 하부 윈도우(156)의 전체 표면에 균일하게 분포될 수 있다. 일부 실시예들에서, 다수의 배출구들(160)은 도 3a에 예시적으로 도시된 것처럼, 외부 구역(302), 중간(intermediate) 구역(304), 및 내부 구역(305)과 같은 이상의 원하는 구역들로 그룹화될 수 있다. 하나 이상의 배출구들(160)의 이러한 구성에서, 기판 지지체(108)는 중심축을 중심으로 회전하거나 고정될일 수 있다.
[0034] 일부 실시예들에서 그리고 도 3b에 도시된 것처럼, (다수의 라인들, 웨지들(wedges), 다수의 라인들 또는 웨지들, 다수의 세그먼트들, 또는 이와 유사한 것이 사용될 수 있지만) 다수의 배출구들(160)은 하부 윈도우(156)의 표면의 세그먼트(308)를 따라, 이를 테면 한 줄로 분포될 수 있다. 세그먼트(308)는 적어도 기판(106)의 폭에 대해 걸쳐있을 수 있고(span) 적어도 기판(106)의 중심축 너머로(over) 연장할 수 있다. 이러한 실시예들에서, 기판 지지체(108)는 기판(106)으로 프로세스 가스의 균일한 분포를 조장하기 위해 프로세싱 동안 회전될 수 있다. 하나 이상의 배출구들(160)의 다른 분포들이 마찬가지로 이용될 수 있다. 예를 들어, 불균일한 가스 흐름을 보상하기 위한 불균일한 분포들은 프로세스 챔버에서의 구성적 비대칭성들 이를 테면, 프로세싱 볼륨에 대해 비대칭으로 위치된 배기 포트로 인해 야기된다.
[0035] 프로세스 챔버(100)에서 이용될 수 있는 윈도우 어셈블리(114)의 대안적 실시예가 도 2에 도시된다. 윈도우 어셈블리(114)는 상부 윈도우(154) 및 상부 윈도우(154) 아래에 배치되는 도관(202)을 포함할 수 있다. 상부 윈도우(154)는 앞서 논의된 상부 윈도우(154)와 유사할 수 있다. 도관(202)은 램프헤드(101)로부터의 복사선에 투과성인 임의의 적절한 물질로 제조될 수 있다. 이러한 물질들은 석영, 진사(cinnabar), 방해석(calcite) 또는 이와 유사한 것을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 도관(202)은 프로세스 챔버(100)의 측면으로부터 지지될 수 있다. 일부 실시예들에서, 도관(202)은 램프헤드(101)에 의해 제공되는 에너지에 대해 투과성인 임의의 적절한 파스닝 메커니즘(fastening mechanism)에 의해 상부 윈도우(154)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 도관(202)은 상부 윈도우(154)에 아교접착(glued), 본딩(bonded), 또는 용접될 수 있다.
[0036] 도관(202)은 유입구(130)에 연결되며 도관(202)의 내부에서 프로세스 가스가 흐르도록 구성된다. 도관(202)은 하나 이상의 배출구들(204)을 포함하며, 상기 하나 이상의 배출구들(204)은 프로세스 챔버(100)의 프로세싱 볼륨으로 프로세스 가스의 흐름을 조장하기 위해 도관(202)의 하부 표면을 관통하게 배치된다. 배출구들은 균일하게 또 불균일하게 분포될 수 있으며 다르게는 배출구들(160)과 관련하여 앞서 논의된 것과 같은 형상 및/또는 단면을 가질 수 있다.
[0037] 예를 들어, 기판 지지체(108)와 관련하여 하나 이상의 배출구들(204)의 위치는 도관(202)의 기하형상에 의해 주로 제어된다. 도관(202)은 기판(106)으로 원하는 흐름의 프로세스 가스를 제공하기 위해 필요한 임의의 적절한 구성을 가질 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예들에서 그리고 도 2에 도시된 것처럼, 도관(202)은 적어도 기판(106)의 폭까지 연장할 수 있다. 일부 실시예들에서, 도관(202)은 기판 지지체(108)의 중심축과 교차하는 라인을 따라 연장할 수 있다. 도관의 다른 구성들이 가능하며 이는 도 5a-5d와 관련하여 하기에서 논의된다.
[0038] 도관(202)은 기판(106)으로 프로세스 가스 또는 가스들의 원하는 분포를 조장하는 임의의 기하형상으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 도관(202)은 선형 또는 비선형일 수 있으며 유사한 또는 가변 크기의, 구역들로 그룹화된, 클러스터형(clustered) 또는 균일하게 분포된 또는 이와 유사한 하나 이상의 배출구들(204)을 포함할 수 있다. 도 5a-5d는 본 명세서에서 고려되는 다수의 다양한 도관 구성들 중 일부를 도시하는, 상부 윈도우(154)의 개략적 저면도들을 도시한다. 도 5a에 도시된 것처럼, 도관(502)(도관(202)과 유사)은 선형일 수 있으며 적어도 기판(106)의 폭까지 연장할 수 있다(도 5a에는 상부 윈도우(154)의 폭보다 더 크게 연장하는 것으로 도시됨). 도관(502)은 (배출구들(204)과 유사한) 하나 이상의 배출구들(504)을 포함하며, 상기 하나 이상의 배출구들(504)은 프로세스 챔버의 원하는 위치로의 프로세스 가스 제공을 조장하기 위해 도관(502)의 원하는 부분들을 따라 도관(502)에 형성된다. 도 5a에 도시된 실시예에서, 다수의 배출구들(504)이 도시된다. 일부 실시예들에서, 배출구들(504)은 하나 이상의 영역들, 또는 구역들(이를 테면, 도 5a에 예시된 506, 508, 510)로 그룹화될 수 있다. 배출구들(504)은 각각의 구역 내부에서부터 그리고 구역-대-구역으로부터 동일하게 또는 상이하게 구성될 수 있다.
[0039] 도 5b에 도시된 것처럼, 도관(502)은 (이를 테면, 상부 윈도우(154)의 중심점을 지나) 기판(106)의 중심축과 교차하기에 충분한 거리로 연장될 수 있다. 도 5b에 도시된 것처럼 도관(502)은 프로세싱 동안 원하는 가스 분포 제공을 조장하기 위해 앞서 논의된 것처럼, 회전을 위해 구성된 기판 지지대와 결합하여 사용될 수 있다. 도 5b의 도관(502)은 도 5a와 관련하여 앞서 논의된 것처럼 유사하게 구성될 수 있는 하나 이상의 배출구들(504)을 갖는다.
[0040] 도 5c에 도시된 것처럼, 도시된 대로 2개 이상의 도관들, 즉 도관(502A) 및 제 2 도관(502B)이 제공될 수 있다. 각각의 도관(502A-B)은 도 5a-b와 관련하여 앞서 논의된 것처럼 유사하게 구성될 수 있는 하나 이상의 배출구들(504A, 504B)을 포함한다. 각각의 도관은 프로세싱 동안 프로세스 챔버에 (상이한 퍼센테이지들의 유사한 성분들(constituents)을 가지는 프로세스 가스들을 포함하는) 상이한 프로세스 가스들 또는 상이한 양들의 프로세스 가스들을 제공하기 위해 동일한 가스 소스 또는 상이한 가스 소스에 연결될 수 있다. 예를 들어, 프로세싱 동안 프로세스 챔버로의 상이한 프로세스 가스들의 제공을 조장하기 위해, 도관(502A)은 제 1 유입구(130A)에 연결되며 도관(502B)은 제 2 유입구(130B)(유입구들(130A-B)은 도 1과 관련하여 앞서 논의된 유입구(130)와 유사함)에 연결될 수 있다. 대안적으로 또는 조합하여, 프로세싱 동안 프로세스 챔버의 상이한 영역들로의 상이한 양들의 프로세스 가스들의 제공을 조장하기 위해 배출구들(504A) 및 배출구들(504B)은 상이한 크기들로, 및/또는 개수들로, 및/또는 구역들에 제공된다.
[0041] 도 5d를 참조로, 도관(502)의 또 다른 예시적 실시예가 도시된다. 도관(502)은 제 1 부분(512) 및 제 2 부분(514)을 포함한다. 제 1 부분(512)은 프로세스 챔버의 중심부 근처에 프로세스 가스들을 제공하기 위한 원하는 구성을 가질 수 있다(이를 테면, 제 1 부분(512)은 상부 윈도우(154)의 중심부 근처에 배치된다). 제 1 부분(512)은 프로세스 챔버의 프로세싱 볼륨에 면하는 원하는 패턴의 하나 이상의 배출구들(504)을 포함한다. 제 1 부분(512)은 제 2 부분(514)과 상이한 기하형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 도 5d에 도시된 것처럼, (또한 제 1 부분(512)의 다른 형상들 및 구성들이 이용될 수 있지만) 제 1 부분(512)은 제 2 부분의 폭보다 큰 직경으로 라운딩된다(round). 제 2 부분(514)은 도관(502)의 제 1 부분(512)을 프로세스 챔버의 유입구(130)에 연결한다.
[0042] 도 5a-d는 도관(504)의 일부 예들만을 예시적으로 도시하며 다른 구성들도 가능하다. 예를 들어, 도관(504)은 타원형, 정사각형, 직사각형 및 이와 유사한 형상과 같은 다른 형상들을 가질 수 있다. 추가로, 윈도우 어셈블리는 다수의 도관들, 또는 단일의 분지 도관(branching conduit)들을 포함할 수 있다는 것이 고려된다. 다수의 도관들이 사용되는 실시예들에서, 도 5c와 관련하여 앞서 논의된 것처럼, 각각의 도관은 동일한 프로세스 가스를 제공할 수 있고, 혹은 도관이 상이한 프로세스 가스를 제공하도록 이용될 수 있다.
[0043] 동작시, 윈도우 어셈블리는 프로세스 챔버에 원하는 패턴으로 프로세스 가스들을 제공하기 위해 이용될 수 있다. 예를 들어, 프로세스 챔버에 배치되는 기판에 프로세스 가스를 제공하기 위한 하나의 예시적인 방법(400)이 도 4에 도시된다. 방법(400)은 프로세스 가스의 입력(input) 및 광원에 의한 기판의 가열을 요구하는 임의의 적절한 프로세스 챔버에서 수행될 수 있다. 프로세싱은 기판 상부에서의 층 형성, 예를 들면, 라디칼 산화 또는 이와 유사한 것과 같은 선택적 산화 프로세스에 의한 산화물층의 형성을 포함할 수 있다. 방법(400)이 이용될 수 있는 하나의 예시적 챔버로는 윈도우 어셈블리(114)를 갖는 프로세스 챔버(100)가 있다. 방법(400)은 도 1에 도시된 것처럼, 윈도우 어셈블리(114)를 가지는 프로세스 챔버(100)에 관련하여 하기에 개시된다.
[0044] 일반적으로 방법(400)은, 402 단계에서 시작하며, 여기서 가스는 프로세스 챔버(100)내에서, 기판 지지체(108)와 상기 기판 지지체(108)를 향해 에너지를 지향시키도록 구성된 광원(이를 테면, 램프헤드(101)) 사이에 배치되는 윈도우 어셈블리(114)의 유입구(130)에 제공될 수 있다. 가스는 기판을 프로세싱하기에 적합한 임의의 가스일 수 있다. 다수의 가스들이 제공될 경우, 가스들은 개별적으로 흐르거나 또는 프로세스 가스 혼합물로 흐를 수 있다. 각각의 가스는 (이를 테면, 도 5c에 도시된 것처럼 도관(502A) 및 제 2 도관(502B)을 통해, 또는 본 명세서에 개시되는 임의의 실시예들을 통해 연속해서(serially) 가스들을 흘려보냄으로써) 개별적으로 흐르거나 또는 (본 명세서에 개시되는 임의의 실시예들을 통해) 프로세스 가스 혼합물로 흐를 수 있다.
[0045] 일부 실시예들에서, 가스는 기판(106)의 선택적 산화와 같은 산화 프로세스의 일부로 이용될 수 있으며 산소(O2), 질소(N2), 수소(H2), 암모니아(NH3), 아산화질소(N2O), 산화질소(NO), 또는 이들을 조합물을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 가스 혼합물은 산소(O2) 및 질소(N2)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 가스는 어닐링 프로세스의 일부로서 이용될 수 있으며 질소(N2), 암모니아(NH3), 수소(H2), 또는 이와 유사한 것을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 프로세스 가스는 헬륨(He), 아르곤(Ar), 또는 이와 유사한 것과 같은 비활성 가스를 더 포함할 수 있다. 다른 프로세스들 및 가스 조합들 또한 사용될 수 있다.
[0046] 다음, 404 단계에서, 가스는 윈도우 어셈블리(114)를 통해 흐를 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 가스는 유입구(130)로부터 윈도우 어셈블리(114)의 상부 윈도우(154) 및 하부 윈도우(156) 사이의 갭(158)으로 흐를 수 있다. 일부 실시예들에서, 가스는 유입구(130)로부터 윈도우 어셈블리(114)의 상부 윈도우(156) 아래에 배치되는 도관(204, 504)으로 흐를 수 있다. 일부 실시예들에서, 다수의 가스들의 독립적 제어 및/또는 분포가 제공될 수 있다. 예를 들어, 제 1 가스 또는 가스 혼합물은 제 1 유입구(130A)로부터 제 1 도관(504A)으로 제공되고 제 2 가스 또는 가스 혼합물은 제 2 유입구(130B)로부터 제 2 도관(504B)으로 제공될 수 있다.
[0047] 다음, 406 단계에서, 가스는 윈도우 어셈블리(114)에 배치되는 하나 이상의 배출구들(이를 테면, 160, 204, 504)을 통해 프로세스 챔버(100)로 흐를 수 있다. 프로세스 가스는 하나 이상의 배출구들(160)을 통해 원하는 패턴(이를 테면, 균일 또는 불균일)으로 프로세스 챔버(100)속으로 흐를 수 있다. 프로세스 가스는 기판(106)의 표면에 프로세스 가스의 원하는 분포를 제공하기 위해, 하나 이상의 배출구들(160)에 의해 및/또는 프로세스 가스 소스에 의해 제공되는 프로세스 가스의 유량에 의해 결정되는 임의의 적절한 방향으로 및/또는 임의의 적절한 유량으로 흐를 수 있다. 하나 이상의 배출구들의 구성에 따라, 기판(106)은 앞서 논의된 것처럼, 원하는 가스 분포를 조장하도록 프로세싱 동안 회전될 수 있다.
[0048] 일부 실시예들에서, 기판상에 형성되는 산화물층의 성장률은 프로세스 챔버의 측면으로부터 가스들을 주입하는 것과 비교할 때, 기판에 면하는 윈도우 어셈블리로부터 프로세스 가스들을 제공함으로써 증가될 수 있다. 일부 실시예들에서, 산소(O2)와 같은 산화 가스의 흐름을 제어함으로써, 예를 들어, 기판의 중심부 및/또는 중간 구역에서 산화물막 두께를 통한 제어가 제공될 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판의 중심부 및/또는 중간 구역에서의 냉각(cool down) 속도는 프로세스 챔버의 측면으로부터 가스들을 주입하는 것과 비교할 때, 기판에 면하는 윈도우 어셈블리로부터 제공되는 질소(N2)와 같은 비활성 가스의 흐름을 증가시킴으로써 증가될 수 있다. 기판 표면에 프로세스 가스 및/또는 프로세스 가스 혼합물을 제공하면, 방법(400)은 일반적으로 종료되며 기판(106)은 필요에 따라 추가로 프로세싱될 수 있다.
[0049] 따라서, 기판에 프로세스 가스를 제공하기 위한 방법들 및 장치가 본 명세서에 개시된다. 본 발명의 장치는 프로세스 챔버로의 프로세스 가스의 흐름을 조장하게 하기 위한 윈도우 어셈블리를 포함할 수 있다. 유리하게 본 발명의 시스템 및 방법은 예를 들어, 급속 열처리(RTP)를 위해 구성된 프로세스 챔버와 같은 프로세스 챔버내에 배치되는 기판으로 프로세스 가스의 원하는 분포를 조장한다.
[0050] 지금까지는 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 실시예들 및 추가적 실시예들이 본 발명의 기본 범주를 이탈하지 않고 고안될 수 있다.

Claims (15)

  1. 기판 프로세싱 시스템으로서,
    내부에 기판 지지체가 배치된 프로세스 챔버 ― 선택적으로, 상기 기판 지지체는 중심축을 중심으로(about) 회전할 수 있음 ― ;
    상기 기판 지지체를 향해 에너지를 지향시키도록 상기 프로세스 챔버 위에 배치되는 광원; 및
    상기 광원에 의해 제공되는 광 에너지가 상기 기판 지지체를 향해 상기 프로세스 챔버로 진입하는 것을 허용하도록, 상기 광원과 상기 기판 지지체 사이에 배치되는 윈도우 어셈블리를 포함하고,
    상기 윈도우 어셈블리는 프로세스 가스를 수용하는 유입구(inlet), 상기 프로세스 챔버 속으로 상기 프로세스 가스를 분포시키는 하나 또는 그 초과의 배출구(outlet), 상부 윈도우, 및 도관 ― 상기 도관은 상기 상부 윈도우 아래에 배치되며, 상기 프로세스 가스를 수용하도록 상기 도관의 제1 단부에 배치되는 상기 유입구를 가짐 ― 을 포함하며, 상기 도관은 상기 프로세스 챔버 내로 상기 프로세스 가스가 흐르도록 하나 또는 그 초과의 배출구들을 가지는,
    기판 프로세싱 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 초과의 배출구들 중 적어도 하나는,
    가스 흐름의 방향에 평행한 축을 따르는 가변 단면(cross-section); 또는
    상기 기판 지지체의 지지 표면에 대해 직교하지 않는(non-perpendicular) 중심축 중 적어도 하나를 포함하는,
    기판 프로세싱 시스템.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 윈도우 어셈블리는,
    상부 윈도우; 및
    하부 윈도우를 더 포함하며, 상기 하부 윈도우는 상기 상부 윈도우 아래에 배치되며, 상기 유입구로부터 제공되는 상기 프로세스 가스가 흐르도록 상기 상부 윈도우와의 사이에 갭을 한정하며, 상기 하나 또는 그 초과의 배출구들은 상기 하부 윈도우에 배치되는,
    기판 프로세싱 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 초과의 배출구들은 2개 또는 그 초과의 구역(zone)들에 배치되는,
    기판 프로세싱 시스템.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 초과의 배출구들은 상기 기판 지지체와 마주하는(opposite) 영역에 대칭되게 배열되거나, 또는 상기 하나 또는 그 초과의 배출구들은 상기 기판 지지체와 마주하는 영역에 비대칭으로 배열되는,
    기판 프로세싱 시스템.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 배출구들은 선형 배열로 배치되는,
    기판 프로세싱 시스템.
  7. 삭제
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 도관은 상기 기판 지지체의 중심축을 교차하는 라인을 따라 연장되는,
    기판 프로세싱 시스템.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 도관은 상기 상부 윈도우의 일부만을 가로질러(across) 연장되는,
    기판 프로세싱 시스템.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 윈도우 어셈블리는 제 2 도관을 더 포함하며, 상기 제 2 도관은 상기 제 2 도관을 통해 제 2 프로세스 가스가 흐르도록 상기 상부 윈도우 아래에 배치되며 상기 프로세스 챔버속으로 상기 제 2 프로세스 가스의 흐름을 조장(facilitate)하기 위해 상기 제 2 도관을 관통하게 배치되는 하나 또는 그 초과의 제 2 배출구들을 가지는,
    기판 프로세싱 시스템.
  11. 기판에 프로세스 가스를 제공하기 위한 방법으로서,
    프로세스 챔버내에서, 기판 지지체와 상기 기판 지지체를 향해 에너지를 지향시키도록 구성된 광원 사이에 배치되는 윈도우 어셈블리의 유입구에 가스를 제공하는 단계;
    상기 윈도우 어셈블리를 통해 상기 가스를 흘려보내는 단계; 및
    상기 윈도우 어셈블리의 상부 윈도우 아래에 배치되는 도관에 배치되는 하나 또는 그 초과의 배출구들을 통해 상기 프로세스 챔버 속으로 상기 가스를 흘려보내는 단계를 포함하는,
    기판에 프로세스 가스를 제공하기 위한 방법.
  12. 삭제
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 방법은,
    상기 상부 윈도우 아래에 배치되는 제 2 도관을 통해 제 2 가스를 흘려보내는 단계 ― 상기 제 2 도관은 상기 프로세스 챔버 속으로 상기 제 2 가스의 흐름을 조장하기 위해 상기 제 2 도관에 배치되는 하나 또는 그 초과의 배출구들을 가짐 ― 를 더 포함하는,
    기판에 프로세스 가스를 제공하기 위한 방법.
  14. 제 11 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 윈도우 어셈블리 내에 배치되는 상기 하나 또는 그 초과의 배출구들은 비대칭으로 배열되며, 그리고
    상기 방법은, 상기 기판 지지체 상에 배치되는 기판의 표면을 가로질러(across) 상기 프로세스 가스의 균일한 분포를 제공하도록 상기 기판 지지체를 회전하는 단계를 더 포함하는,
    기판에 프로세스 가스를 제공하기 위한 방법.
  15. 제 11 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 윈도우 어셈블리를 통해 상기 가스를 흘려보내는 동안 상기 윈도우 어셈블리를 통해 상기 광원으로부터의 에너지를 상기 프로세스 챔버로 지향시키는 단계를 더 포함하는,
    기판에 프로세스 가스를 제공하기 위한 방법.




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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8986454B2 (en) 2010-06-08 2015-03-24 Applied Materials, Inc. Window assembly for use in substrate processing systems
US9499905B2 (en) 2011-07-22 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for the deposition of materials on a substrate
WO2014018275A1 (en) 2012-07-27 2014-01-30 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for delivering process gases to a substrate
US10174422B2 (en) 2012-10-25 2019-01-08 Applied Materials, Inc. Apparatus for selective gas injection and extraction
US10410890B2 (en) * 2013-06-21 2019-09-10 Applied Materials, Inc. Light pipe window structure for thermal chamber applications and processes
US9443728B2 (en) 2013-08-16 2016-09-13 Applied Materials, Inc. Accelerated relaxation of strain-relaxed epitaxial buffers by use of integrated or stand-alone thermal processing
US9435031B2 (en) 2014-01-07 2016-09-06 International Business Machines Corporation Microwave plasma and ultraviolet assisted deposition apparatus and method for material deposition using the same
US10184183B2 (en) * 2016-06-21 2019-01-22 Applied Materials, Inc. Substrate temperature monitoring
US10535538B2 (en) * 2017-01-26 2020-01-14 Gary Hillman System and method for heat treatment of substrates

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002305153A (ja) * 2001-04-06 2002-10-18 Tokyo Electron Ltd 処理装置および処理方法
JP2007273913A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Shimadzu Corp 表面波励起プラズマ処理装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2717786B2 (ja) * 1987-07-07 1998-02-25 財団法人 半導体研究振興会 半導体結晶のエピタキシャル成長法及びその方法に用いる分子層エピタキシー装置
JPS6422033A (en) * 1987-07-17 1989-01-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Deposition system for thin-film
JPH01183809A (ja) * 1988-01-19 1989-07-21 Babcock Hitachi Kk 光ｃｖｄ装置
JPH01241826A (ja) * 1988-03-23 1989-09-26 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成装置
JPH0636409B2 (ja) * 1989-12-28 1994-05-11 大日本スクリーン製造株式会社 光照射型気相処理装置
JPH04188622A (ja) * 1990-11-19 1992-07-07 Kawasaki Steel Corp 半導体装置の製造方法及びその製造装置
JPH0987851A (ja) * 1995-09-21 1997-03-31 Canon Inc マイクロ波プラズマ処理装置及び処理方法
WO1998044175A1 (en) * 1997-03-28 1998-10-08 Super Silicon Crystal Research Institute Corp. Epitaxial growth furnace
US6099648A (en) 1997-08-06 2000-08-08 Applied Materials, Inc. Domed wafer reactor vessel window with reduced stress at atmospheric and above atmospheric pressures
WO1999049101A1 (en) 1998-03-23 1999-09-30 Mattson Technology, Inc. Apparatus and method for cvd and thermal processing of semiconductor substrates
US6187133B1 (en) * 1998-05-29 2001-02-13 Applied Materials, Inc. Gas manifold for uniform gas distribution and photochemistry
JP2000228366A (ja) * 1999-02-08 2000-08-15 Furontekku:Kk 反応ガス使用処理装置
JP2002064104A (ja) * 2000-08-16 2002-02-28 Tokyo Electron Ltd ガス処理装置
JP2002261036A (ja) * 2001-02-28 2002-09-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
US6932871B2 (en) * 2002-04-16 2005-08-23 Applied Materials, Inc. Multi-station deposition apparatus and method
US20030192645A1 (en) * 2002-04-16 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for creating circumferential process gas flow in a semiconductor wafer plasma reactor chamber
US7442274B2 (en) 2005-03-28 2008-10-28 Tokyo Electron Limited Plasma etching method and apparatus therefor
JP4344949B2 (ja) * 2005-12-27 2009-10-14 セイコーエプソン株式会社 シャワーヘッド、シャワーヘッドを含む成膜装置、ならびに強誘電体膜の製造方法
JP4502220B2 (ja) * 2007-02-13 2010-07-14 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002305153A (ja) * 2001-04-06 2002-10-18 Tokyo Electron Ltd 処理装置および処理方法
JP2007273913A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Shimadzu Corp 表面波励起プラズマ処理装置

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Publication number Publication date
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