CN111868874A - 用于远程等离子体氧化腔室的狗骨式入口锥形轮廓 - Google Patents

Abstract

本公开内容的实施方式总体涉及用于高深宽比结构的保形氧化的处理腔室。处理腔室包括腔室主体，腔室主体具有第一侧和与第一侧相对的第二侧，和设置在第一侧的流动组件。流动组件包括分流器，以引导流体流动远离设置在处理腔室的处理区域中的基板的中心。分流器包括新月形的第一侧、顶部和底部。处理腔室还包括邻近第二侧定位的分散式泵送结构。流动组件被设计为减少自由基的流动收缩，带来自由基浓度和通量增加。

Description

用于远程等离子体氧化腔室的狗骨式入口锥形轮廓

背景

领域

本公开内容的实施方式大致涉及半导体装置制造，并且具体地涉及用于高深宽比结构的保形(conformal)氧化的流动组件。

相关技术的说明

硅集成电路的生产对制造步骤提出了在芯片上减小最小特征尺寸的同时增加装置数量的难以满足的需求。此外，装置制造商的成本压力增加造成对增加半导体制造设施的产量的需要。结果，半导体制造工艺必须以极高的均匀性高速执行膜形成(formation)和改性(modification)操作。一种这样的工艺是在半导体基板上氧化膜。在这样的工艺中，氧化气体混合物以高速流入处理腔室中，并通过在基板的底层(underlying layer)中掺入氧来改变基板的底层，以形成膜的氧化物。气体进入处理腔室的速度和在排放之前于腔室内的短暂停留时间不允许气体有时间均匀地扩散在基板上，因而产生不均匀的膜厚度。

因此，需要用于执行半导体基板氧化的改良的设备和方法。

发明内容

本公开内容的实施方式总体涉及半导体装置制造，并且具体地涉及用于高深宽比结构的保形氧化的流动组件。在一个或多个实施方式中，公开一种处理腔室。处理腔室包括腔室主体，腔室主体具有第一侧和与第一侧相对的第二侧，和设置在第一侧的流动组件。流动组件包括分流器。分流器包括新月形的第一侧、顶部和底部。处理腔室还包括邻近第二侧定位的分散式泵送结构。

在其他实施方式中，处理系统包括前驱物活化器和与前驱物活化器耦接的处理腔室。处理腔室包括腔室主体，腔室主体具有第一侧和与第一侧相对的第二侧，和设置在第一侧的流动组件。流动组件包括分流器。分流器包括新月形的第一侧、顶部和底部。处理腔室还包括邻近第二侧的分散式泵送结构。

在其他实施方式中，公开一种流动组件。流动组件包括第一侧、与第一侧相对的第二侧、设置在第一侧与第二侧之间的通道和设置在通道内的分流器。第一侧包括凹槽和凹槽内的第一开口。第二侧是弯曲的并且包括第二开口。分流器包括第一新月形状的侧、顶部和底部。

附图简要说明

为了能够详细了解本公开内容的上述特征的方式，可通过参考实施方式获得上文简要概述的本公开内容的更具体描述，其中一些实施方式在附图中图示。然而，应注意，附图仅示出示例实施方式，因此不应被视为限制本公开内容的范围，可允许其他等效的实施方式。

图1A是根据本文描述和讨论的一个或多个实施方式的处理系统的示意图。

图1B是根据本文描述和讨论的一个或多个实施方式的图1A中所示的处理系统的一部分的示意性俯视图。

图2A是根据本文描述和讨论的一个或多个实施方式的流动组件的第一部件的透视图。

图2B是图2A的流动组件的第二部件的透视图。

图2C是根据本文描述和讨论的一个或多个实施方式的图2A的流动组件的示意性俯视图。

图2D是根据本文描述和讨论的一个或多个实施方式的图2A的流动组件的主视图。

图3是根据本文描述和讨论的一个或多个实施方式的分流器(flowdivider)的透视图。

为了便于理解，已尽可能使用相同的参考数字来表示图片共有的相同元件。设想一个或多个实施方式的元件和特征可以有利地并入其他实施方式中。

具体实施方式

本公开内容的实施方式大致涉及半导体装置制造，并且具体地涉及用于处理腔室的衬垫和流动组件，在处理腔室中执行保形(conformal)氧化操作。处理腔室包括腔室主体和流动组件，腔室主体具有间隔开的第一侧和第二侧，流动组件位于延伸穿过腔室主体的第一侧的流体管道中。流动组件包括分流器，用于调节流过管道的流体的流动轮廓(flowprofile)，以减小在管道的中心区域中流动的流体的体积，并且增大在管道的周边区域中流动的体积。分流器减小管道在管道的中心区域的横截面积，引导增加的气流到管道的周边。因此，当气体跨处理腔室中的基板流动时，分流器增加气体跨基板的扩散率(rate ofspreading)，从而改善在基板上形成的氧化物膜的均匀性。

处理腔室还包括邻近腔室的第二侧定位的分散式泵送结构。分散式泵送结构用于调节处理腔室中的气流以改善膜厚度均匀性。

分流器是设置在气流管道中的流动组件的一部分。流动组件包括由诸如石英、陶瓷或二氧化硅的材料制成的衬垫，所述材料不与反应性气体物质反应并且最小化这种气体物质在向基板流动的同时去活化(deactivate)的机会。流动组件经设计以减少自由基的流动收缩(constriction)，而使自由基浓度和通量增加。可以单独控制两个泵送口以调节自由基通过处理腔室的处理区域的流动。通过减小流动组件的中心区域中的流动路径的高度，气流可以朝向基板的边缘扩散，从而提供改善的沉积均匀性。

图1A图示基板处理系统100，基板处理系统100包括热处理腔室102和耦接至热处理腔室102的前驱物活化器(activator)180。在一个方面中，前驱物活化器是等离子体产生器，等离子体产生器在用于将一种或多种工艺气体引到处理区域113的流线(flowline)上远离热处理腔室102的处理区域113定位，由此等离子体由通过活化器的气体形成，活化器离子化至少一部分通过活化器的气体物质。因为支持等离子体状态的气体的能量仅存在于前驱物活化器180中，所以前驱物气体以活化但非等离子体态进入腔室的处理容积，前驱物气体中包括高百分比的前驱物气体的自由基物质，在此是一种活化气体混合物。前驱物活化器180还可用于在不使用等离子体的情况下提供活化气体混合物，例如通过向气体施加能量，所述能量不会显著地离子化所述气体。热处理腔室102具有处理区域113，活化的前驱物气体被引入处理区域113中，并且处理区域113由一个或多个侧壁114(例如，四个侧壁)和基部115包围。侧壁114的上部可以密封到窗组件117(例如，使用“O”形环)。在此，辐射能组件118定位在窗组件117上方并且与窗组件117耦接。辐射能组件118具有复数个灯119，灯119可以是钨卤素灯，每个灯安装到接收器(receptacle)121中并且经定位以将电磁辐射发射到处理区域113中。图1A的窗组件117具有复数个光管141(例如，短光管)，但是窗组件117可以仅具有平坦的实心窗，所述实心窗中没有光管。窗组件117具有外壁116(例如，圆柱形外壁)，所述外壁116形成绕着窗组件117的周边而包围窗组件117的边界(rim)。窗组件117还具有覆盖光管141的第一端的第一窗120和覆盖与第一端相对的光管141的第二端的第二窗122。第一窗120和第二窗122延伸到窗组件117的外壁116并且与窗组件117的外壁116接合，以包围和密封窗组件117的内部，窗组件117的内部包括光管141。在这样的情况中，当使用光管时，通过经由穿过外壁116的导管153向光管141中的一个光管施加真空，所述一个光管继而流体连接到其余的管，可以在复数个光管141中产生真空。

基板101被支撑在热处理腔室102中，在此通过处理区域113内的支撑环162支撑基板101。支撑环162安装在可旋转圆柱163的顶部上。通过旋转可旋转圆柱163，在处理期间使得支撑环162和基板101旋转。热处理腔室102的基部115具有反射表面111，用于在处理期间将能量反射到基板101的背侧上。或者，单独的反射器(未示出)可以定位于热处理腔室102的基部115与支撑环162之间。热处理腔室102可包括穿过热处理腔室102的基部115而设置的复数个温度探针171，以检测基板101的温度。在使用单独的反射器的情况下，如上所述，温度探针171也延伸穿过单独的反射器，为了光学地接近来自基板101的电磁辐射。

可旋转圆柱163由磁性转子164支撑，磁性转子164是具有突出部分165的圆柱形构件，当可旋转圆柱163和磁性转子164均安装在热处理腔室102中时，可旋转圆柱163搁置在突出部分165上。磁性转子164在突出部分165下方的磁体区域166中具有复数个磁体。磁性转子164设置在沿着基部115位于热处理腔室102的周边区域处的环形井160中。盖173置于基部115的周边部分上并且在环形井160上方朝向可旋转圆柱163和支撑环162延伸，在盖173与可旋转圆柱163和/或支撑环162之间留下公差间隙(tolerance gap)。盖173通常保护磁性转子164免于暴露于处理区域113中的处理条件。

通过与来自围绕基部115设置的磁性定子167的旋转磁场耦合来旋转磁性转子164。磁性定子167具有复数个电磁铁168，在基板101的处理期间，根据旋转模式向电磁铁168供电以形成旋转磁场，所述旋转磁场提供耦合到磁性转子164中的磁体的旋转磁场以使磁性转子164旋转。磁性定子167通过支撑件170耦接到线性致动器169，线性致动器169在此情况中是螺旋驱动(screwdrive)。转动线性致动器169机械地使磁性定子167沿着热处理腔室102的轴172移动，这继而使磁性转子164、可旋转圆柱163、支撑环162和基板101沿轴线172移动。

通过腔室入口175将处理气体提供到热处理腔室102的处理区域113，并且从处理区域113通过朝向图1A的页面之外并且大致沿着与腔室入口175和支撑环162相同的平面的腔室出口(图1A中未示出)排放处理气体。基板通过形成在侧壁114中并且在图1A中的后部处示出的进入口174进入和离开热处理腔室102。

前驱物活化器180具有围绕内部空间184的主体182，在内部空间184可通过施加等离子体形成能量而形成离子、自由基和电子的等离子体183。由石英或蓝宝石制成的衬垫185保护主体182免于等离子体的化学侵蚀。内部空间184优选地不使任何电位梯度出现。气体入口186设置在主体182的第一端187处并且与位于主体182的第二端189处的气体出口188相对。当前驱物活化器180耦接到热处理腔室102时，气体出口188通过到腔室入口175的输送管线190与热处理腔室102流体连通，使得在内部空间184内产生的等离子体183内的活化前驱物混合物的自由基被供应到热处理腔室102的处理区域113。气体出口188可以具有大于气体入口186的直径的直径，以允许激发的自由基以期望的流率有效地排出，并且最小化自由基与衬垫185之间的接触。如果需要，可以在气体出口188处将单独的孔口插置在衬垫185内，以在气体出口188处减小内部空间184的内部尺寸。可以选择气体出口188(或孔口，如果使用的话)的直径以在处理区域113与前驱物活化器180之间提供压力差。可以选择压力差以产生适合于在热处理腔室102中执行的工艺的流入热处理腔室102中的自由基和分子的组成。

为了在处理区域113中提供用于等离子体处理的气体，一个或多个气源192通过三通阀194的第一输入和用于控制从气源192释放的气体流率的阀197耦接到前驱物活化器180的气体入口186。三通阀194的第二输入可以耦接到第二气源198。第一气源192和第二气源198中的每一个气源可以是或包括含氮气体、含氧气体、含硅气体或诸如氩气或氦气的气体中的一种或多种。阀控制器196连接到三通阀194，以根据将要执行的工艺在不同位置之间切换阀。阀控制器196也控制三通阀194的切换。

前驱物活化器180耦接到能量源(未示出)以向前驱物活化器180提供激发能量，例如具有微波或RF频率的能量，以活化(activate)工艺气体，所述工艺气体从气源192行进至等离子体183内的活化的前驱物混合物中。在使用含氮气体例如N₂的情况下，前驱物活化器180中的激发在内部空间184中产生N*自由基、带正电离子(如N⁺和N₂ ⁺)和电子。通过将前驱物活化器180远离热处理腔室102的处理区域113定位，可以使基板对于离子的暴露最小化。离子可能损坏半导体基板上的敏感结构，而自由基比相同气体的非自由基分子具有更高的反应性，并且用于进行有益的化学反应。使用前驱物活化器(如前驱物活化器180)使得基板101暴露于自由基并且使得基板101对于离子的暴露最小化。

图1B是根据本文描述的实施方式的基板处理系统100的一部分的示意性俯视图。基板处理系统100包括热处理腔室102和前驱物活化器180，为了清楚而省略了窗组件117。前驱物活化器180可以是以例如约6kW的功率操作的任何合适的前驱物活化器，例如微波耦合等离子体源。前驱物活化器180耦接到热处理腔室102，以使形成在前驱物活化器180中的气体朝向热处理腔室102流动。前驱物活化器180经由输送管线190耦接到热处理腔室102。当气体到达等离子体产生区域时，气体被激发以形成等离子体。在等离子体产生区域的下游，气体中性粒子(gas neutral)、气体离子和气体自由基从等离子体产生区域朝向排放装置流动。在前驱物活化器180中形成的气体自由基和气体中性粒子在处理基板101期间通过输送管线190流动到热处理腔室102中。

腔室主体108具有外表面(例如侧壁114)和内表面123。内表面123部分地限定处理区域113，基板101设置在处理区域113中以进行处理。内表面123可以具有与在热处理腔室102中处理的基板101的形状类似的形状，在此案例中是圆形的。外轮廓124可以是矩形、正方形或其他合适的形状。在一个或多个实施方式中，腔室主体108包括提供内表面123的流体流动主体。

热处理腔室102具有分散式泵送结构127，以从热处理腔室102移除工艺气体。在此，两个泵送口128、130设置在腔室主体108的第二侧或侧壁114附近，以调节从流动组件125到泵送口的自由基流动。两个泵送口128、130沿着垂直于腔室主体108的侧壁114处的气体流动路径方向的线140彼此间隔开。在其他实施方式中，线140不垂直于气体流动路径方向，并且线140可以相对于气体流动路径方向形成锐角或钝角。其他实施方式可具有两个或更多个泵送口，所述两个或更多个泵送口不沿线布置，而是可分布在第二侧或侧壁114附近的区域中，以提供分散式泵送结构。

流动组件125设置在腔室入口175(例如，气体流动管道)中，延伸穿过腔室主体108的侧壁114，从外表面或侧壁114延伸到内表面123，用于让自由基从前驱物活化器180流动到热处理腔室102的处理区域113。流动组件125由诸如石英或二氧化硅的材料制成，以减少与工艺气体(例如氧自由基)的相互作用。在与氮自由基一起使用的实施方式中，流动组件125可以由抗氮化材料(例如氮化硅)制成。流动组件125设计成减少流向热处理腔室102的自由基的流动收缩。流动组件125包括分流器126，用于调节从管道129的中心区域朝向管道129的周边的流体流动。

在没有分流器126的情况下，气体从管道129流动到处理区域113中，在离开管道129的气柱中的压力梯度的影响下扩散到处理区域113中。然而，气体的流率不能为气柱中的压力梯度提供足够的时间来将气流扩散到大体上覆盖基板101的边缘部分。因此，在没有分流器126或流动组件125的类似结构的情况下，形成在基板101上的氧化物层具有不均匀的厚度，使得基板中心处的氧化物层可比在基板边缘处的氧化物层厚高达百分之40。通过利用分流器126使气流扩散到大体上覆盖基板的边缘部分，形成在基板上的氧化物层可以具有5％或更小的改善的厚度均匀性。

图2A-图2D示出流动组件125的透视图。图2A和图2B示出流动组件125的两个部件，其中流动组件的出口侧是可见的。图2A是根据本文描述的实施方式的流动组件125的下部衬垫的透视图。图2B是根据本文描述的实施方式的流动组件125的上部衬垫的透视图。图2C是流动组件125的示意性俯视图。图2D示出流动组件125，其中流动组件125的与出口侧相对的入口侧是可见的。

流动组件125包括流动构件222，流动构件222具有容纳分流器126的内部空间131。流动构件222包括流动组件125的下部衬垫和上部衬垫。在一个或多个实施方式中，流动构件222具有带有弯曲边缘的矩形外部形状。流动构件222包括与入口侧204相对的出口侧202、与出口侧202和入口侧204正交的第一周边侧206、与第一周边侧206相对的第二周边侧208、与顶部212相对的底部210和内部通道236。

第一周边侧206和第二周边侧208是弯曲的，从顶部212到底部210围绕每个周边侧206、208具有圆柱形弯曲。流动构件222的第一周边侧206和第二周边侧208的弯曲促进将流动构件装配到具有半径侧的管道129中。入口侧204包括凹槽234。入口侧204具有第一部分230(图2C)、第二部分232，并且凹槽234在入口侧204中在周边侧206、208之间的入口侧204的大约中心处形成。因此，在图2A-图2D中所示的一些实施方式中，第一部分230和第二部分232具有从第一周边侧206到第二周边侧208测量的大约相同的长度。在其他实施方式中，第一部分230和第二部分232可以具有不同的长度，其中第一部分230比第二部分232长，或者第二部分232比第一部分230长。凹槽234包括分别与第二部分232和第一部分230相交的侧壁238、240。侧壁238与凹槽234和第二部分232正交并且在凹槽234与第二部分232之间。侧壁240与凹槽234和第一部分230正交并且在凹槽234与第一部分230之间。

凹槽234包括入口227。入口227可以是任何形状，包括椭圆形(oval)、圆形、长椭圆形(oblong)、正方形、矩形或任何其他几何形状。入口227提供从输送管线190到流动组件125的内部通道236中的流体连接。

当流动组件125安装在输送管线190处的开口中时，流动组件125的出口侧202面向处理区域113。出口侧202包括出口218。如图2C的俯视图所示，出口侧202包括在两个平坦部分之间的凹形弯曲部分224、第一平坦部分226和第二平坦部分228，其中每个平坦部分226和228与流动组件125的周边侧相邻。在此情况中，第一平坦部分226与第一周边侧206相邻，而第二平坦部分228与第二周边侧208相邻。凹形弯曲部分224的长度大于第一平坦部分226或第二平坦部分228任一者的长度。在一个或多个范例中，第一平坦部分226在从第一周边侧206到凹形弯曲部分224的方向上的长度与第二平坦部分228从第二周边侧208到凹形弯曲部分224的长度相同。在其他范例中，第一平坦部分226在从第一周边侧206到凹形弯曲部分224的方向上的长度与第二平坦部分228从第二周边侧208到凹形弯曲部分224的长度不同。

出口218形成于凹形弯曲部分224中并且将处理区域113与内部通道236流体连接。出口218的横向尺寸大于入口227的对应横向尺寸。出口218还具有比入口227更大的横截面积。内部通道236通过流动组件125从入口227延伸到出口218。内部通道236具有内表面，所述内表面具有从入口227过渡到出口218的横截面形状，从而提供扩展的流动路径。在此，内部通道236横向扩展，但是在其他实施方式中，内部通道236也可以在高度上扩展。

内部通道236部分地由顶部212和底部210的内表面和两个内部通道壁242、244限定。在一个或多个实施方式中，内部通道壁242、244是弯曲的并且从入口侧202延伸到出口侧204。在流动组件125的出口侧202处的内部通道壁242的端部比在入口侧204处的内部通道壁242的端部更靠近第一周边侧206。因此，内部通道壁242从入口227到出口218后退。同样地，出口侧202处的内部通道壁244的端部比入口侧204处的内部通道壁244的端部更靠近第二周边侧208，内部通道壁244也是如此。内部通道236沿着从流动组件125的入口侧204到出口侧202的流动路径朝向周边侧206和208扩展。

在一个或多个实施方式中，分流器126设置在内部通道236中，其中分流器126的平坦侧邻接流动构件222的底部210。在其他实施方式中，分流器126设置在内部通道236中，其中平坦侧邻接流动构件222的顶部212。在一些实施方式中，分流器126沿着流动构件222的顶部212和底部210中的每一者设置在内部通道236中。在每种情况中，分流器126减小在内部通道236的中心区域中通过内部通道236的流动路径的横截面积，迫使气体朝向内部通道236的周边流动，从而与不存在分流器的情况下的气体流动相比，随着气体进入处理区域113而增加向外流动的气体部分。

如在图3中所见，在一个或多个实施方式中，分流器126包括平坦表面302、与轮廓相符的(contoured)表面304、出口端313处的面312(例如，曲面)和入口端314处的边缘315。分流器126设置在内部通道236中，其中平坦表面302抵靠着顶部212或底部210中的任一者。如上所述，在一些情况中，可以使用两个分流器126，并且可以在两个分流器126各自的平坦表面彼此相对的情况下设置两个分流器126。在此，分流器126被制造为附接到流动构件222的底部210的单独件，但是在一些情况中，流动构件222和分流器126可以形成(例如，模塑(mold)或雕刻)为单件。在图2A-图2D中所示的一些实施方式中，分流器126从出口侧202沿着内部通道236中途地(partway)延伸到入口侧204。在其他实施方式中，分流器126可以从出口侧202自始至终地延伸到入口侧204。分流器126具有减小内部通道236的中心区域附近的流动路径的横截面积的形状。

分流器126的顶部304包括第一区段306、第二区段308和第三区段310，其中区段306、308、310中的每一区段具有面向气流的大致三角形表面。分流器126包括第一边缘320和第二边缘322，其中第三区段310与第一区段306相会于第一边缘320，第三区段310与第二区段308相会于第二边缘322。在一个或多个实施方式中，第一边缘320和第二边缘322延伸为直的边缘，从分流器126的气流出口侧的面312(例如，曲面)延伸到分流器126的气流入口端处的入口端314。在其他实施方式中，第一边缘和第二边缘远离第三区段310弯曲并且从面312延伸到入口端314。在一些实施方式中，第一边缘不同于第二边缘。第三区段310具有从上向下看的等边三角形的形状。在其他实施方式中，第三区段310可以具有菱形或曲线三角形形状，或者可以是多边形的形状，其中一些或所有边是弯曲的，例如具有两个直边和一个弯曲边的三角形形状，弯曲边与面312相邻。在其他实施方式中，第三区段310可以具有多于三个的边缘或侧，并且可以是例如，梯形(trapezoidal)、不规则四边形(trapezium-shaped)、星状形(asteroid-shaped)、三角形(deltoid-shaped)、或任何其他有用的形状。

在一个或多个实施方式中，第一区段306不与第二区段308或第三区段310共面。如图3中所示，第一区段306和第二区段308具有面向流动的面(flow facings faces)，所述面向流动的面从由第三区段310限定的平面朝向平坦表面302在相反方向上离开。分流器126具有三个区段，所述三个区段的第三区段310在气体流动方向上向内渐缩(taper)并且从一个平面升到第二平面。在其他实施方式中，第一区段306和第二区段308也可以是平坦的。在其他实施方式中，所有区段306、308和310都是弯曲的。

面312具有凹入的新月轮廓。在新月形的端部，分流器126具有端部316(例如，尖锐的尖端)。面312在面312与第三区段310相交的地方具有第一高度D1。面312的高度朝向端部316减小。在面312的中心与端部316之间的一点处，面312具有小于高度D1的第二高度D2。第三区段310具有边缘，所述边缘在分流器126的入口端314处与分流器126的边缘315重合。在入口端314处，分流器126沿着边缘315具有大体上恒定的厚度。入口端314处的分流器126的厚度小于高度D1，使得第三区段310在流动方向上稍微远离平坦表面302延伸(例如，从入口端314到出口端313)。在一个或多个实施方式中，面312的长度在流动构件222的出口侧202的总长度的3/5和4/5之间(图2A)。

当工艺气体进入流动组件时，分流器将气体引向管道的外边缘。分流器改变管道内的压力梯度，以促进比对压力和浓度梯度可以达到的自然响应更快的分布。通过改变管道的形状，分流器通过经引导的流动将更多的气体引导离开中心。通过改变分流器的高度和长度，朝向基板的气流被引向基板的边缘，从而提供沉积均匀性和边缘拔起(pull up)。

虽然前述内容针对本公开内容的实施方式，但是可以在不脱离本公开内容的基本范围的情况下设想其他和进一步的实施方式，并且本公开内容的范围由随附的权利要求书确定。本文所述的所有文件均以引用的方式并入本文，包括任何优先权文件和/或测试程序，只要它们与本文不矛盾。从前面的总体描述和具体实施方式显而易见的是，尽管已经图示和描述了本公开内容的形式，但是在不脱离本公开内容的精神和范围的情况下可以进行各种修改。因此，并不意图由此限制本案。同样，出于美国法律的目的，术语“包含”被认为与术语“包括”同义。同样地，无论何时，在组成、元素、或元素组之前有过渡性词“包含”时，应理解，我们也设想具有过渡性词“基本上由……组成”、“由……组成”、“选自由……组成的组”或“是”在所述组成、元素、或多个元素的叙述之前，并且反之亦然。

已使用一组数值上限和一组数值下限描述了某些实施方式和特征。应当理解，除非另有说明，设想包括任何两个值的组合的范围，例如，任何较低值与任何较高值的组合，任何两个较低值的组合和/或任何两个较高值的组合。某些下限、上限和范围出现在下文的一个或多个权利要求中。

Claims (15)

1.一种处理腔室，包括：

腔室主体，其中所述腔室主体包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；

流动组件，设置在所述第一侧中，其中所述流动组件包括：

分流器，其中所述分流器包括：

出口端，所述出口端具有弯曲的面；

入口端，所述入口端与所述出口端相对；

与轮廓相符的顶部；和

底部；和

分散式泵送结构，所述分散式泵送结构与所述第二侧相邻。

2.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述与轮廓相符的顶部包括：

第一区段；

第二区段；和

第三区段。

3.如权利要求2所述的处理腔室，其中所述第一区段是三角形形状，所述第二区段是具有第一弯曲边的三角形形状，并且所述第三区段是具有第二弯曲边的三角形形状。

4.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述分流器在高度上变化。

5.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述分流器的所述第一侧具有第一长度，所述流动组件的所述第一侧具有第二长度，并且其中所述第一长度在所述第二长度的3/4与4/5之间。

6.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述流动组件包括凹槽。

7.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述流动组件包括管道，所述管道从所述入口横向到所述出口扩展，并且其中所述分流器设置在所述管道中。

8.一种处理系统，包括：

前驱物活化器；

处理腔室，所述处理腔室耦接到所述前驱物活化器，其中所述处理腔室包括：

腔室主体，其中所述腔室主体包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；

流动组件，所述流动组件设置在所述第一侧中，其中所述流动组件包括：

流动构件，所述流动构件具有入口侧，所述流动构件包括：

凹槽；

入口，所述入口在所述凹槽内；和

出口侧，所述出口侧与所述入口侧相对，其中所述出口侧是弯曲的并且具有出口；

分流器，其中所述分流器包括：

出口端，所述出口端具有弯曲的面，以匹配所述流动构件的所述出口侧的弯曲；

入口端，所述入口端与所述出口端相对；

与轮廓相符的顶部；和

底部；和

分散式泵送结构，所述分散式泵送结构位于与所述第二侧相邻的所述基板支撑部分中。

9.如权利要求8所述的处理系统，其中所述流动组件进一步包括：具有入口侧的流动构件，所述流动构件包括：

凹槽；

入口，所述入口在所述凹槽内。

10.如权利要求9所述的处理系统，其中所述流动构件进一步包括：

出口侧，所述出口侧与所述入口侧相对，其中所述出口侧是弯曲的并且具有出口；和

所设置的管道。

11.如权利要求10所述的处理系统，其中所述管道从所述入口到所述出口横向扩展，并且其中所述分流器设置在所述主体的所述底部上。

12.如权利要求10所述的处理系统，其中所述分流器进一步包括与所述管道匹配的扩展宽度。

13.如权利要求10所述的处理系统，其中所述管道穿过所述流动构件从所述入口侧到所述出口侧设置，而将所述入口与所述出口流体连接。

14.一种流动组件，包括：

流动构件，所述流动构件具有

入口侧，其中所述入口侧包括：

凹槽；和

入口，所述入口在所述凹槽内；和

出口侧，所述出口侧与所述入口侧相对，其中所述出口侧是弯曲的并且具有出口；

管道，所述管道通过所述流动构件从所述入口侧到所述出口侧设置而将所述入口与所述出口流体连接，其中所述管道从所述入口到所述出口横向扩展；和

分流器，所述分流器设置在所述管道内，其中所述分流器包括：

出口端，所述出口端具有弯曲的面，以匹配所述流动构件的所述出口侧的弯曲；

入口端；

扩展宽度，所述扩展宽度与所述管道匹配；

与轮廓相符的顶部；和

底部。

15.如权利要求14所述的流动组件，其中所述与轮廓相符的顶部包括：

三角形形状的第一区段；

第二区段，其中所述第二区段是具有第一弯曲边的三角形形状；和

第三区段，其中所述第三区段是具有第二弯曲边的三角形形状。

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