CN102210035A - 封装环境敏感设备的方法 - Google Patents
封装环境敏感设备的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102210035A CN102210035A CN2009801445226A CN200980144522A CN102210035A CN 102210035 A CN102210035 A CN 102210035A CN 2009801445226 A CN2009801445226 A CN 2009801445226A CN 200980144522 A CN200980144522 A CN 200980144522A CN 102210035 A CN102210035 A CN 102210035A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- adhesive
- barrier layer
- barrier
- utilize
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 68
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 159
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 142
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 110
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 110
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 239000011162 core material Substances 0.000 claims description 10
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 10
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 10
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 8
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000592 inorganic polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- -1 benzocyclobutane diene Chemical class 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229920001795 coordination polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007725 thermal activation Methods 0.000 description 3
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N dihydroxy(oxo)silane Chemical compound O[Si](O)=O IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Chemical class 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 2
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000013008 moisture curing Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Chemical class 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920005644 polyethylene terephthalate glycol copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VHOQXEIFYTTXJU-UHFFFAOYSA-N Isobutylene-isoprene copolymer Chemical class CC(C)=C.CC(=C)C=C VHOQXEIFYTTXJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 1
- 239000004830 Super Glue Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPWPWBNSKBDSPK-UHFFFAOYSA-N [B].[C] Chemical compound [B].[C] PPWPWBNSKBDSPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTBJRWZGBGLYMK-UHFFFAOYSA-N [Si](=O)=O.C(C=C)(=O)OC Chemical compound [Si](=O)=O.C(C=C)(=O)OC PTBJRWZGBGLYMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052768 actinide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N antimony tin Chemical compound [Sn].[Sb] GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZSTLPJLUQNQBDQ-UHFFFAOYSA-N azanylidyne(dihydroxy)-$l^{5}-phosphane Chemical class OP(O)#N ZSTLPJLUQNQBDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000012700 ceramic precursor Chemical class 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- FGBJXOREULPLGL-UHFFFAOYSA-N ethyl cyanoacrylate Chemical compound CCOC(=O)C(=C)C#N FGBJXOREULPLGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000007701 flash-distillation Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- GKTNLYAAZKKMTQ-UHFFFAOYSA-N n-[bis(dimethylamino)phosphinimyl]-n-methylmethanamine Chemical class CN(C)P(=N)(N(C)C)N(C)C GKTNLYAAZKKMTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003204 osmotic effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920000090 poly(aryl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Chemical class 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Chemical class 0.000 description 1
- 229920002627 poly(phosphazenes) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920003257 polycarbosilane Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229920002631 room-temperature vulcanizate silicone Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920002397 thermoplastic olefin Chemical class 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003673 urethanes Chemical class 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/564—Details not otherwise provided for, e.g. protection against moisture
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/23—Sheet including cover or casing
- Y10T428/231—Filled with gas other than air; or under vacuum
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/23—Sheet including cover or casing
- Y10T428/239—Complete cover or casing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
描述了密封环境敏感设备和真空绝缘面板的方法。一种方法包括:提供第一基板和第二基板(110、115);将所述环境敏感设备(120)放置在所述第一基板与所述第二基板之间;利用粘合剂(125)将所述第一基板和所述第二基板密封在一起,所述粘合剂具有暴露部分;并且利用阻挡层(130)或者利用包括至少一个分离层和至少一个阻挡层的阻挡叠层覆盖所述粘合剂的暴露部分。
Description
背景技术
许多不同类型的电子产品需要通用的视觉显示设备。目前正在使用许多不同的显示设备,包括有机发光器件(OLED)、液晶显示器(LCD)、发光二极管(LED)、发光聚合物(LEP)、使用电泳墨水的电子标牌、电致发光器件(ED)和磷光器件。这些显示设备中的许多是环境敏感的。此外,其它诸如微电子设备之类的电子设备也是环境敏感的,该微电子设备包括集成电路、电荷耦合器件、金属传感器焊盘、微盘激光器、电致变色器件、光致变色器件、微型机电系统(MEMS)、有机和无机光伏器件、薄膜电池、具有偏压的薄膜器件、电光聚合物调制器等。这里所使用的术语“环境敏感设备”是指遭受由于环境气体或液体(例如大气中的氧和水蒸气或者在处理电子产品时所使用的化学制品)的渗透导致的劣化的设备。
结果,这些设备经常被制造在玻璃基板上,设备顶部具有玻璃、金属或陶瓷盖,并且边缘利用粘合剂密封。然而,公知的是,粘合剂本身可被湿气和/或氧渗透。因此,湿气和/或氧(或其它污染物)会随时间的推移而通过粘合剂扩散,从而损坏设备。
真空绝缘面板也需要与外界条件的防护。真空绝缘面板利用真空的超级绝缘特性。核心材料提供经受压力但不传热的结构。核心被封装在不可渗透气体的“隔膜”阻挡外壳中,然后该“隔膜”阻挡外壳被抽空并被密封以形成真空绝缘面板或其它形状。面板可以包括干燥剂和/或吸气剂材料以吸收通过隔膜渗入的气体和湿气。多层塑料层压板需要更干燥和更吸气的材料。真空绝缘面板的长期性能主要取决于封装材料的性能。
因此,需要提供一种密封环境敏感设备的方法,该方法保护粘合剂免受环境气体和液体侵蚀。
附图说明
图1示出可利用本发明的方法制成的设备的一个实施例。
图2示出可利用本发明的方法制成的设备的另一实施例。
图3示出可利用本发明的方法制成的设备的又一实施例。
图4A示出可利用本发明的方法制成的设备的再一实施例。
图4B示出可利用本发明的方法制成的设备的再一实施例。
图5示出可利用本发明的方法制成的设备的再一实施例。
图6示出可利用本发明的方法制成的设备的再一实施例。
图7示出可利用本发明的方法制成的设备的再一实施例。
图8示出可利用本发明的方法制成的设备的再一实施例。
图9示出可利用本发明的方法制成的设备的再一实施例。
具体实施方式
本发明通过提供一种密封环境敏感设备的方法满足了上述需要。在一个实施例中,该方法包括:提供第一基板和第二基板;将所述环境敏感设备放置在所述第一基板与所述第二基板之间;利用粘合剂将所述第一基板和所述第二基板密封在一起,所述粘合剂具有暴露部分;并且利用阻挡层或者利用包括至少一个分离层和至少一个阻挡层的阻挡叠层覆盖所述粘合剂的暴露部分。
邻近意思是紧邻但没有必要直接紧邻。第一基板与阻挡叠层之间以及阻挡叠层与环境敏感设备之间可以插有额外的层。
在另一实施例中,该方法包括:提供第一基板和第二基板;将核心材料放置在所述第一基板与所述第二基板之间;将所述第一基板和所述第二基板形成在一侧中具有开口的外壳中;从所述外壳中去除气体以形成真空;利用粘合剂密封所述外壳的开口,所述粘合剂具有暴露部分;并且利用阻挡层或者利用包括至少一个分离层和至少一个阻挡层的阻挡叠层覆盖所述粘合剂的暴露部分。
在又一实施例中,该方法包括:提供基板;将所述环境敏感设备放置为与所述基板邻近;利用粘合剂覆盖所述基板和所述环境敏感设备,所述粘合剂具有暴露部分;并且利用阻挡层或者利用包括至少一个分离层和至少一个阻挡层的阻挡叠层覆盖所述粘合剂的暴露部分。
图1示出可利用本发明的方法制成的设备的一个实施例。具有第一基板110和第二基板115。这两个基板可以是便于应用的任意类型的基板。这两个基板可以是刚性的或柔性的。这两个基板取决于应用可以是透明的、半透明的或不透明的。通常,这些基板中的至少一个是透明的,并且如果期望的话,两个可以是透明的。合适的基板包括但不限于:金属和金属箔;玻璃,包括薄的柔性玻璃片(例如按照玻璃代码0211可从康宁公司得到的柔性玻璃片。这种特别薄的柔性玻璃片具有小于0.6mm的厚度,并且可以以约8英寸的半径弯曲);陶瓷;半导体;硅;具有阻挡涂层的塑料膜;以及其组合。
环境敏感设备被放置为与第一基板110邻近。环境敏感设备可以是需要防护以免受湿气、气体或其它污染物侵蚀的任意设备。环境敏感设备包括但不限于:有机发光器件、液晶显示器、使用电泳墨水的显示器、发光二极管、发光聚合物、电致发光器件、磷光器件、有机和无机光伏器件、薄膜电池、具有偏压的薄膜器件、集成电路、电荷耦合器件、金属传感器焊盘、微盘激光器、电致变色器件、光致变色器件、微型机电系统(MEMS)、电光聚合物调制器及其组合。
该方法可用于在粘合剂上施加阻挡叠层或单个阻挡层。然而,为了易于论述,将针对阻挡叠层描述该方法。
第二基板115被放置为与环境敏感设备120邻近。第一基板110和第二基板115利用粘合剂125密封在一起,从而将环境敏感设备120密封在第一基板110和第二基板115之间。粘合剂125延伸到第二基板115之外,使粘合剂125的一部分暴露于外界条件。然后利用阻挡叠层130覆盖粘合剂125。阻挡叠层130包括至少一个分离层(decoupling layer)和至少一个阻挡层。
尽管图1示出粘合剂延伸到第二基板之外,但其它情况也是可能的。只要粘合剂暴露于外界条件,就需要保护。
分离层将邻近层和/或基板之间的缺陷分离。用于沉积阻挡层的工艺趋于在沉积阻挡层的层上再生任意缺陷。因此,基板中或基板上,或者先前层中或先前层上的缺陷可能会在沉积的阻挡层中复制,这会严重限制膜的阻挡性能。分离层中断了缺陷从一层到下一层的传播。这通过减少基板或先前层的表面瑕疵从而使后续沉积的阻挡层或其它层(例如有机发光器件)具有较少的缺陷来实现。因此,分离层与先前层相比具有改进的表面平坦性。另外,分离层分离阻挡层中的缺陷。分离层插入阻挡层之间,使得一层中的缺陷不会紧接于后续层中的缺陷。这为气体扩散创建了弯曲的路径,有助于改进阻挡特性。沉积在阻挡层之上的分离层还有助于保护阻挡层在处理或进一步操作期间免受损坏。
可以利用真空工艺(例如在真空下利用原位聚合的闪蒸)、或者等离子体沉积和聚合、或者常压工艺(例如旋转涂覆、喷墨印刷、丝网印刷或溅射)来沉积分离层。分离层可以由任意合适的分离材料制成,所述分离材料包括但不限于:有机聚合物、无机聚合物、有机金属聚合物、杂合有机/无机聚合物系统及其组合。有机聚合物包括但不限于:聚氨酯类、聚酰胺类、聚酰亚胺类、聚丁烯类、异丁烯异戊二烯、聚烯烃类、环氧树脂类、聚对二甲苯类、苯并环丁二烯、聚降冰片烯类、聚芳醚类、聚碳酸酯类、醇酸树脂类、聚苯胺、乙烯醋酸乙烯、乙烯丙烯酸及其组合。无机聚合物包括但不限于:硅酮类、聚膦腈类、聚硅氨烷类、聚碳硅烷类、聚碳硼烷类、碳硼烷硅氧烷类、聚硅烷类、磷腈类、氮化硫聚合物、硅氧烷类及其组合。有机金属聚合物包括但不限于:主族金属、过渡金属和镧系/锕系金属的有机金属聚合物或其组合。杂合有机/无机聚合物系统包括但不限于:有机改性的硅酸盐类、陶瓷先驱体聚合物、聚酰亚胺-二氧化硅杂合物(hybrid)、(甲基)丙烯酸酯-二氧化硅杂合物、聚二甲基硅氧烷杂合物及其组合。
可以利用真空工艺沉积阻挡层,所述真空工艺例如溅射、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、原子层沉积(ALD)、蒸发、升华、电子回旋共振-等离子体增强气相沉积(ECR-PECVD)及其组合。阻挡层可以由任意合适的阻挡材料制成。基于金属的合适无机材料包括但不限于:单一种类金属、两种以上金属作为混合物、金属间化合物或合金、金属和混合的金属氧化物、金属和混合的金属氟化物、金属和混合的金属氮化物、金属和混合的金属碳化物、金属和混合的金属碳氮化物、金属和混合的金属氧氮化物、金属和混合的金属硼化物、金属和混合的金属氧硼化物、金属和混合的金属硅化物或其组合。金属包括但不限于:过渡(“d”块)金属、镧系(“f”块)金属、铝、铟、锗、锡、锑和铋及其组合。许多基于产出金属的材料为导体或半导体。氟化物和氧化物将包括电介质(绝缘体)、半导体和金属导体。导电氧化物的非限定性示例包括掺铝的氧化锌、氧化铟锡(ITO)、氧化锑锡、氧化钛(TiOx,其中0.8≤x≤1)和氧化钨(WOx,其中2.7≤x≤3.0)。基于p块半导体和非金属的合适无机材料包括但不限于:硅、硅化合物、硼、硼化合物、碳化合物(包括无定形碳和类金刚石碳)及其组合。硅化合物包括但不限于:氧化硅(SiOx,其中1≤x≤2)、聚硅酸、碱和碱土硅酸盐、硅酸铝(AlxSiOy)、氮化硅(SNxHy,其中0≤y<1)、氧氮化硅(SiNxOyHz,其中0≤z<1)、碳化硅(SiCxHy,其中0≤y<1)和氧氮化硅铝(SiAlON)。硼化合物包括但不限于:碳化硼、氮化硼、氧氮化硼、碳氮化硼及其与硅的组合。
以下文献中描述了合适的分离层和阻挡层及其制造方法:于2001年7月31日发布的题目为“Environmental Barrier Material For Organic Light Emitting Device And Method Of Making(用于有机发光器件的环境阻挡材料及其制造方法)”的美国专利No.6,268,695;于2003年2月18日发布的题目为“Environmental Barrier Material For Organic Light Emitting Device And Method Of Making(用于有机发光器件的环境阻挡材料及其制造方法)”的美国专利No.6,522,067;于2003年5月27日发布的题目为“Environmental Barrier Material For Organic Light Emitting Device And Method Of Making(用于有机发光器件的环境阻挡材料及其制造方法)”的美国专利No.6,570,325;于2008年10月7日发布的题目为“Ultrabarrier Substrates(超阻挡基板)”的美国专利No.RE40531;于2005年3月15日发布的题目为“Method for Edge Sealing Barrier Films(边缘密封阻挡膜的方法)”的美国专利No.6,866,901;于2007年4月3日发布的题目为“Method for Edge Sealing Barrier Films(边缘密封阻挡膜的方法)”的美国专利No.7,198,832;于2005年2月28日提交的题目为“Method for Edge Sealing Barrier Films(边缘密封阻挡膜的方法)”、序列号为11/068,356的申请;于2007年3月29日提交的题目为“Method for Edge Sealing Barrier Films(边缘密封阻挡膜的方法)”、序列号为11/693,020的申请;以及于2007年3月29日提交的题目为“Method for Edge Sealing Barrier Films(边缘密封阻挡膜的方法)”、序列号为11/693,022的申请;这些文献中的每一篇通过引用合并于此。
阻挡叠层的数目没有限制。所需的阻挡叠层的数目取决于具体应用所需的渗透阻力水平。对于某些应用来说,一个或两个阻挡叠层可以提供足够的阻挡特性。大多数严格的应用可能需要五个以上的阻挡叠层。
阻挡叠层可以具有一个以上分离层和一个以上阻挡层。可以具有一个分离层和一个阻挡层,可以在一个以上阻挡层的一侧上具有一个以上分离层,可以在一个以上阻挡层的两侧上具有一个以上分离层,或者可以在一个以上分离层的两侧上具有一个以上阻挡层。重要的特征是阻挡叠层具有至少一个分离层和至少一个阻挡层。阻挡叠层中的阻挡层可以由相同材料或不同材料制成,分离层也可以由相同材料或不同材料制成。
在多层叠层中,阻挡层的厚度通常为约到约如果期望,则最初的阻挡层可以比后面的阻挡层厚。例如,首个阻挡层可以在约到约的范围内,而后面的阻挡层可以为约到约在其它情况下,首个阻挡层可以比后面的阻挡层薄。例如,首个阻挡层可以在约 到约的范围内,而后面的阻挡层可以为约到约在某些情况下,例如,当阻挡层通过PECVD沉积时,通常使用更厚的阻挡层,例如使用厚度达约1-2μm的阻挡层。在某些情况下,较厚的阻挡层不能与柔性基板一起使用。然而,在利用刚性基板的情况下,对阻挡层的柔性没有要求。
分离层的厚度通常为约0.1μm到约10μm。如果期望,则首个分离层可以比后面的分离层厚。例如,首个分离层可以在约3μm到约5μm的范围内,而后面的分离层可以为约0.1μm到约2μm。
阻挡叠层可以具有相同或不同的层,并且这些层可以采用相同或不同的顺序。
可以使用如上所述的工艺将阻挡叠层沉积在与粘合剂邻近的位置。可替代地,阻挡叠层可以被沉积在基板上,并被层压在与粘合剂邻近的位置。阻挡叠层可以通过加热、利用粘合剂联接、超声波焊接、施加压力或其它已知方法来层压。
尽管图中示出粘合剂形成凸起形状,但是这不是必需的。根据粘合剂的量和类型以及所使用的施加方法,粘合剂可以形成凹入形状,可以是平坦的,或者可以形成一些其它形状。
针对真空的合适粘合剂包括但不限于两个部分系统;例如,环氧树脂和聚氨酯、基于丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯的UV(紫外线)或EB(电子束)可固化的功能性前体、经常被称为热熔性或热活化的热塑性粘合剂和压力敏感粘合剂。这些通常作为100%的固体系统被应用,这些固体系统经由附加机构固化,从而避免与在真空环境下的挥发性反应副产品相关联的问题。合适的粘合剂也可以通过常规的常压工艺来施加;即从载体(通常为之后被去除(干燥)的溶剂或水)浇铸层。得到的“干燥的”粘合剂可以是利用接触接合的压力敏感的粘合剂,在热可逆接合足够时为热活化的热塑性粘合剂,在需要不可逆接合,即在高温工作环境下使用时为也由热活化的热固性粘合剂。热塑性粘合剂也可以在升高的温度下作为流体施加,在室温下冷却(冻结)成固态,然后通过再加热而活化。可用在大气环境下的湿固化(暴露于湿气而活化的)粘合剂包括但不限于:湿固化聚氨酯、RTV硅酮和氰基丙烯酸酯粘合剂。合适的粘合剂施加方法包括但不限于:前述的浇铸、挤压涂覆、喷墨印刷、从临时支架(隔离衬垫)传输(层压)和注射。最后提及的方法可用于更易反应的两部分系统或极易反应的催化系统,并且被设计为每种成分刚好在要施加之前从单独的源被供应给公共混合室。
图2示出类似实施例,其中环境敏感设备220位于第一基板210与第二基板215之间。胶225被阻挡叠层230覆盖。第二基板215的边缘形成小于90°的角度a(如图1所示)。较小的角度允许在沉积期间更好地覆盖粘合剂。
图3示出可利用本发明的工艺制成的设备的又一实施例。在该实施例中,具有与平坦的第一基板310邻近的环境敏感设备320。第二基板315为C形。第二基板利用粘合剂325填充。然后,粘合剂被阻挡叠层330覆盖。可替代地,环境敏感设备可以与C形基板邻近,然后该C形基板利用粘合剂被填充,而另一基板粘合到该基板。
图4A示出具有第一基板410和第二基板415且第二基板415比第一基板410短的实施例。环境敏感设备420与第一基板410邻近。粘合剂425填充第一基板410与第二基板415之间的空间,并覆盖环境敏感设备420。粘合剂425的边缘暴露在第二基板415的末端之外。阻挡叠层430在两端覆盖暴露的粘合剂。
图4B示出具有第一基板410且环境敏感设备420与第一基板410邻近的实施例。粘合剂425覆盖环境敏感设备420。粘合剂425的上表面被暴露。阻挡叠层430覆盖暴露的粘合剂425。阻挡叠层430可以在施加粘合剂以覆盖环境敏感设备420之前或之后被施加于粘合剂425。如果阻挡叠层在粘合剂施加于环境敏感设备之前被施加于粘合剂425,则粘合剂425可以充当阻挡叠层430的载体膜。
图5示出环境敏感设备520在平坦的第一基板510与第二基板515之间的实施例。在该实施例中,第一基板510和第二基板515具有大致相同的长度。粘合剂525填充第一基板510与第二基板515之间的空间,并覆盖环境敏感设备520。粘合剂525在基板的两端暴露。粘合剂525被阻挡叠层530覆盖。
图6示出环境敏感设备620在第一基板610与第二基板615之间的实施例。粘合剂625填充第一基板610与第二基板615之间的空间,并覆盖第二基板615的顶部。暴露的粘合剂625被阻挡叠层630覆盖,阻挡叠层630围绕第一基板610和第二基板615的末端延伸并覆盖第二基板615的顶部。
图7-8示出诸如OLED之类的显示器的示例。OLED 720在平坦的第一基板与第二基板之间,并且利用粘合剂725密封。
若干个这样的单元可以组装成显示器。这些单元可以被放置为彼此邻近。然后,同时利用阻挡叠层覆盖用于所有单元的粘合剂,如图8所示。这允许平铺像素/显示器以创建更大的显示器。
各个单元中使用的粘合剂根据需要可以相同或者不同。
第一基板和第二基板可以是折叠起来的单个材料片,或者两个分开的材料片。该单个材料片可以折叠起来并沿两侧(或一侧和底部)密封。该两个分开的材料片可以沿两侧和底部密封。封口可以通过热密封或利用粘合剂密封来形成。如果使用粘合剂,则粘合剂可以在需要的情况下利用阻挡叠层覆盖。用于密封开口和侧边的粘合剂根据需要可以相同或不同。
当在设备中使用诸如液晶显示器或电泳墨水之类的液态设备时,将基板的边缘密封,从而在这些基板之间留下空间,并在封口中留下开口。将液体引入封口中的开口中,然后密封开口,从而制造出该设备。如上所述,基板可以是单个材料片或两个分开的片。如上所述,至少一侧被密封,并且在液体被引入之前,在这些侧之一上的封口中留下开口。然后,该侧中的开口利用粘合剂密封,并且粘合剂被阻挡叠层覆盖,如上所述。
在另一实施例中,本发明涉及一种密封真空绝缘面板的方法。如图9所示,具有第一基板910和第二基板915。第一基板910和第二基板915形成围绕核心材料920的外壳。该外壳在一侧中具有开口。该开口可以覆盖该侧的部分或整个侧。从外壳中抽空气体以形成真空,然后利用粘合剂925密封外壳的开口。如上所述,粘合剂925被阻挡叠层930覆盖。
外壳可以通过沿两侧(或一侧和底部)密封折叠起来的单个材料片来形成,或者通过沿两侧和底部密封两个分开的材料片来形成。用于制作外壳的封口可以通过热密封或通过利用粘合剂密封来形成。如果外壳利用粘合剂形成,则粘合剂可以在需要的情况下被阻挡叠层覆盖。
用于真空绝缘面板的合适基板包括但不限于:聚乙烯(PE)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺(PI)、上面具有一个以上阻挡叠层的基板或其组合。
用于密封外壳中的开口的粘合剂和用于形成外壳的粘合剂根据需要可以相同或不同。
阻挡层或阻挡叠层可以被沉积为使得根据需要覆盖一个或两个基板的表面的全部或部分。这为真空绝缘面板提供了额外的保护。
在将核心材料放置在基板之间之前或之后,可以从基板形成外壳。
尽管出于例示本发明的目的示出了某些代表性实施例和细节,但是对于本领域技术人员来说显而易见的是,在不脱离在所附权利要求中限定的本发明的范围的前提下,可以对这里公开的构成和方法作出各种改变。
Claims (23)
1.一种密封环境敏感设备的方法,包括:
提供第一基板和第二基板;
将所述环境敏感设备放置在所述第一基板与所述第二基板之间;
利用粘合剂将所述第一基板和所述第二基板密封在一起,所述粘合剂具有暴露部分;并且
利用阻挡层或者利用包括至少一个分离层和至少一个阻挡层的阻挡叠层覆盖所述粘合剂的暴露部分。
2.如权利要求2所述的方法,其中所述第一基板的边缘或所述第二基板的边缘具有小于90°的角度。
3.如权利要求1所述的方法,其中所述第一基板或所述第二基板中的至少一个是平坦的。
4.如权利要求1所述的方法,其中所述第一基板或所述第二基板中的至少一个成C形。
5.如权利要求5所述的方法,进一步包括利用粘合剂填充所述至少一个成C形的第一基板或第二基板。
6.如权利要求1所述的方法,其中利用所述阻挡层或者利用所述阻挡叠层覆盖所述粘合剂的暴露部分包括:真空沉积所述阻挡层或者所述阻挡叠层以与所述粘合剂邻近。
7.如权利要求1所述的方法,其中所述粘合剂的暴露部分被所述阻挡叠层覆盖,并且其中所述阻挡叠层的分离层利用常压工艺被沉积。
8.如权利要求1所述的方法,其中利用所述阻挡层或者所述阻挡叠层覆盖所述粘合剂的暴露部分包括:在柔性基板上沉积所述阻挡层或者所述阻挡叠层,并利用所述阻挡层或者所述阻挡叠层层压所述柔性基板以与所述粘合剂邻近。
9.如权利要求1所述的方法,进一步包括:利用所述阻挡层或者所述阻挡叠层覆盖所述第一基板或者所述第二基板,或者覆盖所述第一基板和所述第二基板两者。
10.如权利要求1所述的方法,进一步包括:
提供第三基板;
将第二环境敏感设备放置为与所述第一基板邻近;
将第四基板放置为与所述第二环境敏感设备邻近;
利用第二粘合剂将所述第三基板和所述第四基板密封在一起,所述第二粘合剂具有暴露部分;
在利用所述阻挡层或者利用所述阻挡叠层覆盖所述粘合剂和所述第二粘合剂之前,将所述第二粘合剂覆盖的第三基板、所述第二环境敏感设备和所述第四基板放置为与所述粘合剂覆盖的第一基板、所述环境敏感设备和所述第二基板邻近。
11.如权利要求1所述的方法,其中提供第一基板和第二基板包括:提供单个材料片,并将所述单个材料片折叠起来。
12.如权利要求1所述的方法,其中提供第一基板和第二基板包括:提供两个分开的材料片。
13.如权利要求1所述的方法,其中所述第一基板和所述第二基板在至少一侧上被密封,并且其中在一侧中具有开口,并且其中在所述第一基板和所述第二基板在所述至少一侧上被密封之后,所述环境敏感设备被放置在所述第一基板与所述第二基板之间,并且其中在所述环境敏感设备被放置在所述第一基板与所述第二基板之间之后,所述一侧中的开口利用所述粘合剂被密封。
14.如权利要求13所述的方法,其中所述第一基板和所述第二基板利用第二粘合剂在所述至少一侧上被密封,所述第二粘合剂具有暴露部分,并且所述方法进一步包括:利用阻挡层或者利用包括至少一个分离层和至少一个阻挡层的阻挡叠层覆盖所述第二粘合剂的暴露部分。
15.一种密封真空绝缘面板的方法,包括:
提供第一基板和第二基板;
将核心材料放置在所述第一基板与所述第二基板之间;
将所述第一基板和所述第二基板形成在一侧中具有开口的外壳中;
从所述外壳中去除气体以形成真空;
利用粘合剂密封所述外壳的开口,所述粘合剂具有暴露部分;并且
利用阻挡层或者利用包括至少一个分离层和至少一个阻挡层的阻挡叠层覆盖所述粘合剂的暴露部分。
16.如权利要求15所述的方法,其中提供第一基板和第二基板包括:提供单个材料片并将所述单个材料片折叠起来,并且其中所述外壳通过利用第二粘合剂密封所述单个基板片而形成,所述第二粘合剂具有暴露部分,所述方法进一步包括:利用第二阻挡层或者利用包括至少一个分离层和至少一个阻挡层的第二阻挡叠层覆盖所述第二粘合剂的暴露部分。
17.如权利要求15所述的方法,其中提供第一基板和第二基板包括:提供两个分开的材料片,并且其中所述外壳通过利用第二粘合剂密封所述两个基板片而形成,所述第二粘合剂具有暴露部分,所述方法进一步包括:利用第二阻挡层或者利用包括至少一个分离层和至少一个阻挡层的第二阻挡叠层覆盖所述第二粘合剂的暴露部分。
18.如权利要求15所述的方法,其中所述外壳在所述核心材料被放置在所述第一基板与所述第二基板之间之前形成。
19.如权利要求15所述的方法,其中所述外壳在所述核心材料被放置在所述第一基板与所述第二基板之间之后形成。
20.如权利要求15所述的方法,进一步包括:利用所述阻挡层或者所述阻挡叠层覆盖所述第一基板或者所述第二基板,或者覆盖所述第一基板和所述第二基板两者。
21.一种封装的显示设备,包括:
第一基板;
与所述第一基板邻近的环境敏感设备;
与所述环境敏感设备邻近的第二基板;
将所述第一基板和所述第二基板密封在一起的粘合剂,所述环境敏感设备被密封在所述第一基板与所述第二基板之间,所述粘合剂具有暴露部分;以及
阻挡层或者包括至少一个分离层和至少一个阻挡层的阻挡叠层,用于覆盖所述粘合剂的暴露部分。
22.一种真空绝缘面板,包括:
核心材料;
包围所述核心材料的外壳,所述外壳在一侧中具有开口;
在所述外壳的开口中的粘合剂,所述粘合剂具有暴露部分,其中所述粘合剂密封所述外壳的开口;以及
阻挡层或者包括至少一个分离层和至少一个阻挡层的阻挡叠层,用于覆盖所述粘合剂的暴露部分;
其中气体从所述外壳中去除,并且其中所述外壳处于真空下。
23.一种密封环境敏感设备的方法,包括:
提供基板;
将所述环境敏感设备放置为与所述基板邻近;
利用粘合剂覆盖所述基板和所述环境敏感设备,所述粘合剂具有暴露部分;并且
利用阻挡层或者利用包括至少一个分离层和至少一个阻挡层的阻挡叠层覆盖所述粘合剂的暴露部分。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/345,717 | 2008-12-30 | ||
US12/345,717 US20100167002A1 (en) | 2008-12-30 | 2008-12-30 | Method for encapsulating environmentally sensitive devices |
PCT/US2009/060437 WO2010077412A1 (en) | 2008-12-30 | 2009-10-13 | Method for encapsulating environmentally sensitive devices |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102210035A true CN102210035A (zh) | 2011-10-05 |
CN102210035B CN102210035B (zh) | 2016-08-17 |
Family
ID=41566191
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200980144522.6A Active CN102210035B (zh) | 2008-12-30 | 2009-10-13 | 封装环境敏感设备的方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100167002A1 (zh) |
EP (1) | EP2374173B1 (zh) |
JP (2) | JP5497787B2 (zh) |
KR (1) | KR101288127B1 (zh) |
CN (1) | CN102210035B (zh) |
TW (1) | TWI408755B (zh) |
WO (1) | WO2010077412A1 (zh) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104124347A (zh) * | 2013-04-28 | 2014-10-29 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 柔性有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104993063A (zh) * | 2015-07-17 | 2015-10-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种封装件及其制作方法、oled装置 |
CN106067780A (zh) * | 2015-04-23 | 2016-11-02 | 三星电机株式会社 | 体声波谐振器及其制造方法 |
CN104685655B (zh) * | 2012-09-27 | 2017-05-24 | 欧司朗Oled股份有限公司 | 光电子器件和用于制造光电子器件的方法 |
CN107546332A (zh) * | 2016-06-29 | 2018-01-05 | 张家港市鸿嘉数字科技有限公司 | 一种柔性oled封装方法 |
CN107546330A (zh) * | 2016-06-29 | 2018-01-05 | 张家港市鸿嘉数字科技有限公司 | 一种柔性oled衬底 |
CN105655371B (zh) * | 2014-12-01 | 2018-10-30 | 乐金显示有限公司 | 可卷曲有机发光显示系统 |
CN113597817A (zh) * | 2019-03-28 | 2021-11-02 | 夏普株式会社 | 显示装置及显示装置的制造方法 |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012067766A2 (en) * | 2010-11-18 | 2012-05-24 | 3M Innovative Properties Company | Light emitting diode component comprising polysilazane bonding layer |
JP5738617B2 (ja) * | 2011-02-08 | 2015-06-24 | 株式会社カネカ | 有機el装置 |
FR2973939A1 (fr) | 2011-04-08 | 2012-10-12 | Saint Gobain | Element en couches pour l’encapsulation d’un element sensible |
JPWO2012176595A1 (ja) * | 2011-06-20 | 2015-02-23 | コニカミノルタ株式会社 | 封止構造及び封止方法 |
KR101900362B1 (ko) | 2012-01-16 | 2018-11-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법 |
KR20130089039A (ko) | 2012-02-01 | 2013-08-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 소스, 증착 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
JP5888095B2 (ja) * | 2012-04-26 | 2016-03-16 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP6098090B2 (ja) * | 2012-09-26 | 2017-03-22 | 凸版印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
JP6098091B2 (ja) * | 2012-09-26 | 2017-03-22 | 凸版印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
TWI552331B (zh) * | 2013-01-11 | 2016-10-01 | 財團法人工業技術研究院 | 電子元件之封裝結構 |
US9368749B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-06-14 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Patterned multilayered stack, and system and method for making the same |
US9464214B2 (en) | 2014-02-25 | 2016-10-11 | The Boeing Company | Thermally conductive flexible adhesive for aerospace applications |
JP2016072127A (ja) | 2014-09-30 | 2016-05-09 | ソニー株式会社 | 有機el表示装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP6584162B2 (ja) * | 2015-06-22 | 2019-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 積層封止膜形成方法および形成装置 |
KR102454027B1 (ko) * | 2016-11-06 | 2022-10-14 | 케이엘에이 코포레이션 | 유기 발광 다이오드의 캡슐화를 위한 방법 및 장치 |
EP3664580A4 (en) * | 2017-08-02 | 2021-02-24 | Sumitomo Chemical Company Limited | ORGANIC DEVICE AND ORGANIC DEVICE MANUFACTURING PROCESS |
TWI677743B (zh) * | 2018-05-04 | 2019-11-21 | 元太科技工業股份有限公司 | 電泳顯示裝置 |
TWI750421B (zh) * | 2018-10-30 | 2021-12-21 | 立景光電股份有限公司 | 顯示面板 |
US11139164B2 (en) | 2019-12-12 | 2021-10-05 | Raytheon Company | Electronic device including hermetic micro-cavity and methods of preparing the same |
KR20210079898A (ko) * | 2019-12-20 | 2021-06-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020024096A1 (en) * | 2000-08-18 | 2002-02-28 | Shunpei Yamazaki | Light-emitting device and display device |
CN1372331A (zh) * | 2001-02-21 | 2002-10-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光器件,电子设备,和其制造方法 |
CN1395323A (zh) * | 2001-07-03 | 2003-02-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置、制造发光装置的方法和电子设备 |
US20040021416A1 (en) * | 2002-08-03 | 2004-02-05 | Chun Tan Boon | Organic light emitting device with improved moisture seal |
JP2006185679A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Asahi Glass Co Ltd | 有機elパネル及び有機el発光装置、並びに有機elパネルの製造方法 |
JP2008166152A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Tdk Corp | Elパネル |
CN101295645A (zh) * | 2007-04-29 | 2008-10-29 | 联华电子股份有限公司 | 具有y型金属栅极的金属氧化物半导体晶体管及其工艺 |
Family Cites Families (106)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2071506A (en) * | 1935-04-29 | 1937-02-23 | Scovill Manufacturing Co | Tool for applying fasteners |
US3496427A (en) * | 1966-01-13 | 1970-02-17 | Gen Electric | Semiconductor device with composite encapsulation |
US4266223A (en) * | 1978-12-08 | 1981-05-05 | W. H. Brady Co. | Thin panel display |
US4313254A (en) * | 1979-10-30 | 1982-02-02 | The Johns Hopkins University | Thin-film silicon solar cell with metal boride bottom electrode |
US4581337A (en) * | 1983-07-07 | 1986-04-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Polyether polyamines as linking agents for particle reagents useful in immunoassays |
US4426275A (en) * | 1981-11-27 | 1984-01-17 | Deposition Technology, Inc. | Sputtering device adaptable for coating heat-sensitive substrates |
DE3324106A1 (de) * | 1983-07-05 | 1985-01-17 | Draiswerke Gmbh, 6800 Mannheim | Verfahren zum beleimen von holz-spaenen und dergl. mit fluessigleim und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
US4722515A (en) * | 1984-11-06 | 1988-02-02 | Spectrum Control, Inc. | Atomizing device for vaporization |
JPH0193129A (ja) * | 1987-10-02 | 1989-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 化学気相成長装置 |
US5189405A (en) * | 1989-01-26 | 1993-02-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film electroluminescent panel |
US5204314A (en) * | 1990-07-06 | 1993-04-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method for delivering an involatile reagent in vapor form to a CVD reactor |
US5711816A (en) * | 1990-07-06 | 1998-01-27 | Advanced Technolgy Materials, Inc. | Source reagent liquid delivery apparatus, and chemical vapor deposition system comprising same |
US5203898A (en) * | 1991-12-16 | 1993-04-20 | Corning Incorporated | Method of making fluorine/boron doped silica tubes |
US5393607A (en) * | 1992-01-13 | 1995-02-28 | Mitsui Toatsu Chemiclas, Inc. | Laminated transparent plastic material and polymerizable monomer |
US5402314A (en) * | 1992-02-10 | 1995-03-28 | Sony Corporation | Printed circuit board having through-hole stopped with photo-curable solder resist |
GB9215928D0 (en) * | 1992-07-27 | 1992-09-09 | Cambridge Display Tech Ltd | Manufacture of electroluminescent devices |
US5260095A (en) * | 1992-08-21 | 1993-11-09 | Battelle Memorial Institute | Vacuum deposition and curing of liquid monomers |
JPH06111936A (ja) * | 1992-09-29 | 1994-04-22 | Nec Kansai Ltd | 電界発光灯の製造方法 |
DE69304038T2 (de) * | 1993-01-28 | 1996-12-19 | Applied Materials Inc | Vorrichtung für ein Vakuumverfahren mit verbessertem Durchsatz |
JPH06223966A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-08-12 | Toshiba Corp | 有機分散型elパネル |
US5510173A (en) * | 1993-08-20 | 1996-04-23 | Southwall Technologies Inc. | Multiple layer thin films with improved corrosion resistance |
AU694143B2 (en) * | 1993-10-04 | 1998-07-16 | 3M Innovative Properties Company | Cross-linked acrylate coating material useful for forming capacitor dielectrics and oxygen barriers |
JP2846571B2 (ja) * | 1994-02-25 | 1999-01-13 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
DE4438359C2 (de) * | 1994-10-27 | 2001-10-04 | Schott Glas | Behälter aus Kunststoff mit einer Sperrbeschichtung |
US6083628A (en) * | 1994-11-04 | 2000-07-04 | Sigma Laboratories Of Arizona, Inc. | Hybrid polymer film |
US5607789A (en) * | 1995-01-23 | 1997-03-04 | Duracell Inc. | Light transparent multilayer moisture barrier for electrochemical cell tester and cell employing same |
JPH08203669A (ja) * | 1995-01-30 | 1996-08-09 | Seikosha Co Ltd | El両面発光表示体 |
US5620524A (en) * | 1995-02-27 | 1997-04-15 | Fan; Chiko | Apparatus for fluid delivery in chemical vapor deposition systems |
GB9507817D0 (en) * | 1995-04-18 | 1995-05-31 | Philips Electronics Uk Ltd | Touch sensing devices and methods of making such |
US5629389A (en) * | 1995-06-06 | 1997-05-13 | Hewlett-Packard Company | Polymer-based electroluminescent device with improved stability |
US5686360A (en) * | 1995-11-30 | 1997-11-11 | Motorola | Passivation of organic devices |
US6195142B1 (en) * | 1995-12-28 | 2001-02-27 | Matsushita Electrical Industrial Company, Ltd. | Organic electroluminescence element, its manufacturing method, and display device using organic electroluminescence element |
US5738920A (en) * | 1996-01-30 | 1998-04-14 | Becton, Dickinson And Company | Blood collection tube assembly |
US5731661A (en) * | 1996-07-15 | 1998-03-24 | Motorola, Inc. | Passivation of electroluminescent organic devices |
US5902688A (en) * | 1996-07-16 | 1999-05-11 | Hewlett-Packard Company | Electroluminescent display device |
US5895228A (en) * | 1996-11-14 | 1999-04-20 | International Business Machines Corporation | Encapsulation of organic light emitting devices using Siloxane or Siloxane derivatives |
US5872355A (en) * | 1997-04-09 | 1999-02-16 | Hewlett-Packard Company | Electroluminescent device and fabrication method for a light detection system |
JP3290375B2 (ja) * | 1997-05-12 | 2002-06-10 | 松下電器産業株式会社 | 有機電界発光素子 |
US6198220B1 (en) * | 1997-07-11 | 2001-03-06 | Emagin Corporation | Sealing structure for organic light emitting devices |
EP2284602A1 (en) * | 1997-08-29 | 2011-02-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liduid crystal display device |
US6203898B1 (en) * | 1997-08-29 | 2001-03-20 | 3M Innovatave Properties Company | Article comprising a substrate having a silicone coating |
US6224948B1 (en) * | 1997-09-29 | 2001-05-01 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced chemical deposition with low vapor pressure compounds |
US5902641A (en) * | 1997-09-29 | 1999-05-11 | Battelle Memorial Institute | Flash evaporation of liquid monomer particle mixture |
US6045864A (en) * | 1997-12-01 | 2000-04-04 | 3M Innovative Properties Company | Vapor coating method |
US6569515B2 (en) * | 1998-01-13 | 2003-05-27 | 3M Innovative Properties Company | Multilayered polymer films with recyclable or recycled layers |
US6178082B1 (en) * | 1998-02-26 | 2001-01-23 | International Business Machines Corporation | High temperature, conductive thin film diffusion barrier for ceramic/metal systems |
US6066826A (en) * | 1998-03-16 | 2000-05-23 | Yializis; Angelo | Apparatus for plasma treatment of moving webs |
US5904958A (en) * | 1998-03-20 | 1999-05-18 | Rexam Industries Corp. | Adjustable nozzle for evaporation or organic monomers |
US6361885B1 (en) * | 1998-04-10 | 2002-03-26 | Organic Display Technology | Organic electroluminescent materials and device made from such materials |
US6352777B1 (en) * | 1998-08-19 | 2002-03-05 | The Trustees Of Princeton University | Organic photosensitive optoelectronic devices with transparent electrodes |
US6040017A (en) * | 1998-10-02 | 2000-03-21 | Sigma Laboratories, Inc. | Formation of multilayered photonic polymer composites |
CA2353506A1 (en) * | 1998-11-02 | 2000-05-11 | 3M Innovative Properties Company | Transparent conductive oxides for plastic flat panel displays |
US6837950B1 (en) * | 1998-11-05 | 2005-01-04 | Interface, Inc. | Separation of floor covering components for recycling |
US6228434B1 (en) * | 1998-12-16 | 2001-05-08 | Battelle Memorial Institute | Method of making a conformal coating of a microtextured surface |
US6217947B1 (en) * | 1998-12-16 | 2001-04-17 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced polymer deposition onto fixtures |
US6268695B1 (en) * | 1998-12-16 | 2001-07-31 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making |
US6207239B1 (en) * | 1998-12-16 | 2001-03-27 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced chemical deposition of conjugated polymer |
US6228436B1 (en) * | 1998-12-16 | 2001-05-08 | Battelle Memorial Institute | Method of making light emitting polymer composite material |
US6207238B1 (en) * | 1998-12-16 | 2001-03-27 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced chemical deposition for high and/or low index of refraction polymers |
JP3817081B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2006-08-30 | パイオニア株式会社 | 有機el素子の製造方法 |
US6172810B1 (en) * | 1999-02-26 | 2001-01-09 | 3M Innovative Properties Company | Retroreflective articles having polymer multilayer reflective coatings |
US6358570B1 (en) * | 1999-03-31 | 2002-03-19 | Battelle Memorial Institute | Vacuum deposition and curing of oligomers and resins |
US7198832B2 (en) * | 1999-10-25 | 2007-04-03 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
US6866901B2 (en) * | 1999-10-25 | 2005-03-15 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
US7394153B2 (en) * | 1999-12-17 | 2008-07-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Encapsulation of electronic devices |
US6867539B1 (en) * | 2000-07-12 | 2005-03-15 | 3M Innovative Properties Company | Encapsulated organic electronic devices and method for making same |
US6537688B2 (en) * | 2000-12-01 | 2003-03-25 | Universal Display Corporation | Adhesive sealed organic optoelectronic structures |
JP4255643B2 (ja) * | 2001-02-21 | 2009-04-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
TWI222838B (en) * | 2001-04-10 | 2004-10-21 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Packaging method of organic electroluminescence light-emitting display device |
KR100682377B1 (ko) * | 2001-05-25 | 2007-02-15 | 삼성전자주식회사 | 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법 |
US6397776B1 (en) * | 2001-06-11 | 2002-06-04 | General Electric Company | Apparatus for large area chemical vapor deposition using multiple expanding thermal plasma generators |
US6888307B2 (en) * | 2001-08-21 | 2005-05-03 | Universal Display Corporation | Patterned oxygen and moisture absorber for organic optoelectronic device structures |
TW519853B (en) * | 2001-10-17 | 2003-02-01 | Chi Mei Electronic Corp | Organic electro-luminescent display and its packaging method |
US6888305B2 (en) * | 2001-11-06 | 2005-05-03 | Universal Display Corporation | Encapsulation structure that acts as a multilayer mirror |
US6948448B2 (en) * | 2001-11-27 | 2005-09-27 | General Electric Company | Apparatus and method for depositing large area coatings on planar surfaces |
US6597111B2 (en) * | 2001-11-27 | 2003-07-22 | Universal Display Corporation | Protected organic optoelectronic devices |
US6681716B2 (en) * | 2001-11-27 | 2004-01-27 | General Electric Company | Apparatus and method for depositing large area coatings on non-planar surfaces |
US6765351B2 (en) * | 2001-12-20 | 2004-07-20 | The Trustees Of Princeton University | Organic optoelectronic device structures |
US7012363B2 (en) * | 2002-01-10 | 2006-03-14 | Universal Display Corporation | OLEDs having increased external electroluminescence quantum efficiencies |
JP2003258189A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003292394A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-15 | Canon Inc | 液相成長方法および液相成長装置 |
US8808457B2 (en) * | 2002-04-15 | 2014-08-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
NL1020634C2 (nl) * | 2002-05-21 | 2003-11-24 | Otb Group Bv | Werkwijze voor het passiveren van een halfgeleider substraat. |
JP2004103337A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
US7015640B2 (en) * | 2002-09-11 | 2006-03-21 | General Electric Company | Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same |
US7056584B2 (en) * | 2002-10-11 | 2006-06-06 | General Electric Company | Bond layer for coatings on plastic substrates |
AU2003299989A1 (en) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Add-Vision, Inc. | Method for encapsulation of light emitting polyme devices and apparatus made by same |
JP2004241160A (ja) * | 2003-02-03 | 2004-08-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
US7018713B2 (en) * | 2003-04-02 | 2006-03-28 | 3M Innovative Properties Company | Flexible high-temperature ultrabarrier |
US7029765B2 (en) * | 2003-04-22 | 2006-04-18 | Universal Display Corporation | Organic light emitting devices having reduced pixel shrinkage |
US7820255B2 (en) * | 2003-05-29 | 2010-10-26 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Transparent film for display substrate, display substrate using the film and method of manufacturing the same, liquid crystal display, organic electroluminescence display, and touch panel |
US6998648B2 (en) * | 2003-08-25 | 2006-02-14 | Universal Display Corporation | Protected organic electronic device structures incorporating pressure sensitive adhesive and desiccant |
US7282244B2 (en) * | 2003-09-05 | 2007-10-16 | General Electric Company | Replaceable plate expanded thermal plasma apparatus and method |
US7635525B2 (en) * | 2003-09-30 | 2009-12-22 | Fujifilm Corporation | Gas barrier laminate film and method for producing the same |
JP2005251671A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 表示装置 |
US8405193B2 (en) * | 2004-04-02 | 2013-03-26 | General Electric Company | Organic electronic packages having hermetically sealed edges and methods of manufacturing such packages |
US7033850B2 (en) * | 2004-06-30 | 2006-04-25 | Eastman Kodak Company | Roll-to-sheet manufacture of OLED materials |
US7342356B2 (en) * | 2004-09-23 | 2008-03-11 | 3M Innovative Properties Company | Organic electroluminescent device having protective structure with boron oxide layer and inorganic barrier layer |
US20060063015A1 (en) * | 2004-09-23 | 2006-03-23 | 3M Innovative Properties Company | Protected polymeric film |
JP2006147218A (ja) * | 2004-11-17 | 2006-06-08 | Seiko Epson Corp | コンタクトの形成方法、共振器構造、及びel装置 |
US7855498B2 (en) * | 2005-07-27 | 2010-12-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light-emitting device with a sealing integrated driver circuit |
US7251947B2 (en) * | 2005-08-09 | 2007-08-07 | Carrier Corporation | Refrigerant system with suction line restrictor for capacity correction |
JP2007258006A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Pioneer Electronic Corp | 光デバイス用の封止部材の製造方法、光デバイスの製造方法、光デバイス、および光デバイス用の封止部材 |
JP2008153043A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 |
JP2007199729A (ja) * | 2007-02-19 | 2007-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
US20100148160A1 (en) | 2007-05-18 | 2010-06-17 | Jie Cao | Organic electronic devices protected by elastomeric laminating adhesive |
-
2008
- 2008-12-30 US US12/345,717 patent/US20100167002A1/en not_active Abandoned
-
2009
- 2009-10-13 WO PCT/US2009/060437 patent/WO2010077412A1/en active Application Filing
- 2009-10-13 EP EP09774998.0A patent/EP2374173B1/en active Active
- 2009-10-13 CN CN200980144522.6A patent/CN102210035B/zh active Active
- 2009-10-13 JP JP2011543512A patent/JP5497787B2/ja active Active
- 2009-10-13 KR KR1020117013644A patent/KR101288127B1/ko active IP Right Grant
- 2009-11-10 TW TW098138122A patent/TWI408755B/zh active
-
2013
- 2013-01-28 JP JP2013013124A patent/JP2013101969A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020024096A1 (en) * | 2000-08-18 | 2002-02-28 | Shunpei Yamazaki | Light-emitting device and display device |
CN1372331A (zh) * | 2001-02-21 | 2002-10-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光器件,电子设备,和其制造方法 |
CN1395323A (zh) * | 2001-07-03 | 2003-02-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置、制造发光装置的方法和电子设备 |
US20040021416A1 (en) * | 2002-08-03 | 2004-02-05 | Chun Tan Boon | Organic light emitting device with improved moisture seal |
JP2006185679A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Asahi Glass Co Ltd | 有機elパネル及び有機el発光装置、並びに有機elパネルの製造方法 |
JP2008166152A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Tdk Corp | Elパネル |
CN101295645A (zh) * | 2007-04-29 | 2008-10-29 | 联华电子股份有限公司 | 具有y型金属栅极的金属氧化物半导体晶体管及其工艺 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9716247B2 (en) | 2012-09-27 | 2017-07-25 | Osram Oled Gmbh | Optoelectronic component including exposed contact pad |
CN104685655B (zh) * | 2012-09-27 | 2017-05-24 | 欧司朗Oled股份有限公司 | 光电子器件和用于制造光电子器件的方法 |
CN104124347A (zh) * | 2013-04-28 | 2014-10-29 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 柔性有机电致发光器件及其制备方法 |
CN105655371B (zh) * | 2014-12-01 | 2018-10-30 | 乐金显示有限公司 | 可卷曲有机发光显示系统 |
US10277196B2 (en) | 2015-04-23 | 2019-04-30 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bulk acoustic wave resonator and method for manufacturing the same |
CN106067780A (zh) * | 2015-04-23 | 2016-11-02 | 三星电机株式会社 | 体声波谐振器及其制造方法 |
CN106067780B (zh) * | 2015-04-23 | 2020-01-14 | 三星电机株式会社 | 体声波谐振器及其制造方法 |
US10096793B2 (en) | 2015-07-17 | 2018-10-09 | Boe Technology Group Co., Ltd | Package for device to be packaged, manufacturing method thereof, and OLED apparatus comprising the package |
CN104993063A (zh) * | 2015-07-17 | 2015-10-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种封装件及其制作方法、oled装置 |
CN107546332A (zh) * | 2016-06-29 | 2018-01-05 | 张家港市鸿嘉数字科技有限公司 | 一种柔性oled封装方法 |
CN107546330A (zh) * | 2016-06-29 | 2018-01-05 | 张家港市鸿嘉数字科技有限公司 | 一种柔性oled衬底 |
CN113597817A (zh) * | 2019-03-28 | 2021-11-02 | 夏普株式会社 | 显示装置及显示装置的制造方法 |
CN113597817B (zh) * | 2019-03-28 | 2024-01-02 | 夏普株式会社 | 显示装置及显示装置的制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100167002A1 (en) | 2010-07-01 |
TW201030860A (en) | 2010-08-16 |
EP2374173B1 (en) | 2020-04-01 |
CN102210035B (zh) | 2016-08-17 |
KR101288127B1 (ko) | 2013-07-19 |
KR20110089349A (ko) | 2011-08-05 |
TWI408755B (zh) | 2013-09-11 |
JP2013101969A (ja) | 2013-05-23 |
EP2374173A1 (en) | 2011-10-12 |
JP5497787B2 (ja) | 2014-05-21 |
WO2010077412A1 (en) | 2010-07-08 |
JP2012513665A (ja) | 2012-06-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102210035A (zh) | 封装环境敏感设备的方法 | |
US10950821B2 (en) | Method of encapsulating an environmentally sensitive device | |
JP5143728B2 (ja) | 気密封止パッケージ | |
TWI231739B (en) | Laminates for encapsulating devices | |
JP4303591B2 (ja) | バリア薄膜の縁部密封の方法 | |
US8405193B2 (en) | Organic electronic packages having hermetically sealed edges and methods of manufacturing such packages | |
US7541671B2 (en) | Organic electronic devices having external barrier layer | |
JP5611812B2 (ja) | バリア・フィルム複合体、これを含む表示装置及び表示装置の製造方法 | |
JP5611811B2 (ja) | バリア・フィルム複合体及びこれを含む表示装置 | |
JP2011136560A (ja) | バリア・フィルム複合体、これを含む表示装置、バリア・フィルム複合体の製造方法、及びこれを含む表示装置の製造方法 | |
WO2017033823A1 (ja) | 電子装置 | |
KR100635573B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법 | |
TW201029121A (en) | Electronic device and method to manufacture an electronic device | |
CN110707230A (zh) | Oled封装结构及显示面板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD. Effective date: 20120928 |
|
C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20120928 Address after: Gyeonggi Do, South Korea Applicant after: Samsung Display Co., Ltd. Address before: Gyeonggi Do, South Korea Applicant before: Samsung Mobile Display Co., Ltd. |
|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |