CN102142513A - Led封装及制作led封装的方法 - Google Patents

Led封装及制作led封装的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102142513A
CN102142513A CN2011100323199A CN201110032319A CN102142513A CN 102142513 A CN102142513 A CN 102142513A CN 2011100323199 A CN2011100323199 A CN 2011100323199A CN 201110032319 A CN201110032319 A CN 201110032319A CN 102142513 A CN102142513 A CN 102142513A
Authority
CN
China
Prior art keywords
lead frame
led chip
encapsulation
led
ledge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011100323199A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102142513B (zh
Inventor
江越秀德
押尾博明
竹内辉雄
井上一裕
松本岩夫
清水聪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Publication of CN102142513A publication Critical patent/CN102142513A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102142513B publication Critical patent/CN102142513B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/3201Structure
    • H01L2224/32012Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad
    • H01L2224/32013Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad the layer connector being larger than the bonding area, e.g. bond pad
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48471Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area being a ball bond, i.e. wedge-to-ball, reverse stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48475Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball
    • H01L2224/48476Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area
    • H01L2224/48477Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding)
    • H01L2224/48478Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball
    • H01L2224/48479Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball on the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01045Rhodium [Rh]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01049Indium [In]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/0132Binary Alloys
    • H01L2924/01322Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203Rectifying Diode
    • H01L2924/12035Zener diode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3011Impedance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/35Mechanical effects
    • H01L2924/351Thermal stress

Abstract

根据一个实施例,LED封装包括第一和第二引线框、LED芯片以及树脂体。第一和第二引线框彼此分开。LED芯片设置于第一和第二引线框上方,LED芯片包括至少包含铟、镓和铝的半导体层,LED芯片的一个端子被连接至第一引线框,并且LED芯片的另一端子被连接至第二引线框。树脂体覆盖LED芯片以及覆盖第一和第二引线框中每一个的整个上表面、下表面的一部分和部分边缘表面,树脂体暴露下表面的剩余部分以及边缘表面的剩余部分。而且,树脂体的外观是LED封装外观的一部分。

Description

LED封装及制作LED封装的方法
相关申请的交叉引用
本申请基于下述申请并要求享有下述申请的优先权:2010年1月29日提交的现有日本专利申请No.2010-019782以及2010年8月23日提交的现有日本专利申请No.2010-186505;它们的全部内容被以引用方式并入。
技术领域
这里描述的本发明各实施方式大致涉及LED(发光二极管)封装以及制作LED封装的方法。
背景技术
传统地,其中安装有LED芯片的LED封装被构造成用于控制透光特性(light distribution characteristics)并提高从LED封装中提取光的效率。特别地,由白树脂制成的杯状外壳被提供于LED封装上。然后,在外壳的底表面上安装LED芯片。外壳的里面充满透明树脂以埋入LED芯片。在很多实例中(例如,参考日本特开2004-274027号公报),外壳由热塑性聚酰胺树脂形成。
但是,随着LED封装应用范围的扩大,要求新的LED封装具有更高的耐用性。同时,随着LED芯片输出的增强,从LED芯片上辐射出大量的光和热,这促进了用来密封LED芯片的树脂部分的降解。而且,随着LED封装应用范围的扩大,需要更进一步降低成本。
附图说明
图1是示意出根据第一实施例的LED封装的透视图;
图2A是示意出根据第一实施例的LED封装的剖视图,图2B是示意出根据第一实施例的引线框的平面图;
图3是示意出制作根据第一实施例的LED封装的方法的流程框图;
图4A至6B是示意出制作根据第一实施例的LED封装的方法的过程剖视图;
图7A是示意出根据第一实施例的引线框片材的平面图,图7B是示意出本引线框片材内的元件区域的局部放大平面图;
图8A至8H是示意出根据第一实施例的变异的形成引线框片材的方法的过程剖视图;
图9是示意出根据第二实施例的LED封装的透视图;
图10是示意出根据第二实施例的LED封装的侧视图;
图11是示意出根据第三实施例的LED封装的透视图;
图12是示意出根据第三实施例的LED封装的剖视图;
图13是示意出根据第四实施例的LED封装的透视图;
图14是示意出根据第四实施例的LED封装的剖视图;
图15是示意出根据第五实施例的LED封装的透视图;
图16A是示意出根据第五实施例的LED封装的平面图,图16B是其侧视图;
图17是示意出根据第六实施例的LED封装的透视图;
图18是示意出根据第七实施例的LED封装的透视图;
图19A是示意出根据第七实施例的LED封装的平面图,图19B是其侧视图;
图20是示意出根据第八实施例的LED封装的透视图;
图21是示意出根据第八实施例的LED封装的剖视图;
图22是示意出根据第九实施例的LED封装的透视图;以及
图23是示意出根据第十实施例的LED封装的剖视图。
具体实施方式
总体而言,根据一个实施例,LED封装包括第一和第二引线框、LED芯片和树脂体。第一和第二引线框彼此分开。LED芯片被提供于第一和第二引线框上方,LED芯片包括至少包含铟、镓和铝的半导体层,LED芯片的一个端子连接至第一引线框,且LED芯片的另一个端子连接至第二引线框。树脂体覆盖LED芯片以及覆盖第一和第二引线框中每一个的整个上表面、下表面的一部分以及部分边缘表面,树脂体暴露下表面的剩余部分以及边缘表面的剩余部分。而且,树脂体的外观是LED封装的外观的一部分。
根据另一实施例,公开了一种制作LED封装的方法。该方法包括在引线框片材的每个元件区域上安装LED芯片,将LED芯片的一个端子连接至第一引线框,并将LED芯片的另一个端子连接至第二引线框。引线框片材包括以矩阵阵列布置的多个元件区域。在每个元件区域内形成基础图案(basic pattern)。基础图案包括彼此分开的第一和第二引线框。导电材料保持于元件区域之间的每个切割面积内,以将相邻的元件区域连接到一起。LED芯片包括至少包含铟、镓和铝的半导体层。该方法还包括形成树脂板。树脂板将LED芯片埋入树脂板内并覆盖引线框片材的每个元件区域的整个上表面以及下表面的一部分。该方法还包括通过去除位于切割面积内的引线框片材和树脂板的部分而切割位于元件区域内的引线框片材和树脂板的部分。而且,切割部分的外观是LED封装外观的一部分。
下面将关于附图提供实施例的描述。
首先,提供第一实施例的描述。
图1是示意出根据本实施例的LED封装的透视图。
图2A是示意出根据本实施例的LED封装的剖视图,而图2B是示意出根据本实施例的引线框的平面图。
根据本实施例的LED封装是通过用透明树脂体密封LED芯片而获得的封装,LED芯片包括InGaAlP层,透明树脂体由环氧树脂、丙烯酸树脂或聚氨酯树脂制成。
如图1至2B所示,成对的引线框11、12被包括于根据本实施例的LED封装中。每个引线框11、12具有平面形状。引线框11、12被放置成彼此平齐但彼此分开。引线框11、12由相同的导电材料制成。例如,引线框11、12通过在铜板的各自上和下表面上形成镀银层而制成。在引线框11、12中任一个的边缘表面上不形成镀银层。因此,铜板是暴露的。
这里,为方便起见,将使用直角XYZ-坐标系统继续描述。在与引线框11、12的上表面平行的方向中,从引线框11至引线框12的方向定义为+X方向。在垂直于引线框11、12的上表面的方向中,向上的方向,也就是从引线框11至后面描述的LED芯片14的方向,定义为+Z方向。在与+X方向和+Z方向成直角的方向中,一个方向定义为+Y方向。请注意,与+X方向、+Y方向和+Z方向相反的方向分别定义为-X方向、-Y方向和-Z方向。另外,例如,“+X方向”和“-X方向″可以一般地简称为X方向。
引线框11被提供有单一基础部分11a,从Z方向看,其为矩形。四个延伸部分11b、11c、11d、11e从此基础部分11a开始延伸。延伸部分11b从基础部分11a的边缘的中心部分开始在+Y上方向延伸,该边缘朝向+Y方向并在+X方向上延伸。延伸部分11c从基础部分11a的边缘的中心部分开始在-Y方向上延伸,该边缘朝向-Y方向并在X方向上延伸。延伸部分11b至11e中每一个从基础部分11a的三个不同侧面中的对应一个开始以这种方式延伸。延伸部分11b的位置和延伸部分11c的位置在X方向上彼此一致。延伸部分11d、11e从基础部分11a的边缘的相应两个端部部分开始在-X方向上延伸,该边缘朝向-X方向。
引线框12在X方向上的长度比引线框11在X方向上的长度短,而引线框12在Y方向上的长度等于引线框11在Y方向上的长度。引线框12被提供有单一基础部分12a,从Z方向看,其为矩形。四个延伸部分12b、12c、12d、12e从此基础部分12a开始延伸。延伸部分12b从基础部分12a的边缘的端部部分开始在+Y方向上延伸,该边缘朝向+Y方向并且在-X方向上最远。延伸部分12c从基础部分12a的边缘的端部部分开始在-Y方向上延伸,该边缘朝向-Y方向并且在-X方向上最远。延伸部分12d、12e从基础部分12a的边缘的两个端部部分开始在+X方向上延伸,该边缘朝向+X方向。延伸部分12b至12e中每一个从基础部分12a的三个不同侧面中的对应一个开始以这种方式延伸。另外,引线框11的延伸部分11d、11e的宽度可以与引线框12的延伸部分12d、12e的宽度相等或不相等。在延伸部分11d、11e的宽度被设置成与延伸部分12d、12e的宽度不相等的情况下,很容易彼此区分正极和负极。
突出部分11g形成于引线框11的下表面11f的一部分上,该部分对应于基础部分11a在X方向上的中心部分。因此,引线框11具有两个厚度:基础部分11a在X方向上的中心部分,也就是,突出部分11g形成的部分,是相对厚板部分;基础部分11a在X方向上的两个端部部分和延伸部分11b至11e是相对薄板部分。在图2B中,其中没有突出部分11g形成的基础部分11a的一部分被示出为薄板部分11t。同样地,突出部分12g形成于引线框12的下表面12f的一部分上,该部分对应于基础部分12a在X方向上的中心部分。因此,引线框12也具有两个厚度:基础部分12a在X方向上的中心部分是相对厚板部分,因为形成有突出部分12g;基础部分12a在X方向上的两个端部部分和延伸部分12b至12e是相对薄板部分。在图2B中,其中没有突出部分12g形成的基础部分12a的一部被示出为薄板部分12t。换句话说,在基础部分11a、12a的下表面的X方向上的两个端部部分上形成有缺口。缺口沿基础部分11a、12a的边缘在Y方向上延伸。请注意,在图2B中,每个引线框11、12的相对较薄的部分,也就是薄板部分和延伸部分,被涂有虚线阴影线。
引线框11的上表面11h和引线框12的上表面12h彼此平齐。突出部分11g、12g形成于与引线框11、12的边缘分开的面积内,这些边缘彼此面对。包括这些边缘的这些面积形成薄板部分11t、12t。引线框11的突出部分11g的下表面和引线框12的突出部分12g的下表面彼此平齐。延伸部分的上表面的位置与引线框11、12的上表面的位置在Z方向上一致。因此,所有延伸部分位于同一XY坐标平面内。
芯片安装材料13被附贴到引线框11的上表面11h的面积的一部分上,该面积对应于基础部分11a。在本实施例中,无论芯片安装材料13是导电的还是绝缘的都没有关系。在芯片安装材料13是导电的实例中,例如,芯片安装材料13由银膏、焊料或易熔质焊料制成。在芯片安装材料13是绝缘的实例中,例如,芯片安装材料13由透明树脂膏制成。
LED芯片14置于芯片安装材料13上。换句话说,LED芯片14被用芯片安装材料稳固地焊接到引线框11上。因此,LED芯片14被安装于引线框11上。LED芯片14包括包含铟(In)、镓(Ga)、铝(Al)和磷(P)的半导体层。例如,作为活性层,InGaAlP层形成于蓝宝石基板上。这使得LED芯片14发射绿色至红色波长范围的光。例如,LED芯片14的形状为立方体。端子14a、14b置于LED芯片14的上表面上。
线材15的端部焊接到LED芯片14的端子14a上。线材15被从端子14a在+Z方向(垂直方向)上引出,并且在-X方向和-Z方向之间的方向上弯曲。线材15的另一端焊接到引线框11的上表面11h上。因此,端子14a通过线材15连接至引线框11。另一方面,线材16的端部焊接至端子14b。线材16被从端子14b在+Z方向上引出,并且在+X方向和-Z方向之间的方向上弯曲。线材16的另一端被焊接至引线框12的上表面12h。因此,端子14b通过线材16连接至引线框12。线材15、16由金属例如金或铝制成。
LED封装1还包括透明树脂体17。透明树脂体17由透明树脂材料例如环氧树脂、丙烯酸树脂或聚氨酯树脂制成。另外,透明树脂体17可以由选自这些树脂材料中的多种树脂材料制成。请注意,“透明”涵盖半透明。透明树脂体17的外观是立方体。透明树脂体17覆盖引线框11、12,芯片安装材料13,LED芯片14以及线材15、16。透明树脂体17的外观是LED封装1的外观的一部分。请注意,LED封装1的外观的其他部分由引线框11和12的突出部分形成。引线框11的部分和引线框12的部分被暴露在透明树脂体17的下和侧表面上。
更明确地,作为引线框11的下表面11f的一部分的突出部分11g的下表面被暴露于透明树脂体17的下表面上。另外,延伸部分11b至11e各自的末端边缘表面被暴露于透明树脂体17的对应侧表面上。另一方面,在引线框11中,除突出部分11g的下表面、突出部分11g的侧表面和基础部分11a的边缘表面之外,全部上表面11h、下表面11f都被透明树脂体17覆盖。同样地,引线框12的突出部分12g的下表面被暴露于透明树脂体17的下表面上。另外,延伸部分12b至12e各自的末端边缘表面被暴露于透明树脂体17的对应侧表面上。除突出部分12g的下表面、突出部分12g的侧表面和基础部分12a的边缘表面之外,全部上表面12h、下表面12f都被透明树脂体17覆盖。在LED封装1中,暴露于透明树脂体17的下表面上的突出部分11g、12g的下表面用作外部电极极板。如上所述,透明树脂体17当从上面看下来时是矩形形状,并且各自引线框的多个延伸部分的每个末端边缘表面暴露于透明树脂体17的三个侧表面上。请注意,在本说明书中,“覆盖”的概念包括:遮盖物和被遮盖物之间接触的状态以及遮盖物和被遮盖物之间分离的状态。
通过将置于母版上的焊料球或类似物焊接到突出部分11g、12g上,根据本实施例的LED封装1被安装于母板(未示出)上。分别通过引线框11、12和线材15、16,电力被供应到LED芯片14的端子14a、14b上。因此,LED芯片14发射包括于绿色至红色波长范围内的预定颜色的光。光穿过透明树脂体17内部,直接从LED封装1出来。因此,从LED封装1出来的光是LED芯片14发出的光,而且是包括于绿色至红色波长范围内的可见光。
下面,将提供制作根据本实施例的LED封装的方法的描述。
图3是示意出制作根据本实施例的LED封装的方法的流程框图。
图4A至4D、5A至5C以及6A和6B是示意制作根据本实施例的LED封装的方法的过程剖视图。
图7A是示意根据本实施例的引线框片材的平面图。图7B是示意引线框片材内的元件区域的局部放大平面图。
首先,如图4A中所示,准备由导电材料制成的导电片材21。此导电片材21通过分别在带状铜板21a的上和下表面上形成镀银层21b而获得。随后,分别在导电片材21的合成上和下表面上形成掩模22a、22b。在掩模22a、22b上选择性地制作开口部分22c。例如,掩模22a、22b可以通过印制(printing)形成。
其后,掩模22a、22b被附贴于其上的导电片材21被浸入蚀刻流体中。从而,导电片材21被湿蚀刻。因而,位于开口部分22c里面的导电片材21的部分被选择性地蚀刻。当导电片材21被湿蚀刻时,例如,通过调整浸渍时间而控制蚀刻量。因此,在导电片材21被只从导电片材21的上或下表面蚀刻的任何开口部分完全穿透之前,蚀刻被终止。这时,从导电片材21的上和下表面对导电片材21应用半蚀刻。然而,从导电片材21的上和下两个表面蚀刻的部分被制成穿透导电片材21。之后除去掩模22a、22b。
从而,如图3和4B中所示,铜板21a和镀银层21b被从导电片材21上选择性去除。这样,形成引线框片材23。请注意,为了示意方便,图4B和后面的每个附图将铜板21a和镀银层21b示出为整体引线框片材23而不是个别示出铜板21a和镀银层21b。如图7A所示,例如,三个方框B被装配在引线框片材23内。另外,例如,约1000个元件区域P装配在每个方框B中。如图7B所示,元件区域P布置为矩阵阵列形式,而以栅格形式布置的切割面积D被制成在元件区域P之间。包括相互独立的引线框11、12的基础图案形成于每个元件区域P内。形成导电片材21的导电材料的剩余材料保持于每个切割面积D内,剩余材料连接相邻的元件区域P。
明确地说,虽然引线框11和引线框12在每个元件区域P内彼此分开,但属于任何一个元件区域P的引线框11被连接到属于与该元件区域P在-X方向上相邻的邻近元件区域P的引线框12上。朝向+X方向并在+X方向上突出的开口部分23a形成于这两个相邻的框之间。分别属于两个在Y方向上相邻的元件区域P的引线框11通过相应桥23b连接到一起。同样地,分别属于两个在Y方向上相邻的元件区域P的引线框12通过相应桥23c连接到一起。因此,四个连接部分从引线框11的基础部分11a和引线框12的基础部分12a中的每一个开始在三个方向上延伸。连接部分由导电材料制成,并且从属于一个元件区域P的引线框11或12的基础部分开始通过切割区域D延伸至属于相邻元件区域P的引线框11或12的基础部分。另外,通过将从引线框片材23的下表面的蚀刻实现为半蚀刻,分别在引线框11、12的下表面上形成突出部分11g、12g(参考图2)。
随后,如图3和4C中所示,由聚酰亚胺制成的加固带24张贴在引线框片材23的下表面上,例如。之后,将芯片安装材料13附帖在属于引线框片材23内每个元件区域P的引线框11上方。例如,通过将膏状(pasty)的芯片安装材料13蚀刻在引线框11上方,或通过利用机械工具将芯片安装材料13移至引线框11上方,实现附贴。其后,将LED芯片14安装在芯片安装材料13上方。然后,对芯片安装材料13进行热处理(安装部固化)以烧结芯片安装材料13。从而,在引线框片材23的每个元件区域P内,利用放入它们之间的芯片安装材料13,LED芯片14被安装于引线框11上。
然后,如图3和4D所示,线材15的一端焊接在LED芯片14的端子14a上,而线材15的另一端,例如通过超声焊接,焊接至引线框11的上表面11h。另外,线材16的一端焊接在LED芯片14的端子14b上,而线材16的另一端焊接至引线框12的上表面12h。从而,端子14a被通过线材15连接至引线框11,而端子14b被通过线材16连接至引线框12。
然后,如图3和5A所示,准备下模101。下面将要描述的下模101和上模102形成一对模。立方体形状的凹进部分101a形成于下模101的上表面上。另一方面,准备液体或半液体的树脂材料26,其由透明树脂例如环氧树脂、丙烯酸树脂或聚氨酯树脂制成。随后,通过使用分配器103将树脂材料26供应至下模101内的凹进部分101a的里面。
然后,如图3和5B所示,LED芯片14被安装于其上的引线框片材23被提供到上模102的下表面上,使LED芯片面朝下。然后,将上模102压在下模101上。这样,这对模被夹紧在一起。从而,引线框片材23被压在树脂材料26上。这时,树脂材料26遮盖了LED芯片14和线材15、16,并且另外进入通过蚀刻过程已经从引线框片材23上去除的部分。树脂材料26被用这种方式模制。理想地,此模制过程应该在真空环境中进行。这防止气泡附帖在引线框片材23的半蚀刻的部分上,否则,在包含树脂材料26的荧光材料中会出现气泡的这种情形。
之后,如图3和5C中所示,对树脂材料26进行热处理(安装部固化),使引线框片材23的上表面压在树脂材料26上。因此,树脂材料26被固化。随后,如在图6A中所示,将上模102与下模101分开。因而,遮盖引线框片材23的所有上表面和部分下表面以及埋入LED芯片14及其类似物的透明树脂板29形成于引线框片材23上。其后,从引线框片材23上剥掉加固带24。因而,引线框11、12的突出部分11g、12g的下表面(参考图2)被暴露于透明树脂板29的表面上。
然后,如图3和6B中所示,包括引线框片材23和透明树脂板29的组合体被刀片104从引线框片材23一侧切成格。换句话说,组合体在+Z方向上被切成格。这时,位于切割面积D内的引线框片材23和透明树脂板29的部分被从引线框片材23和透明树脂板29上去除。因而,位于元件区域P内的引线框片材23和透明树脂板29的部分被切成离散的立方体。这样,如图1至2B中所示的LED封装1被加工成离散的立方体。请注意,包括引线框片材23和透明树脂板29的组合体可以从透明树脂板29一侧切成格。
在每个这样切割的LED封装1中,引线框11、12与引线框片材23间隔开。另外,透明树脂板29被分割成透明树脂体17。一些在Y方向上延伸的切割面积D在引线框片材23的开口部分23a上方通过对每个引线框11形成延伸部分11d、11e,对每个引线框12形成延伸部分12d、12e。另外,将桥23b对分形成每个引线框11的延伸部分11b、11c,而将桥23c对分形成每个引线框12的延伸部分12b、12c。延伸部分11b至11e以及12b至12e的末端边缘表面被暴露于透明树脂体17的对应侧表面上。
之后,如图3中所示,对LED封装1进行各种测试。延伸部分11b至11e以及12b至12e的末端边缘表面可以用作测试的端子。
下面将描述本实施例的效果。
在根据本实施例的LED封装1中,LED芯片14是其中包含铟、镓、铝和磷的半导体层作为活性层的芯片,并且发射绿色至红色波长范围内的光。绿色至红色波长范围内的光的能级(energy level)低于紫色至蓝色波长范围内的光的能级。由于此原因,绿色至红色波长范围内的光比紫色至蓝色波长范围内的光损坏的树脂材料少。因此,透明树脂体17的磨损进行得更慢,而根据本实施例的LED封装1的耐用性更高。从而,根据本实施例的LED封装1具有更长的寿命和更高的可靠性,并且可以应用于更广泛的使用范围。
此外,在根据本实施例的LED封装1中,从LED芯片14发射的光的能量更小。从而,透明树脂体17可以由相对低成本的树脂材料例如环氧树脂、丙烯酸树脂或聚氨酯树脂制成。由于此原因,具有更高光电阻但成本更高的树脂材料例如硅树脂不必再使用。因此,根据本实施例的LED封装1的成本更低。
而且,根据本实施例的LED封装1不包括由白树脂制成的外壳。因而,不会发生外壳通过吸收LED芯片14产生的光和热而退化的现象。特别地,在外壳由热塑性聚酰胺树脂形成的情况下,这种退化有发展得更快的趋势。但是,本实施例没有这个问题。因此,本实施例的LED封装1具有更好的耐用性。
另外,根据本实施例的LED封装1不包括覆盖透明树脂体17侧表面的外壳。由于此原因,根据本实施例的LED封装1在很广的角度内发射光。这使得当LED封装1需要用于在很广的角度内发射光时,例如,当LED封装1被用于照明或用作液晶电视的背后照明时,根据本实施例的LED封装1是有益的。
此外,在根据本实施例的LED封装1中,引线框11、12的外围部分由覆盖引线框11、12的下表面的一部分以及边缘表面的大部分的透明树脂体17保持。由于此原因,引线框11、12的可保持性性能可以被提高,同时外部电极极板通过从透明树脂体17上暴露引线框11、12的突出部分11g、12g的下表面而形成。换句话说,通过分别在基础部分11a、12a的中心部分上在X方向上形成突出部分11g、12g,在基础部分11a、12a的下表面的X方向上的两个端部部分上在形成缺口。另外,透明树脂体17的一部分进入每个缺口。这使得引线框11、12能够被透明树脂体17稳固地保持。因此,在切割时,引线框11、12很难离开透明树脂体17,并因此可以提高LED封装1的产量。另外,在使用LED封装1时,这可以防止引线框11和12由于温度应力而从透明树脂体17上分离。
另外,在根据本实施例的LED封装1中,镀银层形成于引线框11、12的上和下表面上。镀银层具有更高的光反射系数(light reflectance)。这提高了根据本实施例的LED封装1的光提取效率(light extractionefficiency)。
而且,在本实施例中,例如,每次,数千LED封装1中的很多LED封装1可以从一个导电片材21制作得到。这降低了每个LED封装1的制作成本。另外,从每个LED封装1中除去外壳减少了包括于LED封装1内的零件数目和制作步骤的数目,并因此降低了成本。
另外,在本实施例中,引线框片材23通过湿蚀刻形成。由于此原因,每次,LED封装被制作成新布局形式,在对新掩模准备原始板时需要该形式。由于此原因,本实施例使得初始成本低于通过模压或类似工艺制作引线框片材23的方法的成本。
除此之外,在根据本实施例的LED封装1中,延伸部分从引线框11、12的每个基础部分11a、12a开始延伸。这防止每个基础部分暴露于透明树脂体17的侧表面上,并因此减少了每个引线框11、12的暴露面积。而且,引线框11和12与透明树脂体17之间的接触面积可以被制成增加。从而,可以防止引线框11、12从透明树脂体17分离,并且另外,可以抑制引线框11、12的侵蚀。
当从制作方法方面看效果时,如图7B所示,通过在引线框片材23上形成开口部分23a和桥23b、23c,使得开口部分23a和桥23b、23c存在于切割面积D内,减少切割面积D内存在的金属量。这使得很容易将引线框片材23切成格,并因而使得可以抑制切割刀片的磨损。另外,在本实施例中,四个延伸部分从每个引线框11、12开始在三个方向上延伸。从而,在安装LED芯片14的过程中,任何元件区域P内的引线框11被属于相邻元件区域P的引线框11、12在三个方向上牢固支撑,如图4C所示。因此,提高了可安装性。同样地,在线材焊接过程中,每个线材焊接位置被在三个方向上牢固支撑,如图4D所示。例如,当应用超声波进行超声焊接时,这允许漏出的超声波更少。因此,每个线材可以在更好的条件下焊接到对应的引线框和LED芯片上。
另外,在本实施例中,在切割过程中,切割被从引线框片材23一侧进行,如图6B所示。此切割使得形成引线框11、12的切割端部部分的金属材料在透明树脂体17的对应侧表面上在+Z方向上延伸。这避免了金属材料在透明树脂体17的对应侧表面上在-Z方向上延伸,并因而避免金属材料粘到LED封装1的下表面上。由于此原因,在切割过程中不产生毛刺。因此,本实施例可以避免安装过程中失败,否则,安装LED封装1时由于毛刺的原因可能导致安装中失败。
下面将提供本实施例的变异的描述。
本变异被引入形成引线框片材的方法中。
明确地说,本变异与第一实施例不同的方面在于本变异不使用如图4A中所示的形成引线框片材的方法。
图8A至8H是示意出根据本变异的形成引线框片材的方法的过程剖视图。
首先,如图8A中所示,准备并清洗铜板21a。随后,如图8B中所示,用树脂涂覆铜板21a的两个表面,之后晾干。因而,形成抗蚀膜(resistfilms)111。其后,如图8C中所示,在各个抗蚀膜111上放置掩模图案112,并且通过用紫外光照射抗蚀膜111将合成的抗蚀膜111暴露于紫外光中。这时,每个抗蚀膜111的暴露部分被固化而形成抗蚀图案111a。之后,如图8D中所示,冲洗抗蚀膜111,每个抗蚀膜111的非固化部分被洗掉。因而,抗蚀图案111a保留在铜板21a的上和下表面上。然后,如图8E中所示,使用抗蚀图案111a作为掩模蚀刻合成的铜板21a。因而,铜板21a的暴露部分被从铜板21a的两个表面上去掉。直到这时,蚀刻深度被设定为差不多等于铜板21a的板厚的一半。只从一侧进行蚀刻的面积被半蚀刻,而从两侧蚀刻的铜板21a的面积被穿透。随后,如图8F所示,除去抗蚀图案111a。这之后,如图8G所示,对铜板21a进行电镀,同时用掩模113覆盖住铜板21a的端部部分。因而,除其端部部分之外,在铜板21a的相应表面上形成镀银层21b。然后,如图8H所示,通过清洗除去掩模113。之后进行检查。引线框片材23以这种方式形成了。除上述之外,本变异的结构、制作方法和操作/工作效果与第一实施例的相同。
下面将提供第二实施例的描述。
图9是示意出根据本实施例的LED封装的透视图。
图10是示意出根据本实施例的LED封装的侧视图。
如图9和10中所示,根据本实施例的LED封装2与根据第一实施例的LED封装1(参考图1)不同的方面在于引线框11(参考图1)在X方向上被分成两个引线框31、32。引线框32位于引线框31和引线框12之间。对应于引线框11的延伸部分11d、11e(参考图1)的延伸部分31d、31e形成于引线框31上。另外,从基础部分31a开始分别在+Y和-Y方向上延伸的延伸部分31b、31c形成于引线框31上。各个延伸部分31b、31c的位置在X方向上彼此一致。另外,线材15被焊接至引线框31。另一方面,对应于引线框11的延伸部分11b、11c(参考图1)的延伸部分32b、32c形成于引线框32上。利用放入它们之间的芯片安装材料13,LED芯片14被安装于引线框32上。而且,对应于引线框11的突出部分11g的突出部分被形成作为引线框31上的突出部分31g并且作为引线框32上的突出部分32g,突出部分31g、32g彼此分开。
在本实施例中,电势被从外面应用到各个引线框31、12上。因而,引线框31、12行使外部电极的功能。另一方面,不需要在引线框32上应用电势。引线框32可以用作散热器(heat sink)应用专用的引线框。因而,当多个LED封装2安装到一个模块上时,其引线框32可以连接到公共散热器上。请注意:接地电势(ground potential)可以应用到引线框32上;或者可以将引线框32置于电浮(electrically floating)环境中。另外,在将LED封装2安装于母板上的情况下,如果将焊料球焊接到每个LED封装2的相应引线框31、32和12上,可以抑制所谓的曼哈顿现象(Manhattan phenomenon)。曼哈顿现象是指这样的现象:当利用放入它们之间的多个焊料球或类似物将装置或类似物安装于基板上时,由于焊料球熔化时间的不一致或者回流熔炉内的熔融焊料的表面张力,该装置或类似物会而被提起来。曼哈顿现象导致安装失败。本实施例通过在在X方向上形式对称的引线框中在X方向上浓密布置焊料球使得曼哈顿现象很难发生。
另外,在本实施例中,因为引线框31通过延伸部分31b至31e在三个方向上支撑,所以线材15被顺利地焊接。同样,因为引线框12通过延伸部分12b至12e在三个方向上支撑,所以线材16被顺利焊接。
这种LED封装2可以利用与第一实施例相同的方法制作,除了在如图4A中所示的步骤中改变了引线框片材23中元件区域P的基础图案之外。换句话说,已经关于第一实施例描述的制作方法使得LED封装能够通过改变掩模22a、22b的图案而制作成各种形式。除上述之外,本实施例的结构、制作方法和操作/工作效果与第一实施例的相同。
下面将提供第三实施例的描述。
图11是示意出根据本实施例的LED封装的透视图。
图12是示意出根据本实施例的LED封装的剖视图。
如图11和12中所示,除根据第一实施例的LED封装1的结构(参考图1)之外,根据本实施例的LED封装3包括稳压二极管(Zener diode)芯片36和类似部件。稳压二极管芯片36连接在引线框11和引线框12之间。明确地说,由导电材料例如焊料或银膏制成的芯片安装材料37被依附在引线框12的上表面上,而稳压二极管芯片36放置在芯片安装材料37上。因而,利用放入它们之间的芯片安装材料37,稳压二极管芯片36被安装于引线框12上,而利用放入它们之间的芯片安装材料37,稳压二极管芯片36的下表面端子(未示出)被连接至引线框12。另外,稳压二极管芯片36的上表面端子36a通过线材38连接至引线框11。明确地说,线材38的端部连接至稳压二极管芯片36的上表面端子36a。线材38被从上表面端子36a在+Z方向上引出,并在-Z方向和-X方向之间的方向上弯曲。线材38的另一端焊接到引线框11的上表面上。
因此,本实施例可以并行连接稳压二极管芯片36和LED芯片14。因此,本实施例提高了静电放电(ESD)阻抗。除上述之外,本实施例的结构、制作方法和操作/工作效果与第一实施例的相同。
下面将提供第四实施例的描述。
图13是示意出根据本实施例的LED封装的透视图。
图14是示意出根据本实施例的LED封装的剖视图。
如图13和14中所示,根据本实施例的LED封装4与根据第三实施例的LED封装3(参考图11)不同的方面在于稳压二极管芯片36安装于引线框11上。在这种情况下,利用放入它们之间的芯片安装材料37,稳压二极管芯片36的下表面端子被连接至引线框11,而其上表面端子通过线材38连接至引线框12。除上述之外,本实施例的结构、制作方法和操作/工作效果与第三实施例的相同。
下面将提供第五实施例的描述。
图15是示意出根据本实施例的LED封装的透视图。
图16A是示意出根据本实施例的LED封装的平面图,而图16B是其侧视图。
如图15以及图16A和16B中所示,根据本实施例的LED封装5与根据第一实施例的LED封装1(参考图1)不同的方面在于引线框的形状和LED芯片类型。
明确地说,LED封装5包括成对的引线框41、42。引线框42在+X方向上与引线框41相邻放置。另外,引线框42在X方向上的长度比引线框41在X方向上的长度短。
在引线框41中,六个延伸部分41b至41g从基础部分41a开始延伸。延伸部分41b、41c从基础部分41a的边缘的相应两个端部部分附近开始在+Y方向上延伸,所述边缘朝向+Y方向。延伸部分41d、41e从基础部分41a的边缘的两个端部部分开始在-X方向上延伸,所述边缘朝向-X方向。延伸部分41f、41g从基础部分41a的边缘的相应两个端部部分附近开始在-Y方向上延伸,所述边缘朝向-Y方向。另外,在基础部分41a的下表面的X方向上的中心部分上形成突出部分41h。另一方面,没有形成基础部分41a的突出部分41h的部分,也就是+X方向上的端部,是薄板部分41t。另外,在+X方向上进入引线框41的切口41i形成于延伸部分41d、41e之间的引线框41的面积内。切口41i进入突出部分41h,并在Z方向上穿透引线框41。因此,从下面(-Z方向上)看,突出部分41h具有特殊形状。该特殊形状包括第一近似直线、第二近似直线以及第三近似直线,第一和第二直线近似平行,而第三直线近似垂直于第一和第二直线。第一和第二直线具有大约相等的长度。第三直线的一端连接到第一直线的一端,而第三直线的另一端连接到第二直线的一端。第一和第二直线位于第三直线近的相同侧。也就是,在Z方向上穿透的切口41i形成于引线框41的下表面从透明树脂体17中暴露的部分上。
在引线框42中,四个延伸部分42b至42e从基础部分42a开始延伸。延伸部分42b从基础部分42a的整个边缘开始在+Y方向上延伸,所述边缘朝向+Y方向。延伸部分42c从基础部分42a的整个边缘开始在-Y方向上延伸,所述边缘朝向-Y方向。延伸部分42d、42e从基础部分42a的边缘的两个端部部分开始在+X方向上延伸,所述边缘朝向+X方向。另外,突出部分42h形成于基础部分42a的下表面的X方向上的中心部分上。另一方面,没有形成基础部分42a的突出部分42h的部分,也就是-X方向上的端部,是薄板部分42t。另外,在-X方向上进入引线框42的切口42i形成于延伸部分42d、42e之间的引线框42的面积内。切口42i进入突出部分42h,并且在Z方向上穿透引线框42。因此,从-Z方向上看,突出部分42h具有上述的特殊形状。也就是,在Z方向上穿透的切口42i形成于引线框42的下表面从透明树脂体17中暴露的部分上。
从X方向上看,延伸部分41b的位置和延伸部分41g的位置彼此一致,延伸部分41c的位置和延伸部分41f的位置彼此一致,以及延伸部分42b的位置和延伸部分42c的位置彼此一致。而且,从Y方向上看,延伸部分41d的位置和延伸部分42e的位置彼此一致,延伸部分41e的位置和延伸部分42d的位置彼此一致,以及切口41i的位置和切口42i的位置彼此一致。
导电的芯片安装材料43被放置于引线框41的上表面41j上的延伸部分41b、41g之间的中间面积上。LED芯片44安装于芯片安装材料43上。LED芯片44是竖直地-导电芯片。下表面端子(未示出)被提供于LED芯片44的下表面上,而上表面端子44a被提供于LED芯片44的上表面上。LED芯片44的下表面端子通过放入它们之间的芯片安装材料43连接到引线框41上。另一方面,LED芯片44的上表面端子44a通过线材45连接到引线框42上,明确地说,线材45的端部部分45a被焊接至LED芯片44的上表面端子44a上,而另一端部部分45b被焊接到引线框42的上表面42j上的延伸部分42b、42c之间的中间面积上。请注意,芯片安装材料43例如由银膏或金属焊料制成;并且线材45例如由金制成。
线材45的端部部分45a被从上表面端子44a几乎水平地(在+X方向上)引出,而线材45的端部部分45b被从上表面42j几乎垂直地(在+Z方向上)引出。明确地说,引线框41的上表面41j(XY坐标平面)和线材45被从上面端子44a上引出的方向(几乎相对于+X方向)之间的角度小于引线框42的上表面42j(XY坐标平面)和线材45被从引线框42上引出的方向(几乎相对于+Z方向)之间的角度。在本实施例中,线材45的焊接通过首先将端部部分45b焊接到引线框42的上表面42j;再将端部部分45a焊接到LED芯片44的上表面端子44a上而实现。这样实现了上述引线角度之间的大-小关系。
在本实施例中,类似于上面的第一实施例,透明树脂体17覆盖引线框41和42、芯片安装材料43、LED芯片44和线材45,并且透明树脂体17的外观形成LED封装5外观的一部分。引线框41的突出部分41h的下表面以及引线框42的突出部分42h的下表面暴露在透明树脂体17的下表面上彼此分开的区域上。并且引线框41和42的每个延伸部分的末端边缘表面被暴露于透明树脂体17的侧表面上。透明树脂体17进入切口41i和42i里面。
下面将描述本实施例的效果。
如图16A和16B中所示,根据本实施例的LED封装5被安装于将要使用的安装板120上。在安装时,焊料填角(solder fillet)125和126形成于安装板120的安装表面121上彼此分开的两个矩形区域内。下一步,将LED封装5放置于安装表面121上。这里,引线框41的突出部分41h的下表面放置成与焊料填角125接触,而且引线框42的突出部分42h的下表面放置成与焊料填角126接触。在+Z方向上看,除切口41i外,突出部分41h的外部边缘与焊料填角125的外部边缘一致,而除切口42i外,突出部分42h的外部边缘与焊料填角126的外部边缘一致。下一步,一次进行热处理并熔化焊料填角125和126,随后凝固。这导致引线框41通过焊料填角125焊接到安装板120上,并且导致引线框42通过焊料填角126焊接到安装板120上。因而,LED封装5被安装到安装板120上。
在本实施例中,因为切口41i形成于引线框41上,所以通过透明树脂体17和切口41i在+Z方向上观察安装表面121,可以检查焊料填角125是否存在,即使在LED封装5与安装表面121接触之后。同样,因为切口42i形成于引线框42上,所以通过透明树脂体17和切口42i在+Z方向上观察安装表面121,可以检查焊料填角126是否存在,即使在LED封装5与安装表面121接触之后。特别地,透明树脂体17由透明树脂制成并且不包含磷,因此,可见光透射率很高并且很容易进行观察。透明树脂体17进入到切口41i和42i里面,因而引线框41和42到透明树脂体17上的粘接变得极好并提高了LED封装5的耐用性。
另外,在本实施例中,引线框41的上表面与线材45被从上表面端子44a上引出的方向之间的角度被设置成小于引线框42的上表面与线材45被从引线框42上引出的方向之间的角度。这使其能够约束线材45的环的高度,并因此使LED封装5的总厚度更薄。另外,使用竖直地-导电LED芯片44并且只使用单一线材安全地防止了线材与任何其他线材接触,并同时简化了线材焊接工艺。除上述之外,本实施例的结构、制作方法和操作/工作效果与第一实施例的相同。
这里,在本实施例中,分别在引线框41和42上形成切口41i和42i是举例说明,但在Z方向上穿透的窗口可以形成于每个引线框里面。因而,通过窗口可以检查焊料填角是否存在并且改进了其到透明树脂体上的粘接。
下面将提供第六实施例的描述。
图17是示意出根据本实施例的LED封装的透视图。
如图17中所示,根据本实施例的LED封装6与根据第五实施例的LED封装5(参考图15)不同的方面在于LED芯片安装于其上的引线框的形状。
明确地说,根据本实施例的LED封装6包括引线框51而不是引线框41(参考图15)。在引线框51内,对应于基础部分51a的X方向上的中心部分的上表面51j上的面积低于上表面51j上的剩余部分。换句话说,在引线框51的上表面51j的X方向上的中心部分上形成有凹进部分51k,并且LED芯片44被置于凹进部分51k里面。
由于在引线框51上形成有凹进部分51k,并且LED芯片44位于凹进部分51k里面,本实施例能够进一步降低LED封装的高度。除上述之外,本实施例的结构、制作方法和操作/工作效果与第五实施例的相同。
下面将提供第七实施例的描述。
图18是示意出根据本实施例的LED封装的透视图。
图19A是示意出根据本实施例的LED封装的平面图,而图19B是其侧视图。
如图18以及图19A和19B中所示,根据本实施例的LED封装7与根据第五实施例的LED封装5(参考图15)不同的方面在于LED芯片安装于其上的引线框的形状。
明确地说,从X方向上看,根据本实施例的LED封装7中的LED芯片44安装于其上的引线框61的长度比根据第五实施例的引线框41(参考图15)的长度长。另外,在X方向上彼此分开的两个突出部分61m、61n形成于引线框61的下表面上。突出部分61m在-X方向上与突出部分61n相邻。另外,从X方向上看,没有LED芯片44安装于其上的引线框62的长度也比根据第六实施例的引线框42的长度长。请注意,形成于引线框62的下表面上的突出部分62h的数目为一。
在+X方向上进入的切口61i形成于引线框61的延伸部分61d和延伸部分61e之间的区域内。从-Z方向上看,切口61i的末端边缘位于突出部分61m里面。同样地,在-X方向上进入的切口62i形成于引线框62的延伸部分62d和延伸部分62e之间的区域内。从-Z方向上看,切口62i的末端边缘位于突出部分62h里面。因此,从下面(-Z方向)看,突出部分61m和62h具有前面描述的特殊形状。突出部分61m的形状和尺寸设置成与突出部分62h的形状和尺寸相同,并且突出部分61m、62h关于YZ坐标平面对称。突出部分61m、62h行使LED封装7的外部电极极板的功能。
在本实施例中,用作外部电极极板的突出部分61m、62n的下表面在形状和尺寸方面相同。因此,在将LED封装7安装到安装板120上时,焊料填角125的形状和尺寸可以与焊料填角126的形状和尺寸相同。这使其能够防止曼哈顿现象。而且,类似于上面的第五实施例,在将LED封装7安装到安装板120上时,通过切口61i和62i可以检查焊料填角125和126是否存在。另外,因为透明树脂体17进入切口61i和62i,所以引线框61和62到透明树脂体17上的粘接变得极好。除上述之外,本实施例的结构、制作方法和操作/工作效果与第五实施例的相同。
下面将提供第八实施例的描述。
图20是示意出根据本实施例的LED封装的透视图。
图21是示意出根据本实施例的LED封装的剖视图。
如图20和21中所示,根据本实施例的LED封装8与根据第一实施例的LED封装1(参考图1)不同的方面在于LED封装8包括倒装(flip)LED芯片66而不是具有上表面端子的类型的LED芯片14。明确地说,在根据本实施例的LED封装8中,LED芯片66在下表面上具有两个端子。另外,LED芯片66像桥一样放置于引线框11和引线框12之间的缝隙上方。LED芯片66的一个下表面端子被连接至引线框11,而LED芯片66的另一下表面端子被连接至引线框12。
在本实施例中,在使用倒装LED芯片66的互换过程中去除线材使得能够提高向上提取光的效率,并且同时消除了线材焊接步骤。另外,这还降低了LED封装的高度,并且还防止线材由于透明树脂体17的热应力的原因而断掉。除上述之外,本实施例的结构、制作方法和操作/工作效果与第一实施例的相同。
下面将提供第九实施例的描述。
图22是示意出了根据本实施例的LED封装的透视图。
如图22中所示,本实施例是第一实施例和第五实施例的组合。明确地说,根据本实施例的LED封装9包括引线框11、12,它们已经关于第一实施例(参考图1)进行了描述。已经关于第五实施例(参考图15)描述的竖直-导电LED芯片44被安装于引线框11上。利用放入它们之间的芯片安装材料43,LED芯片44的下表面端子被连接至引线框11,而LED芯片44的上表面端子44a通过线材45被连接至引线框12。
另外,如在第五实施例中那样,线材45的端部部分45a被从上表面端子44a几乎水平地(在+X方向上)引出,而线材45的端部部分45b被从引线框12的上表面几乎垂直地(在+Z方向上)引出。明确地说,引线框11的上表面(XY坐标平面)和线材45被从上表面端子44a上引出的方向(几乎等同于+X方向)之间的角度小于引线框12的上表面(XY坐标平面)和线材45被从引线框12上引出的方向(几乎等同于+Z方向)之间的角度。
类似于第五实施例,本实施例使得能够约束线材45环的高度,并因此使LED封装9的总厚度更薄。另外,使用竖直地-导电LED芯片44并且只使用单一线材安全地防止了线材与任何其他线材接触,并且同时简化了线材焊接工艺。除上述之外,本实施例的结构、制作方法以及操作/工作效果与第一实施例的相同。
下面将提供第十实施例的描述。
图23是示意出根据本实施例的LED封装的剖视图。
如图23中所示,除根据第五实施例的LED封装5的结构(参考图15)外,根据本实施例的LED封装10包括被置于透明树脂体17上的透镜71。透镜71由透明树脂制成,并且是凸面指向上的平凸透镜。例如,通过在下模101的底表面上形成凹部分(参考图5),透镜71可以与透明树脂体17整体形成。否则,透镜71可以,在将透镜71附接在已经预先形成的透明板29上之后,与透明板29(参考图6)被分割成的每个透明树脂体17一起提供。可替代地,透镜71可以附接到透明树脂板29被分割成的每个透明树脂体17上。本实施例能够使从透明树脂体17出来的光通过透镜71聚合在垂直的方向上(+Z方向上),并因此改进了定向。除上述之外,本实施例的结构、制作方法和操作/工作效果与第五实施例的相同。
虽然已经描述了某些实施例,但这些实施例只是通过示例呈现,并不意于限制本发明的范围。相反,此处描述的新颖实施例可以体现为多种其他形式;另外,在不偏离本发明的精神的情况下可以对此处描述的实施例形式制造各种省略、替换和修改。附属权利要求和它们的等效替代意于覆盖落在本发明的范围和精神内的这些形式或修改。
例如,虽然通过湿蚀刻形成引线框片材23已经示出作为第一实施例的实例,但本发明并不限制于这种情况。例如,引线框片材23可以通过机械工具例如压力机形成。另外,虽然将一个LED芯片安装在一个LED封装内已经被示出作为每个前述实施例的实例,但本发明并不限制于这种情况。多个LED芯片可以安装于一个LED封装内。而且,可以在芯片安装材料将被形成的面积和线材将被焊接的面积之间的引线框的上表面上形成凹槽。否则,可以在引线框的上表面上芯片安装材料将被形成的面积上形成凹进部分。这防止芯片安装材料流动并到达将焊接线材的面积,并因此防止芯片安装材料妨碍线材焊接,不考虑所供应的芯片安装材料的量的偏离和芯片安装材料被供应的位置。另外,透明树脂体17可以包含荧光材料。
此外,虽然在每个引线框内的铜板的相应上和下表面上形成镀银层已经示出为第一实施例的实例,但本发明并不限制于这种情况。例如,可以在形成于铜板的相应上和下表面上的镀银层的至少一层上形成镀铑(Rh)层。而且,可以在铜板和每个镀银层之间形成镀铜(Cu)层。否则,可以在铜板的相应上和下表面上形成镀镍(Ni)层,然后在每个镀镍层上形成金-银合金(Au-Ag合金)镀层。
另外,虽然从上面看来具有矩形形状的每个引线框的基础部分已经示出为每个前述实施例及其变异的实例,但基础部分可以具有通过从矩形上切掉至少一个拐角部分而获得的形状。这时,直角或锐角部分被从LED封装的拐角部分及其邻近上去除。由于此原因,斜切的部分不再提供树脂开始脱落或裂纹的起始点。因此,总体上,可以抑制树脂在LED封装中脱落和裂纹。
上述的实施例可以提供一种成本更低的高度耐用LED封装以及制作这种LED封装的方法。

Claims (17)

1.一种LED封装,包括:
彼此分开的第一引线框和第二引线框;
LED芯片,其被设置于所述第一和第二引线框上方,所述LED芯片包括至少包含铟、镓和铝的半导体层,一个端子连接至所述第一引线框,另一个端子连接至所述第二引线框;以及
树脂体,其覆盖所述LED芯片以及覆盖所述第一和第二引线框中每一个的整个上表面、下表面的一部分和部分边缘表面,并暴露所述下表面的剩余部分和所述边缘表面的剩余部分;
所述树脂体的外观是所述LED封装的外观的一部分。
2.根据权利要求1所述的封装,其特征在于,所述树脂体由选自下述的组中的一种树脂制成:环氧树脂、丙烯酸树脂和聚氨酯树脂。
3.根据权利要求1所述的封装,其特征在于,所述树脂体是透明的。
4.根据权利要求1所述的封装,其特征在于,
在所述第一引线框的上表面上形成凹进部分;并且
所述LED芯片安装于所述凹进部分里面。
5.根据权利要求1所述的封装,其特征在于,
第一突出部分形成于所述第一引线框的下表面上,并且第二突出部分形成于所述第二引线框的下表面上;并且
所述第一突出部分的下表面和所述第二突出部分的下表面暴露于所述树脂体的下表面上,而所述第一突出部分的侧表面和所述第二突出部分的侧表面被所述树脂体覆盖。
6.根据权利要求5所述的封装,其特征在于,所述第一突出部分的下表面的形状相当于所述第二突出部分的下表面的形状。
7.根据权利要求5所述的封装,其特征在于,所述第一引线框具有第一边缘而所述第二引线框具有第二边缘,所述第一边缘和所述第二边缘彼此面对,所述第一突出部分形成于与所述第一边缘分开的区域内,所述第二突出部分形成于与所述第二边缘分开的区域内。
8.根据权利要求1所述的封装,其特征在于,所述LED芯片安装于所述第一引线框上,所述一个端子设置于所述LED芯片的下表面上,以及所述另一个端子设置于所述LED芯片的上表面上,所述封装还包括:
由导电材料制成的芯片安装材料,所述芯片安装材料将所述LED芯片粘到所述第一引线框上,并连接所述一个端子和所述第一引线框;以及
线材,其将所述另一个端子连接至所述第二引线框。
9.根据权利要求8所述的封装,其特征在于,所述第一引线框的上表面与所述线材被从所述另一个端子上引出的方向之间的角度被设置成小于所述第二引线框的上表面与所述线材被从所述第二引线框上引出的方向之间的角度。
10.根据权利要求1所述的封装,其特征在于,所述封装还包括设置于所述树脂体上的透镜。
11.根据权利要求1所述的封装,其特征在于,所述第一和第二引线框中的一个包括:
基础部分;以及
多个延伸部分,它们从所述基础部分开始在不同方向上延伸,并且具有被所述树脂体覆盖的下表面和暴露于所述树脂体的侧表面上的边缘表面;以及
所述基础部分的边缘表面被所述树脂体覆盖。
12.根据权利要求1所述的封装,其特征在于,当从上面看时,所述树脂体具有矩形形状,并且所述第一和第二引线框中的至少一个包括:
基础部分,其具有被所述树脂体覆盖的边缘表面;以及
多个延伸部分,它们从所述基础部分开始延伸,并具有被所述树脂体覆盖的下表面和暴露于所述树脂体的三个不同侧表面上的边缘表面。
13.根据权利要求1所述的封装,其特征在于,在所述第一引线框的下表面和所述第二引线框的下表面暴露于所述树脂体上的部分上形成有竖直穿透的切口。
14.一种制作LED封装的方法,包括:
将LED芯片安装到引线框片材的每个元件区域上,将所述LED芯片的一个端子连接至第一引线框,将所述LED芯片的另一个端子连接至第二引线框,所述引线框片材包括以矩阵阵列布置的多个元件区域、形成于每个所述元件区域内的基础图案,所述基础图案包括彼此分开的所述第一和第二引线框,导电材料保持于所述元件区域之间的每个切割面积内,以将相邻的元件区域连接到一起,所述LED芯片包括至少包含铟、镓和铝的半导体层;
形成树脂板,以将所述LED芯片埋入所述树脂板内,所述树脂板覆盖所述引线框片材的每个所述元件区域的整个上表面和下表面的一部分;以及
通过去除位于所述切割面积内的所述引线框片材以及所述树脂板的部分,切割位于所述元件区域内的所述引线框片材以及所述树脂板的部分;
所述切割部分的外观是所述LED封装的外观的一部分。
15.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,所述树脂板由选自下述的组中的一种树脂形成:环氧树脂、丙烯酸树脂和聚氨酯树脂。
16.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,所述树脂板由透明树脂形成。
17.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,所述连接包括:
将所述LED芯片焊接至所述第一引线框的上表面;
将线材的一端焊接至所述第二引线框的上表面;以及
在将所述线材的一端焊接至所述第二引线框的上表面之后,将所述线材的另一端焊接至所述一个端子上。
CN201110032319.9A 2010-01-29 2011-01-26 Led封装及制作led封装的方法 Active CN102142513B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP019782/2010 2010-01-29
JP2010019782 2010-01-29
JP186505/2010 2010-08-23
JP2010186505A JP5383611B2 (ja) 2010-01-29 2010-08-23 Ledパッケージ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102142513A true CN102142513A (zh) 2011-08-03
CN102142513B CN102142513B (zh) 2014-07-16

Family

ID=44340853

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110032319.9A Active CN102142513B (zh) 2010-01-29 2011-01-26 Led封装及制作led封装的方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8637892B2 (zh)
JP (1) JP5383611B2 (zh)
CN (1) CN102142513B (zh)
TW (1) TWI446596B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103187511A (zh) * 2011-12-28 2013-07-03 日亚化学工业株式会社 发光装置用封装成型体
CN103205692A (zh) * 2012-01-16 2013-07-17 昆山允升吉光电科技有限公司 一种蒸镀用掩模板的加工工艺、返修工艺
CN103887410A (zh) * 2012-12-21 2014-06-25 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管制造方法
US9647029B2 (en) 2015-10-12 2017-05-09 Industrial Technology Research Institute Light-emitting device and manufacturing method of a display
CN108666401A (zh) * 2017-03-27 2018-10-16 隆达电子股份有限公司 发光二极管装置及其支架
CN109427946A (zh) * 2017-09-05 2019-03-05 Lg伊诺特有限公司 半导体器件封装件
WO2021056644A1 (zh) * 2019-09-25 2021-04-01 广东晶科电子股份有限公司 一种蚀刻片框架、封装支架和led器件
CN112864297A (zh) * 2019-01-29 2021-05-28 泉州三安半导体科技有限公司 一种led封装器件

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8294166B2 (en) 2006-12-11 2012-10-23 The Regents Of The University Of California Transparent light emitting diodes
TWI365525B (en) * 2007-12-24 2012-06-01 Ind Tech Res Inst An ultra thin package for a sensor chip of a micro electro mechanical system
JP5464825B2 (ja) * 2008-07-23 2014-04-09 ローム株式会社 Ledモジュール
JP5217800B2 (ja) 2008-09-03 2013-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
KR101034054B1 (ko) * 2009-10-22 2011-05-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
CN102222625A (zh) * 2010-04-16 2011-10-19 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其基座的制造方法
JP5528900B2 (ja) * 2010-04-30 2014-06-25 ローム株式会社 発光素子モジュール
MY170920A (en) * 2010-11-02 2019-09-17 Carsem M Sdn Bhd Leadframe package with recessed cavity for led
KR101851818B1 (ko) 2010-11-11 2018-06-04 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치와 회로 기판의 제조 방법
MY156107A (en) * 2011-11-01 2016-01-15 Carsem M Sdn Bhd Large panel leadframe
KR101908656B1 (ko) * 2012-04-09 2018-10-16 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
US9166131B2 (en) * 2013-07-17 2015-10-20 Tai-Yin Huang Composite LED package and its application to light tubes
JP2015095486A (ja) * 2013-11-08 2015-05-18 アイシン精機株式会社 半導体装置
TW201543720A (zh) * 2014-05-06 2015-11-16 Genesis Photonics Inc 封裝結構及其製備方法
DE102014119390A1 (de) * 2014-12-22 2016-06-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
JP6573356B2 (ja) * 2015-01-22 2019-09-11 大口マテリアル株式会社 リードフレーム
US11195269B2 (en) * 2015-03-27 2021-12-07 Texas Instruments Incorporated Exposed pad integrated circuit package
JP6896038B2 (ja) * 2015-05-12 2021-06-30 三菱電機株式会社 表示装置
CN106571383B (zh) 2015-10-08 2020-04-28 联华电子股份有限公司 半导体元件及其制作方法
WO2017091051A1 (ko) * 2015-11-27 2017-06-01 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 조명 장치
JP6977338B2 (ja) * 2017-07-03 2021-12-08 大日本印刷株式会社 Ledモジュール
US10998256B2 (en) * 2018-12-31 2021-05-04 Texas Instruments Incorporated High voltage semiconductor device lead frame and method of fabrication
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6888231B2 (en) * 2000-05-15 2005-05-03 Rohm Co., Ltd. Surface mounting semiconductor device
JP2008218469A (ja) * 2007-02-28 2008-09-18 Rohm Co Ltd 半導体装置の製造方法
WO2009082177A2 (en) * 2007-12-24 2009-07-02 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light emitting diode package

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5798536A (en) * 1996-01-25 1998-08-25 Rohm Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device and method for manufacturing the same
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
DE10131698A1 (de) * 2001-06-29 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP2003110145A (ja) 2001-09-27 2003-04-11 Harvatek Corp 発光ダイオード用の翼形表面実装パッケージ
JP2003110080A (ja) 2001-09-28 2003-04-11 Citizen Electronics Co Ltd 半導体装置
US7242033B2 (en) * 2002-03-08 2007-07-10 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device using LED chip
US6830496B2 (en) * 2003-01-22 2004-12-14 Kaylu Industrial Corporation Method of fabricating light emitting diode device with multiple encapsulants
JP4522049B2 (ja) 2003-02-14 2010-08-11 三洋電機株式会社 半導体装置
JP3910171B2 (ja) 2003-02-18 2007-04-25 シャープ株式会社 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置
US20040227151A1 (en) * 2003-03-31 2004-11-18 Hitachi Cable, Ltd. Light emitting diode
TWI275189B (en) * 2003-12-30 2007-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting and/or radiation-receiving semiconductor component and method for producing such component
JP2006093672A (ja) 2004-08-26 2006-04-06 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP3999780B2 (ja) 2004-11-16 2007-10-31 日電精密工業株式会社 リードフレームの製造方法
JP2007027281A (ja) 2005-07-13 2007-02-01 Toshiba Corp 半導体装置
US8044418B2 (en) * 2006-07-13 2011-10-25 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state light emitting devices
JP4865525B2 (ja) * 2006-08-03 2012-02-01 イッツウェル カンパニー リミテッド Sml型発光ダイオードランプ用素子およびその製造方法
JP4306772B2 (ja) 2006-10-05 2009-08-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5368982B2 (ja) * 2007-06-14 2013-12-18 ローム株式会社 半導体発光装置
TWI455672B (zh) 2007-07-06 2014-10-01 Murata Manufacturing Co A method for forming a hole for connecting a conductor for a layer, a method for manufacturing a resin substrate and a component-mounted substrate, and a method of manufacturing a resin substrate and a component
KR100998233B1 (ko) * 2007-12-03 2010-12-07 서울반도체 주식회사 슬림형 led 패키지
US20100327044A1 (en) * 2008-02-25 2010-12-30 Panasonic Corporation Method for manufacturing electronic component module
JP2011159767A (ja) * 2010-01-29 2011-08-18 Toshiba Corp Ledパッケージ及びその製造方法
JP5010693B2 (ja) * 2010-01-29 2012-08-29 株式会社東芝 Ledパッケージ
JP5010716B2 (ja) * 2010-01-29 2012-08-29 株式会社東芝 Ledパッケージ
CN102473827A (zh) * 2010-01-29 2012-05-23 株式会社东芝 Led封装及其制造方法
JP4951090B2 (ja) * 2010-01-29 2012-06-13 株式会社東芝 Ledパッケージ
JP2011165833A (ja) * 2010-02-08 2011-08-25 Toshiba Corp Ledモジュール
JP2011253910A (ja) * 2010-06-01 2011-12-15 Toshiba Corp 発光装置
JP2012113919A (ja) * 2010-11-24 2012-06-14 Toshiba Corp 照明装置
JP2012114286A (ja) * 2010-11-25 2012-06-14 Toshiba Corp Ledパッケージ
JP2012234955A (ja) * 2011-04-28 2012-11-29 Toshiba Corp Ledパッケージ及びその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6888231B2 (en) * 2000-05-15 2005-05-03 Rohm Co., Ltd. Surface mounting semiconductor device
JP2008218469A (ja) * 2007-02-28 2008-09-18 Rohm Co Ltd 半導体装置の製造方法
WO2009082177A2 (en) * 2007-12-24 2009-07-02 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light emitting diode package

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103187511A (zh) * 2011-12-28 2013-07-03 日亚化学工业株式会社 发光装置用封装成型体
CN103205692A (zh) * 2012-01-16 2013-07-17 昆山允升吉光电科技有限公司 一种蒸镀用掩模板的加工工艺、返修工艺
CN103887410A (zh) * 2012-12-21 2014-06-25 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管制造方法
CN103887410B (zh) * 2012-12-21 2017-02-01 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管制造方法
US9647029B2 (en) 2015-10-12 2017-05-09 Industrial Technology Research Institute Light-emitting device and manufacturing method of a display
CN108666401A (zh) * 2017-03-27 2018-10-16 隆达电子股份有限公司 发光二极管装置及其支架
CN109427946A (zh) * 2017-09-05 2019-03-05 Lg伊诺特有限公司 半导体器件封装件
US11335843B2 (en) 2017-09-05 2022-05-17 Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor device package
CN109427946B (zh) * 2017-09-05 2022-05-20 苏州乐琻半导体有限公司 半导体器件封装件
CN112864297A (zh) * 2019-01-29 2021-05-28 泉州三安半导体科技有限公司 一种led封装器件
CN112864297B (zh) * 2019-01-29 2022-06-28 泉州三安半导体科技有限公司 一种led封装器件
WO2021056644A1 (zh) * 2019-09-25 2021-04-01 广东晶科电子股份有限公司 一种蚀刻片框架、封装支架和led器件

Also Published As

Publication number Publication date
TWI446596B (zh) 2014-07-21
JP5383611B2 (ja) 2014-01-08
JP2011176271A (ja) 2011-09-08
US8637892B2 (en) 2014-01-28
TW201145616A (en) 2011-12-16
US20110186902A1 (en) 2011-08-04
CN102142513B (zh) 2014-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102142513B (zh) Led封装及制作led封装的方法
JP4947929B2 (ja) 発光ダイオードパッケージ及びその製造プロセス
CN104282674B (zh) 发光装置
CN102760825A (zh) Led封装及其制造方法
JP5279225B2 (ja) 発光モジュールおよびその製造方法
US8283681B2 (en) Lighting device and method of manufacturing the same
US9537065B2 (en) Light-emitting device with reflective resin
CN102522485B (zh) 半导体发光装置
CN101939851B (zh) 发光组件以及其制造方法
CN102569277A (zh) Led 封装及其制造方法
CN100380694C (zh) 一种倒装led芯片的封装方法
CN102142512A (zh) Led封装
CN203038965U (zh) 发光元件
CN105098029A (zh) 发光装置
CN102142506A (zh) Led封装及其制造方法
CN102142504A (zh) Led封装、led封装的制造方法及包装部件
CN102473827A (zh) Led封装及其制造方法
JP6337873B2 (ja) パッケージ、パッケージ中間体、発光装置及びそれらの製造方法
CN101847626B (zh) 发光装置
CN1355571A (zh) 发光二极管的封装方法
US8716734B2 (en) Light emitting diode package having a portion of reflection cup material covering electrode layer on side surfaces of substrate
JP2003304000A (ja) 発光ダイオード用パッケージの製造方法
JP2000049383A (ja) 光電変換素子及びその製造方法
CN1327536C (zh) Led灯及其制造方法
CN108538997A (zh) 表面贴装型支架和多芯片光电器件

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20180709

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: Toshiba electronic components and storage plant

Address before: Tokyo, Japan, Japan

Patentee before: Toshiba Corp

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20180925

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee after: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Toshiba electronic components and storage plant