CN103187511A - 发光装置用封装成型体 - Google Patents
发光装置用封装成型体 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103187511A CN103187511A CN2012105861510A CN201210586151A CN103187511A CN 103187511 A CN103187511 A CN 103187511A CN 2012105861510 A CN2012105861510 A CN 2012105861510A CN 201210586151 A CN201210586151 A CN 201210586151A CN 103187511 A CN103187511 A CN 103187511A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- notch
- lead
- edge part
- luminous component
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 49
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 128
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 38
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 16
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 47
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 31
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 14
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 13
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 13
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910016334 Bi—In Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016331 Bi—Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910020836 Sn-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020830 Sn-Bi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020888 Sn-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020882 Sn-Cu-Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020935 Sn-Sb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020988 Sn—Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018728 Sn—Bi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019204 Sn—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008757 Sn—Sb Inorganic materials 0.000 description 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V21/00—Supporting, suspending, or attaching arrangements for lighting devices; Hand grips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明提供一种能够高精度地安装尺寸不同的发光部件的封装成型体。本发明的封装成型体(10)具有:树脂成型体(11),其具有用于收纳发光部件的凹部(12);和第1导线(20)以及第2导线(30),他们在该树脂成型体的凹部(12)的底面(121)相互分离并露出;第1导线的露出面(21)具有在第1方向上隔着发光部件的载置区域(60)相互对置的第1边缘部(23)以及第2边缘部(25),在第1边缘部(23)具备一个第1切口部(24),且在第2边缘部(25)具备多个第2切口部(26),发光部件的载置区域(60)的上述第1方向的尺寸(60L)在第1切口部(24)与第2切口部(26)之间的距离(601L)以上、且小于第1边缘部(23)与第2边缘部(25)之间的距离(602L)。
Description
技术领域
本发明涉及发光装置用的封装成型体。
背景技术
在以往的发光装置中,公知使封装体的承载(die pad)部的尺寸与发光元件芯片(发光部件)的尺寸匹配,并且在承载部设置用于使多余的焊锡逃逸的突出部(例如专利文献1~2)。通过使承载部的尺寸与芯片的尺寸匹配,能够使芯片与承载部自对准(self-alignment)。另外,通过设置突出部,可抑制焊锡向引线结合区域的侵入,抑制因焊锡过厚导致的芯片倾斜。这样,专利文献1~2的发光装置能够将发光元件芯片高精度地安装于封装体。
另外,为了经由导线将发光部件中的发热高效地向安装基板排出,公知有一种使导线的背面露出到封装体的背面的封装体(专利文献3)。
【专利文献1】日本特开2009-76524号公报
【专利文献2】日本特开2003-264267号公报
【专利文献3】日本特开2008-251937号公报
但是,由于专利文献1~2的发光装置需要使发光元件芯片的尺寸与承载部的尺寸匹配,所以无法将尺寸不同的芯片安装于同一尺寸形状的封装体。因此,每当芯片的尺寸变更时,便需要重新制作与该芯片的尺寸匹配的封装体。
另外,如果将专利文献1~2的发光装置所使用的电极形状应用到能够廉价制造的框架内嵌式树脂封装体,则导线与成型树脂的边界增大。如果利用密封树脂将树脂封装体的表面密封,则密封树脂有可能通过导线与成型树脂的边界漏出到树脂封装体的背面。当在树脂封装体的背面设有外部导线时,外部导线部会被密封树脂污染,导致焊锡的润沾性变差。在如专利文献3那样,使导线的背面露出到封装体的背面的封装体中,密封树脂的漏出更加显著。
发明内容
鉴于此,本发明的第1目的在于,提供能够将尺寸不同的发光部件高精度地安装到规定位置的封装成型体。
另外,本发明的第2目的在于,提供能够将发光部件自对准地安装,并能够抑制用于密封发光部件的密封树脂向背面漏出的封装成型体。
本发明的第1封装成型体用于实现第1目的,具有:树脂成型体,其具有用于收纳发光部件的凹部;和第1导线以及第2导线,它们在该树脂成型体的凹部的底面相互分离并露出;其中,上述第1导线的露出面具有在第1方向上隔着发光部件的载置区域相互对置的第1边缘部以及第2边缘部,在第1边缘部具备一个第1切口部,并且,在第2边缘部具备多个第2切口部,发光部件的载置区域的上述第1方向的尺寸在第1切口部与第2切口部之间的距离以上,且小于第1边缘部与第2边缘部之间的距离。
本说明书的“发光部件的载置区域”是指在第1导线的露出面上,被预先规定为要载置发光部件的部位的区域。载置区域的尺寸形状与实际载置的发光部件为相同的尺寸形状。另外,载置区域的位置根据封装成型体的设计上的观点、和所载置的发光部件的尺寸形状来决定。
本说明书的“切口部”是在第1导线的露出面上为了使边缘部凸凹而设置的部分。切口部可以被设成从第1导线的露出面贯通到背面,或者也可以被设成设在第1导线的露出面且不贯通到背面的所谓“凹部”。
根据本发明的第1封装成型体,通过使发光部件的载置区域的第1方向的尺寸在第1切口部与第2切口部之间的距离以上,且小于第1边缘部与第2边缘部之间的距离,能够使发光部件的长度方向的位置高精度地自对准安装到载置位置。
另外,根据本发明的第1封装成型体,由于能够根据载置区域来恰当地设定多个第2切口部,所以发光部件的第2方向(与第1方向正交的方向)的位置也能够自对准安装到载置区域。
在本说明书中,“自对准”是指即使在借助焊锡将发光部件设置到第1导线的露出面上时发光部件的位置从载置区域偏移,也能够在回流中利用焊锡的表面张力将发光部件(自动地)再定位到载置位置的情况。
本发明的第2封装成型体也用于实现第1目的,具有:树脂成型体,其具有用于收纳发光部件的凹部;和第1导线以及第2导线,它们在该树脂成型体的凹部的底面相互分离并露出;其中,上述第1导线的露出面具备在第1方向相互对置的一个第1切口部和多个第2切口部,并具备在与上述第1方向正交的第2方向相互对置的第3切口部和第4切口部,在上述第1方向上,上述多个第2切口部被配置在上述第1切口部与第2导线之间。
“在第1方向相互对置的一个第1切口部和多个第2切口部”是指一个第1切口部与多个第2切口部的整体在第1方向对置。因此,不必一定是第1切口部与第2切口部都形成在沿着第1方向延伸的直线上。
在本发明的第2封装成型体中,在第1导线的露出面形成有第1切口部~第4切口部,第1切口部与第2切口部在第1方向对置,第3切口部与第4切口部在第2方向对置。因此,如果将发光部件安装到第1导线的露出面,则第1方向上的发光部件的位置通过第1切口部以及第2切口部而自对准,第2方向上的发光部件的位置通过第3切口部以及第4切口部而自对准。
因此,在本发明的第2封装成型体中,在第1导线的露出面,能够在由第1切口部~第4切口部围起的范围内自对准安装发光部件。
本发明的第3封装成型体为了实现第2目的,具有:树脂成型体,其具有用于收纳发光部件的凹部;和第1导线以及第2导线,它们在该树脂成型体的凹部的底面以及该树脂成型体的背面相互分离露出;其中,在上述凹部的底面露出的上述第1导线的露出面具有在第1方向隔着上述发光部件的载置区域相互对置的第1边缘部和第2边缘部,在上述第1边缘部具备被填充了上述树脂成型体的第1切口部,上述树脂成型体的凹部的内侧面与上述第1边缘部相接,上述树脂成型体的凹部具有从该内侧面突出的突出部,由该突出部局部覆盖上述第1切口部,其中,未被覆盖的是上述第1切口部的顶部,上述发光部件的载置区域的上述第1方向的尺寸在上述第1切口部的顶部与上述第2边缘部之间的距离以上,且小于上述突出部与上述第2边缘部之间的距离。
这里,“树脂成型体的背面”是指树脂成型体的与形成有凹部的面相反一侧的面。
根据本发明的第3封装成型体,通过使发光部件的载置区域的第1方向的尺寸在第1切口部的顶部与第2边缘部之间的距离以上,且小于突出部与第2边缘部之间的距离,能够将发光部件的第1方向的位置高精度地自对准安装到载置位置。
而且,根据本发明的第3封装成型体,通过从树脂成型体的凹部的内侧面朝向凹部内突出的突出部局部覆盖第1切口部,能够有效地抑制密封树脂从第1切口部的周边漏出到封装成型体的背面。其中,由于突出部不覆盖第1切口部的顶部,所以还不存在对由第1切口部实现的发光部件的自对准的效果加以阻碍的可能性。
本发明的第1封装成型体能够通过第1切口部与多个第2切口部来高精度自对准安装发光部件。而且,由于该自对准效果能够与发光部件的第2方向的尺寸无关地获得,所以本发明的封装成型体可以将尺寸不同的发光部件高精度安装到载置区域。
本发明的第2封装成型体能够通过第1切口部~第4切口部在第1方向以及第2方向中的任意一个方向对发光部件进行自对准安装。
本发明的第3封装成型体能够通过第1切口部来自对准安装发光部件,进而能够通过突出部来抑制对发光部件进行密封的密封树脂向背面的漏出。
附图说明
图1是第1实施方式涉及的发光装置的立体图。
图2是表示利用密封树脂来密封图1的发光装置之前的状态的立体图。
图3是图2所示的密封前的发光装置的主视图。
图4是图1所示的发光装置的剖视图。
图5是图2所示的发光装置中载置的发光部件的立体图。
图6是图2所示的发光装置所使用的封装成型体的主视图。
图7是用于对在图6所示的封装成型体中载置有发光部件的状态进行说明的主视图。
图8是其他的发光装置中使用的封装成型体的主视图。
图9是用于对图8所示的封装成型体中载置了发光部件的状态进行说明的主视图。
图10(a)是封装成型体的主视图,图10(b)以及(c)是封装成型体的剖视图。
图11(a)是封装成型体的后视图,图11(b)以及(c)是封装成型体的剖视图。
图12(a)是图10所示的封装成型体中使用的第1以及第2导线的主视图,图12(b)是第1以及第2导线的后视图。
图13(a)是图12所示的第1导线的主视图,图13(b)以及(c)是第1导线的剖视图。
图14(a)是其他的封装成型体中使用的第1以及第2导线的主视图,图14(b)是第1以及第2导线的后视图,图14(c)是图14(a)的A-A’剖视图,图14(d)是图14(a)的B-B’剖视图。
图15是具备图14所示的第1以及第2导线的封装成型体的主视图。
图16是具备图14所示的第1以及第2导线的封装成型体的后视图。
图17是对封装成型体的制造工序进行说明的流程图。
图18是表示固定于导线框的状态的封装成型体的主视图。
图19是对发光部件的制造工序进行说明的流程图。
图20(a)是次黏着基台(submount)的主视图,图20(b)是具备多个次黏着基台的框的主视图。
图21(a)~(e)是本实施方式涉及的发光装置的主视图。
图22是对发光装置的制造工序进行说明的流程图。
图23是表示对在图21(a)所示的发光装置中使用的封装成型体涂覆了焊锡膏的状态的主视图。
图24是表示对在图21(c)所示的发光装置中使用的封装成型体涂覆了焊锡膏的状态的主视图。
图25是表示对在图21(e)所示的发光装置中使用的封装成型体涂覆了焊锡膏的状态的主视图。
图26是第2实施方式涉及的封装成型体的主视图。
图27(a)是图26所示的封装成型体中使用的第1以及第2导线的主视图,图27(b)是第1以及第2导线的后视图。
图28是表示利用密封树脂将使用了图26所示的封装成型体的发光装置密封之前的状态的主视图。
图29(a)是本发明的实施例涉及的第1发光装置,图29(b)是比较例涉及的发光装置,图29(c)是本发明的实施例涉及的第2发光装置。
图30是表示使用了图29(a)~(c)的发光装置的自对准的实验结果的图表。
具体实施方式
<实施方式1>
本实施方式涉及能够实现本发明的第1目的的封装成型体以及使用了该封装成型体的发光装置。
即,在本实施方式中,公开了能够将尺寸不同的发光部件高精度地安装到规定位置的封装成型体以及使用了该封装成型体的发光装置。
如图1~4所示,本实施方式的发光装置50包括封装成型体10、发光部件40、密封树脂52、和波长变换部件51。
封装成型体10具有:树脂成型体11,其具有用于收纳发光部件40的凹部12;和第1导线20以及第2导线30,它们在该树脂成型体11的凹部12的底面121相互分离地露出。在凹部12内,发光部件40被载置于第1导线20的露出面21,通过焊线(bonding wire)BW与第2导线30的露出面31电连接。
在本说明书中,“发光部件”是指包括发光元件的部件,包括发光元件(例如LED)本身、含有发光元件和次黏着基台的部件等。本实施方式的发光部件40包含发光元件42、用于保护发光元件42的齐纳二极管43、和载置它们的次黏着基台41(图4、图5),但本发明并不限定于此。
另外,本实施方式的“发光部件”是通过在次黏着基台41上实施金属布线,经由Au等凸块将发光元件42面朝下(face down)安装在该金属布线上,但也可以将发光元件42面朝上(face up)安装到次黏着基台41上而使发光元件直接与焊线连接。通过将载置有发光元件42的次黏着基台41载置到导线上,次黏着基台41能够高效地释放来自发光元件42的热,并且可以通过导线与作为外部电极的电路基板连接。其中,次黏着基台41虽然可以使用AlN、Al2O3、SiC、玻璃环氧基板等,但AlN因热传导率高而优选。
如图6所示,在本实施方式的封装成型体10中,第1导线20的露出面21具有第1边缘部23以及第2边缘部25,该第1边缘部23以及第2边缘部25在第1方向上(本说明书中称为“y方向”或者“长度方向”)隔着发光部件40的载置区域60而相互对置。
在本说明书中,“发光部件40的载置区域60”是在第1导线20的露出面21上,为了载置发光部件40而预先规定的区域。在设计封装成型体10时,考虑发光部件40的发光特性(指向性)、树脂成型体11的凹部12中设置的其他部件等,来设定载置区域60。载置区域60的尺寸形状与所载置的发光部件的尺寸形状大致相等。
另外,在本说明书中,第1导线20的“第1边缘部23”、“第2边缘部25”是指包围第1导线20的露出面21的边缘部之中、沿着与y方向交叉的方向延伸的边缘部。其中,在本实施方式中,由于封装成型体10的树脂成型体11具有从第1边缘部23朝向凹部12内突出的突出部13,所以第1边缘部23成为凹凸的线。另一方面,第2边缘部25若除去第2切口部26,则成为与x方向平行的直线。此外,第1边缘部23、第2边缘部25并不局限于此,例如也可以是相对x方向倾斜的边缘部、或曲线状的边缘部。
第1导线20在第1边缘部23中具备一个第1切口部24,并且,在第2边缘部25中具备多个第2切口部26。在第1切口部24、第2切口部26中装满树脂成型体11。对焊锡而言,在载置发光部件40之际以焊锡膏的形态被供给使用,焊锡在熔融状态下对树脂成型体11润沾性低,对第1导线20润沾性高。因此,如果通过回流使焊锡熔融,则熔融状态下的焊锡集中在第1导线20的露出面21。然后,放在熔融状态下的焊锡上的发光部件40受到焊锡的表面张力的影响而移动(自对准)。发光部件40的长度方向(y方向)的自对准通过第1边缘部23侧的第1切口部24、和第2边缘部25的第2切口部26来控制。从概念上来说,为了使熔融状态下的焊锡的表面最小,发光部件40被自对准成发光部件40的第1边401和第2边402之间的中心线与第1边缘部23的第1切口部24和第2边缘部25的第2切口部26之间的中心线一致。
更详细而言,在本发明中,发光部件40的长度40L(与载置区域60的长度60L一致)在第1切口部24与第2切口部26之间的距离601L以上,且小于第1边缘部23与第2边缘部25之间的距离602L。因此,第1切口部24的顶部24t与发光部件40的第1边401处于同一面,或者顶部24t位于发光部件40的下侧。同样,第2切口部26的顶部26t与发光部件40的第2边402处于同一面,或者顶部26t位于发光部件40的下侧。如上所述,熔融状态下的焊锡变形成表面最小。因此,按照使发光部件40的第1边401与第1切口部24的顶部24t的距离变短的方式对该第1边401施加应力,按照使发光部件40的第2边402与第2切口部26的顶部26t的距离变短的方式对该第2边402施加应力。其结果为,发光部件40被自对准到两条边401、402从熔融焊锡接受的应力平衡的位置(载置区域60)(图7)。
对于该自对准效果而言,除了含有次黏着基台的发光部件40之外,即便是仅由发光元件构成的发光部件40,也能起到同样的效果。
基于上述的理由,通过使载置区域60的长度60L为第1切口部24与第2切口部26之间的距离601L以上,并且小于第1边缘部23与第2边缘部25之间的距离602L,能够将发光部件40的长度方向(y方向)的位置高精度地自对准安装到载置位置60。
其中,载置区域60的“长度60L”是指载置区域60的y方向的尺寸。
“第1切口部24与第2切口部26之间的距离601L”是指从由多个第2切口部26的顶部26t规定的线到第1切口部24的顶部24t为止的距离。
另外,对于“第1边缘部23与第2边缘部25之间的距离602L”,在如图6那样存在突出部13的情况下,最大距离602L是从突出部13的前端13t(第1边缘部23中最接近第2边缘部25的部分)到第2边缘部25的距离。
并且,第1导线20的露出面21还具有第3边缘部27以及第4边缘部28,该第3边缘部27以及第4边缘部28在与第1方向正交的第2方向(本说明书中称为“x方向”或者“宽度方向”)隔着发光部件40的载置区域60相互对置。第3边缘部27以及第4边缘部28是沿着与第1边缘部23以及第2边缘部25交叉的方向延伸的边缘部。在图6~图7中,第3边缘部27以及第4边缘部28与第1边缘部23以及第2边缘部25近似正交,但并不局限于此,也可以相对第1边缘部23以及第2边缘部25倾斜。另外,若除去第3切口部271、第4切口部281,则第3边缘部27以及第4边缘部28成为与y方向平行的直线,但并不局限于此,例如,也可以是相对y方向倾斜的边缘部、或曲线状的边缘部。
在本实施方式中,可使第3边缘部27中具备一个或者多个第3切口部271,并且,第4边缘部28中具备一个或者多个第4切口部281(在图6中分别示出一个)。优选发光部件40的载置区域60的宽度60W在第3切口部271与第4切口部281之间的距离以上,且小于第3边缘部27与第4边缘部28之间的距离。
这里“第3切口部271与第4切口部281之间的距离”是指从第3切口部271的顶部271t到第4切口部281的顶部281t为止的距离。在第3切口部271存在多个的情况下,以具有最接近于第4边缘部28的顶部271t的第3切口部271为基准。同样,在第4切口部281存在多个的情况下,以具有最接近于第3边缘部27的顶部281t的第4切口部281为基准。另外,第3切口部27、第4切口部28中装满树脂成型体11。
第3切口部271以及第4切口部281与上述的第1切口部24以及第2切口部26同样,有助于发光部件40的自对准。从概念上来说,为了使熔融状态下的焊锡的表面最小,发光部件40被自对准成发光部件40的第3边403和第4边404之间的中心线与第3边缘部27的第3切口部271和第4边缘部28的第4切口部281之间的中心线一致。
发光部件40的宽度40W(与载置区域60的宽度60W一致)在第3切口部271与第4切口部281之间的距离以上,且小于第3边缘部27与第4边缘部28之间的距离。因此,第3切口部271的顶部271t与发光部件40的第3边403处于同一面,或者顶部271t位于发光部件40的下侧。同样,第4切口部281的顶部281t与发光部件40的第4边404处于同一面,或者顶部281t位于发光部件40的下侧。如上所述,熔融状态下的焊锡变形成表面张力最小。因此,按照发光部件40的第3边403与第3切口部271的顶部271t的距离变短的方式对该第3边403施加应力,按照发光部件40的第4边404与第4切口部281的顶部281t的距离变短的方式对该第4边404施加应力。其结果为,发光部件40被自对准到两边403、404从熔融焊锡接受的应力平衡的位置(载置区域60)(图7)。
基于上述的理由,通过使载置区域60的宽度60W在第3切口部271与第4切口部281之间的距离以上,且小于第3边缘部27与第4边缘部28之间的距离,能够将发光部件40的宽度方向(x方向)的位置高精度地自对准进而安装到载置位置60。
在本实施方式中,对第1导线20设有第3切口部271以及第4切口部281。然而,在频繁变更载置区域60的宽度60W的情况下(即,在对应于宽度40W不同的发光部件40的情况下),也可以与宽度40W最小的发光部件40匹配地形成第3切口部271以及第4切口部281。由此,在最小宽度的发光部件40中,相对于发光部件40的第3、第4边,第3切口部271、第4切口部281位于最佳位置,在宽度40W更宽的发光部件40中,由于第3切口部271的顶部271t、第4切口部281的顶部281t位于发光部件40的下侧,所以使用任意一个发光部件40都能够获得自对准效果。但是,由于从第3切口部271、第4切口部281露出的树脂成型体11排斥熔融状态下的焊锡,所以在位于发光部件40的下侧的第3切口部271、第4切口部281的面积大的情况下,发光部件40与第1导线20的接合强度降低。在这样的情况下,也可以不形成第3切口部271以及第4切口部281。
本实施方式中的焊锡除了Au-Sn膏之外,还可以采用Sn-Ag膏、Sn-Ag-Cu膏、Sn-Ag-Cu-Bi膏、Sn-Ag-Cu-Bi-In膏、Sn-Ag-Bi-In膏、Sn-Bi-Ag膏、Sn-Bi膏、Sn-Cu膏、Sn-Cu-Ni膏、Sn-Sb膏等。
密封树脂52用于对收容了发光部件40的树脂成型体11的凹部12进行密封,保护发光部件40不受外部环境影响。密封树脂52可以由单一层形成,也可以由多层(例如,底层填料(under fill)521与外涂层522的双层)构成。作为密封树脂的材料,可采用硅酮树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂或者含有这些的一个以上的树脂。另外,可在密封树脂52中分散氧化钛、二氧化硅、二氧化钛、二氧化锆、氧化铝、氮化铝等光散射粒子。
波长变换部件51是由含有对来自发光部件40的发光元件42的发光的波长进行变换的材料(荧光体等)的玻璃或树脂形成的部件,在本实施方式中,波长变换部件51被固定在发光元件42的上表面。例如在发出白色光的发光装置50中,可以将发出蓝色光的发光元件42、与吸收蓝色光而发出黄色光的波长变换部件51(例如在玻璃中分散了YAG的YAG玻璃)组合。
图8表示了含有一个发光元件42的发光部件40的载置区域60(61)。载置区域61的长度61L(y方向的尺寸)与图6所示的载置区域60的长度60L同样,在距离601L以上且小于距离602L。另一方面,载置区域61的宽度61W与图6所示的载置区域60的宽度60W相比,约为1/5。这是因为,由于多个发光元件42沿着发光部件40的宽度方向(x方向)排列成直线状,所以使用了与发光元件42的个数相符的宽度的次黏着基台41(图7、图9)。
如图8那样,优选多个第2切口部26中的两个(26b、26d)位于载置区域61的角部。当在载置区域61载置了发光部件40时,第2切口部26b对发光部件40的左下的角部造成影响。即,通过第2切口部26b能够进行发光部件40的第2边402的y方向的自对准、和第3边403的x方向上的自对准。
同样,第2切口部26d对发光部件40的右下的角部造成影响。即,通过第2切口部26d能够进行发光部件40的第2边402的y方向的自对准、和第4边404的x方向上的自对准。
这样,通过两个第2切口部26(26b、26d)位于载置区域61的角部,能够使发光部件40除了在y方向上自对准之外,还在x方向上自对准。但是,在需要更精确的自对准的情况下,优选在第3边缘部27以及第4边缘部28设置第3切口部271、第4切口部281。
另外,通过使两个第2切口部26位于载置区域61的角部,还具有对发光部件40旋转加以抑制的效果。
另外,基于以下的理由,优选第1切口部24的宽度24W为0.2~1.2mm,更优选为0.6~0.9mm。
如图6那样,第1导线20的露出面21中的、从第1导线20的第1边缘部23与载置区域60之间露出的部分作为存积焊锡的“第1存积区域”发挥功能。例如,由于能够将介于第1导线20与发光部件40之间的多余焊锡排出到第1存积区域,所以能够在第1导线20与发光部件40之间残留适量的焊锡。结果,能够使焊锡的厚度均匀,能够水平载置发光部件40。
由于第1存积区域被第1切口部24在宽度方向上划分成2份,所以若第1切口部24的宽度24W变宽,则第1存积区域变窄,能够存积的焊锡量减少。鉴于此,如果将第1切口部24的宽度24W设在1.2mm以下,则由于能够确保存积区域的面积,所以能够从第1导线20与发光部件40之间充分排出多余的焊锡。结果为,能够水平载置发光部件40。
另一方面,第1切口部24有助于第1边缘部23侧的发光部件40的自对准。另外,若第1切口部24的宽度24W变窄,则自对准效果降低。鉴于此,若将第1切口部24的宽度24W设在0.2mm以上,则由于自对准的效果提高,故优选。
若如以上那样将第1切口部24的宽度24W设为0.2~1.2mm,则可提高能够水平载置发光部件40的效果,并且,能够提高发光部件40的自对准的效果。
优选第1切口部24的宽度24W比发光部件40的载置区域60的宽度60W窄。若使第1切口部24的宽度24W比载置区域60的宽度60W窄,则载置区域60中的发光部件40的第1边401所对应的边与存积焊锡的“第1存积区域”接触。因此,第1导线20与第1导线20的载置区域60上载置的发光部件40之间的多余焊锡能够通过载置区域60中的发光部件40的第1边401所对应的边,被顺畅地排出到第1存积区域。
更优选若第1切口部24的宽度24W在发光部件40的宽度40W的55%以下,特别优选在30%以下,则由于第1存积区域与载置发光部件40的载置区域60之间的接触部分增加,所以能够从发光部件40与第1导线1之间更顺畅地排出多余的焊锡。
另外,基于以下的理由,优选第2切口部26的宽度26W为0.2~0.9mm,更优选为0.2~0.5mm。
第1导线20的露出面21中的、从第1导线20的第2边缘部25与载置区域60之间露出的部分作为存积焊锡的“第2存积区域”发挥功能。由于通过使宽度26W在0.9mm以下,第2存积区域的面积变大,所以能够抑制从第1导线20与发光部件40之间排出的多余焊锡越过第1导线20与第2导线30之间装满的树脂成型体11而溢出到第2导线30的情况。由此,可抑制焊锡附着在第2导线30的露出面31,能够减少第2导线30与焊线BW(图7)的连接不良。另外,还能够抑制第1导线20与第2导线30因多余的焊锡而短路。其中,由于与位于第1边缘部24侧的第1存积区域相比,第2存积区域较窄,所以大量的焊锡被排出到第1存积区域。
另外,如果将发光部件40载置到焊锡膏上,则焊锡膏从第1导线20渗出,到达在第1导线20与第2导线30之间装满的树脂成型体11的表面。然后由于通过回流,熔融状态下的焊锡对树脂成型体11的润沾性低,所以自然集中在第1导线20的露出面21。但是,有时熔融状态下的焊锡停留在树脂成型体11上而形成焊锡球SB(图23~图25)。焊锡球SB若在发光装置的制造工序中移动到第2导线30上而附着在第2导线30的露出面31,则会引起第2导线30与焊线BW的连接不良。这里,若将第2切口部26的宽度26W设在0.9mm以下,则在树脂成型体11上熔融状态下的焊锡容易被引向第1导线20,能够抑制焊锡球SB的形成。在如本实施方式那样,第1导线20的露出面21的第2边缘部25与第2导线30的露出面31的边缘部对置的情况下,该作用效果特别令人满意。
另一方面,第2切口部26有助于第2边缘部25侧的发光部件40的自对准。另外,如果第2切口部26的宽度26W变窄,则自对准效果降低。鉴于此,若将第2切口部26的宽度26W设在0.2mm以上,则由于自对准的效果提高,故优选。
若如以上那样将第2切口部26的宽度26W设为0.2~0.9mm,则能够抑制第2导线30的露出面31被污染,并能够抑制第1导线20与第2导线30的短路,并且,能够提高发光部件40的自对准的效果。
其中,使第1导线20的露出面21的第1边缘部23与第2导线30的露出面31的边缘部对置的封装成型体10也包括在本申请的范围内。然而,如果使第1导线20的露出面21的第2边缘部25与第2导线30的露出面31的边缘部对置,则在下述方面有利,即:可获得抑制在从第1导线20与第2导线30之间露出的树脂成型体11的表面形成焊锡球SB的效果。
再次参照图7,优选形成第1切口部24的区域的宽度24AW比形成第2切口部26的区域的宽度26AW窄。
这里“形成第2切口部26的区域的宽度26AW”是在第2边缘部25中形成有多个第2切口部26的区域整体的宽度。若以图7为例,则“区域的宽度26AW”是形成有5个第2切口部26a~26e的区域整体的宽度。
“形成第1切口部24的区域的宽度24AW”是在第1边缘部23中形成有第1切口部24的区域整体的宽度。在本申请中,由于仅形成一个第1切口部24,所以区域的宽度24AW与第1切口部24的宽度24W一致。
为了针对宽度40W(x方向的尺寸)不同的发光部件40发挥自对准的效果,优选多个第2切口部26在第1导线20的第2边缘部25的整体分散形成,更优选其中两个第2切口部26位于宽度40W不同的发光部件40的角部。即,优选使区域的宽度26AW变宽。
另一方面,对于第1切口部24,为了将存积焊锡的“第1存积区域”的面积确保得大,优选第1切口部24的宽度24W窄。即,优选使区域的宽度24AW(与宽度24W一致)变窄。
这样,若形成第1切口部24的区域的宽度24AW比形成第2切口部26的区域的宽度26AW窄,则能够针对各种宽度40W的发光部件40获得自对准的效果,而且,能够将对第1导线20与发光部件40之间的多余焊锡进行排出的第1存积区域的面积维持得大。
如图10~图11所示,优选第1导线20与第2导线30从封装成型体10的背面14露出。由此,能够将发光部件40中的发热通过第1导线20以及第2导线30高效地释放到凹部12之外。但是,若第1导线20、第2导线30露出到背面14,则在向凹部12填充密封树脂52时,存在密封树脂52顺着第1导线20与树脂成型体11的边界面、以及第2导线30与树脂成型体11的边界面漏出到封装成型体10的背面14的可能性。
另外,通过对第1导线20形成切口部24、26、271、281,使得第1导线20的边缘部23、25、27、28的长度变长。尤其是形成有多个第2切口部26的第2边缘部25的长度大幅变长。因此,第2边缘部25与树脂成型体11的边界面增加。由于边界面成为密封树脂52能够漏出到封装成型体10的背面14的路径,所以密封树脂52因边界面的增加而容易漏出。
鉴于此,优选使第1导线20的背面22从封装成型体10的背面14露出、并且不使第2切口部26露出,来抑制因第2切口部26引起的边界面的增加。由于能够抑制第2切口部26与树脂成型体11的边界面的增加,所以能够抑制密封树脂52的漏出。
为了不使第2切口部26从封装成型体10的背面14露出,例如可使用图12所示那样的第1导线20或者图14所示那样的第1导线20’。
首先,对图12所示的第1导线20进行说明。
在图12(b)所示的第1导线20中,在第1导线20的背面22侧从第2边缘部25到第2切口部26之间设有阶梯差221。在形成封装成型体10时,该阶梯差221被树脂成型体11填满(图11(b))。由此,若观察封装成型体10的背面14,则第1导线20的背面22的大部分露出(背面露出面22a),但第2切口部26不露出(图11(a))。根据图11(a)~(b)可知,在封装成型体10的背面14侧,比第2边缘部25靠向y方向的阶梯差221的边缘部221a成为第1导线20与树脂成型体11的分界线。
如图12(b)所示,第1导线20的第2切口部26比第1导线20的背面露出面22a靠向第2导线30侧(-y方向)。这是因为,由于在导线20的背面22设置有阶梯差221,所以背面22的一部分不露出。因此,第1导线20的背面露出面22a的面积因设有阶梯差而变窄。
图12那样的第1导线有利于引线结合。
在配置了第1导线20与第2导线30时,第1导线20中的第2边缘部25(与阶梯差221的边缘部221相比)与第2导线30接近。因此,为了防止第1导线20与第2导线30的短路,需要使第1导线20的第2边缘部25与第2导线30分离。
另外,若第1导线20的第2边缘部25与第2导线30的分离距离变宽,则载置发光部件40的载置区域60(参照图6)与第2导线30之间的距离变远。因此,将发光部件40与第2导线30之间连接所需要的焊线BW的长度变长。
在本实施方式中,由于能够在第2边缘部25与第2导线30不接触的范围内使它们接近,所以可抑制所使用的焊线BW的长度。
另外,由于通过使第2边缘部25靠近第2导线30侧,使得第2边缘部25向-y方向移动,所以可增大第1导线20的露出面21的y方向的尺寸。也就是说,由于第1边缘部23与第2边缘部25的距离602L(参照图6)变长,所以能够增长载置区域60的y方向的长度60L。因此,不变更封装成型体10以及凹部12的外形尺寸,便能够增大可载置的发光部件40的y方向的最大尺寸。
接下来,对图14所示的第1导线20’进行说明。
在图14所图示的第1导线20’中,在第1导线20’的背面22’侧设有从第2切口部26以及第2边缘部25朝向第2导线30(-y方向)延伸的延伸部29。若从第1导线20’的背面22’侧进行观察,则第2切口部26以及第2边缘部25被延伸部29覆盖(图14(b)。因此,在使用第1导线20’形成了封装成型体10时,即使从封装成型体10的背面14露出第1导线20’的背面22’,第2切口部26也不露出(图16)。
如图14(a)以及图16所示,在封装成型体10’的背面14’侧,比第2边缘部25靠第2导线30’侧(-y方向)的延伸部29的边缘部29a成为第1导线20’与树脂成型体11的分界线。因此,第1导线20’的背面露出面22’的面积通过设置了延伸部29而变大。
这里,由于背面露出面22’a作为将来自发光部件40的热进行释放的放热面发挥功能,所以背面露出面22’a越大,则散热性越提高。因此,若使用图14所示的第1导线20’,则可获得散热性卓越的封装成型体10’。
如图14(c)~(d)所示,延伸部29的厚度比第1导线20’的厚度薄。因此,在第1导线20’的露出面21’侧,在第2切口部26以及第2边缘部25与延伸部29的表面29c之间产生阶梯差211’。在形成封装成型体10时,该阶梯差211’被树脂成型体11填满。因此,若观察封装成型体10’的凹部12的底面121,则延伸部29不露出,在第2切口部26以及第2边缘部25与树脂成型体11之间产生凹凸状的分界线(图15)。因此,图15的封装成型体10’也与图10所示的封装成型体10同样,具有由第2切口部26实现的发光部件40的自对准的效果。
在如图14那样配置了第1导线20’与第2导线30’时,第1导线20的延伸部29的边缘部29a与第2导线30最近。因此,若使第1导线20的第2边缘部25与第2导线30接近,则导致延伸部29与第2导线30接触。为此,在图14的第1导线20’中,(与图12的第1导线20相比)需要增大第2边缘部25与第2导线30的分离距离。由此,若从减少焊接(wire bond)中的焊线BW的使用量的观点出发,则图10的封装成型体10比图15的封装成型体10’有利。
此外,在图14的第1导线20’中,在其背面22’侧,除了第2切口部26被延伸部29覆盖之外,第1切口部24、第3切口部271以及第4切口部281也被背面包覆部覆盖。
第1切口部24在第1导线20’的背面22’侧被背面包覆部249覆盖。因此,无法从第1导线20’的背面22’侧看到第1切口部24’。
背面包覆部249的厚度比第1导线20’的厚度薄。因此,在第1导线20’的露出面21’侧,在背面包覆部249的表面与露出面21’之间产生阶梯差。由于该阶梯差在形成封装成型体10’时被树脂成型体11填满,所以在第1切口部24与树脂成型体11之间产生凹状的分界线(图15)。因此,图15的封装成型体10’也与图10所示的封装成型体10同样,具有由第1切口部24实现的发光部件40的自对准的效果。
同样,第3切口部271、第4切口部281也在第1导线20’的背面22’侧被背面包覆部279、289覆盖。因此,无法从第1导线20’的背面22’侧看到第3切口部271、第4切口部281。
背面包覆部279、289的厚度比第1导线20’的厚度薄。因此,在第1导线20’的露出面21’侧,在背面包覆部279、289的表面与露出面21’之间产生阶梯差。由于该阶梯差在形成封装成型体10’时被树脂成型体11填满,所以在第3切口部271与树脂成型体11之间产生凹状的分界线,在第4切口部281与树脂成型体11之间也产生凹状的分界线(图15)。因此,图15的封装成型体10’也与图10所示的封装成型体10同样,具有由第3切口部271以及第4切口部281实现的发光部件40的自对准的效果。
另外,图14所示的第2导线30’与图12的第2导线30(由分离的两个部件构成)不同,是由一个部件构成的。若对图12的第2导线30与图14的第2导线30’进行比较,则图14的第2导线30’可看作利用连接部35将图12的两个第2导线30连接而成为一体的一个部件。连接部35被配置在第2导线30’的背面32’侧,连接部25的厚度比第2导线30’的厚度薄。因此,在第2导线30’的露出面31’侧,在连接部35的表面与露出面31’之间产生阶梯差。该阶梯差在形成封装成型体10’时被树脂成型体11填满。因此,若观察封装成型体10’的凹部12的底面121,则连接部35不露出,看起来宛如第2导线30’由两个部件构成(图15)。但是,若观察封装成型体10’的背面14’(图16),则可知第2导线30’为一体。
由于图14的第2导线30’通过连接部35成为一体,所以能够提高第2导线30’的强度。另外,通过利用树脂成型体11覆盖连接部35的表面,能够提高第2导线30’与树脂成型体11的粘接强度。
此外,在图14的第1导线中,利用背面包覆部249、279、289覆盖了第1切口部24、第3切口部271以及第4切口部281,但也可以不设置背面包覆部、或者在一部分的切口部设置背面包覆部。
另外,也可以将图12的第1导线20与图14的第2导线30’组合来形成封装成型体。同样,也可以将图14的第1导线20’与图12的第2导线30组合来形成封装成型体。
如图12所示,为了抑制密封树脂52的漏出,在第1导线20的背面22侧的周边部、和第2导线30的背面32侧的周边部设置有阶梯差221、321。由此,增长了密封树脂52的漏出路径(导线与树脂成型体11的边界面),使得密封树脂52难以漏出。然而,由于第1导线20的强度因第1切口部24而降低,所以若在第1切口部24的周边整体设置阶梯差221,则存在第1导线20的强度进一步降低的问题。鉴于此,针对第1切口部24,通过在顶部24t及其附近设置阶梯差221,能够对第1导线20的强度降低减少影响。因此,对第1切口部24的周边而言,除了顶部24及其附近之外,密封树脂42的漏出路径短。也就是说,密封树脂42能够在第1切口部24的周边通过并漏出到封装成型体10的背面14。
鉴于此,在本实施方式中,设置从树脂成型体11的凹部12的内侧面122朝向凹部12内突出的突出部13,突出部13局部覆盖第1切口部24(图6),其中,顶部24t未被该突出部13覆盖。由于通过突出部13从凹部12内密封第1切口部24的周边,所以能够有效地抑制密封树脂52从第1切口部24的周边漏出。另外,由于第1切口部24的顶部24t未被突出部13覆盖,所以也不存在对由第1切口部24实现的发光部件40的自对准的效果加以阻碍的可能性。
另外,通过设置突出部13,还能够提高树脂成型体11的内侧面122(尤其是第1导线20侧)的强度。在发光装置50的制造工序的最终阶段,将第1导线20从导线框切断,此时第1导线20发生挠曲,对树脂成型体11施加应力。由于通过设置突出部13使得树脂成型体11的强度提高,所以能够耐受应力,能够获得第1导线与树脂成型体的剥离抑制、树脂成型体的破裂抑制的效果。
为了抑制密封树脂52漏出,优选对上述的从突出部13露出的第1切口部24的顶部24t,在第1导线20的背面22侧设置阶梯差221(图12(b)、图13)。其中,在本说明书中,“阶梯差”可以是图13(b)那样的阶梯状的阶梯差,也可以是如图13(c)那样是曲面状的阶梯差。
接下来,依次对本实施方式的封装成型体10、发光部件40以及发光装置50的制造工序进行说明。
<封装成型体10的制造>
参照图17,对封装成型体10的制造工序进行说明。
对金属板进行冲孔,形成具备多个对置配置的第1导线20与第2导线30的对的导线框LF(S10)。然后,根据需要,形成第1导线20的阶梯差221、第2导线30的阶梯差321。在形成阶梯差221、321的时没有特别限定,可通过干式蚀刻、湿式蚀刻、切削加工、压模加工等来形成。另外,阶梯差221、321例如可以成为图13(b)那样的阶梯状的阶梯差以及图13(c)那样的曲面状的阶梯差等各种剖面形状。
接下来,利用具有与树脂成型体11对应的形状的空隙的成模用金属模,将导线框LF夹持到与各导线对对应的位置(S11)。然后,向金属模的空隙中注入树脂成型体11用的树脂材料(S12)。在树脂材料固化后,拆下金属模(S13),如图18所示,得到固定于导线框LF的状态的封装成型体10(S14)。
<发光部件40的制造>
参照图19~图20,对发光部件40的制造工序进行说明。
首先如图20(b)所示,形成次黏着基台41被单片化之前的基板SF(S20)。图20(a)是将图20(b)的基板单片化成与一个发光部件相当的黏着基台41的图,对次黏着基台41设置有用于安装一个齐纳二极管43和5个发光元件42的金属布线。在各次黏着基台41上形成齐纳二极管43安装用的凸块,对齐纳二极管(ZD)43进行倒装安装(S21)。接下来,在各次黏着基台41上形成发光元件42(例如LED)安装用的凸块,对发光元件42进行倒装安装(S22)。最后,通过对次黏着基台框SF进行切割而分割成各次黏着基台41(S23),从而获得发光部件40(S24)。在图20的例子中,获得5个发光元件42沿x方向排列成一列的发光部件40(图5)。
其中,优选使次黏着基台41的形状与所载置的发光元件42的个数对应地适当变更。例如,在如图21那样含有一个发光元件42的发光部件40中,使用与发光元件42×1个对应的宽度的次黏着基台411。同样,在2个发光元件42中,使用与发光元件42×2个对应的宽度的次黏着基台412,在3个发光元件42中使用与发光元件42×3个对应的宽度的次黏着基台413,在4个发光元件42中使用与发光元件42×4个对应的宽度的次黏着基台414,在5个发光元件42中使用与发光元件42×5个对应的宽度的次黏着基台415。
<发光装置50的制造>
参照图22,对发光装置50的制造工序进行说明。
对上述制造而成的封装成型体10的第1导线20涂覆焊锡膏SP(S30)。对应所载置的发光部件40的宽度,来调节焊锡膏SP的量。例如,图23是具备1个发光元件42的发光部件40中的焊锡膏SP的涂覆例,图24是具备3个发光元件42的发光部件40中的焊锡膏SP的涂覆例,并未,图25是具备5个发光元件42的发光部件40中的焊锡膏SP的涂覆例。然后,借助焊锡膏SP将发光部件40载置到第1导线20的露出面21(S31)。结果,焊锡膏SP因被发光部件40按压而润展,焊锡膏SP被配置在树脂成型体11的凹部12的底面121中的、至少第1导线20的露出面21、填满第1导线20的第1边缘部23所具备的一个第1切口部24的树脂表面区域以及填满第1导线20的第2边缘部25所具备的多个第2切口部26的树脂表面区域。图23~图25表示了配置有焊锡膏的区域SP2。然后,通过回流(加热)使焊锡膏SP熔解,随后使其固化(S32)。由此,在树脂表面润展了的焊锡膏成为熔融焊锡而集中在第1导线20的表面,另外,发光部件40被自对准在载置区域60。通过焊锡膏的固化,发光部件40被载置到载置区域60。
然后,利用焊线BW对封装成型体10的第2导线30与次黏着基台41进行焊接,将发光部件40与第2导线30的露出面31电连接(S33)。利用树脂将波长变换玻璃51固定到发光部件40的发光元件42上(S34)。然后,在向凹部12灌注了第1密封树脂(底层填料)521之后使其固化(S35),接着,在向凹部12进一步灌注了第2密封树脂(外层填料)522之后使其固化(S36),由此,形成密封树脂52。
将图18所示的导线框LF的连接杆沿X-X线切断,分离成各个发光装置50(S37)。
本实施方式的封装成型体10、10’能够通过第1切口部24与多个第2切口部26将发光部件40高精度地自对准后安装。而且,由于能够和发光部件40的x方向的尺寸无关地获得该自对准效果,所以本发明的封装成型体10、10’可将尺寸不同的发光部件高精度地安装到载置区域。
<实施方式2>
本实施方式涉及能够实现本发明的第2目的的封装成型体以及使用了该封装成型体的发光装置。
即,在本实施方式中,公开了能够自对准地安装发光部件,且能够抑制对发光部件进行密封的密封树脂向背面漏出的封装成型体以及使用了该封装成型体的发光装置。
在图26~28所示的本实施方式的封装成型体2010中,封装成型体2010的树脂成型体11以从第1边缘部23朝向凹部12内突出的突出部13作为必须构成。另外,第1导线2020必定从封装成型体2010的背面露出。而且,在第1导线2020的第2边缘部25没有设置第2切口部。在这些方面,本实施方式与实施方式1不同。其他的方面与实施方式1同样。
如图26所示,在本实施方式的封装成型体2010中,第1导线2020的露出面21具有在第1方向(y方向)上隔着发光部件40的载置区域2060相互对置的第1边缘部23以及第2边缘部25。
第1导线2020在第1边缘部23中具备一个第1切口部24。在该图中,第1切口部24为一个,但也可以形成多个。第1切口部24中填满树脂成型体11。
在如图28那样将发光部件40载置于封装成型体2010时,焊锡以焊锡膏的形态被使用。若通过回流使焊锡熔融,则放在熔融状态下的焊锡上的发光部件40受到焊锡的表面张力的影响而自对准。发光部件40的长度方向(y方向)的自对准通过第1边缘部23侧的第1切口部24和第2边缘部25来控制。从概念上来说,为了使熔融状态下的焊锡的表面最小,发光部件40被自对准成发光部件40的第1边401和第2边402之间的中心线与第1边缘部23的第1切口部24和第2边缘部25之间的中心线一致。
更详细而言,在本发明中,发光部件40的长度40L(与载置区域2060的长度60L一致)在第1切口部24的顶部24t与第2边缘部25之间的距离603L以上,且小于第1边缘部23与第2边缘部25之间的距离604L。因此,第1切口部24的顶部24t与发光部件40的第1边401处于同一面,或者顶部24t位于发光部件40的下侧。同样,第2边缘部25与发光部件40的第2边402处于同一面,或者第2边缘部25位于发光部件40的下侧。如上所述,熔融状态下的焊锡变形成表面最小。因此,按照发光部件40的第1边401与第1切口部24的顶部24t的距离变短的方式对该第1边401施加应力,按照发光部件40的第2边402与第2边缘部25的距离变短的方式对该第2边402施加应力。结果,发光部件40被自对准到2个边401、402从熔融焊锡接受的应力平衡的位置(载置区域2060)(图28)。
对于该自对准效果,除了含有次黏着基台的发光部件40之外,即便是仅由发光元件构成的发光部件40,也起到同样的效果。
基于上述的理由,通过使载置区域2060的长度60L在第1切口部24与第2边缘部25之间的距离603L以上,且小于第1边缘部23与第2边缘部25之间的距离604L,能够将发光部件40的长度方向(y方向)的位置高精度地自对准后安装到载置位置2060。
“第1切口部24与第2边缘部25之间的距离603L”是指从第1切口部24的顶部24t到第2边缘部25的距离。
另外,“第1边缘部23与第2边缘部25之间的距离604L”是指从突出部13的前端13t(第1边缘部23中最接近于第2边缘部25的部分)到第2边缘部25的距离。
在本实施方式中,必须设置从树脂成型体11的凹部12的内侧面122朝向凹部12内突出的突出部13。突出部13局部覆盖第1切口部24(图26),其中,顶部24t未被该突出部13覆盖。由于通过突出部13从凹部12内密封第1切口部24的周边,所以能够有效地抑制密封树脂52从第1切口部24的周边漏出。另外,由于第1切口部24的顶部24t未被突出部13覆盖,所以也不存在对由第1切口部24实现的发光部件40的自对准的效果加以阻碍的可能性。
另外,通过设置突出部13,还能够提高树脂成型体11的内侧面122(尤其是第1导线20侧)的强度。在发光装置50的制造工序的最终阶段,将第1导线20从导线框切断,此时第1导线20发生挠曲,对树脂成型体11施加应力。由于通过设置突出部13使得树脂成型体11的强度提高,所以能够耐受应力,可获得第1导线与树脂成型体的剥离抑制、树脂成型体的破裂抑制的效果。
在本实施方式的封装成型体2010中,由于没有对第1导线2020的第2边缘部25设置第2切口部,所以不能得到由第2切口部实现的发光部件40的自对准的效果。另一方面,在本实施方式的第1导线2020中,第2边缘部25的长度比形成有多个第2切口部26的第2边缘部25(例如图10)的长度短。因此,由于第2边缘部与树脂成型体11的边界面减少,所以与实施方式1相比,密封树脂52漏出到封装成型体10的背面14的可能性变低。
本实施方式的封装成型体2010能够通过第1切口部24将发光部件40自对准后安装,另外,能够通过突出部13来抑制对发光部件40进行密封的密封树脂52漏出到封装成型体2010的背面。
【实施例1】
作为本发明的实施例,分别制成16个两种的发光装置50、和比较用的发光装置500,验证了自对准的效果。
图29(a)是本发明的实施例涉及的发光装置50,载置了包含5个发光元件42的发光部件40。对于发光部件40,使用了长度40L=2.3mm、宽度40W=5.8mm的发光部件。封装成型体10形成有第1切口部24、多个第2切口部26、第3切口部27以及第4切口部28。对封装成型体10的载置区域60(图6)而言,载置区域60的长度(第1切口部24与多个第2切口部26之间的距离)60L=2.3mm,载置区域60的宽度(第3切口部27与第4切口部28之间的距离)60W=5.8mm。
图29(b)是比较用的发光装置500,载置了包含5个发光元件42的发光部件40。对于发光部件40,使用了长度40L=2.3mm、宽度40W=5.8mm的发光部件。封装成型体100是与图29(a)大致相同的尺寸形状,但没有形成第1切口部24、第2切口部26、第3切口部27、以及第4切口部28。
图29(c)是本发明的实施例涉及的发光装置50’,载置了包含一个发光元件42的发光部件40。对于发光部件40,使用了长度40L=2.3mm、宽度40W=1.2mm的发光部件。封装成型体10形成有第1切口部24、多个第2切口部26、第3切口部27以及第4切口部28。对封装成型体10的载置区域60(图6)而言,载置区域60的长度(第1切口部24与第2切口部26之间的距离)60L=2.3mm,载置区域60的宽度(第3切口部27与第4切口部28之间的距离)60W=1.2mm。
按照以下的顺序进行了自对准的验证试验。
(1)向第1导线20上涂覆AuSn膏
(2)将发光部件40载置到AuSn膏上
(3)测定发光部件40相对载置区域60的偏移(回流前)
(4)实施回流
(5)测定发光部件40相对载置区域60的偏移(回流后)
(6)将回流前后发光部件40的偏移(x方向、y方向)描绘成图表图30(a)~(c)示出描绘成的图表。
根据作为本发明的实施例的图29(a)的发光装置50的结果(图30(a))可知,回流后(●符号)与回流前(△符号)相比,x方向、y方向的偏移都小。另一方面,根据图29(b)的比较用的发光装置500的结果(图30(b))可知,回流后(●符号)与回流前(△符号)相比,x方向、y方向的偏移都大。由此在图29(a)所示的实施例的发光装置50中,确认了由在封装成型体10的第1导线20形成的第1~第4切缺24、26、27、28实现的发光部件40的自对准效果。
另外,图29(c)的发光装置50’的结果(图30(c))也与图30(a)的结果同样,可知回流后(●符号)与回流前(△符号)相比,x方向、y方向的偏移都小。由此可知,即使发光部件40的宽度40W(x方向的尺寸)不同,由第1~第4切口部24、26、27、28实现的发光部件40的自对准效果也同样有效。
而且,在作为本发明的实施例的图29(a)的发光装置50以及图29(c)的发光装置50’中,可知回流后的偏移在x方向、y方向上都在0.03mm以下(30μm以下),通过自对准能够非常高精度地载置发光部件40。
Claims (16)
1.一种封装成型体,具有:树脂成型体,其具有用于收纳发光部件的凹部;和第1导线以及第2导线,它们在该树脂成型体的凹部的底面相互分离并露出,其特征在于,
所述第1导线的露出面具有在第1方向上隔着所述发光部件的载置区域而成相互对置的第1边缘部以及第2边缘部,在所述第1边缘部具备一个第1切口部,并且,在所述第2边缘部具备多个第2切口部,所述发光部件的载置区域的所述第1方向的尺寸在所述第1切口部与所述第2切口部之间的距离以上,且小于所述第1边缘部与所述第2边缘部之间的距离。
2.根据权利要求1所述的封装成型体,其特征在于,
所述第1导线的露出面的所述第2边缘部与所述第2导线对置。
3.根据权利要求1或2所述的封装成型体,其特征在于,
所述第1导线的露出面具有在与所述第1方向正交的第2方向上隔着所述发光部件的载置区域而成相互对置的第3边缘部以及第4边缘部,在所述第3边缘部具备第3切口部,并且,在所述第4边缘部具备第4切口部,所述发光部件的载置区域的所述第2方向的尺寸在所述第3切口部与所述第4切口部之间的距离以上,且小于所述第3边缘部与所述第4边缘部之间的距离。
4.一种封装成型体,具有:树脂成型体,其具有用于收纳发光部件的凹部;和第1导线以及第2导线,它们在该树脂成型体的凹部的底面相互分离并露出,其特征在于,
所述第1导线的露出面具备在第1方向上相互对置的一个第1切口部和多个第2切口部,并具备在与所述第1方向正交的第2方向上相互对置的第3切口部和第4切口部,
在所述第1方向上,所述多个第2切口部被配置在所述第1切口部与所述第2导线之间。
5.根据权利要求4所述的封装成型体,其特征在于,
所述第1导线的露出面具有在所述第1方向上隔着所述发光部件的载置区域而成相互对置的第1边缘部以及第2边缘部,在所述第1边缘部具备所述第1切口部,在所述第2边缘部具备所述多个第2切口部,所述发光部件的载置区域的所述第1方向的尺寸在所述第1切口部与所述第2切口部之间的距离以上,且小于所述第1边缘部与所述第2边缘部之间的距离,
并且,所述第1导线的露出面具备在所述第2方向上隔着所述发光部件的载置区域相互对置的第3边缘部以及第4边缘部,在所述第3边缘部具备所述第3切口部,并且,在所述第4边缘部具备所述第4切口部,所述发光部件的载置区域的所述第2方向的尺寸在所述第3切口部与所述第4切口部之间的距离以上,且小于所述第3边缘部与所述第4边缘部之间的距离。
6.根据权利要求1~5中任意一项所述的封装成型体,其特征在于,
所述多个第2切口部中的两个位于所述发光部件的载置区域的角部。
7.根据权利要求1~6中任意一项所述的封装成型体,其特征在于,
所述第2切口部未从所述封装成型体的背面露出。
8.根据权利要求1~7中任意一项所述的封装成型体,其特征在于,
所述第1导线从所述封装成型体的背面露出,所述第2切口部位于比所述第1导线的背面露出面靠第2导线侧。
9.根据权利要求1~8中任意一项所述的封装成型体,其特征在于,
所述树脂成型体的凹部的内侧面与所述第1边缘部相接,所述树脂成型体的凹部具有从该内侧面突出的突出部,所述第1切口部被该突出部局部覆盖,未被该突出部覆盖的是所述第1切口部的顶部。
10.根据权利要求9所述的封装成型体,其特征在于,
所述第1切口部的所述顶部在所述封装成型体的背面侧具有阶梯差。
11.根据权利要求1~10中任意一项所述的封装成型体,其特征在于,
所述第1切口部的宽度为0.2~1.2mm。
12.根据权利要求1~11中任意一项所述的封装成型体,其特征在于,
所述第1切口部的宽度比所述发光部件的载置区域的宽度窄。
13.根据权利要求1~12中任意一项所述的封装成型体,其特征在于,
所述第2切口部的宽度为0.2~0.9mm。
14.一种封装成型体,具有:树脂成型体,其具有用于收纳发光部件的凹部;和第1导线以及第2导线,它们在该树脂成型体的凹部的底面以及该树脂成型体的背面相互分离并露出;其特征在于,
在所述凹部的底面露出的所述第1导线的露出面具有在第1方向上隔着所述发光部件的载置区域相互对置的第1边缘部和第2边缘部,在所述第1边缘部具备填充有所述树脂成型体的第1切口部,
所述树脂成型体的凹部的内侧面与所述第1边缘部相接,所述树脂成型体的凹部具有从该内侧面突出的突出部,所述第1切口部被该突出部局部覆盖,未被该突出部覆盖的是所述第1切口部的顶部,
所述发光部件的载置区域的所述第1方向的尺寸在所述第1切口部的顶部与所述第2边缘部之间的距离以上,且小于所述突出部与所述第2边缘部之间的距离。
15.一种发光装置,其特征在于,包括:
权利要求1~14中任意一项所述的封装成型体;
发光部件,其被载置于所述载置区域,并与所述第2导线的露出面电连接;和
密封树脂,其对收容了该发光部件的该树脂成型体的凹部进行密封。
16.一种发光装置的制造方法,是权利要求15中所述的发光装置的制造方法,其特征在于,包括下述步骤:
准备权利要求1~14中任意一项所述的封装成型体,
借助焊锡膏将发光部件载置到所述第1导线的露出面,并将所述焊锡膏至少配置到所述树脂成型体的凹部的底面中的、所述第1导线的露出面、填满所述第1导线的所述第1边缘部所具备的一个所述第1切口部的所述树脂成型体的表面区域、以及填满所述第1导线的所述第2边缘部所具备的多个所述第2切口部的所述树脂成型体的表面区域,
使所述焊锡膏熔融,然后使其固化,
将所述发光部件与所述第2导线的露出面电连接,
利用密封树脂来密封收容了所述发光部件的所述树脂成型体的凹部。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011-289848 | 2011-12-28 | ||
JP2011-289846 | 2011-12-28 | ||
JP2011289846 | 2011-12-28 | ||
JP2011289848 | 2011-12-28 | ||
JP2012-284130 | 2012-12-27 | ||
JP2012284130A JP6079223B2 (ja) | 2011-12-28 | 2012-12-27 | 発光装置用パッケージ成形体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103187511A true CN103187511A (zh) | 2013-07-03 |
CN103187511B CN103187511B (zh) | 2017-04-12 |
Family
ID=47747297
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210586151.0A Active CN103187511B (zh) | 2011-12-28 | 2012-12-28 | 发光装置用封装成型体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9093621B2 (zh) |
EP (1) | EP2610933B1 (zh) |
KR (1) | KR101962973B1 (zh) |
CN (1) | CN103187511B (zh) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWM458672U (zh) * | 2013-04-10 | 2013-08-01 | Genesis Photonics Inc | 光源模組 |
US9748165B2 (en) * | 2014-05-30 | 2017-08-29 | Delta Electronics, Inc. | Packaging structure |
CN104022145B (zh) * | 2014-06-23 | 2017-01-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 基板的封装方法及封装结构 |
US9997503B2 (en) * | 2016-08-03 | 2018-06-12 | Nichia Corporation | Composite substrate and light emitting device |
JP6652117B2 (ja) * | 2017-11-29 | 2020-02-19 | 日亜化学工業株式会社 | 樹脂パッケージおよび発光装置 |
US11769862B2 (en) | 2020-03-26 | 2023-09-26 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP7489933B2 (ja) * | 2021-02-24 | 2024-05-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007335762A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
CN101276874B (zh) * | 2007-03-30 | 2010-09-08 | 罗姆股份有限公司 | 半导体发光装置 |
CN102142513A (zh) * | 2010-01-29 | 2011-08-03 | 株式会社东芝 | Led封装及制作led封装的方法 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08204239A (ja) | 1995-01-31 | 1996-08-09 | Rohm Co Ltd | 樹脂封止型発光装置 |
JPH1050734A (ja) | 1996-07-31 | 1998-02-20 | Shichizun Denshi:Kk | チップ型半導体 |
JP4296644B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2009-07-15 | 豊田合成株式会社 | 発光ダイオード |
JP3636079B2 (ja) | 2001-01-26 | 2005-04-06 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ成形体と発光装置 |
JP2003026426A (ja) | 2001-07-12 | 2003-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板成形用金型およびその製造方法 |
JP3924481B2 (ja) | 2002-03-08 | 2007-06-06 | ローム株式会社 | 半導体チップを使用した半導体装置 |
KR100951626B1 (ko) | 2002-03-08 | 2010-04-09 | 로무 가부시키가이샤 | 반도체 칩을 사용한 반도체 장치 |
JP4306247B2 (ja) | 2002-12-27 | 2009-07-29 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光装置 |
US9502624B2 (en) * | 2006-05-18 | 2016-11-22 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
JP5125060B2 (ja) | 2006-11-02 | 2013-01-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP5326204B2 (ja) * | 2006-11-29 | 2013-10-30 | 富士通株式会社 | 発光部品及びその製造方法及び発光部品組立体及び電子装置 |
JP2008251936A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP5082710B2 (ja) | 2007-09-19 | 2012-11-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP5202042B2 (ja) * | 2008-03-10 | 2013-06-05 | シチズン電子株式会社 | Ledランプ |
KR20100080423A (ko) * | 2008-12-30 | 2010-07-08 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
JP2010238833A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Panasonic Corp | 光半導体装置用パッケージおよび光半導体装置 |
US20110062469A1 (en) * | 2009-09-17 | 2011-03-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Molded lens incorporating a window element |
JP5347877B2 (ja) * | 2009-09-29 | 2013-11-20 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
CN106449937B (zh) * | 2009-10-29 | 2020-11-03 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
JP5010716B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2012-08-29 | 株式会社東芝 | Ledパッケージ |
US8525213B2 (en) * | 2010-03-30 | 2013-09-03 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device having multiple cavities and light unit having the same |
US8723409B2 (en) * | 2010-04-07 | 2014-05-13 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP5846408B2 (ja) * | 2010-05-26 | 2016-01-20 | 東芝ライテック株式会社 | 発光装置および照明装置 |
KR20120029727A (ko) * | 2010-09-17 | 2012-03-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
KR101099494B1 (ko) * | 2010-11-19 | 2011-12-27 | (주)네오빛 | 발광다이오드 패키지 |
-
2012
- 2012-12-27 US US13/728,530 patent/US9093621B2/en active Active
- 2012-12-28 CN CN201210586151.0A patent/CN103187511B/zh active Active
- 2012-12-28 KR KR1020120157368A patent/KR101962973B1/ko active IP Right Grant
- 2012-12-28 EP EP12199636.7A patent/EP2610933B1/en active Active
-
2015
- 2015-06-19 US US14/745,112 patent/US10297728B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007335762A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
CN101276874B (zh) * | 2007-03-30 | 2010-09-08 | 罗姆股份有限公司 | 半导体发光装置 |
CN102142513A (zh) * | 2010-01-29 | 2011-08-03 | 株式会社东芝 | Led封装及制作led封装的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2610933B1 (en) | 2019-05-22 |
EP2610933A3 (en) | 2015-11-25 |
US20150340572A1 (en) | 2015-11-26 |
EP2610933A2 (en) | 2013-07-03 |
CN103187511B (zh) | 2017-04-12 |
KR101962973B1 (ko) | 2019-03-27 |
US20130168723A1 (en) | 2013-07-04 |
KR20130076785A (ko) | 2013-07-08 |
US9093621B2 (en) | 2015-07-28 |
US10297728B2 (en) | 2019-05-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103187511A (zh) | 发光装置用封装成型体 | |
US7960819B2 (en) | Leadframe-based packages for solid state emitting devices | |
KR100632003B1 (ko) | 열전달부에 오목부가 형성된 led 패키지 | |
JP6323217B2 (ja) | 発光装置 | |
EP2487730A2 (en) | Flip chip LED package and manufacturing method thereof | |
US20150050760A1 (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same | |
JP5497469B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
KR20120048535A (ko) | 발광 장치 | |
JP6079223B2 (ja) | 発光装置用パッケージ成形体 | |
EP2475018B1 (en) | Light-emitting device package and method of manufacturing the same | |
US9318677B2 (en) | Light emitting device package | |
CN107275466B (zh) | 引线架、封装及发光装置、以及其制造方法 | |
JP5734581B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP7439268B2 (ja) | ケーシング、オプトエレクトロニクス半導体構成部材および製造方法 | |
CN106449935A (zh) | 引线架、封装及发光装置、以及其制造方法 | |
KR20100007605U (ko) | 균일한 수지표면을 형성한 발광다이오드 패키지 | |
JP6102253B2 (ja) | 発光装置用パッケージ成形体 | |
JP5702481B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
US20180190889A1 (en) | Led package using electoform stencil printing | |
KR101762597B1 (ko) | 반도체 발광소자용 기판 | |
US11398589B2 (en) | Light emitting device package and light source device | |
KR20110107632A (ko) | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 | |
JP5509623B2 (ja) | 発光装置 | |
KR101877236B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 이의 제조방법 | |
EP3563428B1 (en) | Method for manufacturing light emitting devices using electroform stencil printing |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |