JP2003026426A - 基板成形用金型およびその製造方法 - Google Patents
基板成形用金型およびその製造方法Info
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- C03B11/06—Construction of plunger or mould
- C03B11/08—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses
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- C03B2215/00—Press-moulding glass
- C03B2215/02—Press-mould materials
- C03B2215/08—Coated press-mould dies
- C03B2215/14—Die top coat materials, e.g. materials for the glass-contacting layers
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ハードディスクの高密度化と高信頼性の要求に
沿ってそれに用いられるガラス基板を超平滑に成形でき
る金型の製造方法を提供する。 【解決手段】ガラスを加熱軟化してプレス成形すること
によりガラス基板を得る際に使用する基板成形用金型の
製造方法であって、金型母材１のプレス面２を鏡面加工
する第１工程と、金型母材のプレス面に加工膜４を形成
する第２工程と、加工膜の表面をプレス面の欠陥の影響
を消去する深さに鏡面加工する第３工程とを含む。
沿ってそれに用いられるガラス基板を超平滑に成形でき
る金型の製造方法を提供する。 【解決手段】ガラスを加熱軟化してプレス成形すること
によりガラス基板を得る際に使用する基板成形用金型の
製造方法であって、金型母材１のプレス面２を鏡面加工
する第１工程と、金型母材のプレス面に加工膜４を形成
する第２工程と、加工膜の表面をプレス面の欠陥の影響
を消去する深さに鏡面加工する第３工程とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス材料から、
磁気ディスク、光ディスク、その他の情報記録ディスク
用としてのガラス基板にプレス成形するための基板成形
用金型およびそれの製造方法に関する。
磁気ディスク、光ディスク、その他の情報記録ディスク
用としてのガラス基板にプレス成形するための基板成形
用金型およびそれの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】情報記録ディスクにおいては、磁気ディ
スク、光ディスク、その他のハードディスクがある。こ
のようなディスクの基板材料としては、これまでのアル
ミニウム合金に代わり、強度が大きく、耐熱性も良好
で、表面硬度が高く、高精度な精密研磨によって、高精
度な平滑性の要求に十分応えることができるガラス基板
が注目されている。
スク、光ディスク、その他のハードディスクがある。こ
のようなディスクの基板材料としては、これまでのアル
ミニウム合金に代わり、強度が大きく、耐熱性も良好
で、表面硬度が高く、高精度な精密研磨によって、高精
度な平滑性の要求に十分応えることができるガラス基板
が注目されている。
【０００３】このガラス基板の製造としては、金型によ
りガラス材料を加熱加圧して情報記録ディスクの形状に
プレス成形するプレス成形法がある。
りガラス材料を加熱加圧して情報記録ディスクの形状に
プレス成形するプレス成形法がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ハードディスクの高密
度化と高信頼性の要求に伴い、その基板材料であるガラ
ス基板の超平滑性が必要とされ、そのガラス基板を成形
するための金型としてもそのプレス面に対する無欠陥性
の要求も厳しく、そのプレス面を鏡面加工する技術の開
発が進んでいる。
度化と高信頼性の要求に伴い、その基板材料であるガラ
ス基板の超平滑性が必要とされ、そのガラス基板を成形
するための金型としてもそのプレス面に対する無欠陥性
の要求も厳しく、そのプレス面を鏡面加工する技術の開
発が進んでいる。
【０００５】ところで、前記プレス面を研削や研磨によ
り鏡面に仕上げたにもかかわらず、該プレス面に凹みが
発生しているのが見受けられる。
り鏡面に仕上げたにもかかわらず、該プレス面に凹みが
発生しているのが見受けられる。
【０００６】本発明者が、この原因について鋭意研究し
た結果、プレス面を鏡面に仕上げても、その金型の母材
を構成する材料によりその内部に存在する微細な空洞
や、また、空洞の存在しない領域でも加工に際しての力
でその構成粒子が離脱したりして凹みのような欠陥が発
生していたことを見出した。
た結果、プレス面を鏡面に仕上げても、その金型の母材
を構成する材料によりその内部に存在する微細な空洞
や、また、空洞の存在しない領域でも加工に際しての力
でその構成粒子が離脱したりして凹みのような欠陥が発
生していたことを見出した。
【０００７】したがって、本発明は、金型母材の構成材
料により金型母材それ自体にそのプレス面に凹みのよう
な欠陥があってもその影響を受けることなく、ハードデ
ィスクの高密度化と高信頼性の要求に沿ってそれに用い
られるガラス基板を超平滑に成形できる金型およびこれ
の製造方法を提供することを解決すべき課題としてい
る。
料により金型母材それ自体にそのプレス面に凹みのよう
な欠陥があってもその影響を受けることなく、ハードデ
ィスクの高密度化と高信頼性の要求に沿ってそれに用い
られるガラス基板を超平滑に成形できる金型およびこれ
の製造方法を提供することを解決すべき課題としてい
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】(１)本発明は、ガラスを
加熱軟化してプレス成形することによりガラス基板を得
る際に使用する基板成形用金型の製造方法であって、前
記金型母材のプレス面を鏡面加工する第１工程と、前記
金型母材のプレス面に加工膜を形成する第２工程と、前
記加工膜の表面を前記プレス面の欠陥の影響を消去する
深さに鏡面加工する第３工程とを含む。
加熱軟化してプレス成形することによりガラス基板を得
る際に使用する基板成形用金型の製造方法であって、前
記金型母材のプレス面を鏡面加工する第１工程と、前記
金型母材のプレス面に加工膜を形成する第２工程と、前
記加工膜の表面を前記プレス面の欠陥の影響を消去する
深さに鏡面加工する第３工程とを含む。
【０００９】本発明によると、第１工程における鏡面加
工に際して金型母材のプレス面に凹凸のような欠陥がで
きた場合、第２工程でそのプレス面に形成される加工膜
にはその欠陥が影響して凹凸が発生している。そして、
第３工程で、その加工膜の表面が前記欠陥の影響が消去
され、無欠陥な鏡面となる。
工に際して金型母材のプレス面に凹凸のような欠陥がで
きた場合、第２工程でそのプレス面に形成される加工膜
にはその欠陥が影響して凹凸が発生している。そして、
第３工程で、その加工膜の表面が前記欠陥の影響が消去
され、無欠陥な鏡面となる。
【００１０】したがって、本発明では、金型母材の構成
材料により金型母材それ自体にそのプレス面に凹みのよ
うな欠陥があってもその影響を受けることなく、ハード
ディスクの高密度化と高信頼性の要求に沿ってそれに用
いられるガラス基板を超平滑に成形できる金型を提供す
ることができる。
材料により金型母材それ自体にそのプレス面に凹みのよ
うな欠陥があってもその影響を受けることなく、ハード
ディスクの高密度化と高信頼性の要求に沿ってそれに用
いられるガラス基板を超平滑に成形できる金型を提供す
ることができる。
【００１１】(２)本発明は、前記加工膜の上に離型膜を
形成してもよい。加工膜だけでは、成形対象であるガラ
スとの離型性が悪いが、加工膜の上に離型膜を形成した
場合、前記離型性が向上されて好ましい。
形成してもよい。加工膜だけでは、成形対象であるガラ
スとの離型性が悪いが、加工膜の上に離型膜を形成した
場合、前記離型性が向上されて好ましい。
【００１２】(３)本発明は、前記金型母材をタングステ
ンカーバイトを主成分とする超硬合金またはチタンナイ
トライド、チタンカーバイト、クロムカーバイトおよび
クロムカーバイトのうちの少なくともいずれか１種から
選択されたものを主成分とするサーメットまたはアルミ
ナ、シリコンカーバイト、クロムカーバイト、窒化珪素
および窒化硼素のうちの少なくともいずれか１種から選
択されたものを主成分とするセラミックスで構成しても
よい。
ンカーバイトを主成分とする超硬合金またはチタンナイ
トライド、チタンカーバイト、クロムカーバイトおよび
クロムカーバイトのうちの少なくともいずれか１種から
選択されたものを主成分とするサーメットまたはアルミ
ナ、シリコンカーバイト、クロムカーバイト、窒化珪素
および窒化硼素のうちの少なくともいずれか１種から選
択されたものを主成分とするセラミックスで構成しても
よい。
【００１３】(４)本発明は、前記加工膜を、シリコン、
ニッケル、クロム、チタン、ニオブ、バナジウム、モリ
ブデン、白金、パラジウム、イリジウム、ロジウム、オ
スミウム、ルテニウム、レニウム、タングステンおよび
タンタルのうちの少なくともいずれか１種またはシリコ
ン、ニッケル、クロム、チタン、ニオブ、バナジウム、
モリブデン、白金、パラジウム、イリジウム、ロジウ
ム、オスミウム、ルテニウム、レニウム、タングステン
およびタンタルのうちの少なくともいずれか１種を主成
分とする合金またはアルミナ、シリコンカーバイト、ク
ロムカーバイト、窒化珪素および窒化硼素のうちの少な
くともいずれか１種から選択されたものから構成しても
よい。
ニッケル、クロム、チタン、ニオブ、バナジウム、モリ
ブデン、白金、パラジウム、イリジウム、ロジウム、オ
スミウム、ルテニウム、レニウム、タングステンおよび
タンタルのうちの少なくともいずれか１種またはシリコ
ン、ニッケル、クロム、チタン、ニオブ、バナジウム、
モリブデン、白金、パラジウム、イリジウム、ロジウ
ム、オスミウム、ルテニウム、レニウム、タングステン
およびタンタルのうちの少なくともいずれか１種を主成
分とする合金またはアルミナ、シリコンカーバイト、ク
ロムカーバイト、窒化珪素および窒化硼素のうちの少な
くともいずれか１種から選択されたものから構成しても
よい。
【００１４】前記(３)および(４)について、詳しく言う
と、金型母材を例えば単結晶材料例えばシリコンで構成
すると、その表面を非常に無欠陥な鏡面に加工できるも
のの、シリコンの場合、非常に脆いから成形のように数
十トンほどの荷重がかかる金型材料とすると容易に破壊
したり、また、熱伝導に劣るため成形に時間がかかる。
そこで、超硬合金は熱伝導に優れているが、表面性に劣
る。そのため、前記(３)のような超硬合金やサーメット
やセラミックなどの焼結材を金型母材とすると、熱伝導
性を確保することができて好ましい。そして、この場
合、これら焼結材はプレスで押し固めたものであるた
め、その表面を鏡面に加工しても空洞などの欠陥が発生
しやすい。そこで、その焼結材からなる金型母材の表面
に前記(４)のような無欠陥に鏡面加工できる加工膜を成
膜すると、金型母材で熱伝導性と強度とを確保する一方
で、加工膜で鏡面性を確保できる金型が得られて好まし
い。
と、金型母材を例えば単結晶材料例えばシリコンで構成
すると、その表面を非常に無欠陥な鏡面に加工できるも
のの、シリコンの場合、非常に脆いから成形のように数
十トンほどの荷重がかかる金型材料とすると容易に破壊
したり、また、熱伝導に劣るため成形に時間がかかる。
そこで、超硬合金は熱伝導に優れているが、表面性に劣
る。そのため、前記(３)のような超硬合金やサーメット
やセラミックなどの焼結材を金型母材とすると、熱伝導
性を確保することができて好ましい。そして、この場
合、これら焼結材はプレスで押し固めたものであるた
め、その表面を鏡面に加工しても空洞などの欠陥が発生
しやすい。そこで、その焼結材からなる金型母材の表面
に前記(４)のような無欠陥に鏡面加工できる加工膜を成
膜すると、金型母材で熱伝導性と強度とを確保する一方
で、加工膜で鏡面性を確保できる金型が得られて好まし
い。
【００１５】(５)本発明は、前記離型膜を、シリコン、
ニッケル、クロム、チタン、ニオブ、バナジウム、モリ
ブデン、白金、パラジウム、イリジウム、ロジウム、オ
スミウム、ルテニウム、レニウム、タングステンおよび
タンタルのうちの少なくともいずれか１種またはシリコ
ン、ニッケル、クロム、チタン、ニオブ、バナジウム、
モリブデン、白金、パラジウム、イリジウム、ロジウ
ム、オスミウム、ルテニウム、レニウム、タングステン
およびタンタルのうちの少なくともいずれか１種を主成
分とする合金またはアルミナ、シリコンカーバイト、ク
ロムカーバイト、窒化珪素および窒化硼素のうちの少な
くともいずれか１種から選択されたものから構成しても
よい。
ニッケル、クロム、チタン、ニオブ、バナジウム、モリ
ブデン、白金、パラジウム、イリジウム、ロジウム、オ
スミウム、ルテニウム、レニウム、タングステンおよび
タンタルのうちの少なくともいずれか１種またはシリコ
ン、ニッケル、クロム、チタン、ニオブ、バナジウム、
モリブデン、白金、パラジウム、イリジウム、ロジウ
ム、オスミウム、ルテニウム、レニウム、タングステン
およびタンタルのうちの少なくともいずれか１種を主成
分とする合金またはアルミナ、シリコンカーバイト、ク
ロムカーバイト、窒化珪素および窒化硼素のうちの少な
くともいずれか１種から選択されたものから構成しても
よい。
【００１６】前記(５)の離型膜の場合、前記(４)の加工
膜上に成膜される材料として、ガラスとの高温下での濡
れ性が悪いつまり化学的に反応せず、また、耐酸化性に
優れているの点で好ましい。
膜上に成膜される材料として、ガラスとの高温下での濡
れ性が悪いつまり化学的に反応せず、また、耐酸化性に
優れているの点で好ましい。
【００１７】(６)本発明は、前記加工膜と離型膜とを同
じ材料で構成してそれらの密着性を確保可能としてもよ
い。
じ材料で構成してそれらの密着性を確保可能としてもよ
い。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の金型についての詳
細を図面に示す実施形態を参照して説明する。
細を図面に示す実施形態を参照して説明する。
【００１９】なお、金型は、上下一対からなり、各実施
形態では、その一方の金型についての製造方法について
説明するが、他方の金型も同様に製造することができ
る。さらに、各実施形態で示される金型は、図面的には
その側面構成のみが示されており、その平面構成は示さ
れていない。
形態では、その一方の金型についての製造方法について
説明するが、他方の金型も同様に製造することができ
る。さらに、各実施形態で示される金型は、図面的には
その側面構成のみが示されており、その平面構成は示さ
れていない。
【００２０】本実施の形態のガラス基板成形用金型の製
造方法は、ガラスを加熱軟化してプレス成形することに
よりガラス基板を得る際に使用する製造方法であって、
金型母材のプレス面を鏡面加工する第１工程と、金型母
材のプレス面に加工膜を形成する第２工程と、加工膜の
表面を前記プレス面の欠陥の影響を消去する深さに鏡面
加工する第３工程とを含むものである。
造方法は、ガラスを加熱軟化してプレス成形することに
よりガラス基板を得る際に使用する製造方法であって、
金型母材のプレス面を鏡面加工する第１工程と、金型母
材のプレス面に加工膜を形成する第２工程と、加工膜の
表面を前記プレス面の欠陥の影響を消去する深さに鏡面
加工する第３工程とを含むものである。
【００２１】以下、図１（ａ）（ｂ）（ｃ）を参照して
前記第１ないし第３工程の詳細を説明する。
前記第１ないし第３工程の詳細を説明する。
【００２２】〔第１工程〕図１（ａ）を参照して、金型
母材１は、タングステンカーバイト（ＷＣ）を主成分と
する超硬合金を素材とし、これをコバルト（Ｃｏ）を焼
結バインダーとしてプレスにより押し固めて構成されて
いる。
母材１は、タングステンカーバイト（ＷＣ）を主成分と
する超硬合金を素材とし、これをコバルト（Ｃｏ）を焼
結バインダーとしてプレスにより押し固めて構成されて
いる。
【００２３】そして、第１工程では、このような金型母
材１のプレス面２を、ダイヤモンド砥石により研削加工
し、２ミクロン径のダイヤンド砥粒により研磨加工し、
その表面粗さを中心線平均粗さＲａで１．５ｎｍの鏡面
に加工する。
材１のプレス面２を、ダイヤモンド砥石により研削加工
し、２ミクロン径のダイヤンド砥粒により研磨加工し、
その表面粗さを中心線平均粗さＲａで１．５ｎｍの鏡面
に加工する。
【００２４】この場合、金型母材１のプレス面２を鏡面
に加工しても、その素材が超硬合金であるために、図１
（ａ）で示すように、プレス面２には、前記研磨に起因
した凹みの欠陥３が存在していることがある。
に加工しても、その素材が超硬合金であるために、図１
（ａ）で示すように、プレス面２には、前記研磨に起因
した凹みの欠陥３が存在していることがある。
【００２５】詳しく言うと、金型母材１は、タングステ
ンカーバイトの０．５ミクロン径の微粒子を焼結するこ
とにより製造されているため、その内部に多数の微細な
空洞やバインダー（Ｃｏ）の偏析、カーボン溜まりが存
在したり、ガラスによる粒子の離脱があり、ダイヤモン
ド砥石および砥粒による研削、研磨加工後、深さ１００
ｎｍ以上にも達する凹みの欠陥３が、鏡面内に存在して
いる。
ンカーバイトの０．５ミクロン径の微粒子を焼結するこ
とにより製造されているため、その内部に多数の微細な
空洞やバインダー（Ｃｏ）の偏析、カーボン溜まりが存
在したり、ガラスによる粒子の離脱があり、ダイヤモン
ド砥石および砥粒による研削、研磨加工後、深さ１００
ｎｍ以上にも達する凹みの欠陥３が、鏡面内に存在して
いる。
【００２６】したがって、このような欠陥３が存在して
いたのでは、ガラス基板をプレス成形しようとしても、
その基板面に、金型母材１のプレス面２の欠陥３がその
まま転写されてしまい、その表面を平滑に成形できな
い。
いたのでは、ガラス基板をプレス成形しようとしても、
その基板面に、金型母材１のプレス面２の欠陥３がその
まま転写されてしまい、その表面を平滑に成形できな
い。
【００２７】〔第２工程〕そのため、前記第１工程によ
る鏡面加工の後で、金型母材１のプレス面２上に、図１
（ｂ）で示すように、スパッタリング法により膜厚３ミ
クロンにて白金レニウム合金（Ｐｔ−Ｒｅ）からなる加
工膜４を形成する。
る鏡面加工の後で、金型母材１のプレス面２上に、図１
（ｂ）で示すように、スパッタリング法により膜厚３ミ
クロンにて白金レニウム合金（Ｐｔ−Ｒｅ）からなる加
工膜４を形成する。
【００２８】この場合、スパッタリング法で加工膜４を
形成しただけでは、加工膜４の表面には、金型母材１の
欠陥３に対応した欠陥５が存在した形状となる。
形成しただけでは、加工膜４の表面には、金型母材１の
欠陥３に対応した欠陥５が存在した形状となる。
【００２９】[第３工程〕そして、第３工程では、前記
第２工程後に、前記欠陥５の有る加工膜４を、０．５ミ
クロン径のダイヤモンド砥粒を用いた研磨加工により表
面粗さＲａで０．７ｎｍの鏡面、つまり、加工膜４の表
面をプレス面２の欠陥３の影響を消去するように、欠陥
５の深さ以上に研磨加工することにより、図１（ｃ）で
示すように、無欠陥な鏡面を実現することができる。
第２工程後に、前記欠陥５の有る加工膜４を、０．５ミ
クロン径のダイヤモンド砥粒を用いた研磨加工により表
面粗さＲａで０．７ｎｍの鏡面、つまり、加工膜４の表
面をプレス面２の欠陥３の影響を消去するように、欠陥
５の深さ以上に研磨加工することにより、図１（ｃ）で
示すように、無欠陥な鏡面を実現することができる。
【００３０】このようにして構成された金型の上下一対
でもって、直接、ガラス材料をプレス成形した場合、ガ
ラス基板を超平滑に成形することができる。
でもって、直接、ガラス材料をプレス成形した場合、ガ
ラス基板を超平滑に成形することができる。
【００３１】したがって、実施形態１の金型では、ハー
ドディスクの高密度化と高信頼性の要求に沿うガラス基
板を成形することができる。
ドディスクの高密度化と高信頼性の要求に沿うガラス基
板を成形することができる。
【００３２】なお、本発明は、上述した実施形態に限定
されるものではなく、種々な応用や変形が考えられる。
されるものではなく、種々な応用や変形が考えられる。
【００３３】（１）図２（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）を参
照して、実施形態２の金型の製造方法について説明す
る。
照して、実施形態２の金型の製造方法について説明す
る。
【００３４】実施形態２の金型においては、金型母材１
を、チタンカーバイド（ＴｉＣ）を主成分とするサーメ
ットで構成し、また、加工膜４を、アモルファスシリコ
ン（ａ−Ｓｉ）から構成している。そして、この実施形
態２の場合、金型母材１と白金（Ｐｔ）からなる離型膜
６との間に加工膜４を介装している。
を、チタンカーバイド（ＴｉＣ）を主成分とするサーメ
ットで構成し、また、加工膜４を、アモルファスシリコ
ン（ａ−Ｓｉ）から構成している。そして、この実施形
態２の場合、金型母材１と白金（Ｐｔ）からなる離型膜
６との間に加工膜４を介装している。
【００３５】〔第１工程〕図２（ａ）で示すように、金
型母材１のプレス面をダイヤモンド砥石により研削加工
した後、ダイヤンド砥粒（砥粒径２ミクロン）を用いて
研磨加工し、表面粗さＲａ１．３ｎｍに鏡面加工する。
型母材１のプレス面をダイヤモンド砥石により研削加工
した後、ダイヤンド砥粒（砥粒径２ミクロン）を用いて
研磨加工し、表面粗さＲａ１．３ｎｍに鏡面加工する。
【００３６】この場合も、金型母材１のプレス面２に
は、実施形態１で述べたと同様の理由により前記研磨に
起因した凹みの欠陥３が存在している。
は、実施形態１で述べたと同様の理由により前記研磨に
起因した凹みの欠陥３が存在している。
【００３７】〔第２工程〕第１工程で鏡面加工した金型
母材１のプレス面２に、図２（ｂ）で示すように、ＣＶ
Ｄ法により膜厚２ミクロンにてアモルファスシリコン
（ａ−Ｓｉ）からなる加工膜４を形成する。
母材１のプレス面２に、図２（ｂ）で示すように、ＣＶ
Ｄ法により膜厚２ミクロンにてアモルファスシリコン
（ａ−Ｓｉ）からなる加工膜４を形成する。
【００３８】この加工膜４が形成された状態だけでは、
実施形態１で述べたと同様の理由により加工膜４の表面
には、金型母材１の欠陥３に対応した欠陥５が存在した
形状となっている。
実施形態１で述べたと同様の理由により加工膜４の表面
には、金型母材１の欠陥３に対応した欠陥５が存在した
形状となっている。
【００３９】〔第３工程〕そして、加工膜４を、０．５
ミクロン径のシリカ（ＳｉＯ２）砥粒を用いて研磨加工
して表面粗さＲａ０．３ｎｍの鏡面とする。
ミクロン径のシリカ（ＳｉＯ２）砥粒を用いて研磨加工
して表面粗さＲａ０．３ｎｍの鏡面とする。
【００４０】加工膜４を、その表面の凹み２０の深さ以
上に研磨加工することにより、図２（ｃ）で示すよう
に、無欠陥な鏡面が実現される。
上に研磨加工することにより、図２（ｃ）で示すよう
に、無欠陥な鏡面が実現される。
【００４１】〔第４工程〕実施形態１の場合は、加工膜
４のみで、ガラスとの離型性が悪く、成形時にガラス付
着が発生する恐れがあるので、実施形態２では、さら
に、白金（Ｐｔ）からなる離型膜６を、図２（ｄ）で示
すように、加工膜４上にスパッタリング法により形成す
る。
４のみで、ガラスとの離型性が悪く、成形時にガラス付
着が発生する恐れがあるので、実施形態２では、さら
に、白金（Ｐｔ）からなる離型膜６を、図２（ｄ）で示
すように、加工膜４上にスパッタリング法により形成す
る。
【００４２】離型膜６を、無欠陥な鏡面構造の加工膜４
上に形成していると、離型が良好であり、かつ、凹みの
ない加工膜４上に形成しているため、その表面に凹み欠
陥が存在することはない。
上に形成していると、離型が良好であり、かつ、凹みの
ない加工膜４上に形成しているため、その表面に凹み欠
陥が存在することはない。
【００４３】実施形態２の金型の場合も、実施形態１と
同様にして、欠陥のない平滑なガラス基板を得ることが
できる。
同様にして、欠陥のない平滑なガラス基板を得ることが
できる。
【００４４】（２）本発明の場合、その金型母材１の素
材としては、上述の実施形態を含めて、耐熱性、耐食性
に優れ、耐高温強度を有する、以下のものを用いること
できる。
材としては、上述の実施形態を含めて、耐熱性、耐食性
に優れ、耐高温強度を有する、以下のものを用いること
できる。
【００４５】・タングステンカーバイトを主成分とする
超硬合金 ・チタンナイトライド、チタンカーバイト、クロムカー
バイトおよびクロムカーバイトのうちの少なくともいず
れか１種から選択されたものを主成分とするサーメット
よりなる ・アルミナ、シリコンカーバイト、クロムカーバイト、
窒化珪素および窒化硼素のうちの少なくともいずれか１
種から選択されたものを主成分とするセラミックス。
超硬合金 ・チタンナイトライド、チタンカーバイト、クロムカー
バイトおよびクロムカーバイトのうちの少なくともいず
れか１種から選択されたものを主成分とするサーメット
よりなる ・アルミナ、シリコンカーバイト、クロムカーバイト、
窒化珪素および窒化硼素のうちの少なくともいずれか１
種から選択されたものを主成分とするセラミックス。
【００４６】（３）本発明の場合、その加工膜４の素材
としては、上述の実施形態を含めて以下のものを用いる
ことできる。
としては、上述の実施形態を含めて以下のものを用いる
ことできる。
【００４７】・シリコン、ニッケル、クロム、チタン、
ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、パラジウム、
イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、レニ
ウム、タングステンおよびタンタルのうちの少なくとも
いずれか１種。
ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、パラジウム、
イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、レニ
ウム、タングステンおよびタンタルのうちの少なくとも
いずれか１種。
【００４８】・シリコン、ニッケル、クロム、チタン、
ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、パラジウム、
イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、レニ
ウム、タングステンおよびタンタルのうちの少なくとも
いずれか１種を主成分とする合金からなる ・アルミナ、シリコンカーバイト、クロムカーバイト、
窒化珪素および窒化硼素のうちの少なくともいずれか１
種から選択されたもの。
ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、パラジウム、
イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、レニ
ウム、タングステンおよびタンタルのうちの少なくとも
いずれか１種を主成分とする合金からなる ・アルミナ、シリコンカーバイト、クロムカーバイト、
窒化珪素および窒化硼素のうちの少なくともいずれか１
種から選択されたもの。
【００４９】（４）本発明の場合、離型膜６の素材とし
ては、上述の実施形態を含めて以下のものを用いること
できる。
ては、上述の実施形態を含めて以下のものを用いること
できる。
【００５０】・シリコン、ニッケル、クロム、チタン、
ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、パラジウム、
イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、レニ
ウム、タングステンおよびタンタルのうちの少なくとも
いずれか１種。
ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、パラジウム、
イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、レニ
ウム、タングステンおよびタンタルのうちの少なくとも
いずれか１種。
【００５１】・シリコン、ニッケル、クロム、チタン、
ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、パラジウム、
イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、レニ
ウム、タングステンおよびタンタルのうちの少なくとも
いずれか１種を主成分とする合金からなる ・アルミナ、シリコンカーバイト、クロムカーバイト、
窒化珪素および窒化硼素のうちの少なくともいずれか１
種から選択されたもの。
ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、パラジウム、
イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、レニ
ウム、タングステンおよびタンタルのうちの少なくとも
いずれか１種を主成分とする合金からなる ・アルミナ、シリコンカーバイト、クロムカーバイト、
窒化珪素および窒化硼素のうちの少なくともいずれか１
種から選択されたもの。
【００５２】（５）本発明は、上述した実施形態を含め
て、加工膜４の形成方法として、スパッタリング法、Ｃ
ＶＤ法、めっき法、ＰＶＤ法、などがある。
て、加工膜４の形成方法として、スパッタリング法、Ｃ
ＶＤ法、めっき法、ＰＶＤ法、などがある。
【００５３】（６）本発明は、上述した実施形態を含め
て、離型膜６の形成方法として、スパッタリング法、Ｃ
ＶＤ法、めっき法、ＰＶＤ法、などがある。
て、離型膜６の形成方法として、スパッタリング法、Ｃ
ＶＤ法、めっき法、ＰＶＤ法、などがある。
【００５４】（７）本発明は、加工膜４や離型膜６は、
単層でも複数層でもよい。
単層でも複数層でもよい。
【００５５】（８）上述の実施形態の場合、研磨加工性
とプレス成形に耐え得る機械強度を優先するときは加工
膜４を選択して実施形態１の金型を用いる。この場合、
加工膜４そのものが離型作用を有する。また、ガラスと
の離型性を優先するときは加工膜４は離型性を有すると
してもさらに離型性にすぐれた離型膜６を選択し実施形
態２の金型を用いるようにして、いずれにしても欠陥の
無い超平滑平面なガラス基板を得ることができる。
とプレス成形に耐え得る機械強度を優先するときは加工
膜４を選択して実施形態１の金型を用いる。この場合、
加工膜４そのものが離型作用を有する。また、ガラスと
の離型性を優先するときは加工膜４は離型性を有すると
してもさらに離型性にすぐれた離型膜６を選択し実施形
態２の金型を用いるようにして、いずれにしても欠陥の
無い超平滑平面なガラス基板を得ることができる。
【００５６】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、金型母
材のプレス面に、加工膜を形成し、その加工膜を鏡面に
加工することにより、金型母材のプレス面に存在する凹
みなどの欠陥を除去することが可能となり、この金型を
使用して、ガラス基板を成形することにより、欠陥の無
い、超平滑平面なガラス基板を得ることができる。
材のプレス面に、加工膜を形成し、その加工膜を鏡面に
加工することにより、金型母材のプレス面に存在する凹
みなどの欠陥を除去することが可能となり、この金型を
使用して、ガラス基板を成形することにより、欠陥の無
い、超平滑平面なガラス基板を得ることができる。
【００５７】また、加工膜上に、離型膜を形成した場
合、欠陥の無い、かつ、ガラスとの離型性が良好な金型
を得ることができる。
合、欠陥の無い、かつ、ガラスとの離型性が良好な金型
を得ることができる。
【図１】本発明の実施形態１に係る金型の製造方法の説
明に供する図
明に供する図
【図２】本発明の実施形態２に係る金型の製造方法の説
明に供する図
明に供する図
１ 金型母材、２ プレス面、４ 加工膜、６ 離型膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ１１Ｂ 7/26 ５１１ Ｇ１１Ｂ 7/26 ５１１
// Ｂ２９Ｌ 17:00 Ｂ２９Ｌ 17:00
(72)発明者 岡部 明彦
神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号
富士電機株式会社内
(72)発明者 皆澤 宏
神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号
富士電機株式会社内
Ｆターム(参考） 4F202 AH38 AH79 AJ02 AJ06 AJ09
AJ11 CA09 CB01 CD22
5D112 AA02 BA03 BA10
5D121 AA02 DD04 DD18
Claims (25)
- 【請求項１】金型母材と、 前記金型母材のプレス面に設けられ、かつ、その表面が
前記プレス面の欠陥の影響を消去する深さに鏡面加工さ
れている加工膜と、 を含むことを特徴とする基板成形用金型。 - 【請求項２】請求項１に記載の基板成形用金型におい
て、 前記加工膜上に設けられた離型膜を含む、ことを特徴と
する基板成形用金型。 - 【請求項３】請求項１または２記載の基板成形用金型に
おいて、 前記金型母材が、タングステンカーバイトを主成分とす
る超硬合金よりなる、ことを特徴とする基板成形用金
型。 - 【請求項４】請求項１または２記載の基板成形用金型に
おいて、 前記金型母材が、チタンナイトライド、チタンカーバイ
ト、クロムカーバイトおよびクロムカーバイトのうちの
少なくともいずれか１種から選択されたものを主成分と
するサーメットよりなる、ことを特徴とする基板成形用
金型。 - 【請求項５】請求項１または２記載の基板成形用金型に
おいて、 前記金型母材が、アルミナ、シリコンカーバイト、クロ
ムカーバイト、窒化珪素および窒化硼素のうちの少なく
ともいずれか１種から選択されたものを主成分とするセ
ラミックスよりなる、ことを特徴とする基板成形用金
型。 - 【請求項６】請求項１ないし５いずれかに記載の基板成
形用金型において、 前記加工膜が、シリコン、ニッケル、クロム、チタン、
ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、パラジウム、
イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、レニ
ウム、タングステンおよびタンタルのうちの少なくとも
いずれか１種からなる、ことを特徴とする基板成形用金
型。 - 【請求項７】請求項１ないし５いずれかに記載の基板成
形用金型において、 前記加工膜が、シリコン、ニッケル、クロム、チタン、
ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、パラジウム、
イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、レニ
ウム、タングステンおよびタンタルのうちの少なくとも
いずれか１種を主成分とする合金からなる、ことを特徴
とする基板成形用金型。 - 【請求項８】請求項１ないし５いずれかに記載の基板成
形用金型において、 前記加工膜が、アルミナ、シリコンカーバイト、クロム
カーバイト、窒化珪素および窒化硼素のうちの少なくと
もいずれか１種から選択されたものからなる、ことを特
徴とする基板成形用金型。 - 【請求項９】請求項２に記載の基板成形用金型におい
て、 前記離型膜が、シリコン、ニッケル、クロム、チタン、
ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、パラジウム、
イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、レニ
ウム、タングステンおよびタンタルのうちの少なくとも
いずれか１種からなる、ことを特徴とする基板成形用金
型。 - 【請求項１０】請求項２に記載の基板成形用金型におい
て、 前記離型膜が、シリコン、ニッケル、クロム、チタン、
ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、パラジウム、
イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、レニ
ウム、タングステンおよびタンタルのうちの少なくとも
いずれか１種を主成分とする合金からなる、ことを特徴
とする基板成形用金型。 - 【請求項１１】請求項２に記載の基板成形用金型におい
て、 前記離型膜が、アルミナ、シリコンカーバイト、クロム
カーバイト、窒化珪素および窒化硼素のうちの少なくと
もいずれか１種から選択されたものからなる、ことを特
徴とする基板成形用金型。 - 【請求項１２】請求項２に記載の基板成形用金型におい
て、 前記加工膜と離型膜とが同じ材料で構成されている、こ
とを特徴とする基板成形用金型。 - 【請求項１３】ガラスを加熱軟化してプレス成形するこ
とによりガラス基板を得る際に使用する基板成形用金型
の製造方法であって、 前記金型母材のプレス面を鏡面加工する第１工程と、 前記金型母材のプレス面に加工膜を形成する第２工程
と、 前記加工膜の表面を前記プレス面の欠陥の影響を消去す
る深さに鏡面加工する第３工程と、 を含む基板成形用金型の製造方法。 - 【請求項１４】請求項１３に記載の基板成形用金型の製
造方法において、 前記加工膜の上に離型膜を形成する第４工程、 を含むことを特徴とする基板成形用金型の製造方法。 - 【請求項１５】請求項１３または１４記載の基板成形用
金型の製造方法において、 前記第１工程が、前記金型母材のプレス面を研削した
後、研磨することにより鏡面に仕上げるものである、こ
とを特徴とする基板成形用金型の製造方法。 - 【請求項１６】請求項１３ないし１５のいずれかに記載
の基板成形用金型の製造方法において、 前記金型母材の材料として、タングステンカーバイトを
主成分とする超硬合金を用いる、ことを特徴とする基板
成形用金型の製造方法。 - 【請求項１７】請求項１３ないし１５のいずれかに記載
の基板成形用金型の製造方法において、 前記金型母材の材料として、チタンナイトライド、チタ
ンカーバイト、クロムカーバイトおよびクロムカーバイ
トのうちの少なくともいずれか１種から選択されたもの
を主成分とするサーメットを用いる、ことを特徴とする
基板成形用金型の製造方法。 - 【請求項１８】請求項１３ないし１５のいずれかに記載
の基板成形用金型の製造方法において、 前記金型母材の材料として、アルミナ、シリコンカーバ
イト、クロムカーバイト、窒化珪素および窒化硼素のう
ちの少なくともいずれか１種から選択されたものを主成
分とするセラミックスを用いるよりなる、ことを特徴と
する基板成形用金型の製造方法。 - 【請求項１９】請求項１３ないし１８いずれかに記載の
基板成形用金型の製造方法において、 前記加工膜の材料として、シリコン、ニッケル、クロ
ム、チタン、ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、
パラジウム、イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテ
ニウム、レニウム、タングステンおよびタンタルのうち
の少なくともいずれか１種からなるものを用いる、こと
を特徴とする基板成形用金型の製造方法。 - 【請求項２０】請求項１３ないし１９いずれかに記載の
基板成形用金型において、 前記加工膜の材料として、シリコン、ニッケル、クロ
ム、チタン、ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、
パラジウム、イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテ
ニウム、レニウム、タングステンおよびタンタルのうち
の少なくともいずれか１種を主成分とする合金を用い
る、ことを特徴とする基板成形用金型。 - 【請求項２１】請求項１３ないし１９いずれかに記載の
基板成形用金型において、 前記加工膜の材料として、アルミナ、シリコンカーバイ
ト、クロムカーバイト、窒化珪素および窒化硼素のうち
の少なくともいずれか１種から選択されたものを用い
る、ことを特徴とする基板成形用金型。 - 【請求項２２】請求項１４に記載の基板成形用金型にお
いて、 前記離型膜の材料として、シリコン、ニッケル、クロ
ム、チタン、ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、
パラジウム、イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテ
ニウム、レニウム、タングステンおよびタンタルのうち
の少なくともいずれか１種を用いる、ことを特徴とする
基板成形用金型。 - 【請求項２３】請求項１４に記載の基板成形用金型にお
いて、 前記離型膜の材料として、シリコン、ニッケル、クロ
ム、チタン、ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、
パラジウム、イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテ
ニウム、レニウム、タングステンおよびタンタルのうち
の少なくともいずれか１種を主成分とする合金を用い
る、ことを特徴とする基板成形用金型。 - 【請求項２４】請求項１４に記載の基板成形用金型にお
いて、 前記離型膜が、アルミナ、シリコンカーバイト、クロム
カーバイト、窒化珪素および窒化硼素のうちの少なくと
もいずれか１種から選択されたものからなる、ことを特
徴とする基板成形用金型。 - 【請求項２５】請求項１２に記載の基板成形用金型の製
造方法において、 前記加工膜と離型膜とを同じ材料を用いて形成する、こ
とを特徴とする基板成形用金型の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001211986A JP2003026426A (ja) | 2001-07-12 | 2001-07-12 | 基板成形用金型およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001211986A JP2003026426A (ja) | 2001-07-12 | 2001-07-12 | 基板成形用金型およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003026426A true JP2003026426A (ja) | 2003-01-29 |
Family
ID=19047219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001211986A Withdrawn JP2003026426A (ja) | 2001-07-12 | 2001-07-12 | 基板成形用金型およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003026426A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005314761A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Kida Seiko Kk | 光ディスク用スタンパーの基板作製方法及び電鋳物 |
| JP2009073689A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Fujinon Corp | 光学素子成形用金型及びその製造方法 |
| EP2610933A2 (en) | 2011-12-28 | 2013-07-03 | Nichia Corporation | Molded package for light emitting device |
-
2001
- 2001-07-12 JP JP2001211986A patent/JP2003026426A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005314761A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Kida Seiko Kk | 光ディスク用スタンパーの基板作製方法及び電鋳物 |
| JP2009073689A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Fujinon Corp | 光学素子成形用金型及びその製造方法 |
| EP2610933A2 (en) | 2011-12-28 | 2013-07-03 | Nichia Corporation | Molded package for light emitting device |
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|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090210 |