JP2003026427A - 基板成形用金型およびこれの製造方法 - Google Patents
基板成形用金型およびこれの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】金型母材表面の研磨による加工痕を消失させ、
また、ガラス基板の離型性を良好にする。 【解決手段】金型母材１のプレス面２が研削により鏡面
にされ、エッチングで所望の表面粗さとされ、その金型
母材のプレス面に離型膜３が、所定の膜厚でかつ所定の
表面粗さに形成されている基板成形用金型。
また、ガラス基板の離型性を良好にする。 【解決手段】金型母材１のプレス面２が研削により鏡面
にされ、エッチングで所望の表面粗さとされ、その金型
母材のプレス面に離型膜３が、所定の膜厚でかつ所定の
表面粗さに形成されている基板成形用金型。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス材料から、
磁気ディスク、光ディスク、その他の情報記録ディスク
用のガラス基板にプレス成形するための基板成形用金型
およびこれの製造方法に関する。
磁気ディスク、光ディスク、その他の情報記録ディスク
用のガラス基板にプレス成形するための基板成形用金型
およびこれの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】情報記録ディスクにおいては、磁気ディ
スク、光ディスク、その他のハードディスクがある。こ
のようなディスクの基板材料としては、これまでのアル
ミニウム合金に代わり、強度が大きく、耐熱性も良好
で、表面硬度が高く、高精度な精密研磨によって、高精
度な平滑性の要求に十分応えることができるガラス基板
が注目されている。
スク、光ディスク、その他のハードディスクがある。こ
のようなディスクの基板材料としては、これまでのアル
ミニウム合金に代わり、強度が大きく、耐熱性も良好
で、表面硬度が高く、高精度な精密研磨によって、高精
度な平滑性の要求に十分応えることができるガラス基板
が注目されている。
【０００３】このガラス基板の製造としては、金型によ
りガラス材料を加熱加圧して情報記録ディスクの形状に
プレス成形するプレス成形法がある。
りガラス材料を加熱加圧して情報記録ディスクの形状に
プレス成形するプレス成形法がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の金型
の場合、その母材の表面を研磨し、その表面に成形した
ガラス基板との離型を良くするための離型膜を形成する
ものがある。
の場合、その母材の表面を研磨し、その表面に成形した
ガラス基板との離型を良くするための離型膜を形成する
ものがある。
【０００５】また、このような金型において、従来で
は、母材の表面粗さが小さくて鏡面性が高いために、そ
の母材の表面に形成される離型膜の表面も鏡面性が高い
ものとなっており、離型膜が形成されているにもかかわ
らず、金型からのガラス基板の離型性が悪く、ガラス成
分の付着や基板割れが多発している。
は、母材の表面粗さが小さくて鏡面性が高いために、そ
の母材の表面に形成される離型膜の表面も鏡面性が高い
ものとなっており、離型膜が形成されているにもかかわ
らず、金型からのガラス基板の離型性が悪く、ガラス成
分の付着や基板割れが多発している。
【０００６】したがって、本発明は、金型母材のプレス
面に離型膜が形成されている金型において、成形時のガ
ラス基板の離型性も良好にすることを解決すべき共通の
課題としている。
面に離型膜が形成されている金型において、成形時のガ
ラス基板の離型性も良好にすることを解決すべき共通の
課題としている。
【０００７】また、このような金型では、前記母材表面
の研磨に起因する方向性を持った加工痕が存在し、その
加工痕が、離型膜の形成後も残留し、それを使用してガ
ラス基板を成形した際には、この残留加工痕がガラス基
板に転写されてしまうおそれがある。
の研磨に起因する方向性を持った加工痕が存在し、その
加工痕が、離型膜の形成後も残留し、それを使用してガ
ラス基板を成形した際には、この残留加工痕がガラス基
板に転写されてしまうおそれがある。
【０００８】したがって、本発明は、金型母材表面の研
磨による加工痕を消失させてガラス基板へのその加工痕
の転写を無くすことを解決すべき他の課題としている。
磨による加工痕を消失させてガラス基板へのその加工痕
の転写を無くすことを解決すべき他の課題としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】(１)本発明第１は、金型
母材の少なくともプレス面をドライエッチング、ウエッ
トエッチングなどで所望の表面粗さに荒らした後、少な
くとも一層以上の離型膜を形成するものである。
母材の少なくともプレス面をドライエッチング、ウエッ
トエッチングなどで所望の表面粗さに荒らした後、少な
くとも一層以上の離型膜を形成するものである。
【００１０】本発明第１によると、金型母材のプレス面
が所望の表面粗さになっているから、そのプレス面に形
成される離型膜の表面粗さもほぼ該プレス面の表面粗さ
に対応したものとなる。したがって、この離型膜からの
ガラス基板の離型性が大きく向上し、金型へのガラス成
分の付着や、ガラス基板割れが発生しなくなる。
が所望の表面粗さになっているから、そのプレス面に形
成される離型膜の表面粗さもほぼ該プレス面の表面粗さ
に対応したものとなる。したがって、この離型膜からの
ガラス基板の離型性が大きく向上し、金型へのガラス成
分の付着や、ガラス基板割れが発生しなくなる。
【００１１】本発明第１は、好ましくは、前記プレス面
が、鏡面加工された後で、エッチングで所望の表面粗さ
に加工されている。
が、鏡面加工された後で、エッチングで所望の表面粗さ
に加工されている。
【００１２】こうした構成にした場合、エッチングレー
トの違いで金型母材表面を所望の表面粗さに容易かつ正
確に制御できて好ましい。
トの違いで金型母材表面を所望の表面粗さに容易かつ正
確に制御できて好ましい。
【００１３】本発明第１は、好ましくは、前記金型母材
が、エッチングレートが異なる材料を含むとともに、そ
のプレス面を研削加工により鏡面にされた後、ドライエ
ッチングによりプレス面がエッチングされて所望の表面
粗さにされている。
が、エッチングレートが異なる材料を含むとともに、そ
のプレス面を研削加工により鏡面にされた後、ドライエ
ッチングによりプレス面がエッチングされて所望の表面
粗さにされている。
【００１４】こうした構成にした場合、エッチングレー
トの違いで金型母材表面を所望の表面粗さに容易かつ正
確に制御できて好ましい。
トの違いで金型母材表面を所望の表面粗さに容易かつ正
確に制御できて好ましい。
【００１５】本発明第１は、好ましくは、前記離型膜
が、当該離型膜に対する形成条件を制御したスパッタリ
ングにより、所定の膜厚でかつ所定の表面粗さに形成さ
れている。
が、当該離型膜に対する形成条件を制御したスパッタリ
ングにより、所定の膜厚でかつ所定の表面粗さに形成さ
れている。
【００１６】こうした構成にした場合、離型膜の表面粗
さを金型母材のプレス面の表面粗さに対応させやすくな
って好ましい。
さを金型母材のプレス面の表面粗さに対応させやすくな
って好ましい。
【００１７】(２)本発明第２は、所望の表面粗さとされ
たプレス面を有する金型母材と、前記プレス面に所望の
表面粗さで形成されている加工膜と、前記加工膜上に形
成された離型膜とを含む。
たプレス面を有する金型母材と、前記プレス面に所望の
表面粗さで形成されている加工膜と、前記加工膜上に形
成された離型膜とを含む。
【００１８】本発明第２によると、本発明第１と同様
に、金型母材のプレス面が所望の表面粗さになっている
から、そのプレス面に形成される離型膜の表面粗さもほ
ぼ該プレス面の表面粗さに対応したものとなる。したが
って、この離型膜からのガラス基板の離型性が大きく向
上し、金型へのガラス成分の付着や、ガラス基板割れが
発生しなくなる。
に、金型母材のプレス面が所望の表面粗さになっている
から、そのプレス面に形成される離型膜の表面粗さもほ
ぼ該プレス面の表面粗さに対応したものとなる。したが
って、この離型膜からのガラス基板の離型性が大きく向
上し、金型へのガラス成分の付着や、ガラス基板割れが
発生しなくなる。
【００１９】そして、この場合、本発明第２では、離型
膜が加工膜上に形成されているから、母材表面にその研
磨に起因して存在する加工痕をその加工膜で除去するこ
とができるから、加工痕が、離型膜の形成後に残留する
ようなことが九なり、その結果、従来のように加工痕が
ガラス基板に転写されてしまうおそれをなくすことがで
きる。
膜が加工膜上に形成されているから、母材表面にその研
磨に起因して存在する加工痕をその加工膜で除去するこ
とができるから、加工痕が、離型膜の形成後に残留する
ようなことが九なり、その結果、従来のように加工痕が
ガラス基板に転写されてしまうおそれをなくすことがで
きる。
【００２０】本発明第２は、好ましくは、前記加工膜
は、鏡面加工されてからエッチングにより所望の表面粗
さに形成されている。
は、鏡面加工されてからエッチングにより所望の表面粗
さに形成されている。
【００２１】こうした構成にした場合、その加工膜の上
に形成される離型膜の表面粗さを、金型母材のプレス面
の表面粗さに影響されず、加工膜の表面粗さに対応した
ものにできるから、その表面粗さの設定が容易になる。
に形成される離型膜の表面粗さを、金型母材のプレス面
の表面粗さに影響されず、加工膜の表面粗さに対応した
ものにできるから、その表面粗さの設定が容易になる。
【００２２】本発明第２は、好ましくは、前記エッチン
グが、ウェットエッチングである。
グが、ウェットエッチングである。
【００２３】本発明第２は、好ましくは、前記金型母材
が、そのプレス面を研磨加工により鏡面にされており、
前記離型膜が、放電投入電力を制御したスパッタリング
により、所定の膜厚でかつ所定の表面粗さに形成されて
いる。
が、そのプレス面を研磨加工により鏡面にされており、
前記離型膜が、放電投入電力を制御したスパッタリング
により、所定の膜厚でかつ所定の表面粗さに形成されて
いる。
【００２４】本発明第２は、好ましくは、前記加工膜と
離型膜とが同じ材料で構成されている。
離型膜とが同じ材料で構成されている。
【００２５】こうした構成にした場合、加工膜と離型膜
との密着性が高くなって好ましい。
との密着性が高くなって好ましい。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の情報記録ディスク
用ガラス基板のプレス成形用金型（以下、単に金型とい
う）についての詳細を図面に示す実施形態を参照して説
明する。
用ガラス基板のプレス成形用金型（以下、単に金型とい
う）についての詳細を図面に示す実施形態を参照して説
明する。
【００２７】なお、金型は上下一対からなるが、各実施
形態では、その一方の金型についての製造方法について
説明するが、他方の金型も同様に製造することができ
る。さらに、各実施形態で示される金型は、図面的には
その側面構成のみが示されており、その平面構成は示さ
れていない。
形態では、その一方の金型についての製造方法について
説明するが、他方の金型も同様に製造することができ
る。さらに、各実施形態で示される金型は、図面的には
その側面構成のみが示されており、その平面構成は示さ
れていない。
【００２８】本実施の形態は、ガラスを加熱軟化してプ
レス成形することによりガラス基板を得る際に使用する
基板成形用金型の製造方法であって、金型母材の少なく
ともプレス面を所望の表面粗さにする第１工程と、前記
プレス面に対して、少なくとも一層以上の離型膜を形成
する第２工程とを有するものである。
レス成形することによりガラス基板を得る際に使用する
基板成形用金型の製造方法であって、金型母材の少なく
ともプレス面を所望の表面粗さにする第１工程と、前記
プレス面に対して、少なくとも一層以上の離型膜を形成
する第２工程とを有するものである。
【００２９】以下、図１（ａ）（ｂ）（ｃ）を参照し
て、これら各工程の詳細を説明する。これらの図におい
て、１は金型母材、２はプレス面、３は離型膜である。
て、これら各工程の詳細を説明する。これらの図におい
て、１は金型母材、２はプレス面、３は離型膜である。
【００３０】〔第１工程〕第１工程は、図１(ａ)で示す
ように、金型母材１のプレス面２を、ダイヤモンド砥石
により研削加工するとともに、２ミクロン径のダイヤン
ド砥粒により研磨加工して、その表面粗さを所望の表面
粗さとして例えば中心線平均粗さＲａで０．５ｎｍの鏡
面構造とする。この場合、金型母材１は、タングステン
カーバイド（ＷＣ）と焼結バインダーであるコバルト
（Ｃｏ）とから構成されている。
ように、金型母材１のプレス面２を、ダイヤモンド砥石
により研削加工するとともに、２ミクロン径のダイヤン
ド砥粒により研磨加工して、その表面粗さを所望の表面
粗さとして例えば中心線平均粗さＲａで０．５ｎｍの鏡
面構造とする。この場合、金型母材１は、タングステン
カーバイド（ＷＣ）と焼結バインダーであるコバルト
（Ｃｏ）とから構成されている。
【００３１】そして、鏡面加工された金型母材１を、図
１（ｂ）で示すように、アルゴンガスを使用してエッチ
ング量１００ｎｍでもって、その表面粗さを前記Ｒａ
０．５ｎｍからＲａ１．５ｎｍとするようにドライエッ
チングする。
１（ｂ）で示すように、アルゴンガスを使用してエッチ
ング量１００ｎｍでもって、その表面粗さを前記Ｒａ
０．５ｎｍからＲａ１．５ｎｍとするようにドライエッ
チングする。
【００３２】このドライエッチングの場合、金型母材１
の構成材料である、タングステンカーバイドとコバルト
とのエッチングレートが異なることを利用することがで
きる。
の構成材料である、タングステンカーバイドとコバルト
とのエッチングレートが異なることを利用することがで
きる。
【００３３】〔第２工程〕第２工程では、前記したよう
に、金型母材１のプレス面２に対して、少なくとも一層
以上の離型膜３を形成するものであり、そのため、前記
ドライエッチングの後、図１（ｃ）で示すように、金型
母材１のプレス面２に、スパッタリング法により膜厚１
ミクロンの白金（Ｐｔ）からなり、かつ、表面粗さＲａ
１．７ｎｍの離型膜３を形成する。
に、金型母材１のプレス面２に対して、少なくとも一層
以上の離型膜３を形成するものであり、そのため、前記
ドライエッチングの後、図１（ｃ）で示すように、金型
母材１のプレス面２に、スパッタリング法により膜厚１
ミクロンの白金（Ｐｔ）からなり、かつ、表面粗さＲａ
１．７ｎｍの離型膜３を形成する。
【００３４】以上の第１工程により、金型母材１のプレ
ス面２は、表面粗さが、Ｒａ０．５ｎｍからＲａ１．５
ｎｍとし、第２工程により、離型膜３の表面粗さをＲａ
１．７ｎｍとする。
ス面２は、表面粗さが、Ｒａ０．５ｎｍからＲａ１．５
ｎｍとし、第２工程により、離型膜３の表面粗さをＲａ
１．７ｎｍとする。
【００３５】したがって、本実施の形態１の金型による
場合、金型母材１の研磨加工痕がドライエッチングによ
り消失するとともに、得られた金型表面の面状態が等方
的に、かつ、均一に荒れており、加工痕の転写もなく、
ガラス基板との離型性に優れたものとなるうえ、得られ
たガラス基板の品質を良好なものできる。
場合、金型母材１の研磨加工痕がドライエッチングによ
り消失するとともに、得られた金型表面の面状態が等方
的に、かつ、均一に荒れており、加工痕の転写もなく、
ガラス基板との離型性に優れたものとなるうえ、得られ
たガラス基板の品質を良好なものできる。
【００３６】なお、本実施の形態１の金型とは異なっ
て、金型母材１のプレス面２を、ドライエッチングする
ことなく表面粗さＲａ０．７ｎｍの離型膜３を形成した
従来の金型の場合、その金型母材の表面には研磨加工に
起因する方向性を持った加工痕が存在し、離型性が悪
く、その加工痕が、離型膜の形成後も残留している。こ
のような金型の場合、それを使用してガラス基板を成形
した際には、この残留加工痕がガラス基板に転写されて
しまうものである。
て、金型母材１のプレス面２を、ドライエッチングする
ことなく表面粗さＲａ０．７ｎｍの離型膜３を形成した
従来の金型の場合、その金型母材の表面には研磨加工に
起因する方向性を持った加工痕が存在し、離型性が悪
く、その加工痕が、離型膜の形成後も残留している。こ
のような金型の場合、それを使用してガラス基板を成形
した際には、この残留加工痕がガラス基板に転写されて
しまうものである。
【００３７】本発明は、上述した実施形態１に限定され
るものではなく、種々な応用や変形が考えられる。 (１)図２（ａ）（ｂ）を参照して、実施形態２の金型の
製造方法について説明する。これらの図において、１は
金型母材、２はプレス面、３は離型膜である。
るものではなく、種々な応用や変形が考えられる。 (１)図２（ａ）（ｂ）を参照して、実施形態２の金型の
製造方法について説明する。これらの図において、１は
金型母材、２はプレス面、３は離型膜である。
【００３８】実施形態２の金型においては、金型母材１
は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）で構成され、また、離型膜３
は、白金とタングステンとの合金（Ｐｔ−Ｗ）で構成さ
れている。
は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）で構成され、また、離型膜３
は、白金とタングステンとの合金（Ｐｔ−Ｗ）で構成さ
れている。
【００３９】〔第１工程〕図２（ａ）で示すように、金
型母材１のプレス面２を、ダイヤモンド砥石により研削
加工し、その後、２ミクロン径のダイヤンド砥粒を用い
て研磨加工してその表面粗さを中心線平均粗さＲａで
０．３ｎｍとされた鏡面構造とする。
型母材１のプレス面２を、ダイヤモンド砥石により研削
加工し、その後、２ミクロン径のダイヤンド砥粒を用い
て研磨加工してその表面粗さを中心線平均粗さＲａで
０．３ｎｍとされた鏡面構造とする。
【００４０】〔第２工程〕そして、図２（ｂ）で示すよ
うに、鏡面加工後、金型母材１のプレス面２に対してス
パッタリング法により、膜厚１ミクロンで表面粗さＲａ
１．７ｎｍの離型膜３を形成する。
うに、鏡面加工後、金型母材１のプレス面２に対してス
パッタリング法により、膜厚１ミクロンで表面粗さＲａ
１．７ｎｍの離型膜３を形成する。
【００４１】このスパッタリングに際しての放電投入電
力は３００Ｗ、ガス圧０．３Ｐａとしている。
力は３００Ｗ、ガス圧０．３Ｐａとしている。
【００４２】実施形態２の金型と従来の金型とを比較す
る。従来の金型は、実施形態２の金型と同じ金型母材１
を使用し、離型膜３のスパッタリング法による形成条件
を、ガス圧力は同じで、放電投入電力を２００Ｗとして
いる。
る。従来の金型は、実施形態２の金型と同じ金型母材１
を使用し、離型膜３のスパッタリング法による形成条件
を、ガス圧力は同じで、放電投入電力を２００Ｗとして
いる。
【００４３】従来の金型の場合、プレス面２の表面粗さ
はＲａ０．６ｎｍとなり、金型母材１の研磨加工痕が残
留するとともに、成形時のガラス基板の離型性が良好で
なかった。
はＲａ０．６ｎｍとなり、金型母材１の研磨加工痕が残
留するとともに、成形時のガラス基板の離型性が良好で
なかった。
【００４４】これに対して実施形態２の金型の場合、加
工痕が成膜により消失し、また、成形時のガラス基板の
離型性も良好であった。
工痕が成膜により消失し、また、成形時のガラス基板の
離型性も良好であった。
【００４５】以上のように、上述の実施形態２の場合、
母材のプレス面をエッチング等により荒らした後、離型
膜を形成することにより、等方的で、任意の粗さの金型
表面を得ることができる。また、離型膜の形成条件を制
御することで、所望の表面粗さの金型を得ることができ
る。
母材のプレス面をエッチング等により荒らした後、離型
膜を形成することにより、等方的で、任意の粗さの金型
表面を得ることができる。また、離型膜の形成条件を制
御することで、所望の表面粗さの金型を得ることができ
る。
【００４６】(２)図３（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）を参照
して、実施形態３の金型の製造方法について説明する。
これらの図において、１は金型母材、２はプレス面、３
は離型膜、４は加工膜である。
して、実施形態３の金型の製造方法について説明する。
これらの図において、１は金型母材、２はプレス面、３
は離型膜、４は加工膜である。
【００４７】実施形態３の場合、金型母材１の少なくと
もプレス面２を所望の表面粗さにする第１工程と、金型
母材１の少なくともプレス面２上に所望の表面粗さの加
工膜４を形成する第２工程と、前記加工膜４上に一層以
上の離型膜３を形成する第３工程とを含む。
もプレス面２を所望の表面粗さにする第１工程と、金型
母材１の少なくともプレス面２上に所望の表面粗さの加
工膜４を形成する第２工程と、前記加工膜４上に一層以
上の離型膜３を形成する第３工程とを含む。
【００４８】実施形態３の金型においては、金型母材１
は、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）で構成され、離型膜
３は、白金とイリジウムとの合金（Ｐｔ−Ｉｒ）で構成
されている。そして、この実施形態３の場合、金型母材
１と離型膜３との間にシリコン（Ｓｉ）からなる加工膜
４が介装されている。
は、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）で構成され、離型膜
３は、白金とイリジウムとの合金（Ｐｔ−Ｉｒ）で構成
されている。そして、この実施形態３の場合、金型母材
１と離型膜３との間にシリコン（Ｓｉ）からなる加工膜
４が介装されている。
【００４９】〔第１工程〕図３（ａ）で示すように、金
型母材１のプレス面２を、ダイヤモンド砥石により研削
加工し、その後、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）砥粒を使用した
研磨加工により表面粗さをＲａ２．８ｎｍに鏡面加工す
る。
型母材１のプレス面２を、ダイヤモンド砥石により研削
加工し、その後、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）砥粒を使用した
研磨加工により表面粗さをＲａ２．８ｎｍに鏡面加工す
る。
【００５０】〔第２工程〕金型母材１のプレス面２に、
図３（ｂ）で示すように、ＣＶＤ法により、膜厚１．５
ミクロンのシリコン（Ｓｉ）からなる加工膜４を形成す
る。
図３（ｂ）で示すように、ＣＶＤ法により、膜厚１．５
ミクロンのシリコン（Ｓｉ）からなる加工膜４を形成す
る。
【００５１】この加工膜４を、２ミクロン径のシリカ
（Ｓｉ2Ｏ3）砥粒を用いた研磨加工により、その表面粗
さをＲａ０．５ｎｍの鏡面とする。
（Ｓｉ2Ｏ3）砥粒を用いた研磨加工により、その表面粗
さをＲａ０．５ｎｍの鏡面とする。
【００５２】そして、加工膜４を、図３（ｃ）で示すよ
うにエッチング量１５０ｎｍのウエットエッチングによ
り表面粗さＲａ１．２ｎｍとする。
うにエッチング量１５０ｎｍのウエットエッチングによ
り表面粗さＲａ１．２ｎｍとする。
【００５３】〔第３工程〕加工膜４の上に、図３（ｄ）
で示すように、スパッタリング法により膜厚１ミクロン
にて白金とイリジウムとの合金（Ｐｔ−Ｉｒ）からなる
表面粗さＲａ１．８ｎｍの離型膜３を形成する。
で示すように、スパッタリング法により膜厚１ミクロン
にて白金とイリジウムとの合金（Ｐｔ−Ｉｒ）からなる
表面粗さＲａ１．８ｎｍの離型膜３を形成する。
【００５４】実施形態３の金型と従来の金型とを比較す
る。従来の金型は、金型母材１上に加工膜４が形成され
ていない。
る。従来の金型は、金型母材１上に加工膜４が形成され
ていない。
【００５５】その結果、従来の金型の場合、金型母材が
エッチングされていても、その表面粗さＲａは、金型母
材の研磨加工後の表面粗さがほぼ維持されたままであ
り、その結果、離型膜の形成後も、その表面には、金型
母材の表面に存在した研磨加工に起因する方向性を持っ
た加工痕が残留し、この金型を使用して成形した際、こ
の加工痕がガラス基板に転写するという問題が発生す
る。
エッチングされていても、その表面粗さＲａは、金型母
材の研磨加工後の表面粗さがほぼ維持されたままであ
り、その結果、離型膜の形成後も、その表面には、金型
母材の表面に存在した研磨加工に起因する方向性を持っ
た加工痕が残留し、この金型を使用して成形した際、こ
の加工痕がガラス基板に転写するという問題が発生す
る。
【００５６】一方、実施形態３の金型の場合、金型母材
１の研磨加工痕も加工膜４のエッチングにより消失する
とともに、その面粗さが等方的で、加工痕の転写もな
く、離型性に優れたものであり、得られたガラス基板の
品質も良好であった。
１の研磨加工痕も加工膜４のエッチングにより消失する
とともに、その面粗さが等方的で、加工痕の転写もな
く、離型性に優れたものであり、得られたガラス基板の
品質も良好であった。
【００５７】(３)図４（ａ）（ｂ）（ｃ）を参照して、
実施形態４の金型の製造方法について説明する。これら
の図において、１は金型母材、２はプレス面、３は離型
膜、４は加工膜である。
実施形態４の金型の製造方法について説明する。これら
の図において、１は金型母材、２はプレス面、３は離型
膜、４は加工膜である。
【００５８】実施形態４の金型においては、金型母材１
は、チタンカーバイド（ＴｉＣ）を主成分とするサーメ
ットで構成され、離型膜３は、白金と金との合金（Ｐｔ
−Ａｕ）で構成されている。そして、この実施形態４の
場合、金型母材１と離型膜３との間にクロム（Ｃｒ）か
らなる加工膜６が介装されている。
は、チタンカーバイド（ＴｉＣ）を主成分とするサーメ
ットで構成され、離型膜３は、白金と金との合金（Ｐｔ
−Ａｕ）で構成されている。そして、この実施形態４の
場合、金型母材１と離型膜３との間にクロム（Ｃｒ）か
らなる加工膜６が介装されている。
【００５９】実施形態４の製造方法を説明する。
【００６０】〔第１工程〕金型母材１のプレス面４は、
図４（ａ）で示すように、ダイヤモンド砥石により表面
粗さＲａ１５ｎｍに研削加工されている。
図４（ａ）で示すように、ダイヤモンド砥石により表面
粗さＲａ１５ｎｍに研削加工されている。
【００６１】〔第２工程〕前記鏡面加工の後、図４
（ｂ）で示すように、金型母材１のプレス面４に、スパ
ッタ法により膜厚１．５ミクロンからにるクロム（Ｃ
ｒ）の加工膜６が形成される。
（ｂ）で示すように、金型母材１のプレス面４に、スパ
ッタ法により膜厚１．５ミクロンからにるクロム（Ｃ
ｒ）の加工膜６が形成される。
【００６２】この加工膜６は、２ミクロン径のアルミナ
（Ａｌ2Ｏ3）砥粒を用いた研磨加工により表面粗さＲａ
０．４ｎｍの鏡面とされる。
（Ａｌ2Ｏ3）砥粒を用いた研磨加工により表面粗さＲａ
０．４ｎｍの鏡面とされる。
【００６３】〔第３工程〕そして、加工膜６の上に、図
４（ｃ）で示すように、ガス圧力０．０５Ｐａにてスパ
ッタリング法により表面粗さＲａ２．１ｎｍの離型膜５
が形成される。
４（ｃ）で示すように、ガス圧力０．０５Ｐａにてスパ
ッタリング法により表面粗さＲａ２．１ｎｍの離型膜５
が形成される。
【００６４】実施形態４の金型と従来の金型と比較す
る。従来の金型の場合、実施形態４の金型と同じ金型母
材とし、離型膜のスパッタリング法による形成条件は、
ガス圧０．６Ｐａとされる。
る。従来の金型の場合、実施形態４の金型と同じ金型母
材とし、離型膜のスパッタリング法による形成条件は、
ガス圧０．６Ｐａとされる。
【００６５】この結果、従来の金型の場合、表面粗さＲ
ａが０．９ｎｍとなり、加工膜の研磨加工痕が残留する
とともに、表面粗さが小さく、成形時の離型性が良好で
なかった。
ａが０．９ｎｍとなり、加工膜の研磨加工痕が残留する
とともに、表面粗さが小さく、成形時の離型性が良好で
なかった。
【００６６】これに対して、実施形態４の金型の場合、
金型母材１の研磨加工痕が、離型膜３の形成により消失
するとともに、その面粗さが等方的で、かつ、任意に制
御可能で、また、加工痕の転写もなく、離型性に優れた
ものであり、得られたガラス基板の品質も良好であっ
た。
金型母材１の研磨加工痕が、離型膜３の形成により消失
するとともに、その面粗さが等方的で、かつ、任意に制
御可能で、また、加工痕の転写もなく、離型性に優れた
ものであり、得られたガラス基板の品質も良好であっ
た。
【００６７】また、加工膜４の形成とその鏡面加工によ
り、金型母材１のプレス面２に存在した欠陥（たとえ
ば、微小な空洞）を完全に除去できた。
り、金型母材１のプレス面２に存在した欠陥（たとえ
ば、微小な空洞）を完全に除去できた。
【００６８】(４)本発明の場合、その金型母材１の素材
としては、上述の実施形態を含めて、耐熱性、耐食性に
優れ、耐高温強度を有する、以下のものを用いることで
きる。
としては、上述の実施形態を含めて、耐熱性、耐食性に
優れ、耐高温強度を有する、以下のものを用いることで
きる。
【００６９】・タングステンカーバイトを主成分とする
超硬合金。
超硬合金。
【００７０】・チタンナイトライド、チタンカーバイ
ト、クロムカーバイトおよびクロムカーバイトのうちの
少なくともいずれか１種から選択されたものを主成分と
するサーメットよりなる。
ト、クロムカーバイトおよびクロムカーバイトのうちの
少なくともいずれか１種から選択されたものを主成分と
するサーメットよりなる。
【００７１】・アルミナ、シリコンカーバイト、クロム
カーバイト、窒化珪素および窒化硼素のうちの少なくと
もいずれか１種から選択されたものを主成分とするセラ
ミックス。
カーバイト、窒化珪素および窒化硼素のうちの少なくと
もいずれか１種から選択されたものを主成分とするセラ
ミックス。
【００７２】（５）本発明の場合、離型膜３の素材とし
ては、上述の実施形態を含めて以下のものを用いること
できる。
ては、上述の実施形態を含めて以下のものを用いること
できる。
【００７３】・シリコン、ニッケル、クロム、チタン、
ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、パラジウム、
イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、レニ
ウム、タングステンおよびタンタルのうちの少なくとも
いずれか１種。
ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、パラジウム、
イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、レニ
ウム、タングステンおよびタンタルのうちの少なくとも
いずれか１種。
【００７４】・シリコン、ニッケル、クロム、チタン、
ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、パラジウム、
イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、レニ
ウム、タングステンおよびタンタルのうちの少なくとも
いずれか１種を主成分とする合金からなる、・アルミ
ナ、シリコンカーバイト、クロムカーバイト、窒化珪素
および窒化硼素のうちの少なくともいずれか１種から選
択されたもの。
ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、パラジウム、
イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、レニ
ウム、タングステンおよびタンタルのうちの少なくとも
いずれか１種を主成分とする合金からなる、・アルミ
ナ、シリコンカーバイト、クロムカーバイト、窒化珪素
および窒化硼素のうちの少なくともいずれか１種から選
択されたもの。
【００７５】（６）本発明の場合、加工膜４の素材とし
ては、上述の実施形態を含めて以下のものを用いること
できる。
ては、上述の実施形態を含めて以下のものを用いること
できる。
【００７６】・シリコン、ニッケル、クロム、チタン、
ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、パラジウム、
イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、レニ
ウム、タングステンおよびタンタルのうちの少なくとも
いずれか１種。
ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、パラジウム、
イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、レニ
ウム、タングステンおよびタンタルのうちの少なくとも
いずれか１種。
【００７７】・シリコン、ニッケル、クロム、チタン、
ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、パラジウム、
イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、レニ
ウム、タングステンおよびタンタルのうちの少なくとも
いずれか１種を主成分とする合金からなる。
ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、パラジウム、
イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、レニ
ウム、タングステンおよびタンタルのうちの少なくとも
いずれか１種を主成分とする合金からなる。
【００７８】・アルミナ、シリコンカーバイト、クロム
カーバイト、窒化珪素および窒化硼素のうちの少なくと
もいずれか１種から選択されたもの。
カーバイト、窒化珪素および窒化硼素のうちの少なくと
もいずれか１種から選択されたもの。
【００７９】（７）本発明は、上述した実施形態を含め
て、加工膜４の形成方法として、スパッタリング法、Ｃ
ＶＤ法、めっき法、ＰＶＤ法、などがある。
て、加工膜４の形成方法として、スパッタリング法、Ｃ
ＶＤ法、めっき法、ＰＶＤ法、などがある。
【００８０】（８）本発明は、上述した実施形態を含め
て、離型膜３の形成方法として、スパッタリング法、Ｃ
ＶＤ法、めっき法、ＰＶＤ法、などがある。
て、離型膜３の形成方法として、スパッタリング法、Ｃ
ＶＤ法、めっき法、ＰＶＤ法、などがある。
【００８１】（９）本発明は、加工膜４や離型膜３は、
単層でも複数層でもよい。
単層でも複数層でもよい。
【００８２】(１０) また、鏡面の加工法も上述の実施
形態に限定されるものでなく、その他の加工方法であっ
てもよい。
形態に限定されるものでなく、その他の加工方法であっ
てもよい。
【００８３】(１１) また、表面のエッチング方法とし
て、ウエットエッチング、ドライエッチング以外に、そ
の他の加工方法、たとえば、ＣＭＰ（ケミカルメカニカ
ルポリシング）であってもよい。また、表面粗さのエッ
チング方法として、ドライエッチングと形成条件の双方
を組み合わせてもよい。
て、ウエットエッチング、ドライエッチング以外に、そ
の他の加工方法、たとえば、ＣＭＰ（ケミカルメカニカ
ルポリシング）であってもよい。また、表面粗さのエッ
チング方法として、ドライエッチングと形成条件の双方
を組み合わせてもよい。
【００８４】(１２) また、形成条件は、スパッタリン
グ法の場合、投入電力、ガス圧を挙げたが、処理時間、
基板加熱の有無等、その他の条件であっても良いし、そ
の他の形成方法、例えば、メッキ法の場合は、電気密
度、温度等、表面粗さを制御可能ないかなるものであっ
ても良い。
グ法の場合、投入電力、ガス圧を挙げたが、処理時間、
基板加熱の有無等、その他の条件であっても良いし、そ
の他の形成方法、例えば、メッキ法の場合は、電気密
度、温度等、表面粗さを制御可能ないかなるものであっ
ても良い。
【００８５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、金型母材
表面の研磨による加工痕を消失させてガラス基板へのそ
の加工痕の転写を無くし、また、成形時のガラス基板の
離型性も良好にすることができる。
表面の研磨による加工痕を消失させてガラス基板へのそ
の加工痕の転写を無くし、また、成形時のガラス基板の
離型性も良好にすることができる。
【図１】本発明の実施形態１に係る金型の製造方法の説
明に供する図
明に供する図
【図２】本発明の実施形態２に係る金型の製造方法の説
明に供する図
明に供する図
【図３】本発明の実施形態３に係る金型の製造方法の説
明に供する図
明に供する図
【図４】本発明の実施形態４に係る金型の製造方法の説
明に供する図
明に供する図
１ 金型母材
２ プレス面
３ 離型膜
４ 加工膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ１１Ｂ 7/26 ５１１ Ｇ１１Ｂ 7/26 ５１１
// Ｂ２９Ｃ 43/36 Ｂ２９Ｃ 43/36
Ｂ２９Ｌ 17:00 Ｂ２９Ｌ 17:00
(72)発明者 岡部 明彦
神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号
富士電機株式会社内
(72)発明者 皆澤 宏
神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号
富士電機株式会社内
Ｆターム(参考） 4F202 AA49 AH38 AH79 AJ02 AJ06
AJ09 AJ11 CA09 CD01 CD22
CD24 CD30
5D112 AA02 AA24 BA03 BA10
5D121 AA02 DD04 DD18
Claims (39)
- 【請求項１】所望の表面粗さとされたプレス面を有する
金型母材と、 前記金型母材のプレス面上に成膜されている離型膜と、 を含む基板成形用金型。 - 【請求項２】請求項１に記載の基板成形用金型におい
て、 前記プレス面が、エッチングにより前記所望の表面粗さ
とされている、基板成形用金型。 - 【請求項３】請求項２に記載の基板成形用金型におい
て、 前記金型母材が、エッチングレートが異なる材料により
構成されている、基板成形用金型。 - 【請求項４】請求項１ないし３いずれかに記載の基板成
形用金型において、 前記離型膜が、前記金型母材のプレス面に対して当該離
型膜に対する形成条件を制御したスパッタリングにより
成膜されている、基板成形用金型。 - 【請求項５】所望の表面粗さとされたプレス面を有する
金型母材と、 前記プレス面上に成膜されかつ所望の表面粗さを有する
加工膜と、 前記加工膜上に成膜された離型膜と、 を含む基板成形用金型。 - 【請求項６】請求項５に記載の基板成形用金型におい
て、 前記加工膜は、鏡面加工されてからエッチングにより所
望の表面粗さに形成されている、基板成形用金型。 - 【請求項７】請求項６に記載の基板成形用金型におい
て、 前記エッチングが、ウェットエッチングである、基板成
形用金型。 - 【請求項８】請求項５に記載の基板成形用金型におい
て、 前記金型母材が、そのプレス面を研磨加工により鏡面に
されており、 前記離型膜が、スパッタリングにより所定の表面粗さで
成膜されている、 基板成形用金型。 - 【請求項９】請求項１ないし８いずれかに記載のにおい
て、基板成形用金型において、 前記金型母材の材料として、タングステンカーバイトを
主成分とする超硬合金を用いる、ことを特徴とする基板
成形用金型。 - 【請求項１０】請求項１ないし８いずれかに記載の基板
成形用金型において、 前記金型母材が、チタンナイトライド、チタンカーバイ
ト、クロムカーバイトおよびクロムカーバイトのうちの
少なくともいずれか１種から選択されたものを主成分と
するサーメットよりなる、ことを特徴とする基板成形用
金型。 - 【請求項１１】請求項１ないし８いずれかに記載の基板
成形用金型において、 前記金型母材が、アルミナ、シリコンカーバイト、クロ
ムカーバイト、窒化珪素および窒化硼素のうちの少なく
ともいずれか１種から選択されたものを主成分とするセ
ラミックスよりなる、ことを特徴とする基板成形用金
型。 - 【請求項１２】請求項１ないし１１いずれかに記載の基
板成形用金型において、 前記離型膜が、シリコン、ニッケル、クロム、チタン、
ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、パラジウム、
イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、レニ
ウム、タングステンおよびタンタルのうちの少なくとも
いずれか１種からなる、ことを特徴とする基板成形用金
型。 - 【請求項１３】請求項１ないし１１いずれかに記載の基
板成形用金型において、 前記離型膜が、シリコン、ニッケル、クロム、チタン、
ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、パラジウム、
イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、レニ
ウム、タングステンおよびタンタルのうちの少なくとも
いずれか１種を主成分とする合金からなる、ことを特徴
とする基板成形用金型。 - 【請求項１４】請求項１ないし１１いずれかに記載の基
板成形用金型において、 前記離型膜が、アルミナ、シリコンカーバイト、クロム
カーバイト、窒化珪素および窒化硼素のうちの少なくと
もいずれか１種から選択されたものからなる、ことを特
徴とする基板成形用金型。 - 【請求項１５】請求項５に記載の基板成形用金型におい
て、 前記加工膜が、シリコン、ニッケル、クロム、チタン、
ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、パラジウム、
イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、レニ
ウム、タングステンおよびタンタルのうちの少なくとも
いずれか１種からなる、ことを特徴とする基板成形用金
型。 - 【請求項１６】請求項５に記載の基板成形用金型におい
て、 前記加工膜が、シリコン、ニッケル、クロム、チタン、
ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、パラジウム、
イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、レニ
ウム、タングステンおよびタンタルのうちの少なくとも
いずれか１種を主成分とする合金からなる、ことを特徴
とする基板成形用金型。 - 【請求項１７】請求項５に記載の基板成形用金型におい
て、 前記加工膜が、アルミナ、シリコンカーバイト、クロム
カーバイト、窒化珪素および窒化硼素のうちの少なくと
もいずれか１種から選択されたものからなる、ことを特
徴とする基板成形用金型。 - 【請求項１８】請求項５に記載の基板成形用金型におい
て、 前記加工膜と離型膜とが同じ材料で構成されている、こ
とを特徴とする基板成形用金型。 - 【請求項１９】ガラスを加熱軟化してプレス成形するこ
とによりガラス基板を得る際に使用する基板成形用金型
の製造方法であって、 金型母材の少なくともプレス面を所望の表面粗さにする
第１工程と、 前記プレス面に対して、少なくとも一層以上の離型膜を
形成する第２工程と、 を有する基板成形用金型の製造方法。 - 【請求項２０】請求項１９に記載の基板成形用金型の製
造方法において、 前記第１工程が、前記金型母材のプレス面を鏡面加工し
た後、エッチングにより所望の表面粗さに荒すものであ
る、基板成形用金型の製造方法。 - 【請求項２１】請求項１９または２０に記載の基板成形
用金型の製造方法において、 前記第２工程が、前記離型膜の形成条件を変化させるこ
とで、前記離型膜に所望の表面粗さを得るものである、
基板成形用金型の製造方法。 - 【請求項２２】ガラスを加熱軟化してプレス成形するこ
とによりガラス基板を得る際に使用する基板成形用金型
の製造方法であって、 金型母材の少なくともプレス面を所望の表面粗さにする
第１工程と、 金型母材の少なくともプレス面上に所望の表面粗さの加
工膜を形成する第２工程と、 前記加工膜上に一層以上の離型膜を形成する第３工程
と、 を含む基板成形用金型の製造方法。 - 【請求項２３】請求項２２に記載の基板成形用金型の製
造方法において、 前記第２工程が、前記加工膜を鏡面加工した後、エッチ
ングにより所望の表面粗さにするものである、基板成形
用金型の製造方法。 - 【請求項２４】ガラスを加熱軟化してプレス成形するこ
とによりガラス基板を得る際に使用する基板成形用金型
の製造方法であって、 金型母材の少なくともプレス面を所望の表面粗さにする
第１工程と、 金型母材の少なくともプレス面上に所望の表面粗さの加
工膜を形成する第２工程と、 前記加工膜上に一層以上の離型膜を形成するとともに、
前記離型膜の内、最表面側の離型膜を所望の表面粗さに
加工する第３工程と、 を含む基板成形用金型の製造方法。 - 【請求項２５】請求項２４に記載の基板成形用金型の製
造方法において、 前記第３工程が、前記最表面離型膜を、鏡面加工した
後、エッチングにより所望の表面粗さに荒すものである
基板成形用金型の製造方法。 - 【請求項２６】ガラスを加熱軟化してプレス成形するこ
とによりガラス基板を得る際に使用する基板成形用金型
の製造方法であって、 金型母材の少なくともプレス面を所望の表面粗さにする
第１工程と、 前記金型母材の少なくともプレス面上に所望の表面粗さ
の加工膜を形成する第２工程と、 前記加工膜上に、その形成条件を変化させることで所望
の表面粗さを有する一層以上の離型膜を形成する第３工
程と、 を含む基板成形用金型の製造方法。 - 【請求項２７】請求項２２または２４または２６に記載
の基板成形用金型の製造方法において、 前記加工膜の形成方法が、メッキ法、ＰＶＤ法、ＣＶＤ
法等の薄膜形成方法である、基板成形用金型の製造方
法。 - 【請求項２８】請求項１９または２１または２２または
２４または２６に記載の基板成形用金型の製造方法にお
いて、 前記離型膜の形成方法が、メッキ法、ＰＶＤ法、ＣＶＤ
法等の薄膜形成方法である基板成形用金型の製造方法。 - 【請求項２９】請求項１９または２１または２２または
２４または２６に記載の基板成形用金型の製造方法にお
いて、 前記金型母材の材料として、タングステンカーバイトを
主成分とする超硬合金を用いる、ことを特徴とする基板
成形用金型の製造方法。 - 【請求項３０】請求項１９または２１または２２または
２４または２６に記載の基板成形用金型の製造方法にお
いて、 前記金型母材の材料として、タングステンカーバイトを
主成分とする超硬合金を用いる、ことを特徴とする基板
成形用金型。 - 【請求項３１】請求項１９または２１または２２または
２４または２６に記載の基板成形用金型の製造方法にお
いて、 前記金型母材の材料として、チタンナイトライド、チタ
ンカーバイト、クロムカーバイトおよびクロムカーバイ
トのうちの少なくともいずれか１種から選択されたもの
を主成分とするサーメットを用いる、ことを特徴とする
基板成形用金型の製造方法。 - 【請求項３２】請求項１９または２１または２２または
２４または２６に記載の基板成形用金型の製造方法にお
いて、 前記金型母材の材料として、アルミナ、シリコンカーバ
イト、クロムカーバイト、窒化珪素および窒化硼素のう
ちの少なくともいずれか１種から選択されたものを主成
分とするセラミックスを用いる、ことを特徴とする基板
成形用金型の製造方法。 - 【請求項３３】請求項１９ないし３１いずれかに記載の
基板成形用金型の製造方法において、 前記離型膜の材料として、シリコン、ニッケル、クロ
ム、チタン、ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、
パラジウム、イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテ
ニウム、レニウム、タングステンおよびタンタルのうち
の少なくともいずれか１種からなるものを用いる、こと
を特徴とする基板成形用金型の製造方法。 - 【請求項３４】請求項１９ないし３１いずれかに記載の
基板成形用金型の製造方法において、 前記離型膜の材料として、シリコン、ニッケル、クロ
ム、チタン、ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、
パラジウム、イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテ
ニウム、レニウム、タングステンおよびタンタルのうち
の少なくともいずれか１種を主成分とする合金を用い
る、ことを特徴とする基板成形用金型の製造方法。 - 【請求項３５】請求項１９ないし３１いずれかに記載の
基板成形用金型の製造方法において、 前記離型膜の材料として、アルミナ、シリコンカーバイ
ト、クロムカーバイト、窒化珪素および窒化硼素のうち
の少なくともいずれか１種から選択されたものを用い
る、ことを特徴とする基板成形用金型の製造方法。 - 【請求項３６】請求項２２または２４または２６に記載
の基板成形用金型の製造方法において、 前記加工膜の材料として、シリコン、ニッケル、クロ
ム、チタン、ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、
パラジウム、イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテ
ニウム、レニウム、タングステンおよびタンタルのうち
の少なくともいずれか１種を用いる、ことを特徴とする
基板成形用金型の製造方法。 - 【請求項３７】請求項２２または２４または２６に記載
の基板成形用金型の製造方法において、 前記加工膜の材料として、シリコン、ニッケル、クロ
ム、チタン、ニオブ、バナジウム、モリブデン、白金、
パラジウム、イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテ
ニウム、レニウム、タングステンおよびタンタルのうち
の少なくともいずれか１種を主成分とする合金を用い
る、ことを特徴とする基板成形用金型の製造方法。 - 【請求項３８】請求項２２または２４または２６に記載
の基板成形用金型の製造方法において、 前記加工膜が、アルミナ、シリコンカーバイト、クロム
カーバイト、窒化珪素および窒化硼素のうちの少なくと
もいずれか１種から選択されたものを用いる、ことを特
徴とする基板成形用金型の製造方法。 - 【請求項３９】請求項２２または２４または２６に記載
の基板成形用金型の製造方法において、 前記加工膜と離型膜とを同じ材料のものを用いる、こと
を特徴とする基板成形用金型の製造方法。
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- 2001-07-12 JP JP2001211987A patent/JP2003026427A/ja not_active Withdrawn
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