CN102067298A - 安装结构体、以及安装结构体的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能高效地使热处理时所产生的气体向外部逸出的安装结构体。所述安装结构体(10)包括：具有电极(2a、2b)的基板(1)；具有电极(21a、21b)的电子元器件(3)；使基板(1)的电极(2a、2b)与电子元器件(3)的电极(21a、21b)电连接，并将电子元器件(3)固定于基板(1)的表面的接合部(15a、15b)；以及与基板(1)的电极(2a)和电子元器件(3)的电极(21a)相抵接，被用作为间隔物的凸部(4)。

Description

安装结构体、以及安装结构体的制造方法
技术领域
本发明涉及安装结构体、以及安装结构体的制造方法。
背景技术
作为将半导体元件等电子元器件安装于陶瓷或聚酰亚胺等基材上的方法，将金属纳米粒子用作为接合材料的方法受到瞩目。所谓金属纳米粒子，是指Au、Ag、Cu等平均粒径小于50nm的尺寸的金属粒子(以下记为金属纳米粒子)。由于该金属纳米粒子因微小化而具有高于块状材料的表面活性度，因此能在低温下进行结合，并且，若进行结合而使尺寸变大，则会成为与块状材料一样的较高的熔点。因此，可以期待将金属纳米粒子用作为接合材料的方法在安装电子元器件时需要降低热压力、以及在安装后需要提高耐热温度的制品上得以广泛运用。另外，与未使用金属纳米粒子的导电糊料材料相比，对于使用了金属纳米粒子的导电糊料材料，由于金属进行结合而不相接触，因此电阻率较低，还能提高接合强度，从而更好地实现接合。这样的将金属纳米粒子用作为接合材料的、现有的电子元器件的安装过程如图16～图18所示。
图16(a)、图17(a)、图18(a)表示安装工序中的基板的俯视图，图16(b)、图17(b)、图18(b)分别表示图16(a)、图17(a)、图18(a)的GG’之间的剖视图。
首先，如图16(a)、(b)所示，准备了基材上形成有导体布线1002的基板1001。接着，如图17(a)、(b)所示，在导体布线1002的元器件安装位置上使用含有金属纳米粒子的糊料材料(以下称为金属纳米粒子糊料材料)形成接合材料部1013。
接着，如图18(a)、(b)所示，使电子元器件1003的电极1014与接合材料部1013相对，将电子元器件1003装载到基板1001上。然后，对接合材料部1013施加热等能量，从而使接合材料部1013被结合固化而成为接合部1015，使电子元器件1003的电极1014与基板1001的导体布线1002相接合。由此，如图18(a)、(b)所示，制成以电子元器件1003的电极1014、接合部1015、导体布线1002的顺序进行了层状连接的安装结构体。
此外，为了防止金属纳米粒子发生聚合，利用分散剂对金属纳米粒子糊料材料进行稳定化。接着，对金属纳米粒子糊料材料施加热等能量，从而利用氧使接合材料部1013中的分散剂分解，使金属纳米粒子彼此熔融结合而形成接合部1015。
提出了在对作为电子元器件的LED进行安装时，使用这样的金属纳米粒子糊料材料的方案(例如，参照专利文献1)。在该专利文献1中，通过施加超声波振荡，使金属纳米粒子糊料固化。然而，由于在使用超声波振荡的情况下，存在损伤电子元器件或接合不充分的情况，因此，又提出了在使用超声波振荡的同时利用与上述相同的加热来进行固化、或用与上述相同的加热代替超声波振荡来进行固化的方案。
专利文献1：日本专利特开2005-136399号公报
发明内容
但是，在这样的现有的安装结构体中，在基板、电子元器件的电极面积较小的情况下，因对接合材料部1013进行加热而产生的排气等气体可以逸出至空气中，但在电极面积较大的情况下，会导致排气等气体无法逸出至空气中。下面进行详细说明。
图19(a)～图19(f)是表示对作为电子元器件的LED进行安装时的安装结构体100的制造方法的图。在使用作为电子元器件的LED元件的情况下，其基板电极如图19(a)所示，由大小不同的电极2a和电极2b所形成。
如图19(b)所示，金属纳米粒子糊料材料涂布于这些电极2a、2b上，形成接合材料部13a、13b。
另一方面，作为LED的电子元器件3具有与基板1的电极2a、2b相对应的电极21a、21b。接着，如图19(c)所示，以搭载工具16对电子元器件3的、与形成有电极21a、21b的一侧相反一侧的面进行吸附，将电子元器件3设置于接合材料部13a、13b上(图19(d))。其后，进行干燥及热处理，使接合材料部13a、13b的金属纳米粒子糊料材料固化而形成接合部15a、15b，从而制成安装结构体100(图19(e))。
在进行该热处理时对分散剂进行分解的过程中，由于需要热和氧，因此，与接合材料部的中央部分相比，氧更容易被提供至与外界气体相接触的周边部分。因此，与接合材料部的中央部分相比，周边部分具有固化速度变快的倾向。在将普通的半导体芯片作为电子元器件来使用的情况下，随着微细化，半导体芯片的电极的大小为对角线长度在几十μm以下，布线的宽度也为100μm以下，因此，接合材料部的周边部分与中央部分的固化速度基本没有差别。因此，排气可以从金属纳米粒子糊料材料中逸出。
然而，由于LED的电极2a、21a具有对角线长度为几mm的大小，因此，如图19(f)的接合材料部13a的放大图所示，接合材料部13a的周边部分13e会先固化，之后中央部分再固化，从而使中央部分附近所产生的排气22很难向接合材料部13a的外部逸出。因此，会发生热处理后的接合部15内容易残留有排气，从而导致发生接合不良的情况。
另外，在使接合材料部13a的厚度变薄的情况下，由于中央部分所产生的排气逸出部分的面积减小，因此更容易残留有排气。
本发明考虑到现有安装结构体的问题，其目的在于，提供一种能高效地使热处理时所产生的排气逸出的安装结构体、以及安装结构体的制造方法。
为了解决上述问题，本发明的第一方面是安装结构体，包括：
基板；
电子元器件；
将所述电子元器件固定于所述基板的表面的、由金属纳米粒子糊料材料制成的接合部；以及
与所述电子元器件和所述基板相抵接而作为间隔物来使用的构件。
另外，本发明的第二方面在于，在本发明的第一方面所述的安装结构体中，
所述构件埋设于所述接合部的中央部分，由热传导率高于所述金属纳米粒子糊料材料的材料所制成。
另外，本发明的第三方面在于，在本发明的第一方面所述的安装结构体中，
所述构件埋设于所述接合部的中央部分，为向所述金属纳米粒子糊料材料提供氧的构件。
另外，本发明的第四方面在于，在本发明的第一～第三方面中任意一方面所述的安装结构体中，
所述基板具有电极，
所述电子元器件具有电极，
所述接合部将所述基板的电极与所述电子元器件的电极电连接，
所述构件与所述电子元器件的电极和所述基板的电极相抵接。
另外，本发明的第五方面在于，在本发明的第四方面所述的安装结构体中，
所述构件由所述基板的电极或所述电子元器件的电极表面的凹凸所形成。
另外，本发明的第六方面在于，在本发明的第一方面所述的安装结构体中，
所述接合部具有散热功能。
另外，本发明的第七方面在于，在本发明的第一～第三方面中任意一方面所述的安装结构体中，
设有多个所述构件，
所述多个构件在所述中央部分比所述接合部的周边部分设置得密集。
另外，本发明的第八方面在于，在本发明的第四方面所述的安装结构体中，
所述基板的电极与所述电子元器件的电极至少有一部分相对设置，
所述接合部至少设置于所述相对设置的、所述电极的部分之间。
另外，本发明的第九方面在于，在本发明的第一或第二方面所述的安装结构体中，
所述构件由凸点所形成。
另外，本发明的第十方面在于，在本发明的第一～第三方面中任意一方面所述的安装结构体中，
所述构件使用包含导电物的糊料材料制成。
另外，本发明的第十一方面在于，在本发明的第三方面所述的安装结构体中，
所述构件使用将金属氧化物和树脂混合而成的糊料材料制成。
另外，本发明的第十二方面在于，在本发明的第三方面所述的安装结构体中，
所述构件使用金属氧化物制成。
另外，本发明的第十三方面在于，在本发明的第一～第三方面中任意一方面所述的安装结构体中，
所述构件由固化温度低于制成所述接合部的所述金属纳米粒子糊料材料的材料制成。
另外，本发明的第十四方面在于，在本发明的第一～第三方面中任意一方面所述的安装结构体中，
所述金属纳米粒子糊料材料包含50nm以下的金属粒子。
另外，本发明的第十五方面在于，在本发明的第四方面所述的安装结构体中，
所述基板的电极或所述电子元器件的电极中的某一个电极的、与所述接合部的中央部分相对应的部分，由向所述金属纳米粒子糊料材料提供氧的材料所形成。
另外，本发明的第十六方面是安装结构体的制造方法，
所述安装结构体包括：基板；
电子元器件；
将所述电子元器件固定于所述基板的表面的、由金属纳米粒子糊料材料制成的接合部；以及
作为与所述电子元器件和所述基板相抵接的间隔物而设置于所述接合部的构件，其特征在于，包括：
构件形成工序，该构件形成工序将作为所述间隔物来使用的构件形成于所述基板或所述电子元器件；
涂布工序，该涂布工序将所述金属纳米粒子糊料材料涂布于所述基板或所述电子元器件；
配置工序，该配置工序对所述基板和所述电子元器件进行配置，以夹着所述涂布的所述金属纳米粒子糊料材料；以及
热处理工序，该热处理工序在所述配置工序之后，通过对所述金属纳米粒子糊料材料进行加热，对所述金属纳米粒子糊料材料进行固化，以形成所述接合部。
另外，本发明的第十七方面在于，在本发明的第十六方面所述的安装结构体的制造方法中，
所述构件设置于所述接合部的中央部分，
在所述热处理工序中，制成所述构件的材料比所述金属纳米粒子糊料材料升温更快。
另外，本发明的第十八方面在于，在本发明的第十六方面所述的安装结构体的制造方法中，
所述构件设置于所述接合部的中央部分，
在所述热处理工序中，所述构件向所述金属纳米粒子糊料材料提供氧。
根据本发明，能够提供一种能高效地使在热处理时所产生的排气向外部逸出的安装结构体、以及安装结构体的制造方法。
附图说明
图1(a)是本发明所涉及的实施方式1的安装结构体10的剖视结构图，图1(b)是图1(a)的AA’之间的剖视图，图1(c)是电子元器件3的后视图。
图2(a)～(e)是用于说明本发明所涉及的实施方式1的安装结构体10的制造方法的图。
图3是表示在本发明所涉及的实施方式1的安装结构体中凸部与电极相抵接的状态的一个例子的图。
图4是作为本发明所涉及的实施方式1的变形例的安装结构体20的剖视结构图。
图5(a)是作为本发明所涉及的实施方式1的变形例的安装结构体30的剖视结构图，图5(b)是图5(a)的AA’之间的剖视图。
图6(a)是作为本发明所涉及的实施方式1的变形例的安装结构体31的剖视结构图，图6(b)是图6(a)的AA’之间的剖视图。
图7是作为本发明所涉及的实施方式1的变形例的安装结构体32的剖视结构图。
图8是作为本发明所涉及的实施方式1的变形例的安装结构体35的剖视结构图。
图9是作为本发明所涉及的实施方式1的变形例的安装结构体36的剖视结构图。
图10是本发明所涉及的实施方式2的安装结构体33的剖视结构图。
图11(a)～(f)是用于说明本发明所涉及的实施方式2的安装结构体33的制造方法的图。
图12是用于说明本发明所涉及的实施方式2的安装结构体33的制造方法的变形例的图。
图13是本发明所涉及的实施方式3的安装结构体34的剖视结构图。
图14(a)～(f)是用于说明本发明所涉及的实施方式3的安装结构体34的制造方法的图。
图15是本发明所涉及的实施方式4的安装结构体60的剖视结构图。
图16(a)、图16(b)是用于说明现有的安装结构体的制造方法的图。
图17(a)、图17(b)是用于说明现有的安装结构体的制造方法的图。
图18(a)、图18(b)是用于说明现有的安装结构体的制造方法的图。
图19(a)～(f)是用于说明现有的安装结构体的制造方法的图。
具体实施方式
下面，基于附图详细对本发明所涉及的各个实施方式进行说明。
(实施方式1)
图1(a)是表示本发明的实施方式1的安装结构体的剖视结构图。
本实施方式的安装结构体10包括基板1、以及安装于基板1表面的电子元器件3。该基板1的表面形成有电极2a、2b。此外，使用散热性较好的氧化铝的基板作为基板1。另外，电子元器件3为LED，具有两个电极21a、21b，这两个电极相当于P极和N极。
另外，电极2a和电子元器件的电极21a、以及电极2b和电子元器件的电极21b分别通过接合部15a、15b相接合。接合部15a、15b由对金属纳米粒子糊料材料进行热处理而制成。
另外，在接合部15a中，设有相当于本发明的构件的一个例子的凸部4。该凸部4与基板1的电极2a和电子元器件3的电极21a相抵接，具有作为在制造时，使基板1的电极2a和电子元器件3的电极21a之间的间隔保持一定的间隔物的作用。
另外，形成凸部4的材料使用比用于制成接合部15a的金属纳米粒子糊料材料升温更快的材料，即热传导率较高的材料。
图1(b)是表示安装结构体10之中基板1、接合部15a、15b以及凸部4的俯视图。另外，图1(c)是表示安装结构体10之中电子元器件3的俯视图。此外，图1(b)相当于位于图1(a)的AA’之间位置的安装结构体10的剖视图。此外，图1(a)的截面位置在图1(b)中由BCDEF线来表示。
如图1(a)～(c)所示，接合部15a形成于电极2a与电极21a相对的部分，接合部15b形成于电极2b与电极21b相对的部分。此外，如图1(b)所示，三个凸部4设于该接合部15a的中央部分70。另外，本申请所涉及的中央部分不仅是指中央，还包括中央附近。此外，在图中，接合部15a的周边部分用标号71来表示。
接着，对本实施方式的安装结构体10的制造方法进行说明。图2(a)～(e)是用于说明本实施方式的安装结构体10的制造方法的图。
首先，如图2(a)所示，在形成于基板1的表面上的电极2a上形成凸部4。该电极2a、2b以及电子元器件3的电极21a、21b由例如金所形成。另外，电子元器件3是例如截面形状为大小为对角线长度10mm的LED元件。另外，凸部4由用引线接合装置制成的金凸点所形成。另外，一个凸部4的大小可以设为，例如，在图2中下部的直径为50～80μm左右，上部的直径为20～30μm，高为30μm。这个形成凸部4的工序相当于本发明的构件形成工序的一个例子。
接着，如图2(b)所示，金属纳米粒子糊料材料涂布于基板1的电极2a、2b上，形成接合材料部13a、13b。另外，可以使用例如将作为导电成分、即金属纳米粒子的金微粒混合到溶剂中而形成的材料作为金属纳米粒子糊料材料。另外，在溶剂中，利用分散剂对金属纳米粒子进行被覆，可以使用例如十四烷作为溶剂，可以使用例如烷基胺等的、一种以上具有能与金属元素配键的基的化合物作为分散剂。另外，在金属纳米粒子糊料材料中，含有50wt％的例如平均粒径3～7nm的金的微粒，可以将金微粒的密度设定为1.6g/cc。另外，该金属纳米粒子糊料材料的粘度优选为设定为20～50mPa·s。该金属纳米粒子糊料材料相当于制成本发明的接合部所使用的材料的一个例子，相当于本发明的接合材料的一个例子。
另外，可以使用例如喷墨法、旋涂法、或口模式涂布法等作为涂布方法。使用这样的涂布方法，经过两至三次的涂抹工序使凸部4被遮掩，从而形成接合材料部13a、13b，使其厚度变得较厚。另外，金属纳米粒子糊料材料粘度较低，较易采用利用喷墨法的涂布。该对金属纳米粒子糊料材料进行涂布的工序相当于本发明的涂布工序的一个例子。
之后，如图2(c)所示，用搭载工具16对电子元器件3进行保持，并将其载放至上述接合材料部13a、13b上。然后，如图2(d)所示，将电子元器件3向接合材料部13a、13b按压，直至电极21a与凸部4的上端相抵接。该工序相当于本发明的配置工序的一个例子。这里，在本说明书中，所谓“抵接”，不仅包括凸部4直接与电极21a相接触的情况，还包括如图3的局部放大图所示，在凸部4与电极21a之间残留有少量的金属纳米粒子糊料材料的情况，是指对电子元器件3的按压进行抵抗的状态。此外，图3是图2(d)的局部放大图，残留有少量的金属纳米粒子糊料材料的部分以标号S来表示。
最后，利用热处理对接合材料部13a、13b进行固化，形成接合部15a、15b，从而制成图2(e)所示的安装结构体10。作为该固化条件，将图2(d)状态的安装结构体10’插入热风循环炉，在以例如5℃/分钟的升温速度升温至100℃之后，保持100℃的状态10分钟。该工序相当于本发明的热处理工序的一个例子。
在本实施方式中，在将电子元器件3载放至接合材料部13a、13b上时，凸部4起到作为间隔物的功能，能保持电极2a与电子元器件的电极21a之间的间隔一定。因此，在热处理时，可以使因对接合材料部13a中的分散剂成分进行加热而产生的排气从接合材料部13a的周边部分71(参照图2(d))向外部逸出。
假设凸部4不存在，则在载放电子元器件3时，由于金属纳米粒子糊料材料的柔软性会导致电极2a与电子元器件的电极21a变得过分接近，因此厚度变薄，从而使排气很难从接合材料部13a的周边部分13e向外部逸出。因此，在热处理后的接合部15a中，可能会形成气孔，从而减弱基板1与电子元器件3的接合强度。另外，在电子元器件3工作时，接合可能会由于残留排气的影响而变得不稳定。
与之相对，如本实施方式那样，凸部4起到作为间隔物的功能，因此，由于基板1的电极2a与电子元器件3的电极21a不会过分接近，因此可以抑制形成其间的接合材料部13a的金属纳米粒子糊料材料被从电极间挤出而与相邻的电极2b、21b以及电极2b、21b之间的金属纳米粒子糊料材料相接触，从而发生短路。此外，还能抑制电极2b、21b一侧的接合材料部13b的金属纳米粒子糊料材料被挤出。
另外，由于接合材料部13a的中央部分70设有凸部4，因此，存在于中央部分70的金属纳米粒子糊料材料变少，可以抑制排气本身的产生。
另外，在本实施方式中，由于利用比金属纳米粒子糊料材料升温更快的金属凸点形成凸部4，因此，在热处理时凸部4比接合材料部13a、13b升温更快。因此，在热处理时，由于从位于凸部4周边的中央部分70的金属纳米粒子糊料材料开始固化，开始烧结并且产生排气等气体，热量从中央部分70开始缓缓向周边部分71传递而引起烧结并产生排气，因此，可以高效地使所产生的排气从接合材料部13a的周边部分71向外部逸出。
在本实施方式中，通过使用凸部4作为间隔物，以在电极2a与电极21a之间确保一定量的空隙，并设置作为利用热传递产生排气的起点的凸部4，可以对产生排气的时间和位置进行控制，从而在热处理时高效地使排气从接合材料部的中央部分70向周边部分71逸出，可以使接合更可靠。
另外，若对本实施方式的安装结构体10和不形成凸部4而制成的安装结构体进行比较，则在不形成凸部4而制成的安装结构体中，接合材料部13a中残留有气泡，发生了连接不良等。
此外，也可以不将凸部4作为利用热传递产生排气的起点来使用，而只作为间隔物来使用。在这种情况下，也可以不使用比金属纳米粒子糊料材料升温更快的材料(热传导率较高的材料)作为形成凸部4的材料。
此外，也可以不将凸部4作为间隔物来使用，而只作为利用热传递产生排气的起点来使用。在这种情况下，不需要使凸部4与电极2a和电极21a这两者相连，只要至少与两者中的任意一方相接触而对热进行传递即可。图4中示出该情况下的安装结构体的一个例子。图4是安装结构体20的剖视结构图。此外，对与安装结构体10在实质上相同的结构标注相同的标号，对于以下的附图也一样。
在安装结构体20中在接合部15a的中央部分70形成有三个凸部24，与电极2a相接。该凸部24不与电子元器件3的电极21a相接触，不起到作为保持电极2a与电极21a的间隔的间隔物的作用。
由于采用这样的结构的安装结构体20的凸部24与本实施方式相同，使用比金属纳米粒子糊料材料升温更快的、金凸点等材料，因此，在热处理时，金属纳米粒子糊料材料以凸部24作为起点开始固化并产生排气，从而可以在接合材料部(接合部15a固化前的状态)固化时，使排气从周边部分71逸出。
而且，由于凸部24不与电子元器件3的电极21a相接触，因此可以降低制造时对电子元器件3的物理损伤。但是，若凸部24的高度过低，则由于中央部分70中的凸部24所占的比例减少，金属纳米粒子糊料材料所占的比例增多，因此中央部分70中的排气的产生量变大。因此，凸部24的高度更优选为尽量高。
另外，在本实施方式1中，凸部4设置于接合部15a的中央部分70，但在不作为利用热传递产生排气的起点来使用，而只作为间隔物来使用的情况下，也可以将凸部4设置于接合部15a的周边部分71，而不设置于其中央部分70。
而且，还可以如图5的安装结构体35的剖视结构图所示，将凸部设置于接合部15a的外侧，而非接合部15a的内侧。在图5所示的安装结构体35中，接合部15a的外侧设置有凸部46。该凸部46设置于电极2a上，凸部46的上端与电子元器件3’相接触。由于即使采用这样的结构，凸部46也可以起到作为间隔物的功能，从而可以保持电极21a与电极2a之间的间隔一定，因此，可以高效地使热处理时所产生的排气向外部逸出。此外，凸部46也可以直接设置于基板1上，而非电极2a上。
但是，由于将凸部4设置于接合材料部15a的中央部分70，可以使存在于中央部分70的金属纳米粒子糊料材料变少，因此，可以抑制排气本身的产生，所以更为理想。
此外，在上述实施方式中，升温速度被设为例如5℃/分钟，但也可以根据构成金属纳米粒子糊料材料的成分的不同而适当变化。但是，若升温速度过快，则接合材料部内的溶剂会突沸，从而导致气泡无法顺利地从电子元器件的电极21a与基板的电极2a之间逸出。
另外，在本实施方式中，如图2(b)所示，由于使用金属凸点作为凸部4，热传导率较高，因此，容易将电子元器件3的热量传递至基板1。可以用镀敷或引线接合等来制作该金属凸点。此外，由于金属凸点的前端尖锐，因此，越往上部空间越大，所产生的排气越容易向外部逸出。
此外，凸部4也可以形成于电子元器件3一侧而非基板1一侧，但由于可能会对电子元器件3造成物理损伤，因此更优选为设置于基板1一侧。特别是若电子元器件3为半导体，则因为内部的布线规则的微细化，所以具有对物理上的冲击较弱的结构，因此，对于将凸部4设置于基板1一侧具有效果。
另外，在本实施方式中，金属纳米粒子糊料材料被涂布于形成有凸部4的基板1一侧，但也可以被涂布于电子元器件3一侧。
另外，在本实施方式中，电极2a、2b与电极21a、21b具有分别相对的部分，但也可以采用都不相对的结构。另外，在本实施方式中，接合部15只形成于电极上，但接合部15也可以跨过未设置电极的部分而形成。简而言之，只要形成连接部，能使基板的电极与电子元器件的电极电连接，并且能将电子元器件固定于基板表面即可。
另外，在本实施方式中，接合材料部13a的中央部分70上形成有三个凸部4，但并不局限于此，也可以采用例如如图6(a)和图6(b)的安装结构体30所示的结构。图6(a)是安装结构体30的剖视结构图，图6(b)是图6(a)的AA’之间的剖视图。此外，图6(a)的截面位置在图6(b)中由BCDEF线来表示。与本实施方式的安装结构体10相比较，安装结构体30的接合部15的周边部分71的四个角上也形成有由金属凸点所形成的凸部4。在该安装结构体30中，与接合部15的周边部分71相比，多个凸部4更密集地设置于接合部15的中央部分70。通过这样的配置，可以更稳定地确保电极间的间隙，从而可以使排气最难逸出的中央部分70处的排气向外部逸出。另外，由于凸部4的密度之差，所以接合材料部13a的中央部分70比周边部分71升温更快，因此，可以高效地使产生于中央部分70处的排气向外部逸出，从而可以抑制接合部15内产生气孔。此外，凸点与上述实施例所示的凸点相同。
另外，并不局限于本实施方式的结构，接合部15的中央部分70也可以只设置有一个凸部4。但是，另外再使凸部4位于几个周边可以整体地保持电极2a与电子元器件电极21a之间的间隔一定，从而使排气较易跑出，因此更为理想。
另外，凸部也可以不限于本实施方式的凸部4的大小，也可以在接合材料部13a的中央部分70设置一个较大的凸部。图7(a)是安装结构体31的剖视结构图，图7(b)是图7(a)的AA’之间的剖视图。此外，图7(a)的截面位置在图7(b)中由BCDEF线来表示。在安装结构体31上，接合部15a的中央部分70形成有一个较大的凸部40。利用这个较大的凸部40，可以对电极2a与电子元器件的电极21a的平行度进行限制，并且能确保一定的间隔，从而能使接合材料部在固化中所产生的气体逸出。此外，该凸部40可以利用镀敷制成。另外，需要对凸部40的上表面进行平坦化。该图7所示的安装结构体31中的凸部40被用作为保持电极2a与电极21a之间的间隔的间隔物、以及利用热传递产生排气的起点，但在只用作为利用热传递产生排气的起点的情况下，也可以不与电极21a相接触。将这种状态的安装结构体32的剖视图表示于图8。另外，示出了不与电极21a相接触的凸部41。此外，图8的截面位置与图7(a)位置相同。
此外，在安装结构体10、20、30～32、以及35的情况下，需要根据各种形状来制作凸部。另外，在安装结构体31、32的情况下，凸部利用镀敷制成。
另外，在本实施方式1的安装结构体10中，凸部由金属凸点所形成，但也可以将电极2a的表面的、与接合部15的中央部分70相对应的部分200a’加工成凹凸状从而形成凸部。图9是安装结构体36的剖视结构图。在图9所示的安装结构体36中，设置有中央部分70形成有凹凸的电极2a’，以代替上述基板1的电极2a。凸部45由该凹凸所形成。该凸部45的加工方法是，首先进行加工，使除电极2a’的部分200a’之外的其他部分的厚度减小。作为该加工，可以使用切割或研磨等。接着，通过对除电极2a’的部分200a’之外的部分进行遮盖而实施喷砂加工等，可以在部分200a’上形成凹凸形状。
另外，由于电极2a’由例如金等所形成，因此热传导性比金属纳米粒子糊料材料更好。因此，由电极2a’的凹凸所形成的凸部45可以被用作为利用热传递产生排气的起点，可以促进设置于中央部分70的凸部45周围的金属纳米粒子糊料材料的固化。此外，在只将凸部45用作为间隔物的情况下，凸部45也可以不形成于中央部分70。
另外，如图9所示，通过对基板1的电极2a’的表面进行加工形成了凸部45，但也可以通过对电子元器件3的基板21a的表面进行加工来形成凸部。
(实施方式2)
接着，对本发明所涉及的实施方式2进行说明。
图10是本发明所涉及的实施方式2中的安装结构体33的剖视结构图。如图10所示，在本实施方式2的安装结构体33中，与实施方式1不同，一个由导电糊料材料所形成的凸部43设置于接合部15的中央。此外，对实质上与实施方式1相同的结构标注相同的标号。另外，图10是位于与图1(a)相同位置的剖视图。此外，该凸部43相当于本发明的构件的一个例子。
接着，对本实施方式2中的安装结构体33的制造方法进行说明。
图11(a)～(f)是用于对制造安装结构体33的方法进行说明的剖视结构图。
首先，如图11(a)所示，在基板1的电极2a的上表面涂布导电糊料材料，从而形成导电糊料材料部44。该导电糊料材料相当于本发明的包含导电物的糊料材料的一个例子。另外，该导电糊料材料是含有例如银、树脂、以及固化剂等的银糊料材料，使用了固化温度在金属纳米粒子糊料材料的固化温度以下的材料。另外，在该导电糊料材料中，不需要如金属纳米粒子糊料材料那样含有平均粒径为50μm以下的金属粒子。
接着，如图11(b)所示，金属纳米粒子糊料材料涂布于电极2a、2b上，覆盖导电糊料材料部44，从而形成接合材料部13a、13b。该对金属纳米粒子糊料材料进行涂布而形成接合材料部13a、13b的工序相当于本发明的涂布工序的一个例子。
其后，在小于金属纳米粒子糊料材料的固化温度的温度、即对导电糊料材料进行半固化的温度下进行加热，从而如图11(c)所示，只将导电糊料材料44半固化而形成凸部43’。该涂布导电糊料材料并使其固化而形成凸部43’的工序相当于本发明的构件形成工序的一个例子。
接下来，如图11(d)所示，用搭载工具16对电子元器件3进行保持，并将其载放至上述接合材料部13a、13b上。然后，将电子元器件3向接合材料部13a、13b按压，直至其电极21a与凸部43的上端相抵接(参照图11(e))。该工序相当于本发明的配置工序的一个例子。
最后，利用使用热风循环炉的热处理对半固化状态的凸部43′以及接合材料部13a、13b进行固化，形成接合部15a、15b，从而制成图11(f)所示的安装结构体33。该工序相当于本发明的热处理工序的一个例子。此外，通过该热处理，半固化状态的凸部43’比接合材料部13a、13b先固化，从而形成凸部43。
这样，通过在接合材料部13a、13b固化前，使导电糊料材料部44固化而形成凸部43，从而将该凸部43用作为保持电极2a和电子元器件3的电极21a之间的间隔的间隔物，可以在热处理工序中，高效地使从接合材料部13a所产生的排气向外部逸出。
另外，由于接合材料部13a的中央部分70上设有凸部43，因此，存在于中央部分70上的金属纳米粒子糊料材料变少，可以抑制排气本身的产生。
另外，通过使用在半固化状态下，比作为接合材料部13a、13b的材料的金属纳米粒子糊料材料升温更快的导电糊料材料作为制成凸部43的材料，由于凸部成为利用热传递产生排气的起点，从而从接合材料部13a的中央部分70起开始固化，因此可以高效地使排气向外部逸出。
此外，对于作为制成凸部的材料的导电糊料材料的半固化温度及固化温度、以及金属纳米粒子糊料材料的固化温度，可以使用经适当调整后的温度。另外，根据升温速度5℃/分钟的关系，导电糊料材料与金属纳米粒子糊料材料的固化温度之差进一步优选为至少设置为5℃以上。这是因为，在1分钟左右，5℃的固化温度之差使导电糊料材料比金属纳米粒子糊料材料更快固化，从而可以防止金属纳米粒子糊料材料在固化时所产生的排气对导电糊料材料的固化产生影响。
而且，在按压电极21a时，由于凸部43’处于半固化状态，因此是柔软的，如图11(e)所示，可以尽量减少将电子元器件3向凸部43’按压时电极21a所受到的损伤。
此外，在将凸部43用作为利用热传递产生排气的起点，而非用于确保电极的间隔的间隔物的情况下，也可以不在接合材料部13a、13b固化之前对导电糊料材料部44进行固化，而同时进行固化。
另外，也可以不如图11(b)所示涂布金属纳米粒子糊料材料以覆盖导电糊料材料部44，而是如图12所示，避开导电糊料材料部44而形成接合材料部13a。
另外，在本实施方式中，在涂布了金属纳米粒子糊料材料以覆盖导电糊料材料部44之后，再使导电糊料材料部44成为半固化状态，但也可以在涂布金属纳米粒子糊料材料之前，使导电糊料材料部44成为半固化状态。由于在这两种材料存在混合的可能性的情况下，可以确实防止导电糊料材料与金属纳米粒子糊料材料混合，因此较为理想。
另外，在本实施方式中，在载放电子元器件3时，使导电糊料材料部44处于半固化状态，但也可以使其处于完全固化状态，导电糊料材料也可以不存在半固化状态。
另外，可以使用固化温度与金属纳米粒子糊料材料基本没有差别的导电糊料材料，但在这种情况下，不能在涂布金属纳米粒子糊料材料后，只使导电糊料材料固化。因此，在将导电糊料材料涂布于电极2a后，在涂布金属纳米粒子糊料材料前，需要使导电糊料材料固化。此时，可以使导电糊料材料处于半固化状态，也可以使其处于完全固化状态。但是，从可以尽量减少电极21a所受到的损伤这一点来看，在载放电子元器件时，最好使导电糊料材料部44处于半固化状态。
此外，虽然对电子元器件3为LED的情况进行了说明，但也可以适用于电极面积更大的电子元器件。另外，虽然以喷墨法对作为金属纳米粒子糊料材料的接合材料进行了涂布，但也可以使用印刷等方法。另外，导电糊料材料也可以是银糊料材料以外的糊料材料。
另外，本实施方式2的凸部43并不局限于图10、11所示的形状，还可以是实施方式1中所述的各种形状。
(实施方式3)
下面，对本发明所涉及的实施方式3中的安装结构体进行说明。
图13是本发明所涉及的实施方式3的安装结构体34的剖视结构图。如图13所示，本发明所涉及的实施方式3中的安装结构体34的结构基本与实施方式1相同，但凸部的材料不同。因此，以本不同点为中心进行说明。此外，对实质上与实施方式1相同的结构标注相同的标号。
本实施方式3中的凸部52使用含有氧化物的材料制成，被作为供氧材料使用，相当于本发明的“提供氧的构件”的一个例子。此外，可以使用氧化铜或氧化铝等作为氧化物。可以使用将粒径为约1μm的氧化铜或氧化铝粉末与环氧树脂相混合的糊料材料来形成凸部。作为糊料材料的组成，例如，以重量％的比率来表示，可以采用氧化物∶树脂＝80∶20的组成。
接着，对本实施方式3的安装结构体34的制造方法进行说明。
图14(a)～(f)是用于说明本实施方式3的安装结构体34的制造方法的图。
如图14(a)所示，上述糊料材料涂布于电极2a的上部，从而形成供氧材料部50。此外，使用固化温度小于等于金属纳米粒子糊料材料的固化温度的、在固化后比金属纳米粒子糊料材料升温更快的材料(热传导率较高的材料)作为上述氧化物与树脂的混合物、即糊料材料。接着，如图14(b)所示，金属纳米粒子糊料材料涂布于电极2a、2b上，覆盖供氧材料部50，从而形成接合材料部13a、13b。该对金属纳米粒子糊料材料进行涂布的工序相当于本发明的涂布工序的一个例子。
其后，如图14(c)所示，以大于等于糊料材料的固化温度、小于金属纳米粒子糊料材料的固化温度的温度对形成有接合材料部13a、13b的基板1进行加热，从而只使供氧材料部50固化而形成供氧构件51。该涂布糊料材料并使其固化而形成供氧构件51的工序相当于本发明的构件形成工序的一个例子。
接下来，如图14(d)所示，用搭载工具16对电子元器件3进行保持，并将其载放至上述接合材料部13a、13b上。然后，将电子元器件3向接合材料部13a、13b按压，直至其电极21a与供氧构件51的上端相抵接(参照图14(e))。该工序相当于本发明的配置工序的一个例子。
最后，利用使用热风循环炉的热处理对接合材料部13a、13b进行固化，形成接合部15a、15b，并且由供氧构件51向其周边的金属纳米粒子糊料材料提供氧，形成凸部52，从而制成图14(f)所示的安装结构体32。该工序相当于本发明的热处理工序的一个例子。
这样，在本实施方式中，由于将制成凸部52的材料定为了氧化物，因此在热处理工序时，氧化物的氧有助于存在于接合材料部13a中的分散剂的分解，从而可以促进利用含有氧化物的材料所形成的凸部52周边的金属纳米粒子糊料材料的气化。如上所述，利用分散剂对金属纳米粒子糊料材料进行稳定化，使金属纳米粒子不聚合，通过使该分散剂覆盖金属纳米粒子来阻碍聚合。在本实施方式中，用作为制成凸部52的材料的氧化物对该分散剂进行分解，从而能有效地产生排气并使之逸出。
即，通过将由含有氧化物的材料所形成的凸部52配置于接合材料的中央部分70，可以促进中央部分70的金属纳米粒子糊料材料的烧结，从而从接合材料部13a的中央部分70起开始固化而产生排气，但由于周边部分71仍未固化，因此可以使所产生的排气从接合材料部13a中向外部逸出。
另外，由于像这样制成的安装结构体用凸部作为间隔物、利用热传递产生排气的起点、以及通过供氧产生排气的起点，因此，可以更有效地使产生于接合材料部内的排气向外部逸出。
此外，在本实施方式中，凸部52与电极2a和电极21a相接触，但在只用作为供氧材料的情况下，也可以配置于接合材料部的中央而不与电极2a、21a相接触。
另外，在只用作为供氧材料的情况下，糊料材料也可以不是比金属纳米粒子糊料材料升温更快的材料(热传导率较高的材料)。
另外，在不将供氧构件51用作为间隔物的情况下，也可以在对电子元器件3进行载放之后，使本实施方式的糊料材料与接合材料部13a、13b同时固化。
另外，在糊料材料的固化温度不低于金属纳米粒子糊料材料的固化温度的情况下，在将糊料材料涂布于电极上之后，在涂布金属纳米粒子糊料材料之前，使糊料材料固化而形成凸部52，从而可以将凸部52用作为间隔物。
此外，在本实施方式中，在图14(c)中，使供氧材料部50完全固化，但也可以是半固化状态。在这种情况下，在将凸部用作为利用热传递产生排气的起点的情况下，使用至少半固化温度在金属纳米粒子糊料材料的固化温度以下的、在半固化后比金属纳米粒子糊料材料升温更快的材料(热传导率较高的材料)，作为制成供氧材料部50的材料。
另外，本实施方式3的凸部52并不局限于该形状，还可以是实施方式1中所述的各种形状。
另外，在本实施方式3中，通过设置供氧构件51，在热处理时向中央部分70的金属纳米粒子糊料材料提供氧，但也可以采用以下结构：即，通过使电极2a或电极21a中的任意一个电极的、对应于接合部15a的中央部分70的部分处于氧化状态，向中央部分70的金属纳米粒子糊料材料提供氧。但是，进一步优选为设置如实施方式1、2所述的、具有间隔物以及利用热传递产生排气的起点两者之中的至少一个的功能的凸部。此外，所谓与该中央部分70相对应的、电极2a的部分，相当于例如如图9所示的部分200a’。此外，所谓与该中央部分70相对应的、电极21a的部分，是指例如与如图9所示的部分200a’相对的部分。
另外，在实施方式2中，设置有由导电糊料材料所形成的凸部43，但也可以使用金属氧化物作为导电糊料材料中的导电材料，从而将凸部43用作为通过供氧产生排气的起点。
另外，在本实施方式3中，使用树脂中混合了氧化铜或氧化铝粉末的糊料材料制成凸部52，但也可以只将氧化铜或氧化铝粉末等金属氧化物载放于电极21a上。在这种情况下，将金属氧化物载放于电极21a上，从其上方涂布金属纳米粒子糊料材料而形成接合材料部13a。
此外，在上述实施方式1～3中，将安装结构体插入热风循环炉中，使接合材料部13a、13b固化，但也可以将安装结构体载放于加热板上，以对接合材料部13a、13b进行固化。此时，由于凸部因来自基板1的热传递而比接合材料部13a升温更快，从而成为利用热传递产生排气的起点，因此，进一步优选为从设置有凸部的基板1一侧开始加热。
另外，在上述实施方式1～3中，只有面积较大的电极2a一侧的接合部15a上设置有凸部，但电极2b一侧的接合部15b上也可以形成有凸部。
另外，为了使接合材料部13a、13b固化，不仅可以进行加热，还可以施加超声波振荡。
(实施方式4)
下面，对本发明所涉及的实施方式4中的安装结构体进行说明。
在上述实施方式1～3中，使用了LED作为电子元器件3的一个例子，但在本实施方式4中，使用IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为电子元器件。此外，本实施方式4中的接合部和凸部的基板结构以及制作方法与实施方式1相同。
图15是本发明所涉及的实施方式4中的安装结构体60的剖视结构图。
如图15所示，在本实施方式4的安装结构体60中，设置有基板61、以及隔着接合部62配置于基板61的上侧的电子元器件(IGBT)63。该IGBT被用于流向电动机等驱动设备的驱动电流的控制系统，是需要散热措施的驱动用半导体元件。作为用于IGBT的半导体，可举出Si半导体，还可以是SiC半导体、GaN半导体。
该电子元器件63的上表面形成有电极64，通过金属引线65与基板61电连接。
该电子元器件63与实施方式1～3相同，利用由金属纳米粒子糊料材料所形成的接合部62固定于基板61上。电子元器件63经由该接合部62进行散热。另外，接合部62的中央部分70形成有与实施方式1相同的凸部67。接合部62的中央部分70设置有三个该凸部67，凸部67的上端与电子元器件63相抵接。这样，在本实施方式4中，与实施方式1～3不同，接合部62未设置于电极之间。此外，本发明的具有散热功能的接合部的一个例子相当于本实施方式4的接合部62，本发明的构件的一个例子相当于本实施方式4的凸部67。
本实施方式4的安装结构体60的制造方法如下。首先，与实施方式1相同，利用金属凸点在基板1上形成凸部67，将金属纳米粒子糊料材料涂布于基板1上，以覆盖凸部67。然后，将电子元器件63配置于金属纳米粒子糊料材料上，将电子元器件63向基板1按压，直至电子元器件63与凸部67相抵接。其后，通过进行加热处理，对金属纳米粒子糊料材料进行固化，形成接合部62，从而将电子元器件63固定于基板1。最后，利用金属引线65使电子元器件63的电极64与基板61的电极68电连接，从而制成本实施方式4的安装结构体60。
在本实施方式4中，在制造时，由于将凸部67用作为间隔物，可以使热处理时中央部分70所产生的排气向外部逸出，因此，也可以防止接合部62内残留排气。假设在接合部62内残留有排气的情况下，虽然电子元器件63的热量经由接合部62向基板散热的效率变差，但可以如本实施方式4所示，通过抑制排气残留来提高散热效率。
另外，在本实施方式中，由于利用比金属纳米粒子糊料材料升温更快的金属凸点形成凸部67，因此，在热处理时凸部67比金属纳米粒子糊料材料升温更快。因此，在热处理时，由于从位于凸部4周边的中央部分70的金属纳米粒子糊料材料开始固化，在开始烧结的同时产生排气等气体，热量从中央部分70开始缓缓向周边部分71传递而引起烧结并产生排气，因此，可以高效地使所产生的排气从接合部逸出。
另外，由于将含有金属氧化物的材料用作为制成凸部67的材料，因此，也可以将凸部67用作为通过供氧产生排气的起点。
此外，实施方式1～3以及各实施方式中所说明的变形例可以适用于本实施方式4的安装结构体60。
下面，对与本发明相关的发明进行阐述。
本发明相关发明的第一方面是一种安装结构体，包括：
基板；
电子元器件；
将所述电子元器件固定于所述基板的表面的、由金属纳米粒子糊料材料制成的接合部；以及
设置于所述接合部的中央部分的、由热传导率高于所述金属纳米粒子糊料材料的材料所制成的构件。
另外，本发明相关发明的第二方面是一种安装结构体，包括：
基板；
电子元器件；
将所述电子元器件固定于所述基板的表面的、由金属纳米粒子糊料材料所形成的接合部；以及
设置于所述接合部的中央部分的、提供氧气的构件。
本发明相关发明的第三方面在于，在本发明的第一方面或第二方面的安装结构体中，
所述构件被设置成与所述基板相抵接，并且不与所述电子元器件相抵接。
另外，本发明相关发明的第四方面是一种安装结构体的制造方法，
所述安装结构体包括：基板；
电子元器件；
将所述电子元器件固定于所述基板的表面的、由金属纳米粒子糊料材料所形成的接合部；以及
设置于所述接合部的、由热传导率高于所述金属纳米粒子糊料材料的材料所制成的构件，
所述安装结构体的制造方法包括：
构件形成工序，该构件形成工序在所述基板或所述电子元器件上形成所述构件；
涂布工序，该涂布工序将所述金属纳米粒子糊料材料涂布于所述基板或所述电子元器件；
配置工序，该配置工序对所述基板和所述电子元器件进行配置，以将所述构件配置于所述涂布的所述金属纳米粒子糊料材料的中央部分；以及
热处理工序，该热处理工序在所述配置工序之后，通过对所述金属纳米粒子糊料材料及所述构件进行加热，对所述金属纳米粒子糊料材料进行固化，以形成所述接合部，
在所述热处理工序中，制成所述构件的材料比所述金属纳米粒子糊料材料升温更快。
另外，本发明相关发明的第五方面是一种安装结构体的制造方法，
所述安装结构体包括：基板；
电子元器件；以及
将所述电子元器件固定于所述基板的表面的、由金属纳米粒子糊料材料所形成的接合部，所述安装结构体的制造方法包括：
构件形成工序，该构件形成工序在所述基板或所述电子元器件上形成供氧构件；
涂布工序，该涂布工序将所述金属纳米粒子糊料材料涂布于所述基板或所述电子元器件；
配置工序，该配置工序对所述基板和所述电子元器件进行配置，以夹着所述涂布的所述金属纳米粒子糊料材料；以及
热处理工序，该热处理工序在所述配置工序之后，通过对所述金属纳米粒子糊料材料及所述供氧构件进行加热，由所述供氧构件向经过所述涂布的所述金属纳米粒子糊料材料的中央部分提供氧，对所述金属纳米粒子糊料材料进行固化，从而形成所述接合部。
工业上的实用性
本发明的安装结构体及其制造方法具有能高效地使热处理时所产生的气体向外部逸出的效果，可适用于将半导体元件接合至基板等。
标号说明
1  基板
2a、2b  电极
3  电子元器件
4  凸部
13a、13b  接合材料部
15a、15b  接合部
16  搭载工具
21a、21b  电极

Claims (18)

1.一种安装结构体，其特征在于，包括：
基板；
电子元器件；
将所述电子元器件固定于所述基板的表面的、由金属纳米粒子糊料材料制成的接合部；以及
与所述电子元器件和所述基板相抵接以作为间隔物来使用的构件。
2.如权利要求1所述的安装结构体，其特征在于，
所述构件埋设于所述接合部的中央部分，由热传导率高于所述金属纳米粒子糊料材料的材料所制成。
3.如权利要求1所述的安装结构体，其特征在于，
所述构件埋设于所述接合部的中央部分，为向所述金属纳米粒子糊料材料提供氧的构件。
4.如权利要求1至3中的任一项所述的安装结构体，其特征在于，
所述基板具有电极，
所述电子元器件具有电极，
所述接合部将所述基板的电极与所述电子元器件的电极电连接，
所述构件与所述电子元器件的电极和所述基板的电极相抵接。
5.如权利要求4所述的安装结构体，其特征在于，
所述构件由所述基板的电极或所述电子元器件的电极表面的凹凸所形成。
6.如权利要求1所述的安装结构体，其特征在于，
所述接合部具有散热功能。
7.如权利要求1至3中的任一项所述的安装结构体，其特征在于，
设有多个所述构件，
所述多个构件在所述中央部分比所述接合部的周边部分设置得密集。
8.如权利要求4所述的安装结构体，其特征在于，
所述基板的电极与所述电子元器件的电极至少有一部分相对设置，
所述接合部至少设置于所述相对设置的、所述电极的部分之间。
9.如权利要求1或2所述的安装结构体，其特征在于，
所述构件由凸点所形成。
10.如权利要求1至3中的任一项所述的安装结构体，其特征在于，
所述构件使用包含导电物的糊料材料制成。
11.如权利要求3所述的安装结构体，其特征在于，
所述构件使用将金属氧化物和树脂混合而成的糊料材料制成。
12.如权利要求3所述的安装结构体，其特征在于，
所述构件使用金属氧化物制成。
13.如权利要求1至3中的任一项所述的安装结构体，其特征在于，
所述构件由固化温度低于制成所述接合部的所述金属纳米粒子糊料材料的材料制成。
14.如权利要求1至3中的任一项所述的安装结构体，其特征在于，
所述金属纳米粒子糊料材料包含50nm以下的金属粒子。
15.如权利要求4所述的安装结构体，其特征在于，
所述基板的电极或所述电子元器件的电极中的某一个电极的、与所述接合部的中央部分相对应的部分，由向所述金属纳米粒子糊料材料提供氧的材料所形成。
16.一种安装结构体的制造方法，所述安装结构体包括：
基板；
电子元器件；
将所述电子元器件固定于所述基板的表面的、由金属纳米粒子糊料材料制成的接合部；以及
作为与所述电子元器件和所述基板相抵接的间隔物而设置于所述接合部的构件，其特征在于，
所述安装结构体的制造方法包括：
构件形成工序，该构件形成工序将作为所述间隔物来使用的构件形成于所述基板或所述电子元器件；
涂布工序，该涂布工序将所述金属纳米粒子糊料材料涂布于所述基板或所述电子元器件；
配置工序，该配置工序对所述基板和所述电子元器件进行配置，以夹着所述涂布的所述金属纳米粒子糊料材料；以及
热处理工序，该热处理工序在所述配置工序之后，通过对所述金属纳米粒子糊料材料进行加热，对所述金属纳米粒子糊料材料进行固化，以形成所述接合部。
17.如权利要求16所述的安装结构体的制造方法，其特征在于，
所述构件设置于所述接合部的中央部分，
在所述热处理工序中，制成所述构件的材料比所述金属纳米粒子糊料材料升温更快。
18.如权利要求16所述的安装结构体的制造方法，其特征在于，
所述构件设置于所述接合部的中央部分，
在所述热处理工序中，所述构件向所述金属纳米粒子糊料材料提供氧。
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