CN102017044A - 用于发白光二极管(led)的多芯片激发系统 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施例针对白光照明系统(所谓的白光LED)，其包含多芯片激发源及磷光体封装。在双芯片源中，两个LED可以是发UV且发蓝光，或发蓝光且发绿光。所述磷光体封装经配置以在从第一及第二辐射源共同激发时在介于从约440nm到约700nm范围内的波长中发射光致发光。由所述磷光体发射的所述光致发光为白光照明中的总功率的至少40％，且所述白光照明中的所述总功率中由所述第一及第二辐射源(LED)贡献的部分小于约60％。此比率可在替代实施例中变化，且分别包括50/50、60/40、70/30及80/20。由所述系统发射的所述白光照明在一个实施例中具有大于约90的色彩再现指数(CRI)。

Description

用于发白光二极管(LED)的多芯片激发系统
相关申请案交叉参考
本申请案请求对2009年3月4日由李依群(Yi-Qun Li)、王刚(Gang Wang)及陈立德(Li-De Chen)提出申请标题为“用于发白光二极管(LED)的多芯片激发系统(Multiple-Chip Excitation Systems for White Light Emitting Diodes(LEDs))”的美国专利申请案第12/398,059号及2008年3月7日由李依群等人提出申请标题为“用于发白光二极管(LED)的磷光体系统(Phosphor Systems for White Light Emitting Diodes(LEDs))”的美国临时专利申请案第61/034,699号的优先权，两个申请案的说明书及图式以引用方式并入本文中。
技术领域
本发明的实施例一般来说针对白光LED照明系统。更具体来说，本发明的实施例针对白光LED照明系统，其包括用于包括于所述白光照明系统中的磷光体封装的部件的共同激发的多芯片(LED)激发构件。
背景技术
称为“白光LED”的装置是经设计以取代常规白炽灯泡的相对新近的创新。直到开发出可在电磁波谱的蓝色/紫外区域中发射的LED才使得制作基于LED的白光照明源成为可能。在经济上，白光LED具有取代白炽光源(灯泡)的潜能，尤其当生产成本降低且技术进一步发展时。特定来说，相信白光LED在使用寿命、强健性及效率方面的潜力都优于白炽灯泡。举例来说，预计基于LED的白光照明源可满足操作寿命为100,000小时且效率为80％到90％的行业标准。高亮度LED业已对例如交通灯信号等社会领域产生实质影响，取代了白炽灯，且因此无需惊讶不久其将满足家庭及商业以及其他日常应用领域中的普通照明要求。术语“白光LED”可能有些用词不当，因为没有LED发射“白光”，但贯穿此项技术使用其来描述一种照明系统，其中蓝光/UVLED向所述系统的另一组件(一种或一种以上磷光体)提供能量，所述磷光体在由泵激LED激发时发射光，且其中来自所述泵激LED的激发辐射与来自所述磷光体的所述光组合以产生最终的白光“产物”。
如颁发给阪根(Sakane)等人的美国专利7,476,338中所描述，此项技术中通常存在两种提供基于LED的白光照明系统的方法。在常规多芯片型系统中，通过红光、绿光及蓝光LED单独提供三种原色。单芯片系统包含蓝光LED连同磷光体，其中所述蓝光LED用于两种用途：第一种是激发所述磷光体，且第二种是贡献蓝光，所述蓝光与所述磷光体所发射的光组合以制成可感知的白光组合。
根据阪根等人，所述单芯片型系统具有优选特性，在于LED-磷光体系统在尺寸上可小于多芯片系统，且在设计上更简单，因为不必计及多个LED的多个驱动电压及温度考虑因素。因此可降低制造所述系统的成本。此外，通过使用具有宽广发射光谱的磷光体，来自所述系统的白色发射更好地接近日光的光谱，且因此可改善所述系统的色彩再现性质。出于这些原因，已对单芯片型系统加以比多芯片型系统更大的关注。
所述单芯片型系统可进一步划分成两个种类。在第一种类中，如前文所提到，组合来自高发光蓝光LED及因从所述蓝光LED激发而发射黄色色彩的磷光体的光，所述经组合光的白色发光通过使用所述LED的蓝色发射与所述磷光体的所述黄色发射之间的互补关系而获得。在第二种类中，激发源为在光谱的近紫外或紫外(UV)区域中发射的LED，且来自磷光体封装的光可包括发蓝光磷光体、发红光磷光体及发绿光磷光体，其经组合以形成白光。通过此类型的系统除能够调节白光的色彩再现性质外，还可通过控制红色、绿色及蓝色光致发光的混合比率来产生任意发射色彩。
这些单芯片系统的益处在此项技术中被很好地了解，但在增强色彩再现性质方面其缺点也是如此。举例来说，来自由蓝光LED及黄色磷光体(例如，YAG:Ce)组成的典型单芯片系统的白光发射在可见光谱的较长波长侧中不足，因此产生带蓝色的白光外观。所述系统的所述YAG:Ce黄色磷光体对贡献所需要的600nm到700nm发射内容没有多大帮助，因为其具有最大效率的激发带为约460nm，且此黄色磷光体的激发范围特定来说不宽广。此单芯片系统的其它缺点是部分由于制造工艺而产生的蓝光LED的发射波长范围不一致，且如果这些背离所述以YAG:Ce为主的黄色磷光体的最优激发范围，那么蓝光与黄光之间产生波长平衡损失。
此第二种类的单芯片系统还存在缺点。通过组合来自UV或近UV激发的红色、绿色及蓝色磷光体系统的光致发光形成的白光照明在较长波长中也不足，因为红色磷光体的激发及发射效率与封装中的其它磷光体的激发及发射效率相比较低。白光LED设计者因此除相对于蓝色及绿色磷光体增加混合物中红色磷光体的定量外别无选择。但此动作可导致不期望的结果：绿色磷光体与其它磷光体的比率现在可不充分且来自白光LED的发光可受损失。具有高发光的白色色彩将会难以获得。且色彩再现性质仍然谈不上最佳，因为红色磷光体通常具有比其它磷光体陡峭的发射光谱。
很清楚，多芯片白光照明系统具有缺点，其不只是需要多个电压控制系统且需要从产生白光的分量色彩所需要的许多个别芯片产生增加的热。但所述单芯片系统中的每一者也具有其问题，可能最显著的是不能够实现可接受的色彩再现结果。此项技术中需要的是一种具有增强的发光度及色彩再现同时实现与对更复杂驱动与控制系统的需要的平衡的白光照明系统。
发明内容
本发明的实施例针对白光照明系统(所谓的“白光LED”)，其包含多芯片激发源及磷光体封装(与磷光体混合物相同)。多芯片激发源可以是双芯片源、三芯片源或用于共同激发磷光体封装的激发源，其中所述辐射源含有多于三个LED。在双芯片源的情况下，所述两个LED可以是发UV且发蓝光或发蓝光且发绿光。所述三芯片源可含有UV、蓝光及绿光发射源。实质上存在无限数目的可能的芯片组合可能性，但此概念的实质是双芯片(或三芯片)源共同激发磷光体封装中的磷光体，且多芯片源与所述磷光体封装向最终的白光照明产物贡献不同量的功率。
在一个实施例中，所述源包含在介于从约250nm到约410nm范围内的波长中发射的第一辐射源，及用于向磷光体封装提供共同激发辐射的第二辐射源，所述源在介于从约410nm到约540nm范围内的波长中发射。此可被视为双芯片源，其中所述第一源为UV发射源，且所述第二源为蓝光、蓝光-绿光及/或绿光发射源。在另一实施例中，所述双芯片源包含：用于向磷光体封装提供共同激发辐射的第一辐射源，所述源在介于从约410nm到约480nm范围内的波长中发射；及用于向所述磷光体封装提供共同激发辐射的第二辐射源，所述源在介于从约480nm到约540nm范围内的波长中发射。此可能被视为双芯片源，其中第一芯片为发蓝光LED，且第二芯片为发绿光LED。
所述磷光体封装经配置以在从所述第一及第二辐射源共同激发时在介于从约440nm到约700nm范围内的波长中发射光致发光。所述磷光体封装包括选自由以下各项组成的群组的至少一种磷光体：发蓝光磷光体、发绿光磷光体、发黄光-绿光磷光体、发橙光磷光体及发红光磷光体，包括其组合。适于实施本发明实施例的各种各样的磷光体涵盖在内，且包括以铝酸盐为主的磷光体、以硅酸盐为主的磷光体及以氮化物为主的磷光体。此当然包括商业上可购得的磷光体。
根据本发明实施例，由磷光体封装发射的光致发光为白光照明中的总功率的至少40％，且所述白光照明中的所述总功率中由所述第一及第二辐射源贡献的部分小于约60％。此比率可在替代实施例中变化，且包括所述白光照明中的总功率的50％，且所述白光照明中的所述总功率中由所述第一及第二辐射源贡献的所述部分小于约50％，及其中所述比率分别为60/40、70/30及80/20的系统。
根据本发明实施例，由所述系统发射的白光照明具有大于约90的色彩再现指数(CRI)。在替代实施例中，所述CRI大于约80及大于约70。
附图说明
图1是向双磷光体系统提供激发辐射的双LED辐射源的发射强度对波长的曲线图，所述LED以402nm及454nm发射，且所述磷光体分别具有507nm及610nm的峰值发射强度；
图2是向三磷光体系统提供激发辐射的双LED辐射源的发射强度对波长的曲线图，所述LED以402nm及454nm发射，且所述磷光体分别具有507nm、550nm及610nm的峰值发射强度；
图3是向四磷光体系统提供激发辐射的双LED辐射源的发射强度对波长的曲线图，所述LED以402nm及454nm发射，且所述磷光体分别具有450nm、507nm、550nm及610nm的峰值发射强度；
图4是向三磷光体系统提供激发辐射的双LED辐射源的发射强度对波长的曲线图，所述LED以402nm及454nm发射，且所述磷光体分别具有507nm及610nm的峰值发射强度；
图5是向三磷光体系统提供激发辐射的双LED辐射源的发射强度对波长的曲线图，所述LED以429nm及457nm发射，且所述磷光体分别具有507nm、550nm及610nm的峰值发射强度；
图6是向双磷光体系统提供激发辐射的双LED辐射源的发射强度对波长的曲线图，所述LED以454及523nm发射且所述磷光体分别具有530及590nm的峰值发射强度；
图7是向双磷光体系统提供激发辐射的单LED辐射源的发射强度对波长的曲线图，所述LED以402nm发射，且所述磷光体分别具有538nm及586nm的峰值发射强度；
图8是向四磷光体系统提供激发辐射的单LED辐射源的发射强度对波长的曲线图，所述LED以402nm发射，且所述磷光体分别具有450nm、507nm、550nm及610nm的峰值发射强度；
图9是向三磷光体系统提供激发辐射的单LED辐射源的发射强度对波长的曲线图，所述LED以402nm发射，且所述磷光体分别具有507nm、550nm及610nm的峰值发射强度；及
图10是向双磷光体系统提供激发辐射的单LED辐射源的发射强度对波长的曲线图，所述LED以429nm发射，且所述磷光体分别具有507nm及610nm的峰值发射强度。
具体实施方式
在本发明的一个实施例中，白光LED由两个辐射源及选自蓝色、绿色、黄色、橙色或红色的至少两种磷光体类型组成。两个辐射源的相对强度可相等，或调谐到特别比率以最优化最终的LED性能，例如亮度、效率、色彩及色彩再现指数(CRI)。
包括白光在内的光的表征
经开发以表征白光的质量的一种类型的分类系统在1965年由国际照明协会(Commission Internationale de l’Eclairage)(CIE)开发，且其建议的概要已由杜查密(Ducharme)等人在美国专利7,387,405中予以评议。CIE建议基于样本测试色彩方法来测量光源的色彩再现性质。此方法已被更新且描述于标题为“测量并详细说明光源的色彩再现性质的方法(Method of Measuring and Specifying Color Rendering Properties oflight sources)”的CIE 13.3-1995技术报告中，其揭示内容以引用方式并入本文中。实质上，所述方法涉及正被测试光源的分光辐射测量。将此数据乘以八个色彩样本的反射比光谱。然后基于CIE 1931标准观察者将所得光谱转换成三色值。针对CIE在1960年建议的均匀色彩空间(UCS)来确定这些值相对于参考光的移位。计算所述八个色彩移位的平均值以产生一般色彩再现指数，称为CRI。在这些计算中，按比例调整所述CRI以使得完美得分等于100，其中“完美”意指使用在光谱上等于参考源(通常是日光及/或全光谱光)的源。
人工照明通常使用标准CRI来确定白光的质量。如果白光与日光及/或全光谱光相比产生高CRI，那么其被视为具有较好的质量，在于其更“自然”，且更可能使得能够更好地再现彩色表面。在除提供更好质量的白光外，还高度期望产生具体色彩的光。光在早上往往更呈橙色到红色，且在傍晚或晚上更呈蓝色，因此改变、细调或控制全光谱内的特定色彩或色彩范围的能力也是重要的。
如杜查密等人在美国专利公开案2007/0258240中教示，白光是不同波长的光的混合，且因此可基于用于产生其的分量色彩来对其进行表征。不同色彩可经组合以产生白光，其包括但不限于：1)红色、绿色及蓝色，2)淡蓝色、棕黄色及淡紫色，及3)青绿色、洋红色及黄色。事实上，可组合仅两种色彩的组合来产生在眼睛看来仍为白色的光，前提是这两个所选色彩是所谓的互补，且此情况的实例是发射大约635nm及493纳米的窄带源(LED，或在极端情况下为激光)。这些人工白光在人眼看来可为白色，但在其它方面次于全光谱光及/或自然日光，在于其在显示于彩色表面上时看起来不自然。此发生的原因是检查下的彩色表面以不同方式吸收及反射波长区域。如果此一表面由全光谱白光或自然日光(其意指具有可见带中完全以合理及/或所需强度表示的分量波长的光)撞击，那么所述表面将完美地吸收及反射。但此段落中所描述的仅具有两个或三个分量的人工白光不含有完整的光谱。在两种不同情形中给出不同色彩再现的含义的实例：在500nm到550nm范围中反射的表面在全光谱光下将呈深绿色，但在由包含以大约635nm及493纳米发射的两个窄带源的假设双分量系统产生的假设“白光”下呈黑色。
光学结果
将通过曲线形式量化此章节中要论述的光学结果，所述曲线描绘系统的依据光谱波长的发射强度。事实上，方便地以常规蓝光LED加上黄色YAG:Ce磷光体的光谱开始，如陈(Chen)等人在美国专利公开案2008/0203900中所例示。其图1显示所述光谱红色不足但绿色尤其不足。其建议添加优选地在光谱的蓝色-绿色区域(即480nm到500nm)中且在光谱的棕黄色-红色区域(即，580nm到680nm)中发射光的LED。其图2显示通过将具有大约500nm的中心波长的蓝光-绿光LED添加到其消除显示于其图1中的白光系统获得的光谱。
陈等人添加此LED产生比两个分量蓝光LED与黄色磷光体(例如，YAG:Ce)系统的光谱在发光度上(依据波长)大致更恒定的光谱。来自三个LED-一种磷光体系统的光谱显示于其图3中，其中已将从580nm到680nm发射的第三LED添加到所述系统。此光谱跨越范围450nm到650nm的强度比单LED/单磷光体(例如，蓝光LED/YAG:Ce黄色磷光体)或双分量版本的白光LED大致更恒定。第二蓝光-绿光LED及/或第三橙光-红光LED中的功率为提供蓝光以及向所述黄色磷光体提供激发辐射的第一蓝光LED中的功率的一小部分，且因此所述系统的总体效率仅稍微减小，但所述三分量系统的总体色彩再现能力增强。因此，从总效率观点来看，已显示多个LED有效。
尽管在白光照明系统中除传统蓝光LED外还使用LED，但使用这些补充LED来向最终的白光产物提供光分量，(据发明人所知)而不是提供额外的激发辐射源。本文中所用术语“共同激发”意指至少两个不同LED向磷光体及/或磷光体混合物(也称为磷光体封装)(其可包括两种或两种以上磷光体)提供覆盖两个不同波长或波长范围的经组合激发辐射。所述至少两个LED每一者向所述磷光体封装提供激发辐射，且如果其经配置以激发红色磷光体则可包括UV或近UV LED及蓝光、绿光或黄光LED及甚至橙光LED中的任一者的组合。事实上，其是本发明的实施例的原理：可使用LED来激发其激发能量等于或小于讨论中的LED的带隙能量的任何磷光体，或更一般地说，以某一波长发射的LED可激发其发光为在能量上低于LED的发射的波长的波长的磷光体。因此(举例来说)可使用绿光LED来激发黄色磷光体，或可能更有效的是激发橙色或红色磷光体；此事件结合常规蓝光LED激发黄色磷光体(且也可能是绿色、橙色或红色磷光体等)而发生。
本发明实施例的前三个实例针对一种包含两个激发LED的系统：第一辐射源，其在从介于约250nm到410nm范围内的波长中向磷光体封装发射激发辐射，且因此其可能被视为UV到近UV LED；及第二辐射源，其在介于从410nm到480nm范围内的波长中发射光，且因此此激发源与用于蓝光LED/黄色磷光体系统中的常规蓝光LED大致相同。以以下方式构建用此双LED激发配置测试的磷光体混合物：在第一实例中，磷光体封装为绿色及橙色磷光体；在第二实例中其为绿色、黄色及橙色磷光体；且在第三实例中其为蓝色、绿色、黄色及橙色磷光体。此磷光体封装的组成部分每一者在440nm到700nm波长范围中发射。此实施例中的创新概念是除常规蓝光LED外还使用UV激发LED，两个LED同时向磷光体提供激发辐射。关于UV及蓝光LED源向其提供激发辐射的磷光体封装，各种各样的选择可用。但一些磷光体(例如，在激发波长从470nm降低到250nm时具有高量子效率的以硅酸盐为主的磷光体，如本发明的发明人所教示)产生经由UV光源实现的增强的发光度(亮度)。使用UV光源的另一优点是可使用具有较短发射波长的磷光体来有效地吸收UV光而非来自所述激发源的蓝光，以使得最终产物的发光光谱可覆盖更宽广范围的波长，因此增大CRI。
结合标记为G507的绿色磷光体及标记为O610的橙色磷光体使用的UV及蓝光LED激发芯片的结果显示于图1中。本发明稍后将更多地论述磷光体，特定来说其成分，但现在应注意，在此命名法中，字母是色彩，而数字表示所述特定磷光体的峰值发射的波长。两种磷光体的相对比率经选择以实现具有接近于(0.3，0.3)的x，y值的目标CIE。因此，可以有意义的方式比较其它芯片组合及磷光体混合物，针对剩余九个实例选择相同CIE 目标。可直接比较亮度及CRI。在此第一实例中，亮度为31.32且CRI为91.8，此直接显示通过本发明实施例可实现超过90CRI的色彩再现。
在第二实例中，将标记为Y550的黄色磷光体添加到前文在第一实例中所论述的绿色与橙色混合(分别为G507及O610)。图2显示来自利用与第一实例相同的UV及蓝光LED芯片源(402nm及454nm)的白光LED的发射光谱。此时，共同激发黄色、绿色及橙色磷光体封装的蓝光/UV LED产生具有大于30％的亮度增加的白光照明。此亮度增加经由添加所述黄色磷光体而实现，因为所述实验的大致所有其它变量保持恒定。在此第二实例中产生的白光可表征为具有40.64的亮度及80.7的CRI。
不同于涉及两种磷光体的混合物的第一实例，在磷光体封装中具有三磷光体混合物的此第二实施例中，形成了可实现相同目标CIE的实质上无限数目个掺和比率。一般来说，添加黄色磷光体提供关于高亮度的优点，而绿色及橙色磷光体对增加CRI有利地起作用。换句话说，可单独通过细调黄色磷光体浓度与橙色及绿色磷光体的浓度的比率来实现CRI值及亮度的最优化。
在第三实例中，将标记为B450的蓝色磷光体添加到第二实例中所论述的绿色、黄色及橙色混合(分别为G507、Y550、O610)。图3显示来自利用与第一及第二实例中相同的UV及蓝光LED芯片源(402nm及454nm)的白光LED的发射光谱。亮度为23.62，CRI为89.1。蓝色磷光体有效地吸收来自此多芯片激发源的UV光，而对于来自蓝光LED的蓝光大致透明，从而允许其共同激发所述系统中的黄色、绿色及橙色磷光体。应注意，此特定测试中所使用的蓝色磷光体在402nm激发波长下展现小于50％的量子效率，且预计通过具有70％的量子效率的蓝色磷光体可实现大于30％的亮度增加。
在本发明实施例的第四及第五实例中，使用不同的芯片集。此处，两个芯片分别以中心处于429nm及457nm的波长提供共同激发辐射。存在双芯片共同激发源的若干实例，其中第一辐射源在介于从410nm到440nm范围内的波长中发射光，且其中第二辐射源以介于从440到480范围内的波长发射光。因此尽管前三个实例中的芯片集可能被描述为UV与蓝色组合，但第四及第五实例中的芯片集为紫光(也可描述为蓝紫光)LED与蓝光LED集。所述紫光LED以429nm发射，此恰在人眼能够检测照明的光谱的最短端处。另一LED是以457nm发射的蓝光LED，大致与常规白光LED(蓝光LED/YAG:Ce)中所使用的波长相同。使用所述蓝色与紫色多芯片集来向两个不同磷光体封装提供共同激发辐射，如下文所描述。
在第四实例中，所述磷光体封装含有两种磷光体，一种绿色且一种橙色(分别为G507及O610)。此封装中的所述两种磷光体以介于从480nm到700nm范围内的波长光致发光。与含有UV LED的芯片集相比，410nm到440nm辐射会将光本身贡献给最终的白光照明产物，且因此至少部分地确定所述白光的色彩及亮度。另一方面，其在激发黄色及绿色磷光体时展现较高效率，因此此一组合的主要优点是允许使用较短发射波长磷光体，以便实现高CRI值同时维持亮度。
来自此系统的白光照明的光谱显示于图4中。所述照明的亮度为38.37，且CRI为92.0。
在第五实例中，将标记为Y550的黄色磷光体添加到前文在第五实例中所论述的绿色与橙色混合(分别为G507及O610)。图5显示来自利用与第一实例相同的紫光与蓝光LED芯片辐射源(分别为429nm及457nm，其分别表示410nm到440nm的辐射源及440nm到480nm的源)的白光LED的发射光谱。此时，共同激发黄色、绿色及橙色磷光体封装的紫光/蓝光LED产生具有大于30％的亮度增加的白光照明。如在从第二实例到第三实例的转变中，从第四实例到第五实例的此亮度增加经由添加黄色磷光体实现，因为所述实验的大致所有其它变量保持恒定，且可单独通过细调黄色磷光体浓度与橙色及绿色磷光体的浓度的比率来实现CRI值及亮度的最优化。在此第二实例中产生的白光可表征为具有52.0的亮度及79.9的CRI。
前五个实例中的多芯片激发源为UV/蓝色组合或紫色/蓝色组合。可通过将蓝色芯片及绿色芯片与在一个实施例中具有两种磷光体且在另一实施例中具有三种磷光体的磷光体封装一同使用来提供高亮度、高CRI白光照明源。这些磷光体可以是绿色磷光体(例如G530)、黄色磷光体(例如Y550)、橙色磷光体(例如O590)及红色磷光体(例如R662)的任一组合。在此第六实例中，芯片集是蓝光LED与绿光LED组合。因此在实例三中，白光LED包含在介于从440nm到480nm范围内的波长中发射光的第一辐射源及共同激发磷光体封装的第二辐射源，所述第二辐射源在介于从480nm到540nm范围内的波长中发射光。此芯片集向在介于从500nm到700nm范围内的波长中发射光的至少两种类型的磷光体提供共同激发辐射。更具体来说，第六实施例所例示的系统中的混合磷光体含有绿色及橙色磷光体(G530及O590)，其中因480nm到540nm的发蓝光-绿光LED而包括橙色或红色磷光体。一些橙色及红色磷光体(例如，以硅酸盐为主的磷光体)随着激发波长从440nm到550nm增加而具有较高的量子效率，因此使用绿色激发辐射增加橙色及/或红色磷光体的效率以便实现较高的亮度。进一步添加其它绿色及/或黄色磷光体可增宽最终的LED发射波长光谱，因此增加CRI值。
图6显示由包含454nm LED及523nm LED的芯片集制成的白光LED，此芯片集向包含530nm绿色磷光体及590nm橙色磷光体的磷光体封装提供共同激发辐射。亮度为43.92且CRI值为71.9；此外，可通过使用不同磷光体及通过调谐绿光对蓝光LED的相应强度来最优化亮度及/或CRI值。
表1总结图1到6的白光照明系统的测试结果，其中CIE坐标已大致固定于分别为0.3及0.3的x及y值处，且其中白光由亮度及CRI值表征。
表1
  磷光体   LED   CIEx   CIEy   亮度(a.u.)   CRI
  G507+O610   402nm+454nm   0.286   0.304   31.32   91.8
  G507+Y550+O610   402nm+454nm   0.303   0.300   40.64   80.7
  B450+G507+Y550+O610   402nm+454nm   0.307   0.294   23.62   89.1
  G507+O610   429nm+457nm   0.302   0.302   38.37   92.0
  G507+Y550+O610   429nm+457nm   0.309   0.293   52.07   79.9
  G530+O590   454nm+523nm   0.295   0.301   43.92   71.9
为与这些多芯片系统作比较，用单芯片激发源实施一组类似实验。这些单芯片实例中的LED在介于从250nm到440nm范围内的波长中发射激发辐射；其在第七到第十实例中分别为：402nm、402nm、417nm及429nm。磷光体封装为蓝色、绿色及橙色磷光体的不同组合。具体来说，其在第七实例中为蓝色、绿色及橙色；在第八实例中为蓝色、绿色、黄色及橙色；在第九实例中为绿色、黄色及橙色，且在第十实例中为绿色及橙色。
图7显示来自使用且由402nm LED、450nm蓝色磷光体、538nm蓝色-绿色磷光体及586nm橙色磷光体构造的白光LED的发射光谱。所使用的蓝色磷光体在402nm激发波长下具有小于50％的量子效率，且可通过具有70％的量子效率的蓝色磷光体实现大于30％的亮度增加。亮度为10.63；CRI为64.7。
图8显示来自由402nm LED、450nm蓝色磷光体、507nm蓝色-绿色磷光体、550nm黄色磷光体及610nm橙色磷光体构造的白光LED的发射光谱。亮度为8.29且CRI为91.7。
图9显示来自由417nm LED、507nm蓝色-绿色磷光体、550nm黄色磷光体及610nm橙色磷光体构造的白光LED的发射光谱。亮度为14.53且CRI为62.8。
图10显示来自由429nm LED、507nm蓝色-绿色磷光体及610nm橙色磷光体构造的白光LED的发射光谱。亮度为23.98，且CRI为86.8。
表2总结图7到10的白光照明系统的测试结果，其中CIE坐标已大致固定于分别为0.3及0.3的x及y值处，且其中白光由亮度及CRI值表征。
表2
 磷光体   LED   CIEx   CIEy   亮度(a.u.)   CRI
 B450+G538+O586   402nm   0.304   0.335   10.63   64.7
 B450+G507+Y550+O610   402nm   0.301   0.298   8.29   91.7
 G507+Y550+O610   417nm   0.296   0.301   14.53   62.8
 G507+O610   429nm   0.275   0.312   23.98   86.8
在本发明的又一实施例中，白光LED包含在介于从约250nm到约440nm范围内的波长中发射激发辐射的第一辐射源，在介于从约440nm到约480nm范围内的波长中发射激发辐射的第二辐射源，及包含具有介于从约540nm到600nm范围内的峰值发射波长的黄色-橙色磷光体及/或具有介于从约580nm到约780nm范围内的峰值发射波长的红色磷光体的磷光体封装。
实例性磷光体成分
本发明多芯片激发源的优点并不限于任一特定类型的磷光体。实际上，涵盖威廉M.茵(William M.Yen)及马文J.韦伯(Marvin J.Weber)在《无机磷光体》的第8章及附件II(Section 8 and Appendix II of Inorganic Phosphors)(CRC出版社，纽约，2004年)中所列出的商业蓝色、绿色、黄色、橙色及红色磷光体中的几乎任一者。因此此参考文献的第8章及附件II的整体内容以引用方式并入本文中。
适合实施本发明实施例的教示的蓝色、蓝色-绿色、黄色、黄色-橙色、橙色及红色磷光体的实例包括本发明发明人已开发的铝酸盐、硅酸盐及氮化物(及其混合物)。尽管本发明实施例并不限于以下界定，但对于本发明中的实例来说真实的是蓝色磷光体往往以铝酸盐为主；绿色磷光体可以是铝酸盐或硅酸盐，且黄色及橙色磷光体往往以硅酸盐为主，但使用不同类型的主体结构；且红色磷光体为氮化物。
实例性蓝色以铝酸盐为主的磷光体具有一般化学式(M1-xEux)2-zMgzAlyO[2+(3/2)y]，其中M是来自周期表的IIA族的除镁(Mg)以外的二价碱土金属，其中0.05＜x＜0.5；3≤y≤12；且0.8≤y≤1.2。所述成分可含有卤素掺杂物，例如氟或氯。M可以是Ba(钡)或Sr(锶)；当M是Ba时，磷光体是目前铝酸钡镁(BAM)系列中的一成员；当M是锶时，磷光体是目前铝酸锶镁(SAM)系列中的一成员。所述卤素掺杂物可驻留于晶格主体内的氧晶格位置上，且以从约0.01到20摩尔百分数范围中的量存在。此实例中的磷光体经配置以吸收介于从约280nm到约420nm范围内的波长中的辐射，并发射具有介于从约420nm到560nm范围内的波长的可见光。
可在本发明实施例中用作蓝色磷光体及用作用于产生图3、7及8中的数据的磷光体B450的实例性磷氯化物具有化学式Sr10(PO4)6Cl2:Eu0.05。
重申一遍，磷光体的类型或具体磷光体不是本发明的实施例的关键；而是，系统中的至少两个LED是大致向磷光体封装中的至少一种磷光体提供激发辐射而不是向最终的照明产物提供光。因此预计，几乎任何磷光体将起作用，且此包括商业上可购得的磷光体。根据本发明实施例可使用的商业上可购得的蓝色磷光体包括(CeMg)SrAl11O18:Ce、(CeMg)BaAl11O18:Ce、YAlO3:Ce3+、Ca2MgSi2O7:Ce3+、Y2SiO5:Ce3+、Zn2SiO4:Ti、CsI:Na+、Sr2P2O7:Eu、Sr5Cl(PO4)3:Eu、BaMgAl10O17:Eu，Mn(BAM)及ZnS:Ag，Cl，Ni。这些磷光体以高达约460nm的波长发射。
绿色磷光体可以是以铝酸盐为主或以硅酸盐为主，或两者的组合。以铝酸盐为主的绿色磷光体可由一般化学式M1-xEuxAlyO1+3y/2表示，其中M是选自由Ba、Sr、Ca、Mg、Mn、Zu、Cu、Cd、Sm及Tm组成的群组的二价金属中的至少一者；0.1＜x＜0.9；且0.5≤y≤12。这些以铝酸盐为主的绿色磷光体经配置以吸收具有介于从约280nm到420nm范围内的波长的大致不可见辐射，并发射具有介于从约500nm到550nm范围内的波长的可见绿光。在特定实施例中，所述磷光体含有二价碱土金属Mg，且也可存在Mn。
适用于使用多芯片共同激发源的本发明白光LED的以硅酸盐为主的绿色磷光体具有一般化学式(Sr，A1)x(Si，A2)(O，A3)2+x:Eu2+，其中A1为选自由Mg、Ca、Ba及Zn组成的群组的二价2+碱土或过渡金属阳离子中的至少一者，其中A1的化学计量量从0.3到0.8变化，两者包括在内；A2为P、B、Al、Ga、C及Ge；且A3为包括选自由F及Cl组成的群组的卤素的阴离子，但也包括Br、C、N及S。所述化学式经编写以指示A1阳离子取代Sr；A2阳离子取代Si，且A3阴离子取代O。A2及A3的量每一者的范围为从0到19摩尔百分数，两个端点包括在内；且x是1.5与2.5之间的任一值。A1也可包括1+阳离子与3+阳离子的组合，所述1+阳离子包括Na、K及Li，且所述3+阳离子包括Y、Ce及La。
在本发明实施例中可用作绿色磷光体且在图1、2、3、4、5、8、9及10中标记为G507的实例性硅酸盐具有化学式Ba1.96Mg0.04Eu0.06Si1.03O4Cl0.12。在图6中标记为G530的磷光体具有化学式Sr1.03Ba0.92Mg0.05Eu0.06Si1.03O4Cl0.12。在图7中标记为G538的磷光体具有化学式Sr1.15Ba0.80Mg0.05Eu0.06Si1.03O4Cl0.12。以硅酸盐为主的适当绿色磷光体(图中未显示)的另一化学式为G525:Sr0.925Ba1.025Mg0.05Eu0.06Si1.03O4Cl0.12。
根据本发明实施例可使用的商业上可购得的绿色磷光体包括Bi4Ge3O12、Ca5(PO4)3F:Sb、(Ba，Ti)2P2O7:Ti、Sr5(PO4)3F:Sb，Mn、ZnO:Zn、ZnS:Cu，Cl、Zn2SiO4:Mn2+及Y3Al5O12:Ce3+。这些磷光体以大约在约480nm与530nm之间的波长发射，且此范围标记为“绿色”而不是“蓝色-绿色”或“黄色-绿色”是任意的且不是特别重要。
以硅酸盐为主的实例性黄色-绿色磷光体具有化学式A2SiO4:Eu2+D，其中A为选自由Sr、Ca、Ba、Mg、Zn及Cd组成的群组的二价金属中的至少一者；且D为选自由F、Cl、Br、I、P、S及N组成的群组的掺杂物。掺杂物D以从零到约20摩尔百分数范围中的量存在于所述磷光体中。在另一实施例中，所述磷光体具有化学式(Sr1-x-yBaxMy)2SiO4:Eu2+F，Cl，其中M是Ca、Mg、Zn或Cd中的一者，量的范围为0＜y＜0.5。
在本发明实施例中可用作黄色磷光体的实例性硅酸盐及用于产生图2、3、5、8及9中的数据的磷光体Y550具有化学式Sr1.34Ba0.61Mg0.05Eu0.06Si1.03O4Cl0.12。也可使用YAG:Ce3+磷光体来提供黄色分量。以硅酸盐为主的另一磷光体(图中未显示)具有标记EY4453及化学式Sr1.46Ba0.45Mg0.05Eu0.1Si1.03O4Cl0.18。
根据本发明实施例可使用的商业上可购得的黄色磷光体包括ZnS:Pb，Cu、ZnS:Ag，Cu，Cl、Y3Al5O12:Tb3+、(Ce，Tb)MgAl11O19:Ce，Tb、Y3Al5O12:Ce3+、MgF2:Mn2+、CsI:Tl及(Zn，Mg)F2:Mn2+。这些磷光体以大约在约530nm与590nm之间的波长发射，且此范围标记为“黄色”而不是“黄色-绿色”或“黄色-橙色”是任意的且不是特别重要。
适用于本发明多芯片白光LED的以硅酸盐为主的橙色磷光体具有一般化学式(Sr，A1)x(Si，A2)(O，A3)2+x:Eu2+，其中A1是包括Mg、Ca及Ba的至少一个二价阳离子(2+离子)，或1+阳离子与3+阳离子的组合，其中所述1+阳离子包括Na、K及Li，且所述3+阳离子包括Y、Ce及La；A2是3+、4+或5+阳离子，包括B、Al、Ga、C、Ge、P中的至少一者；A3是1-、2-或3-阴离子，包括F、Cl及Br作为1-阴离子；且x是2.5与3.5之间的任一值，两个端点包括在内。此外，所述化学式经编写以指示A1阳离子取代Sr；A2阳离子取代Si，且A3阴离子取代O。A1在化学计量上从0.3到0.8变化，两者包括在内，且A2及A3的量每一者的范围为从0到19摩尔百分数，两个端点包括在内。在另一实施例中，以硅酸盐为主的橙色磷光体具有化学式(Sr1-xMx)yEuzSiO5，其中M是选自由Ba、Mg、Ca及Zn组成的群组的二价金属中的至少一者；0≤x≤0.5；2.6≤y≤3.3；且0.001≤z≤0.5。这些磷光体也可含有卤素掺杂物，例如F及Cl。这些橙色磷光体可由在光谱的UV、蓝色、绿色及/或黄色区域中发射的LED源中的任一者激发。
在本发明实施例中可用作橙色磷光体且在图6中标记为O590的实例性硅酸盐具有化学式Ba0.02Sr2.94Eu0.1Si1.02O5F0.2。在图1、2、3、4、5、8、9及10中标记为O610的橙色硅酸盐具有化学式(Sr0.87Ba0.1Y0.0167)3Eu0.1Si0.97Al0.05O5F0.2。适用于本发明多芯片共同激发实施例的以硅酸盐为主的另一橙色磷光体(图中未显示)具有标记O586及化学式Sr3Eu0.06Si1.02O5F0.18。
根据本发明实施例可使用的商业上可购得的橙色磷光体包括(Y，Gd)BO3:Eu3+、Y(P，V)O4:Eu3+、(Zn，Mg)F2:Mn2+、(Ca，Zn，Mg)3(PO4)2:Sn、CaSiO3:Mn2+，Pb、Y2O3:Eu3+及YVO4:Eu3+。这些磷光体以大约在约590nm与620nm之间的波长发射，且此范围标记为“橙色”而不是“黄色-橙色”或“橙色-红色”是任意的且不是特别重要。
根据本发明实施例可使用的红色磷光体通常具有以氮化物为主的主体。可用于描述此种以氮化物为主的红色磷光体的一般化学式为MmMaMb(N，D)n:Zz，其中Mm为二价元素；Ma为三价元素；Mb为四价元素；N为氮；Z为催化剂；且D为卤素；且其中构成元素的化学计量(m+z)∶a∶b∶n为约1∶1∶1∶3，且所述磷光体经配置以发射具有大于约640nm的峰值发射波长的可见光。可用于描述本发明以氮化物为主的红色磷光体的另一化学式为MmMaMbD3wN[(2/3)m+z+a+(4/3)b-w]Zz，其中Mm为选自由Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd及Hg组成的群组的二价元素；Ma为选自由B、Al、Ga、In、Y、Sc、P、As、La、Sm、Sb及Bi组成的群组的三价元素；Mb为选自由C、Si、Ge、Sn、Ni、Hf、Mo、W、Cr、Pb、Ti及Zr组成的群组的四价元素；D为选自由F、Cl、Br及I组成的群组的卤素；Z为选自由Eu、Ce、Mn、Tb及Sm组成的群组的催化剂；N为氮。构成元素的量可由以下参数描述：0.01≤m≤1.5，0.01≤a≤1.5，0.01≤b≤1.5，0.0001≤w≤0.6，且0.0001≤z≤0.5。
在替代实施例中，以氮化物为主的红色磷光体具有化学式MaMbMc(N，D)n:Ez，其中Ma不仅仅是单个二价元素，而是两个或两个以上二价元素的组合(或同时使用两种二价元素)。所述两种二价金属可以是(举例来说)Ca及Sr。此类磷光体的实例为Ca0.98-xSrxAlSiN3Eu0.02、Ca0.98-xSrxAlSiN3Eu0.02、Ca0.98-xSrxAlSiN3Eu0.02及Ca0.98-xSrxAlSiN3Eu0.02，其中x的范围为从0到0.98。适用于本发明多芯片共同激发实施例的以氮化物为主的红色磷光体(所述红色磷光体在图中未显示)具有标记R662及化学式Ca0.97AlSiN3Eu0.0Cl0.1。
根据本发明实施例可使用的商业上可购得的红色磷光体包括(Sr，Mg)3(PO4)2:Sn、(Sr，Mg)3(PO4)2:Sn、Zn0.4Cd0.6S:Ag、Zn3(PO4)2:Mn2+、MgSiO3:Mn2+及Mg4(F)(Ge，Sn)O6:Mn2+。这些磷光体以大约大于约620nm的波长发射。
提供共同激发的LED芯片
在本发明实施例中向磷光体封装提供激发辐射的LED芯片在一些情况下以氮化铟镓为主，使用各种In与Ga比率(InxGa1-xN)，对于发蓝色的芯片x从约0.02到约0.4变化，且对于发绿色的芯片x大于约0.4。将发蓝色的芯片与发绿色的芯片分开的x值在某种程度上是任意的；实际上，重要的是发射波长而不是其色彩的描述(其可能是主观的)。但应理解，x的较高值对应于较长的激发波长。蓝光LED芯片也可以硒化锌(ZnSe)为主。发绿光LED芯片可以是材料磷化镓(GaP)、磷化铝镓铟(AlGalnP)及磷化铝镓(AlGaP)中的任一者。发绿色的芯片可以是InGaN与GaN的混合物。

Claims (20)

1.一种白光照明系统，其包含多芯片激发源及磷光体封装，所述多芯片激发源包含：
用于向所述磷光体封装提供共同激发辐射的第一辐射源，所述源在介于从约250nm到约410nm范围内的波长中发射；
用于向所述磷光体封装提供共同激发辐射的第二辐射源，所述源在介于从约410nm到约540nm范围的波长中发射；及
经配置以在从所述第一及第二辐射源共同激发时在介于从约440nm到约700nm范围内的波长中发射光致发光的磷光体封装。
2.根据权利要求1所述的白光照明系统，其中所述磷光体封装包括选自由以下各项组成的群组的至少一种磷光体：发蓝光磷光体、发绿光磷光体、发黄光-绿光磷光体、发橙光磷光体及发红光磷光体，包括其组合。
3.根据权利要求1所述的白光照明系统，其中由所述系统发射的白光照明具有大于约90的色彩再现指数(CRI)。
4.根据权利要求1所述的白光照明系统，其中由所述系统发射的所述白光照明具有大于约80的色彩再现指数(CRI)。
5.根据权利要求1所述的白光照明系统，其中由所述系统发射的所述白光照明具有大于约70的色彩再现指数(CRI)。
6.根据权利要求1所述的白光照明系统，其中由所述磷光体封装发射的所述光致发光为所述白光照明中的总功率的至少40％，且所述白光照明中的所述总功率中由所述第一及第二辐射源贡献的部分小于约60％。
7.根据权利要求1所述的白光照明系统，其中由所述磷光体封装发射的所述光致发光为所述白光照明中的所述总功率的至少50％，且所述白光照明中的所述总功率中由所述第一及第二辐射源贡献的所述部分小于约50％。
8.根据权利要求1所述的白光照明系统，其中由所述磷光体封装发射的所述光致发光为所述白光照明中的所述总功率的至少60％，且所述白光照明中的所述总功率中由所述第一及第二辐射源贡献的所述部分小于约40％。
9.根据权利要求1所述的白光照明系统，其中由所述磷光体封装发射的所述光致发光为所述白光照明中的所述总功率的至少70％，且所述白光照明中的所述总功率中由所述第一及第二辐射源贡献的所述部分小于约30％。
10.根据权利要求1所述的白光照明系统，其中由所述磷光体封装发射的所述光致发光为所述白光照明中的所述总功率的至少80％，且所述白光照明中的所述总功率中由所述第一及第二辐射源贡献的所述部分小于约20％。
11.一种白光照明系统，其包含多芯片激发源及磷光体封装，所述多芯片激发源包含：
用于向所述磷光体封装提供共同激发辐射的第一辐射源，所述源在介于从约410nm到约480nm范围内的波长中发射；
用于向所述磷光体封装提供共同激发辐射的第二辐射源，所述源在介于从约480nm到约540nm范围内的波长中发射；及
经配置以在从所述第一及第二辐射源共同激发时在介于从约440nm到约700nm范围内的波长中发射光致发光的磷光体封装。
12.根据权利要求11所述的白光照明系统，其中所述磷光体封装包括选自由以下各项组成的群组的至少一种磷光体：发蓝光磷光体、发绿光磷光体、发黄光-绿光磷光体、发橙光磷光体及发红光磷光体，包括其组合。
13.根据权利要求11所述的白光照明系统，其中由所述系统发射的白光照明具有大于约90的色彩再现指数(CRI)。
14.根据权利要求11所述的白光照明系统，其中由所述系统发射的所述白光照明具有大于约80的色彩再现指数(CRI)。
15.根据权利要求11所述的白光照明系统，其中由所述系统发射的所述白光照明具有大于约70的色彩再现指数(CRI)。
16.根据权利要求11所述的白光照明系统，其中由所述磷光体封装发射的所述光致发光为所述白光照明中的总功率的至少40％，且所述白光照明中的所述总功率中由所述第一及第二辐射源贡献的部分小于约60％。
17.根据权利要求11所述的白光照明系统，其中由所述磷光体封装发射的所述光致发光为所述白光照明中的所述总功率的至少50％，且所述白光照明中的所述总功率中由所述第一及第二辐射源贡献的所述部分小于约50％。
18.根据权利要求11所述的白光照明系统，其中由所述磷光体封装发射的所述光致发光为所述白光照明中的所述总功率的至少60％，且所述白光照明中的所述总功率中由所述第一及第二辐射源贡献的所述部分小于约40％。
19.根据权利要求11所述的白光照明系统，其中由所述磷光体封装发射的所述光致发光为所述白光照明中的所述总功率的至少70％，且所述白光照明中的所述总功率中由所述第一及第二辐射源贡献的所述部分小于约30％。
20.根据权利要求11所述的白光照明系统，其中由所述磷光体封装发射的所述光致发光为所述白光照明中的所述总功率的至少80％，且所述白光照明中的所述总功率中由所述第一及第二辐射源贡献的所述部分小于约20％。
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WO (1) WO2009114390A2 (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103388800A (zh) * 2012-05-11 2013-11-13 松下电器产业株式会社 照明装置
CN104646314A (zh) * 2015-02-02 2015-05-27 南昌大学 一种led芯粒的筛选方法
TWI494523B (zh) * 2012-08-21 2015-08-01 Advanced Optoelectronic Tech 照明裝置
CN105090873A (zh) * 2014-05-14 2015-11-25 皇家飞利浦有限公司 发光设备
CN110402494A (zh) * 2017-01-13 2019-11-01 尤哈·兰塔拉 用于持续消毒的led结构和照明器

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9374876B2 (en) * 2007-08-24 2016-06-21 Martin A. Alpert Multi-chip light emitting diode light device
JP5630663B2 (ja) * 2009-07-07 2014-11-26 シーシーエス株式会社 発光装置
EP2432037B1 (en) 2009-08-26 2019-05-22 Mitsubishi Chemical Corporation Semiconductor white light-emitting device
US9293667B2 (en) * 2010-08-19 2016-03-22 Soraa, Inc. System and method for selected pump LEDs with multiple phosphors
DE102010002332A1 (de) * 2009-11-30 2011-06-01 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh Retrofit LED-Lampe mit warmweissem, insbesondere flammenartigem Weisslicht
KR20110076447A (ko) * 2009-12-29 2011-07-06 삼성전자주식회사 발광 장치 및 이를 포함하는 표시 장치
US10147850B1 (en) * 2010-02-03 2018-12-04 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
TWI406928B (zh) 2010-03-18 2013-09-01 Ind Tech Res Inst 藍光螢光材料、白光發光裝置、及太陽能電池
US8534901B2 (en) 2010-09-13 2013-09-17 Teledyne Reynolds, Inc. Collimating waveguide apparatus and method
US8434924B1 (en) * 2010-11-18 2013-05-07 Google Inc. White light source using two colored LEDs and phosphor
WO2012079221A1 (zh) * 2010-12-14 2012-06-21 海洋王照明科技股份有限公司 卤硅酸盐发光材料及其制备方法
US8608328B2 (en) 2011-05-06 2013-12-17 Teledyne Technologies Incorporated Light source with secondary emitter conversion element
KR101395432B1 (ko) * 2011-07-28 2014-05-14 주식회사 막스 백색 ｌｅｄ 장치
US20140160728A1 (en) * 2011-08-17 2014-06-12 Samsung Electronics Co., Ltd Light emitting apparatus
JP6189217B2 (ja) * 2011-11-07 2017-08-30 株式会社東芝 白色光源およびそれを用いた白色光源システム
GB2497950A (en) * 2011-12-22 2013-07-03 Sharp Kk Laser and Phosphor Based Light Source for Improved Safety
EP2637224B1 (en) * 2012-03-09 2019-04-03 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light emitting device, illumination apparatus and system using same
JP2013205661A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Nichia Chem Ind Ltd 表示装置及びこれを用いた表示方法
EP3382755B1 (en) * 2012-04-06 2020-01-08 Signify Holding B.V. White light emitting module
US9952442B2 (en) 2012-05-24 2018-04-24 Excelitas Canada, Inc. High brightness solid state illumination system for fluorescence imaging and analysis
US9239133B2 (en) * 2012-05-24 2016-01-19 Excelitas Canada, Inc. High brightness solid state illumination system for fluorescence imaging and analysis
US10788678B2 (en) 2013-05-17 2020-09-29 Excelitas Canada, Inc. High brightness solid state illumination system for fluorescence imaging and analysis
CN105324859B (zh) * 2013-06-18 2019-06-04 夏普株式会社 光源装置以及发光装置
KR102070096B1 (ko) * 2013-06-27 2020-01-29 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 구비하는 조명 장치
US9551468B2 (en) * 2013-12-10 2017-01-24 Gary W. Jones Inverse visible spectrum light and broad spectrum light source for enhanced vision
EP3149108B1 (en) * 2014-09-11 2017-12-20 Philips Lighting Holding B.V. Pc-led module with enhanced white rendering and conversion efficiency
TWI575181B (zh) * 2014-09-26 2017-03-21 艾笛森光電股份有限公司 光線發射模組
US20180231191A1 (en) * 2014-10-01 2018-08-16 Koninklijke Philips N.V. Light source with tunable emission spectrum
CN106796976B (zh) * 2014-10-08 2019-04-19 首尔半导体株式会社 发光装置
JP6520553B2 (ja) * 2014-12-19 2019-05-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10066160B2 (en) 2015-05-01 2018-09-04 Intematix Corporation Solid-state white light generating lighting arrangements including photoluminescence wavelength conversion components
JP2016219519A (ja) * 2015-05-18 2016-12-22 サンケン電気株式会社 発光装置
CN106322225B (zh) * 2015-06-16 2019-05-10 群创光电股份有限公司 显示装置的背光源
US20170014538A1 (en) * 2015-07-14 2017-01-19 Juha Rantala LED structure and luminaire for continuous disinfection
GB2556782B (en) 2015-07-30 2021-02-24 Vital Vio Inc Single diode disinfection
US10918747B2 (en) 2015-07-30 2021-02-16 Vital Vio, Inc. Disinfecting lighting device
US10357582B1 (en) 2015-07-30 2019-07-23 Vital Vio, Inc. Disinfecting lighting device
WO2017133459A1 (zh) * 2016-02-03 2017-08-10 欧普照明股份有限公司 光源模组和照明装置
JP6583203B2 (ja) * 2016-09-30 2019-10-02 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP7053980B2 (ja) * 2016-11-16 2022-04-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN107384372A (zh) * 2017-08-14 2017-11-24 苏州轻光材料科技有限公司 一种led荧光粉组合物
KR102230459B1 (ko) * 2017-09-06 2021-03-23 지엘비텍 주식회사 D50, d65 고연색성 표준 led 발광 모듈 및 조명 장치
US10541353B2 (en) * 2017-11-10 2020-01-21 Cree, Inc. Light emitting devices including narrowband converters for outdoor lighting applications
US10617774B2 (en) 2017-12-01 2020-04-14 Vital Vio, Inc. Cover with disinfecting illuminated surface
US11495716B2 (en) 2018-02-26 2022-11-08 Kyocera Corporation Light-emitting device and illumination apparatus
US10413626B1 (en) 2018-03-29 2019-09-17 Vital Vio, Inc. Multiple light emitter for inactivating microorganisms
US11320100B2 (en) * 2018-12-04 2022-05-03 Signify Holding B.V. Crisp white tuning
US11996500B2 (en) 2018-12-26 2024-05-28 Seoul Viosys Co., Ltd. LED lighting apparatus having additional function
FI130142B (en) 2019-02-26 2023-03-10 Turun Yliopisto Lighting device
US11639897B2 (en) 2019-03-29 2023-05-02 Vyv, Inc. Contamination load sensing device
WO2020210740A1 (en) * 2019-04-11 2020-10-15 PixelDisplay Inc. Method and apparatus of a multi-modal illumination and display for improved color rendering, power efficiency, health and eye-safety
US11145793B2 (en) * 2019-05-09 2021-10-12 Lumileds Llc Light emitting diode with high melanopic spectral content
US11541135B2 (en) 2019-06-28 2023-01-03 Vyv, Inc. Multiple band visible light disinfection
WO2021030748A1 (en) 2019-08-15 2021-02-18 Vital Vio, Inc. Devices configured to disinfect interiors
US11878084B2 (en) 2019-09-20 2024-01-23 Vyv, Inc. Disinfecting light emitting subcomponent
US11578840B2 (en) * 2020-03-10 2023-02-14 Seoul Viosys Co., Ltd. Light source module for plant cultivation and light irradiation device including the same
CN116825932A (zh) * 2023-06-25 2023-09-29 江苏博睿光电股份有限公司 一种led器件

Family Cites Families (138)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1154215B (de) * 1962-02-08 1963-09-12 Patra Patent Treuhand Anorganischer Leuchtstoff und Verfahren zu seiner Herstellung
US3290255A (en) * 1963-09-30 1966-12-06 Gen Electric White electroluminescent phosphor
US3593055A (en) * 1969-04-16 1971-07-13 Bell Telephone Labor Inc Electro-luminescent device
US3676668A (en) * 1969-12-29 1972-07-11 Gen Electric Solid state lamp assembly
US3691482A (en) * 1970-01-19 1972-09-12 Bell Telephone Labor Inc Display system
GB1311361A (en) * 1970-02-19 1973-03-28 Ilford Ltd Electrophotographic material
US4104076A (en) * 1970-03-17 1978-08-01 Saint-Gobain Industries Manufacture of novel grey and bronze glasses
US3670193A (en) * 1970-05-14 1972-06-13 Duro Test Corp Electric lamps producing energy in the visible and ultra-violet ranges
NL7017716A (zh) * 1970-12-04 1972-06-06
JPS5026433B1 (zh) * 1970-12-21 1975-09-01
BE786323A (fr) * 1971-07-16 1973-01-15 Eastman Kodak Co Ecran renforcateur et produit radiographique le
JPS48102585A (zh) * 1972-04-04 1973-12-22
US3932881A (en) * 1972-09-05 1976-01-13 Nippon Electric Co., Inc. Electroluminescent device including dichroic and infrared reflecting components
US4081764A (en) * 1972-10-12 1978-03-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Zinc oxide light emitting diode
US3819973A (en) * 1972-11-02 1974-06-25 A Hosford Electroluminescent filament
US3849707A (en) * 1973-03-07 1974-11-19 Ibm PLANAR GaN ELECTROLUMINESCENT DEVICE
US3819974A (en) * 1973-03-12 1974-06-25 D Stevenson Gallium nitride metal-semiconductor junction light emitting diode
DE2314051C3 (de) * 1973-03-21 1978-03-09 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial
NL164697C (nl) * 1973-10-05 1981-01-15 Philips Nv Lagedrukkwikdampontladingslamp.
JPS5079379U (zh) 1973-11-24 1975-07-09
DE2509047C3 (de) * 1975-03-01 1980-07-10 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Kunststoffgehäuse für eine Lumineszenzdiode
US4176299A (en) * 1975-10-03 1979-11-27 Westinghouse Electric Corp. Method for efficiently generating white light with good color rendition of illuminated objects
US4176294A (en) * 1975-10-03 1979-11-27 Westinghouse Electric Corp. Method and device for efficiently generating white light with good rendition of illuminated objects
DE2634264A1 (de) * 1976-07-30 1978-02-02 Licentia Gmbh Halbleiter-lumineszenzbauelement
US4211955A (en) * 1978-03-02 1980-07-08 Ray Stephen W Solid state lamp
GB2017409A (en) 1978-03-22 1979-10-03 Bayraktaroglu B Light-emitting diode
US4305019A (en) 1979-12-31 1981-12-08 Westinghouse Electric Corp. Warm-white fluorescent lamp having good efficacy and color rendering and using special phosphor blend as separate undercoat
US4315192A (en) * 1979-12-31 1982-02-09 Westinghouse Electric Corp. Fluorescent lamp using high performance phosphor blend which is protected from color shifts by a very thin overcoat of stable phosphor of similar chromaticity
JPS57174847A (en) 1981-04-22 1982-10-27 Mitsubishi Electric Corp Fluorescent discharge lamp
US4443532A (en) * 1981-07-29 1984-04-17 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Induced crystallographic modification of aromatic compounds
US4667036A (en) * 1983-08-27 1987-05-19 Basf Aktiengesellschaft Concentration of light over a particular area, and novel perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid diimides
US4573766A (en) * 1983-12-19 1986-03-04 Cordis Corporation LED Staggered back lighting panel for LCD module
JPS60147743A (ja) * 1984-01-11 1985-08-03 Mitsubishi Chem Ind Ltd 電子写真用感光体
US4678285A (en) * 1984-01-13 1987-07-07 Ricoh Company, Ltd. Liquid crystal color display device
JPS60170194U (ja) 1984-04-20 1985-11-11 鈴木　悦三 開閉挾持可能なロ−ルペ−パ−ホルダ−
US4772885A (en) * 1984-11-22 1988-09-20 Ricoh Company, Ltd. Liquid crystal color display device
US4638214A (en) * 1985-03-25 1987-01-20 General Electric Company Fluorescent lamp containing aluminate phosphor
JPH086086B2 (ja) * 1985-09-30 1996-01-24 株式会社リコー 白色エレクトロルミネツセンス素子
US4845223A (en) * 1985-12-19 1989-07-04 Basf Aktiengesellschaft Fluorescent aryloxy-substituted perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid diimides
FR2597851B1 (fr) * 1986-04-29 1990-10-26 Centre Nat Rech Scient Nouveaux borates mixtes a base de terres rares, leur preparation et leur application comme luminophores
US4859539A (en) * 1987-03-23 1989-08-22 Eastman Kodak Company Optically brightened polyolefin coated paper support
JPH079998B2 (ja) 1988-01-07 1995-02-01 科学技術庁無機材質研究所長 立方晶窒化ほう素のＰ−ｎ接合型発光素子
JPH0324692Y2 (zh) 1987-08-06 1991-05-29
DE3740280A1 (de) * 1987-11-27 1989-06-01 Hoechst Ag Verfahren zur herstellung von n,n'-dimethyl-perylen-3,4,9,10-tetracarbonsaeurediimid in hochdeckender pigmentform
JPH01260707A (ja) 1988-04-11 1989-10-18 Idec Izumi Corp 白色発光装置
JPH0291980A (ja) 1988-09-29 1990-03-30 Toshiba Lighting & Technol Corp 固体発光素子
US4915478A (en) * 1988-10-05 1990-04-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Low power liquid crystal display backlight
JPH0799345B2 (ja) 1988-10-31 1995-10-25 防衛庁技術研究本部長 水温プロファイルデータ生成方法及びその装置
US4918497A (en) * 1988-12-14 1990-04-17 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
JPH0291980U (zh) 1988-12-29 1990-07-20
US5126214A (en) * 1989-03-15 1992-06-30 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Electroluminescent element
US4992704A (en) * 1989-04-17 1991-02-12 Basic Electronics, Inc. Variable color light emitting diode
DE3926564A1 (de) * 1989-08-11 1991-02-14 Hoechst Ag Neue pigmentzubereitungen auf basis von perylenverbindungen
WO1991008508A1 (en) 1989-11-24 1991-06-13 Innovare Limited A display device
DE4006396A1 (de) * 1990-03-01 1991-09-05 Bayer Ag Fluoreszierend eingefaerbte polymeremulsionen
US5210051A (en) * 1990-03-27 1993-05-11 Cree Research, Inc. High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride
JPH087614Y2 (ja) 1990-05-08 1996-03-04 中部電力株式会社 ワイヤキャップ
US5077161A (en) 1990-05-31 1991-12-31 Xerox Corporation Imaging members with bichromophoric bisazo perylene photoconductive materials
GB9022343D0 (en) * 1990-10-15 1990-11-28 Emi Plc Thorn Improvements in or relating to light sources
JP2593960B2 (ja) * 1990-11-29 1997-03-26 シャープ株式会社 化合物半導体発光素子とその製造方法
JPH04289691A (ja) 1990-12-07 1992-10-14 Mitsubishi Cable Ind Ltd Ｅｌ発光体
US5166761A (en) * 1991-04-01 1992-11-24 Midwest Research Institute Tunnel junction multiple wavelength light-emitting diodes
JP2791448B2 (ja) 1991-04-19 1998-08-27 日亜化学工業 株式会社 発光ダイオード
JP2666228B2 (ja) * 1991-10-30 1997-10-22 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US5143433A (en) * 1991-11-01 1992-09-01 Litton Systems Canada Limited Night vision backlighting system for liquid crystal displays
ES2101132T3 (es) * 1991-11-12 1997-07-01 Eastman Chem Co Concentrados de pigmentos fluorescentes.
GB9124444D0 (en) * 1991-11-18 1992-01-08 Black Box Vision Limited Display device
JPH05152609A (ja) 1991-11-25 1993-06-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
US5208462A (en) * 1991-12-19 1993-05-04 Allied-Signal Inc. Wide bandwidth solid state optical source
US5211467A (en) * 1992-01-07 1993-05-18 Rockwell International Corporation Fluorescent lighting system
JPH05304318A (ja) * 1992-02-06 1993-11-16 Rohm Co Ltd 発光素子アレイ基板
US6137217A (en) * 1992-08-28 2000-10-24 Gte Products Corporation Fluorescent lamp with improved phosphor blend
US5578839A (en) * 1992-11-20 1996-11-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device
JP2809951B2 (ja) * 1992-12-17 1998-10-15 株式会社東芝 半導体発光装置とその製造方法
US5518808A (en) * 1992-12-18 1996-05-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Luminescent materials prepared by coating luminescent compositions onto substrate particles
JPH06267301A (ja) 1993-03-15 1994-09-22 Olympus Optical Co Ltd 有機ホトルミネッセンス素子
WO1994022974A1 (en) 1993-03-26 1994-10-13 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Organic electroluminescent elements
US5557168A (en) * 1993-04-02 1996-09-17 Okaya Electric Industries Co., Ltd. Gas-discharging type display device and a method of manufacturing
US5677417A (en) * 1993-05-04 1997-10-14 Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Tetraaroxyperylene-3,4,9,10-tetracarboxylic polyimides
US5405709A (en) * 1993-09-13 1995-04-11 Eastman Kodak Company White light emitting internal junction organic electroluminescent device
JPH0784252A (ja) * 1993-09-16 1995-03-31 Sharp Corp 液晶表示装置
DE69431333T2 (de) * 1993-10-08 2003-07-31 Mitsubishi Cable Ind Ltd GaN-Einkristall
JPH07176794A (ja) 1993-12-17 1995-07-14 Nichia Chem Ind Ltd 面状光源
US5679152A (en) * 1994-01-27 1997-10-21 Advanced Technology Materials, Inc. Method of making a single crystals Ga*N article
JPH07235207A (ja) 1994-02-21 1995-09-05 Copal Co Ltd バックライト
JP2596709B2 (ja) * 1994-04-06 1997-04-02 都築 省吾 半導体レーザ素子を用いた照明用光源装置
US5771039A (en) * 1994-06-06 1998-06-23 Ditzik; Richard J. Direct view display device integration techniques
US5777350A (en) * 1994-12-02 1998-07-07 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor light-emitting device
US5660461A (en) * 1994-12-08 1997-08-26 Quantum Devices, Inc. Arrays of optoelectronic devices and method of making same
US5585640A (en) 1995-01-11 1996-12-17 Huston; Alan L. Glass matrix doped with activated luminescent nanocrystalline particles
JPH08250281A (ja) 1995-03-08 1996-09-27 Olympus Optical Co Ltd 発光素子及び表示装置
US5583349A (en) 1995-11-02 1996-12-10 Motorola Full color light emitting diode display
US6600175B1 (en) * 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
US20040239243A1 (en) * 1996-06-13 2004-12-02 Roberts John K. Light emitting assembly
US7014336B1 (en) * 1999-11-18 2006-03-21 Color Kinetics Incorporated Systems and methods for generating and modulating illumination conditions
US5962971A (en) * 1997-08-29 1999-10-05 Chen; Hsing LED structure with ultraviolet-light emission chip and multilayered resins to generate various colored lights
US6340824B1 (en) * 1997-09-01 2002-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a fluorescent material
JP2900928B2 (ja) 1997-10-20 1999-06-02 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
JP4010665B2 (ja) 1998-09-08 2007-11-21 三洋電機株式会社 太陽電池モジュールの取付方法
JP4010666B2 (ja) 1998-09-11 2007-11-21 三洋電機株式会社 太陽光発電装置
US6680569B2 (en) * 1999-02-18 2004-01-20 Lumileds Lighting U.S. Llc Red-deficiency compensating phosphor light emitting device
US6504301B1 (en) * 1999-09-03 2003-01-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Non-incandescent lightbulb package using light emitting diodes
EP1104799A1 (en) * 1999-11-30 2001-06-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Red emitting luminescent material
US6577073B2 (en) * 2000-05-31 2003-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lamp
JP4077170B2 (ja) * 2000-09-21 2008-04-16 シャープ株式会社 半導体発光装置
JP5110744B2 (ja) * 2000-12-21 2012-12-26 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光装置及びその製造方法
US6642652B2 (en) * 2001-06-11 2003-11-04 Lumileds Lighting U.S., Llc Phosphor-converted light emitting device
US6576488B2 (en) * 2001-06-11 2003-06-10 Lumileds Lighting U.S., Llc Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor
US7153015B2 (en) 2001-12-31 2006-12-26 Innovations In Optics, Inc. Led white light optical system
AU2003221442A1 (en) * 2002-03-22 2003-10-08 Nichia Corporation Nitride phosphor and method for preparation thereof, and light emitting device
CN100405620C (zh) * 2002-06-13 2008-07-23 美商克立股份有限公司 饱和型磷光体固态发射器
ATE448571T1 (de) * 2002-08-30 2009-11-15 Lumination Llc Geschichtete led mit verbessertem wirkungsgrad
WO2004053341A2 (en) 2002-12-11 2004-06-24 Cobra Fixations Cie Ltée - Cobra Anchors Co. Ltd Anchor for hollow walls
US7005679B2 (en) * 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US6869812B1 (en) * 2003-05-13 2005-03-22 Heng Liu High power AllnGaN based multi-chip light emitting diode
JP4321280B2 (ja) 2004-01-29 2009-08-26 トヨタ自動車株式会社 バイフューエルエンジンの始動制御方法並びに停止制御方法
KR100655894B1 (ko) * 2004-05-06 2006-12-08 서울옵토디바이스주식회사 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치
US7575697B2 (en) * 2004-08-04 2009-08-18 Intematix Corporation Silicate-based green phosphors
US7267787B2 (en) * 2004-08-04 2007-09-11 Intematix Corporation Phosphor systems for a white light emitting diode (LED)
US7311858B2 (en) 2004-08-04 2007-12-25 Intematix Corporation Silicate-based yellow-green phosphors
JP4524470B2 (ja) 2004-08-20 2010-08-18 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた光源
US7476338B2 (en) * 2004-08-27 2009-01-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method for the same, and light source
US20060067073A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Chu-Chi Ting White led device
JP4534717B2 (ja) 2004-10-29 2010-09-01 豊田合成株式会社 発光装置
US7564180B2 (en) * 2005-01-10 2009-07-21 Cree, Inc. Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors
US8125137B2 (en) * 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
US7541728B2 (en) * 2005-01-14 2009-06-02 Intematix Corporation Display device with aluminate-based green phosphors
JP2008541477A (ja) 2005-05-20 2008-11-20 クリー， インコーポレイティッド 高効率の白色発光ダイオード
JP4770319B2 (ja) * 2005-08-04 2011-09-14 日亜化学工業株式会社 蛍光体及び発光装置
TW200721526A (en) 2005-11-16 2007-06-01 Iled Photoelectronics Inc LED structure with three wavelength
US7937865B2 (en) * 2006-03-08 2011-05-10 Intematix Corporation Light emitting sign and display surface therefor
US8513875B2 (en) * 2006-04-18 2013-08-20 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US8035287B2 (en) 2006-04-25 2011-10-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Fluorescent lighting creating white light
KR100771772B1 (ko) 2006-08-25 2007-10-30 삼성전기주식회사 백색 ｌｅｄ 모듈
KR100835063B1 (ko) * 2006-10-02 2008-06-03 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ를 이용한 면광원 발광장치
KR101446366B1 (ko) * 2006-12-07 2014-10-02 크리, 인코포레이티드 조명 장치 및 조명 방법
US20080203900A1 (en) * 2007-02-27 2008-08-28 Farn Hin Chen LED White Source with Improved Color Rendering

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103388800A (zh) * 2012-05-11 2013-11-13 松下电器产业株式会社 照明装置
TWI494523B (zh) * 2012-08-21 2015-08-01 Advanced Optoelectronic Tech 照明裝置
CN105090873A (zh) * 2014-05-14 2015-11-25 皇家飞利浦有限公司 发光设备
CN106133567A (zh) * 2014-05-14 2016-11-16 飞利浦照明控股有限公司 发光设备
CN104646314A (zh) * 2015-02-02 2015-05-27 南昌大学 一种led芯粒的筛选方法
CN110402494A (zh) * 2017-01-13 2019-11-01 尤哈·兰塔拉 用于持续消毒的led结构和照明器

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