CN101456579A - 低温水热法合成氧化锌纳米管阵列的方法 - Google Patents
低温水热法合成氧化锌纳米管阵列的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101456579A CN101456579A CNA2008101538016A CN200810153801A CN101456579A CN 101456579 A CN101456579 A CN 101456579A CN A2008101538016 A CNA2008101538016 A CN A2008101538016A CN 200810153801 A CN200810153801 A CN 200810153801A CN 101456579 A CN101456579 A CN 101456579A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- zno
- substrate
- tube array
- zno nano
- zinc
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
本发明公开了一种低温水热法合成氧化锌纳米管阵列的方法,步骤为:(1)制备ZnO晶种层,(2)低温水热生长ZnO纳米线,(3)ZnO纳米线化学刻蚀成ZnO纳米管;本发明采用低温水热法,利用纯化学刻蚀工艺合成ZnO纳米管阵列,不需要电化学辅助及模板,通过控制反应物的浓度、水热生长时间和碱液的刻蚀时间,可以在不同类型的基体上制备出管径尺寸可控的ZnO纳米管;本发明成本低,反应温度低,直接在水溶液中进行,不产生有毒有害废物,生产周期短,投资回报率高。
Description
技术领域
本发明是关于氧化锌(ZnO)纳米材料制备的,尤其涉及低温水热法合成制备氧化锌(ZnO)纳米管阵列的方法。
背景技术
2006年第60期《材料快报》1918-1921页,段金霞等人撰写的‘氧化锌纳米管的聚乙二醇(PEG)辅助合成’一文中提到:相对于ZnO纳米线或纳米棒,中空的ZnO纳米管阵列表面积大,空间限域效应强,其在催化剂、气相传感器、太阳能电池、下一代紫外光源材料、电子光学显示和电磁波屏蔽中有诱人的应用前景。目前的资料表明ZnO纳米管的合成需要高温(超过900℃)或特殊的反应条件(如化学气相沉积装置、微波或超声处理、电化学辅助、模板、对衬底的选择性等)。2003年第82期《材料化学物理》997-1001页,Kong Xianghua等人撰写的‘催化生长ZnO纳米管’一文中提到以ZnO和石墨为原料,将镀金的硅片放在水平管式炉内套石英管的加工装置内,在900℃下沉积制成ZnO纳米管。2007年第111期《化学物理C辑》7288-7291页,Li Gang等人撰写的‘在阳极铝膜上直接电沉积ZnO纳米管’一文中采用氧化铝为模板,直接电化学沉积获得ZnO纳米管。2008年第92期《应用物理学报》053111-1到053111-3页,She Guangwei等人撰写的‘在透明导电基底上控制合成取向的单晶ZnO纳米管’一文中采用电化学刻蚀的方法在较低的温度下制备出了ZnO纳米管。然而高温反应装置需要大量的资金投入,耗能大,不利于环保;制造优质的模板本身需要很严格的条件,故采用模板方法合成ZnO纳米管不利于大规模生产;电化学刻蚀需要配置电化学装置,且试验重复性差。
发明内容
本发明的目的是为了克服传统的制备ZnO纳米管阵列工艺的资金投入大、耗能大,不利于环保的缺点,提供一种采用低温水热法,利用纯化学刻蚀工艺,在极低的成本下,可大规模生产出高质量的ZnO纳米管阵列的方法。
本发明低温水热法合成氧化锌纳米管阵列的方法,通过如下步骤予以实现:
(1)制备ZnO晶种层
采用可溶性的锌盐和无机碱或有机碱中的一种作为前驱体原料,将它们溶解到乙二醇甲醚中配成浓度为0.5M的溶液,在50℃下搅拌10分钟,通过拉膜的方法或旋转涂敷的方法在基底上形成一层非晶的ZnO薄膜,然后在300℃下退火0.5~1.0小时即制得晶种层,或采用磁控溅射的方法在基底上直接溅射制备晶种层。
(2)低温水热生长ZnO纳米线
将带有晶种层的基底转入密闭的水热反应器中,水热反应器中的反应原料为浓度0.5~0.01M的锌盐溶液和浓度0.5~0.01M的碱液,锌离子与OH-的摩尔浓度比不超过1;然后在50~80℃的条件下反应1~2个小时,即可获得直径和长度可调的ZnO纳米线;接下来,将生长有ZnO纳米线的基底取出,用去离子水清洗干净,在50℃的条件下干燥0.5小时。
(3)ZnO纳米线化学刻蚀成ZnO纳米管
将生长有ZnO纳米线的基底转入密闭水热反应器中,水热反应器中的反应原料为0.01~0.5M的碱液,在40~80℃的反应温度下刻蚀5~120分钟,调控刻蚀时间20~120分钟,调控碱液的浓度0.03~0.1M,调控温度40~80℃,可以获得不同内径的ZnO纳米管。
所述步骤(1)中的锌盐为醋酸锌、硝酸锌、硫酸锌或氯化锌,所述的无机碱为氢氧化钠、氢氧化钾或氨水,所述的有机碱为单乙醇胺、二乙醇胺、六次四甲基四胺或乙二胺;所述的基底为硅片、玻璃、导电玻璃、塑料基底(PET)或三氧化二铝基底。
所述步骤(1)中对于硅片、玻璃或导电玻璃的基底采用拉膜或旋转涂敷的方法制备晶种层,对于塑料基底(PET)或三氧化二铝基底采用磁控溅射方法制备晶种层。
所述步骤(2)中的锌盐溶液和碱液为在水溶液中能释放出锌离子的盐溶液和在水溶液中能释放出OH-的碱溶液。
所述步骤(3)中的碱液有机碱溶液。
本发明的有益效果是,克服了现有技术的不足,采用低温水热法,利用纯化学刻蚀工艺合成ZnO纳米管阵列,不需要电化学辅助及模板,通过控制反应物的浓度、水热生长时间和碱液的刻蚀时间,可以在不同类型的基体上制备出管径尺寸可控的ZnO纳米管;本发明成本低,反应温度低,直接在水溶液中进行,不产生有毒有害废物,生产周期短,投资回报率高。
附图说明
图1是低温水热法制备ZnO纳米管阵列的实验装置图;
图2是低温水热法制备ZnO纳米管阵列的过程示意图;
图3是采用拉膜的方法在300℃下退火1小时后导电玻璃上ZnO纳米晶种子的扫描电镜图(SEM);
图4是导电玻璃上ZnO纳米线阵列的截面图;
图5是导电玻璃上ZnO纳米管阵列的俯视图;
图6是剥离的ZnO纳米管在导电玻璃上的俯视图;
图7是PET基底上ZnO纳米管阵列的俯视图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步描述。
本发明所用原料均采用市售的化学纯原料,由于采用常规的化学试剂,不产生任何有毒有害的废物,符合环境保护的原则。
本发明低温水热法采用的试验装置如图1示,合成氧化锌纳米管阵列方法的具体步骤如图2所示。
合成工艺控制ZnO纳米管的内径,主要由刻蚀液的浓度、刻蚀温度和时间来决定。
实施例1
(1)制备ZnO晶种层
采用醋酸锌和单乙醇胺作为前驱体原料,将它们溶解到乙二醇甲醚中配成浓度为0.5M的溶液,在50℃下搅拌10分钟,然后通过拉膜的方法在导电玻璃上形成一层非晶膜。然后将样品转移到马弗炉中,在300温度下退火1小时,非晶膜在导电玻璃基底上转变成ZnO纳米晶种子层(如图3)。
(2)低温水热生长ZnO纳米线
利用0.01M的硝酸锌作为锌源,0.01M的六次四甲基四胺提供OH-源,在密闭、水浴温度为80℃的条件下生长2小时获得ZnO纳米线,图4是导电玻璃上ZnO纳米线阵列的截面图。在完成ZnO纳米线的生长后,用去离子水清洗生长有ZnO纳米线的导电玻璃。在50℃的条件下干燥0.5小时。
(3)ZnO纳米线化学刻蚀成ZnO纳米管
将生长有ZnO纳米线的基底转入密闭水热反应器中,水热反应器中的反应原料为0.01M的二乙醇胺水溶液,在60℃的反应温度下刻蚀60分钟,可得到规整的ZnO纳米管的阵列,图5是导电玻璃上ZnO纳米管阵列的俯视图。
实施例2
(1)制备ZnO晶种层
采用醋酸锌和单乙醇胺作为前驱体原料,将它们溶解到乙二醇甲醚中配成浓度为0.5M的溶液,在50℃下搅拌10分钟,然后通过拉膜的方法在导电玻璃上形成一层非晶膜。然后将样品转移到马弗炉中,在300℃温度下退火1小时,非晶膜在导电玻璃基底上转变成ZnO纳米晶种子层。
(2)低温水热生长ZnO纳米线
利用0.5M的硫酸锌作为锌源,0.5M的六次四甲基四胺提供OH-源,在密闭、水浴温度为80℃的条件下生长2小时获得ZnO纳米线。在完成ZnO纳米线的生长后,用去离子水清洗生长有ZnO纳米线的导电玻璃。在50℃的条件下干燥0.5小时。
(3)ZnO纳米线化学刻蚀成ZnO纳米管
将生长有ZnO纳米线的基底转入密闭水热反应器中,水热反应器中的反应原料为0.1M的乙二胺水溶液,在80℃的反应温度下刻蚀120分钟,ZnO纳米线的底部也遭受到刻蚀,结果ZnO纳米管从基底上剥离下来,图6是剥离的ZnO纳米管在导电玻璃上的俯视图。
实施例3
(1)制备ZnO晶种层
采用磁控溅射的方法在塑料基底(PET)上溅射一层ZnO种子层,溅射参数为:功率100W,气压0.6Pa;Ar气流120/sccm;时间为1分钟。
(2)低温水热生长ZnO纳米线
利用0.025M的硫酸锌作为锌源,0.025M的六次四甲基四胺提供OH-源,在密闭、水浴温度为80℃的条件下生长2小时获得ZnO纳米线。在完成ZnO纳米线的生长后,用去离子水清洗生长有ZnO纳米线的导电玻璃。在50℃的条件下干燥0.5小时。
(3)ZnO纳米线化学刻蚀成ZnO纳米管
将生长有ZnO纳米线的基底转入密闭水热反应器中,水热反应器中的反应原料为0.06M的NaOH水溶液,在40℃的反应温度下刻蚀20分钟,可在PET基底上得到ZnO纳米管。图7是PET基底上ZnO纳米管阵列的俯视图。
本发明的反应温度≤80℃,生产周期短,为6~7小时,种子层的制备时间为2小时,ZnO纳米线的生长时间为2小时,刻蚀时间为2小时。1个1CM×1CM的ZnO纳米管阵列的成本在5元人民币左右,而采用现有的热蒸发或模板法生产同样尺寸的ZnO纳米管阵列需要10倍以上的价格,所以投资回报率很高。
Claims (5)
1.一种低温水热法合成氧化锌纳米管阵列的方法,具有如下步骤:
(1)制备ZnO晶种层
采用可溶性的锌盐和无机碱或有机碱中的一种作为前驱体原料,将它们溶解到乙二醇甲醚中配成浓度为0.5M的溶液,在50℃下搅拌10分钟,通过拉膜的方法或旋转涂敷的方法在基底上形成一层非晶的ZnO薄膜,然后在300℃下退火0.5~1.0小时即制得晶种层,或者采用磁控溅射的方法在基底上直接溅射制备晶种层;
(2)低温水热生长ZnO纳米线
将带有晶种层的基底转入密闭的水热反应器中,水热反应器中的反应原料为浓度0.5~0.01M的锌盐溶液和浓度0.5~0.01M的碱液,锌离子与OH-的摩尔浓度比不超过1;然后在50~80℃的条件下反应1~2个小时,即可获得直径和长度可调的ZnO纳米线;接下来,将生长有ZnO纳米线的基底取出,用去离子水清洗干净,在50℃的条件下干燥0.5小时;
(3)ZnO纳米线化学刻蚀成ZnO纳米管
将生长有ZnO纳米线的基底转入密闭水热反应器中,水热反应器中的反应原料为0.01~0.5M的碱液,在40~80℃的反应温度下刻蚀5~120分钟,调控刻蚀时间20~120分钟,调控碱液的浓度0.03~0.1M,调控温度40~80℃,可以获得不同内径的ZnO纳米管。
2.根据权利要求1的低温水热法合成氧化锌纳米管阵列的方法,其特征在于,所述步骤(1)中的锌盐为醋酸锌、硝酸锌、硫酸锌或氯化锌,所述的无机碱为氢氧化钠、氢氧化钾或氨水,所述的有机碱为单乙醇胺、二乙醇胺、六次四甲基四胺或乙二胺;所述的基底为硅片、玻璃、导电玻璃、塑料基底(PET)或三氧化二铝基底。
3.根据权利要求1的低温水热法合成氧化锌纳米管阵列的方法,其特征在于,所述步骤(1)中对于硅片、玻璃或导电玻璃的基底采用拉膜或旋转涂敷的方法制备晶种层,对于塑料基底(PET)或三氧化二铝基底采用磁控溅射方法制备晶种层。
4.根据权利要求1的低温水热法合成氧化锌纳米管阵列的方法,其特征在于,所述步骤(2)中的锌盐溶液和碱液为在水溶液中能释放出锌离子的盐溶液和在水溶液中能释放出OH-的碱溶液。
5.根据权利要求1的低温水热法合成氧化锌纳米管阵列的方法,其特征在于,所述步骤(3)中的碱液为有机碱溶液。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2008101538016A CN101456579B (zh) | 2008-12-05 | 2008-12-05 | 低温水热法合成氧化锌纳米管阵列的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2008101538016A CN101456579B (zh) | 2008-12-05 | 2008-12-05 | 低温水热法合成氧化锌纳米管阵列的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101456579A true CN101456579A (zh) | 2009-06-17 |
CN101456579B CN101456579B (zh) | 2010-11-17 |
Family
ID=40767746
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2008101538016A Expired - Fee Related CN101456579B (zh) | 2008-12-05 | 2008-12-05 | 低温水热法合成氧化锌纳米管阵列的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101456579B (zh) |
Cited By (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102199770A (zh) * | 2010-03-26 | 2011-09-28 | 中国科学院金属研究所 | 一种大面积制备氧化锌纳米棒阵列的方法 |
CN102220596A (zh) * | 2011-05-19 | 2011-10-19 | 中国原子能科学研究院 | 纳米氧化锌线的制备方法 |
CN102368518A (zh) * | 2011-10-27 | 2012-03-07 | 华灿光电股份有限公司 | 一种简易纳米级pss衬底制备方法 |
CN102412301A (zh) * | 2011-10-13 | 2012-04-11 | 复旦大学 | 一种垂直结构纳米线隧穿场效应晶体管及其的制备方法 |
CN102531034A (zh) * | 2011-12-16 | 2012-07-04 | 天津大学 | 氧化锌纳米片状阵列的制备方法 |
CN102557110A (zh) * | 2011-12-06 | 2012-07-11 | 上海交通大学 | 低温蒸汽中ZnO纳米棒阵列的制备方法 |
CN102583504A (zh) * | 2012-01-18 | 2012-07-18 | 山东大学 | 制备及调控表面粗化的ZnO纳米锥或纳米棒阵列的方法 |
CN102644100A (zh) * | 2011-02-18 | 2012-08-22 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 棒-针状纳米氧化锌阵列及其制备方法 |
CN102747424A (zh) * | 2012-08-06 | 2012-10-24 | 苏州汶颢芯片科技有限公司 | 一种在ito玻璃上制备可调控直径和高度的氧化锌纳米线/管阵列的方法 |
CN102856196A (zh) * | 2012-08-23 | 2013-01-02 | 北京科技大学 | 基于ZnO纳米线阵列的压电场效应晶体管的构建方法 |
CN102949981A (zh) * | 2011-08-17 | 2013-03-06 | 香港城市大学 | 多孔基底与一维纳米材料的复合材料及其制备方法、其表面改性的复合材料及制备方法 |
CN102951851A (zh) * | 2012-09-19 | 2013-03-06 | 天津科创医药中间体技术生产力促进有限公司 | 一种稀土掺杂氧化锌纳米阵列/空心玻璃微珠复合结构及其制备方法 |
CN103060909A (zh) * | 2012-12-31 | 2013-04-24 | 苏州汶颢芯片科技有限公司 | 一种在有机柔性基片上制备可调控直径和高度的氧化锌纳米线/管阵列的方法 |
CN103983629A (zh) * | 2014-05-13 | 2014-08-13 | 中国工程物理研究院化工材料研究所 | 一种表面增强拉曼散射探测芯片及其制备方法 |
CN104030238A (zh) * | 2014-06-12 | 2014-09-10 | 西安交通大学 | 微接触压印实现图形化ZnO纳米线阵列的制备方法 |
CN104176766A (zh) * | 2014-09-02 | 2014-12-03 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种镨掺杂的氧化锌纳米线及其制备方法 |
CN104891553A (zh) * | 2015-06-08 | 2015-09-09 | 济南大学 | 一种ZnO半球状微纳米结构的制备方法及所得产品 |
CN104891554A (zh) * | 2015-06-08 | 2015-09-09 | 济南大学 | 一种ZnO双花头状结构的制备方法及所得产品 |
CN105018918A (zh) * | 2015-06-30 | 2015-11-04 | 长安大学 | 一种ZnO纳米管阵列的生长方法 |
CN105098064A (zh) * | 2014-04-30 | 2015-11-25 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种负载氧化锌纳米管阵列薄膜型相变材料及其制备方法和应用 |
CN105543960A (zh) * | 2015-12-16 | 2016-05-04 | 天津大学 | 一种单晶多孔氧化亚钴纳米棒阵列的制备方法 |
CN105948101A (zh) * | 2016-04-22 | 2016-09-21 | 西安交通大学 | 一种波纹状ZnO纳米棒及其制备方法 |
CN106006707A (zh) * | 2016-05-21 | 2016-10-12 | 哈尔滨工业大学 | 一种双面氧化锌纳米梳的制备方法 |
CN106044844A (zh) * | 2016-05-27 | 2016-10-26 | 清华大学 | 一种多孔氧化锌纳米线阵列的制备方法 |
TWI556947B (zh) * | 2015-01-05 | 2016-11-11 | Preparation method of thorny zinc oxide / carbon nanotubes composite with light capture and sensing | |
CN106186040A (zh) * | 2016-06-25 | 2016-12-07 | 延安大学 | 一种水热法制备过渡金属掺杂ZnO纳米线的方法 |
CN102368518B (zh) * | 2011-10-27 | 2016-12-14 | 华灿光电股份有限公司 | 一种简易纳米级pss衬底制备方法 |
CN106350786A (zh) * | 2016-08-23 | 2017-01-25 | 西北大学 | 在ZnO纳米柱阵列表面沉积生长ZnO纳米颗粒的方法 |
CN106348335A (zh) * | 2016-10-11 | 2017-01-25 | 中国科学院青海盐湖研究所 | 一种ZnO的制备方法 |
CN106390979A (zh) * | 2016-09-28 | 2017-02-15 | 陕西科技大学 | 一种负载型ZnO纳米阵列光催化剂的制备方法 |
CN106521678A (zh) * | 2016-11-01 | 2017-03-22 | 华南协同创新研究院 | 一种聚合物纤维基ZnO纳米线纤维的制备方法 |
CN108130512A (zh) * | 2017-11-21 | 2018-06-08 | 同济大学 | ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏及其制备方法和应用 |
CN108138367A (zh) * | 2016-08-30 | 2018-06-08 | 高丽大学校产学协力团 | 纳米纤维-纳米线复合物及其生产方法 |
CN108640147A (zh) * | 2018-03-22 | 2018-10-12 | 佛山市顺德区中山大学研究院 | 一种氧化锌纳米管阵列及其制备方法和应用 |
CN109988551A (zh) * | 2018-01-03 | 2019-07-09 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种电致变色材料及其制备方法和应用 |
TWI717968B (zh) * | 2020-01-09 | 2021-02-01 | 國立交通大學 | 可撓式氧化物單晶及其製造方法 |
CN116496658A (zh) * | 2022-01-20 | 2023-07-28 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 晶态非晶态杂化的氧化锌纳米粒子墨水、制备方法及应用 |
-
2008
- 2008-12-05 CN CN2008101538016A patent/CN101456579B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102199770A (zh) * | 2010-03-26 | 2011-09-28 | 中国科学院金属研究所 | 一种大面积制备氧化锌纳米棒阵列的方法 |
CN102199770B (zh) * | 2010-03-26 | 2013-03-13 | 中国科学院金属研究所 | 一种大面积制备氧化锌纳米棒阵列的方法 |
CN102644100A (zh) * | 2011-02-18 | 2012-08-22 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 棒-针状纳米氧化锌阵列及其制备方法 |
CN102644100B (zh) * | 2011-02-18 | 2014-07-16 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 棒-针状纳米氧化锌阵列及其制备方法 |
CN102220596A (zh) * | 2011-05-19 | 2011-10-19 | 中国原子能科学研究院 | 纳米氧化锌线的制备方法 |
CN102949981A (zh) * | 2011-08-17 | 2013-03-06 | 香港城市大学 | 多孔基底与一维纳米材料的复合材料及其制备方法、其表面改性的复合材料及制备方法 |
CN102949981B (zh) * | 2011-08-17 | 2015-09-30 | 香港城市大学 | 多孔基底与一维纳米材料的复合材料及其制备方法、其表面改性的复合材料及制备方法 |
CN102412301A (zh) * | 2011-10-13 | 2012-04-11 | 复旦大学 | 一种垂直结构纳米线隧穿场效应晶体管及其的制备方法 |
CN102368518A (zh) * | 2011-10-27 | 2012-03-07 | 华灿光电股份有限公司 | 一种简易纳米级pss衬底制备方法 |
CN102368518B (zh) * | 2011-10-27 | 2016-12-14 | 华灿光电股份有限公司 | 一种简易纳米级pss衬底制备方法 |
CN102557110A (zh) * | 2011-12-06 | 2012-07-11 | 上海交通大学 | 低温蒸汽中ZnO纳米棒阵列的制备方法 |
CN102531034A (zh) * | 2011-12-16 | 2012-07-04 | 天津大学 | 氧化锌纳米片状阵列的制备方法 |
CN102583504A (zh) * | 2012-01-18 | 2012-07-18 | 山东大学 | 制备及调控表面粗化的ZnO纳米锥或纳米棒阵列的方法 |
CN102583504B (zh) * | 2012-01-18 | 2014-01-01 | 山东大学 | 制备及调控表面粗化的ZnO纳米锥或纳米棒阵列的方法 |
CN102747424A (zh) * | 2012-08-06 | 2012-10-24 | 苏州汶颢芯片科技有限公司 | 一种在ito玻璃上制备可调控直径和高度的氧化锌纳米线/管阵列的方法 |
CN102856196B (zh) * | 2012-08-23 | 2017-02-08 | 北京科技大学 | 基于ZnO纳米线阵列的压电场效应晶体管的构建方法 |
CN102856196A (zh) * | 2012-08-23 | 2013-01-02 | 北京科技大学 | 基于ZnO纳米线阵列的压电场效应晶体管的构建方法 |
CN102951851A (zh) * | 2012-09-19 | 2013-03-06 | 天津科创医药中间体技术生产力促进有限公司 | 一种稀土掺杂氧化锌纳米阵列/空心玻璃微珠复合结构及其制备方法 |
CN102951851B (zh) * | 2012-09-19 | 2015-04-01 | 天津科创医药中间体技术生产力促进有限公司 | 一种稀土掺杂氧化锌纳米阵列/空心玻璃微珠复合结构及其制备方法 |
CN103060909A (zh) * | 2012-12-31 | 2013-04-24 | 苏州汶颢芯片科技有限公司 | 一种在有机柔性基片上制备可调控直径和高度的氧化锌纳米线/管阵列的方法 |
CN105098064A (zh) * | 2014-04-30 | 2015-11-25 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种负载氧化锌纳米管阵列薄膜型相变材料及其制备方法和应用 |
CN105098064B (zh) * | 2014-04-30 | 2018-03-02 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种负载氧化锌纳米管阵列薄膜型相变材料及其制备方法和应用 |
CN103983629A (zh) * | 2014-05-13 | 2014-08-13 | 中国工程物理研究院化工材料研究所 | 一种表面增强拉曼散射探测芯片及其制备方法 |
CN104030238A (zh) * | 2014-06-12 | 2014-09-10 | 西安交通大学 | 微接触压印实现图形化ZnO纳米线阵列的制备方法 |
CN104030238B (zh) * | 2014-06-12 | 2015-12-09 | 西安交通大学 | 微接触压印实现图形化ZnO纳米线阵列的制备方法 |
CN104176766A (zh) * | 2014-09-02 | 2014-12-03 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种镨掺杂的氧化锌纳米线及其制备方法 |
TWI556947B (zh) * | 2015-01-05 | 2016-11-11 | Preparation method of thorny zinc oxide / carbon nanotubes composite with light capture and sensing | |
CN104891553A (zh) * | 2015-06-08 | 2015-09-09 | 济南大学 | 一种ZnO半球状微纳米结构的制备方法及所得产品 |
CN104891554A (zh) * | 2015-06-08 | 2015-09-09 | 济南大学 | 一种ZnO双花头状结构的制备方法及所得产品 |
CN105018918A (zh) * | 2015-06-30 | 2015-11-04 | 长安大学 | 一种ZnO纳米管阵列的生长方法 |
CN105543960A (zh) * | 2015-12-16 | 2016-05-04 | 天津大学 | 一种单晶多孔氧化亚钴纳米棒阵列的制备方法 |
CN105948101A (zh) * | 2016-04-22 | 2016-09-21 | 西安交通大学 | 一种波纹状ZnO纳米棒及其制备方法 |
CN106006707B (zh) * | 2016-05-21 | 2017-06-30 | 哈尔滨工业大学 | 一种双面氧化锌纳米梳的制备方法 |
CN106006707A (zh) * | 2016-05-21 | 2016-10-12 | 哈尔滨工业大学 | 一种双面氧化锌纳米梳的制备方法 |
CN106044844A (zh) * | 2016-05-27 | 2016-10-26 | 清华大学 | 一种多孔氧化锌纳米线阵列的制备方法 |
CN106186040A (zh) * | 2016-06-25 | 2016-12-07 | 延安大学 | 一种水热法制备过渡金属掺杂ZnO纳米线的方法 |
CN106350786B (zh) * | 2016-08-23 | 2019-01-22 | 西北大学 | 在ZnO纳米柱阵列表面沉积生长ZnO纳米颗粒的方法 |
CN106350786A (zh) * | 2016-08-23 | 2017-01-25 | 西北大学 | 在ZnO纳米柱阵列表面沉积生长ZnO纳米颗粒的方法 |
CN108138367A (zh) * | 2016-08-30 | 2018-06-08 | 高丽大学校产学协力团 | 纳米纤维-纳米线复合物及其生产方法 |
CN106390979A (zh) * | 2016-09-28 | 2017-02-15 | 陕西科技大学 | 一种负载型ZnO纳米阵列光催化剂的制备方法 |
CN106348335A (zh) * | 2016-10-11 | 2017-01-25 | 中国科学院青海盐湖研究所 | 一种ZnO的制备方法 |
CN106521678A (zh) * | 2016-11-01 | 2017-03-22 | 华南协同创新研究院 | 一种聚合物纤维基ZnO纳米线纤维的制备方法 |
CN108130512A (zh) * | 2017-11-21 | 2018-06-08 | 同济大学 | ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏及其制备方法和应用 |
CN109988551A (zh) * | 2018-01-03 | 2019-07-09 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种电致变色材料及其制备方法和应用 |
CN109988551B (zh) * | 2018-01-03 | 2022-07-01 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种电致变色材料及其制备方法和应用 |
CN108640147A (zh) * | 2018-03-22 | 2018-10-12 | 佛山市顺德区中山大学研究院 | 一种氧化锌纳米管阵列及其制备方法和应用 |
TWI717968B (zh) * | 2020-01-09 | 2021-02-01 | 國立交通大學 | 可撓式氧化物單晶及其製造方法 |
CN116496658A (zh) * | 2022-01-20 | 2023-07-28 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 晶态非晶态杂化的氧化锌纳米粒子墨水、制备方法及应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101456579B (zh) | 2010-11-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101456579B (zh) | 低温水热法合成氧化锌纳米管阵列的方法 | |
CN1312034C (zh) | 单一轴向排布的单晶硅纳米线阵列制备方法 | |
CN104058461B (zh) | 一种铜铁矿结构CuFeO2晶体材料的低温制备方法 | |
CN108264087B (zh) | 一种单一试剂自反应制备具有定向排列Nb2O5纳米棒的方法 | |
CN106381481A (zh) | 一种金属掺杂二硫化钼薄膜的制备方法 | |
CN101497427A (zh) | 低温水热法制备二氧化钛纳米棒阵列复合电极的方法 | |
CN104556230A (zh) | 二硫化钼纳米绣球花结构半导体材料及其制备方法 | |
CN106449367B (zh) | 一种合成碘化铜锌三元宽带隙化合物半导体薄膜材料的化学方法 | |
CN103145345B (zh) | 一种室温下原位合成硒化银半导体光电薄膜材料的化学方法 | |
CN102747424A (zh) | 一种在ito玻璃上制备可调控直径和高度的氧化锌纳米线/管阵列的方法 | |
CN107032331B (zh) | 一种基于绝缘基底的石墨烯制备方法 | |
CN102709351A (zh) | 一种择优取向生长的硫化二铜薄膜 | |
CN102206850A (zh) | 一种可控合成氧化锌纳米管和/或纳米线的方法 | |
EP2889918B1 (en) | Preparation method of solar cell with stainless steel substrate of adjustable bandgap quantum well structure | |
CN104934490A (zh) | 一种大面积合成氧化亚锡半导体光电薄膜材料的方法 | |
CN101863451B (zh) | 低温溶液法制备三维纳米结构氧化锌的方法 | |
CN103864460A (zh) | 一种有序氧化钨纳米线阵列结构的制备方法 | |
CN102145916A (zh) | 一种Sn3O4纳米粉体的制备方法 | |
CN101608305A (zh) | 一种制备ZnO纳米线阵列的方法 | |
Hu et al. | Novel synthesis of CuO nanofiber balls and films and their UV–visible light filteration property | |
CN104843804B (zh) | 一种碳包覆氧化钴及其简单可控制备方法 | |
CN109999850A (zh) | 一种正交相第ⅲ主族硫属化物光催化材料及制备方法 | |
CN103247718A (zh) | 常温下原位控制合成硫铜银三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法 | |
CN102398918A (zh) | 在电极基材料表面原位生长纳米氧化锌的方法 | |
CN1522953B (zh) | 一种金属硫化物半导体纳米晶的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20101117 Termination date: 20111205 |