CN101390072B - 具有自动时间加戳的通信控制器 - Google Patents

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Abstract

过程控制系统中的设备通过通信介质网段上的数据消息进行通信。每个设备包括通信控制器,通信控制器对与接收和发送消息相关的事件进行自动时间加戳。

Description

具有自动时间加戳的通信控制器
技术领域
本发明涉及一种通信控制器,其用于现场仪表和其他过程控制系统设备。具体地,本发明是用于通信控制器中低等待时间数据包接收和处理的系统与方法。
背景技术
在典型的工业车间中,使用分布式控制系统(DCS)控制完成车间内的众多工业过程。典型的是,车间内有集中控制室,控制室内有计算机系统,其中包含用户输入输出(I/O)、磁盘I/O和其他众所周知的计算机外围设备。连接计算机系统的是控制器和过程I/O子系统。
过程I/O子系统包括与遍布在车间内的各种现场设备连接的I/O端口。现场设备包括各种类型的分析装置、硅压力传感器、电容压力传感器、电阻式温度检测器、热电耦、应变计、限位开关、通断开关、流量变送器、压力变送器、电容式物位开关、计重器、变换器、阀门定位器、阀门控制器、执行机构、螺线管和指示灯。术语“现场设备”包括这些设备,也包括分布式控制系统中履行功能的其他设备。
传统上,模拟现场设备是通过两芯双绞线电流环路连接到控制室,每个设备通过单独的两芯双绞线与控制室相连。模拟现场设备能在指定的范围内响应或发送电信号。在典型的配置中,通常是在双绞线两芯之间有接近20~25伏的电压差,通过环路的电流为4-20毫安。传送信号到控制室的模拟现场设备,按检测到的工艺参数成比例的调制通过电流环路的电流。另一方面,在控制室的控制下执行动作的模拟现场设备,受环路中电流的大小控制,该电流由控制器控制的过程I/O系统的I/O端口调制。传统的具有有源电子器件的两芯模拟设备,可以从环路中获得多达40毫瓦的功率。需要更大功率的模拟现场设备,典型的是用四芯线连接到控制室,其中两条用于给设备传送功率。如同两芯设备一样,本领域众所周知的这种设备是四芯设备,并且不受功率限制。
相反,传统的离散现场设备发送或响应二进制信号。典型的是,离散现场设备在24伏信号(或者AC或者DC)、110或240伏AC信号或5伏DC信号下工作。当然,离散现场设备也可被设计成在特殊控制环境要求的电气规格下工作。离散输入现场设备是简单的开关,其或是闭合或是断开与控制室的连接,而离散输出现场设备根据控制室信号的存在或不存在执行动作。
历史上,大多数传统的现场设备或是有单一的输入或是有单一的输出,其直接与现场设备实现的主要功能有关。例如,传统的模拟电阻式温度传感器实现的单一功能是,通过调制流过两芯双绞线的电流传送温度,而传统的模拟阀门定位器实现的单一功能是,根据通过两芯双绞线电流的大小,在开、关位置之间定位阀门。
近来,在电流环路中增加了数字数据的混合系统已经在分布式控制系统中应用。一种在控制领域公知的混合系统是可寻址远程变换器高速链路(HART),其与贝尔202调制解调器的规范相似。HART系统通过电流环路中电流大小检测工艺参数(如同在传统的系统中一样),但是也在电流环路信号上增加数字载波信号。该载波信号相对缓慢,可以在每秒约2-3次更新的速率下,提供次要工艺参数的更新。通常,数字载波信号用于发送次要的诊断信息,不用于实现现场设备的主要控制功能。载波信号所能提供的信息包括次要工艺参数、诊断信息(包括传感器诊断信息、设备诊断信息、线路诊断信息和过程诊断信息)、工作温度、传感器温度、校准信息、设备ID号、结构材料、配置或编程信息等。因此,单一的混合现场设备可以有多种输入输出变量,实现多种功能。
HART是工业标准的公开系统。然而,它相对缓慢。行业中的其他公司已经开发出更快的专有数字传输方案,但是,这些方案一般不会被竞争对手使用,或者说竞争者不能获得。
近来,美国设备协会(ISA)定义了更新的控制协议。新的控制协议通常被称之为现场总线。现场总线是多路串行数字双向通信协议,其意图用于连接现场仪表和其他过程设备,例如分布式控制系统中的监视和仿真单元。现场总线允许通过在先的过程控制环路方法进行增强的数字通信,同时保持向与现场总线环路连接的过程设备供电的能力,并满足固有的安全性要求。
基金会现场总线(Foundation Fieldbus)和过程现场总线(Profibus)是两种相当标准化的工业现场总线协议。美国设备协会标准ISA-S50.02-1992及其1995年发表的草案2扩展定义了现场总线协议的物理层。现场总线协议定义了2个子协议。H1现场总线网络以高达31.25千比特每秒(Kbps)的速率传输数据,并给与网络连接的现场设备供电。1992年9月核准的ISA标准部分2中的条款11定义了H1物理层子协议。H2现场总线网络以高达2.5兆比特每秒(Mbps)的速率传输数据,不向与网络连接的现场设备供电,其配备有冗余传输介质。
现场总线提供了数字地传输大量过程数据的重要能力。因而,开发能够使得现场总线的通信效率最大化的过程控制设备,是持续不断的需求。
发明内容
本发明提供了对网络(例如,过程控制系统)中的设备发送和接收的消息进行自动时间加戳的方法。设备生成与发送和接收消息相关的选定事件相对应的事件脉冲。响应于这些事件脉冲,将设备中的当前计时器值存储作为事件戳值。
附图说明
图1是在通过通信介质网段在设备间进行数字通信的过程控制系统。
图2表示了用于在图1中过程控制系统的设备间进行通信的消息格式。
图3是过程控制系统中设备的方框图。
图4是图3中设备的通信控制器的功能方框图。
图5是用于在图4的通信控制器中实现自动时间加戳的时钟发生、网段计时器和寄存器的功能方框图。
图6是表示包含自动时间戳的时间分配(TD)数据链路协议数据单元(DLPDU)的消息格式的图。
图7是表示带有自动时间戳的往返延迟查询(RQ)DLPDU的消息格式的图。
图8是表示带有自动时间戳的往返延迟应答(RR)DLPDU的消息格式的图。
具体实施方式
过程控制系统概述
本发明涉及一种通信控制器,其用于过程控制系统中的现场仪表和其他设备。通信控制器的用途在于实现消息的链路层处理和计时器管理中的大部分,从而释放应用处理器或CPU以完成其他功能。为了详尽描述的目的,将会描述使用基金会现场总线通信协议的系统环境中的通信控制器,尽管,其通常也可应用于基于包的通信协议。
现场总线物理层定义了物理层协议数据单元(PhPDU)形式的通信协议数据的发送和接收物理装置的电气特性。此外,现场总线物理层指定了符号编码、消息组帧和错误检测的方法。ISA现场总线标准定义了三种信号传输速率和两种连接模式。为了描述的目的,本发明将在ISA S50.02标准部分2中的条款11定义的H1物理层环境中进行描述。该条款包括了低功率选项下的31.25Kbps速率、电压模式和导线介质。该选项允许与传输介质连接的设备从传输介质中获得其工作功率。物理层能够满足针对危险环境的固有安全性要求。依照标准中定义的电压和电流限制,协议可以在低等的双绞线电缆下工作,并支持多路设备。
图1图示了典型的过程控制系统10,其中包括网段12、电源14和5个设备:链路活动调度器(LAS)设备20、链路主站(LM)设备22以及基本设备24、26和28。在单一的导线对上,网段12最多可以支持32个设备。通常,基于环路运行速率、功率和固有的安全性要求,网段12有4到16个设备。
LAS设备20保持对网段12上所有设备间通信的中央调度。LAS设备20通过向每个设备发送强制数据(CD)数据链路协议数据单元(DLPDU),然后调度设备回传循环数据,改善整体通信可靠性。LAS设备20用作网段12上的数据链路时间(DL-time)的本地源。DLPDU是通过网段12传送的PhPDU消息的数据内容。
LM设备22被配置用于当LAS设备20发生故障或不工作时,接管LAS设备20的职责。尽管图1中只图示了一个LM设备22,但是在网段中可以存在多于一个的链路主站设备。这就允许了这样的情况:如果链路活动调度器和第一链路主站都发生故障,则第二主站链路可以接管链路活动调度器。一旦链路活动调度器被禁用,链路主站接管链路活动调度器的功能。
每个设备都有被称之为V(TN)的唯一地址,其表示了本地节点ID(该节点)。在图1的实例中,LAS设备20的地址是V(TN)=20,LM设备22的地址是V(TN)=22,基本设备24的地址是V(TN)=A5,基本设备26的地址是V(TN)=F3,基本设备28的地址是V(TN)=F5。
LAS设备20发送传输令牌(PT)和探测节点(PN)消息到网段12上的所有设备。其他每个设备(LAS设备22和基本设备24、26、28)视情况向回发送应答令牌(RT)和探测响应(PR)消息到LAS设备20。
每个基本设备24、26和28只需注意由LAS设备20发送的属于自己的PT和PN消息。PT和PN消息有编码在DLPDU的第二字节中的指定地址(DA)。LAS设备20向网段12上的所有设备一次一个地传输令牌(PT)或探测节点(PN)。
一旦基本设备24、26或28接收到指定地址等于该设备唯一地址(DA=V(TN))的PT消息,其将以RT消息响应返回到LAS设备20。如果基本设备24、26或28接收DA=V(TN)的PN DLPDU,其将被要求以PR消息响应返回。
从LAS 20发送的PT和PN消息,以及传送到LAS 20的RT和PR消息,在网段12上造成了特定基本设备24、26和28不需要接收和执行动作的若干消息。每个基本设备24、26和28只需响应定址于该特定设备的PT和PN消息。LAS 20发送的定址于其他设备的PT和PN消息以及其他设备发送的定址于LAS设备20的RT和PR消息经常导致的中断,占用了过多的处理时间去处理这些“麻烦的中断”。在基本设备24、26和28中,使用DLPDU过滤可以减少基本设备处理的中断的次数,另一方面,LAS设备20必须处理网段12上的每个消息。
网段12上的所有设备以曼彻斯特编码基带信号的形式发送数据到网段12上。在曼彻斯特编码中,在位周期中间,从低电平到高电平(low to high)和从高电平到低电平(high to low)产生的转变分别表示“0”和“1”。对于现场总线,规定的位时间是32微秒(μsec),转变发生在16微秒处。曼彻斯特编码规则扩展到包括两个额外的符号,非数据加(N+)和非数据减(N-),其中在位周期期间不出现转变,并且曼彻斯特编码基带信号保持高电平(N+)或低电平(N-)。
消息格式
图2图示了用于在网段12上发送消息的物理层协议数据单元(PhPDU)的格式。PhPDU包括前同步信号、起始定界符(SD)、数据链路协议数据单元(DLPDU)和结束定界符(ED)。前同步信号是PhPDU消息的最初几位。现场总线规范允许1到8字节的前同步信号。接收消息的设备通过前同步信号与输入的消息同步。正如在图2中所示的,前同步信号第一字节的序列是1 0 1 0 1 0 1 0。
起始定界符(SD)紧跟前同步信号之后。每个消息有一个SD。现场总线规范要求SD具有非字符数据(N+和N-),其总是以互补对的形式出现在SD消息中。这种编码方案使得SD是唯一的,不可能与消息的数据部分(DLPDU)混淆。图2中所示的SD序列是1N+N-10N-N+0。
DLPDU是长度可变的消息,它包括作为第一字节的帧控制(FC)字节和作为最后两字节的帧校验序列(FCS)校验和。DLPDU的长度是可变的,从最小三字节(在RT消息的情况下)直到逾限限制(jabberlimit),例如,大约300字节。
结束定界符(ED)在DLPDU之后。它表示在网段12上发送的任意PhPDU消息的最后字节。与SD相似,ED包括互补对形式的非字符数据。这种编码方案使得ED是唯一的,不可能与DLPDU混淆。图2所示的结束定界符的序列是1N+N-N+N-101。
图2还图示了载波检测信号。载波检测信号的用途是指示:(a)网段12上何时出现输入的PhPDU消息,或(b)何时设备正在网段12上发送数据。
发送开始(SOT)发生在发送使能(TxE)激活时,即,当PhPDU消息的前同步信号开始出现在网段12上。
激活开始(SOA)发生在载波检测信号激活并稳定至少一个位时间或两个位时间(大致16到32μsec)之后。该时间取决于载波检测激活相对于接收消息的设备的内部时钟的时间。这就使得设备的通信控制器可以忽略在前同步信号前端容易出现的干扰噪声。额外的时间用于与位边沿同步,从而消除网段12上由于误认为激活而突发短噪声脉冲的可能。对于发送的消息,一旦发送使能激活(即,PhPDU的前同步信号出现在网段12上),SOA就发生了。
消息开始(SOM)发生在对接收消息检测到的FC字节第一位的开始处。
SOM-xmt是消息发送开始,其发生在对发送消息检测到的FC字节第一位的开始处。
SOMf是所接收的过滤后DLPDU的SOM,其发生在设备中的通信控制器检测到足够的信息,以致可以确定输入的消息将被过滤的时候。
在接收消息时,消息结束(EOM)发生在ED最后位的结尾。发送消息时,发送结束(EOT)发生在ED最后位的结尾。
激活结束(EOA)发生在载波检测无效时。对于发送和接收DLPDU,EOA都发生。
设备体系结构
图3图示了基本设备24通信部分的框图,其是设备20-28中每一个体系结构的代表。基本设备24包括中央处理单元(CPU)30、随机存取存储器(RAM)32、闪速存储器34、通信控制器36和介质连接单元(MAU)38。
图3中所示的实施例中,CPU 30是诸如Motorola 68LC302、Motorola Mcore 2075、Motorola PowerPC 850、Atmel Thumb processorAT91M40800和其他型号的微处理器。CPU 30是8位或更高的处理器。
图3所示的实施例中,通信控制器36是专用集成电路(ASIC)芯片,用作MAU 38和CPU 30之间的接口。其从/向与网段12连接的外部模拟线路接收/发送曼彻斯特编码的数据。在从MAU 38接收串行数据之后,通信控制器36解码数据,把数据组成字节,去除前同步信号、SD、ED(以及视情况,去除FCS字节),并为链路层提供消息数据以供读取。为了数据发送,通信控制器36从链路层接收DLPDU数据的字节,并加入前同步信号、SD、可选地生成FCS并加入ED。然后,通信控制器36组成串行的曼彻斯特编码数据,并将其传送到MAU 38用于在网段12上发送。
通信控制器36和MAU 38之间的通信是通过4个信号实现的:RxS、RxA、TxS和TxE。RxS是接收到的曼彻斯特编码串行数据,RxA是用于接收数据的载波检测信号,TxS是发送的编码串行数据,TxE是发送使能信号。
在本发明的另一实施例中,通信控制器36可以与CPU 30一起形成在普通的集成电路上。此外,在一些实施例中,RAM 32和闪速存储器34可以与CPU 30组合在一起。在LAS设备20的情况下,CPU30、RAM 32和闪速存储器34就可以是过程控制系统10中主计算机系统的一部分。
MAU 38提供了与网段12的网络连接。MAU 38可以是集成电路,或是分立组件也可用于构成MAU 38。
通信控制器36
图4是通信控制器36的功能框图。在该实施例中,通信控制器36包括反跳电路42、数字锁相环(PLL)44、前端状态机46、接收消息过滤器48、接收先进先出(FIFO)存储器50、发送状态机52、发送先进先出存储器54、接收/发送事件管理器58、寄存器60、时钟生成电路62、振荡器64、计时器68和CPU接口电路70。
当MAU 38检测到输入的消息,载波检测信号就提供给通信控制器36的RxA输入端,输入的异步曼彻斯特数据提供到RxS输入端。RxA和RxS的输入提供给前端状态机46。数字PLL 44从输入串行曼彻斯特编码数据中恢复并再生时钟。再生的时钟用于向前端状态机46提供时钟。
前端状态机46检测输入的串行位流RxS,去除前同步信号、SD和ED,将DLPDU存储到FIFO存储器50。前端状态机46和接收消息过滤器48一同被配置用于滤除定址于其他设备的特定帧控制以及探测节点(PN)和传输令牌(PT)消息。前端状态机46明了写入接收FIFO存储器50的字节数。在每个消息的结尾自动验证FCS,并可选地存入接收FIFO存储器50。
前端状态机46也提供表示其检测的特定事件的信号,其中包括SOM、SOMf、EOM、SOA和EOA事件脉冲。
当RxA线路激活时,前端状态机46被激活。然后,前端状态机46与前同步信号字段的边沿同步,解码RxS信号中的曼彻斯特编码数据。SOA事件表示前端状态机46已经启动。
一旦检测到前同步信号,前端状态机46就等待起始定界符(SD)序列。当检测到SD之后,前端状态机46将串行数据流转换成8位位组,并以8位字节的形式写入到接收FIFO存储器50中。前端状态机46继续向接收FIFO存储器50中写入新的8位位组数据,直至检测到结束定界符(ED),或是直至写满接收FIFO存储器50为止。
当检测到ED,前端状态机46就等待由EOA事件表示的RxA线路无效。
随着RxA线路无效,前端状态机46返回到初始状态,其保持初始状态直到现场总线网段12上下一个激活到来为止(即,直至再次在RxA提供载波检测信号)。
通过使用过滤电路,基本设备减少在对该设备不重要的消息上载入的IRQ。相反,配置作为LAS的设备必须接收网段上的所有消息,因而必须禁用过滤。当禁用过滤时,所有接收消息将被存储在接收FIFO存储器50中,并将传递到达寄存器60,然后到CPU 30。SOMf是用于接收过滤DLPDU的消息开始信号,其发生在当前端状态机46确定接收的消息已经检测到足够的信息,以致可以确定输入的消息将被过滤的时候。
随着过滤的使能,被过滤的消息没有存储在接收FIFO存储器50中。对于被过滤的消息,SOMf将不会生成,因而没有事件或IRQ发生。
被过滤消息的示例是应答令牌(RT)、空闲状态、请求间隔(RI)和探测响应(PR)DLPDU消息,这些是依据帧控制(FC)字节而识别的,并在使能过滤时总是被拒绝。如果消息中的目的地址与设备的地址相匹配,传输令牌(PT)和探测节点(PN)消息将被接受。如果目的地址不匹配,那么PT和PN消息被拒绝。
基于FC字节并根据目的地址来对消息类型进行过滤的能力,通过限制CPU 30必须处理的中断请求(IRQs)数量的方式,减少载入的软件中断。
前端状态机46和接收FIFO存储器50用于解析来自MAU 38的串行数据帧。CPU 30从接收FIFO存储器50中读取数据,并将数据放置在其本地存储空间中,以解码接收到的DLPDU。
接收FIFO存储器50是8位宽的63字节。接收FIFO存储器50存储DLPDU的所有字节,直至三条完整的接收消息(直到达到总共63字节)为止。前端状态机46解码过滤后RxS信号中的串行数据流,并将其转换成8位并行格式化的字节。在字节格式化之后,前端状态机46生成写脉冲,将编码的数据存入由写指针所指定的位置。写操作完成之后,写指针递增,以存入下一DLPDU字节。
CPU 30利用读指针与接收FIFO存储器50相接口连接。所有从寄存器60(其中包括实际的DLPDU数据)的接收FIFO寄存器中的读取,将接收FIFO存储器50中的8位数据立即放置到数据总线上,以供CPU 30读取。在读操作完成之后,读指针递增。继续进行上述操作,直至接收FIFO存储器50为空。
为了避免在接收FIFO存储器50中发生溢出的情况,在寄存器60中有一寄存器,其可以在接收FIFO存储器50接近满的情况时,允许生成IRQ。生成IRQ的阀值是可以配置的。
发送状态机52从发送FIFO存储器54读取要发送的DLPDU数据。前同步信号、SD和ED是自动插入的。为了启动发送状态机52,interPDU触发,或可选地下一调度事件触发需要被激活,以开始发送操作。发送状态机52明了所发送字节数。如果出现下溢或是发送计数无效,将显示错误状态。可选地,自动发送FCS作为DLPDU最后两个字节。
发送状态机52编码通过接口电路70提供的曼彻斯特串行数据,该数据通过TxS线路提供给MAU 38,以便传送到网段12上。发送状态机52还在发送第一前同步信号第一位的时刻断言发送使能(TxE)线路,直到ED的最后一位出现。发送状态机52还在断言TxE线路时,生成发送开始(SOT)事件信号,并在TxE线路回到无效状态时,生成发送结束(EOT)事件信号。
发送FIFO存储器54存储所有发送消息要求的DLPDU字节,直到总共63字节。设置可配置的阀值,使得当发送FIFO存储器54几乎为空时,发送IRQ告知CPU 30。这样,如果需要发送的超过63字节,那么CPU 30将被告知,以便加入更多的数据到发送FIFO存储器54中。持续上述操作,直至写入所有的DLPDU字节为止。CPU 30使用写指针向发送FIFO存储器54中写入,而发送状态机52使用读指针从发送FIFO存储器54中读取字节。
通信控制器36基于事件工作,必须能够处理多个事件的发生。事件的示例包括SOM、EOM、或用于接收消息的EOA、或用于发送消息的EOT。接收/发送事件管理器58管理针对总共多达三条接收消息和一条发送消息而发生的所有事件。
如图4中所示,接收/发送事件管理器58包括标识为rcvmsg1、rcvmsg2、rcvmsg3的三个接收消息对象,和标识为xmtmsg的一个发送消息对象。此外,接收/发送事件管理器58包括消息队列管理器(MsgQmngr)80、事件管理器(EventMngr)82、发送管理器(xmtmngr)84和事件复用器86。
接收FIFO存储器50能存储多达三条完整的接收消息的DLPDU字节。这三条消息中每一条都有相应的对象rcvmsg1、rcvmsg2和rcvmsg3。每个对象包含针对其相应接收消息而发生的所有IRQs、消息错误以及时间戳的状态。该信息构成了消息的事件数据。
针对发送消息而发生的所有IRQs、消息错误以及时间戳的状态存储在xmtmsg对象中。存储的信息构成了发送消息的事件数据。
MsgQmngr 80控制三个接收消息对象的选择和使能。一次只有一个接收消息对象可以处于激活状态。MsgQmngr 80允许事件与激活的接收消息对象相关联。当在CPU 30确认收到其他三条消息之前正接收第四条消息的情况下,MsgQmngr 80禁止接收更多的消息,直到已经读取或确认收到事件数据。
EventMngr 82管理事件发生顺序。当事件发生时,事件管理器82分配给每个事件一个发生顺序标识(OOO_ID)。这允许CPU 30可以随着这些事件发生每次一个地读取它们。当事件发生时,CPU 30必须确认收到每一个事件。当确认收到第一个事件之后,后面的事件准备就绪为CPU 30所读取。
Xmtmnge 84监控InterPDU触发(InterPDU_trig)和下一调度事件触发,并启动发送触发命令(Xmt_Trig_Cmd)给发送状态机52,从而开始发送下一条消息。
通信控制器36包括寄存器60。CPU 30可以向/从这些指定为Reg00-Reg3F的寄存器中写入/读取。中断(IRQ)也是通过寄存器60处理的。
时钟生成电路62接收外部时钟,并且或是使用该时钟或是使用由其内部振荡器64发出的时钟信号,生成通信控制器36所有必需的时钟信号。
时钟生成电路62优选地能够调节其节点计时器和其八位位组计时器时钟速率。这允许通信控制器36同步其节点时间与链路地址调度器(LAS 20)的关系。八位位组时间用于内部消息定时,而节点时间用于共享网段12上的公共时间定义(sense)。
计时器68被分成两组,表示不同的时间定义。第一组被称之为网段计时器的计时器,是工作在可变时钟速率下的,可变时钟速率是在CPU 30的软件控制下由时钟生成电路62产生的。第二组被称之为消息计时器的计时器,是工作在固定时钟速率下的。
在通信控制器36中含有2个网段计时器。第一网段计时器是时钟周期为31.25μsec(32KHz)的节点计时器。节点计时器用于实现下一功能模块执行时间、链路调度时间V(LST)和数据链路时间(DL_Time)。
第二网段计时器是8位位组计时器,其时钟周期为2μsec(500KHz)。8位位组计时器用于下一调度事件触发(其与发送状态计52接口连接,以在指定的时间发送消息)。当调整时钟速率时,节点计时器和8位位组计时器将彼此跟踪到相同的速率。这是因为,驱动节点计时器和8位位组计时器的时钟信号从共同的可变时钟获得。
消息计时器的启动和停止是根据现场总线的消息事件(发送和接收)。消息计时器包括不活动计时器、interPDU延迟计时器、接收应答计时器、发送应答计时器和授权令牌恢复计时器(delegated tokenrecovery timer)。
不活动计时器是递减计数器。其用于测量在两个PHPDU之间的空闲时间。不活动计时器对过滤的和未过滤的接收消息,以及网段12上所有发送消息起作用。当命令启动后,不活动计时器每16μsec递减。不活动计时器的起始点根据寄存器60之一中预先载入的可配置设置点来确定。通过或是与接收消息或是与发送消息相关的事件,可以取消或停止不活动计时器的递减操作。计时器一旦达到0或期满,将产生IRQ。不活动计时器保持在0状态直至IRQ被确认收到。如果IRQ保持高电平,发生的其他消息事件不会影响不活动计时器,直至确认收到该IRQ。
InterPDU延迟计时器是递增计数器。其用于与V(MID)阀值寄存器结合,从而实现现场总线的V(MID)最小interPDU延迟,该延迟确保在发送或接收消息之间的非传输状态的最小持续时间(或间隙时间)。过滤的和未过滤的接收消息,以及网段12上所有发送消息都能影响interPDU计时器。当没有现场总线动作时,interPDU计时器将持续递增。一旦计数值等于或超出存储在寄存器60之一中预定值,将激活interPDU触发信号。该信号用于确定已经满足interPDU延迟时间。该信号还与xmtmngr 84接口连接,以给出可以开始发送DLPDU的命令。
接收应答计时器是递减计数器。其用于允许预定设备为快速响应强制数据(CD)DLPDU而进行监控。其也用于设备在上线时监控自身的地址。当命令启动时,接收应答计时器每16μsec递减。接收应答计时器的起始点根据寄存器60之一中预先载入的可配置的16位设置点来确定。通过或是SOM事件或是SOT事件,取消或停止接收应答计时器的递减操作。如果接收应答计时器达到0或期满,将产生IRQ。接收应答计时器保持在0状态,直到IRQ被确认收到。如果IRQ保持高电平,发生的其他消息事件不会影响接收应答计时器,直到确认收到该IRQ。
发送应答计时器是递减计数器。在发送若干DLPDU(例如强制数据、传输令牌)中的一个后,发送应答计时器允许设备为快速响应而进行监控。当命令启动时,发送应答计时器每16μsec递减。发送应答计时器的起始点根据寄存器60之一中预先载入的可配置的设置点来确定。通过除了探测节点(PN)的任意一个发送DLPDU的或是SOM事件或是SOT事件,取消或停止发送应答计时器的递减操作。如果发送应答计时器达到0或期满,将产生IRQ。发送应答计时器保持在0状态,直到IRQ被确认收到。如果IRQ保持高电平,发生的其他消息事件不会影响发送应答计时器,直到确认收到该IRQ。
授权令牌恢复计时器是递减计数器。其用于监控从其他设备接收授权令牌的空闲时间。授权令牌恢复计时器对过滤的和未过滤的接收消息,以及网段12上所有发送消息起作用。当命令启动时,授权令牌恢复计时器每16μsec递减。授权令牌恢复计时器的起始点根据寄存器60之一中预先载入的可配置的设置点来确定。通过或是与接收消息或是与发送消息相关的事件,取消或停止授权令牌恢复计时器的递减操作。如果授权令牌恢复计时器达到0或期满,将产生IRQ。授权令牌恢复计时器保持在0状态,直到确认收到IRQ。如果IRQ保持高电平,发生的其他消息事件不会影响授权令牌恢复计时器,直到确认收到该IRQ。
自动时间加戳
通信控制器36执行事件的自动时间加戳,以保持精确的时间定义,并应用于通信控制器36、CPU 30和其他与网段12相连的设备。如图1中所示,过程控制系统10中含有经常在设备20-28间发送和接收的信息,设备20-28与网段12有效相连。如此前讨论,在物理层中,每条消息包括物理层协议数据单元(PhPDU)。存在与接收和发送PhPDU相关的具体事件,其需要时间信息。在本发明中,通过在具体事件发生时获取网段计时器的快照,在通信控制器36内部进行自动时间加戳。
与接收PhPDU相关的是激活开始(SOA)事件,其发生于前端状态机46检测到接收PhPDU激活之时。另一与接收PhPDU相关的是消息结束(EOM)事件,其发生在结束定界符(ED)的末尾。EOM事件生成中断请求(IRQ)给CPU 30中运行的软件,以表示接收消息发生了。接收/发送事件管理器58负责通过寄存器60为CPU 30提供事件IRQ。
与发送PhPDU相关的是发送结束(EOT)事件,其发生在完成将发送PhPDU发送到网络的时候,例如,在ED的结尾。EOT事件使得接收/发送事件管理器58生成IRQ给CPU 30中的软件,以表示发送消息结束。
对于CPU 30中的软件来说,了解针对发送和接收消息而发生的每个事件的时间是重要的。一个复杂的因素是,软件使用两种时间定义:DL-Time(数据链路时间)和8位位组时间,都是单调递增计数的。这两个时间定义需要不同的时钟速率作为时基。DL-Time是基于接近32KHz(31.25μs)的可调时钟速率,而8位位组时间是基于接近500KHz(2μs)的可调时钟速率。
尽管当接收到EOM事件或EOT事件的IRQ之后,CPU 30中的软件可以确定事件的时间值,但是存在软件等待时间,其表现为从IRQ生成的时间到软件实际上读取DL-Time或8位位组时间的时间。这根据IRQ发生时软件当前执行的任务而变化。此外,由于软件需要两种时基的时间值,还存在软件所需的用于从计时器中的一个读取时间,并将其转换为其他时基的系统开销。
其中存在的另一个问题是,没有针对SOA事件的IRQ。SOA的接收是异步事件。因为网段12上的噪音突发可以导致检测到SOA事件,所以使用SOA的IRQ是存在问题的。由于响应有噪音的网段12导致的不必要的SOA IRQ,CPU 30中的软件很容易过载。
由于前同步信号的字节数是未知的,所以对于软件计算SOA实际发生的时间也是存在问题的。在消息开始(SOM)事件生成IRQ,该消息开始(SOM)事件是检测到接收DLPDU开始的时间点。但是,前同步信号是从最小1字节到最大8字节,这使得该值的范围从256微秒到2048微秒。
控制器36提供了在DL-Time和8位位组时间两种时间下,对接收和发送PhPDU事件精确、自动地进行时间加戳所需的硬件。
图5图示了使用两个网段计时器(节点计时器68A和8位位组计时器68B)进行自动时间加戳的功能框图。图5中图示的是可变时钟生成电路62、时钟频率调节寄存器60A、可变链路时间偏移寄存器60B、数据链路时间偏移寄存器60C、下一功能模块执行时间寄存器60D、下一调度事件寄存器60E、时间剩余寄存器60F、快照寄存器60G-60J、加法器90和92、减法器94、以及比较器96和98。
节点计时器68A和8位位组计时器68B是网段计时器,其用于提供两种不同的时间定义。在时钟频率调节寄存器60A的控制下,可变时钟生成电路62为节点计时器68A和8位位组计时器68B提供时钟信号。为了同步设备(在该情况下,是基本设备24)使用的时钟速率和LAS 20的时钟速率,控制这两个时钟信号的频率。
节点计时器68A是以32KHZ的时钟信号工作的单调递增计时器。节点计时器68A的计数用于生成节点时间C(NT)、数据链路时间(DL_Time)和链路调度时间V(LST)。节点计时器68A的另一关键应用是生成下一功能模块执行时间中断。
8位位组计时器68B是以500KHZ的时钟信号并基于8位位组工作的单调递增计时器。8位位组计时器68B的关键应用之一是创建下一调度事件触发。
可变链路时间偏移寄存器60B提供V(LSTO)值,其表示具体设备(在本例中是设备24)相对于LAS 20的本地链路调度时间V(LST)的带符号偏移(或差)。当从LAS 20中接收到TD DLPDU时,就确定了LAS 20的时间基准。将可变链路时间偏移寄存器60B的值加到节点计时器68A的计数值,以产生设备24的本地链路调度时间V(LST)。
数据链路时间偏移寄存器60C包含数据链路时间偏移V(DLTO),设备24通过该V(DLTO)校正在其与LAS 20之间的DL-Time存在的任何偏差。LAS 20通过TD DLPDU发送可变V(DLTO)到所有设备。加法器92将V(DLTO)的值与V(LST)的值相加生成DL-Time,相加的结果为设备24生成本地DL-Time。下一功能模块执行时间寄存器60D允许一可配置的方法,该方法在将要发送下一功能模块时,启动中断给CPU 30,这通过比较器96将V(LST)与存储在寄存器60D中的设置点进行比较来完成。
下一调度事件寄存器60E允许一可配置的方法,其用于在预定的时间发送DLPDU,该预定的时间是根据8位位组计时器68B中维护的8位位组时间确定。通过在减法器94中对下一调度事件寄存器60E和8位位组时间执行减法,实现触发机制。在将下一调度事件设置点写入下一调度事件寄存器60E中后,可以执行发送请求。一旦寄存器60E中的值与8位位组计时器68B中的8位位组时间的差等于或小于0,就生成下一调度事件触发,该信号提供给接收/发送事件管理器58中的xmtmngr 84,其启动了发送DLPDU到网段12上的命令。时间剩余寄存器60F允许CPU 30确定在下一调度事件触发开始之前剩余的时间。
在由软件触发时,快照寄存器60G-60J存储节点时间C(NT)、8位位组时间、数据链路时间(DL-Time)和本地链路调度时间V(LST)。当产生快照脉冲时,同时获取这四个时间值。计时器68A和68B将继续计数,但是感兴趣的事件的快照时间值将存储在寄存器60G-60J中。
用于接收PhPDU的自动时间加戳特征如下工作。首先,反跳电路42和数字锁相环44(见图4)读出现场总线足够长持续时间的激活,以便使前端状态机46开始采样输入的曼彻斯特格式化的数据。为了采样和解码曼彻斯特数据,锁相环44锁定在PhPDU前同步信号中的位边界上。在命令前端状态机46开始解码数据的时刻,生成SOA事件脉冲。
SOA事件脉冲用作快照脉冲,其捕捉8位位组时间和DL-Time的当前值到它们各自的SOA时间戳寄存器。这些寄存器包含在接收/发送事件管理器58中的rcvmsg1、rcvmsg2或rcvmsg3对象之中。
在接收完DLPDU的所有字节时,前端状态机46检测结束定界符ED的唯一序列。在ED的结尾,生成EOM事件脉冲,并激活EOM IRQ。
EOM事件脉冲产生快照脉冲,以获取当前的DL-Time和8位位组时间。在其各自的EOM时间戳寄存器中,存储时间值,这些寄存器位于接收消息对象rcvmsg1、rcvmsg2或rcvmsg3中。
通过寄存器60,向CPU 30提供EOM IRQ。EOM IRQ中断了在CPU 30中运行的软件。此时,根据要求,软件在时间戳存储寄存器中或是选择DL-Time时基或是选择8位位组时间时基。
生成发送PhPDU自动时间戳的过程如下。CPU 30中的软件将要被发送的DLPDU载入发送FIFO存储器54,软件还向寄存器中载入表示将要发送的DLPDU字节数的计数值N。然后,软件启动DLPDU的发送请求。
一旦网段12上的条件适合进行发送,发送状态机52就开始发送PdPDU序列:前同步信号字节、SD字节、N字节的DLPDU和最后的ED字节。在完成ED的发送时,产生EOT事件脉冲和EOT IRQ。EOT事件脉冲作为快照触发,将8位位组时间和数据链路时间(DL-Time)的当前值存储到各自的EOT时间戳寄存器。这些寄存器位于接收/发送事件管理器58的xmtmsg对象中。
EOT IRQ中断软件,然后,软件根据需求从适当的时间戳存储寄存器中选择要读取的数据。
PhPDU事件的自动时间加戳去除了软件等待时间,软件等待时间是必须首先响应EOM IRQ或EOT IRQ,然后使软件确定当前时间时所需要的时间。此外,自动时间戳的特点允许生成两种时基的SOA时间戳,其获取异步事件的当前时间。
通过在通信控制器36中进行自动时间加戳,提高了时间戳数值的精确性。由于通信控制器36直接处理PhPDU,所以它可以准确地了解相关PhPDU事件的发生时间,并及时进行动作以获取与这些事件相对应的当前网段时间。
通信控制器36提供了另一自动时间加戳特征,其包括了时间戳数据的自动发送。当发送时,存在三种类型的消息要求时间戳数据包含在DLPDU数据之中。通信控制器36能够自动为这三种特定的DLPDU插入和发送时间戳,这三种特定的DLPDU是时间分配(TD)、往返延迟查询(RQ)和往返延迟应答(RR)DLPDU。
由LAS 20发送TD DLPDU,以使网段12上的所有其他设备能够协调并同步这些设备DL-Time定义的进展速率。图6中示出的TDDLPDU要求在发送结束之前,发送7字节的DL-Time时间戳。在TDDLPDU出现在本地链路时,获得该时间戳,其位于帧控制(FC)字节的开始。
RQ DLPDU从一个设备发送到另一个设备,用于启动往返延迟的测量和计算,对于设备间的双向通信,往返延迟是固有的。图7中所示的是RQ DLPDU的结构和自动时间戳的源。RQ DLPDU要求发送在DLPDU出现在本地链路时获取的节点时间C(NT)的24位时间戳。该24位时间戳的格式是节点时间(15:0)加上“00000000”。其出现在起始定界符(SD)的结尾,并作为消息开始(SOM_xmt)事件脉冲。
如图7中所示,RQ DLPDU包含8字节的数据加上2字节的FCS。RQ DLPDU中的5-7字节表示24位的SOM节点时间。
RR DLPDU用于完成往返延迟的测量和计算,对于网段12上两个独立的设备间的双向通信,往返延迟是固有的。RR DLPDU总是跟随在RQ DLPDU之后,二者彼此问答。图8中所示的RR DLPDU要求发送在DLPDU出现在本地链路时获取的节点时间的24位时间戳。该24位存储在发送FIFO存储器54的12-14字节中,其格式是节点时间(15:0)加上“00000000”。
通信控制器36自动检测将要在网段12上发送的DLPDU。在DLPDU出现在网段12上时,存储将要发送的时间戳值。通信控制器将存储的时间戳值适当地载入并解码到发送FIFO存储器54。
当软件将TD、RQ或RR DLPDU载入到发送FIFO存储器54中时,开始TD、RQ或RR DLPDU的自动时间加戳。软件还将要发送的DLPDU的字节数的计数值载入到寄存器,该值根据DLPDU的类型而变。然后,软件启动DLPDU的发送请求。
一旦网段12空闲了适当的时间量,发送状态机52就开始发送。当发送开始时,发送状态机52进行发送1到8个字节的前同步信号、1字节的起始定界符(SD)、N字节的DLPDU加2字节的帧校验控制、以及最后1字节的结束定界符(ED)。在DLPDU数据发送期间,发送状态机52从发送FIFO存储器54中读取8位数据。在发送每个字节之前,都必须通过并行-串行转换器转换为串行数据。
通信控制器36监视发送状态机52的当前状态,以及发送FIFO存储器54中的数据(通过并行-串行转换器移出以便发送)。在将要发送DLPDU的第一字节时,发送状态机52产生发送消息开始(SOM_xmt)事件脉冲。
如图6中所示,DLPDU的第一字节总是帧控制字节(FC)。FC指明正在发送的DLPDU的类型。根据正在发送的DLPDU的类型,可以设置TD_flag、RQ_flag或RR_flag。每个发送DLPDU只有一个标志可以被设置。如果正发送的DLPDU与TD、RQ或RR帧控制(FC)字节不匹配,那么上述标志没有一个被设置。
帧控制数据在从设置标志开始的短期间内,出现在网段12上。此时,发送状态机52产生发送消息开始(SOM_xmt)(见图2)事件脉冲,使得可以获取节点时间和DL-Time的快照。当数据出现在网段12上时,应用SOM_xmt脉冲,给出了发送设备的节点时间和DL-Time非常精确的值。如果设置了TD_flag,那么就生成DL-Time的48位时间戳,并存储在临时寄存器中。如果设置了RQ_flag或是设置了RR_flag,那么就存储节点时间的24位格式化时间戳在另一临时寄存器。
在存储时间戳值之后,生成时钟脉冲,以发送存储的时间戳数据到发送FIFO存储器54。在需要在网段12上发送时间戳数据之前,就进行上述工作了。
TD、RQ和RR DLPDU中的每个都要求将时间戳值发送到发送FIFO存储器54中的不同的存储位置上。上述要求可以通过使用所设置的TD、RQ或RR标志以将恰当的时间戳数据复用到发送FIFO存储器54中的适当存储位置来实现。无论如何,新的时间戳值将覆盖软件最初写入发送FIFO存储器54中该位置的值。
最后,当DLPDU已经发送了时,发送结束IRQ中断CPU 30中的软件。然而,软件不参与产生时间戳。更确切的说,通信控制器36自动生成时间戳数据。
通信控制器36中的自动时间加戳去除了对时间戳数据的所有计算和解码所需的软件开销。在通信控制器36的硬件中完成自动时间戳功能还极大地提高了时间戳值的精确性。由于通信控制器精确的了解DLPDU的第一字节的开始出现在本地链路中的时间,所以它可以在适当的时刻获取时间戳。
尽管本发明参考优选的实施例进行了描述,但是本领域的技术人员应认识到,在不脱离本发明主旨和范围的情况下,形式和内容是可以改变的。

Claims (21)

1.一种用于在通信介质上通信的设备,所述设备包括:
介质连接单元MAU,用于在通信介质上接收和发送消息;
中央处理单元CPU,用于处理包含在接收消息中的数据,并创建要包含在待发送消息中的数据;和
通信控制器,作为MAU和CPU之间的接口,通信控制器生成与接收和发送消息相关的事件相对应的事件脉冲,并响应事件脉冲,自动存储时间戳值,其中所述通信控制器包括:第一计时器,用于提供以第一时钟速率变化的第一时间值;和第二计时器,用于提供以高于第一时钟速率的第二时钟速率变化的第二时间值,其中第一时间值表示通信介质上设备的时间定义,第二时间值表示设备的内部时间,
其中,第一计时器是节点计时器,其提供节点时间作为第一时间值,
第二计时器是8位位组计时器,其产生8位位组时间作为第二时间值。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述通信控制器在正在发送的消息中插入存储的时间戳值。
3.根据权利要求2所述的设备,其中事件脉冲包括消息开始事件脉冲,并且插入在消息中的存储的时间戳值表示在消息开始事件脉冲发生时的第一时间值。
4.根据权利要求2所述的设备,其中所述通信控制器检测正在发送的消息的类型,并根据消息的类型,在消息中选择插入时间戳值的位置。
5.根据权利要求1所述的设备,其中事件脉冲包括当接收消息结束时,通信控制器产生的消息结束事件脉冲。
6.根据权利要求1所述的设备,其中事件脉冲包括当发送消息结束时,通信控制器产生的发送结束事件脉冲。
7.根据权利要求1所述的设备,其中事件脉冲包括当开始解码接收消息时,通信控制器产生的激活开始事件脉冲。
8.根据权利要求1所述的设备,其中通信控制器响应事件脉冲,存储根据由第一计时器提供的第一时间值以及由第二计时器提供的第二时间值得到的时间戳值。
9.根据权利要求1所述的设备,其中通信控制器基于节点时间,获取数据链路时间和链路调度时间。
10.根据权利要求9所述的设备,其中通信控制器响应事件脉冲,在寄存器中存储节点时间、数据链路时间和链路调度时间作为时间戳值。
11.根据权利要求1所述的设备,其中响应事件脉冲,所述通信控制器同时产生多个时间值,并存储每个时间值作为时间戳值。
12.一种用于为网络上设备间交换的消息进行时间加戳的方法,所述方法包括:
在网络上发送和接收消息;
生成以第一时钟速率变化的第一计时器值,其中第一计时器值表示网络上设备的时间定义;
产生与发送和接收消息相关的选定事件相对应的事件脉冲;
生成以第二时钟速率变化的第二计时器值,第二时钟速率高于第一时钟速率,其中第二计时器值表示设备的内部时间;
当产生事件脉冲时,存储表示第一计时器值的第一时间戳值;以及
当产生事件脉冲时,存储表示第二计时器值的第二时间戳值,
其中,第一计时器值是节点时间,第二计时器值是8位位组时间。
13.根据权利要求12所述的方法,其中第一和第二时钟速率是可变且同步的。
14.根据权利要求12所述的方法,还包括:
在正在发送的消息中插入第一时间戳值。
15.根据权利要求14所述的方法,其中事件脉冲包括消息开始事件脉冲,并且插入在消息中的第一时间戳值表示在消息开始事件脉冲发生时设备的本地时间。
16.根据权利要求14所述的方法,还包括:
检测正在发送的消息的类型;和
根据消息的类型,在消息中选择插入时间戳值的位置。
17.根据权利要求12所述的设备,其中事件脉冲包括在接收消息结束时产生的消息结束事件脉冲。
18.根据权利要求12所述的设备,其中事件脉冲包括在发送消息结束时产生的发送结束事件脉冲。
19.根据权利要求12所述的设备,其中事件脉冲包括在开始解码接收消息时产生的激活开始事件脉冲。
20.一种用于为过程控制网络上的设备所发送和接收的消息进行时间加戳的方法,所述方法包括:
在每个设备中,同步第一计时器和第二计时器,其中所述第一计时器提供以第一时钟速率变化的设备内部时间定义,所述第二计时器提供以低于第一时钟速率的第二时钟速率变化的网络网段上的节点时间定义;
在与消息相关的事件发生时,产生事件脉冲;和
在事件脉冲发生时,发送与内部和节点时间定义相对应的时间戳值到快照寄存器,
其中,第一计时器是8位位组计时器,其产生8位位组时间作为第一时间值,
第二计时器是节点计时器,其提供节点时间作为第二时间值。
21.根据权利要求20所述的方法,其中事件脉冲包括消息结束(EOM)脉冲、发送结束(EOT)脉冲、激活开始(SOA)脉冲以及发送开始(SOT)脉冲。
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Families Citing this family (330)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7249281B2 (en) * 2003-07-28 2007-07-24 Microsoft Corporation Method and system for backing up and restoring data of a node in a distributed system
US8364849B2 (en) * 2004-08-30 2013-01-29 International Business Machines Corporation Snapshot interface operations
US7339853B2 (en) * 2005-12-02 2008-03-04 Agilent Technologies, Inc. Time stamping events for fractions of a clock cycle
US8130777B2 (en) 2006-05-26 2012-03-06 Agere Systems Inc. Link layer device with clock processing hardware resources shared among multiple ingress and egress links
DE102007016917B4 (de) 2007-04-05 2009-12-17 Phoenix Contact Gmbh & Co. Kg Verfahren sowie System zur sicheren Übertragung von zyklischen zu übertragenden Prozessdaten
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US8262287B2 (en) 2008-12-08 2012-09-11 Asm America, Inc. Thermocouple
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
DE102009017681B4 (de) 2009-04-16 2014-02-20 Phoenix Contact Gmbh & Co. Kg Verfahren und Kommunikationssystem zum Ermitteln des Zeitpunktes eines Ereignisses in einem IO-Gerät
US8382370B2 (en) * 2009-05-06 2013-02-26 Asm America, Inc. Thermocouple assembly with guarded thermocouple junction
US9297705B2 (en) * 2009-05-06 2016-03-29 Asm America, Inc. Smart temperature measuring device
DE102009032229B4 (de) * 2009-07-08 2012-06-14 Abb Technology Ag Verfahren und Einrichtung zur Protokollierung von Prozessvariablen eines digitalen Feldgerätes
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
DE102011115965B4 (de) * 2011-10-13 2013-06-13 Abb Technology Ag Verfahren zur Baudratenerkennung für Feldgeräte
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
DE102011089428A1 (de) 2011-12-21 2013-06-27 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Synchrone Datenübertragungseinrichtung
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
USD702188S1 (en) 2013-03-08 2014-04-08 Asm Ip Holding B.V. Thermocouple
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US20150139250A1 (en) * 2013-11-18 2015-05-21 Pica8, Inc. Synchronized network statistics collection
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN109254198B (zh) * 2018-10-08 2021-07-13 许昌许继软件技术有限公司 避雷器的数据同步采集系统和数据采集装置
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11700270B2 (en) * 2019-02-19 2023-07-11 The Aerospace Corporation Systems and methods for detecting a communication anomaly
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
US11106496B2 (en) * 2019-05-28 2021-08-31 Microsoft Technology Licensing, Llc. Memory-efficient dynamic deferral of scheduled tasks
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
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USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
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CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
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KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6016401A (en) * 1993-10-20 2000-01-18 Lsi Logic Corporation High speed network interface having SAR plus physical interface
CN1355984A (zh) * 1999-06-18 2002-06-26 艾利森电话股份有限公司 实时分组通信中时间戳的估计

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2271251B (en) 1992-10-01 1996-08-14 Digital Equipment Int Timer synchronisation system
US5574934A (en) * 1993-11-24 1996-11-12 Intel Corporation Preemptive priority-based transmission of signals using virtual channels
JPH0898287A (ja) * 1994-09-22 1996-04-12 Toshiba Corp 監視制御装置
US6826590B1 (en) * 1996-08-23 2004-11-30 Fieldbus Foundation Block-oriented control system on high speed ethernet
JPH1097505A (ja) * 1996-09-24 1998-04-14 Hitachi Ltd 情報伝送方法および情報伝送システム
US6999824B2 (en) * 1997-08-21 2006-02-14 Fieldbus Foundation System and method for implementing safety instrumented systems in a fieldbus architecture
US6286052B1 (en) * 1998-12-04 2001-09-04 Cisco Technology, Inc. Method and apparatus for identifying network data traffic flows and for applying quality of service treatments to the flows
US6564268B1 (en) * 1999-03-17 2003-05-13 Rosemount Inc. Fieldbus message queuing method and apparatus
US7080160B2 (en) * 2000-04-27 2006-07-18 Qosmetrics, Inc. Method for creating accurate time-stamped frames sent between computers via a network
JP2002014185A (ja) * 2000-06-29 2002-01-18 Nec Eng Ltd 時刻同期化方式
US20030093530A1 (en) * 2001-10-26 2003-05-15 Majid Syed Arbitrator system and method for national and local content distribution

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6016401A (en) * 1993-10-20 2000-01-18 Lsi Logic Corporation High speed network interface having SAR plus physical interface
CN1355984A (zh) * 1999-06-18 2002-06-26 艾利森电话股份有限公司 实时分组通信中时间戳的估计

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008508796A (ja) 2008-03-21
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US7689687B2 (en) 2010-03-30
US20060026314A1 (en) 2006-02-02
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JP4847955B2 (ja) 2011-12-28

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