CN101359188B - 带状工件的曝光装置及带状工件的曝光装置的聚焦调整方法 - Google Patents

Abstract

本发明的课题是实现可在曝光处理途中进行聚焦调整，且无须追加聚焦调整专用的照明单元或显像单元，就可以在短时间内调整聚焦。在将形成于掩模(M)的图案投影在带状工件(W)、并进行曝光的带状工件的曝光装置中，在掩模(M)的对准标记(MAM)的内侧形成投影透镜用聚焦调整图案(FP)。此外，在工件台(10)的贯通孔或缺口(10a)上配置光透过部件(10b)，而形成对准显微镜用聚焦调整图案(AP)。由对准显微镜(12)检测掩模与带状工件的对准标记，并进行掩模(M)与带状工件(W)的对位，接着，通过对准显微镜(12)，检测投影透镜用聚焦调整图案(FP)与上述对准显微镜用聚焦调整图案(AP)并进行聚焦调整。

Description

带状工件的曝光装置及带状工件的曝光装置的聚焦调整方法

技术领域

本发明涉及用于在TAB(Tape Automated Bonding：卷带自动接合)或FPC(Flexible Printed Circuit：柔性线路板)的长的带状工件形成图案的曝光装置及该曝光装置的聚焦调整方法。 

背景技术

在液晶等显示面板、便携式电话、数码相机、以及IC卡等中，使用将集成电路安装在厚度25μm～125μm左右的聚酯或聚酰亚胺等树脂薄膜上的薄膜电路基板。薄膜电路基板在其制造工序中，是例如宽160mm、厚100μm、长数百m的带状工件，通常卷绕在卷轴。 

此外，薄膜电路基板在上述树脂薄膜上粘贴有导电体(例如铜箔)。薄膜电路基板的制造是将涂布抗蚀剂的工序、复制所希望的电路图案的曝光工序、抗蚀剂的显影工序、去除不需要的导电体的蚀刻工序等反复例如4次至5次来进行的。在各工序中，薄膜电路基板从卷轴被卷出，经处理加工，而再次卷绕在卷轴。以下将薄膜电路基板称为带状工件。 

例如在专利文献1等中公开了输送上述带状工件的同时将电路图案复制在各曝光区域的曝光装置。 

在图5表示带状工件的曝光装置的构成的一例。 

带状工件W(以下简称为工件W)与保护工件W的间隔物(spacer)叠合而以滚筒状卷绕在开卷滚筒1。当从开卷滚筒1拉出时，间隔物是被卷绕在间隔物卷绕滚筒1a。 

从开卷滚筒1卷出的带状工件W经由松缓部A1、中间导引滚筒R2，被编码器滚筒R3与按压滚筒R3’夹持。编码器滚筒R3是用于确认在输送工件时，在后述的输送滚筒中是否发生滑动的滚筒。 

从开卷滚筒1拉出的带状工件W经由曝光部3，被输送滚筒R4与按压滚筒R4’夹持。工件W通过输送滚筒R4的旋转被输送所设定的规定量， 并被输送至曝光部3的工件台10上。 

在曝光部3上设有：由灯4a与聚光镜4b所构成的光照射部4、具有曝光在工件的图案(掩模图案)的掩模M、以及投影透镜5。此外，工件台10是安装在工件台驱动机构6上，可以向上下、左右方向驱动，并且可以以垂直于工件台面的轴为中心旋转。 

在曝光部3，带状工件W由被曝光的区域的背面侧真空吸附在工件台10的表面等的保持单元保持。这是为了将工件W的曝光的区域固定在由投影透镜5投影的掩模图案的成像位置，并防止曝光中的工件W向光轴方向或输送方向移动。 

图6是将图5的曝光装置的掩模、投影透镜、工件台的部分抽出并表示的斜视图。 

如该图所示，在掩模M形成有2个部位的对准标记(掩模标记)MAM，且在工件W，对每个曝光区域、与掩模标记MAM的数量对应地形成有2个部位的对准标记(工件标记)WAM。另外，在本例中，工件标记WAM是形成在带状工件W的周边部的通孔，但当带状工件W具有光透过性时，也可在工件W上形成标记WAM。 

此外，在工件台10的由投影透镜5投影掩模标记MAM的位置(2个部位)形成有缺口10a或贯通孔，且在其下方配置有对准显微镜(2台)12。 

对准显微镜12通过工件台10的缺口10a或贯通孔，检测掩模标记MAM与工件标记WAM。 

当工件标记WAM被输送至工件台10的缺口10a之上、即对准显微镜12之上时，被工件台10吸附保持。 

对准光照明单元11通过未图示的移动机构，插入到掩模M的上方。对准光通过对准光照明单元11照射在掩模标记MAM，通过投影透镜5，掩模标记像通过作为工件标记WAM的通孔而投影在对准显微镜12上。 

对准显微镜12检测所投影的掩模标记像。同时也检测作为工件标记WAM的通孔的边缘的像。 

图5所示的控制部20输入由对准显微镜12检测到的掩模标记MAM像与工件标记WAM的边缘像并进行图像处理。接着，根据该掩模标记MAM与工件标记WAM的位置信息，驱动工件台驱动机构6以使两者成为 规定的位置关系，并将形成了电路等的掩模图案的掩模M与工件W的曝光区域对位。 

对位结束后，从光照射部4放射的曝光光透过掩模M、通过投影透镜5而照射在工件W，从而掩模图案被复制在工件W上。 

若曝光结束，则带状工件W被输送滚筒R4与按压滚筒R4’所夹持并被输送、曝光，以使下一个曝光区域来到工件台10上。 

这样，带状工件W依序被曝光，并经由导引滚筒R5、松缓部A2而卷绕在卷绕滚筒2。此时，由间隔物开卷滚筒2a送出间隔物，曝光完毕的带状工件W与间隔物一起被卷绕在卷绕滚筒2。 

工件台10的表面位置事先通过上述工件台驱动机构6，被调节在投影透镜5的聚焦位置。 

【专利文献1】日本专利第2886675号公报 

形成于薄膜电路基板的电路图案随着电子设备的高速化、多功能化、以及小型化，而逐渐高密度化、微细化，并且逐年要求曝光装置的曝光精度更高的结构。因此，曝光装置的投影透镜需要更高的解析度。但是，若将高解析度的投影透镜载置于曝光装置，则需要进行在以往并不需要进行的聚焦调整。 

以下说明其理由。其中，所谓聚焦调整是指对投影在工件上的掩模图案像进行对焦。 

(1)投影透镜的聚焦位置相对于所设计的位置，随着基于温度变化的透镜的膨胀收缩或基于气压变化的透镜与透镜之间的空气折射率的变化而变化。 

聚焦位置的变化若在投影透镜的焦点深度(Depth of Focus)内，则不会造成问题。但是，若聚焦位置的变化大于焦点深度，则曝光精度会降低。 

(2)一般而言，投影透镜具有当提高解析度时、焦点深度会变浅的倾向。例如，在解析度为6μm左右的投影透镜中，焦点深度约为50μm，但若使解析度成为4μm左右，则焦点深度变为约30μm。 

(3)此外，投影透镜越使其解析度高，则所使用透镜的片数越多，在支承透镜的镜筒内，隔着透镜与透镜的夹空间会变大。该空间的压力难以迎合放置透镜的环境的气压变化，当气压变低时，透镜上被施加从镜筒向外 侧推挤的力，此外，当气压变高时，相反地、向镜筒的内侧按压的力起作用。因此，高解析度的投影透镜容易受到气压变动的影响，且聚焦位置的变化也大。 

(5)以往，当将曝光装置安装在用户的工厂时，若调整从掩模到工件的距离(也称像原画间距离)以使掩模图案的投影像在工件上成像、并进行管理以使设置了装置的房间的温度大致成为一定，则聚焦位置的变化可在投影透镜的焦点深度内。即，像原画间距离的调整若在安装装置时进行，则不需要之后再次进行。 

但是，若搭载在曝光装置的投影透镜为高解析度的，则基于温度或气压的变化而产生的聚焦位置的变化会大于投影透镜的焦点深度。 

如上所述，聚焦位置变化的原因是因温度变化与气压变化而产生的，尤其，带来较大的影响的是由装置运转而产生的温度变化。 

由装置运转而产生的温度变化主要有以下3个。 

(a)曝光光通过投影透镜时，透镜吸收光能量而温度上升。另一方面，通过工件的更换等而快门关闭，若光不通过透镜，则透镜的温度下降。基于该温度变化，透镜膨胀收缩、聚焦位置产生变化。 

(b)随着透镜的温度变化，保持透镜的镜筒也通过热传导而温度变化、膨胀收缩。由此透镜的位置变化，且聚焦位置变化。 

(c)上述镜筒的温度变化、射出曝光光的光源部的热传递到装置的壳体，从而装置整体膨胀收缩。由此从掩模台至工件台的距离产生变化，且聚焦位置产生变化。 

因此，为了维持所希望的曝光精度，需要1天中每隔多次的规定时间或曝光次数定期地确认聚焦位置，且进行掩模与工件的位置(像原画间距离)的调整(聚焦调整)、以使掩模的投影像在工件上成像。 

进行聚焦调整的最简单的方法是将聚焦调整用图案实际上改变像原画间距离并曝光在工件上，由其显影结果，将像原画间距离设定在形成精度最佳的图案的位置。但是，该方法有以下问题。 

由于需要反复进行曝光显影，因此在调整设定上耗费时间，而且在1天内要进行好几次是不现实的。 

假设以上述方法进行聚焦调整，考虑在曝光处理途中(批量途中)进行的 情况。若工件为薄片，则在某工件的曝光处理结束并从装置搬出时，暂时停止搬入下一个工件。接着，将掩模与工件更换为聚焦调整用的，并进行聚焦调整。 

但是，当工件为带状时，由于在工件途中没有间断，因此难以更换掩模与工件。因此，无法在曝光处理途中(批量途中)进行聚焦调整。 

此外，作为不进行曝光显影而调整聚焦的方法，考虑将掩模图案通过投影透镜进行投影、检测所投影出的图案像、并调整像原画间距离以使其对焦的方法。 

但是，在该方法中也有以下问题。 

当使用投影像来进行聚焦调整时，在掩模的某部位形成聚焦调整用图案。此外，需要设置照明该聚焦调整用图案的照明单元、及检测并显像所投影出的图案像的显像单元。但是，设置聚焦调整用照明单元或显像单元会造成装置成本上升。 

因此，也考虑使用以对位用形成的掩模标记来进行聚焦调整(将掩模对准标记兼作为聚焦调整用图案)。掩模标记通过对准照明系统投影在对准显微镜上，因此若可使用掩模标记来进行聚焦调整，则不需要重新设置照明单元或显像单元。 

但是，如以下说明，该方法也存在问题。 

在目前的带状工件的曝光装置中所需要的对位精度约为±5μm，用于实现该精度的掩模标记的大小是例如直径约为0.5mm的圆(作为工件标记的通孔的直径约为1mm)。 

另一方面，当要进行例如解析度为4μm的投影透镜的聚焦调整时，要确认与其同等的图案像看起来是否对焦来进行调整。因此，聚焦调整用图案是必须为数μm(例如6μm)的线和空间(L&S，line and space)的图案。因此，掩模标记过大，则不能适用于聚焦调整用。 

此外，在对准显微镜设有用于使投影像成像在其显像面的透镜。因此，对准显微镜也与投影透镜同样根据温度或气压的变化，在聚焦位置上产生变化。因此，使聚焦调整用图案显像在对准显微镜来进行聚焦调整时，需要对对准显微镜的聚焦位置的变化也要进行修正，但该方法尚未确立。 

发明内容

本发明是为解决上述现有技术的问题而作成的，本发明的目的是实现在带状工件的曝光装置中，即使工件为带状，也可在曝光处理途中(批量的途中)进行聚焦调整，此外，无须追加聚焦调整专用的照明单元和显像单元、另外不导致装置成本上升，就能够在短时间内进行聚焦调整。 

为了解决上述课题，在本发明中，在上述工件台的通孔或缺口上设置光透过部件，在该光透过部件形成对准显微镜用聚焦调整图案，此外，在掩模形成投影透镜用聚焦调整图案，通过上述对准显微镜，检测上述投影透镜用聚焦调整图案与上述对准显微镜用聚焦调整图案，并进行聚焦调整。 

即，如下所示地进行聚焦调整。 

(1)带状工件的曝光装置，具备：光照射部，照射曝光光；掩模台，支承形成有图案与掩模对准标记的掩模；工件台，保持形成有工件对准标记的长的带状工件，且形成有缺口或贯通孔；投影透镜，将形成于上述掩模的图案投影在上述工件；光透过部件，配置在上述工件台的贯通孔或缺口上；对准显微镜，设置在上述光透过部件的下方；以及控制部，通过上述对准显微镜，检测上述掩模对准标记与上述工件对准标记，并进行掩模的对位，其中，在上述掩模形成投影透镜用聚焦调整图案，此外，在上述光透过部件形成对准显微镜用聚焦调整图案，上述控制部通过上述对准显微镜，检测上述投影透镜用聚焦调整图案与上述对准显微镜用聚焦调整图案，并进行聚焦调整。 

(2)在上述(1)中，对准显微镜具备以低倍率检测图像的第1显像部、和以高倍率对图像进行显像的第2显像部，在进行掩模与工件的对位时，由第1显像部检测对准标记，在进行聚焦调整时，由第2显像部检测聚焦调整图案。 

(3)在上述(1)、(2)中，使形成于掩模的掩模对准标记为圆环状，将形成于上述掩模的投影透镜用聚焦调整图案作为形成在上述掩模对准标记的圆环内侧的线和空间(line and space)的图案。 

(4)在上述(1)、(2)中，将工件对准标记作为形成在带状工件的贯通孔。 

(5)如上述(1)至(4)的带状工件的曝光装置的聚焦调整方法，具备：第1 工序，通过上述对准显微镜，对上述对准显微镜用聚焦调整图案进行显像，并使工件台像光轴方向(Z方向)移动，以使该图案对焦；第2工序，对上述投影透镜用聚焦调整图案进行显像，并使掩模台向光轴方向(Z方向)移动，以使该图案对焦；第3工序，在保持上述工序结束时的从掩模台到工件台的距离的状态下，使掩模台与工件台移动，以使相对于上述投影透镜、工件台与掩模台成为相等的距离。 

在本发明中，可获得以下的效果。 

(1)在掩模形成聚焦调整用图案，由对准显微镜对其投影像进行检测摄像，并进行像原画间距离的调整以使对焦，因此实际上无须对图案进行曝光显影就能够在短时间内进行聚焦调整。 

(2)形成在掩模的聚焦调整用图案是将形成在掩模的对准标记作为圆环状而形成在其内侧的，因此即使为在工件中途没有间断的带状工件，也可在曝光处理途中(批量的途中)进行聚焦调整。 

(3)此外，通过进行掩模与工件的对位，可使聚焦调整用图案对位在对准显微镜的视野内。因此，若进行掩模与工件的对位，就可以立即移至聚焦调整的作业，即使在批量的途中进行聚焦调整，也可极力防止生产率的降低。 

(4)由于在工件台设置了对准显微镜的聚焦调整用图案，因此在调整像原画间距离时，可补正对准显微镜的聚焦位置的变化量。 

附图说明

图1是表示本发明的实施例的带状工件的曝光装置的整体构成的图。 

图2是表示在图1所示的装置中抽出对准光照明单元、掩模台、投影透镜、工件台、以及对准显微镜的部分的斜视图。 

图3是放大表示掩模标记MAM、聚焦调整用图案FP的投影像、聚焦调整用图案AP、以及工件标记WAM的图。 

图4是用以说明聚焦调整时的掩模与工件的动作的图。 

图5是表示带状工件的曝光装置的构成的一例的图。 

图6是表示抽出图5的曝光装置的掩模、投影透镜、以及工件台的部分的斜视图。 

符号说明 

1：开卷滚筒          2：卷绕滚筒        3：曝光部 

4：光照射部          5：投影透镜        6：工件台驱动机构 

10：工件台          10a：缺口(贯通孔)   10b：玻璃板 

11：对准光照明手段  12：对准显微镜      13：掩模台 

14：掩模台移动机构  20：控制部          M：掩模 

W：带状工件         MAM：掩模标记       WAM：工件标记 

FP：投影透镜的聚焦调整用图案 

AP：对准显微镜的聚焦调整用图案 

具体实施方式

在图1、图2表示本发明的实施例的装置构成。图1表示本实施例的带状工件的曝光装置的整体构成，图2表示在图1所示的装置中，抽出显示对准光照明手段、掩模载台、投影透镜、工件台、以及对准显微镜的部分的图。 

在图1、图2中，掩模台13通过掩模台移动机构14，至少朝Z方向(光轴方向，图的上下方向)移动。 

工件台10也通过工件台移动机构6，朝光轴方向(Z方向，图的上下方向)移动。 

掩模台13与工件台10将投影透镜5的焦点距离(设计值)的位置作为各自的载台的Z方向(光轴方向)的原点位置而移动。控制部20存储为原点位置、各自的载台13、10的Z方向(光轴方向)的移动原点。 

在工件台10设有缺口10a或贯通孔，在其下方配置有对准显微镜12。另外，对准显微镜12相对于工件台10的移动独立存在。 

在工件台10的缺口或贯通孔(以下主要以缺口来进行说明)10a嵌入有通过曝光波长光的材质的玻璃板10b。玻璃板10b不突出于工件台10表面的上方。 

对准显微镜12配置在该玻璃板10b之下。与现有例相同地，对准显微镜12在形成对准标记MAM的位置上与其数量相应地被设置。在本实施例 中，对准标记MAM形成在2个部位，因此对准显微镜12也相应地设置2台。 

此外，对准显微镜12每1台具备2个对图像进行显像的CCD摄影机。其中一个为低倍率用，另一个为高倍率用。通过切换光路来变更倍率。低倍率(例如1.5倍)是在进行掩模与工件的对位时，为了检测掩模标记与工件标记而使用。另一方面，高倍率(例如10倍)是在聚焦调节时为了检测聚焦调整用图案而使用。 

上述以外的构成基本上与图5相同，从开卷滚筒1卷出的带状工件W经由松缓部A1、中间导引滚筒R2而被编码器滚筒R3与按压滚筒R3’夹持，并经由曝光部3，由输送滚筒R4与按压滚筒R4’夹持而输送。工件W通过输送滚筒R4的旋转而输送所设定的规定量，而被送至曝光部3的工件台10上。 

在曝光部3上设有由灯4a与聚光镜4b所构成的光照射部4、具有曝光在工件的图案(掩模图案)的掩模M、及投影透镜5。此外，工件台10安装在工件台驱动机构6上，可以上下、左右方向驱动，并且可以以垂直于工件台面的轴为中心旋转。 

带状工件W在曝光部3对位后被曝光，经曝光后的带状工件W经由导引滚筒R5、松缓部A2而卷绕在卷绕滚筒2。 

在此说明投影透镜的聚焦调整用图案、及对准显微镜用的聚焦调整用图案。 

如前所述，掩模标记的大小(例如直径0.5mm)与聚焦调整用图案的大小(例如6μm的L&S)不同。利用该大小的不同，将聚焦调整用图案形成在掩模标记的内侧。 

也即，如图3(a)(b)所示，将掩模标记MAM形成为外形例如为 

0.5mm且内径为 

0.3mm的圆环(圈环)形状。接着，将例如6μm的L&S的聚焦调整用图案(以下为聚焦图案FP)形成在 

0.3mm的内径的内侧。因此，在进行掩模M与工件W的对位时，当掩模标记MAM被投影在对准显微镜上时，聚焦图案FP也同时被投影在对准显微镜12上。另外，图3(a)是放大表示掩模标记MAM与聚焦图案FP的投影像、通孔(工件标记WAM)的边缘、及形成在玻璃板的对准显微镜的聚焦调整用图案AP的图，图3(b) 是放大表示(a)的掩模标记与聚焦图案FP与AP的图。 

对准显微镜用的聚焦调整用图案AP形成在被嵌入于工件台10的缺口或贯通孔的玻璃板10b。 

形成图案AP的位置是在投影出掩模标记MAM或聚焦图案FP时不重叠的位置，且为对准显微镜12的视野内。例如，如图3(b)所示，为圆环状掩模标记像的内侧、聚焦图案FP像的旁边。 

下面，说明掩模M与工件W的对位及投影透镜及对准显微镜的聚焦调整的顺序。 

(1)通过输送滚筒R4旋转，工件W被输送预先设定的距离，并且作为工件标记WAM的通孔停止在对准显微镜12之上。在工件W的每一个曝光区域以预定间距形成有通孔，输送滚筒R4旋转相当于该间距的距离量。工件W被保持在工件台10上。 

(2)对准光照明单元11通过对准光照明单元移动机构11a，插入于掩模M的上方(掩模M与光照射部4之间)。 

对准光照明单元11对掩模标记MAM及形成在其中的聚焦图案FP照射对准光。在此，对准光的波长是与由光照射部4所照射的曝光光相同的波长。 

(3)由对准光照明的掩模标记MAM与聚焦图案FP的像被投影在设置在工件台10的缺口或贯通孔的玻璃板10b上。 

如图3(a)所示，对准显微镜对掩模标记MAM与聚焦图案FP的投影像、以及作为工件标记WAM的通孔的边缘、形成在玻璃板的对准显微镜的聚焦调整用图案AP进行显像。 

(4)进行掩模M与工件W的对位，以使圆环状掩模标记MAM与作为掩模标记WAM的通孔的边缘成为预先设定的位置关系。此时，掩模标记MAM与掩模标记WAM的检测使用对准显微镜的低倍率。控制部20根据掩模标记MAM与工件标记WAM的位置信息来进行对位。 

通过掩模M与工件W的对位，使圆环状掩模标记MAM与通孔的工件标记WAM成为规定的位置关系。由此，形成在圆环状掩模标记MAM的内侧的投影透镜用聚焦图案FP、和形成在工件台的玻璃板上的对准显微镜用聚焦图案AP并排配置在对准显微镜的视野内。由此可进行以下的聚 焦调整动作。 

(5)投影透镜5的聚焦调整及对准显微镜12的聚焦调整按以下述顺序进行。另外，此时，聚焦图案FP与AP的检测使用对准显微镜的高倍率。 

图4(a)～(d)是说明聚焦调整时的掩模与工件的动作的图，用图4说明本实施例的聚焦调整顺序。 

(a)如图4(a)所示，对准显微镜12同时对投影在玻璃板10b上的投影透镜聚焦调整用图案FP、和形成在玻璃板10b上的对准显微镜聚焦调整用图案AP进行显像。其显像信号被传送到控制部20。 

控制部20对进行了显像的投影透镜用聚焦图案FP和对准显微镜用聚焦图案AP的像进行图像处理。 

在此，掩模台13与工件台10在原点位置。所谓原点位置是如上所述，指投影透镜5的焦点距离(设计值)的位置。 

(b)进行对准显微镜的聚焦调整。也即，如图4(b)所示，控制部20使工件台10沿上下方向(光轴方向·Z方向)移动，以使图案AP对焦。若图案AP对焦，则控制部20停止工件台10的移动，并存储离原点位置的移动距离A。 

(c)如图4(c)所示，控制部20使掩模台13沿上下方向(光轴方向·Z方向)移动，以使图案FP对焦。若图案FP对焦，则控制部20停止掩模台13的移动，并存储离原点位置的移动距离B。掩模台的移动距离B必定大于工件台10的移动距离A。 

另外，对准显微镜12的聚焦调整与投影透镜5的聚焦调整可以将顺序反过来进行，也可同时进行。 

在该状态下，对准显微镜对焦在工件台10的玻璃板10b上，聚焦图案FP像在已对焦在工件台10的玻璃上的状态下被投影。该状态下的从掩模台13至工件台10的距离是目前环境下曝光装置的对焦的像原画间距离D。 

在此，并非由于已对焦而可在该状态下进行曝光处理。在该状态下，通常从掩模M至投影透镜5的距离、与从投影透镜5至工件台10的距离并不相等。若两者距离不等，则在投影像发生因像差所造成的变形。 

因此，在保持有该像原画间距离D的状态下，必须使掩模台13与工件台10移动，以使从掩模M至投影透镜5的距离、与从投影透镜5至工件 台10的距离彼此相等。 

(d)因此，如图4(d)所示，由上述所存储的掩模台13的移动距离B减去工件台10的移动距离A，再将该值除以2。将该值设为C。接着，掩模台13从该原点位置朝上方向移动至距离C的位置，而且工件台10从该原点位置朝下方向移动至距离C的位置。如此一来，在保持对焦的像原画间距离D的状态下，可使从掩模M至投影透镜5的距离、与由投影透镜5至工件台10的距离相等。 

以上结束投影透镜及对准显微镜的聚焦调整。 

如上所述，掩模M与工件W的对位及对焦一结束，则在该状态下，重新开始曝光动作。 

在工件上获得已对焦的掩模图案的投影像。在该状态下，由光照射部4所放射的曝光光透过掩模M、投影透镜5而照射在工件W，且将掩模图案复制在工件W。 

若曝光结束，在带状工件W被输送滚筒R4与按压滚筒R4’夹持，且被曝光，以使下一个曝光区域到达工件台10上。 

如前所述，经曝光的带状工件W经由导引滚筒R5、松缓部A2而被卷绕在卷绕滚筒2。此时，从间隔物开卷滚筒2a送出间隔物，曝光完毕的带状工件W与间隔物一起被卷绕在卷绕滚筒2。 

另外，在上述实施例中，说明了工件标记为形成在带状工件的周边部的通孔的情况，但当带状工件具光透过性时，也可以不是通孔，而是将标记形成在工件上的结构。 

此外，最近为了提高掩模与工件的对位精度，有时将对准标记形成在2个部位以上，例如4个部位。此时，对准显微镜与对准标记数量相应地设置4台。另外，若设置4台对准显微镜，则也可检测出工件台的倾斜量。 

Claims (5)

1.一种带状工件的曝光装置，其特征在于，具备：

光照射部，照射曝光光；

掩模台，支承形成有图案和掩模对准标记的掩模；

工件台，保持形成有工件对准标记的长的带状工件，并且形成有缺口或贯通孔；

投影透镜，将形成于上述掩模的图案投影在上述工件上；

光透过部件，配置在上述工件台的贯通孔或缺口上；

对准显微镜，设置在上述光透过部件的下方；以及

控制部，通过该对准显微镜，检测上述掩模对准标记和上述工件对准标记，并进行掩模的对位，

在上述掩模形成有投影透镜用聚焦调整图案，

并且，在上述光透过部件形成有对准显微镜用聚焦调整图案，

上述控制部，通过上述对准显微镜来检测上述投影透镜用聚焦调整图案和上述对准显微镜用聚焦调整图案，并进行聚焦调整。

2.如权利要求1所述的带状工件的曝光装置，其特征在于，

上述对准显微镜具备：以低倍率检测图像的第1显像部、及以高倍率对图像进行显像的第2显像部，在进行掩模与工件的对位时，由第1显像部检测对准标记，在进行聚焦调整时，由第2显像部检测聚焦调整图案。

3.如权利要求1或2所述的带状工件的曝光装置，其特征在于，

形成于上述掩模的掩模对准标记是圆环状，

形成于上述掩模的投影透镜用聚焦调整图案是形成在上述掩模对准标记的圆环内侧的线与空间的图案。

4.如权利要求1或2所述的带状工件的曝光装置，其特征在于，

上述工件对准标记是形成于带状工件的贯通孔。

5.一种如权利要求1至4中任一项所述的带状工件的曝光装置的聚焦调整方法，其特征在于，具备：

第1工序，通过上述对准显微镜，对上述对准显微镜用聚焦调整图案进行显像，并使工件台向光轴方向移动，以使该图案对焦；

第2工序，对上述投影透镜用聚焦调整图案进行显像，并使掩模台向光轴方向移动，以使该图案对焦；以及

第3工序，在保持上述工序结束时的从掩模台到工件台的距离的状态下，使掩模台和工件台移动，以使相对于上述投影透镜、工件台与掩模台成为相等的距离。

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