CN110658698B - 一种cof基板的曝光定位方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种COF基板的曝光定位方法，针对COF基板上定位孔实现精准定位，给出了MARK图案设计，所述MARK图案为曝光MARK，包括曝光对位MARK和焦点检出MARK；所述曝光对位MARK为圆环形状；所述焦点检出MARK为至少含有2个相间隔的同心圆环，其最内侧圆环设有十字标记，且所述焦点检出MARK位于曝光对位MARK的圆环内。本发明的制造方法中，MARK图案是以一个组合体，不是单一的，是一个功能组合。量产生产过程中，用MARK图案和定位孔完成对位，就可以曝光。曝光一定次数后（次数可以曝光机设定），使用焦点检出调整MARK图案。来确定焦点的位置是否合理。焦点过大过小投影的图像都会失真。

Description

一种COF基板的曝光定位方法
技术领域
本发明涉及一种COF基板的曝光定位方法，属于COF基板制造技术领域。
背景技术
随着科学技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能化、高性能以及高可靠性方向发展。封装基板由FPC向COF过渡，COF基板的PTCH值越来越小，供封装中的引脚也越来越密集和精密，而集成电路封装不仅直接影响着集成电路、电子模块乃至整机的性能，而且还制约着整个电子系统的小型化、低成本和可靠性。在集成电路晶片尺寸逐步缩小，集成度不断提高的情况下，电子工业对集成电路封装技术提出了越来越高的要求。由于COF的产品，线路比较精密，pitch值在20um以下，线宽/线距比较小，大概在10/10um左右，及细小的曝光偏差都会造成COF产品不良，所以曝光偏差的存在是对精密的COF基板制造过程中的致命伤害。
现有的COF生产工艺是，将玻璃菲林的MARK和COF基板的定位孔进行定位后对COF基板进行曝光，玻璃菲林的MARK设计是单一的设计，结构过于简单，没有过多的反馈功能。
因此现有的技术方案弊端：1：曝光精度不高，误差大。现有的技术只是用定位孔和玻璃菲林上的MARK对位爆光，现有的MARK形状简单，存在对位偏差情况无法自动调整补正。2：焦点位置无法检出，没有焦距调整功能。曝光时焦点的位置及其重要，即使COF基板上的定位孔和玻璃菲林的MARK完全一致，此时曝光的到的图案精度也不一定是最好的，焦点的深度也是至关重要的一个要素。
发明内容
为了克服上述现有技术的不足，本发明提供了COF基板制造过程中，是卷对卷生产的，由于COF基板线路的精密性，产品精确的要求比较高，品质要求极其严格，控制好生产过程的一种COF基板的曝光定位方法。
本发明是通过如下技术方案实现的，一种COF基板的曝光定位方法，首先COF基板经过曝光机时，会被产品吸附工作台吸附，此时掩模板上的MARK图案会经过滤光镜头投影在COF基板的定位孔上，定位孔下方的产品吸附工作台上安装有对位CCD相机，掩模板上投影下来的MARK图案，会透过定位孔，被对位CCD相机捕捉，实现MARK图案的校准，从而确定是否定位合格；
所述MARK图案为曝光MARK，包括曝光对位MARK和焦点检出MARK；
所述曝光对位MARK为圆环形状；所述焦点检出MARK为至少含有2个相间隔的同心圆环，其最内侧圆环设有十字标记，且所述焦点检出MARK位于曝光对位MARK的圆环内。
作为本发明所述的一种COF基板的曝光定位方法的优选方案：所述焦点检出MARK分为对称的两部分，包括掩模板焦点检出MARK和CCD存储焦点检出MARK；
其中，所述曝光对位MARK和掩模板焦点检出MARK制作在掩模板上，所述CCD存储焦点检出MARK预植在对位CCD相机内；
所述掩模板上的曝光对位MARK和掩模板焦点检出MARK透过经过滤光镜头投影在COF基板的定位孔上，掩模板焦点检出MARK与CCD存储焦点检出MARK构成完整的焦点检出MARK，对位CCD相机完成捕捉，即实现曝光定位。
作为本发明所述的一种COF基板的曝光定位方法的优选方案：所述曝光对位MARK和焦点检出MARK中心重合。
作为本发明所述的一种COF基板的曝光定位方法的优选方案：所述曝光对位MARK为圆环形状，其外径为0.5mm和内径为0.3mm；
所述焦点检出MARK上的十字标记，为两个长度20um，宽度10um相互垂直交叉构成十字标记，其上的同心圆环宽度为10um,相邻同心圆环的间距为10um。
作为本发明所述的一种COF基板的曝光定位方法的优选方案：所述焦点检出MARK为4个相间隔的同心圆环，其最外侧圆环的外径为180 um。
本发明的实施效果：本发明的制造方法中，MARK图案是以一个组合体，不是单一的，是一个功能组合。量产生产过程中，用MARK图案和定位孔完成对位，就可以曝光。曝光一定次数后（次数可以曝光机设定），使用焦点检出调整MARK图案。来确定焦点的位置是否合理。焦点过大过小投影的图像都会失真。
附图说明
图1是本发明结构示意图；
图2是COF基板和定位孔结构示意图；
图3是定位孔和曝光MARK对焦结构示意图；
图4是掩模板上制作的曝光MARK结构示意图；
图5是对位CCD相机内预植的曝光MARK结构示意图；
图中：1-掩模板；2-掩模放置平台；3-滤光镜头；4-对位CCD相机；5-产品吸附工作台；6-COF基板；7-定位孔；8-曝光MARK；8.1-曝光对位MARK；8.2-焦点检出MARK；8.21-掩模板焦点检出MARK；8.22-CCD存储焦点检出MARK。
相关术语解释
定位孔：COF基板两边最外侧的1.42mm的方孔，曝光工序中COF基板曝光用定位孔。
CCD：是一种半导体器件，能够把光学影像转化为电信号。可直接将光学信号转换为模拟电流信号，经过放大和模数转换，实现图像的获取、存储、传输、处理和复现。
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本发明做进一步说明。
实施例1
如图1-5所示、一种COF基板的曝光定位方法，首先COF基板6经过曝光机时，会被产品吸附工作台5吸附，此时掩模板1上的MARK图案会经过滤光镜头3投影在COF基板6的定位孔7上，定位孔7下方的产品吸附工作台5上安装有对位CCD相机4，掩模板1上投影下来的MARK图案，会透过定位孔7，被对位CCD相机4捕捉，实现MARK图案的校准，从而确定是否定位合格；
所述MARK图案为曝光MARK8，包括曝光对位MARK8.1和焦点检出MARK8.2；
所述曝光对位MARK8.1为圆环形状；所述焦点检出MARK8.2为至少含有2个相间隔的同心圆环，其最内侧圆环设有十字标记，且所述焦点检出MARK8.2位于曝光对位MARK8.1的圆环内。
所述焦点检出MARK8.2分为对称的两部分，包括掩模板焦点检出MARK8.21和CCD存储焦点检出MARK8.22；
其中，所述曝光对位MARK8.1和掩模板焦点检出MARK8.21制作在掩模板1上，所述CCD存储焦点检出MARK8.22预植在对位CCD相机4内；
所述掩模板1上的曝光对位MARK8.1和掩模板焦点检出MARK8.21透过经过滤光镜头3投影在COF基板6的定位孔7上，掩模板焦点检出MARK8.21与CCD存储焦点检出MARK8.22构成完整的焦点检出MARK8.2，对位CCD相机4完成捕捉，即实现曝光定位。
所述曝光对位MARK8.1和焦点检出MARK8.2中心重合。
所述曝光对位MARK8.1为圆环形状，其外径为0.5mm和内径为0.3mm；
所述焦点检出MARK8.2上的十字标记，为两个长度20um，宽度10um相互垂直交叉构成十字标记，其上的同心圆环宽度为10um,相邻同心圆环的间距为10um。
所述焦点检出MARK8.2为4个相间隔的同心圆环，其最外侧圆环的外径为180 um。
由于定位孔7分布在COF基板6的两侧；
左侧的定位孔7，可通过掩模板焦点检出MARK8.21取焦点检出MARK8.2的上半部，CCD存储焦点检出MARK8.22取焦点检出MARK8.2的下半部，实现捕捉定位。
右侧的定位孔7，可通过掩模板焦点检出MARK8.21取焦点检出MARK8.2的下半部，CCD存储焦点检出MARK8.22取焦点检出MARK8.2的上半部，实现捕捉定位。
左、右两侧的定位孔7，同时实现捕捉定位焦点不会偏差，MARK图案不会出现失真，良品率更高。

Claims (1)

1.一种COF基板的曝光定位方法，首先COF基板（6）经过曝光机时，会被产品吸附工作台（5）吸附，此时掩模板（1）上的MARK图案会经过滤光镜头（3）投影在COF基板（6）的定位孔（7）上，定位孔（7）下方的产品吸附工作台（5）上安装有对位CCD相机（4），掩模板（1）上投影下来的MARK图案，会透过定位孔（7），被对位CCD相机（4）捕捉，实现MARK图案的校准，从而确定是否定位合格；其特征在于：
所述MARK图案为曝光MARK（8），包括曝光对位MARK（8.1）和焦点检出MARK（8.2）；
所述曝光对位MARK（8.1）为圆环形状；所述焦点检出MARK（8.2）为至少含有2个相间隔的同心圆环，其最内侧圆环设有十字标记，且所述焦点检出MARK（8.2）位于曝光对位MARK（8.1）的圆环内；
所述焦点检出MARK（8.2）分为对称的两部分，包括掩模板焦点检出MARK（8.21）和CCD存储焦点检出MARK（8.22）；
其中，所述曝光对位MARK（8.1）和掩模板焦点检出MARK（8.21）制作在掩模板（1）上，所述CCD存储焦点检出MARK（8.22）预植在对位CCD相机（4）内；
所述掩模板（1）上的曝光对位MARK（8.1）和掩模板焦点检出MARK（8.21）透过经过滤光镜头（3）投影在COF基板（6）的定位孔（7）上，掩模板焦点检出MARK（8.21）与CCD存储焦点检出MARK（8.22）构成完整的焦点检出MARK（8.2），对位CCD相机（4）完成捕捉，即实现曝光定位；
所述曝光对位MARK（8.1）和焦点检出MARK（8.2）中心重合；
所述曝光对位MARK（8.1）为圆环形状，其外径为0.5mm和内径为0.3mm；
所述焦点检出MARK（8.2）上的十字标记，为两个长度20um，宽度10um相互垂直交叉构成十字标记，其上的同心圆环宽度为10um,相邻同心圆环的间距为10um；
所述焦点检出MARK（8.2）为4个相间隔的同心圆环，其最外侧圆环的外径为180 um。
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