JP2009300543A - 露光描画装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ダイレクト方式においても十分な塵埃除去効果を得ることができる露光描画装置を提供すること。
【解決手段】露光描画装置１０は基板ＳＷに対しパターンを直接描画するダイレクト方式の露光装置である。露光描画装置１０は、基板ＳＷを載置する描画テーブル１３が設けられた基台１１と、描画光学系２０が収納されたゲート状構造体１２とを備えている。ゲート状構造体１２には、基板ＳＷの表面に接触して基板の表面に付着した塵埃を除去する粘着ローラ３１と、この粘着ローラ３１が基板ＳＷに対して一定の圧力で接するように付勢するコイルばね３２とを含むクリーニングユニット３０が設けられている。粘着ローラ３１は、描画ビームが照射される直前に基板ＳＷの描画対象領域の塵埃を除去するように、描画テーブル１３上の基板ＳＷの進行方向に対して描画ビームより先行した位置で描画光学系２０に近接して設けられている。
【選択図】図１

Description

本発明は、電子回路基板、液晶素子用ガラス基板、ＰＤＰ用ガラス素子基板等の表面に感光材料層が形成されている平面基板の表面に、パターンを露光して描画する露光描画装置に関する。

電子回路基板（プリント回路基板）は、例えば、携帯電話，各種モバイル機器，パーソナルコンピュータ等の電子機器に搭載されているが、これらの電子機器の小型化等に伴い、基板上に形成される回路の集積度を高める要求があり、配線，接続用ランド，ビア等のパターンについても、微細化が要求されている。

電子回路基板にパターンを形成する装置としては、マスクをフォトレジストが塗布された基板上に密着させてマスク上から露光するコンタクト方式の露光装置と、パターンの描画データに基づいて制御されるビームにより基板に塗布されたフォトレジスト上にパターンを直接描画するダイレクト方式の露光描画装置とが知られている。いずれの方式でも、正確な微細パターンを形成するためには、基板上に付着した塵埃等の異物を除去する必要がある。

コンタクト方式では、例えば下記の特許文献１及び２に開示されるように、マスク(原
板)と基板とを露光装置に搬送する過程で、マスク及び基板の表面に付着した塵埃を除去
する手段が知られている。コンタクト方式では、塵埃を除去した後にマスクと基板とを密着させるため、その後、露光光が照射されるまでの間に塵埃が基板に付着するおそれはない。

特許２８４７８０８号公報 特許３５３３３８０号公報

しかしながら、コンタクト方式では、レジストの種類によってはレジストが露光マスクに付着したり、前回以前の被露光基板に付着していた塵埃が露光マスクに付着したりするため、レジストや塵埃が付着したマスクを交換することによるコストアップを招き、かつ、レジストが剥離した部分の基板のパターン欠損による歩留まりの低下が問題となる。

一方、ダイレクト方式では、例えば上記の文献に開示されるように搬送過程で塵埃除去手段を設けたとしても、基板表面は露出した状態で露光装置まで搬送されるため、露光までの間に、冷却風に含まれる塵埃が付着したり、搬送による振動により剥離したレジストが他の部位に塵埃として付着したりする可能性があり、上記文献に開示される手段では、十分な塵埃対策を講じることができないという問題があった。

本発明は、上記の問題を解決するため、ダイレクト方式においても十分な塵埃除去効果を得ることができる露光描画装置を提供することを目的とする。

本発明にかかる露光描画装置は、上記の目的を達成するため、基板に複数の描画ビームを照射してパターンを描画する露光描画装置において、光源から発するビームを複数の光空間変調素子によりパターンに相当する画像情報に基づいて変調し、一列に配列した複数
の描画ビームとして基板上に照射する描画光学系と、基板を載置する描画テーブルと、描画光学系と描画テーブルとを描画ビームの照射中に相対的に描画ビームの配列方向とは直交する方向に移動させる移動機構と、基板の表面に付着した塵埃を除去する塵埃除去手段とを備え、塵埃除去手段は、描画ビームが照射される直前に基板の描画対象領域の塵埃を除去するように、描画光学系に近接し、かつ、描画光学系と一体に描画テーブルに対して相対的に移動する位置に配設されていることを特徴とする。

塵埃除去手段は、例えば、基板の表面に接触して基板の表面に付着した塵埃を除去する塵埃除去ヘッドと、この塵埃除去ヘッドが基板に一定の圧力で接するように塵埃除去ヘッドを付勢する付勢手段とを有する構成とすることができる。また、塵埃除去ヘッドとしては、粘着ローラを用いることができる。

上記の本発明に係る露光描画装置によれば、塵埃除去手段が描画光学系に近接し、かつ、描画光学系と一体に描画テーブルに対して相対的に移動する位置に配設されているため、基板の描画対象領域の塵埃を除去した直後に描画ビームを照射することができ、ダイレクト方式においても十分な塵埃除去効果を得ることができる。したがって、基板上に塵埃のない状態で正確なパターンを描画することが可能となる。

以下、図面を参照して本発明にかかる露光描画装置の実施形態について説明する。最初に装置の全体構成を図１に基づいて説明する。図１は、本実施形態の露光描画装置１０の一部を破断して模式的に示した斜視図である。

図１に示すように、露光描画装置１０は、フォトレジスト等の感光材料を表面に塗布した基板ＳＷに対し、パターンの描画データに基づいて制御されるビームによりパターンを直接描画するダイレクト方式の露光装置である。露光描画装置１０は、基板ＳＷを載置する描画テーブル１３が設けられた基台１１と、描画光学系２０が収納されたゲート状構造体１２とを備えている。

描画光学系２０は、光源部２１から発するビームを複数の光空間変調素子によりパターンに相当する画像情報に基づいて変調し、図中のＹ方向に沿って一列に配列した複数の描画ビームとして基板ＳＷ上に照射する。

基台１１内には、描画光学系２０と描画テーブル１３とを描画ビームの照射中に相対的に描画ビームの配列するＹ方向とは直交するＸ方向に移動させるための図示せぬ移動機構が設けられている。この例では、基台１１上に描画テーブル１３が図中のＸ方向及びＹ方向に移動可能に設けられており、移動機構は、この描画テーブル１３をＸ方向及びＹ方向に駆動することができる。なお、描画テーブル１３を固定して、描画光学系２０を移動可能にしてもよい。

描画光学系２０は、ゲート状構造体１２の上部に形成された２つの箱体１２ａ，１２ｂ内にそれぞれ設けられた光源部２１と、この光源部から発したビームを４本に分割してそれぞれ変調して基板ＳＷ上に照射する変調投影部２２とから構成されている。なお、図１では、一方の光源部２１のみを示している。

光源部２１は、紫外光を発するＵＶランプ２１ａ、楕円ミラー２１ｂ、第１，第２平面ミラー２１ｃ，２１ｄ、コンデンサレンズ２１ｅ、フライアイレンズ２１ｆ、２×２で配列した４つの開口を有するアパーチャ２１ｇを備えている。ＵＶランプ２１ａから発した光は、楕円ミラー２１ｂにより図中の上方向に向けられ、第１平面ミラー２１ｃにより水
平方向に反射され、コンデンサレンズ２１ｅにより集光され、第２平面ミラー２１ｄにより下方向に反射され、フライアイレンズ２１ｆを介してパターン形成用のビームに矯正され、アパーチャ２１ｇを介して４本のビームに分割されて変調投影部２２に入射する。なお、光源部２１の光学系には、図示せぬシャッターが設けられている。

変調投影部２２は、図２に拡大して示したように、光源部２１から入射する４本のビームを２本ずつ水平に分離するプリズム２２ａと、プリズム２２ａにより分離されたビーム毎に設けられた変調投影光学系２３とを備えている。変調投影光学系２３は、１つの光源部、すなわち、４本のビームに対して４組、２つの光源部に対して合計８組設けられているが、各組とも配置は異なるものの光学系としての機能は同一であるため、ここでは図２の最も手前側の変調投影光学系２３についてのみ符号を付して説明する。

変調投影光学系２３は、第１，第２，第３平面ミラー２３ａ，２３ｂ，２３ｃ、第１，第２投影レンズ２３ｄ，２３ｅ、空間変調素子としてのＤＭＤ(Digital Micro-mirror Device)２３ｆ、両面ミラー２３ｇを備えている。プリズム２２により反射されたビームは
、第１平面ミラー２３ａにより直角に反射されて水平方向の光軸を持つ第１投影レンズ２３ｄに入射し、これを介して第２平面ミラー２３ｂにより下向きに反射される。ビームは両面ミラー２３ｇの図中上側のミラー面で反射されてＤＭＤ２３ｆに入射する。

ＤＭＤ２３ｆは、独立して２つの角度間での切り替えが可能な多数の微少ミラーが二次元配列した素子であり、一方の角度で反射光が第３平面ミラー２３ｃに向かい、他方の角度では第３平面ミラー２３ｃとは異なる方向に反射される。第３平面ミラー２３ｃに向かった光は、両面ミラー２３ｇの図中下側のミラー面で下向きに反射され、第２投影レンズ２３ｅを介してパターンを描画するに必要な所定の倍率と、光量にて、基板ＳＷに照射され、基板ＳＷ上の感光体を露光する。

変調投影光学系２３は、上記のように８組設けられているため、これらに含まれる８枚のＤＭＤ２３ｆの微少ミラーを投影するパターンに応じて制御することにより、選択的に反射されたビームにより所望のパターンに応じて基板ＳＷの一部をＹ方向(主走査方向)に沿う帯状に露光することができる。そして、描画光学系２０による露光と同期して描画テーブル１３をＸ方向(副走査方向)に一定速度で移動させることにより、基板ＳＷの全面に露光パターンを形成することができる。

ゲート状構造体１２には、図１に示すように、基板ＳＷの表面に付着した塵埃を除去するクリーニングユニット(塵埃除去手段)３０と、描画位置を調整するために基板ＳＷに形成されたアライメントマークを検出するための２台のカメラ４０とが設けられている。また、描画テーブル１３には、描画ビームの配列するＹ方向とほぼ平行に基板ＳＷを横断して配置され、描画テーブル１３上に載置された基板ＳＷを描画テーブル１３に押しつけて固定する複数、この例では２組の固定手段５０が設けられている。

次に、これらのクリーニングユニット３０及び固定手段５０の構成につき、図３〜図５を参照して説明する。図３は、露光描画装置１０のクリーニングユニット３０及び固定手段５０を描画テーブル１３の進行方向Ｘに対して直交する方向Ｙから見た側面図、図４は、これらを進行方向Ｘに沿って見た正面図、図５は、これらを上方から見た平面図である。なお、図４は、クリーニングユニット３０が固定手段を回避して基板ＳＷから離れた状態を示している。

クリーニングユニット３０は、図３及び図４に示されるように、露光描画装置１０のゲート状構造体１２に形成された垂下板１４に取り付けられている。クリーニングユニット３０は、基板ＳＷの表面に接触して基板の表面に付着した塵埃を除去する粘着ローラ３１
から成る塵埃除去ヘッドと、この粘着ローラ３１が基板ＳＷに対して一定の圧力で接するように付勢する付勢手段としてのコイルばね３２と、粘着ローラ３１の上下動をガイドするシリンダ３３とを備えている。コイルばね３２は、図４に示されるように複数設けられており、これにより、粘着ローラ３１を安定した状態で基板ＳＷの表面に接触させることができる。なお、クリーニングユニット３０には、粘着ローラ３１を上下動させて基板ＳＷに接触する作動位置と、非接触の待避位置との間で切り替える図示せぬ駆動機構が備えられている。また、クリーニングユニット３０の自重がある程度大きい場合には、付勢手段は必ずしも設けなくともよい。

粘着ローラ３１は、使用開始時に直径φ１００mm程度であり、表面に粘着材層が形成されており、図３に示されるように基板ＳＷに接触して基板ＳＷの移動に伴って回転し、基板上の塵埃を吸着する。また、クリーニングユニット３０には、粘着ローラ３１に接触する図示せぬ転写ローラが内蔵されており、粘着ローラ３１の表面に付着した塵埃を転写ローラに転写することにより、粘着ローラ３１による連続的な塵埃除去を可能としている。粘着ローラ３１は、基板ＳＷのＹ方向の幅をほぼカバーできる幅を有している。そして、粘着ローラの両端には、粘着ローラ３１より小径の倣いローラ３４が粘着ローラ３１と同軸で回転自在に取り付けられている。

クリーニングユニット３０の粘着ローラ３１は、図５に示されるように、描画ビームが照射される直前に基板ＳＷの描画対象領域の塵埃を除去するように、描画テーブル１３上の基板ＳＷの進行方向に対して描画ビームより先行した位置で描画光学系２０に近接して設けられている。また、クリーニングユニット３０は描画光学系２０と共にゲート状構造体１２に設けられているため、描画光学系２０と一体に描画テーブル１３に対して相対的に移動することとなる。なお、粘着ローラ３１は、コイルばね３２により所定の圧力で基板に接触しているため、基板の若干の反り等の変形については、基板ＳＷを粘着ローラ３１により描画テーブル１３に押しつけることにより矯正することができる。

続いて、固定手段５０について説明する。固定手段５０は、この例では、図１及び図５に示すように、描画ビームの配列方向と直交する方向の両端、すなわち、基板ＳＷの移動方向の両端に設けられている。各固定手段５０は、基板ＳＷに接触して押さえる押圧板５１と、基板ＳＷの幅より外の両側で押圧板５１に取り付けられた回避ブロック５２ａ，５２ｂと、押圧板５１及び回避ブロック５２ａ，５２ｂを一体に基板ＳＷに対して上下させる昇降機構５３ａ，５３ｂとにより構成されている。

押圧板５１は、図３に示すように、基板ＳＷを傷つけないように基板に接する角を面取りした矩形の断面形状を持つ板状構造体である。回避ブロック５２ａは、図１及び図５に示すように、クリーニングユニット３０の倣いローラ３４に対応する位置に配置されており、図３に示すように、側面形状は台形状に形成されている。昇降機構５３ａ，５３ｂは、モータを利用した機構、あるいは、エアシリンダや油圧シリンダを利用した機構であり、基板ＳＷを描画テーブル１３上に搭載し、あるいは、搬出する際には上昇して押圧板５１を基板ＳＷから離し、基板ＳＷが描画テーブルＳＷに搭載されると、基板に衝撃を加えないように、押圧板５１を下降させ、基板ＳＷをソフトに押さえつける。

露光描画中、基板ＳＷを載置して固定手段５０で固定した状態で描画テーブル１３がスライドし、固定手段５０がクリーニングユニット３０の位置に来ると、クリーニングユニット３０の倣いローラ３４が回避ブロック５２ａ，５２ｂの登り斜面に当たり、描画テーブル１３の移動に伴ってクリーニングユニット３０が上昇し、粘着ローラ３１が基板ＳＷから離れ、倣いローラ３４が回避ブロックの平坦部分を倣う際には、図４に示されるように、粘着ローラ３１が押圧板５１に対して間隔δだけ離れる。粘着ローラ３１が押圧板５１を乗り越え、倣いローラ３４が回避ブロックの下り斜面を倣い始めると、粘着ローラ３
１が再び基板側に下降し、基板に接触して塵埃の除去作業が再開される。このように、回避ブロック５２ａ，５２ｂと倣いローラ３４との連携により、粘着ローラ３１と固定手段５０との衝突を回避することができる。すなわち、この例では、回避ブロック５２ａ，５２ｂと倣いローラ３４とが両者の衝突を回避させる待避手段として機能している。

なお、押圧板５１は、押圧板により固定される部分に識別記号等が記載されていてもカメラ４０により読み取り可能なように、透明なアクリル、あるいはガラスにより形成することが望ましい。ただし、基板の歪みが大きい等の理由で強固な固定力が必要で、かつ、固定される部分に識別記号等が記載されていないか、識別記号の読み取りが不要な場合には、エンジニアリング用樹脂、アルミニウム、もしくは鋼材等の不透明な材料で形成してもよい。

さらに、固定手段５０の少なくとも一方は、描画ビームの配列方向Ｙと直交するＸ方向にスライド可能に形成されていて、基板ＳＷのサイズに差がある場合にも、基板の両端で固定することができる。この場合には、固定手段の昇降機構をスライドレールに載せ、手動でＸ方向の位置を調整してもよいが、通常投入される基板の品種が変わると基板サイズも100mm程度の幅で変化するので、長ストロークに渡って固定位置を調整できるように、
ボールねじとモータを利用した駆動機構により、自動的に位置を調整できることが望ましい。さらに、固定手段５０の移動手段としてはエアシリンダ等を用いることもできる。

次に、上記の露光描画装置の制御機構について図６に示すブロック図に基づいて説明する。この制御機構６０は、全体の制御を司るシステムコントロール回路６１を中心に、描画テーブル１８の駆動を制御するテーブル制御部６２、描画光学系２０のＤＭＤ２３ｆを制御するＤＭＤ制御部６３、光源部２１を制御する光源制御部６４、クリーニングユニット３０を制御するクリーニングユニット制御部６５、固定手段５０を制御する固定手段制御部６６、入力されるＣＡＤ用のパターンデータを描画用のラスタデータに変換するラスタ変換部６７、アライメントマークを観察するカメラ４０を制御するアライメントマーク観察制御部６８を備えている。

テーブル制御部６２は、システムコントロール回路６１からの指令により、位置検出部６９からのフィードバックを受けつつＸ方向駆動機構１３ａ、及びＹ方向駆動機構１３ｂを制御して基板ＳＷが載置された描画テーブル１３を所定の位置に設定し、あるいは、所定の速度で移動させる。

続いて、上記の制御機構６０による制御を含む実施形態の露光描画装置１０の作動を図７に示すフローチャートに従って説明する。処理が開始されて基板ＳＷが投入されると(S01)、システムコントロール回路６１は、露光対象の基板ＳＷの品種データに基づいてス
ライド可能な固定手段５０を移動させ(S02)、基板ＳＷの両端を固定する。ステップS02では、駆動機構を用いて自動的に移動させることを前提にしているが、手動で設定してもよい。

次に、システムコントロール回路６１は、基板固定手段制御部６６を介して固定手段５０により基板ＳＷを固定するように駆動する(S03)。その結果、基板ＳＷが描画テーブル
１３に固定される(S04)。システムコントロール回路６１は、クリーニングユニット制御
部６５を介してクリーニングユニット３０の粘着ローラ３１を下降させ(S05)、基板ＳＷ
に接触させる。これにより、描画の準備が完了する。

続いて、システムコントロール回路６１は、光源制御部６４を介して光源部２１の図示せぬシャッターを開いてビーム照射を開始させ(S06)、テーブル制御部６２を介して描画
テーブル１３を所定の速度で移動開始する(S07)。それと同時に、システムコントロール
回路６１は、ＤＭＤ制御部６３を制御して、ラスタ変換部６７から入力される描画データを内蔵するビットマップメモリ６３ａに展開し、描画テーブル１３の移動に同期して各ＤＭＤ２３ｆを描画データに従って制御する。これにより、基板ＳＷ上の感光体がパターンに応じて露光される。

露光中に倣いローラ３４が回避ブロック５２ａ，５２ｂに接触すると(S08, Yes)、クリーニングユニット３０が上昇して固定手段５０を回避し(S09)、倣いローラ３４が回避ブ
ロック５２ａ，５２ｂから離脱すると(S10, Yes)、クリーニングユニット３０が下降して再び塵埃の除去が開始される(S11)。上記の動作を描画終了地点まで繰り返し、描画ビー
ムが描画終了地点に達すると(S12, Yes)、システムコントロール回路６１は、光源制御部６４を介して光源部２１のシャッターを閉じてビーム照射を遮断し(S13)、テーブル制御
部６２を介して描画テーブル１３を停止させ(S14)、クリーニングユニット制御部６５を
介してクリーニングユニット３０の粘着ローラ３１を上昇させ(S15)、基板固定手段制御
部６６を介して固定手段５０による基板ＳＷの固定を解除する(S16)。露光後の基板ＳＷ
は、描画テーブル１３から搬出され、現像等の次工程に搬送される。

上記の実施形態によれば、クリーニングユニット３０が露光の直前に塵埃を除去するため、露光時に基板ＳＷに塵埃が残存する可能性が低く、塵埃のない状態で正確なパターンを描画することができる。
また、固定手段５０により基板ＳＷを押さえるようにしたため、前処理で基板ＳＷに歪みが生じた場合にも、歪みを矯正して高い平面度を保ちながら描画することができ、より正確なパターンの描画が可能となる。
さらに、待避手段を設けたため、固定手段５０により基板を描画テーブルに固定した場合にも、クリーニングユニット３０と固定手段５０との接触を避けることができ、クリーニングユニット３０と固定手段５０とを同時に設けても作業には支障がなく、両者の効果を十分に発揮させることができる。

なお、上記の実施形態では、固定手段５０がＸ方向の両端に配置された例について説明したが、基板ＳＷの歪みが大きい場合等には、図８に示すように、両端のみでなく、中間部のパターン非形成位置にも固定手段５０を配置することが望ましい。

ただし、基板ＳＷが若干の変形のために描画テーブル１３から浮き上がった程度である場合には、両端の固定手段５０を固定した状態でクリーニングユニット３０を下降させて描画テーブル１３を移動させると、クリーニングユニット３０の粘着ローラ３１が基板ＳＷの表面に接触して塵埃を転写すると同時に、基板ＳＷを平面に矯正することができる。したがって、クリーニングユニット３０による塵埃の除去と同時に基板ＳＷを描画テーブル１３に押し付け、その間に描画テーブルが備えている真空排気によって基板ＳＷを描画テーブル１３に吸着させ、固定することができる。なお、基板の両端に位置する固定手段５０には、基板ＳＷと描画テーブル１３との間に貯まる空気を排出するため、複数の空気排出孔を設けることが望ましい。

また、上記の実施形態では、回避ブロックを押圧板５１に取り付けているが、昇降機構５３ａ，５３ｂに沿って基板ＳＷと平行に独立して設置してもよい。

さらに、固定手段５０としては、断面矩形の押圧板５１を利用する例のみを説明したが、図９〜図１１に示すような構成を採用することも可能である。図９〜図１１は、それぞれ固定手段の変形例を示す図３と同様の側面図である。図９の例では、基板ＳＷを押さえる部材として断面が円形の押圧棒５４ａを用いている。押圧棒５４ａを支持するアーム５４ｂは、シリンダを用いた昇降機構５４ｃに取り付けられ、この昇降機構５４ｃはＹ方向にスライド可能にスライドレール５４ｄに載せられている。

図１０の例では、非接触で基板ＳＷを押さえつけるため、押え板５５ａの内部に断面円形のパイプ５５ｂを通し、このパイプ５５ｂの基板側に通気孔５５ｃを形成している。また、図１１の例では、押さえ板５６ａの内部に矩形の空間５６ｂを形成し、この空間５６ｂの基板側に通気孔５６ｃを形成している。これらの構成では、パイプ５５ｂ、あるいは、空間５６ｂ内に不活性ガスもしくは圧縮空気等の気体を送り込み、通気孔５５ｃ、５６ｃから噴出させることにより、気体の圧力を利用して基板を押さえつけ、基板ＳＷの歪みを解消することができる。

本発明の実施形態に係る露光描画装置の一部を破断して示す斜視図である。 図１の装置の描画光学系を取り出して示した斜視図である。 図１の装置の塵埃除去手段及び固定手段をテーブルの進行方向に対して直交する方向から見た側面図である。 図１の装置の塵埃除去手段をテーブルの進行方向に沿って見た正面図である。 図１の装置を上方から見た平面図である。 図１の装置の制御機構を示すブロック図である。 図６の制御機構の作動を示すフローチャートである。 図１の装置の固定手段の他の配置例を示す平面図である。 図１の装置の固定手段の第１の変形例を示す側面断面図である。 図１の装置の固定手段の第２の変形例を示す側面断面図である。 図１の装置の固定手段の第３の変形例を示す側面断面図である。

符号の説明

１０ 露光描画装置
ＳＷ 基板
１１ 基台
１２ ゲート状構造体
１３ 描画テーブル
２０ 描画光学系
２１ 光源部
２２ 変調投影部
２２ａ プリズム
２３ 変調投影光学系
２３ａ，２３ｂ，２３ｃ 第１，第２，第３平面ミラー
２３ｄ，２３ｅ 第１，第２投影レンズ
２３ｆ ＤＭＤ
２３ｇ 両面ミラー
３０ クリーニングユニット
３１ 粘着ローラ
３２ コイルばね
３３ シリンダ
３４ 倣いローラ
４０ カメラ
５０ 固定手段
５１ 押圧板
５２ａ，５２ｂ 回避ブロック
５３ａ，５３ｂ 昇降機構
６０ 制御機構
６１ システムコントロール回路
６２ テーブル制御部
６３ ＤＭＤ制御部
６４ 光源制御部
６５ クリーニングユニット制御部
６６ 固定手段制御部
６７ ラスタ変換部
６８ アライメントマーク観察制御部

Claims (3)

1. 基板に複数の描画ビームを照射してパターンを描画する露光描画装置において、
   光源から発するビームを複数の光空間変調素子により前記パターンに相当する画像情報に基づいて変調し、一列に配列した複数の描画ビームとして前記基板上に照射する描画光学系と、
   前記基板を載置する描画テーブルと、
   前記描画光学系と前記描画テーブルとを前記描画ビームの照射中に相対的に前記描画ビームの配列方向とは直交する方向に移動させる移動機構と、
   前記基板の表面に付着した塵埃を除去する塵埃除去手段とを備え、
   前記塵埃除去手段は、前記描画ビームが照射される直前に前記基板の描画対象領域の塵埃を除去するように、前記描画光学系に近接し、かつ、前記描画光学系と一体に前記描画テーブルに対して相対的に移動する位置に配設されていることを特徴とする露光描画装置。
2. 前記塵埃除去手段は、前記基板の表面に接触して該基板の表面に付着した塵埃を除去する塵埃除去ヘッドと、該塵埃除去ヘッドが前記基板に一定の圧力で接するように前記塵埃除去ヘッドを付勢する付勢手段を有することを特徴とする請求項１に記載の露光描画装置。
3. 前記塵埃除去ヘッドは、粘着ローラからなることを特徴とする請求項２に記載の露光描画装置。

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