KR101458208B1 - 마스크리스 패턴 형성장치 및 패턴을 형성하는 방법 - Google Patents

마스크리스 패턴 형성장치 및 패턴을 형성하는 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 마스크리스 패턴 형성장치 및 패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로, 저해상도 패턴인 제 1 패턴을 대상물에 1차적으로 인쇄하고, 레이저 광으로 상기 제 1 패턴의 일부를 제거하여 고해상도 패턴인 제 2 패턴을 형성하여 종래 기술과 같은 현상 공정이 필요가 없어 공정을 단순화시킬 수 있으며, 패턴의 해상도를 높일 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명은 대상물에 필요한 패턴 영역에만 제 1 패턴을 형성하여, 글래스 전체를 포토레지스트를 인쇄 및 도포하는 종래 기술과 대비하여 재료의 소모량을 현저하게 줄여 비용을 절감할 수 있게 된다.
그리고, 본 발명은 하나의 장치에서 인쇄, 건조 및 제거를 동시에 수행할 수 있는 장점이 있는 것이다.
패턴, 건조, 인쇄, 레이저, 제거, 해상도

Description

마스크리스 패턴 형성장치 및 패턴을 형성하는 방법 { Maskless pattern forming apparatus and method for forming a pattern }
본 발명은 마스크리스 패턴 형성장치 및 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.
최근, 정보화 사회로 시대가 급발전함에 따라 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 갖는 평판 표시(Flat panel display) 패널의 필요성이 대두되었다.
이러한 필요성에 의하여 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), ELD(Electroluminescent Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display) 등과 같은 화상 표시 패널이 개발되었다.
이 중 액정표시(Liquid Crystal Display, LCD) 패널은 해상도, 컬러표시, 화질 등에서 우수하여 노트북이나 데스크탑 모니터에 활발하게 적용되고 있다.
한편, 표시 패널은 소비자의 요구에 따라 대형화되면서 다양한 공정 설비가 개발되어지고 있으며, 신공법을 이용한 설비들이 개발되고 있다.
특히, 노광 장비는 각 표시 패널에서 패턴을 형성하기 위한 핵심적인 장비이며, 조명장치의 광을 입사받아 포토마스크의 패턴을 투과하여 노광시킬 막에 결상시켜 노광시키는 기능을 수행한다.
도 1은 종래 기술에 따른 패턴을 형성하는 방법을 설명하기 위한 개략적인 공정 흐름도로서, 먼저, 대상물에 포토레지스트막을 인쇄한다.(S10단계)
그 후, 상기 인쇄된 포토레지스트막을 건조한다.(S20단계)
연이어, 상기 건조된 포토레지스트막에 패턴된 광으로 노광한다.(S30단계)
상기 S30단계의 노광 공정은 마스크를 이용한 노광 공정을 수행하거나 또는, 마스크를 개재 없이 노광하는 마스크리스(Maskless) 공정을 수행한다.
이 후, 상기 노광된 포토레지스트막을 현상하여 상기 대상물에 패턴을 형성한다.(S40단계)
이러한, 종래 기술의 패턴 형성 방법은 노광 장비에서 노광 공정을 수행하는데, 노광 장비에는 대상물에 포토레지스트막이 형성되어야 하고, 노광 공정을 수행한 후, 현상 공정을 수행해야 하기 때문에, 공정이 복잡하고 생산성이 떨어지는 문제점이 있다.
본 발명은 공정이 복잡하고 생산성이 저하되는 문제점을 해결하는 것이다.
본 발명의 바람직한 양태(樣態)는,
대상물에 제 1 패턴을 갖는 막을 인쇄하는 패턴 인쇄부와;
레이저 광을 조사하여 상기 패턴 인쇄부에 의해 인쇄된 상기 제 1 패턴을 갖는 막의 일부를 제거하여 제 2 패턴을 갖는 막을 형성하는 레이저광 조사부로 구성된 마스크리스 패턴 형성장치가 제공된다.
본 발명의 바람직한 다른 양태(樣態)는,
대상물에 제 1 패턴을 갖는 막을 인쇄하는 단계와;
상기 제 1 패턴을 갖는 막을 건조시키는 단계와;
상기 제 1 패턴을 갖는 막의 일부에 레이저 광을 조사하여, 조사된 제 1 패턴을 갖는 막을 제거하여 제 2 패턴을 갖는 막을 형성하는 단계로 이루어진 패턴을 형성하는 방법이 제공된다.
본 발명은 저해상도 패턴인 제 1 패턴을 대상물에 1차적으로 인쇄하고, 레이저 광으로 상기 제 1 패턴의 일부를 제거하여 고해상도 패턴인 제 2 패턴을 형성하여 종래 기술과 같은 현상 공정이 필요가 없어 공정을 단순화시킬 수 있으며, 패턴 의 해상도를 높일 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 대상물에 필요한 패턴 영역에만 제 1 패턴을 형성하여, 글래스 전체를 포토레지스트를 인쇄 및 도포하는 종래 기술과 대비하여 재료의 소모량을 현저하게 줄여 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
더불어, 본 발명은 하나의 장치에서 인쇄, 건조 및 제거를 동시에 수행할 수 있는 효과가 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명에 따른 마스크리스(Maskless) 패턴 형성장치의 개략적인 구성을 도시한 도면으로서, 대상물에 제 1 패턴을 갖는 막(310)을 인쇄하는 패턴 인쇄부(100)와; 레이저 광을 조사하여 상기 제 1 패턴을 갖는 막(310)의 일부를 제거하여 제 2 패턴을 갖는 막을 형성하는 레이저광 조사부(200)로 구성된다.
여기서, 상기 레이저광 조사부(200)에서 레이저광이 상기 제 1 패턴을 갖는 막의 일부에 조사되면, 조사된 제 1 패턴을 갖는 영역은 레이저광의 에너지에 의해 제거되는 것이다.
그리고, 상기 패턴 인쇄부(100)는 잉크젯 인쇄부인 것이 바람직하다.
또, 상기 레이저광 조사부(200)는 패턴화된 레이저광을 조사하는 레이저광 조사부인 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 레이저광 조사부(200)는 패턴화된 레이저광을 상기 제 1 패턴을 갖는 막에 조사하여, 한 번의 레이저광 조사로 상기 제 1 패턴을 갖는 막의 여러 영역을 동시에 제거할 수 있는 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 패턴을 형성하는 방법을 설명하기 위한 개략적인 공정 흐름도로서, 대상물에 제 1 패턴을 갖는 막을 인쇄한다.(S100단계)
여기서, 상기 대상물은 글래스, 웨이퍼, 테이프 중 하나가 바람직하고, 이외의 다른 대상물도 본 발명의 범위에 포함된다 할 것이다.
그 후, 상기 제 1 패턴을 갖는 막을 건조시킨다.(S110단계)
연이어, 상기 제 1 패턴을 갖는 막의 일부에 레이저 광을 조사하여, 조사된 제 1 패턴을 갖는 막을 제거하여 제 2 패턴을 갖는 막을 형성한다.(S120단계)
상기 제 1 패턴을 갖는 막은 포토레지스트막인 것이 바람직하다.
그리고, 상기 제 1 패턴은 저해상도 패턴이고, 상기 제 2 패턴은 고해상도 패턴인 것이 바람직하다.
즉, 상기 제 2 패턴은 상기 제 1 패턴보다 고해상도 패턴인 것이다.
그러므로, 본 발명은 저해상도 패턴인 제 1 패턴을 대상물에 1차적으로 인쇄하고, 레이저 광으로 상기 제 1 패턴의 일부를 제거하여 고해상도 패턴인 제 2 패턴을 형성하는 것이다.
결국, 본 발명은 종래 기술과 같은 현상 공정이 필요가 없어 공정을 단순화시킬 수 있으며, 패턴의 해상도를 높일 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명은 대상물에 필요한 패턴 영역에만 제 1 패턴을 형성하여, 글래스 전체를 포토레지스트를 인쇄 및 도포하는 종래 기술과 대비하여 재료의 소모량을 현저하게 줄여 비용을 절감할 수 있는 장점이 있다.
도 4a와 4b는 본 발명에 따라 마스크리스 패턴 형성장치로 패턴을 형성하는 방법을 설명하기 위한 개략적인 공정 모식도로서, 도 4a에 도시된 바와 같이, 대상물(300)에 패턴 인쇄부(100)로 제 1 패턴을 갖는 막(310)을 인쇄한다.(도 4a)
그 후, 레이저광 조사부(200)로 상기 제 1 패턴을 갖는 막(310)의 일부에 레이저 광을 조사하고, 조사된 제 1 패턴을 갖는 막을 제거하여 제 2 패턴을 갖는 막(320)을 형성한다.(도 4b)
여기서, 도 4b에서는 상기 레이저광 조사부(200)의 레이저 광이 제 1 패턴을 갖는 막(310)의 국부적인 영역에만 조사된 것으로 도시되어 있으나, 상기 레이저광 조사부(200)의 레이저 광은 상기 제 1 패턴을 갖는 막(310)에서 보다 더 넓은 범위에 조사될 수 있다.
그리고, 도 4b의 점선은 조사된 레이저 광으로 상기 제 1 패턴을 갖는 막(310)의 영역이 제거된 것을 도시한 것이다.
도 5는 본 발명에 따라 레이저광 조사부의 개략적인 구성을 도시한 도면으로서, 레이저광 조사부(200)는 레이저 광을 출사하는 광원(210)과, 상기 광원(210)에서 출사된 광을 패턴을 갖는 광으로 반사시키는 공간 광 변조기(Spatial Light Modulator, SLM)(220)와, 상기 공간 광 변조기(220)에서 반사된 패턴을 갖는 광을 복수개의 광들로 분리하여 집광시키도록, 복수개의 렌즈들이 어레이된 멀티 어레이 렌즈(Multi Array Lens, MAL)(230)와, 상기 멀티 어레이 렌즈(230)에서 집광된 광들의 해상도를 조정하여 투과시키는 프로젝션 렌즈(240)로 구성된다.
상기 공간 광 변조기(220)는 디지털 마이크로미러 소자(Digital Micromirror Divice, DMD)인 것이 바람직하다.
이렇게 구성된 레이저광 조사부(200)는 상기 광원(210)에서 레이저 광을 출사하고, 상기 공간 광 변조기(220)에서 상기 광원(210)에서 출사된 레이저 광을 패턴을 갖는 광으로 반사시킨다.
그리고, 상기 공간 광 변조기(220)에서 반사된 패턴을 갖는 광을 상기 멀티 어레이 렌즈(230)에서 복수개의 광들로 분리하여 집광시키고, 상기 프로젝션 렌즈(240)는 상기 멀티 어레이 렌즈(230)에서 집광된 광들의 해상도를 조정하여 투과시킴으로써, 패턴된 레이저광을 막에 조사할 수 있는 것이다.
도 6a와 6b는 본 발명에 따라 마스크리스 패턴 형성장치에 건조부가 구비되어 있는 것을 설명하기 위한 개략적인 단면도로서, 본 발명의 마스크리스 패턴 형성장치는 대상물에 형성된 제 1 패턴을 갖는 막을 건조시킬 수 있는 건조부가 마련되어 있는 것이 바람직하다.
이때, 도 6a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 마스크리스 패턴 형성장치는 대상물을 올려놓을 수 있는 워크척(Work Chuck)(500)이 마련되어 있고, 이 워크척(500)에 상기 건조부를 장착하여 구성할 수 있다.
그러므로, 상기 워크척(500) 상부에 대상물을 올려놓고, 상기 대상물에 제 1 패턴을 갖는 막을 인쇄한 후, 상기 제 1 패턴을 갖는 막을 건조시킬 수 있게 된다.
그 후, 상기 제 1 패턴을 갖는 막의 일부에 레이저 광을 조사하여, 조사된 제 1 패턴을 갖는 막을 제거하여 제 2 패턴을 갖는 막을 형성하는 것이다.
결국, 본 발명의 마스크리스 패턴 형성장치는 하나의 장치에서 인쇄, 건조 및 제거를 동시에 수행할 수 있게 된다.
또, 도 6a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 마스크리스 패턴 형성장치는 대상물에 형성된 제 1 패턴을 갖는 막을 건조시킬 수 있도록 자외선 광원(600)을 포함하고 있는 것이 바람직하다.
그러므로, 상기 대상물에 상기 제 1 패턴을 갖는 막이 인쇄된 후, 즉시 상기 자외선 광원(600)에서 자외선을 상기 제 1 패턴을 갖는 막에 조사하여 제 1 패턴을 갖는 막을 건조시킬 수 있는 것이다.
도 7a와 7b는 본 발명에 따라 제 1 패턴의 막과 제 2 패턴을 막을 도시한 평면도로서, 전술된 바와 같이, 제 1 패턴의 막은 대상물 상부에 인쇄공정으로 형성 되는 것이고, 제 2 패턴의 막은 상기 제 1 패턴의 막의 일부에 조사된 레이저 광으로 제거되어 형성된다.
그러므로, 상기 제 1 패턴의 막은 상기 대상물 상부에 형성된 1차적인 패턴이고, 이 1차적인 패턴의 일부를 레이저광으로 제거하여 2차적인 패턴을 형성하는 것이다.
도 7a와 같이, 복수개의 스트라이프 패턴(331,332,333)으로 인쇄된 막이 상기 제 1 패턴의 막(330)이면, 상기 제 1 패턴의 막(330)의 일부가 제거되면, 도 7b에 도시된 바와 같은 제 2 패턴의 막(330a)이 형성된다.
여기서, 상기 제 2 패턴의 막(330a)은 상기 제 1 패턴의 막(330)의 일부가 제거된 영역(331b,331c,332b,332c,333b,333c)이 있어, 상기 제 1 패턴의 막(330)과는 다른 패턴 형상이다.
이때, 상기 제 1 패턴의 막(330)을 잉크젯 인쇄부를 이용하여 저해상도도 패터닝하고, 레이저 광을 조사하여 도 7b와 같은 고해상도의 제 2 패턴의 막(330a)을 형성하는 것이다.
그러므로, 본 발명은 멀티 해상도를 구현할 수 있는 것이다.
예컨대, 30㎛급 패터닝이 가능한 잉크젯 인쇄부와 5㎛급 레이저광 조사부로 다양한 해상도를 동시에 구현할 수 있다.
따라서, 본 발명은 해상도 조성을 통한 장비 운용 시간(Tact time)을 절감할 수 있고, 패턴의 결함을 수정할 수도 있다.
본 발명은 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 패턴을 형성하는 방법을 설명하기 위한 개략적인 공정 흐름도
도 2는 본 발명에 따른 마스크리스(Maskless) 패턴 형성장치의 개략적인 구성을 도시한 도면
도 3은 본 발명에 따른 패턴을 형성하는 방법을 설명하기 위한 개략적인 공정 흐름도
도 4a와 4b는 본 발명에 따라 마스크리스 패턴 형성장치로 패턴을 형성하는 방법을 설명하기 위한 개략적인 공정 모식도
도 5는 본 발명에 따라 레이저광 조사부의 개략적인 구성을 도시한 도면
도 6a와 6b는 본 발명에 따라 마스크리스 패턴 형성장치에 건조부가 구비되어 있는 것을 설명하기 위한 개략적인 단면도
도 7a와 7b는 본 발명에 따라 제 1 패턴의 막과 제 2 패턴을 막을 도시한 평면도

Claims (10)

  1. 대상물에 제 1 패턴을 갖는 막을 인쇄하는 잉크젯 인쇄부와;
    상기 대상물의 이동 방향을 기준으로 상기 잉크젯 인쇄부의 후단에 위치하며, 레이저 광을 조사하여 상기 잉크젯 인쇄부에 의해 인쇄된 상기 제 1 패턴을 갖는 막의 일부를 제거하여 제 2 패턴을 갖는 막을 형성하는 레이저광 조사부로 구성되고,
    상기 레이저광 조사부는,
    레이저 광을 출사하는 광원과,
    상기 광원에서 출사된 광을 패턴을 갖는 광으로 반사시키는 공간 광 변조기(Spatial Light Modulator, SLM)와,
    상기 공간 광 변조기에서 반사된 패턴을 갖는 광을 복수개의 광들로 분리하여 집광시키도록, 복수개의 렌즈들이 어레이된 멀티 어레이 렌즈(Multi Array Lens, MAL)와,
    상기 멀티 어레이 렌즈에서 집광된 광들의 해상도를 조정하여 투과시키는 프로젝션 렌즈로 구성된 마스크리스 패턴 형성장치.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 공간 광 변조기는,
    디지털 마이크로미러 소자(Digital Micromirror Divice, DMD)인 것을 특징으로 하는 마스크리스 패턴 형성장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 1 패턴을 갖는 막을 건조시킬 수 있는 건조부가 더 구비된 것을 특징으로 하는 마스크리스 패턴 형성장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 대상물을 올려놓을 수 있는 워크척(Work Chuck)이 더 구비되어 있고,
    상기 워크척에 상기 건조부가 장착되어 있는 것을 특징으로 하는 마스크리스 패턴 형성장치.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 건조부는,
    자외선 광원인 것을 특징으로 하는 마스크리스 패턴 형성장치.
  7. 삭제
  8. 대상물에 잉크젯 인쇄부를 이용하여 제 1 패턴을 갖는 막을 인쇄하는 단계와;
    상기 제 1 패턴을 갖는 막을 건조시키는 단계와;
    상기 제 1 패턴을 갖는 막의 일부에 레이저광 조사부를 이용하여 레이저 광을 조사하여, 조사된 제 1 패턴을 갖는 막을 제거하여 제 2 패턴을 갖는 막을 형성하는 단계로 이루어지고,
    상기 레이저광 조사부는 레이저 광을 출사하는 광원과, 상기 광원에서 출사된 광을 패턴을 갖는 광으로 반사시키는 공간 광 변조기(Spatial Light Modulator, SLM)와, 상기 공간 광 변조기에서 반사된 패턴을 갖는 광을 복수개의 광들로 분리하여 집광시키도록, 복수개의 렌즈들이 어레이된 멀티 어레이 렌즈(Multi Array Lens, MAL)와, 상기 멀티 어레이 렌즈에서 집광된 광들의 해상도를 조정하여 투과시키는 프로젝션 렌즈로 구성되는 패턴을 형성하는 방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 제 2 패턴은,
    상기 제 1 패턴보다 고해상도 패턴인 것을 특징으로 하는 패턴을 형성하는 방법.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 대상물은,
    글래스, 웨이퍼, 테이프 중 하나인 것을 특징으로 하는 패턴을 형성하는 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101257156B1 (ko) * 2010-11-11 2013-04-22 한양대학교 에리카산학협력단 레이저 기반의 고해상도 잉크젯 패턴 형성 방법 및 그에 의한 기판 제조물
KR101425559B1 (ko) * 2013-03-21 2014-08-04 (주)파트론 도체 패턴 형성방법
KR20160049171A (ko) 2014-10-24 2016-05-09 삼성디스플레이 주식회사 마스크리스 노광 장치, 마스크리스 노광 방법 및 이에 의해 제조되는 표시 기판

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100562804B1 (ko) 2003-05-30 2006-03-21 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. 공간 광 변조기 배열을 사용하는 마스크리스 리소그래피시스템 및 방법
KR20070014068A (ko) * 2005-07-27 2007-01-31 히다치 비아 메카닉스 가부시키가이샤 노광 장치 및 노광 방법 및 배선 기판의 제조 방법
KR100756085B1 (ko) 2003-07-31 2007-09-05 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. 물체 상에 그레이 스케일을 생성하는 방법 및 마스크리스 리소그래피 시스템
KR20070111975A (ko) * 2006-05-19 2007-11-22 미쿠니 일렉트론 컴퍼니 리미티드 하프톤 노광법을 사용한 액정표시장치의 제조법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100562804B1 (ko) 2003-05-30 2006-03-21 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. 공간 광 변조기 배열을 사용하는 마스크리스 리소그래피시스템 및 방법
KR100756085B1 (ko) 2003-07-31 2007-09-05 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. 물체 상에 그레이 스케일을 생성하는 방법 및 마스크리스 리소그래피 시스템
KR20070014068A (ko) * 2005-07-27 2007-01-31 히다치 비아 메카닉스 가부시키가이샤 노광 장치 및 노광 방법 및 배선 기판의 제조 방법
KR20070111975A (ko) * 2006-05-19 2007-11-22 미쿠니 일렉트론 컴퍼니 리미티드 하프톤 노광법을 사용한 액정표시장치의 제조법

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