CN101258448A

CN101258448A - 曝光装置

Info

Publication number: CN101258448A
Application number: CNA2006800323764A
Authority: CN
Inventors: 梶山康一; 渡边由雄
Original assignee: V Technology Co Ltd
Current assignee: V Technology Co Ltd
Priority date: 2005-10-07
Filing date: 2006-09-25
Publication date: 2008-09-03
Anticipated expiration: 2026-09-25
Also published as: JP2007102094A; TWI446122B; TW200731031A; WO2007043324A1; KR20080053481A; CN101258448B; JP4754924B2; KR101205522B1

Abstract

本发明提供一种曝光装置，利用拍摄装置3在同一视场内分别捕捉并拍摄形成在滤色基板6上的基板侧对准标记和形成在光掩膜7上的掩膜侧对准标记，基于该拍摄到的基板侧和掩膜侧对准标记的各图像，相对移动载物台1和掩膜载物台2，对滤色基板6与光掩膜7进行对位后进行曝光，并且具有光学距离修正装置4，该光学距离修正装置4使拍摄装置3的线阵CCD22与滤色基板6之间的光学距离和拍摄装置3的线阵CCD22与光掩膜7之间的光学距离大致一致。由此，缩短基板和光掩膜的对位的处理时间。

Description

曝光装置

技术领域

本发明涉及分别拍摄基板和光掩膜的对准标记，基于它们的图像对基板与光掩膜进行对位后曝光的曝光装置，详细地说，涉及这样的曝光装置：使基板和光掩膜的各对准标记同时成像在拍摄装置的受光面上，以缩短对位的处理时间。

背景技术

现有的曝光装置具有：在上表面载置并保持着已涂覆了感光性树脂的基板的载物台；靠近并与该基板对置而保持光掩膜的掩膜载物台；拍摄装置，分别在同一视场内捕捉并拍摄形成在上述基板上的基板侧对准标记和形成在上述光掩膜上的掩膜侧对准标记，所述曝光装置首先在使掩膜侧对准标记成像在拍摄装置的受光面上的状态下移动拍摄装置，将掩膜侧对准标记定位在其视场内中央部，接着，在使基板侧对准标记成像在上述受光面上的状态下移动载物台，将基板侧对准标记定位在拍摄装置的视场内中央部，从而对基板与光掩膜进行对位(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：JP特开平5-196420号公报

发明内容

发明所要解决的问题

但是，在这样的现有曝光装置中，由于基板侧对准标记和掩膜侧对准标记的位置向拍摄装置的光轴方向偏移了，因此，不能同时将两对准标记成像在拍摄装置的受光面上。从而，在如上所述对基板和光掩膜进行对位的情况下，需要首先调整位置而使掩膜侧对准标记成像在拍摄装置的受光面上，接着调整位置而使基板侧对准标记成像在上述受光面上，导致对位的处理时间变长。

因此，本发明针对这样的问题点，目的在于提供一种缩短基板与光掩膜的对位的处理时间的曝光装置。

用于解决问题的方法

为了达到上述目的，本发明涉及的曝光装置具有：载物台，其在上表面载置并保持涂覆有感光性树脂的基板，掩膜载物台，其设置在上述载物台的上方，用于保持光掩膜，以使光掩膜靠近上述基板并与上述基板对置，拍摄装置，其分别将形成于上述基板上的基板侧对准标记和形成于上述光掩膜上的掩膜侧对准标记捕捉到同一视场内，并进行拍摄；上述曝光装置基于上述拍摄装置拍摄到的上述基板侧及掩膜侧对准标记的各图像，使上述载物台和掩膜载物台相对移动，以此对上述基板和光掩膜进行对位，然后进行曝光，上述曝光装置的特征在于，上述曝光装置具有光学距离修正装置，该光学距离修正装置使上述拍摄装置的受光面与基板之间的光学距离和上述拍摄装置的受光面与光掩膜之间的光学距离大致一致。

根据这样的结构，用载物台在其上表面载置并保持已涂覆了感光性树脂的基板，用掩膜载物台保持光掩膜，使其靠近上述基板并与上述基板对置，用光学距离修正装置使拍摄装置的受光面与基板之间的光学距离和拍摄装置的受光面与光掩膜之间的光学距离大致一致，用拍摄装置在同一视场内捕捉并拍摄基板侧和掩膜侧对准标记，基于该拍摄到的基板侧和掩膜侧对准标记的各图像，使上述载物台和掩膜载物台相对移动，以此对上述基板和光掩膜进行对位，然后进行曝光，

此外，上述光学距离修正装置是具有规定折射率的透明部件，而且至少配置在连结上述拍摄装置的受光面和基板的光路上。这样，用具有规定折射率的透明部件，使拍摄装置的受光面与基板之间的光学距离和拍摄装置的受光面与光掩膜之间的光学距离大致一致。

另外，上述载物台是在曝光过程中向规定方向移动并搬送载置在上表面的基板的装置。由此，用向规定方向移动的载物台，在曝光过程中搬送载置在其上表面的基板。

并且，上述拍摄装置具有排列为一条直线状的用于接受光的多个受光元件。由此，用呈一条直线状排列的多个受光元件拍摄基板侧和掩膜侧对准标记。

发明效果

根据上述第一技术方案涉及的发明，即使在基板和光掩膜在拍摄装置的光轴方向相互偏移的情况下，也能够使形成在基板上的基板侧对准标记和形成在光掩膜上的掩膜侧对准标记的像同时成像在拍摄装置的受光面上。从而，能够同时并且实时地对拍摄到的基板侧对准标记和掩膜侧对准标记进行图像处理，从而能够缩短基板与光掩膜的对位的处理时间。此外，由于不是如现有技术这样地向拍摄装置的光轴方向移动拍摄装置后分别拍摄基板侧和光掩膜侧对准标记，因此，不会产生由拍摄装置的移动偏移所产生的位置偏移。从而，能够提高对位精度。

此外，根据上述第二技术方案涉及的发明，能够利用具有规定折射率的透明部件，将在前方成像的基板侧对准标记的成像位置相对于掩膜侧对准标记的成像位置向后方错开。从而，能够用简单的结构来修正进行光学距离。

另外，根据上述第三技术方案涉及的发明，能够在搬送基板的同时进行曝光，并能够缩小光掩膜的尺寸。因此，能够使光掩膜的成本廉价。

然后，根据上述第四技术方案涉及的发明，能够将检测出基板侧对准标记的受光元件的单元号和检测出掩膜侧对准标记的受光元件的单元号进行比较，从而容易地检测基板侧对准标记与掩膜侧对准标记的水平距离。因此，只要相对地移动载物台和掩膜载物台，使得该距离成为规定值，则能够对基板与光掩膜进行对位。

附图说明

图1是示出本发明涉及的曝光装置的实施方式的概略结构的正视图。

图2是示出在上述曝光装置中使用的光掩膜的一个结构例的俯视图。

图3是图2的X-X线剖面图。

图4是图2的Y-Y线剖面图。

图5是示出在上述曝光装置中使用的滤色基板的一个结构例的俯视图。

图6是示出在上述曝光装置中使用的光学距离修正装置的原理的说明图。

图7是说明上述光掩膜与滤色基板的对位的图，是示出调整前的状态的说明图。

图8是说明上述光掩膜与滤色基板的对位的图，是示出调整后的状态的说明图。

图9是说明上述光掩膜与滤色基板的对位的图，是示出曝光执行中的微调的说明图。

附图标记的说明

1…载物台

1a…上表面

2…掩膜载物台

3…拍摄装置

4…光学距离修正装置

6…滤色基板(基板)

7…光掩膜

16…基板侧对准标记

17…掩膜侧对准标记

22…线阵CCD(受光面)

具体实施方式

以下，基于附图详细地说明本发明的实施方式。图1是示出本发明涉及的曝光装置的实施方式的概略结构的正视图。该曝光装置分别拍摄形成在基板上的基板侧对准标记和形成在光掩膜上的掩膜侧对准标记，基于它们的图像对基板与光掩膜进行对位后进行曝光，由载物台1、掩膜载物台2、拍摄装置3、光学距离修正装置4和曝光光学系统5构成。此外，在以下的说明中，对于基板是滤色基板的情况进行叙述。

上述载物台1在其上表面1a载置并保持滤色基板6，该滤色基板6已涂覆有作为感光性树脂的彩色保护膜，利用图示省略的搬送装置进行移动，如图1所示按照一定的速度向箭头A方向搬送滤色基板6。

在上述载物台1的上方配置有掩膜载物台2。该掩膜载物台2这样保持光掩膜7：使光掩膜7与上述滤色基板6间隔规定的间隙例如100～300μm的间隙，并使该光掩膜7靠近并与上述滤色基板6对置。

在此，上述光掩膜7用于将通过照射曝光用光形成在该处的掩膜图案复制在滤色基板6上的彩色保护膜上，如图2所示，该上述光掩膜7由透明基体材料8、遮光膜9、掩膜图案10、观察孔11和掩膜侧对准标记17构成。

上述透明基体材料8是高效率透射紫外线和可见光的透明玻璃基体材料，例如由石英玻璃构成。

如图3或图4所示，在上述透明基体材料8的一个面8a上形成有遮光膜9。该遮光膜9遮住曝光用光，由不透明的例如铬(Cr)的薄膜形成。

如图2所示，在上述遮光膜9上形成有单向排列的多个掩膜图案10。上述多个掩膜图案10是使曝光用光通过的规定形状的开口，而且，通过上述多个掩膜图案10能够向相对向搬送的滤色基板6照射曝光用光，因此可将上述多个掩膜图案10复制到图5所示的形成于滤色基板6上的黑矩阵12的像素13上。并且，形成为矩形形状，该矩形具有例如与上述像素13的宽度大致一致的宽度，长轴方向在正交于上述排列方向的方向上，并且以与上述像素13的3个间距间隔一致的间隔形成。此外，如图2所示，预先例如将位于中央部的掩膜图案10a的左端缘部设定为基准位置S1。

此外，如图3所示，在透明基体材料8的另一个面8b上，在与上述掩膜图案10的形成区域相对应的区域14(参照图2)中形成防紫外线反射膜15，从而提高曝光用光中所含的紫外线成分的透射效率。

在上述遮光膜9中，如图2所示，在靠近上述多个掩膜图案10的位置，在其排列方向的一侧形成有观察孔11。该观察孔11用于观察相对搬送的图5中示出的形成在滤色基板6上的基板侧对准标记16和黑矩阵12的像素13，用后述的拍摄装置3，能够检测上述基板侧对准标记16的位置和基准位置S2，所述基准位置S2预先设定在黑矩阵12的如图5所示的位于中央部的像素13a的左上角。并且，如图2所示，平行于上述多个掩膜图案10的排列方向，从中央向一端8c延伸形成为矩形。

如图2所示，在上述遮光膜9中，在上述观察孔11的一端外侧，从中央向另一端8d排列形成有多个掩膜侧对准标记17。该多个掩膜侧对准标记17用于进行对位，即，对预先设定在上述掩膜图案10上的基准位置S1和预先设定在上述滤色基板6的像素13上的基准位置S2进行对位，该多个掩膜侧对准标记17与上述多个掩膜图案10对应而形成。另外，该形成位置在图2中使掩膜侧对准标记17的左侧缘部与对应的掩膜图案10的左侧缘部一致。并且，例如预先设定形成在遮光膜9的中央部分的掩膜侧对准标记17作为基准标记17a。这样，通过位置调整，使上述基准标记17a和上述滤色基板6的基板侧对准标记16成为规定的位置关系，从而实现了上述掩膜图案10的基准位置S1和滤色基板6的基准位置S2的对位。

此外，如图4所示，在透明基体材料8的另一个面8b，在与上述观察孔11和掩膜侧对准标记17的形成区域相对应的区域19(参照图2)，形成透射可见光而反射紫外线的波长选择性膜20，曝光用光中包含的紫外线成分通过上述观察孔11和掩膜侧对准标记17，照射在滤色基板6上，能够防止曝光涂覆在滤色基板6上的彩色保护膜。

并且如图1所示，使上述光掩膜7的形成了上述遮光膜9的一侧向下，来将上述光掩膜7保持在掩膜载物台2上。

在上述载物台1的上方配置有拍摄装置3。该拍摄装置3通过半透半反镜21，分别在同一视场内捕捉并拍摄形成在滤色基板6上的基板侧对准标记16和形成在光掩膜7上的掩膜侧对准标记17，并且具有线阵CCD22和聚光透镜23，所述线阵CCD22作为受光面而具有排列为一条直线状多个接受光的受光元件，所述聚光透镜23配置在线阵CCD22的前方，分别使形成在滤色基板6上的基板侧对准标记16和形成在像素13及光掩膜7上的掩膜侧对准标记17成像在上述线阵CCD22上。

如图1所示，在上述拍摄装置3的光路上，在上述线阵CCD22和聚光透镜23之间配置有光学距离修正装置4。该光学距离修正装置4使拍摄装置3的线阵CCD22与滤色基板6之间的光学距离和拍摄装置3的线阵CCD22与光掩膜7之间的光学距离大致一致，并且由具有大于空气折射率的规定折射率的透明部件构成，例如是玻璃板。

该情况下，如图6所示，将由具有规定折射率的透明部件构成的光学距离修正装置4，配置在通过光掩膜7上形成的观察孔11连结拍摄装置3的线阵CCD22和滤色基板6的光路上。或者，也可以在上述线阵CCD22的前方配置大小覆盖其整个面的光学距离修正装置4，也可以将位于连结上述线阵CCD22和滤色基板6的光路上的部分的厚度形成得比其他部分厚。

如图6所示，通常，从距聚光透镜23的距离不同的两个点P1、P2发出的光，会聚在距聚光透镜23的距离不同的两个点F1、F2上。从而，在拍摄装置3正在拍摄光掩膜7的掩膜侧对准标记17的状态(聚光点F2与线阵CCD22一致的状态)下，从距拍摄装置3的聚光透镜23的距离比光掩膜7远的滤色基板6发出的光L1会聚在线阵CCD22的前方的点F1上。因此，无法使光掩膜7的掩膜侧对准标记17和滤色基板6的基板侧对准标记16同时成像在拍摄装置3的线阵CCD22上。但是，如该图所示，在通过上述光掩膜7的观察孔11而连结拍摄装置3的线阵CCD22和滤色基板6的光路上配置光学距离修正装置4，使得光学距离就变长，从而能够使光L1会聚在上述线阵CCD22上的点F3上。这样，能够使掩膜侧对准标记17和基板侧对准标记16同时成像在线阵CCD22上。此外，能够调节光学距离修正装置4的部件的折射率和/或厚度来进行上述光学距离的调整。

这样构成的掩膜载物台2和拍摄装置3，可利用图示省略的对准机构，在平行于图1中示出的载物台1的上表面1a的面内，一体地向正交于箭头A所示的搬送方向的方向移动。

在上述载物台1的上方配置有曝光光学系统5。该曝光光学系统5使曝光用光通过光掩膜7照射到滤色基板6上后，使光掩膜7的掩膜图案10的像复制在涂覆在滤色基板6上的彩色保护膜上，上述曝光光学系统5具有光源24和聚光透镜25。

上述光源24用于放射包含紫外线的曝光用光，例如是超高压水银灯、氙气灯或紫外线发光激光器。并且，被凹面镜26会聚在其焦点上。此外，上述聚光透镜25配置在光源24和掩膜载物台2之间，用于使从光源24放射的曝光用光成为平行光并垂直照射在光掩膜7上，而且其前焦点位于上述凹面镜26的焦点附近。

下面，关于这样构成的曝光装置的工作进行说明。

在此，使用的滤色基板6如图5所示，在透明的玻璃基板的一个面上形成由Cr等构成的不透明膜，如该图所示，在曝光区域26内矩阵状地形成了多个像素13。另外，为了修正预先设定在上述光掩膜7上的基准位置S1和预先设定在上述滤色基板6上的基准位置S2的位置偏移而进行对准，在曝光区域26的一端26a的大致中央形成有一个细长形的基板侧对准标记16。此外，在上述基板侧对准标记16的一侧，按照与像素13排列的3个间距间隔一致的间隔形成多个对准确认标记27，并且使这些对准确认标记27从中央向一端6a排列而与像素13对应。此外，这样形成上述基板侧对准标记16和对准确认标记27：使在图5中各标记的左侧缘部分别与对应的像素13的左侧缘部一致。

将这样形成的滤色基板6，在上表面上涂覆规定的彩色保护膜作为感光性树脂，使曝光区域26的形成了上述基板侧对准标记16的端部26a侧位于图5中用箭头A示出的搬送方向的前方，从而使滤色基板6载置在载物台1的上表面1a上，并利用图示省略的搬送装置按照一定的速度向箭头A方向搬送。

另一方面，如图2所示，使光掩膜7上形成了观察孔11的端部8e位于用箭头A示出的搬送方向的前方，使如图1所示地形成了遮光膜9的面朝下，从保持在被掩膜载物台2上。并且，使其靠近并与被搬送的滤色基板6的上表面对置。

在这样的状态下，利用拍摄装置3，通过光掩膜7上形成的观察孔11拍摄滤色基板6上的基板侧对准标记16、对准确认标记27和像素13。该情况下，由于在通过光掩膜7上形成的观察孔11连结拍摄装置3的线阵CCD22和滤色基板6的光路上配置有光学距离修正装置4，使得其光学距离与拍摄装置3的线阵CCD22和光掩膜7之间的光学距离大致一致，因此，在拍摄装置3的光轴方向偏移的滤色基板6上的基板侧对准标记16等的像和光掩膜7的掩膜侧对准标记17的像就同时成像在拍摄装置3的线阵CCD22上。从而，用图示省略的图像处理部同时处理由拍摄装置3同时拍摄到的基板侧对准标记16等的图像和掩膜侧对准标记17的图像。

该情况下，首先如图7所示，利用拍摄装置3同时拍摄通过光掩膜7的观察孔11进行观察的滤色基板6的基板侧对准标记16和光掩膜7的掩膜侧对准标记17。这时，读取检测出基板侧对准标记16的线阵CCD22的受光元件的单元号和检测出上述光掩膜7的基准标记17a的线阵CCD22的受光元件的单元号，在图示省略的运算部中计算其距离L。然后，与预先设定并存储的规定距离L₀进行比较。

在此，如图7所示，在光掩膜7相对于滤色基板6而向箭头B方向发生偏移的情况下，如图8所示，光掩膜7向箭头C方向移动，使得基板侧对准标记16与基准标记17a的距离L成为L₀或L₀±x(x是容许值)。这样，光掩膜7的基准位置S1和滤色基板6的基准位置S2变得在规定的容许范围内相一致。

接着，如图8所示，利用拍摄装置3，通过光掩膜7的观察孔11拍摄滤色基板6的对准确认标记27。然后，读取检测出各对准确认标记27的线阵CCD22的受光元件的单元号和检测出光掩膜7的各掩膜侧对准标记17的线阵CCD22的受光元件的单元号，在运算部中计算各单元号的平均值。将该平均值与在对准调整之后检测出上述滤色基板6的基板侧对准标记16的线阵CCD22的受光元件的单元号进行比较，在两者在规定的容许范围内一致的情况下，判断为已进行可靠对准，进而向光掩膜7照射曝光用光。这样，光掩膜7的掩膜图案10的像复制到滤色基板6的像素13上。此外，在上述平均值与单元号不一致的情况下，判断为例如滤色基板6是其他种类的，或者黑矩阵12的形成不合格，在该情况下停止曝光并报警。

之后，将由拍摄装置3拍摄到的图像数据与存储部中存储的滤色基板6的基准位置S2的检查表(LUT)进行比较，来检测基准位置S2。然后，如图9所示，将检测出上述基准位置S2的线阵CCD22的受光元件的单元号与检测出光掩膜7的基准标记17a的线阵CCD22的受光元件的单元号进行比较，将光掩膜7向箭头B、C方向微动，使得两者的距离L成为L₀或L₀±x。此外，根据需要，以光掩膜7的面的中心为中心轴转动调整光掩膜7。这样，即使滤色基板6在正交于箭头A所示的搬送方向的方向上偏移的同时被搬送，光掩膜7也会随之移动，从而能够在目标位置高精度地复制光掩膜7的掩膜图案10的像。

该情况下，如图3所示，由于在光掩膜7的透明基体材料8的另一个面8b，在与掩膜图案10的形成区域相对应的区域14(参照图2)中形成了防止曝光用光中包含的紫外线成分反射的防反射膜15，因此，用该防反射膜15抑制紫外线反射，使紫外线高效地穿过光掩膜7的掩膜图案。然后，更高效地曝光滤色基板6上的彩色保护膜。

另一方面，如图4所示，由于在光掩膜7的透明基体材料8的另一个面8b，在与观察孔11和掩膜侧对准标记17的形成区域相对应的区域19(参照图2)中形成了透射可见光而反射紫外线的波长选择性膜20，因此，照射上述观察孔11和掩膜侧对准标记17的曝光用光的紫外线成分被上述波长选择性膜20反射。从而，曝光用光的紫外线成分不会通过观察孔11和掩膜侧对准标记17照射到滤色基板6上。

因此，即使靠近掩膜图案10而在搬送方向前后形成有观察孔11和掩膜侧对准标记17，上述观察孔11和掩膜侧对准标记17的像也不会复制在滤色基板6的曝光区域26中。

另一方面，由于可见光透过上述波长选择性膜20，因此，能够通过上述观察孔11观察滤色基板6的基板侧对准标记16、对准确认标记27和像素13。从而，能够在搬送滤色基板6的同时，在靠近掩膜图案10的位置上通过观察孔11确认滤色基板6的基板侧对准标记16和像素13的位置，由此能够对光掩膜7的基准位置S1和滤色基板6的基准位置S2进行对位，从而与现有技术相比更能够提高两者的对位精度。

此外，在上述实施方式中，关于在观察孔11的附近排列形成了掩膜侧对准标记17的情况进行了说明，但本发明不限于此，也可以从透明基体材料8的一端8c侧向另一端8d侧延伸而形成长的观察孔11，在其内部形成掩膜侧对准标记17。该情况下，用不透明膜形成为例如细长形状的掩膜侧对准标记17。

此外，在上述实施方式中，关于在滤色基板6上形成了基板侧对准标记16和对准确认标记27的情况进行了说明，但本发明不限于此，也可以没有上述基板侧对准标记16和对准确认标记27。该情况下，也可以在曝光区域26的搬送方向两侧的规定位置形成另外的对准标记，与其相对应地在光掩膜7的两端也形成对准标记，在搬送滤色基板6之前，利用两对准标记进行对准的粗调，在曝光执行中，用拍摄装置3通过观察孔11检测像素13的基准位置S2，利用上述方法进行对位。

另外，在上述实施方式中，关于曝光用光照射掩膜图案10、观察孔11和掩膜侧对准标记17的情况进行了阐述，但本发明不限于此，也可以缩小曝光用光的光束直径，使得曝光用光不会照射到观察孔11和掩膜侧对准标记17。该情况下，也可以不覆盖观察孔11和掩膜侧对准标记17形成透射可见光而反射紫外线的波长选择性膜20。

此外，在以上的说明中，关于在通过光掩膜7的观察孔11连结拍摄装置3的线阵CCD22和滤色基板6的光路上配置了具有规定折射率的透明部件作为光学距离修正装置4的情况进行了阐述，但也可以将不同于拍摄装置3的聚光透镜23的聚光透镜，配置在连结拍摄装置3的线阵CCD22和光掩膜7的掩膜侧对准标记17的光路上，以此使聚光点F2向前移动，从而使该聚光点与来自滤色基板6的光L1的聚光点F1的位置重合。

另外，在以上的说明中，关于载物台1在曝光过程中向规定方向移动，从而搬送载置在上表面上的滤色基板6的情况进行了阐述，但本发明不限于此，也可以在曝光过程中停止载物台1，在滤色基板6的整个曝光区域26上一并曝光规定的曝光图案。该情况下，也可以通过形成在光掩膜上的另外的观察孔，拍摄形成在曝光区域26周边的不同于上述的基板侧对准标记，与上述基板侧对准标记并排拍摄与上述基板侧对准标记对应形成在光掩膜上的掩膜侧对准标记，相对移动载物台和光掩膜进行对位，使得两对准标记成为规定的位置关系。

并且，在以上的说明中，关于基板是滤色基板6的情况进行了阐述，但本发明不限于此，只要能够形成规定的曝光图案，则半导体衬底等任意结构均可。

Claims

1.一种曝光装置，具有：

载物台，其在上表面载置并保持涂覆有感光性树脂的基板，

掩膜载物台，其设置在上述载物台的上方，用于保持光掩膜，以使光掩膜靠近上述基板并与上述基板对置，

拍摄装置，其分别将形成于上述基板上的基板侧对准标记和形成于上述光掩膜上的掩膜侧对准标记捕捉到同一视场内，并进行拍摄；

上述曝光装置基于上述拍摄装置拍摄到的上述基板侧及掩膜侧对准标记的各图像，使上述载物台和掩膜载物台相对移动，以此对上述基板和光掩膜进行对位，然后进行曝光，

上述曝光装置的特征在于，

上述曝光装置具有光学距离修正装置，该光学距离修正装置使上述拍摄装置的受光面与基板之间的光学距离和上述拍摄装置的受光面与光掩膜之间的光学距离大致一致。

2.如权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，上述光学距离修正装置是具有规定折射率的透明部件，而且至少配置在连结上述拍摄装置的受光面和基板的光路上。

3.如权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，上述载物台在曝光过程中向规定方向移动，以此搬送载置在上表面的基板。

4.如权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，上述拍摄装置具有排列为一条直线状的用于接受光的多个受光元件。