JPS60178628A - 露光用マスク - Google Patents

露光用マスク

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JPS60178628A
JPS60178628A JP59033983A JP3398384A JPS60178628A JP S60178628 A JPS60178628 A JP S60178628A JP 59033983 A JP59033983 A JP 59033983A JP 3398384 A JP3398384 A JP 3398384A JP S60178628 A JPS60178628 A JP S60178628A
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Kyoichi Suwa
恭一 諏訪
Hidemi Kawai
秀実 川井
Masakazu Murakami
雅一 村上
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の背景) 従来より、感光剤(フォトレジスト)を塗布した半導体
ウェハ(以下単にウニく・とする)にマスク(レティク
ル)のパターンを露光転写する際ウェハ上に設けられた
アライメントマークと、マスク上に設けられたアライメ
ントマークと全光電検出して、自動的に位置合せする霧
光装置が種々提案されている。特にレティクルのパター
ンを投影光学系で115又は1/10Vc縮小して転写
する縮小投影型露光装置tは、高い解像力と位置合せ精
度を備えている。特に、レティクルとウェハトラ投影光
学系を介して直接位置合せする方法は信頼性が高く作業
者の操作性の点からも好ましい方法である。ところで近
年、1枚のつ′ヱノ〜から得1られる半導体チ・ツブの
数を増すために、位置合せ用のアライメントマーク金形
成する領域が小さくなるとともに、マーク自体の形状も
小さくなってきている。特忙光電検出の手段として2次
元的な撮fl素子、例えばテレビカメラやCCD等會使
5場合は、通常走査線と所定角度で交わるアライメント
マークのエツジ全検出してレティクルとウェハとの走査
線方向の位置ずれを検出している。ところがこの場合、
撮鐵素子で撮障した画1象すべての情報を使うのではな
く、画像中の局所的な部分忙ついての情報、例えば特定
の走査線(応じた画f象信号のみを使うことがある。こ
のとき、従来のアライメントマークでは単なる直線的な
形状であったため、このアライメントマークのどの部分
を通る走査線(対応した画像信号を使うかの判別が難し
く、高速な処理ができないという欠点があった。
(発明の目的) 本発明は上記欠点を解決し、被露光基板(ウェハ)上の
アライメントマークが小さなものであっても、マスクと
の位置合せ時にただちに所望の画1象信号を選び出すこ
とができるようなアライメントマークを備えた露光用マ
スクを提供することを目的する。
(発明の概要) 本発明によれば、被露光基板(半導体ウニ・・)に設け
られた位置合せ用の第1マーク(アライメントマーク(
A))に整合し得る第2マーク(アライメントマーク(
B) ) 紮Wするマスク(レティクル)において、第
1マークと第2マークと全所定方向(例えばV方向)に
位置合せしたとキ、例えば第2マークがそのy方向と直
交する方向(、T:方向)に関して整列すべき位置(ア
ライメントマ・−り(均の底辺から距#Lrの位置)を
表わす指標パターン(ギャップG+ 、G2)を第2マ
ークに設けることによってと記目的が達成される。
(実施例) 第1図は本発明の実施例による縮小投影型露光装置の概
略的な光学配置図であり、第2図はその露光装置を制御
する制御系の回路ブロック図である。
第1図において、露光光束1は図示なき光源部より供給
され、メインコンデンサーレンズ2によって投影原版と
してのレティクル(マスク)3を照明する。そしてメイ
ンコンデンサーレンズ2により投影レンズ50入射瞳面
6内に光源の像が形成される。レティクル3の投影し/
ズ5側の面、すなわちパター7面3a上には、所定のパ
ターンが形成されており、このパターンが投影レンズ5
によりウェハ7のパターン面7a上に所定の倍率で縮小
投影される。露光光束1はウェハ7のパターン面7a上
に塗られたフォトレジストを感光させるのに有効な光で
、例えば超高圧水銀灯より発生する波長435.81m
(g線)の光や波長365nm (i線)の光等のよう
な単波長の光が用いられる。
このような露光光学系に対し℃、ウェハ7に設けられた
位置合せ用のアライメントマーク囚と、レティクルのパ
ターン面3bの周辺部に設けられたアライメントマーク
(均との位置関係を観察するためのアライメント光学系
は次のようであり、露光光束lと同一の波長の光が照明
光として用いられる。レティクル30周縁の上部には、
反射鏡14、第1対物レンズ15、第2対物し/ズ16
が設けられている。第1対物し/ズ15の光軸13は反
射鏡14により直角に折りまげられ、レティクル3のパ
ターン面3aと直交する。従って。
投影レンズ5の光軸9と実質的に平行であり、また第1
対物し/ズ15の前側焦点はレティクル3のパターン面
3a上に位置している。そして、この位置関係全維持し
つつ、第1対物レンズ15と反射鏡14とが光軸13に
そって一体的に移動可能である。さらに、第1対物し/
ズ15と第2対物レンズ16との間は常に平行系となっ
ておゆ、第2対物し/ズ16の後側焦点位置に設けられ
た絞り18とレティクル3のパターン面3aと社第1、
@2対物レンズに関して共役であり、さらに投影レンズ
5に関してウェハ7のパターン面7aとも共役である。
ウエノ・7上での照明領域を制限するために設けられた
絞918の後方にはコンデンサーレンズ19が設けられ
、その焦点は絞り18の位置に合致している。コンデン
サーレンズ19は第1 、第2対物レンズの光軸13と
同軸上に配置されている。そして、露光光束lと同一波
長の照明光を供給するためのライトガイド20の射出面
20aはその中心が光軸13から外れて設けられている
。一方、絞り18と第2対物し/ズ16との間にはビー
ムスプリッタ−17が配置される。そしてビームスプリ
ッタ17で分割された光路中にはテレビカメラ婢の撮隙
装[21が設けられ、撮像装置に21の撮陳面21aは
、絞り18と同じく第1.第2対物レンズ15.16に
関してパターン面3aと共役であり、またウエノ・7の
パターン面7aとも共役である。
このような構成によってウエノ・7のパターン面7a上
に設けられたアライメントマーク(5)とレテイクル3
のパターン面3a上に設けられたアライメントマーク(
Blとにライトガイド2oからの光束が供給され、アラ
イメントマーク(AJと(切の1象が共に撮像装置12
1によって観察される。第1図中にはアライメントマー
ク(〜とアライメントマーク(B1とケ通る主光線11
の様子を実線で記入した。主光IPi!11Vi第1対
物レンズ15會射出した後、光軸13に平行となり、ビ
ームスプリッタ−17で反射された後、撮像装■t21
の撮像面21aの中心に達する。一方、ビームスブリ・
ツター]7會通過する主光線11は絞り18の中心全通
り、コンデンサーレンズ19で屈折されて光軸13に平
行になりライトガイド20のほぼ中心に達する。すなわ
ちこの主光線11がライトガイド20から供給される照
明光の主光線に相当する。
i fc、上記WJl対物レンズ15と反射鏡14とは
レティクル3上のアライメントマーク(均の位置に応じ
て光軸13の方向に一体に移動する。
以ヒのような反射鏡14、第1対物し/ズ15、ff1
2対物レンズ16、ビームスプリッタ17.絞り 18
.コンデンサーレンズ19、ライトガイド20、及び撮
像装置21とで構成されたアライメント光学系は、第1
図中で紙面と垂直な方向にも51組設けられ、この2組
のアライメント光学系によってレティクル3とウェハ7
の2次元的な位置ずれ全検出するものである。
ところで第1図の構成において、レティクル3と投影レ
ンズ5との間は非テレセントリックな光学系であり、投
影し/ズ5とウェハ7との間はテレセントリックな光学
系である。この場合、レティクル3):のマークを投影
レンズ5の光軸9が通らない位置、例えばレチクル3の
周辺に設ければ、そのマークの照明光束(又蝶アライメ
ント光学系)の主光線111’よそのマークと投影レン
ズ5の瞳6の中心とケ結ぶ線と一致して、投影レンズの
光軸9に対して傾いたもの、すなわち主光線11がレチ
クル3のパターン面3aに垂直にならず、ある角度類い
たものになる。このため、レチクル3上のアライメント
マーク()3)が金属薄膜で形成され、光反射性であっ
ても、そのマークを照明した光の反射光はアライメント
光学系、are装置21の方に戻らず他の方向に進むか
ら、そのマークはウェハ7で反射してきた光で透過照明
されることになり、アライメントマーク(均の光1象は
黒っぽい影となって撮像される。このように、レチクル
3側が非テレセントリックな光学系である場合は、レテ
ィクル3上に形成されるアライメントマーク(H) t
−反射性で遮光性のもの、光吸収性のもののいずれにし
てもよい。
またレチクル3@、ウェハ7側ともテレセントリックな
光学系になる場合、主光線11はレチクル3に垂@(投
影レンズ5の光軸9と平行)になるので、レティクル3
J:のマーク七光吸収性にしておくか、もしくは、レチ
クル3を偏光した光で照明し、レチクル3とウェハ7と
の間の光路中に偏光状qt変える部材(例えば1/4波
長板)1に入れて、アライメントマーク(均からの反射
光はカットし、ウエノ・7からの反射光は透過するよう
な、偏光分離特性を有する光学系を設ければよい。
さて第1図において、ウニノー7tlウエノ葛ホルダ8
に真空吸着される。ステージ10はペース上’に2次元
的(互いに直交するX方向とy方向)に移動可能であゆ
、ウェハホルダ8はこのステージ10に設けられて一体
VC2次元惨動する。ま友ウェハホルダ8はステージ1
0に対して、投影レンズ50光軸9の方向(2方向)に
移動可能である。
基準マーク板12IIcはレティクル3のアライメント
マーク(B)と整合し得る基準マークが設けられていて
、レティクル3とステージ10との位at規定する際に
使われる。この基準マーク板12上のマーク以外の表面
は所定の光反射率金有し、ウェハホルダ8に固定されて
いる。
第2図の回路ブロック図において、第2対物し/ズ16
で結像されたアライメントマーク(5)、又は(均の像
の明暗は撮津装[21で光電変換され、その画像信号は
信号処理回路30に人力する。信号処理回路30は画f
蒙信号を処理して撮像面21a上にできた1象のコント
ラストを検出し、アライメントマーク(5)と(Blと
の相対的な位置ずれ量に応じた検出情報を制御回路31
に出力する。また駆動回路34で駆動されるモータ35
はウェハホルダ8をZ方向に移動し、その移動量は制御
回路31から出力される駆動情報によって制御される。
さらに駆動回路36で駆動されるモータ37,38はス
テージ10をそれぞれX方向とX方向とに移動し、その
移動量は制御回路31からの検出情報に基づいて出力さ
れる駆動情報によって制御される。そして、ステージ1
0の2次元的な位置、すなわち直交座標系xyの座標位
置はレーザ干渉測長器又はエンコーダ等を用いた座標測
定装置39によって逐次検出され、その検出された座標
位置は制御回路31で処理されてステージ10の位置決
めのために使われる。
第3図はウェハ7Fの所定のパターンと重ね合せ露光す
るときに使うレティクル3の具体的な平面図、第4図は
基準マーク板12の平面図である。
レティクル3は矩形状のガラス板にクロム等の金属薄膜
を周辺部に蒸着して遮光部33を形成し、その内側の領
域3b内に所望の回路パターンを形成したものである。
レティクル3の中心RCi原点に座標系xyk定めたと
き、X軸上で領域3bの外周辺に、X方向の位置合せ用
のアライメントマーク(k3)が設けられている。尚、
X方向のアライメントマークはy軸上に同様に設けられ
る。
アライメントマーク(B)U第1図に示した反射鏡14
、第1対物レンズ15、第2対物し/ズ16及び撮1象
装置21によって観察される。このレティクル3Viそ
の中心R,Cが投影し/ズ5の光軸9を通るように位置
決めされる。アライメントマーク(B)の中心RC対す
るX方向の位置はレティクル3の設計時に予めわかって
いる。そこで第1図のようにレティクル3を配置して、
反射鏡14と第1対物し/ズ15とを光軸13方向に移
動することによって、アライメントマーク(B)が搬像
装R211Cよって観察される。尚、!3図中点線で示
した円形の領域PAt−j投影ンンズ5で投影可能な最
大露光領域、いわゆるイメージフィールドを表わす。ま
た、X方向のアライメントマークはもう1組のアライメ
ント光学系によって観察されるように配置されている。
一方、基準マーク板12には、ステージlOの位置とレ
ティクル3の投影像の位置との対応付けのために、X方
向に伸びた線状の基準マークFyと、X方向に伸びた線
状の基準マークFxとが十字状に設けられている。
第5図はレティクル3のアライメントマーク+Blの拡
大図である。アライメントマーク(B)の中心線を座標
系xyのX軸と一致させるものとすると、アライメント
マーク(BlはX軸に関してX方向に左右対称な形状で
あり、X方向の長さ])xでV方向の長さD yの矩形
状の透明窓である。そしてこの透明窓内にriX軸から
等しい距離で互いの間隔がLYの2本の線状パターンP
t、 P2がX軸と平行に形成されている。この線状パ
ターンPI、 P2のちょうど中心にウェハ7Fのアラ
イメントマーク(Alが挾み込まれるようVC観察され
たとき、レティクル3の領域3bとウェハ7七の露光す
べき1つの領域とが投影し/ズ5を介して正確に重なり
合うことになる。さ℃、その線状パターンPI、 P2
1Cは透明窓の底辺からX方向に距離Lxの位置に、微
小なギャップG1、G2が形成されている。ギャップG
1、G2のところにはクロム層が蒸着されず、光透過性
である。このギャップG1、G2が掃1象装置21の水
平走査線を選ぶ際の基準となる。また、透明窓の底辺部
の中央には、X方向の幅dの微小な凹部P3が形成され
ている。この凹部P3は基準マーク板12のマークpy
ty方向に挾み込んで目合せするためのものであり、幅
dはマークFyの1#のレディクル3上での幅よりもわ
ずかに大きく定められている。この凹部P3によって、
? −りF’ Y i目金せすることによって、レティ
クル3とステージIOとの位置の対応付けを行なうこと
ができる。
さ℃、第6図は信号処理回路30の具体的な回路の一例
金示す回路ブロック図である。撮像装噴21からの両津
信号の大きさくレベル)はアナログ−デジタル変換器(
以下、AI)Cとする)40でデジタル値に変換され、
そのデジタル値はランダム・アクセス可能なメモリ回路
(以下、RA Mとする)41に記憶される。また撮1
象装[21からは、水平走査線用の同期信号(水平周期
信号)H8が出力され、カラ/り42はこの水平周期信
号E(Sに基づいて、1走査線を例えば1024画累に
分割するように、l走査期間中に1024個のパルス全
作り出し、そのパルスケ順次計数する。
その計数値uRAM4xにアドレス信号として印加され
、この結果L(AM41には1走査線に対応した画1象
信号の各画素毎のレベルがアドレス順に記憶される。マ
イクロプロセッサ−(以下MPUと呼ぶ)43はRAM
41の書き込みや読み出しを制御するとともに、几AM
41に記憶された画像データに基づいて、アライメント
マーク(均とアライメントマーク(Atとの位置ずれ量
全演算する。
また撮像装置21からは2次元的な走査のためにのこぎ
り波形の垂直走査信号vSも出力され、前述の両開信号
、水平周期信号H8とともに、テレビブラウン管(以下
CR,Tと呼ぶ)44に印加される。C几T44は撮1
象された画1象全表示するとともに、水平方向のカンー
ル線會も表示する。カーソル線は、カーソル線の垂直方
向の位置を入力するためのジ璽イスティック等の可変抵
抗46と、この可変抵抗46で設定された電圧Vrと垂
直走査信号v8の電圧とが一致したときパルス状のカー
ソル信号音発生するカーソル信号発生器45と、そのカ
ーソル信号をスイッチ47を介して両開信号と加算する
加算器48とによって作られる。また可変抵抗46から
の設定電圧Vrと垂直走査信号vqとはスイッチ49を
介して択一的にアナログ−デジタル変換器(以下、AD
Cとする)50に人力する。ADC50は設定電圧Vr
、又は垂直走査信号VSのいずれか一万?デジタル値に
変換して、MPU43に出力する。このような構成にお
いて、カーソル線を表示するときけスイッチ47を閉じ
るだはでよく、その垂直方向の賢示位置は可変抵抗46
を調整するだけでよい。また、そのスイッチ47とスイ
ッチ49は、MPU43 ’により所定のプログラムに
従って自動的に切換えられるものとする。
次に本実施例の動作を説明するが、ここでは例えば第1
層目のパターンをウエノ・7上に形成し、その後、第2
層目のパターンをウェハ7上の第1層目に重ね合せて露
光するまでの一連の工8を含めて説明する。
まず第1層目のパターン金第1図に示した露光装置を使
・ってウェハ7上に露光するときけ、第3図に示したレ
チクル3の代りに第7図に示したレチクル3′ケ霧光装
置にセットする。第7図のレチクル3′の矩形状の領域
3 b’はレチクル3の領域3bと同一サイズであり、
この領域3b’内に第1層目のパターンが描かれている
。もちろん領域3h′の周辺にはクロム層による遮光領
域3a′が形成され、中心R,C2原点とする座標系x
yのX軸上でレチクル3のアライメントマーク+Blに
対応する位置にはウェハ7七に形成すべきアライメント
マーク(At?作るためのマiり(均がアライメントマ
ーク(Blと同一サイズで設けられている。第8図(a
lはそのマーク(ケ)の拡大図であり、X方向の長さが
Dxで、■方向の長さがDyの矩形領域を、X方向に2
等分し、レチクル3′の中心R,Cに近い領域Arlは
全面會クロム層で遮光し1、その中央に台形状のパター
ンP42光透過性にして−設ける。
−万、領域Arlの下段の領域ArZ11クロム層の全
面に長方形の透明窓全役け、その中央にノくター/P4
と同一サイズの台形状のノくターンP5をクロム層で遮
光性にして設ける。さて、2つの台形パターンP4 、
H5はともにX軸に関して線対称になるように配置され
ており、特に台形ノくターンP5の中心はマーク(13
’)の底辺部からX方向に距離1.xの位1[形成され
る。また台形)ζターンP4 、H5の形状は第8図(
b)に示すように、その斜辺の傾きが、高さbと下底と
上底の差分の長さaとの比が9対lになるように定めら
れ、斜辺がX軸と平行に近く、しかも作り易い傾きに選
ばれている。
以上のようなレディクル3′ヲ用いて、ウエノ翫7上に
ステップアンドリピート方式で露光金繰り返すことによ
って、レティクル3′の領域3 b’とアライメントマ
ーク(B′)とが座標系xyに従ってマトリックス状に
配列する。そして、そのウエノ・7を現1象した後、第
11@目のプロセス(エツチング、蒸着等)を行なう。
こうして第1層目が形成されたウェハ7は再びフォトレ
ジストが塗布されて、第1図の露光装置のステージ10
に載置される。
第1層目が形成されたウェハ7上には例えば第9図に示
すように、レティクル3′の領域3b′の転写パターン
、すなわちチップが所定のピッチで配列される。第9図
ではウェハ7の中央付近で座標系xyのX軸に沿った3
つのチップC01C+、C2′(I−代表的に示す。チ
ップCOとCI の間にはチップCOに付随してマーク
(B′)に応じたアライメントマーク(Ao)が形成さ
れ、チップCIと02の間にはチップCIに付随してマ
ーク(B′)に応じたアライメントマーク(A+ )が
形成される。アライメントマーク(AO)、(AI)は
ともに、マーク(B′)の台形パターンP4.P5に応
じた台形バター7P4’lP5”fil−有する。台形
パターンP 4’ 、 P 5Tj第1層目のフォトレ
ジストがポジかネガか、又はプロセスによってウェハ7
の表面に凹凸に形成される。本実施例でマーク(B′)
の透明部はウェハ7上で凸に形成されるものとすると、
台形パターンP 4’は凸になり、台形パターンP 5
’は凹になる。第10図はその台形パターンP4′。
P5’i示す拡大斜視図である。台形パターンP 5’
はレティクル3′のマーク(B′)の領域Ar2によっ
て形成された長方形の凸部Ar2’内に凹部として形成
される。
以下、このような凸形パターンP 4’及び凹形パター
ンps’を対にして形成する理由を説明する。
第11図に示すように、レチクルとのアライメントはウ
ェハ7のヒに形成された第1層目Ar2’の上にフォト
レジストPR2塗布した状暢で行われるから、フォトレ
ジスト膜の表面で反射された照明光と台形パターン部P
4’gたは台形パターン部P5′で反射された照明光と
が干渉を起こす可能性力する。いま、フオトレジスt4
’Rの屈折率tnとし、フォトレジスト表面とパターン
P 4’ 、 P 5’との間隔をそれぞれd+、dz
としたときレジスト表面とバターy P 4’ 、 P
 5’との間の光学的距離J)1.D2は以下のよ51
CF2わされる。DI=nsd+ 、D2=n*dz、
従ッテ、レジスト表面で反射した照明光とパターンP 
4’ 、 P 5’の表面で反射した照明光とが干渉す
る条件は、照明光の波長をλとすると、d+=λ/ 2
n、 dz−λ/2nである。例えば、λ=436nm
とするとd+(=dz)中130nmのときに干渉縞が
生ずる(詳しくは130nmの整数倍のフォトレジスト
膜厚のときに干渉縞が発生する)。
そこで、第10.11図示のように凸、凹形のバターy
P4’+)’5’t”同一層に形成しておくと、例えば
凸形パターンP4′上方のレジ5スト膜厚d+が干渉条
件を満足したときには、凹形パターンb′辷万のレジス
ト膜厚d2は干渉条件を外れている確率が非常に高い。
それ故、凸形、凹形パターンP4’、P5’i対にして
形成し、干渉縞が発生していない方のバター/をアライ
メント用に使用するのである。
さて、第2層目の露光のときV′i第3図に示したレテ
ィクル3を@1図の霧光装置にセットする。
そして、ライトガイド20から照明光を発し、掃峰装置
1121によってレティクル3のアライメントマーク(
H)?!−撮1象する。このときステージ10はウェハ
7にレティクル3を透過した照明光があたらないように
退避している。ただし、アライメントマーク郵)の投影
位置には基準マーク板120反射面を配置する。そして
このような状轢で、作業者は第6図のC)LT41観察
して信号処理回路30の初期設定(イニシャライズ)を
実行する。この動作を第12図のフローチャート図罠基
づいて説明する。まずステップ100でMP043はス
イッチ47を閉じて、CB、T44VCカーフル#t[
示するとともに、スイッチ49f:切替えて設定電圧V
rf選択する。次のスデ・ツブ101は作業者がCRT
44ffi見ながらカーソル線がアライメントマーク(
均の2本の線状パターンpi、)’2のギャップGl、
G2に位置するように可変抵抗46を胴輪するものであ
る。このときの様子を第13図に示す。第13図は撮像
されたアライメントマーク(B)と走査線SL、カーソ
ル線CLとの関係を示す図である。走査線SLは線状パ
ターンPI。
P2と直交するように図中左端から右端まで−直線に延
びる。カーソル線CLは一本の走査線上に現われる。そ
して、このカーソル@CLf−4線状パターンP1.P
2のギャップGl 、G2のそれぞれに挾み込まれるよ
うに位置合せされる。
次のステップ102でMPU43はADC50でデジタ
ル値に変換された設定電圧Vri−読み込み、その値を
カーソル位置1)rとして記憶する。
この読み込みは作業者が第13図のような状vAケ確認
してから、不図示のスイッチを投入することによって行
なわれる。そして最後にMPU43はスデ・ノゾ103
でスイッチ47全開いて(ltT44に表示されたカー
ソル線C1,を消去するとともに、スイ・ソチ49を元
(戻して垂直走査信号VS’1選択する。
さて、初期設定が終了すると制御回路31は座標測定器
39、駆動回路36、ステージ1o、及び不図示のウェ
ハアライメント顕微鏡等と共働して、ウェハ7の嬉光装
置本体罠対する位置合せ全行なう。この位置合せの方法
(信例えば特開昭56−102823号公報に開示され
ているように公知であり、また本発明と直接関係しない
ので説明は省略する。そして次に制御回路31は例えば
ウェハ7上に重ね焼きすべき第1番目のチップCoとレ
ティクル3の領域3bの投影1象とが概ね位置合せされ
るように、座標測定器39によってステージ10の位置
決めを行なう。その後、ライトガイド20から照明光を
発すると、撮1蒙装置21の撮像面21aには例えば第
14図に示すようにアライメントマーク(13)と(A
O)との像が重ね合されて結1象する。
ところで、先にも説明したように、ウェハ7にはフォト
レジストが塗布されているので、アライメントマーク(
AO)の2つの台形パターンP4′。
P5′のうち、−万のパターンハ他方のパターンニ対し
て干渉縞が多く観察される。この干渉縞のために画f象
信号のS/Nが悪化し、位置ずれ検出の精度全低下させ
るばかりでなく、極端な場合、パターンの検出そのもの
が不可能になることがある。
本実施例では、ウェハ7Fの第1番目に露光するチップ
COに関しては、CRT44に使って目視で台形パター
ン14′とp 5/のどちらを使うか全選択するように
した。以下、その動作とそれに引き続く位置ずれ検出の
動作について第15図のフローチャート図を参照して説
明する。まず作業者はスフツブ104でeit’r44
に表示された台形パターンp 4/とP 5’の見え具
合全くらべて、干渉縞が少なくコントラストのよい方の
パターンを選び、そのどちらヶ使うかをステップ105
でMPU43に指令する。ステップ105で台形パター
ンP4′を使うことが指令されろと、MPU43はステ
ップ106で撮r蒙装置!t2xの1画面中の走査線の
うち、@15図に示すよ5な走査線8Lt?選ぶような
データを作り出す。ごの走査@ S L iはギャップ
G1と022通る走査線、すなわち先の初期設定時に表
示したカーソル#cLよりモ所定η°αだけ下方で、線
状パターンpl 、P2と交わるような位置に定められ
ている。このステップ106でMPU43t’lj先の
ステップ102で記憶した値Drにαに応じた値を加算
して、その加算値Drlを再度記憶する。一方、ステッ
プ105で台形パターンp5/4使うことが指令される
と、M P U43はステップ107で走査線5L2y
選ぶ友めのデータを作り出す。走査線5b2H走査線8
1,1が台形バター/P5′の中心を通ったとき、台形
パターンP4′の中心を通るようにギャップGl 、G
2から所定量βだけL方に定められている。そしてMP
U43は値Drからβに応じた値を減算して、その減算
値Dr2に再度記憶する。本実施例では台形パターンP
5′が選ばれたものとする。
次にMPU43rix+ッグlo8,109でAI)C
50でデジタル値に変換された垂直走査信号■Sの電圧
・を読み込み、その値と記憶されたデータ値D「1(又
はDr2)と比較することを1画面の走査中順次繰り返
す。ここでは走査線SLIが選ばれているので、垂直走
査信号VS’のデジタル値が値Drll−’と一致した
とき、MPU43は次のステップ110で、七の走査線
8L1の画像信号について、l(AM41に書き込みを
開始するような指令1.1(AM41とカウンタ42に
出力する。これによってカウンタ42は例えば計数値が
零(すセットされた後、水平同期信号1−I 80人力
に応答して10241でカウントアンプして停止する。
この計数動作中、AJJC40でデジタル値に変換され
た画1象信号はi(AM41の0番地から10124番
地までの領域に順次記憶される。第16図はI(・AM
41に記憶された走査線8L1上の画1象信号の強度分
布ケ示し、本来は離散的な分布となるが、わかりやすく
するため連続した波形で表わした。この図で横−〇ま番
地、縦軸は画像信号の強度(レベル)を表わす。
次にステップ111の区間切り出しでMPU43eまl
tAM41に記憶された画1象信号を読み出して、まず
レティクル:3のアライメントマーク(111の線状パ
ターンl’l、P2に応じて生じた波形上のボトムIJ
 i、” 1 ト13 T 2 k 検出t、、このボ
トムBT1とHT 2のそれぞれの中心に対応する番地
AI)1とAIJ2’ji見つける。この番地Al)l
からAl2までの区間に、台形パターンp 5/にLC
廻して生じた波形ヒのピーク部PTが存在する。
次にMPU43はステソゲ112の微分演算で、第16
図に示した番地ADIからAl2までの区間を微分して
、ピーク部PTの立とりの中心に対応する番地AD3と
、ピーク部P′rの、立下りの中心に対応する番地AD
4とを検出する。次にMPU43はステップ113のア
ライメントマーク郵)のセンター出しで、番地ADIと
Al2の中心に位置する番地ADb會算出し、ステップ
114のアライメントマーク(5)のセンター出しで番
地A I) 3とA、 I) 4の中心に位置する番地
ADai算出する。
そして、最後のステップ115でMPU43は番地AD
aとAl)bの差をめ、その差分に投影レンズ50倍率
やアライメント光学系の倍率等に応じた定数に2乗算し
て、アライメントマーク(Nとアライメントマーク(均
のX方向の相対的な位置ずれ量ΔYkウェハ7ヒでのず
れ量に換算してめる。このめたずれ量Δyは第14図に
どいて、線状パターンPI 、P2の中心線(X軸)と
、台形パターンP 4’ 、 P 5’の中心Ivtl
CCと(7)V方向のずれ量である。
以上のようにしてめたずれ量へyはM P U43から
側倒1回路31に出力され、制御回路31Viずれ量Δ
yに応じた鍛だけステージ1011’方向に微動して台
形パターンP 4’ 、 P 5’の中心線CCとX軸
とを一致させる。これによってウエノ17J:のチップ
Coとレティクル3の領域3bの投影1象とのX方向の
位置合せが完了する。X方向の位置合せも全く同様に行
なわれ、チップCOと領域3bとは正確に重ね合された
ことになる。ここでレティクル3に所定時間だけ露光光
束l全照射して、ウェハ7のチップCof露光する。チ
ップCoの霧光が終ると、領域3bの投影r象とチ・・
IプC1が重なるようにステージi 0’(l−X方向
に所定ビ・ソチだけ歩進させて、同様罠アライメ/トマ
ーク(Blとアライメントマーク(A1)との位置合せ
全行なう。ただ(7、ウエノ・7上に露光する2番目か
らのチップに関しては、ステップ104,105,10
6゜107を不要として、ただちにステップ108を実
行してもよい。これは同一ウエノ1J:ではアライメン
トマーク(Alの台形パターンP 4’ 、、P 5’
のうち見え具合のよい方は概ね一義的に決まるからであ
る。
以上、本発明の第1の実施例では、信号処理回路30の
構成上、走査線8L1f−fあえてアライメントマーク
(均のギャップGi、Gz44らないようにしたが、必
らずしもその必要はない。
次に本発明の第2の実施例金第17図により説明する。
第2の実施例ではカーソル線eL4使わずにギャップG
l、G2’i通る走査線SLIの位It、に応じたデー
タ値Drをめる。第17図はギャップGl 、02t−
通る走査線の画像信号と、線状パターンPl、P2に横
切る走査線の画fI!信号との相関を取るための走査線
判定回路の回路ブロック図であり、第6図の回路にその
まま付加することができる。撮像装置1121からの画
像信号は2値化回路60に人力して、走査線中の各画素
毎(論理値「01、「1」の時系列的な2値化信号に変
換される。シフトレジスタ61はその2値化信号を順次
人力して、−走査線分の各画素を1ビ・ソトずクシフト
する。走査線は1024画素としたのでこのシフトレジ
スタ61U10.24ビ・ントの記憶素子で構成される
。シフトレジスタ62も1024ビツトであり、シフト
レジスタ61と直列に接続される。従ってシフトレジス
タ61には走査中の走査線に応じた2値化信号が格納さ
れ、シフトレジスタ62にはその走査線の1つ前の走査
線に応じた2値化信号が格納される。デジタル相関器6
3けシフトレジスタ61の1024ビツトのデータと、
シフトレジスタ62の1024ビツトのデータと全比較
して、両データが一致しないときは信号64’kMPU
43に出力する。ただしその比較は水平同期信号148
に基づいて、−走査の終了時で次の走査の開始までの間
に行なわれるように定められている。また、撮r象装置
21がらの垂直走査信号VSは第6図のAl)C50に
入力する。
このような構成において、41.慮装置2Iが第13図
のようにアライメントマーク(Blのみ全撮像するよう
にした後、MPU43はデジタル相関器63からの信号
64會モニターし、信号64を検出(7た時、AD(、
’50のデジタル値ヲ読み込んで記憶する。第13図の
アライメントマーク+B+の場合、走査線が線状パター
ンPi、l:’2i通る状昨からギャップGr、G2y
通る状態に移行したとき信号64が発生し、MPU43
はその時の垂直走査信号V8のレベル金値Drとして記
憶する。以上のように、本実識別では初期設定時にカー
ソル線を使って目視により走査線?選ぶことがなくなり
、作業者の操作が低減される。
以E1本発明の2つの実施例ゲ示したが、その他に、レ
ディクル3の線状パターンP1.P2によって挟み込ま
Jする台形パターンP4′のX方向の位置に応じて、ギ
ャップGl、G2から上方(+X方向)に台形パターン
P4′とp 5/との中心間隔分だけ離れて、さらにギ
ャップを形成しておいてもよい。そしてそのギャップに
対してもカーフル線を合せて、両峰処理に使うべき走査
線の位を道として記憶させてもよい。−Eた必らずしも
クロム層のないギャップである必曹はなく、線状パター
ンPI 、P2と幅が異なる段部をアライメントマーク
(均の底部から距離LxVC役けるようにしても同様の
効果がf得られる。また掃1象装置21の撮(象面21
aK、X方向とY方向のアライメントマーク(Blの滓
を同時に結(象するような合成光学系?設は、X方向と
)′方向の両アライメントマークICH,T44で十下
2段に分けて観察するようにしても同様の効果が得られ
る。さらにウェハ7上のアライメントマーク(Alの台
形パターンは必らずのも2つである必要はなく、1つで
あってもよい。
(発明の効果) 以上のように本発明((よれば、マスクのマークと整合
する被露光基板りのマークが、小さい場合、又は単一の
パターンではなく複灯のパターンの集合であっても、マ
スクのマークには指標パターンが設けらtlているので
、選択すべき画像信号等が高速に検出でき、この結果位
置合せに用する時間ケ短縮することができる。また、指
標パターンを第2マークに設けたので、マスクと第2マ
ークの画像検出手段との位jl(ずれが生じて、第2マ
ークが画像中で多少ずれたとしても、ただちに選択すべ
き画(*信号を1やることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例に適した縮小投影型露光装置の
概略的な光学配置図、第2図は第1図の露光装置の制御
系の回路ブロック図、第3図は重ね合せ露光する場合の
レティクル3の平面図、第4図は基準マーク板12の平
面図、第5図はレティクル3のアライメントマーク(均
の形状を示す平面図、第6図は信号処理回路30の具体
的な回路ブロック図、第7図はレティクル3と重ね合さ
れるウェハ上のパターンを形成するためのレティクル3
′の平面図、第8図Talはレティクル3′に設けられ
たアライメントマーク(B′)の形状を示す平面図、第
8図(bl f1台形パターンの形状を示す平面図、第
9図はウニハトに形成されたチップとアライメントマー
ク(Alとを示す平面図、第10図はウェハ上のアライ
メントマーク嬶)の形成状部ヲ示す斜視図、第11図は
アライメントマーク(5)として2つの同一サイズの台
形パターンを形成する原理を説明するための断面図、第
12図は初期設定の動作全説明するフロチャート図、第
13図は初期設定時のアライメントマーク(均とカーソ
ル線CLの様子を示す図、第14図はアライメントマー
ク(A)とアライメントマーク(均との位置合せ状1i
1−示す図、第15図はアライメントマーク囚と(Bl
の位置ずれtを検出する動作を説明するフローチャート
図、第16図は1つの走査線に対応して得られた画像信
号の波形図、第17図は、本発明の第2の実柿例による
走査線判定回路の回路ブロック図である。 〔主要部分の符号の説明〕 3.3′・・・レティクル(マスク)、5・・・縮小投
影レンズ、7・・・ウェハ、10・・・ステージ、21
・・・撮像装置、30・・・信号処理回路、44・・・
テレビブラウン管(CI’l、T)、A、Ao、A+1
8.B’・・・アライメントマーク、、Pl、P2・・
・線状パターン、P4′、P 5’・・・台形パターン
、G1、G2・・・ギャップ(指(環パターン)、81
ノ、SLI、Sb2・・・走査線、CL・・・カーソル
線 出願人 日本光学工業株式会社 代理人 渡 辺 隆 男 第1図 第11図 第14図 第15図 第17図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 被露光基板に設けられた位置合せ用の第1マークに整合
    し得る第2マークを有するマスクにおいて、前記第1マ
    ークと第2マークとを位置合せしたとぎ、前記第1マー
    クが整列すべき位置を表わすための指標パターンを前記
    第2マークに設けたことを特徴とする露光用マスク。
JP59033983A 1984-02-24 1984-02-24 露光用マスク Granted JPS60178628A (ja)

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US06/703,941 US4679942A (en) 1984-02-24 1985-02-21 Method of aligning a semiconductor substrate and a photomask

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6376427A (ja) * 1986-09-19 1988-04-06 Canon Inc 露光方法
JPS6380530A (ja) * 1986-09-24 1988-04-11 Canon Inc 露光装置
DE3735154A1 (de) * 1986-10-17 1988-05-11 Canon Kk Verfahren und einrichtung zum ermitteln der lage eines objektes
JPS63255916A (ja) * 1987-04-13 1988-10-24 Nikon Corp 投影光学装置
JPH04153650A (ja) * 1990-10-17 1992-05-27 Fujitsu Ltd マスクパターンデータの処理方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6376427A (ja) * 1986-09-19 1988-04-06 Canon Inc 露光方法
JPS6380530A (ja) * 1986-09-24 1988-04-11 Canon Inc 露光装置
DE3735154A1 (de) * 1986-10-17 1988-05-11 Canon Kk Verfahren und einrichtung zum ermitteln der lage eines objektes
US4971444A (en) * 1986-10-17 1990-11-20 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for detecting the position of an object
DE3735154C2 (de) * 1986-10-17 1994-10-20 Canon Kk Verfahren zum Erfassen der Lage einer auf einem Objekt vorgesehenen Marke
JPS63255916A (ja) * 1987-04-13 1988-10-24 Nikon Corp 投影光学装置
JPH04153650A (ja) * 1990-10-17 1992-05-27 Fujitsu Ltd マスクパターンデータの処理方法

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