JPH0525167B2 - - Google Patents

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JPH0525167B2
JPH0525167B2 JP3398384A JP3398384A JPH0525167B2 JP H0525167 B2 JPH0525167 B2 JP H0525167B2 JP 3398384 A JP3398384 A JP 3398384A JP 3398384 A JP3398384 A JP 3398384A JP H0525167 B2 JPH0525167 B2 JP H0525167B2
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JP
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reticle
mark
wafer
pattern
alignment mark
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Kyoichi Suwa
Hidemi Kawai
Masakazu Murakami
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Nikon Corp
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Nippon Kogaku KK
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Publication date
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Priority to US06/703,941 priority patent/US4679942A/en
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Publication of JPH0525167B2 publication Critical patent/JPH0525167B2/ja
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の背景) 従来より、感光剤(フオトレジスト)を塗布し
た半導体ウエハ(以下単にウエハとする)にマス
ク(レテイクル)のパターンを露光転写する際ウ
エハ上に設けられたアライメントマークと、マス
ク上に設けられたアライメントマークとを光電検
出して、自動的に位置合せする露光装置が種々提
案されている。特にレテイクルのパターンを投影
光学系で1/5又は1/10に縮小して転写する縮小投
影型露光装置は、高い解像力と位置合せ精度を備
えている。特に、レテイクルとウエハとを投影光
学系を介して直接位置合せする方法は信頼性が高
く作業者の操作性の点からも好ましい方法であ
る。ところで近年、1枚のウエハから得られる半
導体チツプの数を増すために、位置合せ用のアラ
イメントマークを形成する領域が小さくなるとと
もに、マーク自体の形状も小さくなつてきてい
る。特に光電検出の手段として2次元的な撮像素
子、例えばテレビカメラやCCD等を使う場合は、
通常走査線と所定角度で交わるアライメントマー
クのエツジを検出してレテイクルとウエハとの走
査線方向の位置ずれを検出している。ところがこ
の場合、撮像素子で撮像した画像すべての情報を
使うのではなく、画像中の局所的な部分について
の情報、例えば特定の走査線に応じた画像信号の
みを使うことがある。このとき、従来のアライメ
ントマークでは単なる直線的な形状であつたた
め、このアライメントマークのどの部分を通る走
査線に対応した画像信号を使うかの判別が難し
く、高速な処理ができないという欠点があつた。
(発明の目的) 本発明は上記欠点を解決し、被露光基板(ウエ
ハ)上のアライメントマークが小さなものであつ
ても、マスクとの位置合せ時にただちに所望の画
像信号を選び出すことができるようなアライメン
トマークを備えた露光用マスクを提供することを
目的とする。
(発明の概要) 本発明によれば、被露光基板(半導体ウエハ)
に設けられた位置合せ用の第1マーク(アライメ
ントマークA)に整合し得る第2マーク(アライ
メントマークB)を有するマスク(レテイクル)
において、第1マークと第2マークとを所定方向
(例えばy方向)に位置合せしたとき、例えば第
2マークがそのy方向と直交する方向(x方向)
に関して整列すべき位置(アライメントマークB
の底辺から距離Lxの位置)を表わす指標パター
ン(ギヤツプG1,G2)を第2マークに設けるこ
とによつて上記目的が達成される。
(実施例) 第1図は本発明の実施例による縮小投影型露光
装置の概略的な光学配置図であり、第2図はその
露光装置を制御する制御系の回路ブロツク図であ
る。
第1図において、露光光束1は図示なき光源部
より供給され、メインコンデンサーレンズ2によ
つて投影原版としてのレテイクル(マスク)3を
照明する。そしてメインコンデンサーレンズ2に
より投影レンズ5の入射瞳面6内に光源の像が形
成される。レテイクル3の投影レンズ5側の面、
すなわちパターン面3a上には、所定のパターン
が形成されており、このパターンが投影レンズ5
によりウエハ7のパターン面7a上に所定の倍率
で縮小投影される。露光光束1はウエハ7のパタ
ーン面7a上に塗られたフオトレジストを感光さ
せるのに有効な光で、例えば超高圧水銀灯より発
生する波長435.8nm(g線)の光や波長365nm(i
線)の光等のような単波長の光が用いられる。
このような露光光学系に対して、ウエハ7に設
けられた位置合せ用のアライメントマークAと、
レテイクルのパターン面3bの周辺部に設けられ
たアライメントマークBとの位置関係を観察する
ためのアライメント光学系は次のようであり、露
光光束1と同一の波長の光が照明光として用いら
れる。レテイクル3の周縁の上部には、反射鏡1
4、第1対物レンズ15、第2対物レンズ16が
設けられている。第1対物レンズ15の光軸13
は反射鏡14により直角に折りまげられ、レテイ
クル3のパターン面3aと直交する。従つて、投
影レンズ5の光軸9と実質的に平行であり、また
第1対物レンズ15の前側焦点はレテイクル3の
パターン面3a上に位置している。そして、この
位置関係を維持しつつ、第1対物レンズ15と反
射鏡14とが光軸13にそつて一体的に依動可能
である。さらに、第1対物レンズ15と第2対物
レンズ16との間は常に平行系となつており、第
2対物レンズ16の後側焦点位置に設けられた絞
り18とレテイクル3のパターン面3aとは第
1、第2対物レンズに関して共役であり、さらに
投影レンズ5に関してウエハ7のパターン面7a
とも共役である。ウエハ7上での照明領域を制限
するために設けられた絞り18の後方にはコンデ
ンサーレンズ19が設けられ、その焦点は絞り1
8の位置に合致している。コンデンサーレンズ1
9は第1、第2対物レンズの光軸13と同軸上に
配置されている。そして、露光光束1と同一波長
の照明光を供給するためのライトガイド20の射
出面20aはその中心が光軸13から外れて設け
られている。一方、絞り18と第2対物レンズ1
6との間にはビームスプリツター17が配置され
る。そしてビームスプリツタ17で分割された光
路中にはテレビカメラ等の撮像装置21が設けら
れ、撮像装置21の撮像面21aは、絞り18と
同じく第1、第2対物レンズ15,16に関して
パターン面3aと共役であり、またウエハ7のパ
ターン面7aとも共役である。
このような構成によつてウエハ7のパターン面
7a上に設けられたアライメントマークAとレテ
イクル3のパターン面3a上に設けられてアライ
メントマークBとにライトガイド20からの光束
が供給され、アライメントマークAとBの像が共
に撮像装置21によつて観察される。第1図中に
はアライメントマークAとアライメントマークB
とを通る主光線11の様子を実線で記入した。主
光線11は第1対物レンズ15を射出した後、光
軸13に平行となり、ビームスプリツター17で
反射された後、撮像装置21の撮像面21aの中
心に達する。一方、ビームスプリツター17を通
過する主光線11は絞り18の中心を通り、コン
デンサーレンズ19で屈折されて光軸13に平行
になりライトガイド20のほぼ中心に達する。す
なわちこの主光線11がライトガイド20から供
給される照明光の主光線に相当する。
また、上記第1対物レンズ15と反射鏡14と
はレテイクル3上のアライメントマークBの位置
に応じて光軸13の方向に一体に移動する。
以上のような反射鏡14、第1対物レンズ1
5、第2対物レンズ16、ビームスプリツタ1
7、絞り18、コンデンサーレンズ19、ライト
ガイド20、及び撮像装置21とで構成されたア
ライメント光学系は、第1図中で紙面と垂直な方
向にもう1組設けられ、この2組のアライメント
光学系によつてレテイクル3とウエハ7の2次元
的な位置ずれを検出するものである。
ところで第1図の構成において、レテイクル3
と投影レンズ5との間は非テレセントリツクな光
学系であり、投影レンズ5とウエハ7との間はテ
レセントリツクな光学系である。この場合、レテ
イクル3上のマークを投影レンズ5の光軸9が通
らない位置、例えばレチクル3の周辺に設けれ
ば、そのマークの照明光束(又はアライメント光
学系)の主光線11はそのマークと投影レンズ5
の瞳6の中心とを結ぶ線と一致して、投影レンズ
の光軸9に対して傾いたもの、すなわち主光線1
1がレチクル3のパターン面3aに垂直になら
ず、ある角度傾いたものになる。このため、レチ
クル3上のアライメントマークBが金属薄膜で形
成され、光反射性であつても、そのマークを照明
した光の反射光はアライメント光学系、撮像装置
21の方に戻らず他の方向に進むから、そのマー
クはウエハ7で反射してきた光で透過照明される
ことになり、アライメントマークBの光像は黒つ
ぽい影となつて撮像される。このように、レチク
ル3側が非テレセントリツクな光学系である場合
は、レテイクル3上に形成されるアライメントマ
ークBを反射性で遮光性のもの、光吸収性のもの
のいずれにしてもよい。
またレチクル3側、ウエハ7側ともテレセント
リツクな光学系になる場合、主光線11はレチク
ル3に垂直(投影レンズ5の光軸9と平行)にな
るので、レテイクル3上のマークを光吸収性にし
ておくか、もしくは、レチクル3を偏光した光で
照明し、レチクル3とウエハ7との間の光路中に
偏光状態を変える部材(例えば1/4波長板)を入
れて、アライメントマークBからの反射光はカツ
トし、ウエハ7からの反射光は透過するような、
偏光分離特性を有する光学系を設ければよい。
さて第1図において、ウエハ7はウエハホルダ
8に真空吸着される。ステージ10はベース上を
2次元的(互いに直交するx方向とy方向)に移
動可能であり、ウエハホルダ8はこのステージ1
0に設けられて一体に2次元移動する。またウエ
ハホルダ8はステージ10に対して、投影レンズ
5の光軸9の方向(Z方向)に移動可能である。
基準マーク板12にはレテイクル3のアライメン
トマークBと整合し得る基準マークが設けられて
いて、レテイクル3とステージ10との位置を規
定する際に使われる。この基準マーク板12上の
マーク以外の表面は所定の光反射率を有し、ウエ
ハホルダ8に固定されている。
第2図の回路ブロツク図において、第2対物レ
ンズ16で結像されたアライメントマークA、又
はBの像の明暗は撮像装置21で光電変換され、
その画像信号は信号処理回路30に入力する。信
号処理回路30は画像信号を処理して撮像面21
a上にできた像のコントラストを検出し、アライ
メントマークAとBとの相対的な位置ずれ量に応
じた検出情報を制御回路31に出力する。また駆
動回路34で駆動されるモータ35はウエハホル
ダ8をZ方向に移動し、その移動量は制御回路3
1から出力される駆動情報によつて制御される。
さらに駆動回路36で駆動されるモータ37,3
8はステージ10をそれぞれx方向とy方向とに
移動し、その移動量は制御回路31からの検出情
報に基づいて出力される駆動情報によつて制御さ
れる。そして、ステージ10の2次元的な位置、
すなわち直交座標系xyの座標位置はレーザ干渉
測長器又はエンコーダ等を用いた座標測定装置3
9によつて逐次検出され、その検出された座標位
置は制御回路31で処理されてステージ10の位
置決めのために使われる。
第3図はウエハ7上の所定のパターンと重ね合
せ露光するときに使うレテイクル3の具体的な平
面図、第4図は基準マーク板12の平面図であ
る。レテイクル3は矩形状のガラス板にクロム等
の金属薄膜を周辺部に蒸着して遮光部3aを形成
し、その内側の領域3b内に所望の回路パターン
を形成したものである。レテイクル3の中心RC
を原点に座標系xyを定めたとき、x軸上で領域
3bの外周辺に、y方向の位置合せ用のアライメ
ントマークBが設けられている。尚、x方向のア
ライメントマークはy軸上に同様に設けられる。
アライメントマークBは第1図に示した反射鏡1
4、第1対物レンズ15、第2対物レンズ16及
び撮像装置21によつて観察される。このレテイ
クル3はその中心RCが投影レンズ5の光軸9を
通るように位置決めされる。アライメントマーク
Bの中心RC対するx方向の位置はレテイクル3
の設計時に予めわかつている。そこで第1図のよ
うにレテイクル3を配置して、反射鏡14と第1
対物レンズ15とを光軸13方向に移動すること
によつて、アライメントマークBが撮像装置21
によつて観察される。尚、第3図中点線で示した
円形の領域PAは投影レンズ5で投影可能な最大
露光領域、いわゆるイメージフイールドを表わ
す。また、x方向のアライメントマークはもう1
組のアライメント光学系によつて観察されるよう
に配置されている。
一方、基準マーク板12には、ステージ10の
位置とレテイクル3の投影像の位置との対応付け
のために、x方向に伸びた線状の基準マークFy
と、y方向に伸びた線状の基準マークFxとが十
字状に設けられている。
第5図はレテイクル3のアライメントマークB
の拡大図である。アライメントマークBの中心線
を座標系xyのx軸と一致させるものとすると、
アライメントマークBはx軸に関してy方向に左
右対称な形状であり、x方向の長さDxでy方向
の長さDyの矩形状の透明窓である。そしてこの
透明窓内にはx軸から等しい距離で互いの間隔が
Lyの2本の線状パターンP1,P2がx軸と平行に
形成されている。この線状パターンP1,P2のち
ようど中心にウエハ7上のアライメントマークA
が挾み込まれるように観察されたとき、レテイク
ル3の領域3bとウエハ7上の露光すべき1つの
領域とが投影レンズ5を介して正確に重なり合う
ことになる。さて、その線状パターンP1,P2
は透明窓の底辺からx方向に距離Lxの位置に、
微小なギヤツプG1,G2が形成されている。ギ
ヤツプG1,G2のところにはクロム層が蒸着さ
れず、光透過性である。このギヤツプG1,G2
が撮像装置21の水平走査線を選ぶ際の基準とな
る。また、透明窓の底辺部の中央には、y方向の
幅dの微小な凹部P3が形成されている。この凹
部P3は基準マーク板12のマークFyをy方向に
挾み込んで目合せするためのものであり、幅dは
マークFyの像のレテイクル3上での幅よりもわ
ずかに大きく定められている。この凹部P3によ
つて、マークFyを目合せすることによつて、レ
テイクル3とステージ10との位置の対応付けを
行なうことができる。
さて、第6図は信号処理回路30の具体的な回
路の一例を示す回路ブロツク図である。撮像装置
21からの画像信号の大きさ(レベル)はアナロ
グ−デジタル変換器(以下、ADCとする)40
でデジタル値に変換され、そのデジタル値はラン
ダム・アクセス可能なメモリ回路(以下、RAM
とする)41に記憶される。また撮像装置21か
らは、水平走査線用の同期信号(水平周期信号)
RSが出力され、カウンタ42はこの水平周期信
号HSに基づいて、1走査線を例えば1024画素に
分割するように、1走査期間中に1024個のパルス
を作り出し、そのパルスを順次計数する。その計
数値はRAM41にアドレス信号として印加さ
れ、この結果RAM41には1走査線に対応した
画像信号の各画素毎のレベルがアドレス順に記憶
される。マイクロプロセツサー(以下MPUと呼
ぶ)43はRAM41の書き込みや読み出しを制
御するとともに、RAM41に記憶された画像デ
ータに基づいて、アライメントマークBとアライ
メントマークAとの位置ずれ量を演算する。また
撮像装置21からは2次元的な走査のためにのこ
ぎり波形の垂直走査信号VSも出力され、前述の
画像信号、水平周期信号HSとともに、テレビブ
ラウン管(以下CRTと呼ぶ)44に印加される。
CRT44は撮像された画像を表示するとともに、
水平方向のカソール線をも表示する。カーソル線
は、カーソル線の垂直方向の位置を入力するため
のジヨイステイツク等の可変抵抗46と、この可
変抵抗46で設定された電圧Vrと垂直走査信号
VSの電圧とが一致したときパルス状のカーソル
信号を発生するカーソル信号発生器45と、その
カーソル信号をスイツチ47を介して画像信号と
加算する加算器48とによつて作られる。また可
変抵抗46からの設定電圧Vrと垂直走査信号VS
とはスイツチ49を介して択一的にアナログ−デ
ジタル変換器(以下、ADCとする)50に入力
する。ADC50は設定電圧Vr、又は垂直走査信
号VSのいずれか一方をデジタル値に変換して、
MPU43に出力する。このような構成において、
カーソル線を表示するときはスイツチ47を閉じ
るだけでよく、その垂直方向の表示位置は可変抵
抗46を調整するだけでよい。また、そのスイツ
チ47とスイツチ49は、MPU43により所定
のプログラムに従つて自動的に切換えられるもの
とする。
次に本実施例の動作を説明するが、ここでは例
えば第1層目のパターンをウエハ7上に形成し、
その後、第2層目のパターンをウエハ7上の第1
層目に重ね合せて露光するまでの一連の工程を含
めて説明する。
まず第1層目のパターンを第1図に示した露光
装置を使つてウエハ7上に露光するときは、第3
図に示したレチクル3の代りに第7図に示したレ
チクル3′を露光装置にセツトする。第7図のレ
チクル3′の矩形状の領域3b′はレチクル3の領
域3bと同一サイズであり、この領域3b′内に第
1層目のパターンが描かれている。もちろん領域
3b′の周辺にはクロム層による遮光領域3a′が形
成され、中心RCを原点とする座標系xyのx軸上
でレチクル3のアライメントマークBに対応する
位置にはウエハ7上に形成すべきアライメントマ
ークAを作るためのマークBがアライメントマー
クBと同一サイズで設けられている。第8図aは
そのマークB′の拡大図であり、x方向の長さが
Dxで、y方向の長さがDyの矩形領域を、x方向
に2等分し、レチクル3′の中心RCに近い領域
Ar1は全面をクロム層で遮光し、その中央に台
形状のパターンP4を光透過性にして設ける。一
方、領域Ar1の下段の領域Ar2はクロム層の全
面に長方形の透明窓を設け、その中央にパターン
P4と同一サイズの台形状のパターンP5をクロ
ム層で遮光性にして設ける。さて、2つの台形パ
ターンP4,P5はともにx軸に関して線対称に
なるように配置されており、特に台形パターンP
5の中心はマークB′の底辺部からx方向に距離
Lxの位置に形成される。また台形パターンP4,
P5の形状は第8図bに示すように、その斜辺の
傾きが、高さbと下底と上底の差分の長さaとの
比が9対1になるように定められ、斜辺がx軸と
平行に近く、しかも作り易い傾きに選ばれてい
る。
以上のようなレテイクル3′を用いて、ウエハ
7上にステツプアンドリピート方式で露光を繰り
返すことによつて、レテイクル3′の領域3b′と
アライメントマークB′とが座標系xyに従つてマ
トリツクス状に配列する。そして、そのウエハ7
を現像した後、第1層目のプロセス(エツチン
グ、蒸着等)を行なう。こうして第1層目が形成
されたウエハ7は再びフオトレジストルが塗布さ
れて、第1図の露光装置のステージ10に載置さ
れる。第1層目が形成されたウエハ7上には例え
ば第9図に示すように、レテイクル3′の領域3
b′の転写パターン、すなわちチツプが所定のピツ
チで配列される。第9図ではウエハ7の中央付近
で座標系xyのx軸に沿つた3つのチツプC0,C1
C2を代表的に示す。チツプC0とC1の間にはチツ
プC0に付随してマークB′に応じたアライメント
マークA0が形成され、チツプC1とC2の間にはチ
ツプC1に付随してマークB′に応じたアライメン
トマークA1が形成される。アライメントマーク
A0,A1はともに、マークB′の台形パターンP4,
P5に応じた台形パターンP4′,P5′を有す
る。台形パターンP4′,P5′は第1層目のフオ
トレジストがポジかネガか、又はプロセスによつ
てウエハ7の表面に凹凸に形成される。本実施例
でマークB′の透明部はウエハ7上で凸に形成さ
れるものとすると、台形パターンP4′は凸にな
り、台形パターンP5′が凹になる。第10図は
その台形パターンP4′,P5′を示す拡大斜視図
である。台形パターンP5′はレテイクル3′のマ
ークB′の領域Ar2によつて形成された長方形の
凸部Ar2′内に凹部として形成される。
以下、このような凸形パターンP4′及び凹形
パターンP5′を対にして形成する理由を説明す
る。第11図に示すように、レチクルとのアライ
メントはウエハ7の上に形成された第1層目Ar
2′の上にフオトレジストPRを塗布した状態で行
われるから、フオトレジスト膜の表面で反射され
た照明光と台形パターン部P4′または台形パタ
ーン部P5′で反射された照明光とが干渉を起こ
す可能性がある。いま、フオトレジストPRの屈
折率をnとし、フオトレジスト表面とパターンP
4′,P5′との間隔をそれぞれd1,d2としたとき
レジスト表面とパターンP4′,P5′との間の光
学的距離D1,D2は以下のように表わされる。
D1=n・d1、D2=n・d2。従つて、レジスト表
面で反射した照明光とパターンP4′,P5′の表
面で反射した照明光とが干渉する条件は、照明光
の波長をλとすると、d1=λ/2n、d2=λ/2nであ
る。例えば、λ=436nmとするとd1(=d2)≒
130nmのときに干渉縞が生ずる(詳しくは130nm
の整数倍のフオトレジスト膜厚のときに干渉縞が
発生する)。
そこで、第10,11図示のように凸、凹形の
パターンP4′,P5′を同一層に形成しておく
と、例えば凸形パターンP4′上方のレジスト膜
厚d1が干渉条件を満足したときには、凹形パター
ンP5′上方のレジスト膜厚d2は干渉条件を外れ
ている確率が非常に高い。それ故、凸形、凹形パ
ターンP4′,P5′を対にして形成し、干渉縞が
発生していない方のパターンをアライメント用に
使用するのである。
さて、第2層目の露光のときは第3図に示した
レテイクル3を第1図の露光装置にセツトする。
そして、ライトガイド20から照明光を発し、撮
像装置21によつてレテイクル3のアライメント
マークBを撮像する。このときステージ10はウ
エハ7にレテイクル3を透過した照明光があたら
ないように退避している。ただし、アライメント
マークBの投影位置には基準マーク板12の反射
面を配置する。そしてこのような状態で、作業者
は第6図のCRT44を観察して信号処理回路3
0の初期設定(イニシヤライズ)を実行する。こ
の動作を第12図のフローチヤート図に基づいて
説明する。まずステツプ100でMPU43はスイツ
チ47を閉じて、CRT44にカーソル線を表示
するとともに、スイツチ49を切替えて設定電圧
Vrを選択する。次のステツプ101は作業者が
CRT44を見ながらカーソル線がアライメント
マークBの2本の線状パターンP1,P2のギヤ
ツプG1,G2に位置するように可変抵抗46を
調整するものである。このときの様子を第13図
に示す。第13図は撮像されたアライメントマー
クBと走査線SL、カーソル線CLとの関係を示す
図である。走査線SLは線状パターンP1,P2
と直交するように図中左端から右端まで一直線に
延びる。カーソル線CLは一本の走査線上に現わ
れる。そして、このカーソル線CLは線状パター
ンP1,P2のギヤツプG1,G2のそれぞれに
挟み込まれるように位置合せされる。
次のステツプ102でMPU43はADC50でデ
ジタル値に変換された設定電圧Vrを読み込み、
その値をカーソル位置Drとして記憶する。この
読み込みは作業者が第13図のような状態を確認
してから、不図示のスイツチを投入することによ
つて行なわれる。そして最後にMPU43はステ
ツプ103でスイツチ47を開いてCRT44に表示
されたカーソル線CLを消去するとともに、スイ
ツチ49を元に戻して垂直走査信号VSを選択す
る。
さて、初期設定が終了すると制御回路31は座
標測定器39、駆動回路36、ステージ10、及
び不図示のウエハアライメント顕微鏡等と共働し
て、ウエハ7の露光装置本体に対する位置合せを
行なう。この位置合せの方法は例えば特開昭56−
102823号公報に開示されているように公知であ
り、また本発明と直接関係しないので説明は省略
する。そして次に制御回路31は例えばウエハ7
上に重ね焼きすべき第1番目のチツプC0とレテ
イクル3の領域3bの投影像とが概ね位置合せさ
れるように、座標測定器39によつてステージ1
0の位置決めを行なう。その後、ライトガイド2
0から照明光を発すると、撮像装置21の撮像面
21aには例えば第14図に示すようにアライメ
ントマークBとA0との像が重ね合されて結像す
る。
ところで、先にも説明したように、ウエハ7に
はフオトレジストが塗布されているので、アライ
メントマークA0の2つの台形パターンP4′,P
5′のうち、一方のパターンは他方のパターンに
対して干渉縞が多く観察される。この干渉縞のた
めに画像信号のS/Nが悪化し、位置ずれ検出の精
度を低下させるばかりでなく、極端な場合、パタ
ーンの検出そのものが不可能になることがある。
本実施例では、ウエハ7上の第1番目に露光する
チツプC0に関しては、CRT44を使つて目視で
台形パターンP4′とP5′のどちらを使うかを選
択するようにした。以下、その動作とそれに引き
続く位置ずれ検出の動作について第15図のフロ
ーチヤート図を参照して説明する。まず作業者は
ステツプ104でCRT44に表示された台形パター
ンP4′とP5′の見え具合をくらべて、干渉縞が
少くはコントラストのよい方のパターンを選び、
そのどちらを使うかをステツプ105でMPU43に
指令する。ステツプ105で台形パターンP4′を使
うことが指令されると、MPU43はステツプ106
で撮像装置21の1画面中の走査線のうち、第1
5図に示すような走査線SL1を選ぶようなデー
タを作り出す。この走査線SL1はギヤツプG1
とG2を通る走査線、すなわち先の初期設定時に
表示したカーソル線CLよりも所定量αだけ下方
で、線状パターンP1,P2と交わるような位置
に定められている。このステツプ106でMPU43
は先のステツプ102で記憶した値Drにαに応じた
値を加算して、その加算値Dr1を再度記憶する。
一方、ステツプ105で台形パターンP5′を使うこ
とが指令されると、MPU43はステツプ107で走
査線SL2を選ぶためのデータを作り出す。走査
線SL2は走査線SL1が台形パターンP5′の中
心を通つたとき、台形パターンP4′の中心を通
るようにギヤツプG1,G2から所定量βだけ上
方に定められている。そしてMPU43は値Drか
らβに応じた値を減算して、その減算値Dr2を
再度記憶する。本実施例では台形パターンP5′
が選ばれたものとする。
次にMPU43はステツプ108、109でADC50
でデジタル値に変換された垂直走査信号VSの電
圧を読み込み、その値と記憶されたテータ値Dr
1(又はDr2)と比較することを1画面の走査
中順次繰り返す。ここでは走査線SL1が選ばれ
ているので、垂直走査信号VSのデジタル値が値
Dr1と一致したとき、MPU43は次のステツプ
110で、その走査線SL1の画像信号について、
RAM41に書き込みを開始するような指令を、
RAM41とカウンタ42に出力する。これによ
つてカウンタ42は例えば計数値が零にリセツト
された後、水平同期信号HSの入力に応答して
1024までカウントアツプして停止する。この計数
動作中、ADC40でデジタル値に変換された画
像信号はRAM41の0番地から1024番地までの
領域に順次記憶される。第16図はRAM41に
記憶された走査線SL1上の画像信号の強度分布
を示し、本来は離散的な分布となるが、わかりや
すくするため連続した波形で表わした、この図で
横軸は番地、縦軸は画像信号の強度(レベル)を
表わす。
次にステツプ111の区間切り出しでMPU43は
RAM41に記憶された画像信号を読み出して、
まずレテイクル3のアライメントマークBの線状
パターンP1,P2に応じて生じた波形上のボト
ムBT1とBT2を検出し、このボトムBT1と
BT2のそれぞれの中心に対応する番地AD1と
AD2を見つける。この番地AD1からAD2まで
の区間に、台形パターンP5′に応じて生じた波
形上のピーク部PTが存在する。
次にMPU43はステツプ112の微分演算で、第
16図に示した番地AD1からAD2までの区間
を微分して、ピーク部PTの立上りの中心に対応
する番地AD3と、ピーク部PTの立下りの中心
に対応する番地AD4とを検出する。次にMPU
43はステツプ113のアライメントマークBのセ
ンター出しで、番地AD1とAD2の中心に位置
する番地ADbを算出し、ステツプ114のアライメ
ントマークAのセンター出しで番地AD3とAD
4に中心に位置する番地ADaを算出する。そし
て、最後のステツプ115でMPU43は番地ADa
とADbの差を求め、その差分に投影レンズ5の
倍率やアライメント光学系の倍率等に応じた定数
kを乗算して、アライメントマークAとアライメ
ントマークBのy方向の相対的な位置ずれ量△y
をウエハ7上でのずれ量に換算して求める。この
求めたずれ量△yは第14図において、線状パタ
ーンP1,P2の中心線(x軸)と、台形パター
ンD4′,P5′の中心線CCとのy方向のずれ量
である。
以上のようにして求めたずれ量△yはMPU4
3から制御回路31に出力され、制御回路31は
ずれ量△yに応じた量だけステージ10をy方向
に微動して台形パターンP4′,P5′の中心線
CCとx軸とを一致させる。これによつてウエハ
7上のチツプC0とレテイクル3の領域3bの投
影像とのy方向の位置合せが完了する。x方向の
位置合せも全く同様に行なわれ、チツプC0と領
域3bとは正確に重ね合されたことになる。ここ
でレテイクル3に所定時間だけ露光光束1を照射
して、ウエハ7のチツプC0を露光する。チツプ
C0の露光が終ると、領域3bの投影像とチツプ
C1が重なるようにステージ10をx方向に所定
ピツチだけ歩進させて、同様にアライメントマー
クBとアライメントマークA1との位置合せを行
なう。ただし、ウエハ7上に露光する番目からの
チツプに関しては、ステツプ104、105、106、107
を不要として、ただちにステツプ108を実行して
もよい。これは同一ウエハ上ではアライメントマ
ークAの台形パターンP4′,P5′のうち見え具
合のよい方は概ね一義的に決まるからである。
以上、本発明の第1の実施例では、信号処理回
路30の構成上、走査線SL1はあえてアライメ
ントマークBのギヤツプG1,G2を通らないよ
うにしたが、必らずしもその必要はない。
次に本発明の第2の実施例を第17図により説
明する。第2の実施例ではカーソル線CLを使わ
ずにギヤツプG1,G2を通る走査線SL1の位
置に応じたデータ値Drを求める。第17図はギ
ヤツプG1,G2を通る走査線の画像信号と、線
状パターンP1,P2を横切る走査線の画像信号
との相関を取るための走査線判定回路の回路ブロ
ツク図であり、第6図の回路にそのまま付加する
ことができる。撮像装置21からの画像信号は2
値化回路60に入力して、走査線中の各画素毎に
論理値「0」、「1」の時系列的な2値化信号に変
換される。シフトレジスタ61はその2値化信号
を順次入力して、一走査線分の各画素を1ビツト
ずつシフトする。走査線は1024画素としたのでこ
のシフトレジスタ61は1024ビツトの記憶素子で
構成される。シフトレジスタ62も1024ビツトで
あり、シフトレジスタ61と直列に接続される。
従つてシフトレジスタ61には走査中の走査線に
応じた2値化信号が格納され、シフトレジスタ6
2にはその走査線の1つ前の走査線に応じた2値
化信号が格納される。デジタル相関器63はシフ
トレジスタ61の1024ビツトのデータと、シフト
レジスタ62の1024ビツトのデータとを比較し
て、両データが一致しないときは信号64を
MPU43に出力する。ただしその比較は水平同
期信号HSに基づいて、一走査の終了時で次の走
査の開始までの間に行なわれるように定められて
いる。また、撮像装置21からの垂直走査信号
VSは第6図のADC50に入力する。
このような構成において、撮像装置21が第1
3図のようにアライメントマークBのみを撮像す
るようにした後、MPU43はデジタル相関器6
3からの信号64をモニターし、信号64を検出
した時、ADC50のデジタル値を読み込んで記
憶する。第13図のアライメントマークBの場
合、走査線が線状パターンP1,P2を通る状態
からギヤツプG1,G2を通る状態に移行したと
き信号64が発生し、MPU43はその時の垂直
走査信号VSのレベルを値Drとして記憶する。以
上のように、本実施例では初期設定時にカーソル
線を使つて目視により走査線を選ぶことがなくな
り、作業者の操作が低減される。
以上、本発明の2つの実施例を示したが、その
他に、レテイクル3の線状パターンP1,P2に
よつて挟み込まれる台形パターンP4′のx方向
の位置に応じて、ギヤツプG1,G2から上方
(+x方向)に台形パターンP4′とP5′との中
心間隔分だけ離れて、さらにギヤツプを形成して
おいてもよい。そしてそのギヤツプに対してもカ
ーソル線を合せて、画像処理に使うべき走査線の
位置として記憶させてもよい。また必らずしもク
ロム層のないギヤツプである必要はなく、線状パ
ターンP1,P2と幅が異なる段部をアライメン
トマークBの底部から距離Lxに設けるようにし
ても同様の効果が得られる。また撮像装置21の
撮像面21aに、x方向とy方向のアライメント
マークBの像を同時に結像するような合成光学系
を設け、x方向とy方向の両アライメントマーク
をCRT44で上下2段に分けて観察するように
しても同様の効果が得られる。さらにウエハ7上
のアライメントマークAの台形パターンは必らず
しも2つである必要はなく、1つであつてもよ
い。
(発明の効果) 以上のように本発明によれば、マスクのマーク
と整合する被露光基板上のマークが、小さい場
合、又は単一のパターンではなく複数のパターン
の集合であつても、マスクのマークには指標パタ
ーンが設けられているので、選択すべき画像信号
等が高速に検出でき、この結果位置合せに用する
時間を短縮することができる。また、指標パター
ンを第2マークに設けたので、マスクと第2マー
クの画像検出手段との位置ずれが生じて、第2マ
ークが画像中で多少ずれたとしても、ただちに選
択すべき画像信号を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例に適した縮小投影型露
光装置の概略的な光学配置図、第2図は第1図の
露光装置の制御系の回路ブロツク図、第3図は重
ね合せ露光する場合のレテイクル3の平面図、第
4図は基準マーク板12の平面図、第5図はレテ
イクル3のアライメントマークBの形状を示す平
面図、第6図は信号処理回路30の具体的な回路
ブロツク図、第7図はレテイクル3と重ね合され
るウエハ上のパターンを形成するためのレテイク
ル3′の平面図、第8図aはレテイクル3′に設け
られたアライメントマークB′の形状を示す平面
図、第8図bは台形パターンの形状を示す平面
図、第9図はウエハ上に形成されたチツプとアラ
イメントマークAとを示す平面図、第10図はウ
エハ上のアライメントマークAの形成状態を示す
斜視図、第11図はアライメントマークAとして
2つの同一サイズの台形パターンを形成する原理
を説明するための断面図、第12図は初期設定の
動作を説明するフロチヤート図、第13図は初期
設定時のアライメントマークBとカーソル線CL
の様子を示す図、第14図はアライメントマーク
AとアライメントマークBとの位置合せ状態を示
す図、第15図はアライメントマークAとBの位
置ずれ量を検出する動作を説明するフローチヤー
ト図、第16図は1つの走査線に対応して得られ
た画像信号の波形図、第17図は、本発明の第2
の実施例による走査線判定回路の回路ブロツク図
である。 〔主要部分の符号の説明〕 3,3′…レテイ
クル(マスク)、5…縮小投影レンズ、7…ウエ
ハ、10…ステージ、21…撮像装置、30…信
号処理回路、44…テレビブラウン管(CRT)、
A,A0,A1,B,B′…アライメントマーク、P
1,P2…線状パターン、P4′,P5′…台形パ
ターン、G1,G2…ギヤツプ(指標パターン)、
SL,SL1,SL2…走査線、CL…カーソル線。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 被露光基板に設けられた位置合せ用の第1マ
    ークに整合し得る第2マークを有するマスクにお
    いて、前記第1マークと第2マークとを位置合せ
    したとき、前記第1マークが整列すべき位置を表
    わすための指標パターンを前記第2マークに設け
    たことを特徴とする露光用マスク。
JP59033983A 1984-02-24 1984-02-24 露光用マスク Granted JPS60178628A (ja)

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US06/703,941 US4679942A (en) 1984-02-24 1985-02-21 Method of aligning a semiconductor substrate and a photomask

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