JPH05198475A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
- Publication number
- JPH05198475A JPH05198475A JP4008311A JP831192A JPH05198475A JP H05198475 A JPH05198475 A JP H05198475A JP 4008311 A JP4008311 A JP 4008311A JP 831192 A JP831192 A JP 831192A JP H05198475 A JPH05198475 A JP H05198475A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- light
- pattern
- focusing
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70641—Focus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 容易に且つ高速でベストフォーカス条件を決
定することを目的とする。 【構成】 光源１から発せられた照明光は集光レンズ２
を介してマスク３の焦点合わせ用パターン８を通過した
後、投影レンズ４を介してウエハ５に至り、ウエハ５で
反射して再びマスク３の焦点合わせ用パターン８を通過
する。その後、照明光はハーフミラー６で反射されてセ
ンサ７に入射し、ここで光量が検出される。
定することを目的とする。 【構成】 光源１から発せられた照明光は集光レンズ２
を介してマスク３の焦点合わせ用パターン８を通過した
後、投影レンズ４を介してウエハ５に至り、ウエハ５で
反射して再びマスク３の焦点合わせ用パターン８を通過
する。その後、照明光はハーフミラー６で反射されてセ
ンサ７に入射し、ここで光量が検出される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＬＳＩの製造工程に
おいて使用される投影露光装置に関する。
おいて使用される投影露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１１に従来の投影露光装置の光学系を
示す。水銀ランプ等の光源１１から発した光は集光レン
ズ１２を介して回路パターンが形成されているマスク１
３を照明する。マスク１３を通過した光は投影レンズ１
４を介してウエハ１５上にマスク１３の回路パターンの
像を投影する。これにより、回路パターンの露光及び焼
き付けが行われる。ところが、このような回路パターン
の露光に先立って、ベストフォーカス条件を決定する必
要がある。従来の露光工程では、次のようにしてベスト
フォーカス条件の決定が行われていた。まず、ウエハ１
５の位置を光軸に沿って所定間隔で移動させつつウエハ
１５上に図１２に示されるようなテストパターン１６ａ
〜１６ｇを順次露光する。その後、ウエハ１５を現像
し、図１３に示されるようにそれぞれテストパターン１
６ａ〜１６ｇに対応してウエハ１５上に形成されたパタ
ーン１７ａ〜１７ｇを顕微鏡で観察する。そして、パタ
ーン１７ａ〜１７ｇのうち最も形状の優れたパターンを
見い出し、そのパターンを形成したときの条件をベスト
フォーカス条件として回路パターンの本露光を行ってい
た。例えば、図１３においては、パターン１７ｃがベス
トフォーカスで形成されたパターンと判定される。
示す。水銀ランプ等の光源１１から発した光は集光レン
ズ１２を介して回路パターンが形成されているマスク１
３を照明する。マスク１３を通過した光は投影レンズ１
４を介してウエハ１５上にマスク１３の回路パターンの
像を投影する。これにより、回路パターンの露光及び焼
き付けが行われる。ところが、このような回路パターン
の露光に先立って、ベストフォーカス条件を決定する必
要がある。従来の露光工程では、次のようにしてベスト
フォーカス条件の決定が行われていた。まず、ウエハ１
５の位置を光軸に沿って所定間隔で移動させつつウエハ
１５上に図１２に示されるようなテストパターン１６ａ
〜１６ｇを順次露光する。その後、ウエハ１５を現像
し、図１３に示されるようにそれぞれテストパターン１
６ａ〜１６ｇに対応してウエハ１５上に形成されたパタ
ーン１７ａ〜１７ｇを顕微鏡で観察する。そして、パタ
ーン１７ａ〜１７ｇのうち最も形状の優れたパターンを
見い出し、そのパターンを形成したときの条件をベスト
フォーカス条件として回路パターンの本露光を行ってい
た。例えば、図１３においては、パターン１７ｃがベス
トフォーカスで形成されたパターンと判定される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
投影露光装置では、上述したようにベストフォーカス条
件を決定する際に本露光に先立ってテストパターン１６
ａ〜１６ｇの露光、ウエハ１５の現像、光学顕微鏡及び
電子顕微鏡等によるパターン１７ａ〜１７ｇの観察が必
要となり、多大の手間と時間を要するという問題があっ
た。この発明はこのような問題点を解消するためになさ
れたもので、容易に且つ高速でベストフォーカス条件を
決定することができる投影露光装置を提供することを目
的とする。
投影露光装置では、上述したようにベストフォーカス条
件を決定する際に本露光に先立ってテストパターン１６
ａ〜１６ｇの露光、ウエハ１５の現像、光学顕微鏡及び
電子顕微鏡等によるパターン１７ａ〜１７ｇの観察が必
要となり、多大の手間と時間を要するという問題があっ
た。この発明はこのような問題点を解消するためになさ
れたもので、容易に且つ高速でベストフォーカス条件を
決定することができる投影露光装置を提供することを目
的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明に係る投影露光
装置は、照明光を発する光源と、遮光部分と透過部分と
が交互に繰り返し配列された焦点合わせ用パターンが形
成されたマスクと、光源から発した照明光をマスク上に
照射させる集光レンズと、マスクを通過した照明光をウ
エハ表面に集光させる投影レンズと、マスクの焦点合わ
せ用パターンを通過した後にウエハ表面で反射して再び
マスクの焦点合わせ用パターンを通過した照明光の光量
を検出するセンサとを備えたものである。
装置は、照明光を発する光源と、遮光部分と透過部分と
が交互に繰り返し配列された焦点合わせ用パターンが形
成されたマスクと、光源から発した照明光をマスク上に
照射させる集光レンズと、マスクを通過した照明光をウ
エハ表面に集光させる投影レンズと、マスクの焦点合わ
せ用パターンを通過した後にウエハ表面で反射して再び
マスクの焦点合わせ用パターンを通過した照明光の光量
を検出するセンサとを備えたものである。
【０００５】
【作用】この発明においては、センサが、マスクの焦点
合わせ用パターンを通過した後にウエハ表面で反射して
再びマスクの焦点合わせ用パターンを通過した照明光の
光量を検出する。
合わせ用パターンを通過した後にウエハ表面で反射して
再びマスクの焦点合わせ用パターンを通過した照明光の
光量を検出する。
【０００６】
【実施例】以下、この発明の実施例を添付図面に基づい
て説明する。図１はこの発明の一実施例に係る投影露光
装置の光学系を示す図である。水銀ランプ等の光源１の
下方に集光レンズ２を介してマスク３が配置されてい
る。さらに、マスク３の下方には投影レンズ４を介して
ウエハ５が配置されている。マスク３の周辺部には焦点
合わせをするための焦点合わせ用パターン８が形成され
ている。マスク３と集光レンズ２との間には、マスク３
の焦点合わせ用パターン８の直上に斜めにハーフミラー
６が配置され、ハーフミラー６の側方にセンサ７が配置
されている。
て説明する。図１はこの発明の一実施例に係る投影露光
装置の光学系を示す図である。水銀ランプ等の光源１の
下方に集光レンズ２を介してマスク３が配置されてい
る。さらに、マスク３の下方には投影レンズ４を介して
ウエハ５が配置されている。マスク３の周辺部には焦点
合わせをするための焦点合わせ用パターン８が形成され
ている。マスク３と集光レンズ２との間には、マスク３
の焦点合わせ用パターン８の直上に斜めにハーフミラー
６が配置され、ハーフミラー６の側方にセンサ７が配置
されている。
【０００７】図２に示されるように、マスク３は透明基
板９を有しており、透明基板９上に所定のピッチで互い
に平行に配置された複数の遮光部材１０が形成されてい
る。これら複数の遮光部材１０によって、図３に示され
るように、遮光部分Ａと透過部分Ｂとが交互に繰り返し
配列された焦点合わせ用パターン８が形成されている。
板９を有しており、透明基板９上に所定のピッチで互い
に平行に配置された複数の遮光部材１０が形成されてい
る。これら複数の遮光部材１０によって、図３に示され
るように、遮光部分Ａと透過部分Ｂとが交互に繰り返し
配列された焦点合わせ用パターン８が形成されている。
【０００８】次に、この実施例の動作について説明す
る。まず、光源１から発した照明光は集光レンズ２を介
してマスク３を照明する。マスク３を通過した照明光は
投影レンズ４を介してウエハ５に入射し、ウエハ５表面
で反射した照明光が投影レンズ４を介して再びマスク３
に至る。マスク３の焦点合わせ用パターン８の直上には
ハーフミラー６が配置されているので、焦点合わせ用パ
ターン８を通過した後にウエハ５の表面で反射してマス
ク３に至った照明光は、再び焦点合わせ用パターン８を
通過し、ハーフミラー６で反射されてセンサ７に入射す
る。
る。まず、光源１から発した照明光は集光レンズ２を介
してマスク３を照明する。マスク３を通過した照明光は
投影レンズ４を介してウエハ５に入射し、ウエハ５表面
で反射した照明光が投影レンズ４を介して再びマスク３
に至る。マスク３の焦点合わせ用パターン８の直上には
ハーフミラー６が配置されているので、焦点合わせ用パ
ターン８を通過した後にウエハ５の表面で反射してマス
ク３に至った照明光は、再び焦点合わせ用パターン８を
通過し、ハーフミラー６で反射されてセンサ７に入射す
る。
【０００９】このときの照明光の様子を図３〜図８を用
いて詳細に説明する。まず、図３に示されるように、マ
スク３の焦点合わせ用パターン８を通過した直後の照明
光は交互に繰り返し配列された遮光部分Ａと透過部分Ｂ
とにより矩形波状の光振幅分布を有している。照明光が
投影レンズ４を介してウエハ５に至ると、図４に示され
るように、照明光の振幅分布は回折のために形状が崩れ
て正弦波状となる。ただし、ベストフォーカスであれ
ば、図４のように正弦波の振幅は大きなものとなる。こ
の照明光がウエハ５表面で反射し、投影レンズ４を介し
て再びマスク３の焦点合わせ用パターン８に至ると、図
５に示されるように、正弦波状の反射光が下から上に向
けて焦点合わせ用パターン８を照明することとなる。ベ
ストフォーカス時には、反射光の振幅分布形状の劣化が
少ないので、焦点合わせ用パターン８の透過部分Ｂを通
過する光の透過量は大きい。すなわち、ハーフミラー６
を介してセンサ７に入射される光量が大きくなる。
いて詳細に説明する。まず、図３に示されるように、マ
スク３の焦点合わせ用パターン８を通過した直後の照明
光は交互に繰り返し配列された遮光部分Ａと透過部分Ｂ
とにより矩形波状の光振幅分布を有している。照明光が
投影レンズ４を介してウエハ５に至ると、図４に示され
るように、照明光の振幅分布は回折のために形状が崩れ
て正弦波状となる。ただし、ベストフォーカスであれ
ば、図４のように正弦波の振幅は大きなものとなる。こ
の照明光がウエハ５表面で反射し、投影レンズ４を介し
て再びマスク３の焦点合わせ用パターン８に至ると、図
５に示されるように、正弦波状の反射光が下から上に向
けて焦点合わせ用パターン８を照明することとなる。ベ
ストフォーカス時には、反射光の振幅分布形状の劣化が
少ないので、焦点合わせ用パターン８の透過部分Ｂを通
過する光の透過量は大きい。すなわち、ハーフミラー６
を介してセンサ７に入射される光量が大きくなる。
【００１０】一方、デフォーカス時には、図６に示され
るようにマスク３の焦点合わせ用パターン８を通過した
直後の照明光は矩形波状の光振幅分布を有しているが、
照明光が投影レンズ４を介してウエハ５に至ると、図７
に示されるように照明光の振幅分布はデフォーカスのた
めにベストフォーカス時よりも形状が崩れたものとな
る。このため、ウエハ５での反射光が再びマスク３の焦
点合わせ用パターン８を通過する際には、図８に斜線部
Ｃで示すように遮光部分Ａによって大きな光量が遮断さ
れる。その結果、ハーフミラー６を介してセンサ７に入
射される光量は小さくなる。
るようにマスク３の焦点合わせ用パターン８を通過した
直後の照明光は矩形波状の光振幅分布を有しているが、
照明光が投影レンズ４を介してウエハ５に至ると、図７
に示されるように照明光の振幅分布はデフォーカスのた
めにベストフォーカス時よりも形状が崩れたものとな
る。このため、ウエハ５での反射光が再びマスク３の焦
点合わせ用パターン８を通過する際には、図８に斜線部
Ｃで示すように遮光部分Ａによって大きな光量が遮断さ
れる。その結果、ハーフミラー６を介してセンサ７に入
射される光量は小さくなる。
【００１１】すなわち、センサ７で検出される光量は、
ベストフォーカス時に最大となり、デフォーカスになる
程減少する。従って、ウエハ５の位置を光軸に沿って移
動させつつセンサ７での検出量をモニタすることによ
り、容易にベストフォーカス位置を求めることが可能と
なる。
ベストフォーカス時に最大となり、デフォーカスになる
程減少する。従って、ウエハ５の位置を光軸に沿って移
動させつつセンサ７での検出量をモニタすることによ
り、容易にベストフォーカス位置を求めることが可能と
なる。
【００１２】このようにしてベストフォーカス条件を決
定した後、マスク３の代わりに回路パターンが形成され
た露光用マスクをセットして、回路パターンの露光を行
う。なお、焦点合わせ用パターン８は、回路パターンが
形成された露光用マスクの一部に形成してもよい。この
場合には、回路パターンの露光と並行してフォーカスチ
ェックを行うことができる。従って、気圧、温度、露光
頻度等に起因して生じるフォーカス変動を連続的にモニ
タし、常時ベストフォーカスで露光することが可能とな
る。
定した後、マスク３の代わりに回路パターンが形成され
た露光用マスクをセットして、回路パターンの露光を行
う。なお、焦点合わせ用パターン８は、回路パターンが
形成された露光用マスクの一部に形成してもよい。この
場合には、回路パターンの露光と並行してフォーカスチ
ェックを行うことができる。従って、気圧、温度、露光
頻度等に起因して生じるフォーカス変動を連続的にモニ
タし、常時ベストフォーカスで露光することが可能とな
る。
【００１３】また、上記の実施例ではハーフミラー６が
マスク３と集光レンズ２との間に配置されていたが、こ
れに限るものではなく、マスク３より光源１に近い位置
にあればよい。例えば、光源１と集光レンズ２との間に
配置することもできる。
マスク３と集光レンズ２との間に配置されていたが、こ
れに限るものではなく、マスク３より光源１に近い位置
にあればよい。例えば、光源１と集光レンズ２との間に
配置することもできる。
【００１４】マスク３の代わりに図９に示されるような
マスク２３を用いることもできる。このマスク２３は透
明基板２９を有しており、透明基板２９の上に共通の中
心Ｐの回りに所定の角度間隔で配置された複数の扇形の
遮光部材３０が形成されている。これら複数の遮光部材
３０によって、遮光部分Ｄと透過部分Ｅとが交互に繰り
返し配列された焦点合わせ用パターン２８が形成されて
いる。上記の実施例と同様に、ウエハ５の表面で反射し
てこの焦点合わせ用パターン２８を通過した照明光の光
量をセンサ７で検出することにより、ベストフォーカス
条件を容易に決定することができる。
マスク２３を用いることもできる。このマスク２３は透
明基板２９を有しており、透明基板２９の上に共通の中
心Ｐの回りに所定の角度間隔で配置された複数の扇形の
遮光部材３０が形成されている。これら複数の遮光部材
３０によって、遮光部分Ｄと透過部分Ｅとが交互に繰り
返し配列された焦点合わせ用パターン２８が形成されて
いる。上記の実施例と同様に、ウエハ５の表面で反射し
てこの焦点合わせ用パターン２８を通過した照明光の光
量をセンサ７で検出することにより、ベストフォーカス
条件を容易に決定することができる。
【００１５】なお、光の回折の影響は、光の波長と個々
のパターンの大きさに依存するので、露光しようとする
回路パターンの代表的なパターンピッチと同程度のピッ
チで遮光部分と透過部分とが交互に配列された焦点合わ
せ用パターンを用いると、より高精度な焦点合わせがで
きる。図９に示された焦点合わせ用パターン２８は、遮
光部分Ｄと透過部分Ｅとがそれぞれ扇形を有しているの
で、点Ｐを中心とする円を考えると、この円の半径に応
じて円周に沿った遮光部分Ｄと透過部分Ｅとの配列ピッ
チが変化する。すなわち、半径を大きくとると配列ピッ
チは大きくなり、半径を小さくとると配列ピッチも小さ
くなる。そこで、図９の焦点合わせ用パターン２８の像
をセンサ７の受光面上に結像させ、点Ｐを中心とした任
意の半径の環状部分Ｑのみを取り出してこの部分の照明
光の光量を検出すれば、所望の配列ピッチによるベスト
フォーカス条件が決定され、高精度の焦点合わせが可能
となる。
のパターンの大きさに依存するので、露光しようとする
回路パターンの代表的なパターンピッチと同程度のピッ
チで遮光部分と透過部分とが交互に配列された焦点合わ
せ用パターンを用いると、より高精度な焦点合わせがで
きる。図９に示された焦点合わせ用パターン２８は、遮
光部分Ｄと透過部分Ｅとがそれぞれ扇形を有しているの
で、点Ｐを中心とする円を考えると、この円の半径に応
じて円周に沿った遮光部分Ｄと透過部分Ｅとの配列ピッ
チが変化する。すなわち、半径を大きくとると配列ピッ
チは大きくなり、半径を小さくとると配列ピッチも小さ
くなる。そこで、図９の焦点合わせ用パターン２８の像
をセンサ７の受光面上に結像させ、点Ｐを中心とした任
意の半径の環状部分Ｑのみを取り出してこの部分の照明
光の光量を検出すれば、所望の配列ピッチによるベスト
フォーカス条件が決定され、高精度の焦点合わせが可能
となる。
【００１６】図１０に示されるように、透明基板３９上
に互いに配列ピッチの異なる複数の焦点合わせ用パター
ン３８ａ、３８ｂ及び３８ｃが形成された焦点合わせ用
パターン３３を用いることもできる。各パターン３８
ａ、３８ｂ及び３８ｃは、それぞれ固有のピッチで互い
に平行に配置された複数の遮光部材を有している。焦点
合わせ用パターン３８ａ、３８ｂ及び３８ｃの中から、
露光しようとする回路パターンのパターンピッチに最も
近い配列ピッチを有する焦点合わせ用パターンを選択
し、そのパターンを通過した照明光の光量を検出するこ
とにより、高精度の焦点合わせが可能となる。
に互いに配列ピッチの異なる複数の焦点合わせ用パター
ン３８ａ、３８ｂ及び３８ｃが形成された焦点合わせ用
パターン３３を用いることもできる。各パターン３８
ａ、３８ｂ及び３８ｃは、それぞれ固有のピッチで互い
に平行に配置された複数の遮光部材を有している。焦点
合わせ用パターン３８ａ、３８ｂ及び３８ｃの中から、
露光しようとする回路パターンのパターンピッチに最も
近い配列ピッチを有する焦点合わせ用パターンを選択
し、そのパターンを通過した照明光の光量を検出するこ
とにより、高精度の焦点合わせが可能となる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、この発明に係る投
影露光装置は、照明光を発する光源と、遮光部分と透過
部分とが交互に繰り返し配列された焦点合わせ用パター
ンが形成されたマスクと、光源から発した照明光をマス
ク上に照射させる集光レンズと、マスクを通過した照明
光をウエハ表面に集光させる投影レンズと、マスクの焦
点合わせ用パターンを通過した後にウエハ表面で反射し
て再びマスクの焦点合わせ用パターンを通過した照明光
の光量を検出するセンサとを備えているので、容易に且
つ高速でベストフォーカス条件を決定することが可能と
なる。
影露光装置は、照明光を発する光源と、遮光部分と透過
部分とが交互に繰り返し配列された焦点合わせ用パター
ンが形成されたマスクと、光源から発した照明光をマス
ク上に照射させる集光レンズと、マスクを通過した照明
光をウエハ表面に集光させる投影レンズと、マスクの焦
点合わせ用パターンを通過した後にウエハ表面で反射し
て再びマスクの焦点合わせ用パターンを通過した照明光
の光量を検出するセンサとを備えているので、容易に且
つ高速でベストフォーカス条件を決定することが可能と
なる。
【図１】この発明の一実施例に係る投影露光装置の光学
系を示す図である。
系を示す図である。
【図２】実施例で用いられたマスクを示す平面図であ
る。
る。
【図３】ベストフォーカス時の実施例の動作を示す図で
ある。
ある。
【図４】ベストフォーカス時の実施例の動作を示す図で
ある。
ある。
【図５】ベストフォーカス時の実施例の動作を示す図で
ある。
ある。
【図６】デフォーカス時の実施例の動作を示す図であ
る。
る。
【図７】デフォーカス時の実施例の動作を示す図であ
る。
る。
【図８】デフォーカス時の実施例の動作を示す図であ
る。
る。
【図９】他の実施例で用いられるマスクを示す平面図で
ある。
ある。
【図１０】さらに他の実施例で用いられるマスクを示す
平面図である。
平面図である。
【図１１】従来の投影露光装置の光学系を示す図であ
る。
る。
【図１２】従来の投影露光装置における焦点合わせ法で
ウエハにテストパターンを露光した状態を示す平面図で
ある。
ウエハにテストパターンを露光した状態を示す平面図で
ある。
【図１３】ウエハに形成されたテストパターンを示す断
面図である。
面図である。
１ 光源 ２ 集光レンズ ３、２３、３３ マスク ４ 投影レンズ ５ ウエハ ６ ハーフミラー ７ センサ ８、２８、３８ａ、３８ｂ、３８ｃ 焦点合わせ用パタ
ーン
ーン
Claims (1)
- 【請求項１】 照明光を発する光源と、 遮光部分と透過部分とが交互に繰り返し配列された焦点
合わせ用パターンが形成されたマスクと、 前記光源から発した照明光を前記マスク上に照射させる
集光レンズと、 前記マスクを通過した照明光をウエハ表面に集光させる
投影レンズと、 前記マスクの焦点合わせ用パターンを通過した後にウエ
ハ表面で反射して再び前記マスクの焦点合わせ用パター
ンを通過した照明光の光量を検出するセンサとを備えた
ことを特徴とする投影露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4008311A JP2803936B2 (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | 投影露光装置及びパターン露光方法 |
| US07/974,077 US5315349A (en) | 1992-01-21 | 1992-11-10 | Projection aligner |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4008311A JP2803936B2 (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | 投影露光装置及びパターン露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05198475A true JPH05198475A (ja) | 1993-08-06 |
| JP2803936B2 JP2803936B2 (ja) | 1998-09-24 |
Family
ID=11689609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4008311A Expired - Fee Related JP2803936B2 (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | 投影露光装置及びパターン露光方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5315349A (ja) |
| JP (1) | JP2803936B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007180547A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、パターニングデバイスおよびデバイス製造方法 |
| US7804601B2 (en) | 1999-06-24 | 2010-09-28 | Asml Holding N.V. | Methods for making holographic reticles for characterizing optical systems |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3615412B2 (ja) * | 1999-03-02 | 2005-02-02 | 株式会社ミツトヨ | フォーカス検出ユニットおよびそれを備えた光学式測定機 |
| JP5662717B2 (ja) | 2010-07-08 | 2015-02-04 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63132426A (ja) * | 1986-11-25 | 1988-06-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 紫外線露光装置 |
| JPH03231420A (ja) * | 1990-02-06 | 1991-10-15 | Nikon Corp | 投影光学装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5117254A (en) * | 1988-05-13 | 1992-05-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus |
| JP2690960B2 (ja) * | 1988-09-07 | 1997-12-17 | 株式会社日立製作所 | 拡大投影露光方法及びその装置 |
-
1992
- 1992-01-21 JP JP4008311A patent/JP2803936B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-11-10 US US07/974,077 patent/US5315349A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63132426A (ja) * | 1986-11-25 | 1988-06-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 紫外線露光装置 |
| JPH03231420A (ja) * | 1990-02-06 | 1991-10-15 | Nikon Corp | 投影光学装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7804601B2 (en) | 1999-06-24 | 2010-09-28 | Asml Holding N.V. | Methods for making holographic reticles for characterizing optical systems |
| JP2007180547A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、パターニングデバイスおよびデバイス製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5315349A (en) | 1994-05-24 |
| JP2803936B2 (ja) | 1998-09-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100381745B1 (ko) | 주사식포토리소그래피를위한오프축정렬시스템 | |
| KR950007343B1 (ko) | 역암 필드를 이용한 레티클-웨어퍼 정렬장치 | |
| US7378201B2 (en) | Method for repairing a photomask, method for inspecting a photomask, method for manufacturing a photomask, and method for manufacturing a semiconductor device | |
| US4870452A (en) | Projection exposure apparatus | |
| US5048967A (en) | Detection optical system for detecting a pattern on an object | |
| US4419013A (en) | Phase contrast alignment system for a semiconductor manufacturing apparatus | |
| US7379176B2 (en) | Mask defect inspection apparatus | |
| JPH03211813A (ja) | 露光装置 | |
| JP2003329610A (ja) | パターン欠陥検査方法及びその装置 | |
| JPS58120155A (ja) | レチクル異物検出装置 | |
| JP2766575B2 (ja) | 投影レンズの評価装置及び評価方法 | |
| JP2004022797A (ja) | マーク位置検出装置およびマーク位置検出方法 | |
| JP2006090728A (ja) | 光検査方法及び光検査装置並びに光検査システム | |
| JP3048168B2 (ja) | 表面状態検査装置及びこれを備える露光装置 | |
| US8009272B2 (en) | Method and device for image measurement, exposure apparatus, substrate for image measurement, and device manufacturing method | |
| JPH05198475A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH0616480B2 (ja) | 縮小投影式アライメント方法およびその装置 | |
| JP2006250843A (ja) | 表面検査装置 | |
| JPH1038514A (ja) | 位置検出装置 | |
| JPH07321030A (ja) | アライメント装置 | |
| JPH0525167B2 (ja) | ||
| JP4521548B2 (ja) | 検査装置、検査方法及びパターン基板の製造方法 | |
| JPH06204104A (ja) | 照度分布測定方法及びそれを用いた投影露光装置 | |
| JPH0629178A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JP2023139436A (ja) | フォトマスク検査装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080717 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080717 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090717 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |