KR101924270B1 - 기판 처리 장치, 디바이스 제조 방법 및 노광 방법 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 376
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 78
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 52
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 293
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 254
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 133
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 52
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 53
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 20
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 11
- 101100438010 Arabidopsis thaliana BZIP11 gene Proteins 0.000 description 8
- 101100424621 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) tub1 gene Proteins 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 8
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 7
- 101100149471 Rattus norvegicus Sipa1l1 gene Proteins 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 5
- 102100031948 Enhancer of polycomb homolog 1 Human genes 0.000 description 4
- 101000920634 Homo sapiens Enhancer of polycomb homolog 1 Proteins 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 description 4
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 4
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- 102100031941 Enhancer of polycomb homolog 2 Human genes 0.000 description 3
- 101000920664 Homo sapiens Enhancer of polycomb homolog 2 Proteins 0.000 description 3
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 2
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 1
- 241000276498 Pollachius virens Species 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229920006163 vinyl copolymer Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
- G03F7/2063—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam for the production of exposure masks or reticles
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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Abstract
Description
도 2는, 제1 실시 형태의 노광 장치(기판 처리 장치)의 전체 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은, 도 2에 나타내는 노광 장치의 조명 영역 및 투영 영역의 배치를 나타내는 도면이다.
도 4는, 도 2에 나타내는 노광 장치의 조명 광학계 및 투영 광학계의 구성을 나타내는 도면이다.
도 5는, 마스크에서의 조명 광속 및 투영 광속의 거동을 과장하여 나타내는 도면이다.
도 6a는, 마스크의 패턴의 투영상면(投影像面)과 기판의 노광면과의 관계를 나타내는 설명도이다.
도 6b는, 노광폭 내에서의 디포커스량(defocus量)의 변화의 모습을 나타내는 그래프이다.
도 7은, 제2 실시 형태의 노광 장치(기판 처리 장치)의 전체 구성을 나타내는 도면이다.
도 8은, 마스크의 패턴의 투영상면과 기판의 노광면과의 관계를 나타내는 설명도이다.
도 9는, 노광 좌표와 디포커스와의 관계의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 10은, 디포커스와 점상강도(点像强度)와의 관계의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 11은, 디포커스량의 변화와 강도차와의 관계의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 12는, 디포커스량과 L/S의 콘트라스트 변화와의 관계의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 13은, 디포커스량과 L/S의 콘트라스트비의 변화와의 관계의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 14는, 디포커스량과 L/S의 CD 및 슬라이스 레벨과의 관계의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 15는, 디포커스량과 고립선(孤立線)의 콘트라스트 변화와의 관계의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 16은, 디포커스량과 고립선의 콘트라스트비의 변화와의 관계의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 17은, 디포커스량과 고립선의 CD 및 슬라이스 레벨과의 관계의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 18은, 제3 실시 형태의 노광 장치(기판 처리 장치)의 전체 구성을 나타내는 도면이다.
도 19는, 제4 실시 형태의 노광 장치(기판 처리 장치)의 전체 구성을 나타내는 도면이다.
도 20은, 마스크의 패턴의 투영상면과 기판의 노광면과의 관계를 나타내는 설명도이다.
도 21은, 노광 방법을 나타내는 플로우 차트이다.
도 22는, 디바이스 제조 방법을 나타내는 플로우 차트이다.
4 : 기판 회수 장치 5 : 상위 제어 장치
11 : 마스크 유지 기구 12 : 기판 지지 기구
13 : 광원 장치 16 : 하위 제어 장치
21 : 마스크 유지 드럼 25 : 기판 지지 드럼
31 : 광원 32 : 도광 부재
41 : 1/4 파장판 51 : 콜리메이터 렌즈
52 : 플라이아이 렌즈 53 : 콘덴서 렌즈
54 : 실린드리칼 렌즈 55 : 조명 시야 조리개
56 : 릴레이 렌즈 61 : 제1 광학계
62 : 제2 광학계 63 : 투영 시야 조리개
64 : 포커스 보정 광학 부재 65 : 상(像)시프트용 광학 부재
66 : 배율 보정용 광학 부재 67 : 로테이션 보정 기구
68 : 편광 조정 기구 70 : 제1 편향 부재
71 : 제1 렌즈군 72 : 제1 오목면 거울
80 : 제2 편향 부재 81 : 제2 렌즈군
82 : 제2 오목면 거울 110 : 마스크 스테이지
P : 기판 FR1 : 공급용 롤
FR2 : 회수용 롤 U1~Un : 처리 장치
U3 : 노광 장치(기판 처리 장치) M : 마스크
MA : 마스크 AX1 : 제1 축
AX2 : 제2 축 P1 : 마스크면
P2 : 지지면 P7 : 중간상면
EL1 : 조명 광속 EL2 : 투영 광속
Rm : 곡률 반경 Rp : 곡률 반경
CL : 중심면 PBS : 편광 빔 스플리터
IR1~IR6 : 조명 영역 IL1~IL6 : 조명 광학계
ILM : 조명 광학 모듈 PA1~PA6 : 투영 영역
PLM : 투영 광학 모듈
Claims (21)
- 조명광의 조명 영역에 배치되는 마스크의 패턴으로부터의 광속(光束)을, 기판이 배치되는 투영 영역에 투사하는 투영 광학계를 구비한 기판 처리 장치로서,
상기 조명 영역과 상기 투영 영역 중 일방의 영역에서 소정 곡률로 원통면 모양으로 만곡(灣曲)한 제1 면을 따르도록, 상기 마스크와 상기 기판 중 일방을 지지하는 제1 지지 부재와,
상기 조명 영역과 상기 투영 영역 중 타방의 영역에서 소정의 곡률의 제2 면을 따르도록, 상기 마스크와 상기 기판 중 타방을 지지하는 제2 지지 부재와,
상기 제1 지지 부재를 회전시키고, 해당 제1 지지 부재가 지지하는 상기 마스크와 상기 기판 중 어느 하나를 주사 노광 방향으로 이동시키는 이동 기구를 구비하며,
상기 투영 광학계는, 상기 기판의 노광면에서, 베스트 포커스 위치가 상기 주사 노광 방향으로 2개소 포함되는 광속을 상기 투영 영역에 투사하는 기판 처리 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 투영 광학계는, 상기 주사 노광 방향을 따라서 상기 마스크의 패턴이 투영되는 투영상면(投影像面)과, 상기 기판의 노광면에 원통 형상차를 낼 수 있도록 상기 광속을 투사하는 기판 처리 장치. - 청구항 2에 있어서,
상기 투영 광학계는, 상기 투영 영역의 상기 주사 노광 방향의 중점(中点)에서의 디포커스량(defocus量)을 Δ로 하고, 초점 심도(深度)를 DOF로 한 경우, 0.5<Δ/DOF≤3을 만족하는 기판 처리 장치. - 청구항 3에 있어서,
상기 투영 광학계는, 1≤Δ/DOF를 만족하는 기판 처리 장치. - 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 투영 광학계는, 복수의 분할 투영 광학계를 가지며,
상기 복수의 분할 투영 광학계의 각각은, 상기 주사 노광 방향에 직교하는 방향으로 열(列) 모양으로 배치되며, 각각이 대응하는 상기 투영 영역에 상기 광속을 투사하는 기판 처리 장치. - 청구항 5에 있어서,
상기 복수의 분할 투영 광학계는, 상기 주사 노광 방향으로 적어도 2열로 배치되며, 상기 주사 노광 방향에 직교하는 방향에서, 인접하는 상기 분할 투영 광학계의 상기 투영 영역의 단부끼리가 겹치도록 배치되는 기판 처리 장치. - 청구항 6에 있어서,
상기 복수의 분할 투영 광학계의 각각의 상기 투영 영역의 상기 주사 노광 방향의 폭을 적산(積算)한 경우, 해당 적산값이 상기 주사 노광 방향에 직교하는 방향에서 일정하게 되도록 설정되는 기판 처리 장치. - 청구항 4에 있어서,
상기 투영 광학계는, 상기 주사 노광 방향과 직교하는 방향으로 열(列) 모양으로 배치되도록 복수 마련되며, 상기 복수의 투영 광학계의 각각은 대응하는 상기 투영 영역에 상기 광속을 투사하는 기판 처리 장치. - 청구항 1 내지 청구항 4 또는 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 지지 부재는, 상기 마스크를 지지하고,
상기 제2 지지 부재는, 상기 기판을 지지하는 기판 처리 장치. - 청구항 1 내지 청구항 4 또는 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 지지 부재는, 상기 기판을 지지하고,
상기 제2 지지 부재는, 상기 마스크를 지지하는 기판 처리 장치. - 청구항 1 내지 청구항 4 또는 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 면은, 소정 곡률로 원통면 모양으로 만곡하고 있는 기판 처리 장치. - 청구항 11에 있어서,
상기 투영 광학계는, 상기 주사 노광 방향에서의 상기 투영 영역의 폭을 A, 상기 마스크의 패턴의 투영상면의 원통 반경을 r1, 상기 기판의 주사 노광 방향의 노광면의 원통 반경을 r2, 상기 투영 광학계의 개구수를 NA, 노광 파장을 λ로 하면, 0.5×(λ/NA2)<r1-((r1 2)-(A/2)2)1/2+r2-((r2 2)-(A/2)2)1/2≤3×λ/NA2를 만족하는 기판 처리 장치. - 청구항 12에 있어서,
상기 투영 광학계는, (λ/NA2)<r1-((r1 2)-(A/2)2)1/2+r2-((r2 2)-(A/2)2)1/2를 만족하는 기판 처리 장치. - 청구항 1 내지 청구항 4 또는 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
상기 주사 노광 방향을 따라서 상기 투영 광학계에 의해 상기 마스크의 패턴이 투영되는 투영상면과, 상기 기판의 노광면과의 거리의 차이가, 상기 주사 노광 방향에서의 상기 투영 영역의 폭의 중심을 축으로 하여 선대칭으로 변화하는 기판 처리 장치. - 청구항 5에 있어서,
상기 주사 노광 방향을 따라서 상기 분할 투영 광학계에 의해 상기 마스크의 패턴이 투영되는 투영상면과, 상기 기판의 노광면과의 거리의 차이가, 상기 주사 노광 방향에서의 상기 투영 영역의 폭의 중심을 축으로 하여 선대칭으로 변화하는 기판 처리 장치. - 청구항 14에 있어서,
상기 제1 지지 부재는, 제1 축으로부터 일정한 곡률 반경의 원통 모양의 외주면을 상기 제1 면으로 하여 가지고, 상기 제1 축의 둘레로 회전 가능한 마스크 유지 드럼으로 구성되며,
상기 마스크의 패턴이 상기 마스크 유지 드럼의 외주면에 형성되는 기판 처리 장치. - 청구항 15에 있어서,
상기 제1 지지 부재는, 제1 축으로부터 일정한 곡률 반경의 원통 모양의 외주면을 상기 제1 면으로 하여 가지고, 상기 제1 축의 둘레로 회전 가능한 마스크 유지 드럼으로 구성되며,
상기 마스크의 패턴이 상기 마스크 유지 드럼의 외주면에 형성되는 기판 처리 장치. - 청구항 16에 있어서,
상기 기판은, 상기 주사 노광 방향을 장척(長尺)의 방향으로 하는 플렉시블한 시트이며,
상기 제1 축과 평행하게 배치되는 제2 축으로부터 일정한 곡률 반경의 원통 모양의 외주면을 상기 제2 면으로 하여 가지고, 상기 제2 축의 둘레로 회전 가능한 기판 지지 드럼을 더 구비하며,
상기 플렉시블한 시트가 상기 기판 지지 드럼의 외주면에서 지지되는 기판 처리 장치. - 청구항 17에 있어서,
상기 기판은, 상기 주사 노광 방향을 장척(長尺)의 방향으로 하는 플렉시블한 시트이며,
상기 제1 축과 평행하게 배치되는 제2 축으로부터 일정한 곡률 반경의 원통 모양의 외주면을 상기 제2 면으로 하여 가지고, 상기 제2 축의 둘레로 회전 가능한 기판 지지 드럼을 더 구비하며,
상기 플렉시블한 시트가 상기 기판 지지 드럼의 외주면에서 지지되는 기판 처리 장치. - 청구항 1 내지 청구항 4 또는 청구항 8 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 장치에 기판을 공급하는 것과,
상기 기판 처리 장치를 이용하여 상기 기판에 상기 마스크의 패턴을 형성하는 것을 포함하는 디바이스 제조 방법. - 청구항 20에 있어서,
상기 기판 처리 장치에 공급되는 상기 기판의 표면에는, 포토레지스트, 감광성 실란 커플링재, 감광성 도금 환원재, 및 UV경화 수지액 중 어느 하나의 감광성 기능액의 도포에 의해 감광성 기능층이 형성되는 디바이스 제조 방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2013-126150 | 2013-06-14 | ||
JP2013126150 | 2013-06-14 | ||
PCT/JP2014/062180 WO2014199744A1 (ja) | 2013-06-14 | 2014-05-02 | 基板処理装置、デバイス製造方法及び露光方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020187034098A Division KR101988818B1 (ko) | 2013-06-14 | 2014-05-02 | 기판 처리 장치, 디바이스 제조 방법 및 노광 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20160021191A KR20160021191A (ko) | 2016-02-24 |
KR101924270B1 true KR101924270B1 (ko) | 2018-11-30 |
Family
ID=52022046
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020167000474A KR101924270B1 (ko) | 2013-06-14 | 2014-05-02 | 기판 처리 장치, 디바이스 제조 방법 및 노광 방법 |
KR1020187034098A KR101988818B1 (ko) | 2013-06-14 | 2014-05-02 | 기판 처리 장치, 디바이스 제조 방법 및 노광 방법 |
KR1020207002516A KR102178173B1 (ko) | 2013-06-14 | 2014-05-02 | 주사 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
KR1020197016086A KR102072956B1 (ko) | 2013-06-14 | 2014-05-02 | 주사 노광 장치 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020187034098A KR101988818B1 (ko) | 2013-06-14 | 2014-05-02 | 기판 처리 장치, 디바이스 제조 방법 및 노광 방법 |
KR1020207002516A KR102178173B1 (ko) | 2013-06-14 | 2014-05-02 | 주사 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
KR1020197016086A KR102072956B1 (ko) | 2013-06-14 | 2014-05-02 | 주사 노광 장치 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
JP (4) | JP6344387B2 (ko) |
KR (4) | KR101924270B1 (ko) |
CN (4) | CN106896651B (ko) |
HK (2) | HK1257717A1 (ko) |
TW (4) | TWI693480B (ko) |
WO (1) | WO2014199744A1 (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6882316B2 (ja) | 2016-03-04 | 2021-06-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | ワイヤグリッド偏光板製造方法 |
JP7232586B2 (ja) * | 2018-07-31 | 2023-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
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-
2014
- 2014-05-02 WO PCT/JP2014/062180 patent/WO2014199744A1/ja active Application Filing
- 2014-05-02 KR KR1020167000474A patent/KR101924270B1/ko active IP Right Grant
- 2014-05-02 KR KR1020187034098A patent/KR101988818B1/ko active IP Right Grant
- 2014-05-02 CN CN201710045631.9A patent/CN106896651B/zh active Active
- 2014-05-02 KR KR1020207002516A patent/KR102178173B1/ko active IP Right Grant
- 2014-05-02 CN CN201811631647.9A patent/CN110045580B/zh active Active
- 2014-05-02 KR KR1020197016086A patent/KR102072956B1/ko active IP Right Grant
- 2014-05-02 CN CN201810586865.9A patent/CN108873613B/zh active Active
- 2014-05-02 CN CN201480033588.9A patent/CN105308507B/zh active Active
- 2014-05-02 JP JP2015522646A patent/JP6344387B2/ja active Active
- 2014-06-06 TW TW107140838A patent/TWI693480B/zh active
- 2014-06-06 TW TW103119689A patent/TWI604275B/zh active
- 2014-06-06 TW TW109113021A patent/TWI752469B/zh active
- 2014-06-06 TW TW106133163A patent/TWI646408B/zh active
-
2016
- 2016-07-18 HK HK19100088.2A patent/HK1257717A1/zh unknown
- 2016-07-18 HK HK16108441.0A patent/HK1220513A1/zh not_active IP Right Cessation
-
2017
- 2017-12-26 JP JP2017250252A patent/JP6451826B2/ja active Active
-
2018
- 2018-12-06 JP JP2018228790A patent/JP6690695B2/ja active Active
-
2020
- 2020-04-08 JP JP2020070033A patent/JP7070598B2/ja active Active
Patent Citations (4)
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0105 | International application |
Patent event date: 20160108 Patent event code: PA01051R01D Comment text: International Patent Application |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20170320 Comment text: Request for Examination of Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20180402 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20181011 |
|
PA0104 | Divisional application for international application |
Comment text: Divisional Application for International Patent Patent event code: PA01041R01D Patent event date: 20181123 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20181126 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20181126 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20211118 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20221102 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20231101 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20241029 Start annual number: 7 End annual number: 7 |