JPH08288203A - 走査型露光装置 - Google Patents
走査型露光装置Info
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- JPH08288203A JPH08288203A JP7109968A JP10996895A JPH08288203A JP H08288203 A JPH08288203 A JP H08288203A JP 7109968 A JP7109968 A JP 7109968A JP 10996895 A JP10996895 A JP 10996895A JP H08288203 A JPH08288203 A JP H08288203A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- pattern
- scanning
- scanning direction
- photosensitive substrate
- Prior art date
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マスクのパターンを感光基板上の所定領域に
正確に転写すると同時にパターン転写と無関係な基板周
辺部の感光層を確実に感光させる。 【構成】 複数の部分領域の内のY方向の両端以外に位
置する部分領域M2、M3、M4の形状を規定する第1
の視野絞りは、X方向の開口長が一定とされているのに
対し、Y方向の両端に位置する部分領域M1、M5の形
状を規定する一対の第2の視野絞り32は、パターンが
存在しない領域に対応する一部のX方向の開口長が第1
の視野絞りより長くされている。このため、マスクステ
ージ20と基板ステージ16とがX方向に同時に所定速
度で平行移動すると、マスク12のパターンが投影光学
系18A〜18Eを介して感光基板16上に逐次転写さ
れると同時に、感光基板16上のY方向両端の周辺領域
がパターン転写領域16Aより多い露光量で露光され
る。
正確に転写すると同時にパターン転写と無関係な基板周
辺部の感光層を確実に感光させる。 【構成】 複数の部分領域の内のY方向の両端以外に位
置する部分領域M2、M3、M4の形状を規定する第1
の視野絞りは、X方向の開口長が一定とされているのに
対し、Y方向の両端に位置する部分領域M1、M5の形
状を規定する一対の第2の視野絞り32は、パターンが
存在しない領域に対応する一部のX方向の開口長が第1
の視野絞りより長くされている。このため、マスクステ
ージ20と基板ステージ16とがX方向に同時に所定速
度で平行移動すると、マスク12のパターンが投影光学
系18A〜18Eを介して感光基板16上に逐次転写さ
れると同時に、感光基板16上のY方向両端の周辺領域
がパターン転写領域16Aより多い露光量で露光され
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、走査型露光装置に係
り、更に詳しくは、半導体素子又は液晶表示基板等の製
造のためのフォトリソグラフィ工程において、マスクの
パターンを大面積の感光基板上に露光するのに使用して
好適な走査型露光装置に関する。
り、更に詳しくは、半導体素子又は液晶表示基板等の製
造のためのフォトリソグラフィ工程において、マスクの
パターンを大面積の感光基板上に露光するのに使用して
好適な走査型露光装置に関する。
【0002】
【背景技術】従来より、半導体素子製造や液晶ディスプ
レイパネルの製造のためのフォトリソグラフィ工程で
は、マスク(又はレチクル)に形成されたパターンを投
影光学系を介して表面にフォトレジスト等の感光剤が塗
布された基板に転写する投影露光装置が使用されてい
る。この投影露光装置としては、レチクル上に形成され
たパターンを基板の所定領域に転写した後、基板を一定
距離だけステッピングさせて、再びレチクルのパターン
を転写することを繰り返す、いわゆるステップアンドリ
ピート方式の装置が知られている。
レイパネルの製造のためのフォトリソグラフィ工程で
は、マスク(又はレチクル)に形成されたパターンを投
影光学系を介して表面にフォトレジスト等の感光剤が塗
布された基板に転写する投影露光装置が使用されてい
る。この投影露光装置としては、レチクル上に形成され
たパターンを基板の所定領域に転写した後、基板を一定
距離だけステッピングさせて、再びレチクルのパターン
を転写することを繰り返す、いわゆるステップアンドリ
ピート方式の装置が知られている。
【0003】しかしながら、かかるステップアンドリピ
ート方式の装置は、パターンを転写すべき感光基板の面
積が大きくなればなる程、ショット数が増加してステッ
プアンドリピートの繰り返し回数が多くなり、スループ
ットが必然的に低下することから、大型のガラス基板
(感光基板)にパターンを転写する大型の液晶ディスプ
レイパネルの製造等には、不向きである。
ート方式の装置は、パターンを転写すべき感光基板の面
積が大きくなればなる程、ショット数が増加してステッ
プアンドリピートの繰り返し回数が多くなり、スループ
ットが必然的に低下することから、大型のガラス基板
(感光基板)にパターンを転写する大型の液晶ディスプ
レイパネルの製造等には、不向きである。
【0004】このような背景の下、本願出願人は、先
に、特願平5−161588号、特願平6−23296
3号等で、大型の液晶パネル(液晶表示基板)又は大面
積の半導体素子等を高いスループットで製造することが
できる走査型露光装置を提案した。図5には、この走査
型露光装置の一例が示されている。この走査型露光装置
100は、マスク102上の部分領域M1〜M5を所定
形状(台形状)の光束でそれぞれ照明する複数の照明光
学系104A〜104Eと、マスク102上の部分領域
M1〜M5の像を実質的に等倍且つ正立正像で感光基板
106上の投影領域P1〜P5にそれぞれ投影する複数
の投影光学系108A〜108Eと、マスク102をス
テージ110を介して水平に保持すると共に、感光基板
106を水平に保持するコ字状のキャリッジ112とを
備えている。そして、キャリッジ112を介してマスク
102と感光基板106とを投影光学系108A〜10
8Eに対して所定の方向(同図におけるX方向)に同時
に走査することにより、マスク102上のパターン領域
PAに形成されたパターンが逐次感光基板106上に露
光されるようになっていた。
に、特願平5−161588号、特願平6−23296
3号等で、大型の液晶パネル(液晶表示基板)又は大面
積の半導体素子等を高いスループットで製造することが
できる走査型露光装置を提案した。図5には、この走査
型露光装置の一例が示されている。この走査型露光装置
100は、マスク102上の部分領域M1〜M5を所定
形状(台形状)の光束でそれぞれ照明する複数の照明光
学系104A〜104Eと、マスク102上の部分領域
M1〜M5の像を実質的に等倍且つ正立正像で感光基板
106上の投影領域P1〜P5にそれぞれ投影する複数
の投影光学系108A〜108Eと、マスク102をス
テージ110を介して水平に保持すると共に、感光基板
106を水平に保持するコ字状のキャリッジ112とを
備えている。そして、キャリッジ112を介してマスク
102と感光基板106とを投影光学系108A〜10
8Eに対して所定の方向(同図におけるX方向)に同時
に走査することにより、マスク102上のパターン領域
PAに形成されたパターンが逐次感光基板106上に露
光されるようになっていた。
【0005】この走査型露光装置100では、図5に示
されるような走査方向(X方向)の長さが一定の台形状
の投影領域P1〜P5が逐次露光され、感光基板106
上のパターン転写領域106Aの全面がほぼ均一な露光
量で露光されていた。
されるような走査方向(X方向)の長さが一定の台形状
の投影領域P1〜P5が逐次露光され、感光基板106
上のパターン転写領域106Aの全面がほぼ均一な露光
量で露光されていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】現在、液晶用のガラス
基板等には感光剤としてポジ型レジストが塗布される
が、この塗布の方法として、基板を回転させながらポジ
型レジストを塗布するスピンコートと呼ばれる手法が採
用されていることから、周辺部でレジストが盛り上がり
中央部に比べてその膜厚が厚くなる傾向にある。
基板等には感光剤としてポジ型レジストが塗布される
が、この塗布の方法として、基板を回転させながらポジ
型レジストを塗布するスピンコートと呼ばれる手法が採
用されていることから、周辺部でレジストが盛り上がり
中央部に比べてその膜厚が厚くなる傾向にある。
【0007】このため、上記の如く、パターン転写領域
内を均一に露光するため、台形状の投影領域P1〜P5
を逐次露光する方法では、周辺部の感光層(レジストの
層)を十分に露光することができなかった。しかし、パ
ターン転写領域と無関係な周辺に対する露光を確実に行
なうことは重要である。これは、ポジ型レジストの場合
は、現像後も基板周辺部にレジストが残り、後工程にお
いてレジストの剥離等でパーティクルが発生し、歩留ま
りを悪化させる様々な原因となるおそれがあるからであ
る。
内を均一に露光するため、台形状の投影領域P1〜P5
を逐次露光する方法では、周辺部の感光層(レジストの
層)を十分に露光することができなかった。しかし、パ
ターン転写領域と無関係な周辺に対する露光を確実に行
なうことは重要である。これは、ポジ型レジストの場合
は、現像後も基板周辺部にレジストが残り、後工程にお
いてレジストの剥離等でパーティクルが発生し、歩留ま
りを悪化させる様々な原因となるおそれがあるからであ
る。
【0008】従って、周辺部の露光のために、専用の周
辺露光装置を装置内に組み込んだり、別置きで設置した
りする必要があったが、これは、装置の大型化、コスト
アップの要因となる。
辺露光装置を装置内に組み込んだり、別置きで設置した
りする必要があったが、これは、装置の大型化、コスト
アップの要因となる。
【0009】また、仮に、両端の投影領域P1、P5の
走査方向(X方向)と直交する方向(Y方向)の長さを
延ばして周辺部までパターン転写領域と同時に露光でき
るようにしても、周辺部のレジストを確実に露光するこ
とはできない。これは、周辺部では、前記の如くレジス
トの膜厚が厚くなり、これを確実に露光するためには、
中央部のパターン転写領域の約2倍の露光量が必要とさ
れているからである。この場合、周辺部に合わせた露光
量にて露光することも考えられるが、パターン転写領域
ではオーバー露光となり、露光線幅異常の原因になると
いう不都合があった。
走査方向(X方向)と直交する方向(Y方向)の長さを
延ばして周辺部までパターン転写領域と同時に露光でき
るようにしても、周辺部のレジストを確実に露光するこ
とはできない。これは、周辺部では、前記の如くレジス
トの膜厚が厚くなり、これを確実に露光するためには、
中央部のパターン転写領域の約2倍の露光量が必要とさ
れているからである。この場合、周辺部に合わせた露光
量にて露光することも考えられるが、パターン転写領域
ではオーバー露光となり、露光線幅異常の原因になると
いう不都合があった。
【0010】本発明は、かかる事情の下になされたもの
で、その目的は、マスクのパターンを感光基板上の所定
領域に正確に転写すると同時に本来のパターン転写と無
関係な基板周辺部の感光層を確実に感光させることがで
きる走査型露光装置を提供することにある。
で、その目的は、マスクのパターンを感光基板上の所定
領域に正確に転写すると同時に本来のパターン転写と無
関係な基板周辺部の感光層を確実に感光させることがで
きる走査型露光装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、マスクと感光
基板とを所定の走査方向に所定速度で平行移動させつつ
前記マスク上のパターンを投影光学系を介して前記感光
基板上に逐次転写する走査型露光装置であって、前記マ
スクを保持して前記走査方向に移動するマスクステージ
と;前記マスク上の複数の部分領域のそれぞれを照明す
る複数の照明光学系と;前記感光基板を保持して前記走
査方向に移動する基板ステージと;前記各照明光学系に
対応して配置され、前記マスク上の前記各部分領域の像
を前記感光基板上に投影する複数の投影光学系と;前記
複数の部分領域の像の内の前記走査方向に直交する方向
の両端以外に位置する像の形状を規定すると共に、前記
走査方向の開口長が一定とされた複数の第1の視野絞り
と;前記複数の部分領域の像の内の前記走査方向に直交
する方向の両端に位置する形状を規定すると共に、当該
部像のうち、前記パターンの像が存在しない領域に対応
する一部の前記走査方向の開口長が前記第1の視野絞り
より長くされた一対の第2の視野絞りとを有する。
基板とを所定の走査方向に所定速度で平行移動させつつ
前記マスク上のパターンを投影光学系を介して前記感光
基板上に逐次転写する走査型露光装置であって、前記マ
スクを保持して前記走査方向に移動するマスクステージ
と;前記マスク上の複数の部分領域のそれぞれを照明す
る複数の照明光学系と;前記感光基板を保持して前記走
査方向に移動する基板ステージと;前記各照明光学系に
対応して配置され、前記マスク上の前記各部分領域の像
を前記感光基板上に投影する複数の投影光学系と;前記
複数の部分領域の像の内の前記走査方向に直交する方向
の両端以外に位置する像の形状を規定すると共に、前記
走査方向の開口長が一定とされた複数の第1の視野絞り
と;前記複数の部分領域の像の内の前記走査方向に直交
する方向の両端に位置する形状を規定すると共に、当該
部像のうち、前記パターンの像が存在しない領域に対応
する一部の前記走査方向の開口長が前記第1の視野絞り
より長くされた一対の第2の視野絞りとを有する。
【0012】この場合において、前記第2の視野絞り
は、前記一部以外の部分の前記走査方向に直交する方向
の長さが可変である可変視野絞りであってもよい。
は、前記一部以外の部分の前記走査方向に直交する方向
の長さが可変である可変視野絞りであってもよい。
【0013】
【作用】本発明によれば、マスクを保持したマスクステ
ージと感光基板を保持した基板ステージとが走査方向に
同時に所定速度で平行移動すると、これに伴って各照明
光学系により照明されるマスク上の部分領域が走査方向
に連続して変化すると共にこれに対応して走査方向に連
続して変化するマスク上の部分領域の像が各投影光学系
により感光基板上に投影される。このようにしてマスク
上のパターンが複数の投影光学系を介して感光基板上に
逐次転写される。
ージと感光基板を保持した基板ステージとが走査方向に
同時に所定速度で平行移動すると、これに伴って各照明
光学系により照明されるマスク上の部分領域が走査方向
に連続して変化すると共にこれに対応して走査方向に連
続して変化するマスク上の部分領域の像が各投影光学系
により感光基板上に投影される。このようにしてマスク
上のパターンが複数の投影光学系を介して感光基板上に
逐次転写される。
【0014】ここで、複数の部分領域の内の走査方向に
直交する方向の両端以外に位置する部分領域の形状を規
定する複数の第1の視野絞りは、走査方向の開口長が一
定とされているのに対し、複数の部分領域の内の走査方
向に直交する方向の両端に位置する部分領域の形状を規
定する一対の第2の視野絞りは、当該部分領域のうち、
パターンが存在しない領域に対応する一部の走査方向の
開口長が第1の視野絞りより長くされていることから、
マスクを保持したマスクステージと感光基板を保持した
基板ステージとが走査方向に同時に所定速度で平行移動
すると、マスクのパターンが複数の投影光学系を介して
感光基板上に逐次転写されると同時に、感光基板上の走
査方向に直交する方向の両端の周辺領域がパターン転写
領域より多い露光量で露光される。この周辺領域の露光
量は、第1の視野絞りの走査方向の開口長と第2の視野
絞りの前記一部の走査方向の開口長との比に応じて定ま
る。
直交する方向の両端以外に位置する部分領域の形状を規
定する複数の第1の視野絞りは、走査方向の開口長が一
定とされているのに対し、複数の部分領域の内の走査方
向に直交する方向の両端に位置する部分領域の形状を規
定する一対の第2の視野絞りは、当該部分領域のうち、
パターンが存在しない領域に対応する一部の走査方向の
開口長が第1の視野絞りより長くされていることから、
マスクを保持したマスクステージと感光基板を保持した
基板ステージとが走査方向に同時に所定速度で平行移動
すると、マスクのパターンが複数の投影光学系を介して
感光基板上に逐次転写されると同時に、感光基板上の走
査方向に直交する方向の両端の周辺領域がパターン転写
領域より多い露光量で露光される。この周辺領域の露光
量は、第1の視野絞りの走査方向の開口長と第2の視野
絞りの前記一部の走査方向の開口長との比に応じて定ま
る。
【0015】この場合において、第2の視野絞りが、前
記一部以外の部分の走査方向に直交する方向の長さが可
変である可変視野絞りである場合は、感光基板の大き
さ、パターン転写領域の面積が変更されて、パターン転
写領域の走査方向に直交する方向の長さが変化しても、
これに合わせて第2の視野絞りのパターン転写領域内に
対応する部分の走査方向に直交する方向の長さを調整す
ることにより、パターン転写領域、周辺領域のそれぞれ
を適正な露光量で露光することができる。
記一部以外の部分の走査方向に直交する方向の長さが可
変である可変視野絞りである場合は、感光基板の大き
さ、パターン転写領域の面積が変更されて、パターン転
写領域の走査方向に直交する方向の長さが変化しても、
これに合わせて第2の視野絞りのパターン転写領域内に
対応する部分の走査方向に直交する方向の長さを調整す
ることにより、パターン転写領域、周辺領域のそれぞれ
を適正な露光量で露光することができる。
【0016】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1ないし図3に
基づいて説明する。図1には、一実施例の走査型露光装
置10の構成が概略的に示されている。この走査型露光
装置10は、それぞれ等倍で正立正像を投影する複数の
投影光学系を有するものである。
基づいて説明する。図1には、一実施例の走査型露光装
置10の構成が概略的に示されている。この走査型露光
装置10は、それぞれ等倍で正立正像を投影する複数の
投影光学系を有するものである。
【0017】この走査型露光装置10は、マスク12上
の所定形状の複数(ここでは5つ)の部分領域(各部分
領域の形状については後述する)M1〜M5をそれぞれ
照明する複数(ここでは5つ)の照明光学系14A〜1
4Eと、マスク12上の前記部分領域の像を実質的に等
倍且つ正立正像で感光基板としての液晶用ガラスプレー
ト(以下、適宜「プレート」という)16上に投影する
複数(ここでは5つ)の投影光学系18A〜18Eと、
マスク12を載置して投影光学系18A〜18Eの光軸
方向であるZ軸に直交するXY面上をX軸及びY軸方向
に移動可能なマスクステージ20と、前記プレート16
を載置してマスクステージ20の移動面と平行な面内を
X軸方向に沿って移動可能な基板ステージとしてのプレ
ートステージ22とを備えている。
の所定形状の複数(ここでは5つ)の部分領域(各部分
領域の形状については後述する)M1〜M5をそれぞれ
照明する複数(ここでは5つ)の照明光学系14A〜1
4Eと、マスク12上の前記部分領域の像を実質的に等
倍且つ正立正像で感光基板としての液晶用ガラスプレー
ト(以下、適宜「プレート」という)16上に投影する
複数(ここでは5つ)の投影光学系18A〜18Eと、
マスク12を載置して投影光学系18A〜18Eの光軸
方向であるZ軸に直交するXY面上をX軸及びY軸方向
に移動可能なマスクステージ20と、前記プレート16
を載置してマスクステージ20の移動面と平行な面内を
X軸方向に沿って移動可能な基板ステージとしてのプレ
ートステージ22とを備えている。
【0018】前記照明光学系14Aは、超高圧水銀ラン
プ等の光源24、楕円鏡26、ダイクロイックミラー2
7、波長選択フィルタ28、フライアイレンズ30、第
2の視野絞り32、コンデンサレンズ34とを含んで構
成されている。さらに、ダイクロイックミラー27と波
長選択フィルタ28との間には、光軸AX1に対して進
退可能とされたシャッタ36が設けられている。これに
よれば、光源24から射出した光束は、楕円鏡26で反
射された後にダイクロイックミラー27に入射する。こ
のダイクロイックミラー27は露光に必要な波長の光束
を反射し、その他の波長の光束を透過する。ダイクロイ
ックミラー27で反射された光束は、シャッタ36によ
って投影光学系側への照射を選択的に制限されるが、シ
ャッタ36の開放時には、この光束は波長選択フィルタ
28に入射し、投影光学系18Aが転写を行なうのに適
した波長(通常は、g、h、i線のうち少なくとも1つ
の帯域)の光束となる。また、この光束の強度分布は光
軸近傍が最も高く、周辺になると低下するガウス分布状
になるため、少なくとも投影光学系18Aの投影領域P
1内で強度を均一にする必要がある。このため、フライ
アイレンズ30及びコンデンサレンズ34によって光束
の強度を均一化する。なお、第2の視野絞り32は、マ
スク12上の部分領域M1と、プレート16上の投影領
域P1の形状を規定する後述する特殊形状の開口を有す
る。この第2の視野絞り32は、マスク12と共役にな
っている。
プ等の光源24、楕円鏡26、ダイクロイックミラー2
7、波長選択フィルタ28、フライアイレンズ30、第
2の視野絞り32、コンデンサレンズ34とを含んで構
成されている。さらに、ダイクロイックミラー27と波
長選択フィルタ28との間には、光軸AX1に対して進
退可能とされたシャッタ36が設けられている。これに
よれば、光源24から射出した光束は、楕円鏡26で反
射された後にダイクロイックミラー27に入射する。こ
のダイクロイックミラー27は露光に必要な波長の光束
を反射し、その他の波長の光束を透過する。ダイクロイ
ックミラー27で反射された光束は、シャッタ36によ
って投影光学系側への照射を選択的に制限されるが、シ
ャッタ36の開放時には、この光束は波長選択フィルタ
28に入射し、投影光学系18Aが転写を行なうのに適
した波長(通常は、g、h、i線のうち少なくとも1つ
の帯域)の光束となる。また、この光束の強度分布は光
軸近傍が最も高く、周辺になると低下するガウス分布状
になるため、少なくとも投影光学系18Aの投影領域P
1内で強度を均一にする必要がある。このため、フライ
アイレンズ30及びコンデンサレンズ34によって光束
の強度を均一化する。なお、第2の視野絞り32は、マ
スク12上の部分領域M1と、プレート16上の投影領
域P1の形状を規定する後述する特殊形状の開口を有す
る。この第2の視野絞り32は、マスク12と共役にな
っている。
【0019】図1では簡略化して図示されているが、残
りの照明光学系14B〜14Eの内、部分領域M1と反
対側のY方向(走査方向に直交する方向)の端部に位置
する部分領域M5を照明する照明光学系14Eは、照明
光学系14Aと全く同様に構成され、その他の照明光学
系14B、14C、14Dは、全体的な構成は照明光学
系14Aと同様であるが、これらを構成する視野絞りが
第2の視野絞りと異なる第1の視野絞り(これについて
は後述する)である点が相違する。
りの照明光学系14B〜14Eの内、部分領域M1と反
対側のY方向(走査方向に直交する方向)の端部に位置
する部分領域M5を照明する照明光学系14Eは、照明
光学系14Aと全く同様に構成され、その他の照明光学
系14B、14C、14Dは、全体的な構成は照明光学
系14Aと同様であるが、これらを構成する視野絞りが
第2の視野絞りと異なる第1の視野絞り(これについて
は後述する)である点が相違する。
【0020】ここで、各照明光学系を構成する視野絞り
について、更に詳述する。図2(A)には、照明光学系
14B、14C、14Dを構成する第1の視野絞り31
が示されている。この第1の視野絞り31は、両底角θ
が45度で高さがaの台形の開口部31Aを有する円板
状部材から成る。この第1の視野絞り31は、照明光学
系14B、14C、14Dの内部ではマスク12と共役
になる位置に所定の向きでそれぞれ配置され、それぞれ
の開口部31Aを透過した光束は折曲げミラー38B、
38C、38Dをそれぞれ介してマスク12上の走査方
向(X方向)の長さが一定の部分領域M2、M3、M4
をそれぞれ照明する。
について、更に詳述する。図2(A)には、照明光学系
14B、14C、14Dを構成する第1の視野絞り31
が示されている。この第1の視野絞り31は、両底角θ
が45度で高さがaの台形の開口部31Aを有する円板
状部材から成る。この第1の視野絞り31は、照明光学
系14B、14C、14Dの内部ではマスク12と共役
になる位置に所定の向きでそれぞれ配置され、それぞれ
の開口部31Aを透過した光束は折曲げミラー38B、
38C、38Dをそれぞれ介してマスク12上の走査方
向(X方向)の長さが一定の部分領域M2、M3、M4
をそれぞれ照明する。
【0021】図2(B)には照明光学系14A、14E
を構成する第2の視野絞り32が示されている。この第
2の視野絞り32は、同図における上半部が長方形で下
半部が台形の開口部32Aを有する円板状部材から成
る。開口部32Aの台形部の高さはaで、長方形部の高
さbは台形部の高さaの約2倍とされている。この第2
の視野絞り32は、照明光学系14A、14Eの内部で
は、マスク12と共役になる位置にそれぞれ配置され、
それぞれの開口部32Aの台形部分を透過した光束は折
曲げミラー38A、38Bをそれぞれ介してマスク12
上の部分領域M1、M5のパターン領域12Aに含まれ
るX方向の長さがY方向に一定で部分領域M2、M3等
と同じ台形部分を照明し、それぞれの開口部32Aの長
方形部分を透過した光束が折曲げミラー38A、38B
をそれぞれ介して部分領域M1、M5のパターン領域1
2Aに含まれない部分であってX方向の長さがY方向に
一定で部分領域M2、M3等の約2倍である長方形部分
を照明する。
を構成する第2の視野絞り32が示されている。この第
2の視野絞り32は、同図における上半部が長方形で下
半部が台形の開口部32Aを有する円板状部材から成
る。開口部32Aの台形部の高さはaで、長方形部の高
さbは台形部の高さaの約2倍とされている。この第2
の視野絞り32は、照明光学系14A、14Eの内部で
は、マスク12と共役になる位置にそれぞれ配置され、
それぞれの開口部32Aの台形部分を透過した光束は折
曲げミラー38A、38Bをそれぞれ介してマスク12
上の部分領域M1、M5のパターン領域12Aに含まれ
るX方向の長さがY方向に一定で部分領域M2、M3等
と同じ台形部分を照明し、それぞれの開口部32Aの長
方形部分を透過した光束が折曲げミラー38A、38B
をそれぞれ介して部分領域M1、M5のパターン領域1
2Aに含まれない部分であってX方向の長さがY方向に
一定で部分領域M2、M3等の約2倍である長方形部分
を照明する。
【0022】前記プレートステージ22上には、その表
面に感光剤としてのフォトレジストが塗布されたプレー
ト16が載置され、図示しないバキュームチャック等の
真空吸着手段によって吸着保持されている。このプレー
トステージ22は、1次元の走査露光を行うべく、走査
方向(X方向)に長いストロークを持った第1の駆動系
40(例えば、送りねじ機構とモータ等から構成され
る)によってX軸方向に駆動されるようになっている。
さらに、このプレートステージ22の走査方向の位置
は、高分解能及び高精度の第1のレーザ干渉計44によ
って計測されるようになっている。
面に感光剤としてのフォトレジストが塗布されたプレー
ト16が載置され、図示しないバキュームチャック等の
真空吸着手段によって吸着保持されている。このプレー
トステージ22は、1次元の走査露光を行うべく、走査
方向(X方向)に長いストロークを持った第1の駆動系
40(例えば、送りねじ機構とモータ等から構成され
る)によってX軸方向に駆動されるようになっている。
さらに、このプレートステージ22の走査方向の位置
は、高分解能及び高精度の第1のレーザ干渉計44によ
って計測されるようになっている。
【0023】前記マスクステージ20上には、マスク1
2が載置されており、このマスクステージ20もプレー
トステージ22と同様に、走査方向(X方向)に長いス
トロークを持った第2の駆動系46(例えば、送りねじ
機構とモータ等から構成される)によってX軸方向に駆
動されるようになっている。更に、このマスクステージ
20には、当該マスクステージ20をX方向に直交する
Y方向に駆動(微動)する第3の駆動系48と、当該マ
スクステージ20をZ軸回りに所定の角度範囲内で回転
させる第4の駆動系50とが併設されている。
2が載置されており、このマスクステージ20もプレー
トステージ22と同様に、走査方向(X方向)に長いス
トロークを持った第2の駆動系46(例えば、送りねじ
機構とモータ等から構成される)によってX軸方向に駆
動されるようになっている。更に、このマスクステージ
20には、当該マスクステージ20をX方向に直交する
Y方向に駆動(微動)する第3の駆動系48と、当該マ
スクステージ20をZ軸回りに所定の角度範囲内で回転
させる第4の駆動系50とが併設されている。
【0024】マスクステージ20のX方向の一端面に
は、移動鏡52がY方向に延設されており、この移動鏡
52表面のY方向に所定間隔隔てた2点のX方向の位置
が高分解能及び高精度の第2のレーザ干渉計54によっ
て計測されるようになっている。また、このマスクステ
ージ20のY方向の一端面には、移動鏡56がX方向に
沿って延設されており、この移動鏡56表面の所定の点
のY方向の位置が高分解能及び高精度の第3のレーザ干
渉計58によって計測されるようになっている。即ち、
本実施例では、レーザ干渉計54、58で計測される3
点の位置データに基づいてマスクステージ20のX、Y
座標位置の他、Z軸回りの回転もわかるようになってい
る。
は、移動鏡52がY方向に延設されており、この移動鏡
52表面のY方向に所定間隔隔てた2点のX方向の位置
が高分解能及び高精度の第2のレーザ干渉計54によっ
て計測されるようになっている。また、このマスクステ
ージ20のY方向の一端面には、移動鏡56がX方向に
沿って延設されており、この移動鏡56表面の所定の点
のY方向の位置が高分解能及び高精度の第3のレーザ干
渉計58によって計測されるようになっている。即ち、
本実施例では、レーザ干渉計54、58で計測される3
点の位置データに基づいてマスクステージ20のX、Y
座標位置の他、Z軸回りの回転もわかるようになってい
る。
【0025】図示しない主制御装置では、レーザ干渉計
54、58の出力に基づいて3つの駆動系46、48、
50を制御することにより、マスク12とプレート16
のアライメントの際等にマスクステージ20をX、Y、
θ(Z軸回りの回転)方向へ駆動するようになってい
る。
54、58の出力に基づいて3つの駆動系46、48、
50を制御することにより、マスク12とプレート16
のアライメントの際等にマスクステージ20をX、Y、
θ(Z軸回りの回転)方向へ駆動するようになってい
る。
【0026】マスク12の上方にY方向に所定間隔で一
対のアライメント検出系60A及び60Bが配置されて
いる。これに対応してマスク12のパターン領域12A
の近傍の4角(コーナー)の部分にアライメントマーク
13A、13B、13C、13Dが形成され、プレート
16のパターン転写領域16Aの近傍の4角の部分にも
マーク13A、13B、13C、13Dにそれぞれ対応
してアライメントマーク17A、17B、17C、17
Dが形成されている。
対のアライメント検出系60A及び60Bが配置されて
いる。これに対応してマスク12のパターン領域12A
の近傍の4角(コーナー)の部分にアライメントマーク
13A、13B、13C、13Dが形成され、プレート
16のパターン転写領域16Aの近傍の4角の部分にも
マーク13A、13B、13C、13Dにそれぞれ対応
してアライメントマーク17A、17B、17C、17
Dが形成されている。
【0027】ここで、アライメント検出系60A、60
Bとしては、顕微鏡光学系とITVカメラ若しくはCC
Dカメラを備え、アライメントマークを含む所定の検出
範囲の画像を撮像し、画像処理によってアライメントマ
ークの位置を求める構成のものが使用されている。これ
らのアライメント検出系60A、60Bの出力も図示し
ない主制御装置に入力されるようになっている。
Bとしては、顕微鏡光学系とITVカメラ若しくはCC
Dカメラを備え、アライメントマークを含む所定の検出
範囲の画像を撮像し、画像処理によってアライメントマ
ークの位置を求める構成のものが使用されている。これ
らのアライメント検出系60A、60Bの出力も図示し
ない主制御装置に入力されるようになっている。
【0028】例えば走査露光を開始する前に、図示しな
い主制御装置では、アライメント検出系60Aによりマ
スク12上のアライメントマーク13Aとプレート16
上のアライメントマーク17Aとの位置ずれ量を検出
し、同時にアライメント検出系60Bによりマスク12
上のアライメントマーク13Bとプレート16上のアラ
イメントマーク17Bとの位置ずれ量を検出し、それら
の位置ずれ量が所定の許容範囲内に収まるように例えば
マスク12のX方向、Y方向、及び回転方向(θ方向)
の位置を調整する。これによりプレート16上に既に形
成されているパターンと、これから露光するパターンと
の初期の重ね合わせ精度が高くなる。
い主制御装置では、アライメント検出系60Aによりマ
スク12上のアライメントマーク13Aとプレート16
上のアライメントマーク17Aとの位置ずれ量を検出
し、同時にアライメント検出系60Bによりマスク12
上のアライメントマーク13Bとプレート16上のアラ
イメントマーク17Bとの位置ずれ量を検出し、それら
の位置ずれ量が所定の許容範囲内に収まるように例えば
マスク12のX方向、Y方向、及び回転方向(θ方向)
の位置を調整する。これによりプレート16上に既に形
成されているパターンと、これから露光するパターンと
の初期の重ね合わせ精度が高くなる。
【0029】更に、前記投影光学系18A〜18Eは、
マスク12とプレート16との間に、部分領域M1〜M
5と同じ配列で設けられ、図示しない本体コラムに固定
されている。投影光学系18A〜18Eとしては、等倍
で正立正像を投影するもの、例えば凹面鏡及び凸面鏡等
を組み合わせたミラープロジェクション方式の投影光学
系が使用されている。なお、マスク12とプレート16
とは、投影光学系18A〜18Eに関して共役となって
いる。
マスク12とプレート16との間に、部分領域M1〜M
5と同じ配列で設けられ、図示しない本体コラムに固定
されている。投影光学系18A〜18Eとしては、等倍
で正立正像を投影するもの、例えば凹面鏡及び凸面鏡等
を組み合わせたミラープロジェクション方式の投影光学
系が使用されている。なお、マスク12とプレート16
とは、投影光学系18A〜18Eに関して共役となって
いる。
【0030】このため、マスク12の部分領域M1〜M
5を透過した複数の光束は、それぞれ異なる投影光学系
18A〜18Eを介してプレート16上の異なる投影領
域(露光フィールド)P1〜P5にマスク12上の部分
領域M1〜M5の像を等倍の正立正像(正立等倍実結
像)として結像する。
5を透過した複数の光束は、それぞれ異なる投影光学系
18A〜18Eを介してプレート16上の異なる投影領
域(露光フィールド)P1〜P5にマスク12上の部分
領域M1〜M5の像を等倍の正立正像(正立等倍実結
像)として結像する。
【0031】ここで、マスク12上の部分領域M1〜M
5は、走査方向であるX方向に所定間隔で設定された2
列に分かれ、1列目に3個の部分領域M1、M3及びM
5が配列され、2列目に2個の部分領域M2及びM4が
配列され、且つ部分領域M1〜M5の台形部分の斜辺部
の位置がY方向に重なるように配列されている。また、
X方向の両端に位置する部分領域M1、M5は、この領
域の形状を規定する視野絞りとして前述した第2の視野
絞り32が使用されていることから、Y方向外側のX方
向の長さが長くされた部分(視野絞り32の開口部32
の長方形部分に対応する部分)によりパターン領域12
Aの外側の周辺領域が照明される。
5は、走査方向であるX方向に所定間隔で設定された2
列に分かれ、1列目に3個の部分領域M1、M3及びM
5が配列され、2列目に2個の部分領域M2及びM4が
配列され、且つ部分領域M1〜M5の台形部分の斜辺部
の位置がY方向に重なるように配列されている。また、
X方向の両端に位置する部分領域M1、M5は、この領
域の形状を規定する視野絞りとして前述した第2の視野
絞り32が使用されていることから、Y方向外側のX方
向の長さが長くされた部分(視野絞り32の開口部32
の長方形部分に対応する部分)によりパターン領域12
Aの外側の周辺領域が照明される。
【0032】また、図3に示されるように、プレート1
6上で1列目の投影領域P1,P3及びP5と2列目の
投影領域P2及びP4とは、台形部分(この部分では、
走査方向(X方向の長さが一定である)の斜辺部のY方
向の位置が重なるように配置されている。従って、例え
ば投影領域P1の斜辺部、及び投影領域P3の一方の斜
辺部で露光される領域は、それぞれ投影領域P2の斜辺
部で重複して走査されるようになっている。これによ
り、プレート16のパターン転写領域16A内ではその
全面で走査露光後の積算露光量が均一化される。しかし
ながら、部分領域M1,M5の像が投影される投影領域
P1、P2では、部分領域M1,M5に対応してY方向
外側のX方向の長さが長くされた部分(長方形部分)は
パターンが転写されない周辺露光領域CA1 となってお
り、投影領域P1、P2のこの周辺露光領域CA1 を露
光する部分の走査方向の長さが他の部分より長く、本実
施例の場合は約2倍となっているので、走査露光後の積
算露光量はパターン転写領域16Aの2倍となる。
6上で1列目の投影領域P1,P3及びP5と2列目の
投影領域P2及びP4とは、台形部分(この部分では、
走査方向(X方向の長さが一定である)の斜辺部のY方
向の位置が重なるように配置されている。従って、例え
ば投影領域P1の斜辺部、及び投影領域P3の一方の斜
辺部で露光される領域は、それぞれ投影領域P2の斜辺
部で重複して走査されるようになっている。これによ
り、プレート16のパターン転写領域16A内ではその
全面で走査露光後の積算露光量が均一化される。しかし
ながら、部分領域M1,M5の像が投影される投影領域
P1、P2では、部分領域M1,M5に対応してY方向
外側のX方向の長さが長くされた部分(長方形部分)は
パターンが転写されない周辺露光領域CA1 となってお
り、投影領域P1、P2のこの周辺露光領域CA1 を露
光する部分の走査方向の長さが他の部分より長く、本実
施例の場合は約2倍となっているので、走査露光後の積
算露光量はパターン転写領域16Aの2倍となる。
【0033】従って、上述した如くして、マスク12と
プレート16との位置合わせを行なった後、マスクステ
ージ20とプレートステージ22とをX方向に同一速度
で平行移動することにより、マスク12及びプレート1
6が同期してX方向に走査され、1回の走査で、マスク
12上のパターン領域12A内のパターンがプレート1
6上のパターン転写領域16A上に逐次露光されて良好
な重ね合わせ露光が行なわれると共に、プレート16上
のパターン転写領域16AのY方向両側の周辺領域CA
1 がパターン転写領域16Aの2倍の露光量で露光され
る。
プレート16との位置合わせを行なった後、マスクステ
ージ20とプレートステージ22とをX方向に同一速度
で平行移動することにより、マスク12及びプレート1
6が同期してX方向に走査され、1回の走査で、マスク
12上のパターン領域12A内のパターンがプレート1
6上のパターン転写領域16A上に逐次露光されて良好
な重ね合わせ露光が行なわれると共に、プレート16上
のパターン転写領域16AのY方向両側の周辺領域CA
1 がパターン転写領域16Aの2倍の露光量で露光され
る。
【0034】以上説明したように、本実施例によれば、
専用の周辺露光装置を組み込んだり、別置きで設置する
必要がないことから、省スペース及びコスト低減の効果
が大きい。
専用の周辺露光装置を組み込んだり、別置きで設置する
必要がないことから、省スペース及びコスト低減の効果
が大きい。
【0035】また、パターン転写領域の露光と同時に周
辺部の露光が確実に行なわれるので、スループットアッ
プの効果も期待できる。
辺部の露光が確実に行なわれるので、スループットアッ
プの効果も期待できる。
【0036】なお、図3に示される周辺領域CA2 の露
光を行なう場合は、投影領域P1〜P5の走査方向にそ
の領域が存在するため、投影領域P1〜P5が当該領域
CA2 を通過する瞬間に、光源24を構成する超高圧水
銀ランプをフラッシュアップして露光量を高めること
で、比較的容易にこの領域の露光は実現できる。
光を行なう場合は、投影領域P1〜P5の走査方向にそ
の領域が存在するため、投影領域P1〜P5が当該領域
CA2 を通過する瞬間に、光源24を構成する超高圧水
銀ランプをフラッシュアップして露光量を高めること
で、比較的容易にこの領域の露光は実現できる。
【0037】なお、上記実施例では、照明光学系内に視
野絞りを設ける場合を例示したが、結像光学系側で、一
旦中間像を形成する等して、結像光学系内に視野絞りを
設けるようにしても良く、このようにしても上記実施例
の場合と同等の効果を得ることができる。
野絞りを設ける場合を例示したが、結像光学系側で、一
旦中間像を形成する等して、結像光学系内に視野絞りを
設けるようにしても良く、このようにしても上記実施例
の場合と同等の効果を得ることができる。
【0038】また、上記実施例では、走査方向に直交す
る方向の両端に位置する部分領域の形状を規定する一対
の第2の視野絞り32が固定絞りである場合を例示した
が、この第2の視野絞りは可変視野絞りであっても構わ
ない。
る方向の両端に位置する部分領域の形状を規定する一対
の第2の視野絞り32が固定絞りである場合を例示した
が、この第2の視野絞りは可変視野絞りであっても構わ
ない。
【0039】図4には、部分領域M5の形状を規定する
ための開口部を可変とした第2の視野絞り70の一例が
示されている。この可変視野絞り70は、図4(A)に
示されるように、固定絞り72と矢印A、B方向に移動
する可動絞り74とから構成されている。固定絞り72
の斜辺部72aは、部分領域M5の台形部分の斜辺部を
規定するもので、この斜辺部72aが部分領域M4のY
方向外側の斜辺部を規定する第1の視野絞り31の斜辺
部の位置に正確に一致するように、固定絞り72は位置
決めされている。
ための開口部を可変とした第2の視野絞り70の一例が
示されている。この可変視野絞り70は、図4(A)に
示されるように、固定絞り72と矢印A、B方向に移動
する可動絞り74とから構成されている。固定絞り72
の斜辺部72aは、部分領域M5の台形部分の斜辺部を
規定するもので、この斜辺部72aが部分領域M4のY
方向外側の斜辺部を規定する第1の視野絞り31の斜辺
部の位置に正確に一致するように、固定絞り72は位置
決めされている。
【0040】可動絞り74の開口部74Aは、一定幅a
の幅狭部74bと一定幅bの幅広部74cとから成り、
これらの幅狭部74bと幅広部74cは、前記斜辺部7
2aと45度を成す各2本の直線部o、p及びq、rを
それぞれ有している。そして、可動絞り74が、図4
(A)に示される位置から矢印A方向に移動することに
より、図4(B)に示されるように、上記実施例で説明
した第2の視野絞り32の開口部32Aと同様の形状の
開口部70Aが形成されると共に、可動絞り74Aが矢
印A、B方向に移動することにより、開口部70Aの台
形部分の前記幅狭部74bと幅広部74cの境界位置S
からの突出長が可変となるようになっている。従って、
これによれば、境界位置Sがマスク12上のパターン領
域12Aと周辺領域の境界に一致するように可動絞り7
4の位置を調整することにより、パターン領域の面積の
変更により、パターン転写領域の走査方向に直交する方
向の長さが変更された場合であっても、パターン転写領
域、周辺領域のそれぞれを適正露光量で露光することが
できる。
の幅狭部74bと一定幅bの幅広部74cとから成り、
これらの幅狭部74bと幅広部74cは、前記斜辺部7
2aと45度を成す各2本の直線部o、p及びq、rを
それぞれ有している。そして、可動絞り74が、図4
(A)に示される位置から矢印A方向に移動することに
より、図4(B)に示されるように、上記実施例で説明
した第2の視野絞り32の開口部32Aと同様の形状の
開口部70Aが形成されると共に、可動絞り74Aが矢
印A、B方向に移動することにより、開口部70Aの台
形部分の前記幅狭部74bと幅広部74cの境界位置S
からの突出長が可変となるようになっている。従って、
これによれば、境界位置Sがマスク12上のパターン領
域12Aと周辺領域の境界に一致するように可動絞り7
4の位置を調整することにより、パターン領域の面積の
変更により、パターン転写領域の走査方向に直交する方
向の長さが変更された場合であっても、パターン転写領
域、周辺領域のそれぞれを適正露光量で露光することが
できる。
【0041】なお、上記実施例では、マスクステージと
プレートステージを別々の駆動系により、同時に駆動す
る場合を例示したが、前述した図5の走査型露光装置1
00のようにコ字状のキャリッジによりマスクとプレー
トとを同時に走査してもよい。
プレートステージを別々の駆動系により、同時に駆動す
る場合を例示したが、前述した図5の走査型露光装置1
00のようにコ字状のキャリッジによりマスクとプレー
トとを同時に走査してもよい。
【0042】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
感光基板上の走査方向に直交する方向の両端の周辺領域
が、第1の視野絞りの走査方向の開口長と第2の視野絞
りの一部の走査方向の開口長との比に応じて定まる、パ
ターン転写領域より多い露光量で露光されることから、
マスクのパターンを感光基板上の所定領域に正確に転写
すると同時に本来のパターン転写と無関係な基板周辺部
の感光層を確実に感光させることができるという従来に
ない優れた効果がある。従って、これによれば、専用の
周辺露光装置が不要となり、その分、省スペース化、コ
ストの低減を図ることが可能になる。
感光基板上の走査方向に直交する方向の両端の周辺領域
が、第1の視野絞りの走査方向の開口長と第2の視野絞
りの一部の走査方向の開口長との比に応じて定まる、パ
ターン転写領域より多い露光量で露光されることから、
マスクのパターンを感光基板上の所定領域に正確に転写
すると同時に本来のパターン転写と無関係な基板周辺部
の感光層を確実に感光させることができるという従来に
ない優れた効果がある。従って、これによれば、専用の
周辺露光装置が不要となり、その分、省スペース化、コ
ストの低減を図ることが可能になる。
【0043】特に、請求項2記載の発明にあっては、感
光基板の大きさ、パターン転写領域の面積が変更され
て、パターン転写領域の走査方向に直交する方向の長さ
が変化しても、パターン転写領域、周辺領域のそれぞれ
を適正な露光量で露光することができるという効果もあ
る。
光基板の大きさ、パターン転写領域の面積が変更され
て、パターン転写領域の走査方向に直交する方向の長さ
が変化しても、パターン転写領域、周辺領域のそれぞれ
を適正な露光量で露光することができるという効果もあ
る。
【図1】一実施例に係る走査型露光装置の概略構成を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図2】(A)は第1の視野絞りを示す正面図、(B)
は第2の視野絞りを示す正面図である。
は第2の視野絞りを示す正面図である。
【図3】プレート上の投影領域の配置を示す説明図であ
る。
る。
【図4】変形例の可変視野絞りの一例を示す図である。
【図5】背景技術を説明するための図であって、走査型
露光装置の概略構成を示す斜視図である。
露光装置の概略構成を示す斜視図である。
10 走査型露光装置 12 マスク 14A〜14E 照明光学系 16 プレート(感光基板) 18A〜18E(投影光学系) 20 マスクステージ 22 プレートステージ(基板ステージ) 31 第1の視野絞り 32 第2の視野絞り M1〜M5 部分領域 P1〜P5 投影領域
Claims (2)
- 【請求項1】 マスクと感光基板とを所定の走査方向に
所定速度で平行移動させつつ前記マスク上のパターンを
投影光学系を介して前記感光基板上に逐次転写する走査
型露光装置であって、 前記マスクを保持して前記走査方向に移動するマスクス
テージと;前記マスク上の複数の部分領域のそれぞれを
照明する複数の照明光学系と;前記感光基板を保持して
前記走査方向に移動する基板ステージと;前記各照明光
学系に対応して配置され、前記マスク上の前記各部分領
域の像を前記感光基板上に投影する複数の投影光学系
と;前記複数の部分領域の像の内の前記走査方向に直交
する方向の両端以外に位置する像の形状を規定すると共
に、前記走査方向の開口長が一定とされた複数の第1の
視野絞りと;前記複数の部分領域の像の内の前記走査方
向に直交する方向の両端に位置する像の形状を規定する
と共に、当該像のうち、前記パターンの像が存在しない
領域に対応する一部の前記走査方向の開口長が前記第1
の視野絞りより長くされた一対の第2の視野絞りとを有
する走査型露光装置。 - 【請求項2】 前記第2の視野絞りは、前記一部以外の
部分の前記走査方向に直交する方向の長さが可変である
ことを特徴とする請求項1記載の走査型露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7109968A JPH08288203A (ja) | 1995-04-11 | 1995-04-11 | 走査型露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7109968A JPH08288203A (ja) | 1995-04-11 | 1995-04-11 | 走査型露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08288203A true JPH08288203A (ja) | 1996-11-01 |
Family
ID=14523730
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7109968A Pending JPH08288203A (ja) | 1995-04-11 | 1995-04-11 | 走査型露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08288203A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019045874A (ja) * | 2013-06-14 | 2019-03-22 | 株式会社ニコン | 走査露光装置、走査露光方法、及びデバイス製造方法 |
-
1995
- 1995-04-11 JP JP7109968A patent/JPH08288203A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019045874A (ja) * | 2013-06-14 | 2019-03-22 | 株式会社ニコン | 走査露光装置、走査露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2020170162A (ja) * | 2013-06-14 | 2020-10-15 | 株式会社ニコン | 走査露光方法及びデバイス製造方法 |
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