CN101283627A - 辐射固化型热转移元件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种辐射固化型热转移元件，其包括基底和覆盖在所述基底上的光热转换层，本发明还涉及一种制造所述热转移元件的方法。所述光热转换层得自：可通过暴露在固化波长的辐射下而发生固化的辐射固化型材料，和不会使所述固化波长处的辐射吸收度显著提高的成像辐射吸收材料。所述辐射固化型转移元件可用于制造有机微电子器件的工艺中。

Description

辐射固化型热转移元件
技术领域
本发明涉及热转移元件，尤其是可用于激光诱导热成像(LITI)工艺或其它成像工艺中的辐射固化型热转移元件。本发明还涉及制作和使用辐射固化型热转移元件来制造有机微电子器件的方法。
背景技术
许多微型电子和光学器件是由多层不同材料相互叠合而成的。这类器件的实例包括以图形化阵列的形式形成每个像素的光学显示器、用于电信器件中的光波导结构、以及用于半导体类器件的金属-绝缘体-金属层叠件。用于制作这类器件的常规方法包括，在受体基底上形成一个或多个层，并同时或依次对上述层进行图形化，从而形成该类器件。对上述层进行的图形化往往通过光刻技术来实现，该技术包括，例如，在某一层上覆盖光敏胶，通过使光敏胶经受穿过掩模的辐射而使之图形化，根据图形移除已曝光或未曝光的光敏胶中的一部分以露出下层，然后对曝光层进行蚀刻。
在许多情况下，需要进行多步沉积和图形化来制备最终的器件结构。例如，制备光学显示器可能需要分别形成红色、绿色和蓝色的像素。尽管这些类型中的各个像素层可以共同沉积，但某些层却必须单独地形成，并且常常需要单独地进行图形化。在一些应用中，采用常规光刻图形化技术制造所述器件可能是困难的或不实用的。因此，有必要采用新方法来制作这类器件。至少在某些情况下，这可以允许构造出更加可靠和更加复杂的器件。
已经开发出LITI技术作为使多层微电子和光学器件图案化的可选方法。LITI是一种数字图形化方法，其涉及到将材料从供体薄片转移到受体表面上。LITI方法通常包括以成图形的方式印刷用于显示器应用的一个或多个转移层。LITI图形化方法通常使用这样的多层热转移供体薄膜，该薄膜被辐射源(例如，透过掩膜进行曝光的红外线激光器或闪光灯)以成图形的方式曝光，以便将图形化的转移层从供体薄膜转移到所期望的基底上。
发明内容
第一实施例包括辐射固化型热转移元件，该元件包括基底和覆盖在该基底上的光热转换(LTHC)层。该LTHC层得自：能够通过暴露在一个或多个固化波长的辐射下而发生固化的辐射固化型材料，以及不会使该固化波长下或该固化波长段内的辐射吸收度显著提高的成像辐射吸收材料。
第二实施例包括辐射固化型热转移元件，该元件包括基底和覆盖在该基底上的LTHC层。该LTHC层包含：能够通过暴露在一个或多个固化波长的辐射下而发生固化的辐射固化型材料，以及在辐射固化型材料固化前不会使该固化波长下或该固化波长段内的辐射吸收度显著提高的成像辐射吸收材料。
第三实施例包括通过暴露在一个固化波长或多个固化波长的辐射下而发生固化的热转移元件，并且该元件包括基底和覆盖在该基底上的LTHC层。该LTHC层得自辐射固化型材料和成像辐射吸收材料，该成像辐射吸收材料不会使固化波长下或固化波长段内的辐射吸收度显著提高。该热转移元件中的固化型材料的残余量显著低于成像辐射吸光度和厚度与该热转移元件相当、但其中成像辐射吸收材料被替换为在同样条件下发生固化的微粒吸收材料的热转移元件中所存在的固化型材料的残余量。
第四实施例包括通过暴露在一个或多个固化波长的辐射下而发生固化的热转移元件，并且该元件包括基底和覆盖在该基底上的LTHC层。该LTHC层得自辐射固化型材料和成像辐射吸收材料，该成像辐射吸收材料不会使固化波长下或固化波长段内的辐射吸收度显著提高。所述固化型材料的残余量显著低于包含微粒吸收材料的热转移元件中所存在的固化型材料的残余量。
第五实施例包括一种制造热转移元件的方法，所述热转移元件包括基底和覆盖在该基底上的LTHC层，该LTHC层得自辐射固化型材料和不会使一个或多个固化波长下的辐射吸收度显著提高的成像辐射吸收材料，该方法包括以下步骤：将所述LTHC层涂敷到基底上，并使辐射固化型材料固化，使得成像辐射吸收材料不会使固化波长下或固化波长段内的辐射吸收度显著提高。
第六实施例包括一种制造有机微电子器件的方法，其包括以下步骤：提供包括基底和覆盖在该基底上的LTHC层的热转移元件，该LTHC层得自：能够通过暴露在一个或多个固化波长的辐射下而发生固化的辐射固化型材料，和不会使该固化波长下或固化波长段内的辐射吸收度显著提高的成像辐射吸收材料；使所述热转移元件和受体紧密接触；用近红外辐射源把所述热转移元件按成像图形进行曝光；并且把对应于所述成像图形的热转移元件的至少一部分转移到所述受体上，以形成有机微电子器件。
附图说明
通过以下结合附图对本发明的各种实施例进行的详述可以更彻底地理解本发明，其中：
图1为图示说明示例性的LITI供体薄膜构造的剖面图；
图2A为图示说明LTHC层中普鲁士蓝(Penn Color公司)的光谱的图形；
图2B为图示说明LTHC层中Pro-Jet 830 LDI(Avecia公司)的光谱的图形；以及
图2C为图示说明LTHC层中YKR 2900(Yamamoto公司)的光谱的图形。
具体实施方式
本说明书涉及对LITI供体薄膜中使用的LITI转移层进行图形化的方法。该LITI供体薄膜可用于形成或部分地形成采用热转移方式和热转移元件形成的器件或其它物品，其中所述热转移元件用于形成所述器件或其它制品。作为具体实例，可以形成热转移元件以用于(至少部分地)制造多层器件，如多层有源器件和无源器件，例如多层电子器件和光学器件。例如，可以通过将多元转移组件从热转移元件热转移到最终受体上来实施该方法。应当认识的是，也可以使用单层和其它多层转移物来形成器件和其它制品。
本说明书中的顺序(例如，操作步骤的顺序或基底上各层的顺序)并不意味着要排除介于所列各项之间的中间部分。此外，如本文所用：
术语“有源器件”包括具有动态功能(如放大、振荡或信号控制)并且需要电源才能工作的电子元件或光学元件。
术语“固化波长”包括经LTHC层吸收后能引发辐射固化型材料发生聚合和/或交联的波长或波长段。
术语“成像波长”包括由成像源发射的波长或波长段。
术语“微电子器件”包括可单独用于和/或与其它元件一起用于形成更大的系统(如电子电路)的电子元件或光学元件。
术语“无源器件”包括基本上为静态工作(即通常不能放大或振荡)并且可以不需要电源来进行特性工作的电子元件或光学元件。
术语“微粒吸收材料”包括通过(例如)以下文献中描述的微粒来提供光吸收和光散射功能的吸收材料，所述文献为：C.F.Bohren和D.R.Huffman，Absorption and Scattering of Light by Small Particles，John Wiley & Sons，Inc.，Library of Congress ISBN 0-471-29340-7(1983)。
热转移元件
本发明提供包括辐射固化型热转移元件的LITI供体薄膜以及用于制造辐射固化的热转移层的方法，该辐射固化的热转移层可用于制造(例如)微电子器件和光学器件。如图1所示，示例性的LITI供体薄膜包括用于机械支承的供体基底100和覆盖在基底100上、并且用于将成像能转化为热的LTHC层102。其它层可以包括(例如)：转移层106、覆盖在所述基底上的可选夹层104、夹在基底100和LTHC层102之间的可选垫层108、以及位于所述转移层之下的可选剥离层110。
基底和可选底涂层
一般来讲，LITI供体热转移元件包括基底。该供体基底可以是聚合物薄膜。一类合适的聚合物薄膜为聚酯薄膜，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜，或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)薄膜。然而，其它薄膜包括在从背对受体的一侧对供体进行辐射时具有合适的光学特性(包括对特定波长的光具有高透过性)、并且针对特定应用具有充分的机械稳定性和热稳定性的那些。在某些实施例中，所述基底本身可能包含成像辐射吸收材料，在这种情况下，该基底的一部分(如顶层)或全部基底(例如，在吸收材料在整个基底中均匀分布的情况下)可以起到LTHC层的作用。在这种情况下，由于LTHC层也可起到基底的作用，因而基底是可选的。
至少在某些情况下，供体基底大体上是平坦的，以便可以形成均匀的涂层。供体基底的典型厚度范围为0.025毫米(mm)到0.15mm，优选为0.05mm到0.1mm，但是可以使用更厚或更薄的供体基底。
通常，可以选择用于形成供体基底和任何相邻层的材料，以增强供体基底和相邻层之间的粘合力、控制基底和相邻层之间的温度传递、并控制成像辐射向LTHC层的传递。然而，可以使用可选的底涂层来提高将后续层涂敷到基底上时的均匀性，以及提高供体基底和相邻层之间的粘合强度。具有底涂层的合适基底的一个实例是产品No.M7Q(得自DuPontTeijin Films，Osaka，Japan)。
可选垫层
可选垫层可以通过涂敷或以其它方式设置在供体基底和LTHC层之间，以(例如)最大限度地在成像过程中减轻对供体基底的损坏。该垫层还能影响LTHC层对供体基底部件的粘合力。通常，垫层具有高耐热性(即，比基底低的导热率)，并作为绝热体来保护基底不被LTHC层中产生的热量所损坏。作为另外一种选择，可以用导热率比基底高的垫层来增加从LTHC层到基底的热传递，(例如)以降低由于LTHC层过热而引起的成像缺陷的发生率。
合适的垫层包括(例如)：聚合物薄膜、金属层(例如，气相沉积的金属层)、无机层(例如，由无机氧化物(例如二氧化硅、二氧化钛、氧化铝和其它金属氧化物)构成的溶胶-凝胶沉积层和气相沉积层)和有机/无机复合层。适合作为垫层材料的有机材料既包括热固性材料，又包括热塑性材料。合适的热固性材料包括可通过热、辐射或化学处理而交联的树脂，其包括(但不限于)：已交联或可交联的聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚酯、环氧树脂和聚氨酯。可以将上述热固性材料以(例如)热塑性前体的形式涂敷到供体基底或LTHC层上，并随后发生交联而形成交联的垫层。
合适的热塑性材料包括(例如)聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚氨酯、聚砜、聚酯和聚酰亚胺。这些热塑性有机材料可以通过常规的涂敷技术(例如溶剂涂敷或喷涂)施加。上述垫层可对一个或多个波长的成像辐射具有透射性、吸收性、反射性或它们的某种组合。
适合作为垫层材料的无机材料包括(例如)金属、金属氧化物、金属硫化物和无机碳涂层，其包括在成像光波长处具有透射性、吸收性或反射性的那些材料。这些材料可以通过常规技术(例如真空溅射、真空蒸发或等离子射流沉积)进行涂敷或以其它方式进行施加。
垫层可以提供多种有益效果。例如，垫层可用于调节或控制LTHC层与供体基底之间的热传递。可以用垫层使基底与LTHC层中产生的热量隔离，或者吸收从LTHC层向基底传递的热量。该供体元件内的温度调节和热传递可以通过以下方式实现：增加层和/或控制各层的特性(如导热率(例如，导热率的值和方向性中的两者或之一))、吸收材料的分布和/或取向、或者各层内的层的形态或颗粒的形态(例如，金属薄膜层或颗粒中的晶体生长或晶粒形成的取向)。
垫层可以包含添加剂，其包括(例如)光引发剂、表面活性剂、颜料、增塑剂和涂层助剂。垫层的厚度可能取决于以下因素，(例如)垫层的材料、LTHC层的材料和光学特性、供体基底的材料、成像辐射的波长、热转移元件在成像辐射中的曝光持续时间以及供体元件的总体构造。对于聚合物垫层来说，垫层的厚度通常在0.05微米到10微米的范围内，更优选地为约0.1微米到4微米，更优选地为约0.5微米到3微米，以及更优选地为约0.8微米到2微米。对于无机垫层(例如金属或金属化合物垫层)来说，垫层的厚度通常在0.005微米到10微米的范围内，更优选地为约0.01微米到4微米，以及更优选地为约0.02微米到2微米。
在美国专利No.6,284,425中对LITI供体垫层有更加详细的描述。
光热转换(LTHC)层
对于辐射诱导热转移而言，LTHC层被并入热转移供体内，以将发光源辐射出的光能结合到热转移供体中。LTHC层通常包括成像辐射吸收材料，其用来吸收入射辐射，并将至少一部分入射辐射转换成热能，以便使转移层能够从热转移供体转移到受体上。在一些实施例中，热转移元件包括LTHC层，同时还包括设置在该热转移供体的一个或多个其它层(例如供体基底、转移层、可选夹层或可选剥离层)中的附加的成像辐射吸收材料。
通常，LTHC层(或其它层)中的成像辐射吸收材料吸收电磁光谱中的红外光、可见光和/或紫外光区域的光，或者吸收特定波长范围内的光。成像辐射吸收材料对选定的成像辐射具有吸收性，并且在热转移元件中的含量足以使其在该成像辐射波长处提供在0.2到3的范围内、并且优选地为0.5到2的吸光度。典型的辐射吸收材料可以包括(例如)染料(例如可见光染料、紫外光染料、红外光染料、荧光染料和辐射偏振染料)、颜料、有机颜料、无机颜料、金属、金属化合物、金属薄膜、铁氰化物颜料、酞菁颜料、酞菁染料、菁颜料、菁染料和其它吸收材料。
典型的成像辐射吸收材料的实例可以包括炭黑、金属氧化物和金属硫化物。典型的LTHC层的一个实例可以包括颜料(如炭黑)和粘合剂(如有机高分子)。另一种典型的LTHC层可以包括形成为薄膜的金属或金属/金属氧化物，例如黑铝(即，具有黑色视觉外观的部分氧化的铝)。金属薄膜和金属化合物薄膜可以通过诸如(例如)溅射和蒸发沉积等技术形成。颗粒状涂层可以使用粘合剂和任何合适的干涂技术或湿涂技术形成。
用作LTHC层中的成像辐射吸收材料的典型染料可以以颗粒的形式存在，所述颗粒溶解于粘合剂材料中或至少部分地分散在粘合剂材料中。当使用分散的颗粒状成像辐射吸收材料时，其粒度至少在某些情况下可以为约10微米或以下，并且可以为约1微米或以下。典型的染料包括那些吸收光谱中的红外光的染料。这类染料的实例在以下文献中有所描述：Matsuoka，M.，“Infrared Absorbing Dyes”，Plenum Press，New York，1990；Matsuoka，M.，Absorption Spectra of Dyes for Diode Lasers，Bunshin Publishing Co.，Tokyo，1990；美国专利Nos.4,722,583；4,833,124；4,912,083；4,942,141；4,948,776；4,948,778；4,950,639；4,940,640；4,952,552；5,023,229；5,024,990；5,156,938；5,286,604；5,340,699；5,351,617；5,360,694和5,401,607；欧洲专利Nos.321,923和568,993；以及文献Beilo，K.A.等人，J.Chem.Soc.，Chem.Comm.，1993，452-454(1993)。红外成像辐射吸收材料包括由Glendale Protective Technologies公司(Lakeland，Fla.)以商品名CYASORB IR-99、IR-126和IR-165出售的材料。可以根据以下因素选择具体的染料，诸如在特定粘合剂和/或涂料溶剂中的溶解度和染料与该粘合剂和/或涂料溶剂的相容性，以及吸收的波长范围。
颜料材料也可以用作LTHC层中的成像辐射吸收材料。典型的颜料实例包括炭黑和石墨，以及酞菁、镍连二硫烯和美国专利Nos.5,166,024与5,351,617中所描述的其它颜料。另外，也可以使用基于(例如)吡唑啉酮黄、联大茴香胺红和镍偶氮黄的铜络合物或铬络合物的黑色偶氮颜料。还可以使用无机颜料，其包括(例如)诸如镧、铝、铋、锡、铟、锌、钛、铬、钼、钨、钴、铱、镍、钯、铂、铜、银、金、锆、铁、铅和碲等金属的氧化物和硫化物。也可以使用金属硼化物、金属碳化物、金属氮化物、金属碳氮化物、青铜纳米结构化氧化物和结构上与青铜族相关的氧化物(例如WO2)。
金属类成像辐射吸收材料既可以采用颗粒形式(如美国专利No.4,252,671中所述的那样)，又可以采用薄膜形式(如美国专利No.5,256,506中所公开的那样)。典型的金属包括(例如)铝、铋、锡、铟、碲和锌。
颗粒状成像辐射吸收材料可以分布在粘合剂中。成像辐射吸收材料在涂层中的重量百分比(重量百分比的计算中不包括溶剂)根据LTHC中使用的具体的成像辐射吸收材料和粘合剂，通常为1重量％到30重量％，更优选地为3重量％到20重量％，并且更优选地为5重量％到15重量％。
本领域已知的LTHC层通常包含UV固化型树脂体系和作为微粒吸收材料的炭黑颜料分散体。炭黑价格低廉、稳定并且易于处理，并且可以吸收808纳米(nm)和1064nm的NIR成像激光波长。炭黑的光谱特征通常导致LTHC层难以进行UV固化，并且在涂敷过程中难以进行光学检测。此外，这些涂层在UV固化过程中易发生热损坏，这是因为其发生了与激光热印刷过程中相同的光热转换过程。虽然固化过程通常只受UV敏化，但是UV灯照射包括在整个可见光区域的能量，而且这种能量被吸收并且被转化为热。其结果往往会导致薄膜基底出现热损坏和发生变形。
符合本发明的实施例提供这样的LTHC层，该层包含成像辐射吸收材料和辐射固化型材料，所述辐射固化型材料可通过暴露在一个或多个固化波长的辐射下而发生固化。在一些实施例中，成像辐射吸收材料不会使固化波长下或固化波长段内的辐射吸收度显著提高。例如，在一些实施例中，成像辐射吸收材料不会使一个或多个固化波长处的辐射吸收度提高超过50％、40％、30％、20％、10％、或5％，其中，辐射吸收度提高得越少越是优选的。在其它实施例中，在辐射固化型材料固化前，成像辐射吸收材料不会使固化波长下或固化波长段内的辐射吸收度显著提高，更优选的是，不会使辐射吸收度提高超过10％。
在其它符合本发明的实施例中，未反应的固化型材料的残余量显著低于具有与该热转移元件相当的厚度并在成像波长下具有与该热转移元件相当的光密度、但其中成像辐射吸收材料被替换为在同样条件下发生固化的微粒吸收材料的热转移元件中所存在的未反应的固化型材料的残余量。例如，在一些实施例中，所存在的未反应的固化型材料的量比微粒吸收材料情况下的未反应的固化型材料的量少50％、少40％、少30％、少20％、少10％或少5％，其中，所存在的未反应的固化型材料的量越少越是优选的。
在其它符合本发明的实施例中，在LTHC层固化之后，未反应的固化型材料的残余量显著低于包含微粒吸收材料的热转移元件中所存在的未反应的固化型材料的残余量。例如在一些实施例中，在LTHC层固化之后所存在的未反应的固化型材料的量比微粒吸收材料情况下的未反应的固化型材料的量少50％、少40％、少30％、少20％、少10％或少5％，其中，所存在的未反应的固化型材料的量越少越是优选的。
微粒吸收材料的一个实例是存在于UV糊剂(如得自Penn Color公司(Doylestown，PA)的9B981D、9B950D和9B923)中的炭黑。
合适的辐射固化型材料包括辐射固化型单体、低聚物、聚合物和共聚物，尤其是丙烯酸酯与(甲基)丙烯酸酯的单体、低聚物、聚合物和共聚物。优选的是，用于使辐射固化型材料固化的辐射源发射处于UV(200nm-400nm)或可见光(400nm-700nm)辐射带内的一个或多个固化波长下的辐射。在一些实施例中，用于实现固化的辐射源可以是激光或闪光灯。
使用NIR染料或颜料作为LTHC层中的成像辐射吸收材料，可对辐射固化型LTHC的成形提供多种工艺优势和性能优势。首先，这类材料与显著吸收一个或多个固化波长的辐射的其它成像辐射吸收材料相比，前者中的大多数在激光波长下是效率更高的成像辐射吸收材料。这样，对于给定的激光功率来说，就能够使用较低的成像辐射吸收材料负载量，从而有可能产生更加平滑的表面。其次，对于某些LTHC来说，在可见光谱中不产生显著的吸收这一点会在UV照射期间防止发生不需要的光热转换，并降低涂敷薄膜受热变形的可能性。第三，在可见光区有更加透明的光谱窗会有助于在LTHC和夹层涂敷过程中，以及在加工现场、用户现场或别处对供体薄膜进行最终检查的过程中改善光学检测过程(检测颗粒和涂层缺陷)。第四，在可见光谱区域中有较高的透明度使得激光系统可以透过供体薄膜与高分辨率受体基底(例如显示器底板)对准。第五，较高的可见光透明度也使得预图形化的供体薄膜可以与图形化的受体基底对准。最后，在UV区域的透明光谱窗使得UV固化的效率更高(残余未反应的辐射固化型材料的浓度更低)，固化的时间更短(加工速度更快)，以及UV灯的设置功率更低(对涂敷薄膜的热损坏更小)。
为了更好地了解本发明的成像辐射吸收材料在LITI法中的有益效果，要考虑在以下这三个光谱区的光学特性：近红外(NIR)、可见光(VIS)、和紫外光(UV)。激光波长通常位于NIR光谱区域(700nm-1100nm)内。为了针对特定类型的激光成为高效的成像辐射吸收材料，非微粒吸收材料在该激光波长下通常必须具有显著的吸收带。优选的成像辐射吸收材料在该激光波长下具有有效的消光系数，其至少为103mL/g-cm，优选为104mL/g-cm，更优选为105mL/g-cm。
因此，适用于808纳米的激光的成像辐射吸收材料的实例包括：普鲁士蓝(颜料蓝27)、铜酞菁(颜料蓝15)、及其许多取代衍生物、以及多次甲基染料。合适的近红外(NIR)成像辐射吸收材料还包括可溶于溶剂的菁染料，如得自FEW Chemicals公司(Wolfen，Germany)的S0402、S0337、S0391、S0094、S0325、S0260、S0712、S0726、S0455和S0728，和得自Yamamoto Chemicals公司(Tokyo，Japan)的YKR-2016、YKR-2100、YKR-2012、YKR-2900、D01-014和D03-002；以及可溶的多次甲基染料，如得自Avecia公司(Blackley，Manchester，UK)的Pro-Jet830 LDI。本发明的实施例中使用的其它成像辐射吸收材料包括水溶性菁染料，如得自FEW Chemicals公司的S0121、S0270和S0378；以及可溶和不可溶的酞菁类成像辐射吸收材料，如得自Yamamoto公司的YKR-1020、YKR-220、YKR-1030、YKR-3020、YKR-3071、YKR-4010、YKR-3030、YKR-3070、YKR-369、D05-003和YKR-5010，以及得自Avecia公司的Pro-Jet800 NP和Pro-Jet 830 NP。
图2A-2C为图示说明LTHC层中使用的示例性材料的光谱图。图2A为图示说明LTHC层中的普鲁士蓝(Penn Color公司)的光谱图。图2B为图示说明LTHC层中的Pro-Jet 830 LDI(Avecia公司)的光谱图。图2C为图示说明LTHC层中的YKR 2900(Yamamoto公司)的光谱图。
可见光谱区(400nm-700nm)透明度的提高对于目视检查和/或光学检查与对准来说都是重要的。此外，在UV固化工艺中，这种透明度的提高可以降低LTHC层和基底上的热负荷，从而降低因热效应导致的基底变形和可能的劣化。
在LTHC层中含有优选的NIR成像辐射吸收材料的LTHC层在以下的LTHC吸收度条件下透过至少20％或更多的来自理想光源的可见光区域内的入射能，其中所述的理想光源在该相同的波长范围内具有均匀的光谱能量分布，所述的LTHC吸收度在成像波长处优选为0.40或以上，更优选为0.7或以上，并且最优选为1.0或以上。含有更优选的NIR成像辐射吸收材料的LTHC层在以下的LTHC吸收度条件下透过至少30％或更多的来自理想光源的可见光区域内的入射能，其中所述理想光源在该相同的范围内具有均匀的光谱能量分布，所述的LTHC吸收度在成像波长处优选为0.40或以上，更优选为0.7或以上，并且最优选为1.0或以上。含有更优选的NIR成像辐射吸收材料的LTHC层在以下的LTHC吸收度条件下透过至少40％或更多的来自理想光源的可见光区域内的入射能，其中所述理想光源在该相同的范围内具有均匀的光谱能量分布，所述的LTHC吸收度在成像波长处优选为0.40或以上，更优选为0.7或以上，并且最优选为1.0或以上。含有更优选的NIR成像辐射吸收材料的LTHC层在以下的LTHC吸收度条件下透过至少50％或更多的来自理想光源的可见光区域内的入射能，其中所述理想光源在该相同的范围内具有均匀的光谱能量分布，所述的LTHC吸收度在成像波长处优选为0.40或以上，更优选为0.7或以上，并且最优选为1.0或以上。
按照类似的方式，经透射穿过LTHC涂层的UV能量(来自大约200nm-400nm波长的光)的多少关系到LTHC层可被UV固化的容易程度，并最终影响到残余物的含量、固化速度和LTHC层发生热变形的可能性。在某些实施例中，采用NIR成像辐射吸收材料(其含量足以在成像波长处获得0.2到3.0的吸收度)制备的LTHC涂层在整个可进入其内的紫外光区域(聚酯基底有效地阻断了所有小于300纳米的UV波长)内没有表现出强吸收，并且透过至少15％(更优选20％，更优选25％或以上)的来自理想辐射源的紫外区域内的入射能，其中，所述辐射源在该相同的范围内具有均匀的光谱能量分布。因此，涂层可以在更低的总UV能量、更快的线速度、和/或更低的UV灯设置功率的条件下固化，从而形成残余物更少、热变形程度更低的固化LTHC层。
如所指出的那样，颗粒状成像辐射吸收材料可以设置在粘合剂中。成像辐射吸收材料在涂层中的重量百分比(重量百分比的计算中不包括溶剂)根据LTHC中使用的具体成像辐射吸收材料和粘合剂，通常为1重量％到30重量％，更优选地为3重量％到20重量％，并且更优选地为5重量％到15重量％。
LTHC层中可以包括可选的聚合物粘合剂。LTHC层中使用的合适的聚合物粘合剂包括成膜性聚合物，例如酚醛树脂(如酚醛清漆树脂、甲酚树脂和可熔可溶酚醛树脂)、聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚醋酸乙烯酯、聚乙烯醇缩醛、聚偏二氯乙烯、聚丙烯酸酯、纤维素醚和纤维素酯、硝化纤维、聚碳酸酯、聚酯、聚氨酯和聚氨酯丙烯酸酯。其它合适的粘合剂可以包括已经或能够被聚合或交联的单体、低聚物或聚合物。在一些实施例中，粘合剂主要由可聚合或可交联的单体和/或低聚物与可选的聚合物构成的涂料形成。当在粘合剂中使用聚合物时，该粘合剂包含1到50重量％，优选为10到45重量％的聚合物(计算重量％时不包括溶剂)。
在单体、低聚物和聚合物被涂敷到供体基底上后，将其聚合和/或交联而形成LTHC层。在某些情况下，如果LTHC层的交联度过低，则该LTHC层可能受热损坏和/或使得LTHC层的一部分随转移层转移到受体上。
至少在某些情况中，添加热塑性树脂(例如聚合物)可改善LTHC层的性能，如转移特性和/或可涂敷性。热塑性树脂可增强LTHC层对供体基底的附着力。在一个实施例中，粘合剂包含25到50重量％(计算重量百分比时不包括溶剂)的热塑性树脂，并且优选为30到45重量％的热塑性树脂，但是可以使用更低含量的热塑性树脂(例如1到15重量％)。热塑性树脂通常被选择为与粘合剂中的其它材料相容(即，形成单相混合物)。可以使用溶解度参数来表示相容性，如Polymer Handbook，J.Brandrup，ed.，pp.VII 519-557(1989)中所述的那样。在至少一些实施例中，为粘合剂选用溶解度参数在9到13(cal/cm3)1/2的范围内，优选为9.5到12(cal/cm3)1/2的热塑性树脂。合适的热塑性树脂的实例包括聚丙烯酸类、苯乙烯-丙烯酸类聚合物和树脂，以及聚乙烯醇缩丁醛。
可以添加常规的涂敷助剂(如表面活性剂和分散剂)，以有利于涂敷过程。可以采用多种涂敷方法将LTHC层涂敷到供体基底上。在至少某些情况下，聚合物LTHC层或有机LTHC层的涂敷厚度为约0.05微米到约20微米，更优选地为约0.5微米到约10微米，并且更优选地为约1微米到约7微米。在至少某些例子中，无机LTHC层的涂敷厚度在0.001微米到10微米的范围内，并且优选地为0.002微米到1微米。
辐射吸收材料既可以均匀地分布在整个LTHC层中，又可以不均匀地分布其中。例如，如美国专利No.6,468,715所述，可以用不均匀的LTHC层来控制供体元件中的温度分布。这可以产生转移特性得以改善(例如，预期转移图形和实际转移图形之间具有更好的保真性)的热转移元件。
LTHC层可以含有分布不均匀的吸收材料，(例如)以控制供体元件中所能达到的最高温度和/或控制转移层界面所能达到的温度。例如，LTHC层中的吸收材料可以在靠近供体基底处分布较稀疏，在靠近转移层处分布较密集。在许多情况下，与具有相同厚度和光密度的均匀LTHC层相比，这样的设计可使得越深入到LTHC层内部，被吸收并转化成热的辐射就越多。为明确起见，术语“深度”在用于描述LTHC层中的位置时是指从热质转移元件的供体基底侧开始测量，沿厚度方向进入LTHC层的距离。在其它情况下，可能有利的是，LTHC层中的吸收材料越靠近供体基底，其分布越密集，并且越靠近转移层，其分布越稀疏。
所述LTHC层也可以通过将包含类似材料或相异材料的两个或更多个LTHC层组合在一起而形成。在这种情况下，当使用多于两个的LTHC层时，只需其中一层包含不会使固化波长处的辐射吸收度显著提高的成像辐射吸收材料。下面将更加详细地讨论LTHC构造的其它实例。
热质转移供体元件可以包括不均匀的LTHC层。例如，该LTHC层中的吸收材料分布可以随厚度而发生变化。具体地讲，LTHC层的吸收材料的密度可以随深度的增加而增大。更一般地讲，可以通过改变同种吸收材料在整个LTHC层内的分布或密度，或通过在LTHC层中不同位置处包括不同的吸收材料或层，或同时采用这两种方式，将LTHC层设计成具有变化的吸收系数。就本发明的目的而言，术语“不均匀”包括材料在LTHC层中至少一个方向上具有各向异性的热特性或材料分布。
一般来讲，吸收系数与LTHC层的成像辐射吸收率成正比。对于均匀的LTHC层而言，吸收系数在整个厚度上为常量，并且LTHC层的光密度与LTHC层的总厚度和吸收系数的乘积大致成正比。对于不均匀LTHC层而言，吸收系数可以改变。示例性的不均匀LTHC层具有这样的吸收系数，该系数随所述LTHC层厚度的变化而变化，而光密度则取决于吸收系数在整个LTHC层厚度范围内的积分。
不均匀的LTHC层还可以具有在该层平面内变化的吸收系数。另外，吸收材料可以被取向或者被不均匀地分散在LTHC层平面内，以获得各向异性的导热率(例如，针状磁性颗粒可用作吸收颗粒并可在磁场存在时被取向)。这样，可以制得这样的LTHC层，该LTHC层沿着层厚有效地传导热能，以将热能传递到转移层，同时该LTHC层平面具有低的导热率，从而使较少的热量散失到邻近的较冷区域，例如那些还未暴露于成像辐射下的区域。可以利用这种各向异性的导热率来提高使用本发明的供体元件进行热图形化的分辨率。
同样，可以使得热质转移供体元件中的任何其它层(例如基底、垫层、夹层和/或热转移层)具有各向异性的导热率，以控制热量传递到其它层或离开其它层。一种制造具有各向异性的导热率的层的方法是使该层中导热率不同的材料具有各向异性的取向或各向异性的分布。另一种方法是，向一个或多个层的表面赋予物理结构(例如，使层在某些部位较薄，而在其它部位较厚)。
通过将LTHC层设计为其吸收系数随层厚而变化，可以增强供体元件的成像性能。例如，与具有相同厚度和光密度的均匀LTHC层相比，可以通过对LTHC层进行设计，来降低供体元件所能达到的最高温度，和/或升高转移温度(即，转移层/LTHC界面或转移层/夹层界面所达到的温度)。其优点可包括：能够使用促使转移特性(如转移灵敏度)得到改善的成像条件，而不会因供体过热以致于损坏供体元件或破坏被转移的图形。
在示例性的实施例中，热质转移供体元件包括吸收系数随厚度变化的LTHC层。该LTHC层可以用任何合适的技术制得。例如，可以依次地涂敷、层压或以其它方式形成两个或更多个层，其中每一层都有不同的吸收系数，从而形成总体不均匀的LTHC层。各层之间的边界可以是渐变的(例如，因两层间的扩散而致)或突变的。也可以通过使材料扩散到预先形成的层中来形成随厚度变化的吸收系数，从而制成不均匀的LTHC层。其实例包括使吸收材料扩散到粘合剂中，使氧气扩散到铝材薄层中等。
制作不均匀LTHC层的合适方法包括(但不限于)：依次涂敷含有分散在可交联粘合剂中的吸收材料的两个或更多个层(每层具有不同的吸收系数)，然后或者在每个涂敷步骤后进行交联，或者在涂敷完所有相关层后再把多个层一起交联；依次气相沉积两个或多个具有不同吸收系数的层；和依次形成具有不同吸收系数的两个或多个层，其中至少一层包括设置在可交联粘合剂中的吸收材料，并且至少一层经气相沉积而成，其中可交联粘合剂可以在涂敷完特定的层后立即进行交联，也可以在进行其它涂敷步骤后立即进行交联。
可以制得的不均匀LTHC层的实例包括：在较深的区域具有较大吸收系数的双层结构；在较深的区域具有较小吸收系数的双层结构；吸收系数随深度依次增大的三层结构；吸收系数随深度依次减小的三层结构；吸收系数随深度的增加而增大，然后又减小的三层结构；吸收系数随深度的增加而减小，然后又增大的三层结构，以及视所需层数而定的其它结构。随着具有不同吸收系数的区域的数目增加，和/或随着区域变薄，和/或随着区域之间的扩散增加，可以形成具有近似连续变化的吸收系数的不均匀LTHC层。
在一个实施例中，可以利用吸收系数随深度而增大的不均匀LTHC层，从而当从LTHC层的较浅一侧照射供体元件时，降低LTHC层中所能达到的最高温度，并且升高供体元件的转移温度。降低供体元件最高温度的优点可能在于，减少因LTHC层或其它层的热分解或过热而导致的缺陷。这些缺陷可能包括：被转移图像的失真，部分LTHC层向受体的非预期转移，被转移图像的意外分裂，以及被转移图像的表面粗糙度增大或其它物理或化学方面的劣化(例如，因成像过程中供体元件过热而使一个或多个层发生机械变形而致的劣化)。这些缺陷统称为成像缺陷。根据符合本发明的实施例，设计LTHC层的另一个优点在于，可以使用功率较高的辐射源和/或较长的持续时间(例如更高的激光剂量)来升高转移温度，从而提高转移的保真性，同时又不会超过在该LTHC层中可能导致成像缺陷的温度。
与包含显著地吸收一个或多个固化波长辐射的微粒吸收材料或其它成像辐射吸收材料的相应LTHC层相比，符合本发明的实施例的LTHC层可表现出更高的可见光透射特性。一些实施例包括这样的LITI供体薄膜，该供体薄膜包含可使可见光至少部分地透过的LTHC层。这使得(例如)在制造过程中，对LITI供体薄膜的缺陷进行目视检查或其它在线检查变得更加容易。在一些实施例中，提供可使可见光至少部分地透过的LITI供体薄膜，这样可以将预图形化的供体薄膜与图形化的受体基底精密对准，并且有利于制造要求将图形化层精确定位的复杂多层电子器件。
LTHC层可以用于多种热转移元件，其包括具有多元转移组件的热转移元件，和用于转移器件中的单一一层或其它物品的热转移元件。LTHC层既可以与形成多层器件所用的热转移元件一起使用(如上所述)，又可以与形成其它物品所用的热转移元件一起使用。这类物品的实例包括滤色镜、隔层、黑色基质层、印刷电路板、显示器(例如液晶显示器和发射显示器)、偏振片、z轴导体、以及可以通过热转移形成的其它物品，它们包括(例如)在美国专利No.5,156,938、5,171,650、5,244,770、5,256,506、5,387,496、5,501,938、5,521,035、5,593,808、5,605,780、5,612,165、5,622,795、5,685,939、5,691,114、5,693,446和5,710,097以及PCT专利申请No.98/03346和97/15173中所描述的那些。
可选的夹层
热转移元件中可以包括作为可选部分的夹层。该可选的夹层可用于最大程度地减小对转移层中被转移部分的损坏和污染，并且还可用于降低转移层中被转移部分的失真。该夹层还能影响转移层对热转移元件的粘合力，或另外控制转移层在成像区域和非成像区域的脱离。通常，该夹层具有高耐热性，并且不会在成像条件下发生变形或化学分解，尤其不会达到致使被转移图象无效的程度。该夹层在转移过程中通常与LTHC层保持接触，并且基本不会与转移层一起转移。
合适的夹层包括(例如)：聚合物薄膜、金属层(例如气相沉积的金属层)、无机层(例如无机氧化物(例如二氧化硅、二氧化钛和其它金属氧化物)的溶胶-凝胶沉积层和气相沉积层)和有机/无机复合材料层。适合作为夹层材料的有机材料包括热固性材料和热塑性材料。合适的热固性材料包括可以通过加热、辐射或化学处理而交联的树脂，这些树脂包括(但不限于)：交联或可交联的聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚酯、环氧树脂和聚氨酯。可以将热固性材料以(例如)热塑性前体的形式涂敷到LTHC层上，随后进行交联而形成交联的夹层。
合适的热塑性材料包括(例如)：聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚氨酯、聚砜、聚酯和聚酰亚胺。这些热塑性有机材料可以通过常规的涂敷技术(例如溶剂涂敷或喷涂)予以施加。通常，适用于夹层的热塑性材料的玻璃化转变温度(Tg)为25℃或更高，更优选地为50℃或更高，更优选地为100℃或更高，并且更优选地为150℃或更高。该夹层可以在成像辐射波长下具有光透射性、光吸收性、光反射性或它们的某种组合。
适合作为夹层材料的无机材料包括(例如)：金属、金属氧化物、金属硫化物和无机碳涂层，其包括在成像光波长下具有高透射性或高反射性的那些材料。可以通过常规技术(例如真空溅射、真空蒸发或等离子射流沉积)将这些材料施加到光热转换层上。
夹层可以提供多种有益效果。夹层可以作为防止材料从LTHC层转移出来的屏障。它还可以用来调节转移层中所能达到的温度，以便转移热不稳定的材料和/或温敏材料。例如，相对于LTHC层所能达到的温度而言，夹层可作为热扩散体来控制夹层和转移层之间的界面处的温度。这可改善被转移层的质量(即，表面粗糙度、边缘粗糙度等)。夹层的存在还能使被转移材料的塑性记忆得到改善或降低其失真度。
夹层可以包含添加剂，其包括(例如)光引发剂、表面活性剂、颜料、增塑剂和涂敷助剂。夹层厚度可取决于诸如(例如)夹层的材料、LTHC层的材料、转移层的材料、成像辐射的波长和热转移元件在成像辐射中的曝光持续时间等因素。对于聚合物夹层而言，夹层的厚度通常在约0.05微米到约10微米的范围内，更优选地从约0.1微米到约4微米，更优选地从约0.5微米到约3微米，并且更优选地从约0.8微米到约2微米。对于无机夹层(例如金属或金属化合物夹层)而言，夹层的厚度通常在约0.005微米到约10微米范围内，更优选地为约0.01微米到约3微米，并且更优选地为约0.02微米到约1微米。
转移层
热转移元件中可以包含转移层。通常通过以下方法在LTHC层上形成转移层，所述的方法包括(例如)：蒸发或溅射，涂敷成均匀层，或采用数字印刷技术(如数字式喷墨或数字式电子照相印刷技术)、平版印刷技术、透过掩模进行的蒸发或溅射技术印刷成图形。如前所述，可以在LTHC层和转移层之间插入其它可选层，例如可选的夹层。
转移层通常包括用于转移到受体上的一层或多层。这些层可以由有机材料、无机材料、有机金属材料和其它材料构成，所述材料包括(例如)：电致发光材料或电活性材料。尽管转移层被描述和图示为具有非连续的层，但是应当理解，至少在某些情况下，可以存在包括各层至少一部分的界面区域。例如，在转移层被转移之前、被转移过程中或被转移之后，如果在层与层之间存在混合或材料扩散，则会出现上述情况。在其它情况下，在转移层被转移之前、被转移过程中或被转移之后，两层可以完全或部分地混合。
转移层的一个实例中包括多元转移组件，其用于在受体上形成多层器件，如有源器件或无源器件。在一些情况下，转移层可包括形成有源器件或无源器件所需的所有层。在其它情况下，可以在受体上设置该有源器件或无源器件中的一层或多层，其它层则包含在转移层内。作为另外一种选择，可以在沉积转移层后，将该有源器件或无源器件的一层或多层转移到受体上。在某些情况下，转移层用于仅形成有源器件或无源器件中的单一一层，或形成不同于器件的其它物品中的单一一层或多层。使用多元转移组件的一个优点(尤其是当各层不混合时)在于，当制成热转移组件并且在转移过程中优选地保持该热转移组件时，可以得到多元转移组件中各层之间的重要的界面特性。单独转移各层可能会导致层与层之间的界面不够理想。
热转移元件可以具有这样的转移层，该转移层可用于形成(例如)电子电路、电阻器、电容器、二极管、整流器、电致发光灯、存储元件、场效应晶体管、双极晶体管、单结晶体管、金属氧化物半导体(MOS)晶体管、金属-绝缘体-半导体晶体管、电荷耦合器件、绝缘体-金属-绝缘体层叠件、有机导体-金属-有机导体层叠件、集成电路、光电探测器、激光器、透镜、波导管、光栅、全息元件、滤波器(例如分插滤波器、增益平坦滤波器和截止滤波器等)、反射镜、分光器、耦合器、组合器、调制器、传感器(例如迅衰传感器、相位调制传感器和干涉型传感器等)、光学谐振腔、压电器件、铁电器件、薄膜电池或它们的组合(例如场效应晶体管和有机电致发光灯的组合，用作光学显示器的有源矩阵阵列)。可以通过转移多元转移组件和/或单层来形成其它物品。
可以从热质转移供体元件选择性地进行图形化的转移层的实例包括这样的转移层，该转移层包含：着色剂(例如分散或溶解在粘合剂中的颜料和/或染料)、偏振片、液晶材料、颗粒(例如用于液晶显示器的隔离物、磁性粒子、绝缘粒子、导电粒子)、发射性材料(例如荧光材料和/或有机电致发光材料)、疏水材料(例如喷墨受体的隔离物)、亲水材料、多层层叠件(例如多层器件结构，如有机电致发光器件)、微结构化或纳米结构化的层、光刻胶、金属、含聚合物的层、粘合剂、粘结剂、酶、或其它生物材料，或其它合适的材料或其组合。转移层的实例在以下文献中公开：美国专利No.5,725,989、5,710,097、5,693,446、5,691,098、5,685,939、5,521,035、6,221,543、6,461,775和6,228,543；国际专利公开No.WO 97/15173、WO 98/03346和WO 99/46961；以及共同转让的美国专利申请No.09/231,724。
特别适合的转移层包括可在适合显示器应用的光学器件中使用的材料。可以进行热质转移来使一种或多种材料在受体上以高精度的方式图形化，并且与基于光刻法的图形化技术相比，其加工步骤更少，因而特别可用在诸如显示器制造等应用中。例如，可以制造这样的转移层，使得该转移层将被转移材料热转移到受体上后，所述被转移材料形成滤色片、黑色基质、垫片、屏蔽片、隔片、偏振片、延迟层、波片、有机导体或半导体、无机导体或半导体、有机电致发光层(荧光和/或磷光)、磷光体层、有机电致发光器件、有机晶体管、以及其它这类元件、器件或其一部分，它们可以单独用于显示器中或与可以或不可以用类似方式图形化的其它元件进行组合的方式用于显示器中。
在一些实施例中，将转移层在供体元件上进行预图形化，并且利用辐射诱导成像法将预图形化的转移层全部或部分转移到受体上。可以在转移层上涂敷不同的层(例如附着层)，以利于将转移层转移到基底上。
LITI图形化
对于采用辐射(例如光)进行的热转移来说，可以使用多种辐射发射源。对于模拟技术(例如透过掩模进行照射)而言，可使用高功率的光源(例如氙闪光灯和激光器)。对于数字成像技术而言，红外光激光器、可见光激光器和紫外光激光器是尤其有用的。合适的激光器包括(例如)：高功率(例如≥100mW)单模激光二极管、光纤耦合激光二极管和二极管泵浦固体激光器(例如Nd:YAG和Nd:YLF)。激光照射持续时间可以在(例如)从约0.1微秒到100微秒的范围内，而且激光能量密度可以为(例如)约0.01J/cm2到约1J/cm2。
当大型基底区域上需要高精度的点布置时(例如，针对高信息量全色显示器应用而言)，激光器尤其适合作为辐射源。激光源既适应于大型刚性基底(如1米(m)×1m×1.1mm的玻璃)，又适应于连续或片状的薄膜基底(如100微米厚的聚酰亚胺片)。
向受体的热转移
在成像期间，通常使热转移元件与受体紧密接触，以进行成像并使转移层的一部分转移到受体上。至少在某些情况下，可以用压力或真空使热转移元件与受体保持紧密接触。然后，再利用辐射源按成像方式(例如，数字成像方式或透过掩模进行的模拟曝光方式)加热LTHC层(和/或含有成像辐射吸收材料的其它层)，以便根据图形将转移层以成像方式从热转移元件转移到受体上，从而形成(例如)有机微电子器件。
通常，向受体转移所述转移层，而不转移热转移元件的任何其它层(如可选夹层和LTHC层)。优选的是，将供体和受体涂层内的粘合力和内聚力构造为使得暴露于辐射下的区域的转移层被转移，而未暴露区域的转移层不被转移。在某些情况下，可使用反射夹层来削减经透射穿过夹层的成像辐射的程度，并减少对转移层中被转移部分所造成的任何损坏，这种损坏可能是由透过的辐射与转移层和/或受体相互作用而造成的。当受体对成像辐射具有强吸收性时，上述这种效果对于降低可能发生的热损坏尤其有益。
在激光照射期间，希望最大程度地减少因成像材料的多重反射而形成的干涉图形，这可以通过多种方法实现。最常用的方法是根据入射辐射的规模有效地使热转移元件的表面粗糙化，如美国专利No.5,089,372中所述的那样。这种粗糙化具有扰乱入射辐射的空间相干性的效果，因而可以最大限度地减少自干涉。另一种可供选用的方法是，在热转移元件的基底的任意一侧或两侧上使用抗反射涂层。抗反射涂层的用途为已知的，并且可以用厚度为四分之一波长的涂层(如氟化镁涂层)来实现，如美国专利No.5,171,650中所述的那样。
可以使用大型热转移元件，其包括长度和宽度尺寸为一米或更大的热转移元件。在操作过程中，激光器可以以光栅或其它方式沿该大型热转移元件移动，同时有选择地操作激光器，以根据所需的图形来照射热转移元件的一部分。作为另外一种选择，可以让激光器静止不动，而在激光器下移动热转移元件。
在某些情况下，依次使用两个或更多个不同的热转移元件来形成器件可能是必要的、有利的和/或方便的。例如，可使用一个热转移元件形成场效应晶体管的栅电极，用另一个热转移元件形成栅绝缘层和半导电层，并且可以再用一个热转移元件形成源极触点和漏极触点。可使用两个或更多个热转移元件的多种其它组合来形成器件，其中每个热转移元件形成该器件的一个或多个层。这些热转移元件中的每一个都可包括多元转移组件，或可只包括用于转移到受体上的单个层。然后，依次使用两个或更多个热转移组件沉积成该器件的一个或多个层。在某些情况下，两个或更多个热转移元件中的至少一个包括多元转移组件。
受体
受体基底可以是适合特定应用的任何物品，其包括(但不限于)：玻璃、透明薄膜、反射膜、金属、半导体、各种纸张及塑料。例如，受体基底可以是任何类型的基底或任何类型的适用于显示器应用的显示元件。适用于显示器(如液晶显示器或发射显示器)的受体基底包括实质性地透射可见光的刚性或柔性基底。刚性受体基底的实例包括玻璃、氧化锡铟涂敷玻璃、低温多晶硅(LTPS)和刚性塑料。
合适的柔性基底包括：实质性透明和透射的聚合物薄膜、反射膜、非双折射膜、半透反射膜、偏振膜、多层光学薄膜等。合适的聚合物基底包括聚酯类(例如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯)基底、聚碳酸酯树脂、聚烯烃树脂、聚乙烯基树脂(例如聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯醇缩醛等)、纤维素酯类(例如三乙酸纤维素、乙酸纤维素)基底、以及在各种成像领域中用作支撑物的其它常规聚合物薄膜。优选使用2密耳到100密耳(即0.05mm到2.54mm)的透明聚合物薄膜基底。
对于玻璃受体基底而言，其典型厚度为0.2mm到2.0mm。使用厚度为1.0mm或以下，或者甚至0.7mm或以下的玻璃基底往往是可取的。较薄的基底产生较薄、较轻重量的显示器。然而，某些加工、处理和组装条件可能需要较厚的基底。例如，某些组装条件可能需要压缩显示器组件，以固定设置在基底之间的隔片的位置。较薄的基底让显示器更轻，而较厚的基底使处理和加工更加可靠，可以平衡这些竞争性的关系，从而针对具体的显示器尺寸而获得优选的构造。
如果受体基底是聚合物薄膜，则该薄膜优选为非双折射薄膜，以实质性地防止该薄膜对与其集成为一体的显示器的工作产生干涉作用，或者该薄膜优选为双折射薄膜，以达到所需的光学效果。示例性的非双折射受体基底是通过溶剂浇铸的聚酯。这类聚酯的典型实例是衍生自以下聚合物的那些，所述聚合物由或基本上由衍生自9，9-双-(4-羟苯基)-芴和间苯二甲酸、对苯二甲酸或它们的混合物的重复的共聚单元构成，并且该聚合物的低聚物(即，分子量为约8000或更低的化学物质)含量足够低，以允许形成均匀的薄膜。该聚合物已作为美国专利No.5,318,938中的热转移接收元件的一种组分而被公开。另一类非双折射基底是无定形的聚烯烃(例如，由Nippon Zeon公司以商品名Zeonex.TM.出售的那些聚烯烃)。示例性的双折射聚合物受体包括多层偏振片或反射镜，如美国专利No.5,882,774和5,828,488，以及国际专利公开No.WO 95/17303中所公开的那些。
可以在最终受体基底上涂敷不同的层(例如粘合剂层)，以利于将转移层转移到受体基底上。也可以在最终受体基底上涂敷其它层，以形成多层器件的一部分。例如，有机发光二极管(OLED)或其它电子器件可以使用这样的受体基底形成：该受体基底在转移层从热转移元件转移之前具有在该受体基底上形成的金属阳极或阴极。例如，可以通过在受体基底上沉积导电层、并使用(例如)光刻技术将导电层图形化为一个或多个阳极或阴极的方法，来形成这样的金属阳极或阴极。
用LITI供体制造微电子器件
使用辐射固化型LITI供体薄膜可以制造多种电子和光学器件。在某些情况下，可以使用复合型热转移元件形成器件或其它产品。复合型热转移元件可以包括具有多元转移组件的热转移元件和转移单个层的热转移元件。例如，可以用一个或多个具有多元转移组件的热转移元件和一个或多个转移单个层的热转移元件来形成器件或其它产品。
例如，使用转移层的多元转移组件形成的多层器件可以是电子器件或光学器件。这类器件的实例包括电子电路、电阻器、电容器、二极管、整流器、电致发光灯、电致发光器件、存储元件、场效应晶体管、双极晶体管、单结晶体管、MOS晶体管、金属-绝缘体-半导体晶体管、电荷耦合器件、绝缘体-金属-绝缘体层叠件、有机导体-金属-有机导体层叠件、集成电路、光电探测器、激光器、透镜、波导管、光栅、全息元件、滤波器(例如分插滤波器、增益平坦滤波器和截止滤波器等)、反射镜、分光器、耦合器、组合器、调制器、传感器(例如迅衰传感器、相位调制传感器和干涉型传感器等)、光学谐振腔、压电器件、铁电器件、薄膜电池或它们的组合。可以形成的其它导电器件包括(例如)电极和导电元件。
符合本发明的一些实施例提供包括以下的多元转移组件的转移层，该多元转移组件用于形成无源器件或有源器件的至少一部分。例如，在一个实施例中，转移层包括能够形成多层器件中的至少两层的多元转移组件。多层器件的这两层常常与转移层中的两层相对应。在该实施例中，通过转移多元转移组件而形成的其中一层为有源层(即，在器件中起到导电、半导电、超导、波导、倍频、产生光(如发冷光、发光、发荧光或发磷光)、产生电子或产生空穴的作用的一层、和/或在器件中产生光学增益或电子增益的一层)。
通过转移多元转移组件而形成的第二层是另一有源层或操作层(即，在器件中起到绝缘、导电、半导电、超导、波导、倍频、产生光(如发荧光或磷光)、产生电子、产生空穴、吸收光、反射、衍射、相位延迟、散射、分散或扩散的作用的一层、和/或在器件中产生光学增益或电子增益的一层)。该多元转移组件也可用于形成附加的有源层和/或操作层，以及非操作层(即，在器件工作过程中不起作用，但被提供以用于(例如)帮助将转移组件转移到受体基底上和/或将转移组件粘附到受体基底上这样的层)。
所述转移层可包括设置在转移层外表面上的粘结剂层，以利于将转移层粘附到受体上。该粘结剂层可以是操作层(例如，如果该粘结剂层在受体和转移层的其它层之间导电)或非操作层(例如，如果该粘结剂层只是将转移层粘附到受体上)。例如，该粘结剂层可用(例如)热塑性聚合物形成，所述热塑性聚合物包括导电和不导电的聚合物、导电和不导电的填充聚合物和/或导电和不导电的分散体。合适的聚合物的实例包括丙烯酸类聚合物、聚苯胺、聚噻吩、聚对亚苯基亚乙烯基、聚乙炔和其它导电性有机材料，如Handbook of Conductive Molecules and Polymers，Vols.1-4，H.S.Nalwa，ed.，John Wiley and Sons，Chichester(1997)中所列出的材料。合适的导电性分散体的实例包括包含下列物质的墨，所述物质为：炭黑、石墨、超细颗粒状氧化锡铟、超细氧化锡锑和可从诸如Nanophase Technologies公司(Burr Ridge，IL)和Metech公司(Elverson，PA)等公司商购获得的材料。
所述转移层还可以包括可选的剥离层，该可选的剥离层设置在转移层与热转移元件的其余部分接触的表面上，该剥离层可部分地或完全地与转移层的剩余部分一起转移，或者剥离层可以在转移层转移后基本完全保留在热转移元件上。
尽管所述转移层可以由非连续的层形成，但是应当理解，至少在某些情况下，该转移层可以包括具有多个部分和/或在器件中具有多种用途的多个层。还应当理解，至少在一些实施例中，两个或更多个独立的层可以在转移期间熔合在一起，或以其它方式混合或组合在一起。
OLED的制造
转移多元转移组件而形成OLED的至少一部分提供了使用热转移元件形成有源器件的示例性而非限制性的实例。多元转移单元的实例在美国专利No.6,410,201中有所描述。至少在某些情况下，OLED器件包括夹在阴极和阳极之间的由合适的有机材料构成的一个薄层或多个层。电子从阴极被注入到有机层中，并且空穴从阳极被注入到有机层中。当注入的电荷向带有相反电荷的电极迁移时，它们可能会重新结合，从而形成通常被称为激子的电子-空穴对。这些激子或激发态物质在衰减为基态时可以以光的形式释放能量(例如参见，T.Tsutsui，MRS Bulletin，22，39-45(1997))。
示例性的OLED构造是本领域的技术人员已知的(例如参见，OrganicElectroluminescence，Zakya Kafafi(ed.)，CRC Press，NY，2005)。OLED构造的示例性实例包括：分子级分散的聚合物器件，其中携带电荷和/或发射电荷的物质被分散在聚合物基质中(参见J.Kido“Organic Electroluminescent devices Based on PolymericMaterials”，Trends in Polymer Science，2，350-355(1994))；共轭聚合物器件，其中各层聚合物(如聚对亚苯基亚乙烯基)充当携带和发射电荷的物质的作用(参见J.J.M.Halls等人，Thin SolidFilms，276，13-20(1996))；气相沉积的小分子异质结构器件(参见美国专利No.5,061,569和C.H.Chen等人，“Recent Developments inMolecular Organic Electroluminescent Materials”，MacromolecularSymposia，125，1-48(1997))；发光电化学电池(参见Q.Pei等人，J.Amer.Chem.Soc.，118，3922-3929(1996))；以及能够发射多个波长的光的垂直层叠的有机发光二极管(参见美国专利No.5,707,745和Z.Shen等人，Science，276，2009-2011(1997))。通过在电子输运层/发射体层206中使用不同的发射体和掺杂物，可以实现发射不同颜色的光(参见C.H.Chen等人，“Recent Developments in Molecular OrganicElectroluminescent Materials”，Macromolecular Symposia，125，1-48(1997))。
其它的OLED多层器件构造可以使用不同的转移层进行转移。此外，可以在层与层之间插入独立的发射体层。可以将多层组件转移到受体上以形成OLED。例如，可以将绿色OLED转移到受体基底上。随后可以转移蓝色OLED，然后转移红色OLED。分别使用绿色、蓝色和红色的热转移元件单独地转移绿色、蓝色和红色的OLED，以形成显示器亚像素。作为另外一种选择，可以将红色、绿色和蓝色的热转移元件以叠置的方式转移，以制造如美国专利No.5,707,745中所述类型的多色层叠OLED器件。
形成全色器件的另一种方法包括：沉积多列空穴输运层材料，然后依次沉积与空穴输运材料平行或垂直的红色、绿色和蓝色的电子输运层/发射体多元转移组件。形成全色器件的又一种方法包括：沉积红色、绿色和蓝色的滤光器(常规的透射滤光器、荧光滤光器、或磷光体)，然后依次沉积对应于白光发射体或蓝光发射体的多元转移组件。
在OLED形成之后，通常将其与驱动器相连接，并进行密封以防受损。热转移元件可以是涂有适当的转移层的小薄片或相对较大的薄片。使用激光或用于转移这些器件的其它类似的发光源可以由热转移元件形成窄线和其它形状。可以使用激光或其它光源在受体(包括长度和宽度达数米的受体)上形成转移层的图形。
以下实例示出根据符合本发明的一些实施例的辐射固化型LITI供体薄膜和辐射固化型热转移元件的用途。本领域的技术人员可以理解使用根据这些实施例的辐射固化型热转移元件的一些优点。例如，和传统的光刻法相比，加工步骤数可减少，这是因为每个OLED的多个层同时被转移，而不是使用多个蚀刻和掩模步骤来实现。此外，制造图形化LITI转移元件所需要的时间可缩短。而且，可以使用相同的成像硬件与不同的热元件来产生复合型器件和图形。
实例
  术语   含义
  BAlQ   双-(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-(苯基-苯酚基)-铝，可得自H.W.Sands公司(Jupiter，FL)
  AlQ   三(8-羟基喹啉)铝，可得自H.W.Sands公司(Jupiter，FL)
  LiF   氟化锂，99.85％，产品号为36359，得自Alfa Aesar公司(Ward Hill，MA)
  Al   Puratronic铝丸，99.999％，可得自Alfa Aesar公司(WardHill，MA)
  Ag   银(可得自Arconium公司(Providence RI)的靶材)
  ITO   氧化锡铟
  OEL   有机电致发光
  OLED   有机发光二极管
  LCD   液晶显示器
  RPM   转/分钟
  Irgacure 184   1-羟基环己基苯基甲酮，可以商品名Irgacure 184得自CibaSpecialty Chemicals公司(Tarrytown，NY)
  PET   聚对苯二甲酸乙二醇酯
  PEDOT VP CH 8000   由水和聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸盐(阳离子型)构成的混合物，可得自H.C.Starck公司(Newton，MA)
  Irgacure 369   2-苄基-2-(二甲基氨基)-1-(4-(吗啉基)苯基)丁酮，可得自Ciba Specialty Chemicals公司(Tarrytown，NY)
  MEK   甲基乙基酮
  PMA   乙酸1-甲氧基-2-丙酯
  PM   1-甲氧基-2-丙醇
  UV   紫外光
  nm   纳米
  术语   含义
  kW   千瓦
  μ   微米
  AFM   原子力显微镜法
  TMPTA   三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，可以以商品名SR351得自Sartomer公司(Exton，PA)
  LITI   激光诱导热成像
  LTHC   光热转换
  IL   夹层
  重量％   重量百分比
  HTM-001   空穴输运材料，可得自Covion Organic Semiconductors，GmbH(Frankfurt，Germany)
  TMM-004   三重态基质主体材料，可得自Covion OrganicSemiconductors，GmbH(Frankfurt，Germany)
  M7Q   PET薄膜，2.88密耳厚，可得自DuPont Teijin Films公司(Hopewell，VA)
  OD   光密度
  Esacure ONE   双官能α-羟基酮光引发剂，可得自Lamberti公司(Conshohocken，PA)
  TPO   酰基膦氧化物光引发剂，可以以商品名Lucirin TPO得自BASF公司(Charlotte，NC)
实例1
制备在808纳米下具有类似吸收的、包含炭黑和普鲁士蓝(也称为铁蓝和颜料蓝27)的LTHC层。
以下列方式制备试样1。在涂敷LTHC溶液前，使用氮气、在功率为300瓦和线速度为50英尺/分钟的条件下对2.88密耳厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯(DuPont Teijin Films公司，Hopewell VA)M7Q底膜基底的内部进行电晕处理。然后采用反转微凹印涂敷法(Yasui Seiki实验室涂布机，型号CAG-150)将含有表I所示组分的基于普鲁士蓝的LTHC溶液(非微粒吸收材料)施加到经过电晕处理的M7Q薄膜上。为达到大约2.8微米的干态厚度，采用20英尺/分钟的线速度和设定为9.0英尺/分钟的180R微凹印方式。涂层依次进入三个烘箱(75/75/80℃)进行在线干燥，然后在由Fusion UV Systems公司(Gaithersburg，MD)的600W/英寸的灯(其具有功率设定为70％的D灯泡)产生的紫外线(UV)辐射下将其进行光固化。固化的涂层在670nm处的光密度为大约2.7。
以下列方式制备试样2。采用反转微凹印涂敷法(Yasui Seiki实验室涂布机，型号CAG-150)将夹层溶液I施加到已固化的LTHC层(试样1)上。为达到大约2.6微米的干态厚度，采用20英尺/分钟的线速度和设定为8.0英尺/分钟的180R微凹印方式。涂层依次进入三个烘箱(40/50/50℃)进行在线干燥，然后在由Fusion UV Systems公司的600W/英寸的灯(其具有功率设定为70％的H+灯泡)产生的紫外线(UV)辐射下对其进行光固化。
以下列方式制备试样3。在涂敷LTHC溶液前，使用氮气、在功率为300瓦和线速度为50英尺/分钟的条件下对2.88密耳厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯(DuPont Teijin Films，Hopewell VA)M7Q底膜基底的内部进行电晕处理。然后将含有表I所示组分的、用9B950D(微粒吸收材料)制备的基于炭黑的LTHC溶液施加到经过电晕处理的M7Q薄膜上。采用反转微凹印涂敷法(Yasui Seiki实验室涂布机，型号CAG-150)施加LTHC溶液。为达到大约2.8微米的干态厚度，采用20英尺/分钟的线速度和设定为32.1英尺/分钟的180R微凹印方式。涂层依次进入三个烘箱(75/75/80℃)进行在线干燥，然后在由Fusion UV Systems公司的600W/英寸的灯(其具有功率设定为70％的D灯泡)产生的紫外线(UV)辐射下对其进行光固化。固化的涂层在670nm处的光密度为大约2.6。
以下列方式制备试样4。采用反转微凹印涂敷法(Yasui Seiki实验室涂布机，型号CAG-150)将夹层溶液I施加到已固化的LTHC层(试样3)上。为达到大约1.4微米的干态厚度，采用20英尺/分钟的线速度和设定为6.5英尺/分钟的200R微凹印方式。涂层依次进入三个烘箱(40/50/50℃)进行在线干燥，然后在由Fusion UV Systems公司的600W/英寸的灯(其具有功率设定为70％的H+灯泡)产生的紫外线辐射下对其进行光固化。
将两种LTHC层配制物的组分列于表I中，并且将干态膜的组分列于表II中。LTHC层涂层的对比特性数据列于表III中。使用HPLC测定可提取的未反应的TMPTA。用测得的TMPTA除以Sartomer公司所报告的TMPTA在TMPTA单体中的估算百分比，来算出提取的未反应的丙烯酸酯的总量。可提取物的数据显示，与炭黑LTHC层(试样3)和带夹层的炭黑LTHC层(试样4)相比，普鲁士蓝LTHC层(试样1)和具有夹层的普鲁士蓝LTHC层(试样2)的UV透射率的提高使涂层化学品更好地固化，从而显著降低了可提取的TMPTA单体的量。
采用轻敲模式原子力显微镜法(AFM)和表面干涉测量法测定负载有普鲁士蓝和炭黑的LTHC层与供体薄膜的表面粗糙度数据。采用DigitalInstruments Dimension 5000 SPM仪器在5微米×5微米的区域上进行轻敲模式AFM区域轮廓测量。在分辨率为512×512像素的区域上测定表面粗糙度的均方根(Rq)。采用在VSI模式下工作的Wyko NT3300光学轮廓测量仪进行表面干涉测量。在603微米×459微米的尺度上测定表面粗糙度的均方根(Rq)。将试样1、试样2、试样3和试样4的均方根值记录在表III中。
相对于包含普鲁士蓝作为成像辐射吸收材料的LTHC层，负载有炭黑的LTHC层的表面粗糙度的增大是显而易见的。而且，与载有炭黑的LTHC层的性能(其在涂敷夹层之前表现出高的表面粗糙度)相比，普鲁士蓝LTHC层的表面粗糙度几乎与夹层涂层相同，就像没有夹层涂层时一样。较少的可提取物和较低的表面粗糙度对改善热转移效率和被转移图像的质量都是有利的。
实例2
按照表IV所示组分制备一系列具有不同颜料负载量的LTHC层涂层。
用下列方式制备试样5。在涂敷LTHC溶液前，使用氮气、在功率为300瓦和线速度为50英尺/分钟的条件下对2.88密耳厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯(DuPont Teijin Films公司，Hopewell VA)M7Q底膜基底的内部进行电晕处理。然后将含有表IV所示组分的、用9S928D(非微粒吸收材料)制备的基于普鲁士蓝的LTHC溶液施加到经过电晕处理的M7Q薄膜上。采用反转微凹印涂敷法(Yasui Seiki实验室涂布机，型号CAG-150)施加LTHC溶液。为达到大约1.25微米的干态厚度，采用20英尺/分钟的线速度和设定为6.2英尺/分钟的200R微凹印方式。涂层依次进入三个烘箱(75/75/80℃)进行在线干燥，然后在由Fusion UV Systems公司的600W/英寸的灯(其具有功率设定为70％的D灯泡)产生的紫外线(UV)辐射下对其进行光固化。固化的涂层在670nm处的光密度为大约0.682。
然后采用反转微凹印涂敷法(Yasui Seiki实验室涂布机，型号CAG-150)将夹层溶液II施加到已固化的LTHC层上。为达到大约1.16微米的干态厚度，采用20英尺/分钟的线速度和设定为10.2英尺/分钟的200R微凹印方式。涂层依次进入三个烘箱(40/50/50℃)进行在线干燥，然后在由Fusion UV Systems公司的600W/英寸的灯(其具有功率设定为70％的H+灯泡)产生的紫外线(UV)辐射下对其进行光固化。
用下列方式制备试样6。在涂敷LTHC溶液前，使用氮气、在功率为300瓦和线速度为50英尺/分钟的条件下对2.88密耳厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯(DuPont Teijin Films公司，Hopewell VA)M7Q底膜基底的内部进行电晕处理。然后将含有表IV所示组分的、用9S928D(非微粒吸收材料)制备的基于普鲁士蓝的LTHC溶液施加到经过电晕处理的M7Q薄膜上。采用反转微凹印涂敷法(Yasui Seiki实验室涂布机，型号CAG-150)施加LTHC溶液。为达到大约2.75微米的干态厚度，采用20英尺/分钟的线速度和设定为8.6英尺/分钟的180R微凹印方式。涂层依次进入三个烘箱(75/75/80℃)进行在线干燥，然后在由Fusion UV Systems公司的600W/英寸的灯(其具有功率设定为70％的D灯泡)产生的紫外线(UV)辐射下对其进行光固化。固化的涂层在670nm处的光密度为大约1.43。
然后采用反转微凹印涂敷法(Yasui Seiki实验室涂布机，型号CAG-150)将夹层溶液II施加到已固化的LTHC层上。为达到大约1.18微米的干态厚度，采用20英尺/分钟的线速度和设定为10.2英尺/分钟的200R微凹印方式。涂层依次进入三个烘箱(40/50/50℃)进行在线干燥，然后在由Fusion UV Systems公司的600W/英寸的灯(其具有功率设定为70％的H+灯泡)产生的紫外线(UV)辐射下对其进行光固化。
用下列方式制备试样7。在涂敷LTHC溶液前，使用氮气、在功率为300瓦和线速度为50英尺/分钟的条件下对2.88密耳厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯(DuPont Teijin Films公司，Hopewell VA)M7Q底膜基底的内部进行电晕处理。然后将含有表IV所示组分的、用9S928D(非微粒吸收材料)制备的基于普鲁士蓝的LTHC溶液施加到经过电晕处理的M7Q薄膜上。采用反转微凹印涂敷法(Yasui Seiki实验室涂布机，型号CAG-150)施加LTHC溶液。为达到大约2.75微米的干态厚度，采用20英尺/分钟的线速度和设定为7.9英尺/分钟的180R微凹印方式。涂层依次进入三个烘箱(75/75/80℃)进行在线干燥，然后在由Fusion UV Systems公司的600W/英寸的灯(其具有功率设定为70％的D灯泡)产生的紫外线(UV)辐射下对其进行光固化。固化涂层在670nm处的光密度为大约3.127。
然后采用反转微凹印涂敷法(Yasui Seiki实验室涂布机，型号CAG-150)将夹层溶液II施加到已固化的LTHC层上。为达到大约1.16微米的干态厚度，采用20英尺/分钟的线速度和设定为10.2英尺/分钟的200R微凹印方式。涂层依次进入三个烘箱(40/50/50℃)进行在线干燥，然后在由Fusion UV Systems公司的600W/英寸的灯(其具有功率设定为70％的H+灯泡)产生的紫外线(UV)辐射下对其进行光固化。
以下列方式制备试样8(对比物)。在涂敷LTHC溶液前，使用氮气、在功率为300瓦和线速度为50英尺/分钟的条件下对2.88密耳厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯(DuPont Teijin Films公司，Hopewell VA)M7Q底膜基底的内部进行电晕处理。然后将含有表IV所示组分的、用9B950D(微粒吸收材料)制备的基于炭黑的LTHC溶液施加到经过电晕处理的M7Q薄膜上。采用反转微凹印涂敷法(Yasui Seiki实验室涂布机，型号CAG-150)施加LTHC溶液。为达到大约1.25微米的干态厚度，采用20英尺/分钟的线速度和设定为5.0英尺/分钟的180R微凹印方式。涂层依次进入三个烘箱(75/75/80℃)进行在线干燥，然后在由FusionUV Systems公司的600W/英寸的灯(其具有功率设定为70％的D灯泡)产生的紫外线(UV)辐射下对其进行光固化。固化的涂层在670nm下的光密度为大约0.46。
以下列方式制备试样9(对比物)。在涂敷LTHC溶液前，使用氮气、在功率为300瓦和线速度为50英尺/分钟的条件下对2.88密耳厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯(DuPont Teijin Films公司，Hopewell VA)M7Q底膜基底的内部进行电晕处理。然后将含有表IV所示组分的、用9B950D(微粒吸收材料)制备的基于炭黑的LTHC溶液施加到经过电晕处理的M7Q薄膜上。采用反转微凹印涂敷法(Yasui Seiki实验室涂布机，型号CAG-150)施加LTHC溶液。为达到大约1.25微米的干态厚度，采用20英尺/分钟的线速度和设定为5.4英尺/分钟的200R微凹印方式。涂层依次进入三个烘箱(75/75/80℃)进行在线干燥，然后在由FusionUV Systems公司的600W/英寸的灯(其具有功率设定为70％的D灯泡)产生的紫外线(UV)辐射下对其进行光固化。固化涂层在670nm处的光密度为大约0.95。
将固化薄膜的相应重量百分比列于表V中。表VI从可见光和紫外光积分透射特性方面，对表V所示的分别含有不同负载量的代表性NIR成像辐射吸收材料的涂层、以及两种分别具有高负载重量和低负载重量的炭黑对比物进行了比较。即使在成像激光波长下的光密度高达1.49时(此时有97％的入射辐射被吸收)，含非微粒吸收材料的LTHC层在可见光区和UV区的透射率也远远优于负载有炭黑的LTHC层(其在成像激光波长下的吸光率明显较低)的透射率。
实例3
采用如前面实例2试样7所述的普鲁士蓝LITI供体薄膜对OLED器件的发射层进行图形化，所述LITI供体薄膜包含经辐射固化的热转移元件，该热转移元件包含以21.6％的颜料负载量分散在2.75微米厚的LTHC中的普鲁士蓝颜料作为成像辐射吸收材料。
在涂敷有ITO的玻璃(0.7mm厚)上制备受体基底，ITO可以以商品名S-ITO(150NM)得自ULVAC Technologies公司(Methuen，MA)。用Baytron P VP CH8000(H.C.Starck公司，Newton，MA)对该基底进行旋转涂敷，以达到大约60nm的干态厚度，然后在氮气吹扫的烘箱内加热到200℃达5分钟。然后在将其置于氩气吹扫的手套箱中的条件下，用HTM-001(得自Covion Organic Semiconductors GmbH(Frankfurt，Germany)的空穴输运聚合物)和甲苯溶液对经涂敷的基底进行旋转涂敷，以达到大约100nm的干态厚度。最后，使用标准热蒸发程序在Balzers真空室(顶部背景压力为10-7托)内真空涂敷大约20nm厚的spiro-TAD(Covion Organic Semiconductors GmbH，Frankfurt，Germany)层，从而完成受体结构。
在背景压力为10-7托的Balzers真空室内，使用标准热蒸发程序以主体材料和染料受控共蒸发的方式真空涂敷LITI供体薄膜(实施例2中的试样7)，以形成所需厚度为30nm的TMM004层，TMM004是Covion公司专有的OLED主体材料，其掺杂有9重量％的Irppy(三苯基吡啶铱(Irppy)，绿色磷光染料)。随后采用激光诱导热成像(LITI)将主体材料/染料体系从供体薄片转移到受体表面上。该供体使用在成像平面上功率为1瓦特的单模Nd:YAG激光从基底背面进行成像。使用线性检流计系统进行扫描，并用f-θ扫描透镜作为近焦阑构造的一部分使激光束聚焦在图像平面上。在1/e2强度下测得的激光点大小为18×250微米。用三角高频振动图形和400KHz的频率进行单向扫描。所需线宽为110微米，节距为165微米。被转移层具有良好的边缘粗糙度，并且没有任何目视可见的热损坏或中心线缺陷的痕迹。
在背景压力为10-7托的Balzers真空室内，通过标准热蒸发程序在经过LITI成像的受体上连续地真空涂敷以下的叠层来完成器件制造，所述叠层为：Balq(100A)/Alq(200A)/LiF(7A)/Al(40A)/Ag(4000A)。然后将该器件封装，并对所产生的光特性、电流特性和电压特性进行测试。对应的OLED器件显示，在200尼特的条件下，其最大亮度效率为5.5Cd/A，并且电压为6.5V。
表I：涂层配制物
(实例1)
组分   微粒吸收材料(g)   微粒吸收材料(重量％)   非微粒吸收材料(g)   非微粒吸收材料(重量％)   夹层溶液I(g)   夹层溶液II(g)
  颜料
  炭黑   8   3.6
  普鲁士蓝   16   7.9
  稀释剂
  TMPTA   92   41.6   84   41.6   49.5   99
  光引发剂
  Irgacure 369   1   0.5
  TPO   2   1.0
  Esacure ONE   0.5   1
  溶剂
  PM乙酸酯   45.4   20.5   37.5   18.6
  乙酸异丙酯   74.7   33.8   62.5   30.9   31.3   62.6
  异丙醇   18.7   37.4
  MEK   133.3
  固体(重量％)   45.7   50.5   50   30
表II：干态薄膜中的颜料负载量
(实例1)
组分   微粒吸收材料(g)   微粒吸收材料(重量％)   非微粒吸收材料(g)   非微粒吸收材料(重量％)
  颜料
  炭黑   8   7.9
  普鲁士蓝   16   15.7
  稀释剂
  TMPTA   92   91.1   84   82.4
  光引发剂
  Irgacure 369   1   1.0
  TPO   2   2.0
表III：炭黑供体薄膜和普鲁士蓝供体薄膜分析一览表
(实例1)
  试样标识   夹层(IL)类型   LTHC/IL厚度(SEM，μm)   提取的TMPTA(μg/cm2)   提取的丙烯酸酯*(μg/cm2)   表面粗糙度Rq(25μm2)   表面粗糙度Rq(0.28mm2)
  试样1   -   2.8   0.50   0.83   1.04   6.30
  试样2   TMPTA   2.8/2.6   0.14   0.23   0.70   4.95
  试样3   -   2.8   2.32   3.87   0.88   15.40
  试样4   TMPTA   2.8/1.4   1.63   2.72   0.72   5.95
*根据原材料中TMPTA的含量为60重量％进行估算
表IV：涂层组合物
(实例2)
组分   试样5(g)   试样6(g)   试样7(g)   试样8(g)   试样9(g)
  颜料
  炭黑   14.96   32.88
  9S928D   74.81   59.85   164.58
  稀释剂
  TMPTA   225.20   90.15   135.42   235.10   217.12
  光引发剂
  TPO   5.402   2.52   4.68   5.00   5.00
  溶剂
  乙酸异丙酯   202.5   101.3   202.5   156.20   140.40
  异丙醇   97.5   48.7   97.5
  PM乙酸酯   93.75   109.60
  固体(重量％)   50.4   50.4   50.4   50.5   50.5
表V：干态薄膜的组成
(实例2)
组分   试样5(重量％)   试样6(重量％)   试样7(重量％)   试样8(重量％)   试样9(重量％)
  炭黑   5.87   12.89
  普鲁士蓝   9.80   15.70   21.61
  TMPTA   88.43   82.65   76.86   92.17   85.15
  TPO   1.77   1.65   1.54   1.96   1.96
表VI：LTHC层的可见光积分透射率及UV积分透射率 1
(实例2)
成像辐射吸收材料   成像辐射吸收材料负载量(重量％)   在808nm处的吸收度 可见光积分透射率％TVIS 紫外光积分透射率％TUV
  普鲁士蓝-试样5   9.8   0.432   47.9   39.0
  普鲁士蓝-试样6   15.7   0.740   37.3   34.1
  普鲁士蓝-试样7   21.6   1.49   25.6   25.1
  炭黑-试样8   5.9   0.46   20.19   7.25
  炭黑-试样9   12.9   0.77   7.2   1.47
1可见光范围被限定为400-700纳米；紫外光范围被限定为300-400纳米

Claims (42)

1.一种热转移元件，其包括：
基底；和
覆盖在所述基底上的光热转换层，其中所述光热转换层包含成像辐射吸收材料和可通过暴露在固化波长的辐射下而发生固化的辐射固化型材料，并且
其中所述成像辐射吸收材料不会使所述固化波长处的辐射吸收度显著提高。
2.根据权利要求1所述的热转移元件，其还包括覆盖在所述基底上的夹层。
3.根据权利要求1所述的热转移元件，其还包括覆盖在所述光热转换层上的转移层。
4.根据权利要求3所述的热转移元件，其中所述转移层含有电致发光材料或电活性材料。
5.根据权利要求1所述的热转移元件，其中所述成像辐射吸收材料为近红外成像辐射吸收材料。
6.根据权利要求1所述的热转移元件，其中所述成像辐射吸收材料选自颜料、染料、铁氰化物颜料、酞菁颜料、酞菁染料、菁颜料或菁染料中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的热转移元件，其中在使所述辐射固化型材料固化前，所述成像辐射吸收材料不会使所述固化波长处的辐射吸收度显著提高。
8.一种热转移元件，其包括：
基底；和
覆盖在所述基底上的光热转换层，其中所述光热转换层包含成像辐射吸收材料和可通过暴露在固化波长的辐射下而发生固化的辐射固化型材料，并且
其中所述成像辐射吸收材料不会使所述固化波长处的辐射吸收度提高超过50％。
9.根据权利要求8所述的热转移元件，其中所述成像辐射吸收材料不会使所述固化波长处的辐射吸收度提高超过40％。
10.根据权利要求8所述的热转移元件，其中所述成像辐射吸收材料不会使所述固化波长处的辐射吸收度提高超过30％。
11.根据权利要求8所述的热转移元件，其中所述成像辐射吸收材料不会使所述固化波长处的辐射吸收度提高超过20％。
12.根据权利要求8所述的热转移元件，其中所述成像辐射吸收材料不会使所述固化波长处的辐射吸收度提高超过10％。
13.根据权利要求8所述的热转移元件，其中所述成像辐射吸收材料不会使所述固化波长处的辐射吸收度提高超过5％。
14.根据权利要求12所述的热转移元件，其中在使所述辐射固化型材料固化前，所述成像辐射吸收材料不会使所述固化波长处的辐射吸收度提高超过10％。
15.一种热转移元件，其包括：
基底；和
覆盖在所述基底上的光热转换层，其中所述光热转换层得自成像辐射吸收材料和可通过暴露在固化波长的辐射下而固化的辐射固化型材料，其中所述成像辐射吸收材料不会使所述固化波长处的辐射吸收度显著提高，并且
其中未反应的固化型材料的残余量显著低于具有与该热转移元件相当的光学参数和物理参数、但是其中所述成像辐射吸收材料被替换为在同样条件下发生固化的微粒吸收材料的热转移元件中所存在的未反应的固化型材料的残余量。
16.根据权利要求15所述的热转移元件，其还包括覆盖在所述基底上的夹层。
17.根据权利要求15所述的热转移元件，其还包括覆盖在所述光热转换层上的转移层。
18.根据权利要求17所述的热转移元件，其中所述转移层包含电致发光材料或电活性材料。
19.根据权利要求15所述的热转移元件，其中所述成像辐射吸收材料是近红外成像辐射吸收材料。
20.根据权利要求15所述的热转移元件，其中所述成像辐射吸收材料选自颜料、染料、铁氰化物颜料、酞菁颜料、酞菁染料、菁颜料和菁染料中的一种或多种。
21.根据权利要求15所述的热转移元件，其中所述微粒吸收材料包括炭黑。
22.根据权利要求15所述的热转移元件，其中所述未反应的固化型材料的残余量比具有与该热转移元件相当的光学参数和物理参数、但是其中所述成像辐射吸收材料被替换为在同样条件下发生固化的所述微粒吸收材料的热转移元件中所存在的固化型材料的残余量少50％。
23.根据权利要求15所述的热转移元件，其中所述未反应的固化型材料的残余量比具有与该热转移元件相当的光学参数和物理参数、但是其中所述成像辐射吸收材料被替换为在同样条件下发生固化的所述微粒吸收材料的热转移元件中所存在的固化型材料的残余量少40％。
24.根据权利要求15所述的热转移元件，其中所述未反应的固化型材料的残余量比具有与该热转移元件相当的光学参数和物理参数、但是其中所述成像辐射吸收材料被替换为在同样条件下发生固化的所述微粒吸收材料的热转移元件中所存在的固化型材料的残余量少30％。
25.根据权利要求15所述的热转移元件，其中所述未反应的固化型材料的残余量比具有与该热转移元件相当的光学参数和物理参数、但是其中所述成像辐射吸收材料被替换为在同样条件下发生固化的所述微粒吸收材料的热转移元件中所存在的固化型材料的残余量少20％。
26.根据权利要求15所述的热转移元件，其中所述未反应的固化型材料的残余量比具有与该热转移元件相当的光学参数和物理参数、但是其中所述成像辐射吸收材料被替换为在同样条件下发生固化的所述微粒吸收材料的热转移元件中所存在的固化型材料的残余量少10％。
27.根据权利要求15所述的热转移元件，其中所述未反应的固化型材料的残余量比具有与该热转移元件相当的光学参数和物理参数、但是其中所述成像辐射吸收材料被替换为在同样条件下发生固化的所述微粒吸收材料的热转移元件中所存在的固化型材料的残余量少5％。
28.一种热转移元件，其包括：
基底；和
覆盖在所述基底上的光热转换层，其中所述光热转换层得自成像辐射吸收材料和通过暴露在固化波长的辐射下而固化的辐射固化型材料，其中所述成像辐射吸收材料不会使所述固化波长处的辐射吸收度显著提高，并且
其中在所述光热转换层固化之后，未反应的固化型材料的残余量显著低于包含微粒吸收材料的热转移元件中所存在的未反应的固化型材料的残余量。
29.根据权利要求28所述的热转移元件，其还包括覆盖在所述基底上的夹层。
30.根据权利要求28所述的热转移元件，其还包括覆盖在所述光热转换层上的转移层。
31.根据权利要求30所述的热转移元件，其中所述转移层含有电致发光材料或电活性材料。
32.根据权利要求28所述的热转移元件，其中所述成像辐射吸收材料为近红外成像辐射吸收材料。
33.根据权利要求28所述的热转移元件，其中所述成像辐射吸收材料选自颜料、染料、铁氰化物颜料、酞菁颜料、酞菁染料、菁颜料和菁染料中的一种或多种。
34.根据权利要求28所述的热转移元件，其中所述微粒吸收材料包括炭黑。
35.根据权利要求28所述的热转移元件，其中所述未反应的固化型材料的残余量比包含所述微粒吸收材料的热转移元件中所存在的未反应的固化型材料的残余量少50％。
36.根据权利要求28所述的热转移元件，其中所述未反应的固化型材料的残余量比包含所述微粒吸收材料的热转移元件中所存在的未反应的固化型材料的残余量少40％。
37.根据权利要求28所述的热转移元件，其中所述未反应的固化型材料的残余量比包含所述微粒吸收材料的热转移元件中所存在的未反应的固化型材料的残余量少30％。
38.根据权利要求28所述的热转移元件，其中所述未反应的固化型材料的残余量比包含所述微粒吸收材料的热转移元件中所存在的未反应的固化型材料的残余量少20％。
39.根据权利要求28所述的热转移元件，其中所述未反应的固化型材料的残余量比包含所述微粒吸收材料的热转移元件中所存在的未反应的固化型材料的残余量少10％。
40.根据权利要求28所述的热转移元件，其中所述未反应的固化型材料的残余量比包含所述微粒吸收材料的热转移元件中所存在的未反应的固化型材料的残余量少5％。
41.一种制造热转移元件的方法，所述热转移元件包括基底和覆盖在所述基底上的光热转换层，并且所述热转移元件得自成像感光材料和辐射固化型材料，所述方法包括以下步骤：
将所述光热转换层涂敷到所述基底上；并且
对所述辐射固化型材料进行辐射固化，使得所述成像辐射吸收材料不会使固化波长处的辐射吸收度显著提高。
42.一种制造有机微电子器件的方法，所述方法包括以下步骤：
提供热转移元件，该元件包括基底、覆盖在所述基底上的辐射固化的光热转换层和覆盖在所述光热转换层上的转移层，其中所述光热转换层得自成像辐射吸收材料和可通过暴露在固化波长的辐射下而发生固化的辐射固化型材料，并且其中所述成像辐射吸收材料不会使固化波长处的辐射吸收度显著提高；
使所述热转移元件和受体紧密接触；
用成像辐射源发出的成像辐射将所述热转移元件按成像图形进行曝光；并且，
将对应于所述成像图形的所述热转移元件的至少一部分转移到受体上，以形成有机微电子器件。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103158386A (zh) * 2011-12-16 2013-06-19 第一毛织株式会社 热转印膜和使用该膜的oled显示器的制造方法
CN103189211A (zh) * 2010-12-27 2013-07-03 第一毛织株式会社 热转印膜
US8815352B2 (en) 2010-03-18 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film forming method and method for manufacturing film-formation substrate
US8900675B2 (en) 2010-03-18 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition method and method for manufacturing deposition substrate
CN104183782A (zh) * 2013-05-28 2014-12-03 三星显示有限公司 供体基底
CN104275955A (zh) * 2013-07-01 2015-01-14 三星显示有限公司 供体膜及使用该供体膜的热成像方法
US8951816B2 (en) 2010-03-18 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film forming method
CN104471737A (zh) * 2012-07-13 2015-03-25 乐金华奥斯有限公司 可见光透射性优秀的光热转换膜及利用其的有机发光二极管用转印膜
CN107942554A (zh) * 2018-01-12 2018-04-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示屏检测装置及其制备方法
CN111223393A (zh) * 2018-11-26 2020-06-02 曼兹股份公司 使用面辐射器来接合两个接合件的方法及接合装置
CN116626997A (zh) * 2023-05-23 2023-08-22 无锡物联网创新中心有限公司 一种高精度数字光刻机

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007062354A (ja) * 2005-08-30 2007-03-15 Samsung Sdi Co Ltd レーザ熱転写ドナーフィルム、レーザ熱転写装置、レーザ熱転写法及び有機発光素子の製造方法
US7817175B2 (en) * 2005-08-30 2010-10-19 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Laser induced thermal imaging apparatus and fabricating method of organic light emitting diode using the same
US7678526B2 (en) * 2005-10-07 2010-03-16 3M Innovative Properties Company Radiation curable thermal transfer elements
JP2007128845A (ja) * 2005-11-04 2007-05-24 Samsung Sdi Co Ltd レーザ熱転写装置及びレーザ熱転写方法
JP2007128844A (ja) * 2005-11-04 2007-05-24 Samsung Sdi Co Ltd レーザ熱転写装置及びレーザ熱転写方法そしてこれを利用した有機発光表示素子
KR100700831B1 (ko) * 2005-11-16 2007-03-28 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사법 및 이를 이용한 유기 발광소자의제조방법
US20080044130A1 (en) * 2006-08-16 2008-02-21 Xyratex Technology Limited Optical printed circuit board, a method of making an optical printed circuit board and an optical waveguide
CN101790462B (zh) * 2007-06-28 2012-10-03 卡伯特公司 引入改性颜料的光至热转化层
US20090130427A1 (en) * 2007-10-22 2009-05-21 The Regents Of The University Of California Nanomaterial facilitated laser transfer
GB2462591B (en) * 2008-08-05 2013-04-03 Cambridge Display Tech Ltd Organic thin film transistors and methods of making the same
US8731343B2 (en) 2011-02-24 2014-05-20 Xyratex Technology Limited Optical printed circuit board, a method of making an optical printed circuit board and an optical waveguide
KR101721551B1 (ko) * 2011-12-22 2017-03-30 코오롱인더스트리 주식회사 레이저 열전사 방법용 도너필름
JP5731711B2 (ja) * 2011-06-15 2015-06-10 コーロン インダストリーズ インク レーザ熱転写法用ドナーフィルム
KR20130010624A (ko) * 2011-07-19 2013-01-29 삼성디스플레이 주식회사 도너 기판, 도너 기판의 제조 방법 및 도너 기판을 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101459131B1 (ko) * 2011-12-30 2014-11-10 제일모직주식회사 열전사 필름
KR101987689B1 (ko) * 2012-12-10 2019-06-12 엘지디스플레이 주식회사 전사용 도너 필름과 그 제조방법 및 이를 이용한 전사방법
KR101985978B1 (ko) * 2012-12-14 2019-06-04 도레이첨단소재 주식회사 우수한 레이저 전사 특성을 가진 레이저 열전사용 도너 필름 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자의 제조방법
KR101977992B1 (ko) * 2012-12-14 2019-05-13 도레이첨단소재 주식회사 레이저 열전사용 도너 필름
KR101582370B1 (ko) * 2012-12-28 2016-01-04 제일모직주식회사 열전사필름 및 이를 이용한 유기전계발광소자
KR101414081B1 (ko) * 2012-12-28 2014-07-02 (주)재민뷰텍 윈도우 적용 전자기기의 헤어라인 및 패턴 디자인 형성방법
KR102051632B1 (ko) * 2013-04-12 2019-12-04 삼성디스플레이 주식회사 레이저 열전사 장치 및 레이저 열전사 방법
KR101786151B1 (ko) * 2013-09-27 2017-10-17 주식회사 엘지화학 불소계 수지를 포함하는 자외선 경화형 도너필름 조성물 및 이를 이용한 자외선 경화형 도너필름
CN104269494B (zh) * 2014-09-15 2017-05-03 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
CA3034619C (en) * 2016-08-26 2024-04-09 Molecular Imprints, Inc. Edge sealant confinement and halo reduction for optical devices
TW201901887A (zh) 2017-05-24 2019-01-01 以色列商奧寶科技股份有限公司 於未事先圖樣化基板上電器互連電路元件
WO2019241398A1 (en) 2018-06-12 2019-12-19 Wendong Xing Edge sealant application for optical devices
JP7348210B2 (ja) 2018-06-13 2023-09-20 ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー． Ｅｕｖリソグラフィ用接着層
EP4273612A3 (en) 2018-07-23 2023-12-06 Magic Leap, Inc. Optical device venting gaps for edge sealant and lamination dam
CN115625829A (zh) 2018-10-16 2023-01-20 奇跃公司 一种形成具有预定形状的波导部分的方法
WO2020165297A1 (de) * 2019-02-15 2020-08-20 Merck Patent Gmbh Verfahren zur übertragung farbiger markierungen auf kunststoffoberflächen
US20220024223A1 (en) * 2019-05-07 2022-01-27 Orbotech Ltd. Lift Printing Using Thin Donor Foils
EP3997516A4 (en) * 2019-07-12 2023-08-02 Inpria Corporation STABILIZED INTERFACES OF INORGANIC RADIATION STRUCTURING COMPOSITIONS ON SUBSTRATES
JP7439631B2 (ja) * 2020-04-17 2024-02-28 大日本印刷株式会社 熱転写シート、該熱転写シートと熱転写受像シートとの組合せ、印画物の製造方法、及び印画物

Family Cites Families (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3795814A (en) * 1972-08-16 1974-03-05 Gen Electric X-ray image converters utilizing lanthanum and gadolinium oxyhalide luminous materials activated with thulium
US3859527A (en) * 1973-01-02 1975-01-07 Eastman Kodak Co Apparatus and method for producing images corresponding to patterns of high energy radiation
US3883747A (en) * 1973-12-06 1975-05-13 Minnesota Mining & Mfg X-ray intensifying screen
US3974389A (en) * 1974-11-20 1976-08-10 Gte Sylvania Incorporated Terbium-activated rare earth oxysulfide X-ray phosphors
US4204125A (en) * 1978-03-27 1980-05-20 Minnesota Mining And Manufacturing Company High resolution X-ray intensifying screen with antireflecting substrate
JPS5512429A (en) * 1978-07-12 1980-01-29 Fuji Photo Film Co Ltd Radioactive image reader
US4225653A (en) * 1979-03-26 1980-09-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company X-ray intensifying screen based on rare earth tantalate
JPS5944334B2 (ja) * 1978-12-21 1984-10-29 富士写真フイルム株式会社 螢光体
JPS55146447A (en) 1979-05-01 1980-11-14 Fuji Photo Film Co Ltd Radiation image converting panel
JPS5923400B2 (ja) 1979-06-07 1984-06-01 富士写真フイルム株式会社 放射線像変換パネル
US4262072A (en) * 1979-06-25 1981-04-14 Minnesota Mining And Manufacturing Company Poly(ethylenically unsaturated alkoxy) heterocyclic protective coatings
US4249011A (en) * 1979-06-25 1981-02-03 Minnesota Mining And Manufacturing Company Poly(ethylenically unsaturated alkoxy) heterocyclic compounds
US4252671A (en) * 1979-12-04 1981-02-24 Xerox Corporation Preparation of colloidal iron dispersions by the polymer-catalyzed decomposition of iron carbonyl and iron organocarbonyl compounds
GB2083726A (en) 1980-09-09 1982-03-24 Minnesota Mining & Mfg Preparation of multi-colour prints by laser irradiation and materials for use therein
US4430366A (en) * 1981-02-04 1984-02-07 Minnesota Mining And Manufacturing Company Metal/metal oxide coating
US4405691A (en) * 1981-08-10 1983-09-20 Gte Products Corporation Terbium activated yttrium gadolinium oxysulfide X-ray phosphor and screen containing the same
US4387141A (en) * 1982-05-12 1983-06-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company X-Ray screens based on phosphor mixtures of CaWO4 and rare earth tantalates
JPS5920466A (ja) 1982-07-23 1984-02-02 Hida Seisakusho:Kk 金属薄膜による装飾方法
EP0102790B1 (en) * 1982-08-25 1989-01-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Storage & reconstruction apparatus for radiation image
US4599298A (en) * 1984-07-16 1986-07-08 Minnesota Mining And Manufacturing Company Graphic arts imaging constructions using vapor-deposited layers
JPS6145530A (ja) * 1984-08-08 1986-03-05 Hitachi Ltd カラ−ブラウン管螢光面の製造方法
JPH0677079B2 (ja) 1984-09-18 1994-09-28 コニカ株式会社 放射線画像情報読取装置
JPS61252501A (ja) 1985-05-02 1986-11-10 Ricoh Co Ltd 多色カラ−フイルタ−の製造方法
CA1268808A (en) * 1985-07-23 1990-05-08 Alan G. Macdiarmid High capacity polyaniline electrodes
JPS6267416A (ja) 1985-09-20 1987-03-27 Mitsubishi Electric Corp 音速測定方法
JPH0799543B2 (ja) 1985-10-22 1995-10-25 キヤノン株式会社 画像処理装置
US4717219A (en) 1986-06-19 1988-01-05 Amp Incorporated Electrical connector and assembly eyelets
EP0258836B1 (en) * 1986-09-01 1992-08-12 Tomoegawa Paper Co. Ltd. Transfer recording medium and method of transfer recording using the same
JPS6360793A (ja) 1986-09-01 1988-03-16 Tomoegawa Paper Co Ltd 放電転写記録媒体
JPS6389385A (ja) 1986-10-03 1988-04-20 Oike Ind Co Ltd 燐光性感熱転写媒体
US4822643A (en) * 1987-06-30 1989-04-18 Minnesota Mining And Manufacturing Company Thermal transfer imaging system
JPS6414081U (zh) 1987-07-16 1989-01-24
US4772583A (en) * 1987-09-03 1988-09-20 International Flavors & Fragrances Inc. Beta-alkylidene phenethyl alcohol esters and ethers, organoleptic uses thereof and processes for preparing same
US4833124A (en) * 1987-12-04 1989-05-23 Eastman Kodak Company Process for increasing the density of images obtained by thermal dye transfer
US4973572A (en) * 1987-12-21 1990-11-27 Eastman Kodak Company Infrared absorbing cyanine dyes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer
IT1233432B (it) * 1987-12-22 1992-03-31 Minnesota Mining & Mfg Metodo per registrare e riprodurre l'immagine di una radiazione, apparato usante detto metodo, pannello per la memorizzazione della immagine di una radiazione e fosfori fotostimolabili
US4839224A (en) * 1988-10-11 1989-06-13 Minnesota Mining And Manufacturing Company Thermal transfer recording material containing chlorinated paraffin wax
JP2922523B2 (ja) * 1988-12-16 1999-07-26 尾池工業株式会社 感熱転写媒体
US5171650A (en) * 1990-10-04 1992-12-15 Graphics Technology International, Inc. Ablation-transfer imaging/recording
US5156938A (en) * 1989-03-30 1992-10-20 Graphics Technology International, Inc. Ablation-transfer imaging/recording
US5256506A (en) * 1990-10-04 1993-10-26 Graphics Technology International Inc. Ablation-transfer imaging/recording
US5164224A (en) * 1989-04-19 1992-11-17 Fuji Photo Film Co., Ltd. Radiation image storage panel radiographic intensifying screen and processes for the preparation of the same
US4950639A (en) * 1989-06-16 1990-08-21 Eastman Kodak Company Infrared absorbing bis(aminoaryl)polymethine dyes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer
US4948776A (en) * 1989-06-16 1990-08-14 Eastman Kodak Company Infrared absorbing chalcogenopyrylo-arylidene dyes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer
US4942141A (en) * 1989-06-16 1990-07-17 Eastman Kodak Company Infrared absorbing squarylium dyes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer
US4948777A (en) * 1989-06-16 1990-08-14 Eastman Kodak Company Infrared absorbing bis(chalcogenopyrylo)polymethine dyes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer
US4912083A (en) * 1989-06-20 1990-03-27 Eastman Kodak Company Infrared absorbing ferrous complexes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer
US4948778A (en) * 1989-06-20 1990-08-14 Eastman Kodak Company Infrared absorbing oxyindolizine dyes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer
US4952552A (en) * 1989-06-20 1990-08-28 Eastman Kodak Company Infrared absorbing quinoid dyes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer
US5024990A (en) * 1990-10-31 1991-06-18 Eastman Kodak Company Mixture of dyes for cyan dye donor for thermal color proofing
US5023229A (en) * 1990-10-31 1991-06-11 Eastman Kodak Company Mixture of dyes for magenta dye donor for thermal color proofing
US5166024A (en) * 1990-12-21 1992-11-24 Eastman Kodak Company Photoelectrographic imaging with near-infrared sensitizing pigments
US5401607A (en) * 1991-04-17 1995-03-28 Polaroid Corporation Processes and compositions for photogeneration of acid
US5306637A (en) * 1991-08-22 1994-04-26 Lin Ho Mu Method for recovery of intracellular material by disruption of microbial cells with carbon dioxide under pressure
DE69214780T2 (de) * 1991-12-11 1997-05-15 Agfa Gevaert Nv Methode zur Herstellung eines radiographischen Schirmes
EP0566103B1 (en) * 1992-04-14 1998-03-18 Konica Corporation Thermosensitive transfer recording material
DE69320241T2 (de) 1992-05-06 1999-04-29 Kyowa Hakko Kogyo Co., Ltd., Tokio/Tokyo Chemisch amplifizierte Resistzusammensetzung
JP3215988B2 (ja) 1992-06-09 2001-10-09 コニカ株式会社 ヒートモード熱転写記録材料
US5351617A (en) * 1992-07-20 1994-10-04 Presstek, Inc. Method for laser-discharge imaging a printing plate
JP3606891B2 (ja) 1992-11-06 2005-01-05 富士写真フイルム株式会社 熱転写シート及び画像形成方法
US5278023A (en) * 1992-11-16 1994-01-11 Minnesota Mining And Manufacturing Company Propellant-containing thermal transfer donor elements
US5286604A (en) * 1992-11-25 1994-02-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Single layer dry processible photothermal-sensitive element
KR950701764A (ko) 1993-03-11 1995-04-28 오가 노리오 형광막 형성방법 및 형광막 형성용 전사재
US5308737A (en) * 1993-03-18 1994-05-03 Minnesota Mining And Manufacturing Company Laser propulsion transfer using black metal coated substrates
GB9307082D0 (en) 1993-04-02 1993-05-26 Ici Plc Thermal transfer printing dye sheet
US5401606A (en) * 1993-04-30 1995-03-28 E. I. Du Pont De Nemours And Company Laser-induced melt transfer process
US5372915A (en) * 1993-05-19 1994-12-13 Eastman Kodak Company Method of making a lithographic printing plate containing a resole resin and a novolac resin in the radiation sensitive layer
US5302423A (en) * 1993-07-09 1994-04-12 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method for fabricating pixelized phosphors
JPH07104113A (ja) 1993-10-04 1995-04-21 Konica Corp カラーフィルター及びその製造方法
US5360694A (en) * 1993-10-18 1994-11-01 Minnesota Mining And Manufacturing Company Thermal dye transfer
ATE179125T1 (de) 1993-11-09 1999-05-15 Markem Corp Übertragungsdruckmaterial
DE69500454T2 (de) * 1994-04-26 1998-01-22 Du Pont Element und Verfahren für ablative Übertragung durch Laser
US5521035A (en) 1994-07-11 1996-05-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Methods for preparing color filter elements using laser induced transfer of colorants with associated liquid crystal display device
JPH08267943A (ja) 1995-03-31 1996-10-15 Konica Corp レーザー記録用熱転写記録材料及びその作成方法
US5534383A (en) * 1995-08-09 1996-07-09 Fuji Photo Film Co., Ltd. Image transfer sheet, its laminate and image forming method
US7534543B2 (en) * 1996-04-15 2009-05-19 3M Innovative Properties Company Texture control of thin film layers prepared via laser induced thermal imaging
US5725989A (en) * 1996-04-15 1998-03-10 Chang; Jeffrey C. Laser addressable thermal transfer imaging element with an interlayer
US5856064A (en) * 1996-09-10 1999-01-05 Minnesota Mining And Manufacturing Company Dry peel-apart imaging or proofing system
JPH10319608A (ja) * 1997-03-18 1998-12-04 Konica Corp 画像形成方法およびそれに用いられる材料
US6066729A (en) * 1997-11-18 2000-05-23 Yamamoto Chemicals, Inc Photothermal conversion material
JP2000033780A (ja) * 1998-07-15 2000-02-02 Dainippon Printing Co Ltd レーザー熱転写記録材料及びレーザー熱転写記録方法
US6156478A (en) * 1998-10-30 2000-12-05 3M Innovative Properties Company Photocurable and photopatternable hydrogel matrix based on azlactone copolymers
US6114088A (en) * 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
JP3792953B2 (ja) * 1999-07-30 2006-07-05 富士写真フイルム株式会社 レーザ熱転写材料
US6228555B1 (en) * 1999-12-28 2001-05-08 3M Innovative Properties Company Thermal mass transfer donor element
JP2001225563A (ja) * 2000-02-17 2001-08-21 Fuji Photo Film Co Ltd 熱転写シート
US6242152B1 (en) * 2000-05-03 2001-06-05 3M Innovative Properties Thermal transfer of crosslinked materials from a donor to a receptor
US7261998B2 (en) * 2001-04-04 2007-08-28 Eastman Kodak Company Imageable element with solvent-resistant polymeric binder
JP2003001953A (ja) * 2001-06-26 2003-01-08 Konica Corp レーザー熱転写記録材料及び画像記録方法
US6682863B2 (en) * 2002-06-27 2004-01-27 Eastman Kodak Company Depositing an emissive layer for use in an organic light-emitting display device (OLED)
US6811938B2 (en) * 2002-08-29 2004-11-02 Eastman Kodak Company Using fiducial marks on a substrate for laser transfer of organic material from a donor to a substrate
US20040191564A1 (en) * 2002-12-17 2004-09-30 Samsung Sdi Co., Ltd. Donor film for low molecular weight full color organic electroluminescent device using laser induced thermal imaging method and method for fabricating low molecular weight full color organic electroluminescent device using the film
KR100686342B1 (ko) * 2003-11-29 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 농도구배를 갖는 광전변환층을 구비한 열전사 소자
KR100611156B1 (ko) * 2003-11-29 2006-08-09 삼성에스디아이 주식회사 레이저 전사용 도너 기판 및 그 기판을 사용하여 제조되는유기 전계 발광 소자
KR100579174B1 (ko) * 2003-12-22 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 레이저 전사용 도너 필름 및 그 필름을 사용하여 제조되는유기 전계 발광 소자
US7083895B2 (en) * 2004-09-01 2006-08-01 Kodak Polychrome Graphics Llc Adhesion promoting ingredients for on-press developable lithographic printing plate precursors

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8815352B2 (en) 2010-03-18 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film forming method and method for manufacturing film-formation substrate
US8900675B2 (en) 2010-03-18 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition method and method for manufacturing deposition substrate
US8951816B2 (en) 2010-03-18 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film forming method
CN103189211A (zh) * 2010-12-27 2013-07-03 第一毛织株式会社 热转印膜
CN103158386A (zh) * 2011-12-16 2013-06-19 第一毛织株式会社 热转印膜和使用该膜的oled显示器的制造方法
US8968845B2 (en) 2011-12-16 2015-03-03 Cheil Industries, Inc. Thermal transfer film
CN103158386B (zh) * 2011-12-16 2015-11-11 第一毛织株式会社 热转印膜和使用该膜的oled显示器的制造方法
US9312490B2 (en) 2012-07-13 2016-04-12 Lg Hausys, Ltd. Photothermal conversion film having good visible light penetrability, and transfer film for OLED using same
CN104471737B (zh) * 2012-07-13 2017-08-08 株式会社Lg化学 可见光透射性优秀的光热转换膜及利用其的有机发光二极管用转印膜
CN104471737A (zh) * 2012-07-13 2015-03-25 乐金华奥斯有限公司 可见光透射性优秀的光热转换膜及利用其的有机发光二极管用转印膜
CN104183782A (zh) * 2013-05-28 2014-12-03 三星显示有限公司 供体基底
CN104275955A (zh) * 2013-07-01 2015-01-14 三星显示有限公司 供体膜及使用该供体膜的热成像方法
CN107942554A (zh) * 2018-01-12 2018-04-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示屏检测装置及其制备方法
CN107942554B (zh) * 2018-01-12 2020-07-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显示屏检测装置
CN111223393A (zh) * 2018-11-26 2020-06-02 曼兹股份公司 使用面辐射器来接合两个接合件的方法及接合装置
CN116626997A (zh) * 2023-05-23 2023-08-22 无锡物联网创新中心有限公司 一种高精度数字光刻机

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