KR101582370B1 - 열전사필름 및 이를 이용한 유기전계발광소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기재층; 및 상기 기재층 상부에 적층된 광열전환층을 포함하고, 상기 광열전환층은 두께 방향을 기준으로 상기 기재층 상부에 적층된 제1층과 상기 제1층 상부에 적층된 제2층을 포함하고, 상기 제1층은 상기 제2층 대비 광열전환재료가 편재되어 있는 열전사필름 및 이를 사용하여 제조된 유기전계발광소자에 관한 것이다.

Description

열전사필름 및 이를 이용한 유기전계발광소자{THERMAL TRANSFER FILM AND ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DEVICE PREPARED FROM THE SAME}
본 발명은 열전사필름 및 이를 이용한 유기전계발광소자에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은 광열전환층 중 광열전환재료의 위치를 제어함으로써 광열전환층의 표면 조도를 낮추어 외관이 좋고 반사 얼룩이 없으며, 열전사 성능이 높은 열전사필름 및 이를 이용한 유기전계발광소자에 관한 것이다.
최근 광산업, 디스플레이 산업, 반도체 산업, 바이오 산업 등에서 제품의 박막화 및 고성능화의 요구가 증가하고 있다. 이러한 요구에 부합하기 위해서는 각각의 부품을 구성하고 있는 배선 또는 기능성 박막층이 더욱더 작고 균일하게 패턴을 형성하고 있어야 한다. 이를 위한 방법 중에서도 광열전환층을 이용하는 레이저 유도 열 전사(laser induced thermal imaging) 방법은 특정 파장의 광을 흡수하여 열로 변환시킴으로써 광열전환층 위에 적층되어 있는 전사 재료 예를 들면 유기발광물질을 리셉터에 전사시키는 방법으로 많이 사용되고 있다.
일반적으로 열전사필름은 광열전환층을 포함하고, 상기 광열전환층에 포함되는 광열전환재료는 원하는 파장의 복사광을 흡수하고 입사광 중 적어도 일부를 열로 전환시키는 역할을 한다.
종래, 열전사필름은 기재층; 및 상기 기재층 위세 적층되는 광열전환층을 포함한다. 광열전환층은 광열전환재료를 포함하는 조성물을 경화시켜 형성된다. 그러나, 상기 광열전환재료 자체는 입자 형태인 경우가 많고 조성물을 경화시키는 과정에서도 균일성이 확보되지 못하여 광열전환층은 표면 조도가 낮아질 수 있다. 이로 인해 전사 불량을 일으킬 수 있다.
이를 해소하기 위하여, 광열전환층 위에 중간층을 추가로 적층함으로써 전사 불량을 해소하였다. 그러나, 중간층을 추가로 적층함으로써 다층 코팅으로 인한 반사 얼룩이 발생될 수 있고, 생산성이 떨어질 수 있으며, 중간층 적층 만으로는 표면 조도의 균일성을 확보하는 데에는 한계가 있다.
이와 관련하여, 일본공개특허 제2007-007917호는 기재의 하면에 카본블랙을 함유하는 열용해 착색층을 부가한 열용해 전사 매체를 개시하고 있다.
본 발명의 목적은 광열전환층의 표면 균일성이 우수하고 외관상 반사 얼룩이 없는 열전사필름을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 열전사 성능이 우수하고, 기재층에 대한 밀착성이 우수한 열전사필름을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 단층의 광열전환층으로도 열전사 성능이 우수하고 생산성이 높은 열전사 필름을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 관점인 열전사 필름은 기재층; 및 상기 기재층의 상부에 적층된 광열전환층을 포함하고, 상기 광열전환층은 두께 방향을 기준으로 상기 기재층의 상부에 적층된 제1층과 상기 제1층의 상부에 적층된 제2층을 포함하고, 상기 제1층은 상기 제2층 대비 광열전환재료가 편재되어 있을 수 있다.
본 발명의 다른 관점인 유기전계발광소자는 상기 열전사 필름을 사용하여 제조될 수 있다.
본 발명은 광열전환층의 표면 균일성이 우수하고 외관상 반사 얼룩이 없으며, 열전사 성능이 우수하고, 기재층에 대한 밀착성이 우수한 열전사필름을 제공하였다. 본 발명은 단층의 광열전환층으로도 열전사 성능이 우수하고 생산성이 높은 열전사 필름을 제공하였다.
도 1은 본 발명 일 구체예의 열전사필름의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명 일 구체예의 열전사필름의 형성 원리를 개략적으로 나타낸 개념도이다.
도 3은 본 발명 열전사필름의 구체예의 단면도이다.
본 명세서에서 '상부'와 '하부'는 도면에서와 같이 기준이 되는 층 또는 요소에 대해 각각 상, 하를 기준으로 편의상 붙여진 명칭이고, 반드시 상부와 하부를 의미하는 명칭으로 사용하는 것은 아니고, '상부'가 '하부'로 '하부'가 '상부'로 변경될 수 있다.
본 발명의 일 관점인 열전사필름은 기재층; 및 상기 기재층의 상부에 적층된 광열전환층을 포함하고, 상기 광열전환층은 두께 방향을 기준으로 상기 기재층의 상부에 적층된 제1층과 상기 제1층의 상부에 적층된 제2층을 포함하고, 상기 제1층은 상기 제2층 대비 광열전환재료가 편재되어 있을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 구체예에 의한 열전사필름의 개략적인 단면도이다.
도 1에서 도시된 바와 같이, 열전사 필름(100)은 기재층(110) 및 상기 기재층(110)의 상부에 적층된 광열전환층(120)을 포함할 수 있다.
상기 기재층은 상기 광열전환층과의 부착성이 좋고, 광열전환층 및 그 이외의 다른 층간의 온도 전달을 제어할 수 있는 것을 사용할 수 있다.
상기 기재층은 투명성이 있는 수지로 된 필름을 사용할 수 있다.
구체예에서, 상기 기재층은 폴리에스테르계 수지, 폴리아크릴계 수지, 폴리에폭시계 수지, 폴리에틸렌계 수지 또는 폴리프로필렌계 수지 등의 폴리올레핀계 수지, 폴리스티렌계 수지 중 하나 이상으로 제조된 필름이 될 수 있다.
상기 기재층은 상기 수지로 된 필름이라면 단일층 또는 다중층이 될 수 있다.
바람직하게는 상기 기재층은 폴리에스테르계 수지로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 또는 폴리에틸렌나프탈레이트 필름이 될 수 있다.
상기 기재층의 두께는 30㎛-300㎛, 바람직하게는 75㎛-125㎛가 될 수 있다.
상기 광열전환층은 도 1에서 도시된 바와 같이, 상기 광열전환층의 두께 방향을 기준으로 상기 기재층의 상부에 적층된 제1층(130)과 상기 제1층의 상부에 적층된 제2층(140)을 포함할 수 있다.
상기 광열전환층은 도 1에서 도시된 바와 같이, 두께 방향을 기준으로 상부면(145b)과 하부면(135a)으로 구성될 수 있다.
상기 제1층(130)은 열전사 필름의 두께 방향을 기준으로 상기 기재층(110)의 상부에 적층되고, 상기 광열전환층(120)의 하부면(135a)을 포함할 수 있다. 상기 제1층은 두께 방향을 기준으로 상기 광열전환층의 하부면(135a)과 상기 제1층과 상기 제2층 간의 경계면(135b)으로 구성될 수 있다. 상기 제1층의 하부면(135a)은 상기 기재층(110)과 접하는 면이다.
상기 제2층(140)은 상기 제1층(130)의 상부에 적층되고, 상기 광열전환층(140)의 상부면(145b)을 포함할 수 있다. 상기 제2층은 두께 방향을 기준으로 상기 광열전환층의 상부면(145b)과 상기 제1층과 상기 제2층 간의 경계면(135b)으로 구성될 수 있다.
상기 제1층은 상기 제2층 대비 광열전환재료가 편재되어 있을 수 있다.
본 명세서에서 '편재'는 층의 단위 체적당 상기 광열전환재료의 밀집도, 개수 또는 농도 등이 상대적으로 큼을 의미할 수 있다.
도 2는 본 발명 일 구체예의 열전사필름의 형성 원리를 개략적으로 나타낸 개념도이다.
도 2에 의하면, (a)에서 나타난 바와 같이, 기재층(110) 위에는 광열전환재료(150)와 자외선 경화성 수지, 다관능 모노머, 개시제 등을 포함하는 광열전환층용 조성물이 코팅되고, 그 결과 상기 기재층 위에는 광열전환층용 코팅층(160)이 형성된다.
(b)에서 나타난 바와 같이, 상기 광열전환재료는 광열전환층용 코팅층(160) 내에서 용매의 건조 및 자외선 경화시, 상기 코팅층의 두께 방향을 기준으로 기재층(110) 쪽으로 이동하고(화살표 방향), 자외선 경화성 수지 등은 상대적으로 상기 코팅층(160)의 표면 쪽으로 이동하게 된다.
즉, 광열전환재료와 자외선 경화형 수지의 반발력을 이용해 광열전환재료의 이동이 가능하다. 예를 들어, 소수성인 광열전환재료(예:카본블랙)를 친수성 자외선 경화형 수지에 섞어서 단일층으로 코팅하게 되면, 광열전환재료는 자연히 중력에 의해 아래쪽으로 가라앉게 된다. 따라서 1층 코팅으로 상기 제1층과 제2층을 포함하는 단일층 구조를 얻게 된다.
(c)에서 나타난 바와 같이, 상기 코팅층이 경화되면 상기 광열전환재료(150)가 상기 기재층 쪽에 편재되어 있는 제1층(130)과 상기 광열전환재료가 편재되지 않은 제2층(140)을 포함하는 광열전환층(120)이 형성될 수 있다
상기 광열전환층은 도 1에서 도시된 바와 같이, 두께 방향을 기준으로, 상기 기재층(110) 상부에 적층된 제1층(130)과, 상기 제1층(130) 상부에 적층된 제2층(140)을 포함할 수 있다.
상기 제1층과 상기 제2층은 광열전환재료의 편재 여부에 따라 광열전환층을 두께 방향으로 임의로 구분한 것으로서, 상기 제1층과 상기 제2층은 동일한 광열전환층용 조성물로부터 형성될 수 있다. 구체예에서, 상기 제1층과 상기 제2층 전체는 단일층일 수 있다.
상기 광열전환층은 단일층일 수 있다.
상기 '단일층'은 상기 제1층과 상기 제2층 간에는 어떠한 접착층이나 코팅층이 형성되어 있지 않고, 동일한 성분이고, 단지 광열전환재료의 편재 여부에 따라 편의상 구분한 것이다.
상기 광열전환층의 두께(T)는 0.5㎛-10㎛가 될 수 있고, 바람직하게는 2㎛-5㎛가 될 수 있다. 상기 범위에서 유기발광소자의 균일한 전사효과가 있을 수 있다.
상기 제1층은 상기 제2층 대비 광열전환재료(150)가 편재되어 있을 수 있다.
상기 제2층은 광열전환층의 최외곽층으로서 열 전사시 상기 제2층의 상부면(145b)에는 전사층이 적층될 수 있다. 본 발명에 따른 열전사필름에서는 상기 제2층에 광열전환재료가 편재되어 있지 않아, 상기 제2층 특히 상기 제2층의 상부면(145b)의 표면 조도가 균일하고 좋을 수 있다. 그 결과, 전사층의 적층 및 열전사시 외관이 좋고 반사 얼룩이 최소화될 수 있는 열전사를 수행할 수 있다.
구체예에서, 상기 제2층에 포함된 광열전환재료의 농도(C2)에 대한 상기 제1층에 포함된 광열전환재료의 농도(C1)의 비(C1/C2)는 1.5 이상, 바람직하게는 3 이상, 더 바람직하게는 5 ~ 10이 될 수 있다. 상기 범위에서, 유기발광소자의 균일한 전사효과가 있을 수 있다.
도 3에 의하면, (a)에서 도시된 바와 같이, 상기 제1층(130)은 상기 광열전환재료(150)가 상기 제1층 전체에 분산되어 있을 수도 있다. 즉, 광열전환층에 포함되는 광열전환재료의 전체 중량에 대해, 상기 제1층에는 100중량%, 상기 제2층에는 0중량%의 광열전환재료가 포함될 수 있다.
또한, (b)에서 도시된 바와 같이, 상기 제1층(130)은 상기 광열전환재료(150)가 상기 기재층(110) 쪽에 편재되어, 상기 제1층(130)은 두께 방향을 기준으로 상기 광열전환재료가 편재된 제1영역(130a)과 편재되지 않은 제2영역(130b)을 포함할 수 있다.
즉, 상기 제1영역은 상기 기재층의 상부와 상기 제2영역의 하부 사이의 영역이 될 수 있고, 상기 제2영역은 상기 제1영역 상부와 상기 제2층의 하부 사이의 영역이 될 수 있다.
상기 제1영역에 포함된 광열전환재료의 농도(C11)에 대한 상기 제2영역에 포함된 광열전환재료의 농도(C12)의 비(C12/C11)는 0.67 이하, 바람직하게는 0.33 이하, 더 바람직하게는 0.1 이하, 가장 바람직하게는 0.1-0.01이 될 수 있다.
상기 제1층의 두께 방향을 기준으로 상기 제1영역의 두께(t11)에 대한 상기 제2영역의 두께(t12)의 비(t12/t11)는 5 이하, 바람직하게는 0.2-1이 될 수 있다.
상기 제1영역과 상기 제2영역을 포함하는 제1층은 단일층일 수 있다.
상기 '단일층'은 상기 제1영역과 상기 제2영역 간에는 어떠한 접착층이나 코팅층이 형성되지 않으며, 동일한 성분이고, 단지 광열전환재료의 편재 여부에 따라 편의상 구분한 것이다.
또한, (c)에서 도시된 바와 같이, 상기 광열전환재료(150)는 상기 제1층 중 상기 제1층과 상기 제2층의 경계면(135b)으로부터 상기 제1층의 하부면(즉, 기재층과 접하는 부위)(135a)으로 점진적으로 농도가 증가하여 농도 경사를 이룰 수도 있다.
도 1에 의하면, 상기 제1층의 두께(t1)은 상기 광열전환층의 전체 두께(T) 중 20-90%, 바람직하게는 50-80%일 수 있다. 상기 범위에서, 유기발광소자의 균일한 전사효과가 있을 수 있다.
상기 제1층의 두께는 0.1㎛-10㎛, 바람직하게는 1㎛-4㎛가 될 수 있다. 상기 범위에서, 유기발광소자의 균일한 전사효과가 있을 수 있다.
상기 제2층은 상기 제1층의 상부에 적층되고 전사층이 적층되는 부위이다. 상기 제2층은 광열전환재료의 비편재로 인하여, 상기 제2층의 상부면은 표면 조도가 균일함으로써 전사층이 균일하게 코팅되도록 하고 열전사시 반사 얼룩이 발생하지 않게 하고 외관이 균일하게 할 수 있다.
구체예에서, 도 1에 의하면 상기 제2층의 상부면(145b)의 표면 조도(Ra)는 10nm 이하가 될 수 있고, 바람직하게는 0nm-5.0nm, 가장 바람직하게는 0nm-0.5nm가 될 수 있다. 상기 범위에서, 유기발광소자의 균일한 전사효과가 있을 수 있다.
상기 제2층의 두께(t2)은 상기 광열전환층의 전체 두께(T) 중 10-80%, 바람직하게는 20-50%일 수 있다. 상기 범위에서, 유기발광소자의 균일한 전사효과가 있을 수 있다.
상기 제2층의 두께는 0.05㎛-10㎛, 바람직하게는 0.2㎛-2.5㎛가 될 수 있다. 상기 범위에서, 유기발광소자의 균일한 전사효과가 있을 수 있다.
상기 제1층과 상기 제2층은 광열전환층용 조성물의 경화물을 포함할 수 있다.
상기 광열전환층용 조성물은 자외선 경화성 수지, 다관능 모노머, 광열전환재료를 포함할 수 있다.
상기 자외선 경화성 수지는 1관능 이상, 바람직하게는 2관능 이상, 더 바람직하게는 3 이상의 관능기를 갖는 올리고머 또는 프리 폴리머가 될 수 있다.
상기 자외선 경화성 수지는 비교적 작은 분자량의 우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에테르 수지, 아크릴수지, 에폭시수지, 알키드수지, 스피로아세탈수지, 폴리부타디엔수지, 폴리티올폴리엔수지, 다가알코올 등의 다관능 화합물의 (메타)아크릴레이트 수지 등이 될 수 있다.
구체예에서, 상기 자외선 경화성 수지는 폴리메틸(메타)아크릴레이트, 아민 변성 (메타)아크릴레이트, 에폭시 (메타)아크릴레이트, 우레탄 (메타)아크릴레이트, 폴리올 폴리(메타)아크릴레이트, 비스페놀 A-디글리시딜 에테르의 디(메타)아크릴레이트, 다가알코올과 다가 카르복시산 또는 그 무수물 및 (메타)아크릴산으로부터 얻을 수 있는 폴리에스테르 (메타)아크릴레이트, 폴리실록산 폴리(메타)아크릴레이트 등을 사용할 수 있다.
상기 자외선 경화성 수지는 상기 화합물 중 단독 또는 2종 이상의 혼합물을 사용할 수 있다.
상기 다관능 모노머는 2관능 내지 6관능 모노머가 될 수 있다. 바람직하게는, 3관능 내지 5관능의 모노머가 될 수 있다.
다관능 모노머는 다관능 (메타)아크릴레이트, 예를 들면 히드록시기를 갖는 다관능 (메타)아크릴레이트, 불소 변성 다관능 (메타)아크릴레이트 또는 이들의 혼합물이 사용될 수 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 다관능 모노머는 단독 또는 2종 이상의 혼합물을 사용할 수 있다.
상기 히드록시기를 갖는 다관능 (메타)아크릴레이트는 트리메틸올프로판 트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라(메타)아크릴레이트, 트리(2-히드록시에틸)이소시아누에이트트리(메타)아크릴레이트, 헥산디올디(메타)아크릴레이트, 디사이클로데칸디메탄올디(메타)아크릴레이트 또는 이들의 혼합물이 될 수 있다.
상기 불소 변성 다관능 (메타)아크릴레이트는 상기 다관능 (메타)아크릴레이트 모노머에 불소 변성이 부여된 다관능 (메타)아크릴레이트가 될 수 있다.
상기 광열전환재료는 광을 흡수한 후 열 에너지로 전환시켜 주는 재료로서, 액상, 고상 등의 형태가 될 수 있다. 바람직하게는, 상기 광열전환재료는 고상의 입자가 될 수 있다.
상기 광열전환재료는 카본블랙, 텅스텐 산화물, 염료, 안료 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 카본 블랙의 평균 입도는 50nm ~ 500nm가 될 수 있다. 상기 범위에서, 유기발광소자의 균일한 전사효과가 있을 수 있다.
상기 '평균 입도'는 "카본 블랙 입도의 평균값"을 의미한다. 상기 평균 입도는 particle size analyzer를 이용하여, ASTM D3849 방법으로 측정할 수 있다.
상기 텅스텐 산화물은 텅스텐 단독 산화물과 텅스텐 복합 산화물 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 텅스텐 단독 산화물은 일반식 WyOz(단, W는 텅스텐, O는 산소, 2.2≤y에 대한 z의 비율(z/y)≤3.0)로 표시될 수 있다. 예를 들면, W03, W18O49, W20O58, W4O11 등을 들 수 있다.
상기 텅스텐 복합 산화물은 일반식 MxWyOz(단, M은 H, He, 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 원소, 할로겐, Zr, Cr, Mn, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, B, P, S, Se, Te, Ti, Nb, V, Mo, Ta, Re, Hf, Os 및 Bi 중 선택되는 1종 이상의 원소, W는 텅스텐, O는 산소, 0.001≤y에 대한 x의 비율(x/y)≤1.1, 2.2≤y에 대한 z의 비율(z/y)≤3.0)로 표시될 수 있다.
상기 알칼리 금속은 Li, Na, K, Rb, Cs, Fr이 될 수 있다.
상기 알칼리 토금속은 Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Ra 등이 될 수 있다.
상기 희토류 원소는 Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu 등이 될 수 있다.
상기 할로겐은 F, Cl, Br 또는 I가 될 수 있다.
상기 텅스텐 복합 산화물 미립자는 육방정, 정방정, 입방정의 결정 구조를 가지는 경우에 내구성이 우수하기 때문에, 상기 육방정, 정방정, 입방정으로부터 선택되는 1개 이상의 결정 구조를 포함하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 육방정의 결정 구조를 갖는 텅스텐 복합 산화물 미립자의 경우, 바람직한 M 원소로서, Cs, Rb, K, Ti, In, Ba, Li, Ca, Sr, Fe, Sn으로부터 선택되는 1종류 이상의 원소를 포함하는 미립자를 사용할 수 있다.
이때 첨가되는 M원소의 경우 첨가량 x는 x/y가 0.001 이상, 1.1 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.33±0.3이 좋다. 이는 육방정의 결정 구조로부터 이론적으로 산출되는 x/y의 값이 0.33이기 때문이다. 이 전후의 첨가량에서 바람직한 광학 특성을 얻을 수 있다.
또한, 산소의 존재량 z의 경우, z/y로 2.2 이상, 3.0이하가 바람직하다. 전형적인 예로서, Cs0 .33WO3, Rb0 .33WO3, K0 .33WO3, Ba0 .33WO3 등을 들 수 있지만, x, y, z가 상기 범위에 들어가는 것이라면 유용한 근적외선 흡수 특성을 가질 수 있다.
상기 텅스텐 산화물은 미립자로서, 평균 입경이 0 초과 500nm 이하, 바람직하게는 400nm 이하, 더 바람직하게는 10nm-200nm가 될 수 있다. 상기 범위에서, 좀더 쉽게 텅스텐 산화물을 제조할 수 있으며, 열전사에 있어서 효과적인 열적 특성을 나타낼 수 있다.
상기 염료, 안료는 400 ~ 1500nm 파장의 빛 조사시 흡수한 빛 에너지를 열 에너지로 전환할 수 있는 것이라면 제한되지 않는다.
예를 들면, 염료 또는 안료는 디임모늄계 염료, 금속-착물계 염료, 나프탈로시아닌계 염료, 프탈로시아닌계 염료, 폴리메틴계 염료, 안트라퀴논계 염료, 포르피린계 염료, 금속-착물 형태를 갖는 시아닌계 염료, 카본블랙 안료, 금속산화물 안료, 금속황화물 안료, 흑연 안료 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
상기 광열전환층용 조성물은 개시제를 더 포함할 수 있다.
상기 개시제는 종래 통상적으로 사용되는 공지의 광중합 개시제를 사용할 수 있다. 예를 들면, 1-히드록시시클로헥실 페닐 케톤과 같은 벤조페논계 화합물을 사용할 수 있지만, 이들에 제한되는 것은 아니다.
상기 조성물 중 고형분 기준으로 상기 자외선 경화성 수지는 10-80중량%, 상기 다관능 모노머는 5-50중량%, 상기 광열전환재료는 5-50중량%, 상기 개시제는 0.1-10중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 유기발광소자의 균일한 전사효과가 있을 수 있다.
바람직하게는, 상기 자외선 경화성 수지는 50-70중량%, 상기 다관능 모노머는 20-35중량%, 상기 광열전환재료는 10-30중량%, 상기 개시제는 2-7중량%로 포함될 수 있다.
구체예에서, 상기 자외선 경화성 수지는 55-60중량%, 상기 다관능 모노머는 25-30중량%, 상기 광열전환재료는 10-14중량%, 상기 개시제는 1-5중량%로 포함될 수 있다.
상기 광열전환층용 조성물은 용제를 더 포함할 수 있다. 상기 용제는 메틸에틸케톤, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 광열전환층용 조성물은 경화성 불소계 화합물, 경화성 실록산계 화합물 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 구체예에서, 상기 '경화성'은 자외선 경화성을 의미할 수 있다.
상기 경화성 불소계 화합물은 퍼플루오로기를 갖는 화합물에 다관능 (메타)아크릴레이트를 반응시킨 불소 변성 다관능 (메타)아크릴레이트를 포함할 수 있다.
구체예에서, 상기 경화성 불소계 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다:
<화학식 1>
(CH2=CR1COO)nRf
(상기에서, n은 1 이상의 정수이고,
R1은 수소 또는 탄소수 1-5의 선형 또는 분지형의 알킬기이고,
Rf는 탄소수 2-50의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기 또는 퍼플루오로알킬기, 또는 탄소수 2-50의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬렌기 또는 퍼플루오로알킬렌기이다)
바람직하게는 n은 2 이상의 정수, 더 바람직하게는 2-20의 정수이다.
구체예에서, 상기 Rf는 하기 화학식 a 내지 e 중 하나일 수 있다:
<화학식 a>
Figure 112012109446427-pat00001
<화학식 b>
Figure 112012109446427-pat00002
<화학식 c>
Figure 112012109446427-pat00003
<화학식 d>
Figure 112012109446427-pat00004
<화학식 e>
Figure 112012109446427-pat00005
(상기에서, *는 결합 부위이고,
RF1은 선형 또는 분지형의 탄소수 1-10의 퍼플루오로알킬렌기이고,
RF2, RF3, RF4, RF5는 각각 수소, 또는 선형 또는 분지형의 탄소수 1-14의 퍼플루오로알킬기이다)
상기 경화성 실록산계 화합물은 경화성 실록산계 화합물은 (메타)아크릴기를 함유하는 폴리에테르변성 디알킬폴리실록산이 될 수 있다.
상기 경화성 실록산계 화합물은 통상적인 합성 방법으로 합성하여 사용할 수도 있고, 상업적으로 시판되는 제품을 구입하여 사용할 수도 있다. 예를 들면, 제품으로는 폴리에테르변성 디메틸폴리실록산(BYK chemie사, BYK3700)을 사용할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
상기 경화성 불소계 화합물, 경화성 실록산계 화합물, 또는 이의 혼합물은 상기 조성물 중 고형분 기준으로 0.01-10중량%, 바람직하게는 0.1-5중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 유기발광소자의 균일한 전사효과가 있을 수 있다.
구체예에서, 상기 조성물은 고형분 기준으로 상기 자외선 경화성 수지 10-80중량%, 상기 다관능 모노머 5-30중량%, 상기 광열전환재료 5-50중량%, 상기 개시제 0.1-10중량%, 상기 경화성 불소계 화합물, 상기 경화성 실록산계 화합물 중 하나 이상 0.01-10중량%를 포함할 수 있다.
바람직하게는, 상기 자외선 경화성 수지는 50-70중량%, 상기 다관능 모노머는 10-35중량% 바람직하게는 20-35중량%, 상기 광열전환재료는 10-20중량%, 상기 개시제는 3-7중량%, 상기 경화성 불소계 화합물, 상기 경화성 실록산계 화합물 중 하나 이상 0.1-5중량%를 포함할 수 있다.
상기 광열전환층 상부에는 전사층을 더 포함할 수 있다.
전사층은 전사 재료 예를 들면 유기발광물질을 리셉터 예를 들면 기판으로 전사하기 위한 하나 이상의 층을 포함할 수 있다. 이들은 전계 발광 재료 또는 전기적으로 활성인 재료를 포함하는 유기, 무기, 유기 금속성 및 다른 기타 재료를 이용하여 형성될 수 있다. 전사층은 증발, 스퍼터링 또는 용매 코팅에 의해 균일한 층으로 코팅되거나, 또는 디지털 인쇄, 리소그래피 인쇄 또는 증발 또는 마스크를 통한 스퍼터링을 사용하여 패턴으로 인쇄될 수 있다.
상기 열전사필름은 중간층을 포함하지 않을 수 있다. 상기 열전사필름은 중간층을 포함하지 않더라도 광열전환층의 표면 조도가 낮아, 열전사 성능이 높을 수 있다.
본 발명의 다른 관점인 열전사 필름의 제조 방법은 기재층에 광열전환재료, 자외선 경화성 수지, 다관능 모노머 및 개시제를 포함하는 광열전환층용 조성물을 코팅하고; 그리고 상기 조성물을 경화시키는 단계를 포함할 수 있다.
기재층, 광열전환재료, 자외선 경화성 수지, 다관능 모노머, 개시제에 대한 상세 내용은 상기에서 상술한 바와 같다.
상기 경화시키는 단계는 70-100℃에서 1-5분 동안 건조시킨 후 100-500mJ/cm2의 광량을 조사하여 경화시킬 수 있다.
본 발명의 또 다른 관점인 유기전계발광소자는 상기 열전사 필름을 사용하여 제조될 수 있다. 열전사 필름은 유기전계발광소자의 제조에서 도너(donor) 필름으로 사용될 수 있고, 이를 이용하여 유기전계발광소자를 제조하는 방법은 통상의 방법을 따른다.
예를 들면, 유기전계발광소자는 열전사 필름에 유기 발광 물질을 적층하여 EML이 형성된 도너 필름을 제조하고, 그리고 기판과 도너 필름을 라미네이팅하고, 레이저를 조사하여 패터닝함으로써 제조될 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
실시예 1
메틸에틸케톤 30.07g과 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 19.52g의 용매 혼합물에, 자외선 경화성 수지로 폴리메틸메타아크릴레이트(Lucite사 Elvacite2694) 14.51g, 및 소수성 지방족 우레탄 아크릴레이트 올리고머(Sartomer사 CN9026) 41.28g, 다관능 모노머로 5관능 아크릴레이트 모노머(Sartomer사의 SR399) 27.62중량g, 광중합개시제로 Irgacure 184(BASF사) 2.55g을 첨가하여 30분 동안 교반하였다. 상기 바인더 혼합물에 친수성 카본블랙(Tokai Carbon사 Aqua-Black162)11.55g을 첨가하고 최종적으로 30분 동안 교반하여 광열변환층용 조성물을 제조하였다.
기재필름인 PET 필름(A4100, Toyobo, 100㎛)에 상기 광열변환층용 조성물을 바코팅한 후 80℃에서 2분 동안 건조시켰다. 질소 분위기 하에서 300mJ/cm2의 광량으로 경화시켜 두께 3.0㎛의 도막인 광열변환층을 형성하여 열전사 필름을 제조하였다.
실시예 2
메틸에틸케톤 70.15g과 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 39.05g의 용매 혼합물에, 자외선 경화성 수지로 폴리메틸메타아크릴레이트(Lucite사 Elvacite2694) 14.51g, 및 에폭시 아크릴레이트 바인더(Sartomer사 CN136) 41.28g, 다관능 모노머로 5관능 아크릴레이트 모노머(Sartomer사의 SR399) 27.62중량g, 자외선 경화성 실록산계 화합물로 아크릴기 함유 폴리에테르변성 디메틸폴리실록산(BYK chemie사의 BYK3700) 2.49g, 광중합개시제로 Irgacure 184(BASF사) 2.55g을 첨가하여 30분 동안 교반하였다. 상기 바인더 혼합물에 카본블랙 11.55g을 첨가하고 최종적으로 30분 동안 교반하여 광열전환층용 조성물을 제조하였다.
기재필름인 PET 필름(A4100, Toyobo, 100㎛)에 상기 광열전환층용 조성물을 바코팅한 후 80℃에서 2분 동안 건조시켰다. 질소 분위기 하에서 300mJ/cm2의 광량으로 경화시켜 두께 3.0㎛의 도막인 광열전환층을 형성하여 열전사 필름을 제조하였다.
실시예 3
메틸에틸케톤 70.15g과 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 39.05g의 용매 혼합물에,자외선 경화성 수지로 폴리메틸메타아크릴레이트(Lucite사 Elvacite2694) 14.51g, 및 에폭시아크릴레이트 바인더(Sartomer사 CN136) 41.28g, 다관능 모노머로 5관능 아크릴레이트 모노머(Sartomer사의 SR399) 27.62중량g, 자외선 경화성 불소계 화합물로 1H,1H,10H,10H-퍼플루오로-1,-10 데실 디아크릴레이트(Exfluor Research Corporation사) 2.49중량g, 광중합개시제로 Irgacure 184(CIBA 사) 2.55g을 첨가하여 30분 동안 교반하였다.상기 바인더 혼합물에 카본블랙 11.55g을 첨가하고 최종적으로 30분 동안 교반하여 광열전환층용 조성물을 제조하였다.
기재필름인 PET 필름(A4100, Toyobo, 100㎛)에 상기 광열전환층용 조성물을 바코팅한 후 80℃에서 2분 동안 건조시켰다. 질소 분위기 하에서 300mJ/cm2의 광량으로 경화시켜 두께 3.0㎛의 도막인 광열전환층을 형성하여 열전사 필름을 제조하였다.
비교예 1
메틸에틸케톤 70.15g과 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 39.05g의 용매 혼합물에,자외선 경화성 수지로 폴리메틸메타아크릴레이트(Lucite사 Elvacite2694) 25g, 및 에폭시아크릴레이트 바인더(Sartomer사 CN136) 40g, 다관능 모노머로 5관능 아크릴레이트 모노머(Sartomer사의 SR399) 17중량g, 광중합개시제로 Irgacure 184(BASF사) 3g을 혼합하여 바인더 혼합물을 제조하였다. 상기 바인더 혼합물에 카본블랙 15g을 첨가하고 최종적으로 30분 동안 더 교반하여 광열전환층용 조성물을 제조하였다.
기재필름인 PET 필름(A4100, Toyobo, 100㎛)에 상기 광열변환층용 조성물을 바코팅한 후 80℃에서 2분 동안 건조시켰다. 질소 분위기 하에서 300mJ/cm2의 광량으로 경화시켜 두께 3.0㎛의 도막인 광열전환층을 형성하여 열전사필름을 제조하였다.
비교예 2
메틸에틸케톤 70.15g과 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 39.05g의 용매 혼합물에,자외선 경화성 수지로 폴리메틸메타아크릴레이트(Lucite사 Elvacite2694) 25g, 및 에폭시아크릴레이트 바인더(Sartomer사 CN136) 40g, 다관능 모노머로 5관능 아크릴레이트 모노머(Sartomer사의 SR399) 17중량g, 광중합개시제로 Irgacure 184(BASF사) 3g을 혼합하여 바인더 혼합물을 제조하였다. 상기 바인더 혼합물에 카본블랙 15g을 첨가하고 최종적으로 30분 동안 더 교반하여 광열전환층용 조성물을 제조하였다.
기재필름인 PET 필름(A4100, Toyobo, 100㎛)에 상기 광열변환층용 조성물을 바코팅한 후 80℃에서 2분 동안 건조시켰다. 질소 분위기 하에서 300mJ/cm2의 광량으로 경화시켜 두께 3.0㎛의 도막인 광열전환층을 형성하였다.
메틸에틸케톤 47.15g과 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 26.05g의 용매 혼합물에, 자외선 경화성 수지로 폴리메틸메타아크릴레이트(Lucite사 Elvacite2694) 13.08g, 에폭시아크릴레이트 바인더(Sartomer사 CN136) 17.99g, 다관능 모노머로 5관능 아크릴레이트 모노머(Sartomer사의 SR399) 7.44g을 넣고 30분 동안 교반하였다. 광중합 개시제로 Irgacure 184(BASF사) 1.5g을 투입하고 최종적으로 30분 동안 더 교반하여 중간층용 조성물을 제조하였다
상기 광열변환층 위에, 상기 중간층용 조성물을 바코팅한 후 80℃ 오븐에서 2분 동안 건조시켰다. 질소 분위기 하에서 300mJ/cm2의 광량으로 경화시켜 중간층 두께 3.0㎛의 도막을 갖는 열전사 필름을 제조하였다.
실험예
(1)OD값: 상기 실시예와 비교예에서 제조된 열전사필름에 대하여 파장 1064nm에서 Perkin Elmer Lambda 950 UV-VIS spectrometer를 사용하여 광학 밀도(optical density) 값을 측정한다.
(2)표면 조도(Ra, 평균 roughness, nm): AFM(Atomic Force Microscopy)를 사용하여 열전사필름의 최종 코팅층의 표면으로 광열전환층(실시예 1-3, 비교예 1의 경우) 또는 중간층(비교예 2의 경우)의 Ra값(평균 roughness)을 측정하였다. Park System社 의 XE-100을 사용하고 20㎛×20㎛ scale로 도너 필름의 표면 조도를 측정한다.
(3)외관: Nikon Eclips L150 광학현미경을 이용하여 광열전환층에 초점을 맞춰 측정한다.
(4)반사 얼룩: 3파장램프의 빛에 광열전환층을 반사하여 육안으로 얼룩(Rainbow)을 관측하고, 이하의 3단계로 평가하였다. 반사 얼룩이 없는 경우를 "◎", 반사 얼룩이 약한 경우를 "○",반사 얼룩이 강한 경우를 "×"로 하였다.
실시예1 실시예2 실시예3 비교예1 비교예2
OD값 1.20 1.21 1.20 1.20 1.21
표면 조도(Ra, nm) 0.118㎚ 0.372㎚ 0.141㎚ 28.371㎚ 0.157㎚
외관 Good Good Good Good Good
반사 얼룩 ◎ ○ ○ ◎ ×
상기 표 1에서 나타난 바와 같이, 본 발명의 열전사필름은 광열전환층의 표면 조도 값이 낮아 외관이 우수하고 반사 얼룩이 없었다.
반면에, 비교예 1의 열전사필름은 표면 조도 값이 높아 유기발광소자의 불균일한 전사로 유기발광소자의 효율 및 수명저하가 있을 수 있었다.
또한, 중간층을 포함하는 비교예 2의 열전사필름은 표면 조도 값은 낮지만, 다층 코팅으로 인해 반사 얼룩이 강하게 발생하였다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.

Claims (22)

  1. 기재층; 및 상기 기재층의 상부에 적층된 광열전환층을 포함하고,
    상기 광열전환층은 두께 방향을 기준으로 상기 기재층의 상부에 적층된 제1부분과 상기 제1부분의 상부에 적층된 제2부분을 포함하고,
    상기 제1부분은 상기 제2부분 대비 광열전환재료가 편재되어 있고,
    상기 광열전환층은 단일층이고,
    상기 광열전환층은 표면조도(Ra)가 0nm 내지 0.5nm인 것인, 열전사필름.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2부분에 포함된 상기 광열전환재료의 농도(C2)에 대한 상기 제1부분에 포함된 상기 광열전환재료의 농도(C1)의 비(C1/C2)는 1.5 이상인 열전사필름.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1부분의 두께는 상기 광열전환층의 전체 두께 중 20-90%인 열전사필름.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1부분의 두께는 0.1㎛-10㎛이고, 상기 제2부분의 두께는 0.05㎛-10㎛인 열전사필름.
  6. 제1항에 있어서, 상기 광열전환재료는 상기 제1부분의 전체에 분산되어 있는 열전사필름.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1부분은 두께 방향을 기준으로 상기 광열전환재료가 편재된 제1영역과 상기 광열전환재료가 편재되지 않은 제2영역을 포함하는 열전사필름.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1영역의 두께에 대한 상기 제2영역의 두께의 비(t12/t11)는 5 이하인 열전사필름.
  9. 제1항에 있어서, 상기 광열전환재료는 상기 제1부분과 상기 제2부분의 경계면에서부터 상기 제1부분의 하부면으로 갈수록 점진적으로 농도가 증가하는 열전사필름.
  10. 제1항에 있어서, 상기 광열전환재료는 염료, 안료 중 하나 이상을 포함하는 열전사필름.
  11. 제1항에 있어서, 상기 광열전환재료는 입자 형태인 열전사필름.
  12. 삭제
  13. 제1항에 있어서, 상기 광열전환층은 자외선 경화성 수지, 다관능 모노머, 광열전환재료, 및 개시제를 포함하는 광열전환층용 조성물의 경화물을 포함하는 열전사필름.
  14. 제13항에 있어서, 상기 조성물은 고형분 기준으로 상기 자외선 경화성 수지 10-80중량%, 상기 다관능 모노머 5-50중량%, 상기 광열전환재료 5-50중량%, 상기 개시제 0.1-10중량%를 포함하는 열전사필름.
  15. 제13항에 있어서, 상기 조성물은 경화성 불소계 화합물, 경화성 실록산계 화합물 중 하나 이상을 더 포함하는 열전사필름.
  16. 제15항에 있어서, 상기 경화성 불소계 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 열전사필름:
    <화학식 1>
    (CH2=CR1COO)nRf
    (상기에서, n은 2 이상의 정수이고,
    R1은 수소 또는 탄소수 1-5의 선형 또는 분지형의 알킬기이고,
    Rf는 하기 화학식 a 내지 e 중 하나이다
    <화학식 a>
    Figure 112015077410267-pat00014

    <화학식 b>
    Figure 112015077410267-pat00015

    <화학식 c>
    Figure 112015077410267-pat00016

    <화학식 d>
    Figure 112015077410267-pat00017

    <화학식 e>
    Figure 112015077410267-pat00018

    (상기에서, *는 결합 부위이고,
    RF1은 선형 또는 분지형의 탄소수 1-10의 퍼플루오로알킬렌기이고,
    RF2, RF3, RF4, RF5는 각각 수소, 또는 선형 또는 분지형의 탄소수 1-14의 퍼플루오로알킬기이다)).
  17. 제15항에 있어서, 상기 경화성 실록산계 화합물은 (메타)아크릴기를 함유하는 폴리에테르변성 디알킬폴리실록산을 포함하는 열전사필름.
  18. 제15항에 있어서, 상기 조성물은 고형분 기준으로 상기 자외선 경화성 수지 10-80중량%, 상기 다관능 모노머 5-30중량%, 상기 광열전환재료 5-50중량%, 상기 개시제 0.1-10중량%, 상기 경화성 불소계 화합물, 상기 경화성 실록산계 화합물 중 하나 이상 0.01-10중량%를 포함하는 열전사필름.
  19. 제1항에 있어서, 상기 기재층은 폴리에스테르계 수지, 폴리아크릴계 수지, 폴리에폭시계 수지, 폴리올레핀계 수지, 폴리스티렌계 수지 중 하나 이상으로 된 필름을 포함하는 열전사필름.
  20. 제1항에 있어서, 상기 광열전환층의 상부에는 전사층이 적층되는 열전사필름.
  21. 제1항에 있어서, 상기 광열전환재료는 카본블랙, 텅스텐 산화물 중 하나 이상을 포함하는 열전사필름.
  22. 제1항, 제2항, 제4항 내지 제11항, 제13항 내지 제21항 중 어느 한 항의 열전사필름을 사용하여 제조된 유기전계발광소자.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005041835A (ja) * 2003-07-24 2005-02-17 Fuji Xerox Co Ltd カーボンナノチューブ構造体、その製造方法、カーボンナノチューブ転写体および溶液
KR100686342B1 (ko) * 2003-11-29 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 농도구배를 갖는 광전변환층을 구비한 열전사 소자
WO2006045085A1 (en) * 2004-10-20 2006-04-27 E.I. Dupont De Nemours And Company Donor element for thermal transfer
US7396631B2 (en) * 2005-10-07 2008-07-08 3M Innovative Properties Company Radiation curable thermal transfer elements
ATE551203T1 (de) * 2007-06-28 2012-04-15 Cabot Corp Leuchte zur erwärmung einer konversionsschicht mit einem modifizierten pigment
KR100972374B1 (ko) * 2007-12-27 2010-07-27 전자부품연구원 젯 프린팅 방법을 이용한 냉음극 제조방법
KR101093361B1 (ko) * 2009-07-21 2011-12-14 도레이첨단소재 주식회사 광열변환층을 갖는 평판표시소자용 열전사 도너 필름 및 그 제조방법
KR20110058176A (ko) * 2009-11-26 2011-06-01 (주)제일특수데칼 발포용 열전사 필름
KR20120138691A (ko) * 2011-06-15 2012-12-26 코오롱인더스트리 주식회사 레이저 열전사 방법용 도너필름

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