KR101340548B1 - 광열 변환층 및 이를 이용한 열전사 필름 - Google Patents

광열 변환층 및 이를 이용한 열전사 필름 Download PDF

Info

Publication number
KR101340548B1
KR101340548B1 KR1020100139674A KR20100139674A KR101340548B1 KR 101340548 B1 KR101340548 B1 KR 101340548B1 KR 1020100139674 A KR1020100139674 A KR 1020100139674A KR 20100139674 A KR20100139674 A KR 20100139674A KR 101340548 B1 KR101340548 B1 KR 101340548B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conversion layer
light
thermal transfer
transfer film
heat conversion
Prior art date
Application number
KR1020100139674A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120077638A (ko
Inventor
박시균
임형태
강경구
이정효
Original Assignee
제일모직주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제일모직주식회사 filed Critical 제일모직주식회사
Priority to KR1020100139674A priority Critical patent/KR101340548B1/ko
Priority to CN201180053375.9A priority patent/CN103189211B/zh
Priority to PCT/KR2011/005921 priority patent/WO2012091243A1/ko
Priority to TW100129583A priority patent/TWI443171B/zh
Publication of KR20120077638A publication Critical patent/KR20120077638A/ko
Priority to US13/927,291 priority patent/US8846168B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101340548B1 publication Critical patent/KR101340548B1/ko

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41MPRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/26Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
    • B41M5/40Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used characterised by the base backcoat, intermediate, or covering layers, e.g. for thermal transfer dye-donor or dye-receiver sheets; Heat, radiation filtering or absorbing means or layers; combined with other image registration layers or compositions; Special originals for reproduction by thermography
    • B41M5/46Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used characterised by the base backcoat, intermediate, or covering layers, e.g. for thermal transfer dye-donor or dye-receiver sheets; Heat, radiation filtering or absorbing means or layers; combined with other image registration layers or compositions; Special originals for reproduction by thermography characterised by the light-to-heat converting means; characterised by the heat or radiation filtering or absorbing means or layers
    • B41M5/465Infrared radiation-absorbing materials, e.g. dyes, metals, silicates, C black
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41MPRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/26Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
    • B41M5/382Contact thermal transfer or sublimation processes
    • B41M5/385Contact thermal transfer or sublimation processes characterised by the transferable dyes or pigments
    • B41M5/3852Anthraquinone or naphthoquinone dyes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)

Abstract

본 발명은 광열 변환층에 근적외선 흡수 염료 및 바인더를 포함시켜, 광열 변환층의 열전사 효율을 높이고 광학 밀도를 높일 수 있는 열전사 필름에 관한 것이다.

Description

광열 변환층 및 이를 이용한 열전사 필름{Light-to-heat conversion layer and thermal transfer film comprising the same}
본 발명은 광열 변환층 및 이를 이용한 열전사 필름에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 광열 변환층에 바인더 및 근적외선 흡수 염료를 포함시켜, 광열 변환층의 열전사 효율을 높이고 광학 밀도를 높일 수 있으며 광열 변환층이 균일한 열전사 필름에 관한 것이다.
최근 광산업, 디스플레이 산업, 반도체 산업, 바이오 산업 등에서 제품의 박막화 및 고성능화의 요구가 증가하고 있다. 이러한 요구에 부합하기 위해서는 각각의 부품을 구성하고 있는 배선 또는 기능성 박막층이 더욱더 작고 균일하게 패턴을 형성하고 있어야 한다.
이를 위한 방법 중에서도 광열 변환층을 이용하는 레이저 유도 열 전사(laser induced thermal imaging) 방법은 특정 파장의 광을 흡수하여 열로 변환시킴으로써 광열 변환층 위에 적층된 전사 재료를 리셉터에 전사시키는 방법으로 많이 사용되고 있다. 일반적으로 광열 변환층에 포함되는 형광 염료 및 방사선 편광 염료, 안료, 금속이 특정 파장의 광을 흡수할 경우 광 에너지를 열 에너지로 변환시키고, 광열 변환층에 포함되는 바인더에 영향을 미쳐 전사 재료를 전사시키게 된다. 그러나, 염료 및 안료의 뭉침 현상으로 광을 흡수하지 못하는 부분이 발생하여 원하고자 하는 부분이 모두 일정하게 전사가 되지 않으며, 코팅층이 균일하지도 않았다.
따라서, 전사 효율을 높일 수 있고, 파장 조사시 광학 밀도(Optical density, OD) 값이 균일하면서 높고, 광열 변환층의 두께 역시 얇으며 외관에서도 코팅층의 균일성이 확보될 수 있는 광열 변환층을 포함하는 열전사 필름을 개발할 필요가 있다.
본 발명의 목적은 전사 효율을 높일 수 있고, 파장 조사시 광학 밀도 값이 균일하면서 높은 광열 변환층을 포함하는 열전사 필름을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 광열 변환층의 두께가 얇고 외관에서도 코팅층의 균일성이 확보될 수 있는 광열 변환층을 포함하는 열전사 필름을 제공하는 것이다.
본 발명의 열전사 필름은 근적외선 흡수 염료 및 바인더로 구성된 광열 변환층을 포함할 수 있다.
일 구체예에서, 근적외선 흡수 염료는 디임모늄계 염료, 금속-착물계 염료, 나프탈로시아닌계 염료, 프탈로시아닌계 염료, 폴리메틴계 염료 및 안트라퀴논계 염료로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
일 구체예에서, 근적외선 흡수 염료는 700 nm에서 1200 nm의 영역의 빛을 흡수하는 염료를 포함할 수 있다.
일 구체예에서, 바인더는 페놀 수지, 폴리비닐 부티르 수지, 폴리비닐 아세테이트, 폴리비닐 아세탈, 폴리비닐리딘 염화물, 폴리아크릴레이트, 셀룰로스 에테르 및 에스테르, 니트로셀룰로스 및 폴리카보네이트, 폴리알킬(메타)아크릴레이트계, 에폭시(메타)아크릴레이트계, 에폭시계, 우레탄계, 에스테르계, 에테르계, 알키드계, 스피로아세탈계, 폴리부타디엔계, 폴리티올폴리엔계, 다가 알코올 등의 다관능 화합물의 (메타)아크릴레이트 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 폴리머를 포함한다.
일 구체예에서, 근적외선 흡수 염료는 광열 변환층 중 고형분 기준으로 0.1 - 10중량%로 포함되고, 바인더는 고형분 기준으로 90 - 99.9중량%로 포함될 수 있다.
일 구체예에서, 광열 변환층은 이온성 액체를 더 포함할 수 있다.
일 구체예에서, 광열 변환층은 광개시제를 더 포함할 수 있다.
본 발명은 전사 효율을 높일 수 있고, 파장 조사시 광학 밀도 값이 균일하면서 높은 광열 변환층을 포함하는 열전사 필름을 제공하였다. 또한, 본 발명은 근적외선 흡수 염료를 이용하여 광열 변환층의 두께가 얇고 외관에서도 코팅층의 균일성이 확보될 수 있는 광열 변환층을 포함하는 열전사 필름을 제공하였다.
본 발명의 열전사 필름은 700 nm ~ 1200 nm의 광을 흡수하는 근적외선 흡수 염료를 포함하는 광열 변환층을 포함할 수 있다. 근적외선 흡수 염료를 광열 변환층에 포함시 리셉터에 대한 전사 효율이 좋았으며 광열 변환층의 외관이 좋았다. 근적외선 흡수 염료는 파장 700 - 1200nm에서 광학 밀도가 1.0-1.5인 것이 바람직하다. 상기 광학밀도 범위를 가질 경우, 광에너지가 열에너지로 효율적으로 변환 되어 바인더를 부풀어오름 현상을 일으켜 전사층의 물질이 리셉터로 전사가 잘 이루어진다.
근적외선 흡수 염료
본 발명의 열전사필름에서 광열 변환층은 근적외선 흡수 염료를 포함할 수 있다. 근적외선 흡수 염료는 광열 변환층에서 상기 바인더와 상호 작용하고 특정 파장의 광을 흡수하여 열로 전환시킨다.
또한, 기존의 나노 단위인 카본 블랙 등을 포함하는 안료보다 균일성이 좋아 광열 변환층의 코팅 균일성을 좋게 할 수 있다. 따라서, 근적외선 흡수 염료는 광열 변환층 내에서 전사 물질의 전사 효율을 높일 수 있다.
근적외선 흡수 염료로는 통상적으로 알려진 것을 사용할 수 있다. 근적외선 흡수 염료는 700-1200nm의 파장대에서 적외선을 흡수한다. 근적외선 흡수 염료는 특별히 한정되지는 않지만, 예를 들면 디임모늄계 염료, 금속-착물계 염료, 나프탈로시아닌계 염료, 프탈로시아니계 염료, 폴리메틴계 염료 및 안트라퀴논계 염료로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다.
바람직하게는 근적외선 흡수 염료는 하기 화학식 1로 표시되는 디임모늄계 염료, 화학식 2로 표시되는 프탈로시아닌계 염료, 화학식 3으로 표시되는 나프탈로시아닌계 염료 및 화학식 4와 5로 표시되는 금속-착물계 염료로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112010087863513-pat00001
(상기 화학식 1에서 R1 내지 R12는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 16의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 16의 아릴기이고, X는 1가 또는 2가의 유기 음이온, 또는 1가 또는 2가의 무기산 음이온이 될 수 있다.)
바람직하게는, 상기 화학식 1에서 R1 내지 R12는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 12의 알킬기 또는 아릴기가 또는 헤테로아릴기이다.
[화학식 2]
Figure 112010087863513-pat00002
[화학식 3]
Figure 112010087863513-pat00003
(상기 화학식 2와 3에서, R은 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 16의 알킬기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 5의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 알릴옥시기, 1개 이상의 불소 치환된 탄소수 1 내지 5의 알콕시기, 또는 치환 또는 비치환된 질소 원자를 1개 이상 갖는 오각환이고, M은 2개의 수소, 2가, 3가 또는 4가의 치환 금속 원자 및 옥시 금속 원자 중 어느 하나를 나타낸다.)
바람직하게는, 상기 상기 화학식 2와 3에서 R은 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 12의 알킬기 또는 아릴기가 또는 헤테로아릴기이다.
[화학식 4]
Figure 112010087863513-pat00004
[화학식 5]
Figure 112010087863513-pat00005
(상기 화학식 4와 5에서, R 및 R1-R2는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 16의 알킬기, 탄소수 1 내지 16의 아릴기, 또는 탄소수 1 내지 16의 알콕시기, 탄소수 1 내지 16의 알킬 아미노기, 탄소수 1 내지 16의 아릴 아미노기, 탄소수 1 내지 16의 알킬 티오기, 탄소수 1 내지 16의 아릴 티오기, 페녹시기, 히드록시기, 트리플루오로메틸기, 니트로기, 시아노기, 할로겐, 페닐기 또는 나프틸기이고, M은 2개의 수소, 2가, 3가 또는 4가의 치환 금속 원자 및 옥시 금속 원자 중 어느 하나를 나타낸다).
상기 화학식 1에서, 1가 또는 2가의 유기 음이온은 유기 카르복시산 음이온, 유기 술폰산 음이온 또는 유기 붕산 이온 또는 유기 금속의 음이온이 될 수 있다. 유기 카르복시산 음이온으로는 아세테이트 음이온, 락테이트 음이온, 트리플루오로아세테이트 음이온, 프로피오네이트 음이온, 벤조에이트 음이온, 옥살레이트 음이온, 숙시네이트 음이온 또는 스테아레이트 음이온이 될 수 있다. 유기 술폰산 음이온으로는 메탄술포네이트 음이온, 톨루엔술포네이트 음이온, 나프탈렌모노술포네이트 음이온, 클로로벤젠술포네이트 음이온, 니트로벤젠술포네이트 음이온, 도데실벤젠술포네이트 음이온, 벤젠술포네이트 음이온, 에탄술포네이트 음이온 또는 트리플루오로메탄술포네이트 또는 비스(vis)트리플루오로메탄술포닐 이미드 산, 트리스(tris)트리플루오로메탄술포닐 이미드 산 음이온이 될 수 있다. 유기 붕산 음이온은 테트라페닐보레이트 음이온 또는 부틸트리페닐보레이트 음이온이 될 수 있다.
상기 화학식 1에서, 1가 무기금속 음이온은 플루오라이드 음이온, 클로라이드 음이온, 브로마이드 음이온 또는 요오디드 음이온을 포함하는 할로겐 음이온, 티오시아네이트 음이온, 헥사플루오로안티모네이트 음이온, 퍼클로레이트 음이온, 퍼요오데이트 음이온, 니트레이트 음이온, 테트라플루오로보레이트 음이온, 헥사플루오로포스페이트 음이온, 몰리브데이트 음이온, 텅스테이트 음이온, 티타네이트 음이온, 바나데이트 음이온, 포스페이트 음이온, 보레이트 음이온 등이 될 수 있다. 상기 2가 무기 음이온은 나프탈렌-1,5-디술포네이트 음이온 또는 나프탈렌-1,6-디술포네이트 음이온 등이 될 수 있지만, 이들에 제한되지 않는다.
상기 화학식 1에서, 바람직하게는 유기 술폰산 음이온 또는 헥사플루오로안티모네이트 음이온, 테트라플루오로보레이트 음이온, 헥사플루오로포스페이트 음이온, 텅스테이트 음이온, 포스페이트 음이온, 보레이트 음이온이 될 수 있다.
근적외선 흡수 염료는 바람직하게는 금속-착물계, 프탈로시아닌계 및 디임모늄계로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다.
근적외선 흡수 염료는 고형분 기준으로 광열 변환층 중 0.1-10중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서, 광열 변환층에 포함시 균일한 외관 및 목표한 광학 밀도 값을 나타낼 수 있다. 바람직하게는 0.5-10중량%로 포함될 수 있다.
바인더
바인더는 광열 변환층의 일 성분으로 포함되어 열전사필름에 파장 700 내지 1200nm 중 염료가 흡수하는 파장으로 광 조사시 기재필름 또는 유기 EL 등을 포함하는 전사 물질을 전사시킬 수 있도록 한다.
본 발명의 광열 변환층에 포함 가능한 바인더로는 특별히 제한되지 않지만, 페놀 수지, 폴리비닐 부티르 수지, 폴리비닐 아세테이트, 폴리비닐 아세탈, 폴리비닐리딘 염화물, 셀룰로스 에테르 및 에스테르, 니트로셀룰로스 및 폴리카보네이트, 폴리알킬(메타)아크릴레이트계, 에폭시(메타)아크릴레이트계, 에폭시계, 우레탄계, 에스테르계, 에테르계, 알키드계, 스피로아세탈계, 폴리부타디엔계, 폴리티올폴리엔계, 다가 알코올 등의 다관능 화합물의 (메타)아크릴레이트 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
바람직하게는, 바인더는 폴리알킬(메타)아크릴레이트계 및 에폭시(메타)아크릴레이트계 바인더의 혼합물을 사용할 수 있다. 폴리알킬(메타)아크릴레이트계 및 에폭시(메타)아크릴레이트계 바인더의 혼합물에서 폴리알킬(메타)아크릴레이트계 바인더 30 내지 70중량% 및 에폭시(메타)아크릴레이트계 바인더 30 내지 70중량%로 혼합될 수 있다. 상기 범위 내에서, 광에너지를 열 에너지로 효율적으로 변환 시켜 열 전사가 잘 이루어진다.
또한, 상기 바인더는 열을 가하였을 때 열분해온도가 450℃ 일 경우 바인더 중 50중량% 이상이 분해되는 것이 바람직하다. 상기 50중량% 이상 분해되었을 때 광열변환층이 열로 인한 부풀어오름 현상으로 전사층의 물질이 리셉션으로 전사가 잘 이루어진다.
바인더는 고형분 기준으로 광열 변환층 중 90-99.9중량%로 포함될 수 있다. 바람직하게는 95-99중량%로 포함될 수 있다.
본 발명의 열전사 필름에서 광열 변환층은 근적외선 흡수 염료 및 바인더 이외에 이온성 액체 및 광개시제를 더 포함할 수 있다.
이온성 액체
이온성 액체는 열전사 필름에서 광열 변환층에 포함되어 근적외선 흡수 염료 및 바인더를 안정화시킬 수 있다.
이온성 액체는 상온에서 액상인 염으로서, 음이온과 양이온만으로 구성된 것이다. 이온성 액체는 근적외선 흡수 염료 특히 디임모늄계 염료의 열화를 감소시킬 수 있다. 디임모늄계 염료에서 음이온과 이온성 액체의 음이온이 동일한 경우에는 내열성을 향상시키는 효과도 있다.
이온성 액체에서 음이온으로는 특별히 제한되지 않지만, Br-, Cl-, I-, BF4-, PF6-, ClO4-, NO3-, AlCl4-, Al2Cl7-, AsF6-, SbF6-, CH3COO-, CF3COO-, CH3SO3-, C2H5SO3-, CH3SO4-, C2H5SO4-, CF3SO3-, (CF3SO2)2N-, (CF3SO2)3C-, (CF3CF2SO2)2N-, C4F9SO3-, C3F7COO- 또는 (CF3SO2)(CF3CO)N-가 될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
이온성 액체에서 양이온으로는 특별히 제한되지 않지만, 치환 또는 비치환된 탄소수 4-20의 이미다졸륨계, 치환 또는 비치환된 탄소수 4-20의 피리디늄계 등의 헤테로 방향족 작용기를 갖는 양이온, 탄소수 1-20의 지방족 암모늄계 또는 탄소수 6-20의 지환족 암모늄계 양이온 등을 사용할 수 있다.
이온성 액체의 구체적인 예로는 N-n-부틸-3-메틸피리디늄 비스 (트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N,N-트리메틸-N-프로필 암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨테트라플루오로보레이트, 또는 1-알릴-3-에틸이미다졸륨 브로마이드 등을 들 수 있다.
이온성 액체는 고형분 기준으로 광열 변환층 100중량부에 대하여 1-70중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서, 바람직하게는 1-50중량부로 포함될 수 있다.
광개시제
광개시제는 열전사 필름에서 광열 변환층에 포함되어 자외선 조사시 바인더를 경화시킴으로써 열전사 필름의 경도를 높일 수 있다.
광개시제는 종래 통상적으로 사용되는 공지의 광개시제를 사용할 수 있다. 예를 들면, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤과 같은 벤조페논계 화합물을 사용할 수 있지만, 이들에 제한되는 것은 아니다.
광개시제는 광열 변환층 100중량부에 대하여 0.1-10중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서, 경도가 충분하게 나올 수 있고, 미반응 개시제가 불순물로 남지 않아 광열 변환층의 경도가 저하되지 않는다. 바람직하게는 0.1 - 0.5중량부로 포함될 수 있다.
광열 변환층은 두께 1-10㎛가 될 수 있다. 상기 범위 내에서, 효율적으로 열전사가 가능할 수 있다. 바람직하게는, 두께 2-5㎛가 될 수 있다.
본 발명의 열전사 필름은 기재 필름 위에 광열 변환층이 적층되어 있고 광열 변환층 위에 전사층이 적층된 구조로 되어 있다. 전사층은 전사 재료를 포함하고 전사 재료로는 유기 EL 등을 포함할 수 있다. 전사층이 특정 패턴을 갖는 리셉터의 표면에 접촉된 상태에서 특정 파장의 레이저가 조사됨으로써 광열 변환층이 광 에너지를 흡수하여 열을 발생시킴으로써 팽창되고, 패턴에 상응하도록 전사층의 전사 재료가 리셉터에 열전사되게 된다.
기재필름은 인접한 광열 변환층과의 부착성이 좋고, 광열 변환층 및 그 이외의 다른 층간의 온도 전달을 제어할 수 있는 것을 사용할 수 있다. 기재필름은 특별히 제한되지 않지만, 투명성이 있는 고분자 필름으로서, 특별히 제한되지 않지만, 폴리에스테르계, 폴리아크릴계, 폴리에폭시계, 폴리에틸렌계, 폴리프로필렌계 및 폴리스티렌계 고분자 필름으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다. 기재필름으로는 폴리에스테르계 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름 또는 폴리에틸렌 나프탈레이트 필름을 주로 사용할 수 있다.
기재필름의 두께는 10-500㎛가 될 수 있다. 바람직하게는 40-100㎛가 될 수 있다.
전사층은 전사 재료를 리셉터로 전사하기 위한 하나 이상의 층을 포함할 수 있다. 이들은 전계 발광 재료 또는 전기적으로 활성인 재료를 포함하는 유기, 무기, 유기 금속성 및 다른 기타 재료를 이용하여 형성될 수 있다.
전사층은 증발, 스퍼터링 또는 용매 코팅에 의해 균일한 층으로 코팅되거나, 또는 디지털 인쇄, 리소그래피 인쇄 또는 증발 또는 마스크를 통한 스퍼터링을 사용하여 패턴으로 인쇄됨으로써, 광열 변환층 위에 형성된다.
본 발명의 열전사 필름에서 광열 변환층과 전사층 사이에는 중간층(interlayer)이 더 적층될 수 있다. 중간층은 전사층의 전사되는 재료의 손상 및 오염을 최소화하기 위해 사용될 수 있고, 전사층의 전사 재료의 뒤틀림을 감소시킬 수도 있다. 또한, 중간층은 광열 변환층에 대한 전사층에 부착을 좋게 하고 리셉터에서 패턴이 형성된 부분 및 패턴이 형성되지 않은 부분의 전사층의 해제를 제어할 수 있다.
중간층은 중합체 필름, 금속층, 무기층(무기 산화물(예를 들면 실리카, 티타니아, 및 다른 금속 산화물)의 졸-겔 증착된 층 및 기상 증착된 층), 및 유기/무기 복합층을 포함한다. 유기 재료로는 열경화성 및 열가소성 재료 모두를 포함할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.
하기 실시예와 비교예에서 사용된 성분의 구체적인 사양은 다음과 같다.
1. 바인더로 폴리메틸메타아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트계 바인더, 비스페놀 A 에폭시아크릴레이트 바인더를 사용하였다.
2. 근적외선 흡수 염료로 금속-착물계 염료 NIR-885DTN(경인양행), 프탈로시아니닌계 염료 PC-970(욱성 화학) 및 디임모늄계 염료 CIR1081(Japan Carlit Co.)를 사용하였다.
3.기재필름으로 두께 75㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(PET 필름)인 Toyobo의 A4300을 사용하였다.
실시예 1
폴리메틸메타아크릴레이트 45중량%, 및 비스페놀 A에폭시아크릴레이트계 바인더 45중량%를 혼합하여 바인더 혼합물을 제조하였다. 상기 바인더 혼합물에 상기 금속-착물계 염료 10중량%를 첨가하고 30분 동안 혼합하여 광열변환층용 조성물을 제조하였다. 상기 기재필름에 바코팅한 후 80℃에서 2분 동안 건조시켜 두께 2.5㎛의 도막을 형성하여 열전사 필름을 제조하였다.
실시예 2
상기 실시예 1에서 금속-착물계 염료 대신에 디임모늄계 염료를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법을 실시하여 열전사 필름을 제조하였다.
비교예 1
상기 실시예 1에서 금속-착물계 염료 대신에 포피린계 염료를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법을 실시하여 열전사 필름을 제조하였다.
비교예 2
상기 실시예 1에서 금속-착물계 염료 대신에 카본블랙 안료를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법을 실시하여 열전사 필름을 제조하였다.
실험예: 열전사 필름의 물성 평가
상기 실시예와 비교예에서 제조된 열전사 필름에 대해 하기 표 1에 기재된 물성을 평가하고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
물성 평가 방법
1. OD(optical density) 값: 상기 실시예와 비교예에서 제조된 열전사 필름에 대하여 970nm에서 Perkin Elmer Lambda 950 UV-VIS spectrometer를 사용하여 흡광도 값을 측정하였다.
2. 외관 : 상기 실시예와 비교예에서 제조된 열전사 필름에 대하여 Nikon ECLIPSE L150 광학 현미경을 사용하여 광열 변환층의 외관을 측정하였다. 얼룩 및 표면 이상이 없을 경우 "양호"로 표시하였고, 있을 경우 "불량"으로 표시하였다.
실시예 1 실시예 2 비교예 1 비교예 2
OD (970 nm에서) 1.2 1.4 0.8 0.7
외관 양호 양호 양호 불량
상기 표 1에서 나타난 바와 같이, 위의 실시예에 따라 열전사 필름을 제작한 후, 970 nm에서 흡광도를 측정한 결과, 실시예1, 2는 열전사가 이루어질 수 있는 OD의 목표값이 1.0 ~ 1.5 안의 값을 가지며, 외관은 양호하였다. 가시광염료를 사용한 비교예1 및 안료를 사용한 비교예2의 광학밀도는 목표치에 도달하지 못하였으며, 비교예2의 외관도 양호하지 못하였다.

Claims (14)

  1. 근적외선 흡수 염료 및 바인더를 포함하는 광열변환층을 포함하는 열전사필름으로서,
    상기 바인더는 열분해 온도가 450℃일 경우 50중량% 이상 분해되는 바인더인 것을 특징으로 하는 열전사필름.
  2. 제1항에 있어서, 상기 근적외선 흡수 염료는 700 nm ~ 1200 nm의 영역의 빛을 흡수하는 염료인 것을 특징으로 하는 열전사 필름.
  3. 제1항에 있어서, 상기 근적외선 흡수 염료는 디임모늄계 염료, 금속-착물계 염료, 나프탈로시아닌계 염료, 프탈로시아닌계 염료, 폴리메틴계 염료 및 안트라퀴논계 염료로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 열전사 필름.
  4. 제1항에 있어서, 상기 근적외선 흡수 염료는 고형분 기준으로 상기 광열 변환층 중 0.1-10중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 열전사 필름.
  5. 제1항에 있어서, 상기 바인더는 페놀 수지, 폴리비닐 부티르 수지, 폴리비닐 아세테이트, 폴리비닐 아세탈, 폴리비닐리딘 염화물, 폴리아크릴레이트, 셀룰로스 에테르 및 에스테르, 니트로셀룰로스 및 폴리카보네이트, 폴리알킬(메타)아크릴레이트계, 에폭시(메타)아크릴레이트계, 에폭시계, 우레탄계, 에스테르계, 에테르계, 알키드계, 스피로아세탈계, 폴리부타디엔계, 폴리티올폴리엔계, 다가 알코올 등의 다관능 화합물의 (메타)아크릴레이트 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 열전사 필름.
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서, 상기 바인더는 고형분 기준으로 상기 광열 변환층 중 90-99.0중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 열전사 필름.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 제1항에 있어서, 상기 광열 변환층은 광개시제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전사 필름.
  12. 제1항에 있어서, 상기 광열 변환층은 두께가 1-10㎛인 것을 특징으로 하는 열전사 필름.
  13. 기재필름,
    상기 기재필름 위에 적층되어 있는, 제1항 내지 제5항, 제7항, 제11항 내지 제12항 중 어느 한 항의 광열변환층; 및
    상기 광열변환층 위에 적층되어 있는 전사층을 포함하는 열전사필름.
  14. 기재필름,
    상기 기재필름 위에 적층되어 있는, 제1항 내지 제5항, 제7항, 제11항 내지 제12항 중 어느 한 항의 광열변환층;
    상기 광열변환층 위에 적층되어 있는 중간층; 및
    상기 광열변환층 위에 적층되어 있는 전사층을 포함하는 열전사필름.
KR1020100139674A 2010-12-27 2010-12-30 광열 변환층 및 이를 이용한 열전사 필름 KR101340548B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100139674A KR101340548B1 (ko) 2010-12-30 2010-12-30 광열 변환층 및 이를 이용한 열전사 필름
CN201180053375.9A CN103189211B (zh) 2010-12-27 2011-08-12 热转印膜
PCT/KR2011/005921 WO2012091243A1 (ko) 2010-12-27 2011-08-12 열전사 필름
TW100129583A TWI443171B (zh) 2010-12-27 2011-08-18 熱傳膜
US13/927,291 US8846168B2 (en) 2010-12-27 2013-06-26 Thermal transfer film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100139674A KR101340548B1 (ko) 2010-12-30 2010-12-30 광열 변환층 및 이를 이용한 열전사 필름

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120077638A KR20120077638A (ko) 2012-07-10
KR101340548B1 true KR101340548B1 (ko) 2013-12-11

Family

ID=46711091

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100139674A KR101340548B1 (ko) 2010-12-27 2010-12-30 광열 변환층 및 이를 이용한 열전사 필름

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101340548B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102175754B1 (ko) * 2013-01-24 2020-11-06 도레이첨단소재 주식회사 레이저 열전사용 투명성 도너필름
KR102107661B1 (ko) * 2013-01-30 2020-05-07 도레이첨단소재 주식회사 레이저 열전사용 도너필름
KR102095544B1 (ko) * 2018-03-09 2020-03-31 도레이첨단소재 주식회사 레이저 열전사 필름

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001047743A (ja) 1999-08-05 2001-02-20 Dainippon Printing Co Ltd 熱転写記録方法及び熱転写記録装置
US7112396B2 (en) * 2002-04-01 2006-09-26 Fuji Photo Film Co., Ltd. Multicolor image forming material
KR20070067725A (ko) * 2004-10-20 2007-06-28 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 열 전사용 도너 요소

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001047743A (ja) 1999-08-05 2001-02-20 Dainippon Printing Co Ltd 熱転写記録方法及び熱転写記録装置
US7112396B2 (en) * 2002-04-01 2006-09-26 Fuji Photo Film Co., Ltd. Multicolor image forming material
KR20070067725A (ko) * 2004-10-20 2007-06-28 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 열 전사용 도너 요소

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120077638A (ko) 2012-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI357380B (ko)
KR102286678B1 (ko) 광열 변환층, 도너 시트
US8846168B2 (en) Thermal transfer film
KR101340548B1 (ko) 광열 변환층 및 이를 이용한 열전사 필름
KR102543285B1 (ko) 광열 변환층, 도너 시트
KR102355561B1 (ko) 광열 변환층, 도너 시트
KR101332438B1 (ko) 열전사 필름
JP4440720B2 (ja) 光学フィルム
US8968845B2 (en) Thermal transfer film
KR102107661B1 (ko) 레이저 열전사용 도너필름
JP2007078786A (ja) ディスプレイ用光学フィルム
KR20000035490A (ko) 근적외흡수조성물
KR102175754B1 (ko) 레이저 열전사용 투명성 도너필름
KR101937878B1 (ko) 파장 선택적 광열변환 필름 및 이를 이용한 oled용 전사 필름
KR102132279B1 (ko) 레이저 열전사용 도너필름
KR20110132021A (ko) Liti 도너필름
JP2010008497A (ja) 近赤外線遮蔽体及びそれを用いたディスプレイ用前面板
KR101587678B1 (ko) 기재층과 광열변환층이 일체화된 광열변환필름 및 이를 이용한 oled용 전사 필름
KR20200137538A (ko) 레이저 전사 필름
JP2005075887A (ja) 機能性色素含有樹脂微粒子及びその製造方法
KR20140086756A (ko) 열전사필름 및 이를 이용한 유기전계발광소자
KR20150065527A (ko) 열전사필름 및 이를 사용하여 제조된 유기전계발광소자
JP2007093706A (ja) ディスプレイ用フィルタ及びディスプレイ
JP2008070869A (ja) 光学フィルム用組成物および光学フィルム
JP2007310383A (ja) 近赤外線遮蔽体及びディスプレイ用前面板

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161115

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171121

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181119

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191203

Year of fee payment: 7