CN101231135B - 减压干燥装置 - Google Patents

减压干燥装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101231135B
CN101231135B CN2007101932234A CN200710193223A CN101231135B CN 101231135 B CN101231135 B CN 101231135B CN 2007101932234 A CN2007101932234 A CN 2007101932234A CN 200710193223 A CN200710193223 A CN 200710193223A CN 101231135 B CN101231135 B CN 101231135B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
heating
chamber
dry device
decompression dry
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2007101932234A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101231135A (zh
Inventor
柿村崇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Skilling Group
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Publication of CN101231135A publication Critical patent/CN101231135A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101231135B publication Critical patent/CN101231135B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115Apparatus for thermal treatment mainly by radiation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

本发明提供一种迅速地实施减压干燥处理和加热处理的同时,降低作为整体的装置的占有面积且对非加热时的基板的热影响小的减压干燥装置。该减压干燥装置(1)具有对腔室(10)内部进行减压的功能,并具有对腔室(10)内的基板(9)进行加热的加热部(30)。因此,减压干燥装置(1)能够在对基板(9)实施减压干燥处理后,不搬运基板(9)而对该基板(9)进行加热。因此,能够迅速地进行减压干燥处理和加热处理。另外,由于无需为了加热处理而另外设置装置,能够降低作为整体的装置的占有面积。另外,因加热部(30)从上方侧加热基板(9),所以非加热时的余热影响基板(9)的可能性小。

Description

减压干燥装置
技术领域
本发明涉及一种对半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板、PDP(等离子显示器)用玻璃基板、光盘用基板等的基板进行减压干燥处理的减压干燥装置。
背景技术
以往,已知一种在基板的制造工序中,对涂布有光致抗蚀剂等薄膜的基板进行减压干燥处理的减压干燥装置。减压干燥装置是在将基板搬入给定的腔室内之后,通过排气泵将腔室内的气体吸引排出,以给腔室的内部减压。由此,基板上的薄膜中的溶剂成分气化,薄膜干燥。以往的减压干燥装置的构成例如由专利文献1(日本特开2006-105524号公报)公开。
并且,在以往的基板制造工序中,在如此减压干燥装置中,被实施了减压干燥处理的基板在其后顺序地向其他加热装置或冷却装置输送,在这些装置中对基板顺序地实施加热处理和冷却处理。由此,进一步促进了基板上的薄膜的干燥,使薄膜固化。
发明所要解决的技术问题
但是,在以往的装置构成中,为了防止在加热装置中进行加热时,基板上的薄膜中的溶剂成分暴沸,需要花费足够的时间在减压干燥装置中进行减压干燥处理。特别是近年来,成为处理对象的基板的尺寸变大,因而进一步增加了减压干燥处理所需的时间。
此外,在以往,上述的减压干燥装置和加热装置是作为分体装置构成的。为此,在减压干燥处理与加热处理之间,需要将基板从减压干燥装置输送到加热装置中。因此,很难迅速地进行减压干燥处理和加热处理,并且,作为整体,装置的占有面积变大。
另外,要在减压干燥装置的腔室内设置加热机构时,会担心即使在非加热时,加热机构的余热也会对基板产生热影响。如此余热所致的热影响具有成为薄膜暴沸或干燥不均匀的原因的情况,这是所不希望的。
发明内容
本发明是鉴于上述的问题而做出的,其目的在于提供一种迅速地进行减压干燥处理和加热处理的同时使装置整体的占有面积降低,且对非加热时的基板的热影响少的减压干燥装置。
解决技术问题的方案
为了解决上述的技术问题,本发明的第一方面为,一种将形成于基板主面上的薄膜加以减压干燥的减压干燥装置,其特征在于,包括:覆盖基板周围的腔室;支承机构,其在所述腔室的内部,在所述基板的主面朝上的状态下支承基板;减压机构,其对所述腔室的内部进行减压;加热机构,其从上方侧对所述支承机构所支承的基板进行加热;控制部,其在利用所述减压机构而执行的减压开始并经过给定时间后,使所述加热机构开始加热。
本发明的第二方面为,在第一方面所述的减压干燥装置中,其特征在于,所述加热机构具有:加热灯,其通过照射光来产生热量;以及扩散板,其对所述加热灯产生的热量进行扩散。
本发明的第三方面为,在第二方面所述的减压干燥装置中,其特征在于,还具有第一距离调节机构,该第一距离调节机构对所述加热机构与基板之间的距离进行调节。
本发明的第四方面为,在第三方面所述的减压干燥装置中,其特征在于,所述第一距离调节机构在所述加热机构实施加热时,使所述加热机构和基板慢慢接近。
本发明的第五方面为,在第四方面所述的减压干燥装置中,其特征在于,所述减压机构在所述加热机构实施加热时,使所述腔室内的压力恢复。。
本发明的第六方面为,在第一~第五方面中的任一项所述的减压干燥装置中,其特征在于,还具有对所述加热机构供给气体的加热部净化机构。
本发明的第七方面为,在第一~第五方面中的任一项所述的减压干燥装置中,其特征在于,基板由所述支承机构支承时所述腔室内的基板位置的温度为40℃以下。
本发明的第八方面为,在第一~第五方面中的任一项所述的减压干燥装置中,其特征在于,在所述腔室的内部,还具有从下方侧冷却基板的冷却机构。
本发明的第九方面为,在第八方面所述的减压干燥装置中,其特征在于,还具有第二距离调节机构,该第二距离调节机构对所述冷却机构与基板之间的距离进行调节。
本发明的第十方面为,在第九方面所述的减压干燥装置中,其特征在于,还具有对由所述支承机构支承的基板供给气体的基板净化机构。
本发明的第十一方面为,在第十方面所述的减压干燥装置中,其特征在于,所述基板净化机构在利用所述冷却机构而执行的冷却开始并经过给定时间后,开始气体的供给。
发明的效果
根据本发明,减压干燥装置包括:覆盖基板周围的腔室;支承机构,其在所述腔室的内部,在所述基板的主面朝上的状态下支承基板;减压机构,其对所述腔室的内部进行减压;以及加热机构,其从上方侧对所述支承机构所支承的基板进行加热。因此,减压干燥装置能够在对基板实施减压干燥处理后,不搬运基板而加热该基板。因此,能够迅速地进行减压干燥处理和加热处理,作为整体,装置的占有面积也降低。另外,因加热机构从上方侧加热基板,非加热时对基板的热影响小。此外,加热机构在减压机构实施的减压开始且经过给定时间后,给予基板热量。因此,加热机构给予基板热量时,减压干燥处理已在某种程度下进行,能在防止薄膜的暴沸或加热不匀的同时加热基板。
特别是,根据本发明的第二方面,加热机构具有加热灯,其通过照射光来产生热量;以及扩散板,其对所述加热灯产生的热量进行扩散。为此,来自加热灯上的光和热量能够通过扩散板到达基板的表面,能够均匀地加热基板的上表面。另外,因加热灯非加热时的余热极小,所以非加热时对基板的热影响的可能性小。
特别是,根据本发明的第三方面,还具有第一距离调节机构,该第一距离调节机构对所述加热机构与基板之间的距离进行调节。因此,能够调节对基板进行加热的强度。
特别是,根据本发明的第四方面,所述第一距离调节机构在所述加热机构实施加热时,使所述加热机构和基板慢慢接近。因此,能够在防止薄膜的暴沸或加热不匀的同时提高对基板的加热效率。
特别是,根据本发明的第五方面,所述减压机构在所述加热机构实施加热时,使所述腔室内的压力恢复。因此,能够提高从加热机构向基板传送热量的效率,能够高效地加热基板的上面。
特别是,根据本发明的第六方面,还具有对所述加热机构供给气体的加热部净化机构。因此,能够降低加热机构的余热。
特别是,根据本发明的第七方面,基板由所述支承机构支承时所述腔室内的基板位置的温度为40℃以下。因此,基板由支承机构支承时,能够防止成为未干燥的薄膜产生暴沸等不均匀原因的不良影响。
特别是,根据本发明的第八方面,在所述腔室的内部,还具有从下方侧冷却基板的冷却机构。因此,减压干燥装置能够在对基板实施减压干燥处理和加热处理后,不搬运基板而对冷却该基板。为此,能够迅速地进行减压干燥处理、加热处理和冷却处理,作为整体装置的占有面积也降低。另外,因冷却机构从下方侧冷却基板,非冷却时对基板的热影响少。
特别是,根据本发明的第九方面,还具有第二距离调节机构,该第二距离调节机构对所述冷却机构与基板之间的距离进行调节。因此,能够调节冷却基板的强度。
特别是,根据本发明的第十方面,还具有对由所述支承机构支承的基板供给气体的基板净化机构。因此,能够更迅速地且均匀地冷却基板的上表面侧。
特别是,根据本发明的第十一方面,所述基板净化机构在利用所述冷却机构而执行的冷却开始并经过给定时间后,开始气体的供给。因此,能够更缓慢地冷却基板,从而进一步降低冷却不匀的发生。
附图说明
图1为本发明一实施方式的减压干燥装置的纵剖视图,
图2为示出控制部与各部的连接构成的框图,
图3为示出减压干燥装置的处理流程的流程图,
图4为减压干燥装置的动作状态图,
图5为减压干燥装置的动作状态图,
图6为减压干燥装置的动作状态图,
图7为减压干燥装置的动作状态图,
图8为减压干燥装置的动作状态图,
图9为示出腔室内的压力变化的图。
具体实施方式
下面,参照附图,说明本发明较佳实施形态。
1.减压干燥装置的整体构成
图1为示出本发明一实施方式的减压干燥装置1的构成的纵剖视图。在图1中,也示意地示出了与减压干燥装置1连接的吸排气系统或驱动系统的构成。该减压干燥装置1为,在有选择地蚀刻液晶显示装置用的方形玻璃基板(以下简称为“基板”)9表面的光刻工序中,对涂布了抗蚀剂后的基板9进行减压干燥处理和随后的加热·冷却处理用的装置。如图1所示,减压干燥装置1具有腔室10、基板保持部20、加热部30、冷却部40、供气部50和排气部60。
腔室10为对基板进行减压干燥处理、加热处理和冷却处理用的、内部具有处理空间的耐压容器。腔室10具有相互可分离的基座部11和盖部12。基座部11固定设置于装置机架(未图示)上。另外,盖部12与图1中示意地示出的升降机构12a连接,当升降机构12a动作时,盖部12相对基座部11上下升降移动。盖部12下降后,基座部11与盖部12抵接而成为一体,其内部形成基板9的处理空间。另外,盖部12上升时,腔室10被开启,成为在腔室10的内部与外部之间可搬运基板9的状态。
在基座部11上表面的周缘部设有由硅酮橡胶等构成的O型环13。盖部12下降后,基座部11的上表面与盖部12的下表面之间由O型环13而密闭起来,从而腔室10内部的处理空间成为气密状态。
基板保持部20为,在腔室10的内部保持基板9用的机构。基板保持部20具有多个基板保持销21,通过使各基板保持销21的头部与基板9的下表面抵接,而将基板9保持为水平姿势并进行支承。多个基板保持销21在位于腔室10外部的一个支承部件22上直立设置,分别穿过基座部11和后述的冷却板41,并突出到腔室10的内部。
另外,支承部件22与图1中示意地示出的升降机构23连接。为此,当升降机构23进行动作时,支承部件22和多个基板保持销21一体地上下升降移动。减压干燥装置1在将基板9保持在多个基板保持销21上的同时,使升降机构23动作,由此能够调节腔室10内的基板9的高度位置。
加热部30为,在腔室10内,对基板保持部20所保持的基板9的上表面进行加热的机构。加热部30具有成为加热源的多根杆状加热灯31、和使得由加热灯31照射的光和热扩散的扩散板32。多个加热灯31通过给定的夹具(未图示)而被安装到腔室10的盖部12的下表面侧,以水平(垂直于图1的纸面的方向)的且作为整体可以覆盖基板9上方的方式排列。加热灯31的开关性能优越,虽然照射时对基板9给予很大的热量,但是停止后的余热非常小。另外,加热灯31设置于基板9的上方侧。因此,使加热灯31停止后的很少的余热影响基板9的可能性小。
扩散板32通过给定的夹具(未图示)而被安装到腔室10的盖部12的下表面侧,并在多个加热灯31与基板9之间水平配置。扩散板32例如由石英玻璃构成。当加热灯31动作时,加热灯31照射的光和热就通过扩散板32均匀地到达基板9的表面,加热基板9的上表面。另外,将基板9保持在多个基板保持销21上,当上述的升降机构23动作时,基板9与扩散板32之间的距离发生变化。减压干燥装置1通过这样来改变基板9与扩散板32之间的距离,能够调节对基板9进行加热的强度。
冷却板40为,在腔室10内,对基板保持部20所保持的基板9进行冷却的机构。冷却板40具有固定安装到腔室10的基座部11上的冷却板41,在冷却板41的内部形成有让冷却水通过用的冷却水通路42。冷却水通路42的上游侧的端部通过管道43a和开关阀43b而与冷却水供给源43c连接。而冷却水通路42的下游侧的端部通过管道43d而与排液管路连接。因此,当开启开关阀43b后,冷却水就从冷却水供给源43c向冷却水通路42供给,从而冷却板41被冷却。然后,由冷却水而被低温化的冷却板41吸收从基板9放射的热量来冷却基板9。
基板9保持在多个基板保持销21上,当上述的升降机构23动作时,基板9与冷却板41之间的距离发生变化。减压干燥装置1通过这样地改变基板9与冷却板41之间的距离,能够调节对基板9进行冷却的强度。另外,冷却板41设置于基板9的下方一侧。因此,在非冷却时,冷却板41对基板9的热量影响少。
供气部50为向腔室10内供给氮气用的管路系统。供气部50具有形成于腔室10的盖部12上的排出部51a,51b,51c和、向这些排出部51a,51b,51c输送氮气用的管道部52。管道部52是将多个管道52a,52b,52c,52d、多个开关阀52e,52f,52g和氮气供给源52h组合而成的。
排出部51a,51b,51c分别与管道52a,52b,52c连接,各管道52a,52b,52c的路径途中安装有开关阀52e,52f,52g。此外,管道52a,52b,52c的上游侧的端部与一个管道52d连接,在管道52d的更上游侧的端部连接有氮气供给源52h。为此,当开关阀52e,52f,52g开启之后,氮气就从氮气供给源52h分别供给向排出部51a,51b,51c,并且氮气从各排出部51a,51b,51c向腔室10的内部排出。
排出部51a,51b,51c中的排出部51a和51c在加热灯31的上方侧设有排出口。因此,从排出部51a,51c排出的氮气被吹向加热灯31和扩散板32,从而具有冷却加热灯31和扩散板32的效果。另外,排出部51b贯通扩散板32地延伸到扩散板32的下表面侧,在扩散板32的下方侧设有排出口。因此,从排出部51b排出的氮气被吹向基板9的上表面,从而具有冷却基板9的效果。排出部51b向基板9的中心位置喷射氮气。因此,从排出部51b排出的氮气沿着基板9的上表面从中心位置向外周侧扩散,从而高效地冷却整个基板9。
排气部60为吸引并排出腔室10内气体的管路系统。排气部60具有形成于腔室10的基座部11上的排气口61a,61b和、将从这些排气口61a,61b吸引的气体向排气管路输送的管道部62。管道部62是将多个管道62a,62b,62c、开关阀62d和排气管路62e组合而成的。
排气口61a,61b分别与管道62a,62b连接,管道62a,62b的下游侧的端部合流成一个管道62c。另外,在管道62c的路径途中安装有开关阀62d和排气泵62e,并且管道62c更下游侧的端部与排气管路连接。因此,当开关阀62d开放的同时使排气泵62e动作时,腔室10内的气体就由排气口61a,61b吸引,并经由管道部62向排气管路排气。
排气泵62e可调节其排气力。当调节排气泵62e的排气力时,能够在强力吸引腔室10内的气体而将腔室10的压力减小的状态和不使腔室10内的压力急剧减小地进行排气的状态之间进行切换。
另外,减压干燥装置1具有控制上述各部的动作的控制部70。图2示出了减压干燥装置1的上述各部与控制部70的连接构成的框图。如图2所示,控制部70与上述的升降机构12a,23、加热灯31、开关阀43b,52e,52f,52g,62d以及排气泵62e电性连接,并控制它们的动作。控制部70例如由具有CPU或存储器的计算机构成,计算机根据计算机中安装的程序进行工作,以实施对上述各部的控制。
2.减压干燥装置的动作
接着,参照图3的流程图和图4~图8的动作状态图说明具有上述构成的减压干燥装置1的动作。另外,以下说明的动作是通过控制部70控制上述的升降机构12a,23、加热灯31、开关阀43b,52e,52f,52g,62d和排气泵62e等的动作而进行的。
在该减压干燥装置1中处理基板9时,首先,将上表面涂布有光致抗蚀剂的基板9搬入腔室10内(步骤S1,图4的状态)。具体来说,首先,减压干燥装置1利用升降机构12提升腔室10的盖部12。然后,通过给定的输送机械臂80,将基板9搬入到腔室10的内部,并将基板9载置于多个基板保持销21上。基板9的搬入结束后,输送机械臂80就向腔室10的外部退退,然后减压干燥装置1使腔室10的盖部12下降,密闭腔室10的内部。
在此,当搬入基板9时如果腔室10内的温度(更正确地说,在腔室10内载置基板9的位置的温度)过高,则基板9上表面的未干燥的光致抗蚀剂就会被加热而产生暴沸,从而在基板9的上表面会产生处理不均匀。因此,在搬入基板9时,优选使腔室10内的温度处于某种较低的程度。表1示出了对在本实施方式的减压干燥装置1中、搬入基板9时腔室10内的温度与处理后基板9的表面状态的关系进行调查的结果。在表1中,“○”表示处理后的基板9的表面被确认为没有处理不均匀,“△”表示处理后的基板9的表面被确认为局部处理不均匀,“×”表示基板9的表面被确认为整体处理不均匀。根据表1的结果,将基板9载置于基板保持销21上时,优选腔室10内的温度在40℃以下,更优选在35℃以下。
表1
  腔室内温度   23℃   30℃   35℃   40℃   45℃
  结果   ○   ○   ○   △   ×
接下来,开始腔室10内的减压(步骤S2,图5的状态)。具体来说,减压干燥装置1在开放排气部60的开关阀62d的同时使排气泵62e动作,由此将腔室10内部的气体从排气口61a,61b强制排出,从而使腔室10内部的压力减小。当腔室10内部的压力被减压后,涂布在基板9表面上的光致抗蚀剂中含有的溶剂成分气化。由此,基板9上的光致抗蚀剂干燥。
图9为示出腔室10内的压力变化的视图。减压干燥装置1设定成,在减压开始后的一定时间内,排气泵62e的排气力较弱。由此,如图9中的T1所示,腔室10内部的压力缓慢减小。然后,从减压开始起经过一定时间后,减压干燥装置1使排气泵62e的排气力上升,如图9中的T2所示,将腔室10内部的压力强力减小。如此,减压干燥装置1对腔室10内部的压力分两阶段进行减压。由此,防止腔室10内的压力急剧变化,避免基板9上的光致抗蚀剂中含有的溶剂成分暴沸。
当从减压开始起经过给定时间后,减压干燥装置1继续对腔室10内部进行减压,同时开始基板9的加热(步骤S3,图6的状态)。具体来说,减压干燥装置1使加热灯31工作,通过扩散板32,均匀地加热基板9的上表面。由此,使基板9上的光致抗蚀剂中含有的溶剂成分升温,进一步促进溶剂成分的气化。如此,减压干燥装置1将处理空间的减压和对基板9的加热并用,从而提高了光致抗蚀剂的干燥效率。
之后,减压干燥装置1使排气泵62e的排气力降低,同时,通过开放供气部的开关阀52e,52f,52g,向腔室10内供给氮气。由此,如图9中的T3所示,将腔室10的内部恢复到比常压Po稍低的压力(例如,1×104~1×105Pa)。然后,减压干燥装置1在使腔室10内的压力上升的状态下,继续加热灯31进行的加热。
当腔室10内的压力上升后,就提高了热量从加热灯31向基板9的传送效率。因此,基板9的上表面被高效地加热,进一步促进了光致抗蚀剂中的溶剂成分的气化。并且,因继续进行从腔室10排气的操作,所以从光致抗蚀剂中气化的溶剂成分会快速地向腔室10的外部排出。因此,腔室10的内部由溶剂成分污染的可能性小。另外,在此时刻,光致抗蚀剂的干燥在某种程度下进行。因此,即使强力加热基板9的上表面,光致抗蚀剂中的溶剂成分也不会暴沸。
此外,加热基板9时,断续地或连续地使基板保持部20的升降机构23进行动作来使基板9慢慢地上升。由此,对基板9加热的强度(给予基板9的热量)慢慢上升,从而防止了溶剂成分的暴沸或加热不匀,同时,提高了加热效率。因在加热灯31与基板9之间配置有扩散板32,所以不会有从光致抗蚀剂中气化的溶剂成分附着到加热灯31上,污染加热灯31的表面的担心。
当给定时间的加热结束后,减压干燥装置1就使加热灯31停止,结束基板9的加热。加热灯31在开关性能方面优越,并且在腔室10内配置于比基板9更上方的一侧。因此,使加热灯31停止后的余热对基板9热影响的可能性小。特别是,不会有在下次的基板搬入时,加热灯31的余热因热对流而传递给基板9从而加热基板9的可能性的担心。
接着,减压干燥装置1开始利用冷却部40对基板9进行冷却(步骤S4,图7的状态)。具体来说,减压干燥装置1通过开放开关阀43b而将冷却水向冷却板41内的冷却水通路42供给,从而冷却冷却板41。然后,冷却了的冷却板41吸收从基板9放射的热量而使基板9冷却。
即使在冷却处理时,减压干燥装置1仍然继续从排出部51a,51b,51c排出氮气。从排出部51b排出的氮气向基板9的上表面喷射,从而促进基板9的冷却。为此,基板9的上表面侧更迅速和均匀地被冷却。并且,从排出部51a、51c排出的氮气被吹向加热灯31和扩散板32喷射,从而促进了加热灯31或扩散板32的冷却。因此,进一步降低了加热灯31和扩散板32的余热,从而更均匀地冷却基板9。
另外,在冷却基板9时,使基板保持部20的升降机构23断续地或连续地动作,从而使基板9慢慢下降。由此,对基板9冷却的强度(从基板9吸收的热量)慢慢地上升,防止冷却不匀的同时提高了冷却效率。不久,当基板保持销21的头部下降到比冷却板41的上表面还下方的位置时,基板9就从基板保持销21上被转置于冷却板41上,基板9在接触并保持在冷却板41上的状态下被直接冷却。
之后,减压干燥装置1将冷却后的基板9从腔室10中搬出(步骤S5,图8的状态)。具体来说,减压干燥装置1通过停止排气泵62e,将腔室10内部压力恢复到常压。并且,减压干燥装置1通过使多个基板保持销21上升,使基板9离开冷却板。然后,减压干燥装置1通过升降机构12a使腔室10的盖部12上升,在将输送机械臂80插入腔室10内部的同时,输送机械臂80接受基板保持销21上的基板9,并向腔室10的外部搬出。由此,结束对一张基板9的减压干燥处理、加热处理和冷却处理。
如上所述,该减压干燥装置1具有将腔室10的内部减压的功能,同时,具有对腔室10内的基板9加热的加热部30和对腔室10内的基板9冷却的冷却部40。为此,减压干燥装置1能够在对基板9实施减压干燥处理后,不搬运基板9而对基板9进行加热·冷却。因此,能够将减压干燥处理、加热处理和冷却处理作为整体迅速地进行。并且,由于无需为了加热处理和冷却处理而分别设置相应的装置,能够降低作为整体的装置的占有面积。
另外,该减压干燥装置1的加热部30从上方侧加热基板9。因此,非加热时的余热影响基板9的可能性小。而该减压干燥装置1的冷却部40设置于基板9的下方侧。因此,非冷却时,冷却板41对基板给予热影响的可能性小。因此,能够在不发生加热不均匀或冷却不均匀的情况下加热和冷却基板9。
此外,加热部30是在开始腔室10内的减压并经过给定时间后向基板9供给热量的。为此,在加热部30向基板9供给热量时,光致抗蚀剂的减压干燥处理已在某种程度下进行。因此,能够防止光致抗蚀剂的暴沸或因急剧干燥所致的加热不均匀等的状态下加热基板9。
3.变形例
以上对本发明一实施方式进行了说明,但本发明并不限于上述例。例如,在上述例中,在步骤S4的冷却处理中,进行来自排出部51a,51b,51c的氮气的排出,但在冷却处理的初期阶段也可以不进行氮气的排出,而是在冷却处理的途中进行氮气的排出。如此能够更缓慢地冷却基板9,所以能够进一步降低冷却不均匀的发生。
另外,在上述例中,是从减压干燥处理(步骤S2)的途中开始基板9的加热(步骤S3)的,但也可在其他时刻开始加热。例如,可在减压干燥处理结束、使腔室10内部压力恢复后开始基板9的加热。此外,也可在减压干燥处理的初期阶段(例如图9中的T1期间)开始基板9的加热。另外,在步骤S3之前,不必一定使加热部30停止。例如,也可在步骤S3之前,将加热灯31预热为对基板9不给予热量的程度,在步骤S3中,提高加热灯31的输出来给予基板9热量。
此外,在上述例中,是通过使基板保持销21升降移动,来使基板9接近以及离开加热部30,但也可以固定基板9的高度位置,使加热部30接近以及离开基板9。例如,可以通过将加热灯30和扩散板32与一个支承部件连接,通过用给定的升降机构来升降支承部件,以使加热灯31和扩散板32一体地升降移动。同样地,也可以使冷却板41升降移动。
另外,在上述例中,将加热灯31用于加热部30中,但也可使用镍铬丝等其他的加热源来代替加热灯31。但是,加热灯31具有在非加热时的余热极小、可仅在必要时给予基板9热量的优点。
此外,在上述例中,使用了由石英玻璃构成的扩散板32,但也可使用由铝(Al)等金属构成的扩散板32。但是,由石英玻璃构成的扩散板32具有蓄积热量极小、能够仅在必要时向基板9传递热量的优点。
并且,上述的减压干燥装置为处理液晶显示装置用的方形玻璃基板的装置,但本发明的减压干燥装置也可对半导体晶片、PDP用玻璃基板、光盘用基板等其他的基板实施处理。

Claims (11)

1.一种减压干燥装置,其对形成于基板的主面上的薄膜进行减压干燥,其特征在于,包括:
腔室,其覆盖基板的周围;
支承机构,其在所述腔室的内部,在所述基板的主面朝上的状态下支承基板;
减压机构,其对所述腔室的内部进行减压;
加热机构,其从上方侧对所述支承机构所支承的基板进行加热;
控制部,其在利用所述减压机构而执行的减压开始并经过给定时间后,使所述加热机构开始加热。
2.如权利要求1所述的减压干燥装置,其特征在于,
所述加热机构具有:
加热灯,其通过照射光来产生热量;以及
扩散板,其对所述加热灯产生的热量进行扩散。
3.如权利要求2所述的减压干燥装置,其特征在于,还具有第一距离调节机构,该第一距离调节机构对所述加热机构与基板之间的距离进行调节。
4.如权利要求3所述的减压干燥装置,其特征在于,所述第一距离调节机构在所述加热机构实施加热时,使所述加热机构和基板慢慢接近。
5.如权利要求4所述的减压干燥装置,其特征在于,所述减压机构在所述加热机构实施加热时,使所述腔室内的压力恢复。
6.如权利要求1~5任一项所述的减压干燥装置,其特征在于,还具有对所述加热机构供给气体的加热部净化机构。
7.如权利要求1~5任一项所述的减压干燥装置,其特征在于,基板由所述支承机构支承时所述腔室内的基板位置的温度为40℃以下。
8.如权利要求1~5任一项所述的减压干燥装置,其特征在于,在所述腔室的内部,还具有从下方侧冷却基板的冷却机构。
9.如权利要求8所述的减压干燥装置,其特征在于,还具有第二距离调节机构,该第二距离调节机构对所述冷却机构与基板之间的距离进行调节。
10.如权利要求9所述的减压干燥装置,其特征在于,还具有对由所述支承机构支承的基板供给气体的基板净化机构。
11.如权利要求10所述的减压干燥装置,其特征在于,所述基板净化机构在利用所述冷却机构而执行的冷却开始并经过给定时间后,开始气体的供给。
CN2007101932234A 2007-01-26 2007-11-20 减压干燥装置 Active CN101231135B (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007015699 2007-01-26
JP2007-015699 2007-01-26
JP2007015699 2007-01-26
JP2007208911 2007-08-10
JP2007208911A JP5089288B2 (ja) 2007-01-26 2007-08-10 減圧乾燥装置
JP2007-208911 2007-08-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101231135A CN101231135A (zh) 2008-07-30
CN101231135B true CN101231135B (zh) 2010-06-02

Family

ID=39780626

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007101932234A Active CN101231135B (zh) 2007-01-26 2007-11-20 减压干燥装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5089288B2 (zh)
KR (1) KR100924901B1 (zh)
CN (1) CN101231135B (zh)
TW (1) TWI342385B (zh)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5371605B2 (ja) * 2008-09-25 2013-12-18 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法
CN101738069A (zh) * 2008-11-06 2010-06-16 奇美电子股份有限公司 真空干燥软烤设备及真空干燥软烤工艺
KR101020674B1 (ko) 2008-11-18 2011-03-09 세메스 주식회사 기판 상의 포토레지스트막을 건조하기 위한 장치
KR101020675B1 (ko) 2008-11-18 2011-03-09 세메스 주식회사 기판 상의 포토레지스트막을 건조하기 위한 장치
WO2010113941A1 (ja) * 2009-03-30 2010-10-07 東京エレクトロン株式会社 被処理体の冷却方法および被処理体処理装置
KR101147654B1 (ko) * 2009-11-26 2012-05-23 세메스 주식회사 기판 처리 방법
CN103730331B (zh) * 2012-10-10 2016-06-08 辛耘企业股份有限公司 干燥方法及干燥装置
KR20140065851A (ko) * 2012-11-22 2014-05-30 신화일렉트론 주식회사 다단식 글라스 건조장치
JP6560072B2 (ja) * 2015-09-11 2019-08-14 株式会社Screenホールディングス 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法
KR102560313B1 (ko) * 2016-01-19 2023-07-27 삼성디스플레이 주식회사 감압 장치 및 이를 이용한 발광 표시 장치의 제조 방법
CN105783438B (zh) * 2016-03-09 2018-09-18 武汉华星光电技术有限公司 一种减压加热干燥装置
KR102525361B1 (ko) 2016-04-27 2023-04-25 삼성디스플레이 주식회사 감압 건조 장치 및 이를 이용한 막 제조 방법
JP6872328B2 (ja) * 2016-09-06 2021-05-19 株式会社Screenホールディングス 減圧乾燥装置、減圧乾燥システム、減圧乾燥方法
US10615378B2 (en) * 2016-09-30 2020-04-07 Tokyo Electron Limited Reduced-pressure drying apparatus
KR101870659B1 (ko) * 2016-12-26 2018-06-27 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP6476215B2 (ja) * 2017-01-12 2019-02-27 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置、減圧乾燥方法及びベーク処理システム
JP6400771B1 (ja) * 2017-04-11 2018-10-03 株式会社石井表記 ヒータ付き減圧ユニット及び電池製造用装置
CN107062812B (zh) * 2017-04-26 2019-09-03 京东方科技集团股份有限公司 一种减压干燥腔及真空减压干燥设备
JP6886866B2 (ja) * 2017-05-31 2021-06-16 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置
CN107219727B (zh) * 2017-06-22 2021-02-02 武汉华星光电技术有限公司 减压干燥设备
JP6871959B2 (ja) * 2018-03-30 2021-05-19 芝浦メカトロニクス株式会社 有機膜形成装置、および有機膜の製造方法
KR102226624B1 (ko) * 2018-03-30 2021-03-12 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 유기막 형성 장치, 및 유기막의 제조 방법
CN109489363A (zh) * 2018-12-24 2019-03-19 国兴(东莞)新能源科技有限公司 一种软包电池除水装置
DE102019220279B4 (de) * 2019-08-22 2023-08-10 Smartec Co., Ltd. Trocknungsgerät für Batterieelektrode
JP6907280B2 (ja) * 2019-09-12 2021-07-21 中外炉工業株式会社 減圧乾燥装置
JP2021096961A (ja) * 2019-12-17 2021-06-24 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004079682A (ja) * 2002-08-13 2004-03-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2005277268A (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
US7082261B2 (en) * 2004-03-26 2006-07-25 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Heating stage
CN1834791A (zh) * 2005-03-14 2006-09-20 大日本网目版制造株式会社 减压干燥装置
JP2006302980A (ja) * 2005-04-18 2006-11-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 減圧乾燥装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0265233A (ja) * 1988-08-31 1990-03-05 Nec Yamagata Ltd 半導体ウェーハの水分除去装置
JPH02114522A (ja) * 1988-10-24 1990-04-26 Mitsubishi Electric Corp ウエハ処理装置
JPH03228313A (ja) * 1990-02-02 1991-10-09 Nec Corp 半導体基板の乾燥装置
JP3831478B2 (ja) * 1997-05-14 2006-10-11 芝浦メカトロニクス株式会社 真空乾燥処理装置
JPH11329922A (ja) * 1998-05-08 1999-11-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板冷却装置および基板冷却方法
JP2001194067A (ja) * 2000-01-12 2001-07-17 Chiyoda Manufacturing Co Ltd マイクロ波乾燥装置の運転方法
JP2003279245A (ja) * 2002-03-19 2003-10-02 Seiko Epson Corp 塗布膜の乾燥方法及びその装置、デバイスの製造方法、デバイス
JP4236881B2 (ja) * 2002-07-19 2009-03-11 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
KR100464853B1 (ko) * 2002-06-20 2005-01-06 삼성전자주식회사 순간감압가열 건조방법 및 장치
JP2004174316A (ja) * 2002-11-25 2004-06-24 Canon Inc 乾燥装置および乾燥方法
JP4250469B2 (ja) * 2003-07-14 2009-04-08 キヤノンマーケティングジャパン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004079682A (ja) * 2002-08-13 2004-03-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2005277268A (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
US7082261B2 (en) * 2004-03-26 2006-07-25 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Heating stage
CN1834791A (zh) * 2005-03-14 2006-09-20 大日本网目版制造株式会社 减压干燥装置
JP2006302980A (ja) * 2005-04-18 2006-11-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 減圧乾燥装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080070503A (ko) 2008-07-30
KR100924901B1 (ko) 2009-11-02
TW200844388A (en) 2008-11-16
TWI342385B (en) 2011-05-21
CN101231135A (zh) 2008-07-30
JP5089288B2 (ja) 2012-12-05
JP2008202930A (ja) 2008-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101231135B (zh) 减压干燥装置
CN102456589B (zh) 接合装置
CN101399217A (zh) 基板保持装置及保持方法、半导体制造装置及存储介质
EP2854163A1 (en) Substrate processing device and substrate processing method
CN103270579A (zh) 基板热处理设备
JP2015056624A (ja) 基板温調装置およびそれを用いた基板処理装置
JPH1167738A (ja) アッシング方法および装置
JP2008066505A (ja) 流体加熱装置及びそれを利用するウエハ処理装置
WO2018056039A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN109427610B (zh) 晶片温控系统、晶片温控方法及反应腔室
KR102407266B1 (ko) 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TW202131402A (zh) 基板處理裝置
KR102211817B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102516013B1 (ko) 기판 가열 장치 및 기판 가열 방법
KR101994895B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2003158057A (ja) 大型基板に塗布されたレジストの硬化方法および装置
TW202410351A (zh) 加熱處理裝置的維護方法
US20240055277A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI751651B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP2012023330A (ja) 加熱源装置及びアニール装置
KR100776370B1 (ko) 소성로
KR100567664B1 (ko) 다중 배치된 원적외선 가열모듈을 구비한 포토 레지스터스트립 장치
JP2006222214A (ja) 熱処理装置
KR20230044964A (ko) 가열 처리 장치, 반입 반출 지그 및 가열 처리 장치의 메인터넌스 방법
KR200240696Y1 (ko) 노광후 베이크공정의 핫플레이트 온도제어장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: SCREEN GROUP CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME: DAINIPPON SCREEN MFG. CO., LTD.

Owner name: DAINIPPON SCREEN MFG. CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME: DAINIPPON MESH PLATE MFR. CO., LTD.

CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Kyoto City, Kyoto, Japan

Patentee after: Skilling Group

Address before: Kyoto City, Kyoto, Japan

Patentee before: DAINIPPON SCREEN MFG Co.,Ltd.

Address after: Kyoto City, Kyoto, Japan

Patentee after: DAINIPPON SCREEN MFG Co.,Ltd.

Address before: Kyoto City, Kyoto, Japan

Patentee before: Dainippon Screen Mfg. Co.,Ltd.