KR100567664B1 - 다중 배치된 원적외선 가열모듈을 구비한 포토 레지스터스트립 장치 - Google Patents

다중 배치된 원적외선 가열모듈을 구비한 포토 레지스터스트립 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 원적외선을 이용하여 포토 레지스터를 가열하는 가열수단과, 상기 가열수단에 전원을 공급하는 전원조절부와, 상기 가열수단의 온도를 검출하여 적정온도를 조절하는 온도조절부로 이루어져 기판 표면의 포토 레지스터의 온도를 활성화시키는 원적외선 가열모듈; 및 상기 원적외선 가열모듈 이후에 설치되되 포토 레지스터를 제거하기 위해 상압 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부와, 상기 플라즈마 발생부에 연결되어 상기 플라즈마 발생부에 가스를 균일하게 분포 또는 쿨링시키는 가스공급수단과, 상기 플라즈마 발생부에 연결되어 전원을 공급하는 전원공급부로 이루어진 포토 레지스터 스트립모듈을 포함하며, 상기 원적외선 가열모듈과 포토 레지스터 스트립모듈은 하나의 세트로 모듈화된 상태로 인라인 컨베어에 다수 배치되어 상기 원적외선 가열모듈의 온도를 다단계의 온도영역으로 조절하여, 저온영역에서 경화된 포토 레지스터를 스트립하고 고온영역에서 경화되지 않은 포토 레지스터를 순차적으로 제거하는 것을 특징으로 하는 다중 배치된 원적외선 가열모듈을 구비한 포토 레지스터 스트립 장치를 제공한다.
반도체, 기판, 플라즈마, 포토 레지스터, 스트립, 활성온도, 컨베어, 가스공급부

Description

다중 배치된 원적외선 가열모듈을 구비한 포토 레지스터 스트립 장치{Photo resistor strip apparatus having far infrared ray heating module which was arranged at multiple}
도 1은 본 발명에 따른 다중 배치된 원적외선 가열모듈을 구비한 포토 레지스터 스트립 장치를 개략적으로 도시한 도면.
도 2는 본 발명에 따른 다중 배치된 원적외선 가열모듈을 구비한 포토 레지스터 스트립 장치를 개략적으로 도시한 구성도.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 다중 배치된 원적외선 가열모듈을 구비한 포토 레지스터 스트립 장치를 개략적으로 도시한 도면.
도 4는 본 발명에 따른 원적외선의 주파수에 따른 투과율을 나타내는 그래프.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
101: 원적외선 가열부 102: 단열부
103: 가열부의 고정부 104: 가열부의 온도조절부
105: 가열부의 전원조절부 108: 온도센서
111: 원적외선 히터 112: 원적외선 발산부
201: 플라즈마 발생부 202: 스트립 모듈의 고정부
203: 스트립 모듈의 전원조절부 205: 스트립 모듈의 가스공급부
207: 높낮이 조절부 301: 기판
302: 인라인 컨베어
본 발명은 평판 디스플레이 제조공정 중 포토 레지스터(photo resistor)를 제거하는 포토 레지스터 스트립(strip) 공정에 원적외선을 이용하여 포토 레지스터의 온도를 효율적으로 제어함과 동시에 드라이 에칭(dry etching)이나 고에너지 이온 주입시 기판의 경화된 포토 레지스터와 경화되지 않은 포토 레지스터 사이의 이질감으로 인해 가열시 발생될 수 있는 팝핑(popping) 현상을 현저히 방지하면서 신속하게 포토 레지스터를 제거할 수 있는 다중 배치된 원적외선 가열모듈을 구비한 포토 레지스터 스트립 장치에 관한 것이다.
일반적인 평판 디스플레이 제조공정은, 기판위에 박막을 증착하는 증착단계, 기판위에 이물질을 제거하는 세정단계, 증착막 위에 감광성 물질인 포토 레지스터를 도포하는 포토 레지스터 코팅단계, 마스크를 통해 포토 레지스터에 빛을 투사하는 노광단계, 빛에 의해 약해진 포토 레지스터를 제거하는 현상단계, 증착막을 식각하는 에칭단계, 스트립 약액으로 포토 레지스터를 제거하는 스트립단계, 공정완료후 이상 유무를 확인하는 검사단계로 구분된다.
이러한 공정들중 포토 레지스터를 제거하는 단계를 포토 레지스터 스트립(photo resistor strip) 혹은 애싱(ashing) 공정이라고 하는데, 특히 건식 애싱인 경우에는 O-라디칼이나 산소 이온을 포함하는 플라즈마를 이용해 증착막을 제거하게 되며, 이러한 스트립률(strip rate)은 온도에 비례하기 때문에 고온에서 공정이 이루어지는 것이 바람직하다. 한편, 포토 레지스터의 온도 특성은 80∼300도까지 온도에 비례하여 급격히 활성 에너지 상태가 되고, 300도 이후에는 다시 감소하는 추세를 나타낸다. 따라서, 포토 레지스터의 활성온도인 80도∼300도의 범위 내에서 온도를 상승시키면서 포토 레지스터를 제거하는 것이 바람직하다.
그리고, 이러한 포토 레지스터 스트립 공정은 전반부에 에칭 및 이온 주입 공정에 마스크로 사용된 포토 레지스터를 제거하는 공정으로, 에칭 및 이온 주입 공정을 거치면서 포토 레지스터 표면에 수백∼수천 Å이 경화되게 된다. 이러한 경화된 포토 레지스터 스트립은 통상 진공 반응 챔버에 넣고 적절한 가열장치를 이용하여 기판 온도를 높인 상태에서 플라즈마를 주입함으써 수행된다.
그런데, 이러한 에칭 및 이온 주입 공정에서는 포토 레지스터 패턴의 상부층의 물성이 화학적으로 변화하여 단단하게 경화되는데, 이때 약 170도 이상이 되면 하부의 경화되지 않은 포토 레지스터로부터 기화물질이 발생하여 두 포토 레지스터층 사이가 팽창하면서 경화된 포토 레지스터가 파괴되는 소위 팝핑 현상이 발생하게 된다. 이러한 팝핑으로 인하여 기판 표면 및 포토 스트립 장치의 내부 표면이 오염되어, 결과적으로 기판의 불량률이 많아져 생산원가 및 공정시간을 연장시킴으로서 생산성 저하를 야기시킨다.
이러한 팝핑 형상을 방지하기 위하여 저온상태에서 포토 레지스터 스트립을 수행하거나 드라이 에칭을 이용하여 상부의 경화된 포토 레지스터만을 스트립하는 2단계의 포토 레지스터 스트립을 수행하는 경우에는 시간이 많이 소비되어 전체적으로 스트립률이 감소하게 된다.
또한, 종래 가열척이라는 가열수단의 온도를 경화된 포토 레지스터가 제거될 동안에는 저온으로, 나머지 경화되지 않은 포토 레지스터는 고온으로 변화시켜도 되지만, 가열척은 주로 가열 코일의 형태로 제작되기 때문에 급격한 온도변화가 어렵고, 온도변화를 심하게 하는 경우에는 가열척이 쉽게 손상된다는 점 때문에 이용되기 힘들었다. 또한, 가열척의 경우 기판을 가열척 위에 얻어 가열하므로 인라인 컨베어에 설치하기가 어렵고 다중으로 배치하기가 매우 어려운 단점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 점을 감안하여 안출된 것으로, 포토 레지스터의 광 흡수율이 큰 원적외선을 이용하여 포토 레지스터의 온도를 80도∼300도까지 효율적으로 증가시킴과 동시에 170도 이상이 되면 경화된 포토 레지스터의 하부에 기화 물질의 팽창으로 인하여 경화된 포토 레지스터가 파괴되는 팝핑 현상을 현저히 감소시킬 수 있는 다중 배치된 원적외선 가열모듈을 구비한 포토 레지스터 스트립 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적들을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 다중 배치된 원적외선 가열모듈을 구비한 포토 레지스터 스트립 장치는 원적외선을 이용하여 포토 레지스터를 가열하는 가열수단과, 상기 가열수단에 전원을 공급하는 전원조절부와, 상기 가열수단의 온도를 검출하여 적정온도를 조절하는 온도조절부로 이루어져 기판 표면의 포토 레지스터의 온도를 활성화시키는 원적외선 가열모듈; 및 상기 원적외선 가열모듈 이후에 설치되되 포토 레지스터를 제거하기 위해 상압 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부와, 상기 플라즈마 발생부에 연결되어 상기 플라즈마 발생부에 가스를 균일하게 분포 또는 쿨링시키는 가스공급수단과, 상기 플라즈마 발생부에 연결되어 전원을 공급하는 전원공급부로 이루어진 포토 레지스터 스트립모듈을 포함하며, 상기 원적외선 가열모듈과 포토 레지스터 스트립모듈은 하나의 세트로 모듈화된 상태로 인라인 컨베어에 다수 배치되어 상기 원적외선 가열모듈의 온도를 다단계의 온도영역으로 조절하여, 저온영역에서 경화된 포토 레지스터를 스트립하고 고온영역에서 경화되지 않은 포토 레지스터를 순차적으로 제거하는 것을 특징으로 한다.
상기 가열수단은 원적외선 가열부와, 상기 원적외선 가열부에 내설되어 상기 원적외선 가열부를 가열하는 원적외선 히터와, 상기 원적외선 가열부의 외부를 둘러싸 원적외선을 발산시키는 원적외선 발산부와, 상기 원적외선 발산부의 상부 및 측면을 둘러싸면서 상기 원적외선 가열부로부터 발산되는 열을 차단하는 단열부와, 상기 가열수단의 높이 조절을 위한 높낮이 조절부로 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 가스공급수단은 상기 플라즈마 발생부의 상측에 배치되어 상기 플라즈마 발생부에 가스를 균일하게 분포 또는 쿨링시키는 가스버퍼부와, 상기 가스버퍼부와 연결되어 상기 가스버퍼부에 가스를 공급하는 가스공급부로 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 원적외선 가열부는 상부가열부와 하부가열부로 이루어지고, 상기 원적 외선 히터는 파장이 1∼15㎛를 가지는 원적외선 히터로서 플레이트형, 케이블형, 원형, 원구형, 반구형, 램프형, 벌브형, 일자형 중 하나 이상의 형상을 가지는 것을 특징으로 한다.
상기 원적외선 히터는 포토 레지스터의 광 흡수율이 가장 큰 파장인 5∼10㎛를 가지는 것을 특징으로 한다.
상기 원적외선 가열부 및 원적외선 히터는 세라믹 코팅된 것을 특징으로 한다.
상기 원적외선 가열부는 상기 원적외선 히터에 의해 80도∼300도의 범위 내에서 고온영역과 고온영역의 다단계로 온도를 조절하여 원적외선을 발산하는 것을 특징으로 한다.
상기 온도조절부는 상기 가열수단의 온도를 검출하는 온도센서를 구비하고, 상기 온도센서는 상기 원적외선 가열부의 일측에 설치된 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다중 배치된 원적외선 가열모듈을 구비한 포토 레지스터 스트립 장치를 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 다중 배치된 원적외선 가열모듈을 구비한 포토 레지스터 스트립 장치를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 2는 본 발명에 따른 다중 배치된 원적외선 가열모듈을 구비한 포토 레지스터 스트립 장치를 개략적으로 도시한 구성도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 다중 배치된 원적외선 가열모듈을 구비한 포토 레지스터 스트립 장치는 인라인 컨베어에 설치되되, 원적외선 가열모듈 및 포토 레지스터 스트립모듈을 포함하며, 상기 원적외선 가열모듈과 포토 레지스터 스트립모듈이 하나의 세트로 모듈화되어 다단계로 설치된다.
우선, 원적외선 가열모듈은 원적외선을 이용하여 기판 표면의 포토 레지스터를 가열하는 가열수단과, 상기 가열수단에 전원을 공급하는 전원조절부(105)와, 상기 가열수단의 온도를 검출하여 적정온도를 조절하는 온도조절부(104)로 이루어져 기판(301) 표면의 포토 레지스터의 온도를 활성화시킨다.
포토 레지스터 스트립모듈은 상기 가열수단의 일측에 설치되되 포토 레지스터를 제거하기 위해 상압 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부(211)와, 상기 플라즈마 발생부(211)에 연결되어 상기 플라즈마 발생부(211)에 가스를 균일하게 분포 또는 쿨링시키는 가스공급수단과, 상기 플라즈마 발생부(211)에 연결되어 전원을 공급하는 전원공급부(203)로 이루어진다.
또한, 상기 원적외선 가열모듈과 포토 레지스터 스트립모듈은 하나의 세트로 모듈화된 상태로 다수 배치되어 상기 원적외선 가열부(101)의 온도를 다단계의 온도영역으로 순차적으로 조절함으로써, 일단 저온영역에서 가열과 동시에 경화된 포토 레지스터를 스트립하고, 이후 고온영역에서 가열과 동시에 경화되지 않은 포토 레지스터를 순차적으로 제거하게 된다.
한편, 상기 가열수단은 원적외선 가열부(101)와, 상기 원적외선 가열부(101)에 내설되어 상기 원적외선 가열부(101)를 가열하는 원적외선 히터(111)와, 상기 원적외선 가열부(101)의 외부를 둘러싸 상기 원적외선 가열부(101)로부터 발산되는 원적외선을 기판(301)으로 발산시키는 원적외선 발산부(112)와, 상기 원적외선 발산부(112)의 상부 및 측면을 둘러싸면서 상기 원적외선 가열부(101)로부터 발산되는 열을 차단함과 동시에 인라인 컨베어(302)를 따라 이동하는 기판(301)에만 원적외선을 발산시키는 단열부(102)와, 상기 원적외선 가열부(101), 원적외선 히터(111), 원적외선 발산부(112) 및 단열부(102)를 상하로 이동시키면서 상기 가열수단의 높이 조절을 위한 높낮이 조절부(207)로 이루어진다. 여기서, 본 발명의 기술분야에 속한 당업자라면 상기 높낮이 조절부(207)는 상기 가열수단을 상하로 이동시킬 수 있도록 다양하게 변형 실시할 수 있을 것이다.
상기 가스공급수단은 상기 플라즈마 발생부(201)의 상측에 배치되어 상기 플라즈마 발생부(201)에 가스를 균일하게 분포 또는 쿨링시키는 가스버퍼부(212)와, 상기 가스버퍼부(212)와 연결되어 상기 가스버퍼부(212)에 가스를 공급하는 가스공급부(205)로 이루어진다.
그리고, 전원공급부(203)는 전원으로부터 전기를 입력받아 상기 플라즈마 발생부(201)에 전기를 공급하는 것을 조절한다.
한편, 상기 플라즈마 발생부(201)와 상기 가스버퍼부(212)는 높낮이 조절부(207)에 모듈화되어 포토 레지스터 스트립 모듈의 고정부(202)에 고정된다. 즉, 그리고, 상기 높낮이 조절부(207)에는 원적외선 가열모듈의 고정부(103)와 포토 레지스터 스트립모듈의 고정부(202)가 동시에 구비되어 본 발명에 따른 원적외선 가열장치와 스트립 모듈을 동시에 고정시켜 상하로 이동시키게 된다. 물론, 별도의 높낮이 조절부(미도시)를 더 구비하여 상기 별도의 높낮이 조절부에 상기 플 라즈마 발생부(201)와 상기 가스버퍼부(212)를 설치할 수도 있다.
또한, 상기 원적외선 가열부(101)는 상부가열부(101a)와 하부가열부(101b)로 이루어지고, 상기 원적외선 히터(111)는 파장이 1∼15㎛를 가지는 장파장의 원적외선 히터(111)로서 상기 상부가열부(101a)와 하부가열부(101b) 사이에 위치되며, 이러한 원적외선 히터(111)의 형상은 플레이트형, 케이블형, 원형, 원구형, 반구형, 램프형, 벌브형, 일자형 중 어느 하나의 형상을 가지며 다른 형상으로도 다양하게 실시할 수 있다.
또한, 상기 단열부(102)의 내측면에는 기판(301)으로의 원적외선의 반사율을 향상시키기 위해 반사판(미도시)이 더 구비될 수 있다.
바람직하게는, 상기 원적외선 가열부(101) 및 원적외선 히터(111)의 표면에는 세라믹이 코팅되는데, 이러한 세라믹 코팅은 고온으로 열처리하여 만든 비금속의 무기질 고체 재료로 인하여 내화성이 매우 뛰어나게 되며, 상기 원적외선 가열부(101) 및 원적외선 히터(111)에서 발생되는 원적외선으로부터 상기 부품의 손상을 방지하게 된다.
또한, 상기 원적외선 가열부(101)는 포토 레지스터를 제거하는 포토 레지스터 스트립 공정의 최적의 환경을 제공하기 위해 상기 원적외선 히터(111)에 의해 80도∼300도의 범위 내에서 다단계의 온도영역으로 가열되어 장파장의 원적외선을 기판(301)으로 발산시킨다.
한편, 전원조절부(105)는 전원으로부터 전기를 입력받아 상기 가열수단의 원적외선 히터(111)에 전원을 공급하는 것을 조절한다. 즉, 후술될 온도조절부(104) 와 연결되어 전원을 공급 또는 차단하면서 각각의 상기 원적외선 가열부(101)의 온도를 80도∼120도의 저온영역과 120도∼300도의 고온영역으로 각각 유지시키게 된다.
그리고, 온도조절부(104)는 상기 가열수단의 온도를 검출하는 온도센서(108)를 구비하고, 상기 온도센서(108)는 상기 가열수단의 원적외선 가열부(101)에 설치된다. 즉, 상기 온도센서(108)로부터 검출된 온도를 수시로 체크하여 상기 원적외선 가열부(101)의 온도를 포토 레지스터의 최적의 활성 에너지 상태인 80도∼300도의 온도 내에서 80도∼120도의 저온영역과 120도∼300도의 고온영역으로 유지하게 된다.
이러한 구성의 본 발명에 따른 다중 배치된 원적외선 가열모듈을 구비한 포토 레지스터 스트립 장치의 작동은 다음과 같다.
우선, 평판 디스플레이 제조공정 중 다수의 공정을 거친 후, 기판(301)은 포토 레지스터를 제거하기 위해 인라인 컨베어(302)를 따라 포토 레지스터 스트립모듈로 이동하게 되는데, 그 전에 본 발명에 따른 원적외선 가열모듈이 적용되어 포토 레지스터를 제거할 수 있는 최적의 환경을 제공하기 위해 기판(301)에 원적외선을 발산시킨다. 즉, 전원조절부(105)와 온도조절부(104)의 작동에 의해 원적외선 히터(111)에 전원을 공급하게 된다. 이후, 각각의 원적외선 가열모듈의 원적외선 히터(111)의 가열에 의해 원적외선 가열부(101)의 온도를 포토 레지스터의 최적의 활성 에너지 상태인 80도∼300도의 범위 내에서 80도∼120도의 저온영역과 120도∼300도의 고온영역으로 각각 유지하게 된다. 동시에, 원적외선 발산부(112)에서는 원적외선 히터(111)에 의해 발산된 원적외선을 기판(301)으로 발산시키게 된다.
다시 말해, 원적외선 가열모듈과 포토 레지스터 모듈이 인라인 컨베어(302) 상부에 다수 설치되며, 상기 원적외선 가열모듈의 원적외선 가열부(101)의 온도를 순차적으로 저온영역에서 고온영역으로 유지한다. 즉, 첫번째 원적외선 가열부(101)의 온도는 80도에서 120도의 저온영역으로 유지하고, 두번째 원적외선 가열부(101)의 온도는 120도에서 300도의 고온영역으로 유지시킴으로써, 첫번째 0적외선 가열모듈의 저온영역에서는 기판이 인라인 컨베어(302)를 통해 원적외선 가열부(101)를 통과하면서 가열됨과 동시에 순차적으로 상압 플라즈마 포토 레지스터 스트립 모듈을 통해 상압 플라즈마를 발생시켜 생성된 O-라디칼로 경화된 포토 레지스터를 스트립하게 된다.
이후, 두번째 원적외선 가열모듈을 가동시켜 120도에서 300도까지 고온으로 유지하면서 기판이 인라인 컨베어(302)를 통해 원적외선 가열부(101)를 통과하면서 가열과 동시에 순차적으로 상압 플라즈마 포토 레지스터 스트립 모듈을 통해 상압 플라즈마를 발생시켜 생성된 O-라디칼로 경화되지 않은 포토 레지스터를 스트립하게 된다.
따라서, 80도∼120도의 저온으로 포토 레지스터를 선가열함과 동시에 경화된 포토 레지스터를 일차적으로 제거하고, 이후 120도∼300도의 고온으로 포토 레지스터를 가열함과 동시에 경화되지 않은 포토 레지스터를 제거함으로써, 팝핑 현상없이 단시간에 순차적으로 포토 레지스터를 제거하게 된다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 다중 배치된 원적외선 가열모듈을 구비한 포토 레지스터 스트립 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도시된 바와 같이, 상술한 방식으로 원적외선 가열모듈과 포토 레지스터 스트립모듈을 순차적으로 다수 설치하여 포토 레지스터의 최적의 활성에너지 상태인 80도∼300도의 범위 내에서 저온영역에서 고온영역까지 단계적으로 가열과 동시에 포토 레지스터 스트립 공정을 이루어지게 하여 팝핑 현상없이 경화된 포토 레지스터와 경화되지 않은 포토 레지스터를 동시에 순차적으로 신속하게 제거하게 된다.
또한, 상기 원적외선 히터(111)로부터 발산되는 파장을 1∼15㎛를 가지도록 설계하여 유리 재질인 기판(301) 표면의 물리적, 화학적 변화를 최소화시키면서 단지 포토 레지스터 내부의 온도만을 증가시키게 된다. 결과적으로, 내부 운동에너지의 증가와 그로 인한 열에너지의 증가로 인해 상기 기판(301) 표면의 포토 레지스터가 활성화된 상태로 포토 레지스터 스트립모듈을 통과시킴으로써, 포토 레지스터의 스트립률을 획기적으로 개선시키게 된다.
한편, 도 4는 본 발명에 따른 원적외선의 주파수에 따른 투과율을 나타내는 그래프로서, 원적외선은 주파수에 따른 투과율이 도시된 바와 같이 나타나는데, 일반적으로 투과율과 흡수율은 반비례하므로 투과율이 낮은 A 구간이 포토 레지스터의 광 흡수율이 가장 크게 된다. 이때의 주파수를 이용하여 f=1/λ공식에 적용하여 파장을 계산해 본 결과, 포토 레지스터의 광 흡수율이 가장 큰 파장대는 5∼10㎛인 것으로 나타났다. 따라서, 이때의 원적외선 파장을 이용하여 가열된 원적외선 가열부(101)를 통해 포토 레지스터의 온도를 효율적으로 증가시키게 된다.
상기된 바와 같은 본 발명에 따른 다중 배치된 원적외선 가열모듈을 구비한 포토 레지스터 스트립 장치는 포토 레지스터의 광 흡수 파장이 5∼15㎛일때 흡수율이 가장 크다는 점을 이용하여 포토 레지스터의 스트립 공정 이전에 원적외선 가열모듈을 설치하여 장파장의 원적외선을 가함으로써, 기판이나 포토 레지스터에 물리적, 화학적 변화를 초래하지 않으면서 포토 레지스터를 고온의 활성에너지 상태로 만들어줌으로서, 이후 포토 레지스터 스트립 공정에서 포토 레지스터를 효과적으로 제거할 수 있는 효과가 있다.
또한, 상기 원적외선 가열모듈과 포토 레지스터 모듈을 다중 배치하여 저온영역에서 고온영역까지 다단계로 온도를 제어하면서 포토 레지스터를 제거함으로써, 종래 팝핑 현상이 없이 경화된 포토 레지스터와 경화되지 않은 포토 레지스터를 신속하게 제거하여 포토 레지스터 스트립 공정에 소요되는 시간을 현저히 단축시키며, 기판을 불량률을 최소화시킬 수 있는 매우 우수한 효과가 있다.
이상에서는, 본 발명을 특정의 바람직한 실시예에 대해서 도시하고 설명하였다. 그러나, 본 발명은 상술한 실시예에만 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 실용신안등록청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상의 요지를 벗어남이 없이 얼마든지 다양하게 적용할 수 있을 것이다.

Claims (8)

  1. 원적외선을 이용하여 포토 레지스터를 가열하는 가열수단과, 상기 가열수단에 전원을 공급하는 전원조절부와, 상기 가열수단의 온도를 검출하여 적정온도를 조절하는 온도조절부로 이루어져 기판 표면의 포토 레지스터의 온도를 활성화시키는 원적외선 가열모듈; 및
    상기 원적외선 가열모듈 이후에 설치되되 포토 레지스터를 제거하기 위해 상압 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부와, 상기 플라즈마 발생부에 연결되어 상기 플라즈마 발생부에 가스를 균일하게 분포 또는 쿨링시키는 가스공급수단과, 상기 플라즈마 발생부에 연결되어 전원을 공급하는 전원공급부로 이루어진 포토 레지스터 스트립모듈을 포함하며,
    상기 원적외선 가열모듈과 포토 레지스터 스트립모듈은 하나의 세트로 모듈화된 상태로 인라인 컨베어에 다수 배치되어 상기 원적외선 가열모듈의 온도를 다단계의 온도영역으로 조절하여, 저온영역에서 경화된 포토 레지스터를 스트립하고 고온영역에서 경화되지 않은 포토 레지스터를 순차적으로 제거하는 것을 특징으로 하는 다중 배치된 원적외선 가열모듈을 구비한 포토 레지스터 스트립 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 가열수단은 원적외선 가열부와, 상기 원적외선 가열부에 내설되어 상기 원적외선 가열부를 가열하는 원적외선 히터와, 상기 원적외선 가열부의 외부를 둘러싸 원적외선을 발산시키는 원적외선 발산부와, 상기 원적외선 발산부의 상부 및 측면을 둘러싸면서 상기 원적외선 가열부로부터 발산되는 열을 차단하는 단열부와, 상기 가열수단의 높이 조절을 위한 높낮이 조절부로 이루어진 것을 특징으로 하는 다중 배치된 원적외선 가열모듈을 구비한 포토 레지스터 스트립 장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 가스공급수단은 상기 플라즈마 발생부의 상측에 배치되어 상기 플라즈마 발생부에 가스를 균일하게 분포 또는 쿨링시키는 가스버퍼부와, 상기 가스버퍼부와 연결되어 상기 가스버퍼부에 가스를 공급하는 가스공급부로 이루어진 것을 특징으로 하는 다중 배치된 원적외선 가열모듈을 구비한 포토 레지스터 스트립 장치.
  4. 제 2항에 있어서, 상기 원적외선 가열부는 상부가열부와 하부가열부로 이루어지고, 상기 원적외선 히터는 파장이 1∼15㎛를 가지는 원적외선 히터로서 플레이트형, 케이블형, 원형, 원구형, 반구형, 램프형, 벌브형, 일자형 중 하나 이상의 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 다중 배치된 원적외선 가열모듈을 구비한 포토 레지스터 스트립 장치.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 원적외선 히터는 포토 레지스터의 광 흡수율이 가장 큰 파장인 5∼10㎛를 가지는 것을 특징으로 하는 다중 배치된 원적외선 가열모듈을 구비한 포토 레지스터 스트립 장치.
  6. 제 2항에 있어서, 상기 원적외선 가열부 및 원적외선 히터는 세라믹 코팅된 것을 특징으로 하는 다중 배치된 원적외선 가열모듈을 구비한 포토 레지스터 스트립 장치.
  7. 제 2항에 있어서, 상기 원적외선 가열부는 상기 원적외선 히터에 의해 80도∼300도의 범위 내에서 저온영역과 고온영역의 다단계로 온도를 조절하여 원적외선을 발산하는 것을 특징으로 하는 다중 배치된 원적외선 가열모듈을 구비한 포토 레지스터 스트립 장치.
  8. 제 2항에 있어서, 상기 온도조절부는 상기 가열수단의 온도를 검출하는 온도센서를 구비하고, 상기 온도센서는 상기 원적외선 가열부의 일측에 설치된 것을 특징으로 하는 다중 배치된 원적외선 가열모듈을 구비한 포토 레지스터 스트립 장치.
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