CN101222983A - 用于在常压等离子体中疏水和超疏水处理的表面涂覆方法 - Google Patents

用于在常压等离子体中疏水和超疏水处理的表面涂覆方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种使用常压等离子体在工件表面涂覆碳氟化合物或烃的方法。更特别的，本发明涉及一种使用在常压产生的等离子体在工件表面涂覆烃或碳氟化合物从而使得该工件可以具有疏水性或超疏水性表面的方法。根据本发明采用碳氟化合物将工件表面涂覆成疏水的或超疏水的的方法包括步骤，通过将一种反应气体供入一个形成在第一电极和第二电极之间的放电空间，产生第一常压辉光等离子体，该反应气体包括氢气、碳氟化合物气体和惰性气体，第一和第二电极被连接到一个常压等离子体发生器的RF电源；将该工件靠近流过该放电空间的反应气体下游的第一电极，由此，在该放电空间产生的等离子体被传递到第一电极和该工件之间的空间，以在其中产生第二常压辉光等离子体，借此，一种碳氟化合物涂层可被形成在该工件的表面上。

Description

用于在常压等离子体中疏水和超疏水处理的表面涂覆方法
技术领域
本发明涉及一种使用常压等离子体在工件表面上涂覆碳氟化合物或烃的方法。更具体地，本发明涉及一种使用在常压下所产生的等离子体在工件表面上涂覆烃或碳氟化合物，使得该工件能够具有疏水性或超疏水性表面的方法。
背景技术
疏水性是指一种表示水与物体之间相互作用的化学性能，即概念上不具有对水的亲和力。
图13所表示的是水与物体表面之间的接触角。越高的接触角表示越高的疏水趋势。例如，180度的接触角意味着该物体表面被处理成为超疏水性。在这种情况下，水在该物体表面上保持为完美球形。
通常，疏水性材料容易在自然界中找到。芋头叶或荷叶是典型的疏水性材料。Wenzel′s和Cassie′s已经发现，叶子表面上的疏水性归因于其表面上的多微孔结构。图14所述的是具有疏水性的植物叶子及其多微孔结构。
化学或物理方法可以用来将物体的表面处理成为疏水的或超疏水的。
图15所示的是通过物理方法改性的物体的表面结构的例子。为了提供超疏水性，在该物体的光滑表面上使用碳纳米管形成多孔结构。如果水滴落在所述碳纳米管的表面上，则它将保持为接近球形的形式。
化学方法包括在物体的表面上应用含氟涂层等，例如，在制造煎锅时。也就是说，物体表面的化学组成被转变成使该表面为疏水或超疏水的。特别是，在其它的化学材料中，氟烷聚合物显示出强的疏水趋势。
美国专利4,869,922、6,649,222和5,733,610公开了将物体表面处理成疏水性或超疏水性的化学方法。
美国专利4,869,922公开了一种使用真空等离子体在物体表面上涂覆多氟烃以显示出疏水性的表面处理方法。在该专利中，在1托的压力下将氢气与单体C-F气体的混合物注入到放电空间中。此外，施加40～80W的27.12MHz的RF(射频)功率5～20分钟，以在20×20×1mm的铝样品的表面上涂覆多氟烃，由此该样品的表面可以被改性成疏水的。
美国专利6,649,222公开了一种使用调制的辉光放电等离子体将样品的表面处理成超疏水性的方法。在300～400毫托的压力下，施加50～75W的13.56MHz调制频率20～90分钟，单体C-F气体被用来处理具有2-20cm2面积的非金属样品如PE、PP、硅、玻璃和PET的表面。
美国专利5,733,610公开了一种在常压下提供疏水性的表面处理方法。在常压下使用3000Hz的频率处理有机样品和硅晶片样品的表面。
使用真空系统将表面处理成疏水性或超疏水性的传统方法只能在封闭系统中进行。因此，该传统方法不能实现连续或自动的方法，其中，样品被移动且同时被处理，因此，存在一个问题，该技术不能被用于大规模工业生产。
进一步地，用于真空系统的昂贵真空设备及其相应的维护导致成本的增加。
另外，由于聚合物在高温下会改变它们的性质，所以它们应该在较低的温度下和在几秒钟的时间内被处理。因此，存在另一个问题，难以控制用于精细处理的加工条件。
此外，存在进一步的问题，在常压下将目标表面处理成疏水性的方法应该采用一批抑制电弧产生的系统。
发明内容
技术问题
本发明已经设想解决在将物体表面处理成疏水性或超疏水性的传统方法中的上述问题。本发明的一个目的在于提供一种在常压下不使用真空系统将物体表面处理成疏水性或超疏水性的方法。
本发明的另一个目的在于提供一种在常压下不使用洗浴系统(bathsystem)处理物体表面的方法。
技术方案
根据本发明的一个方面，提供一种用碳氟化合物将工件的表面涂覆成疏水性或超疏水性的方法，该方法包括步骤：通过将一种反应气体供应到形成于第一电极和第二电极之间的放电空间，产生第一常压辉光等离子体，所述反应气体包含氢气、碳氟化合物气体和惰性气体，所述第一电极和所述第二电极被连接到常压等离子体发生器的RF电源；以及将该工件靠近流过该放电空间的反应气体的下游的第一电极，所以，在该放电空间中所产生的等离子体被传送到第一电极和所述工件之间的空间，以在其中产生第二常压辉光等离子体，由此，在该工件的表面上形成碳氟化合物涂层。优选地，碳氟化合物气体选自以下气体组成的组：CF3、CF4、C2F6、C4F8及其混合物，在反应气体中所含的碳氟化合物气体和氢气的体积比(碳氟化合物/氢)在0.1～10的范围内。优选地，反应气体中所含的惰性气体的体积为该反应气体的总体积的至少90％，惰性气体包括氦气，且氦气的体积为惰性气体总体积的至少60％。更优选地，采用在100KHz～60MHz频率下运行的RF电源以产生等离子体，所述工件靠近第一电极至1～10mm的范围内。
在本发明的表面涂覆方法中，等离子体发生器的第一电极采取具有预定长度的棒的形状；第二电极与第一电极沿着第一电极的纵向间隔预定距离，由此在电极之间形成放电空间；等离子体发生器进一步包括用通道形成的气体供应单元，通过所述通道，所述反应气体可以被供应到所述放电空间中；所述通道包括沿第一电极的纵向形成的缓冲空间、沿第一电极纵向形成且具有朝着放电空间开放的一侧的混合空间、和用于使所述缓冲空间和所述混合空间的内壁彼此相通的孔。在这种情况中，所述等离子体发生器可以进一步包括与第一电极相连的电容器。
可选择地，在本发明的表面涂覆方法中，等离子体发生器的第一电极采取具有预定长度的棒的形状；第二电极与第一电极沿着第一电极的纵向间隔预定距离，以在电极之间形成放电空间；等离子体发生器进一步包括用通道形成的气体供应单元以及与第一电极相连的电容器，通过所述通道，所述反应气体可以被供应到所述放电空间。
根据本发明的另一方面，提供用碳氟化合物将工件表面涂覆成疏水性或超疏水性的方法，该方法包括步骤：通过将反应气体供应到形成于第一电极和第二电极之间的放电空间，产生第一常压辉光等离子体，所述反应气体包含烃气体、碳氟化合物气体和惰性气体，所述第一电极和所述第二电极与被连接到常压等离子体发生器的RF电源；以及将工件靠近流过所述放电空间的反应气体的下游的第一电极，所以在该放电空间中所产生的等离子体被传送到第一电极和所述工件之间的空间，以在其中产生第二常压辉光等离子体，由此，在该工件的表面上形成碳氟化合物涂层。在这种情况中，优选地，烃气体选自以下气体组成的组：C2H2、CH4、C2H4、C2H6、C3H8及其混合物，碳氟化合物气体选自以下气体组成的组：CF3、CF4、C2F6、C4F8及其混合物。进一步地，优选反应气体中所含的碳氟化合物气体和烃气的体积比(碳氟化合物/烃)在0.1～10的范围内，反应气体中所含的惰性气体的体积为该反应气体的总体积的至少90％。优选地，惰性气体包括氦气，且氦气的体积为惰性气体的总体积的至少60％。
采用在100KHz～60MHz频率运行的RF电源以产生等离子体。优选地，工件靠近第一电极至在1～10mm范围内。
根据本发明的另一方面，提供一种用碳氟化合物将工件表面涂覆成疏水性或超疏水性的方法，该方法包括步骤：通过提供包含氢气、碳氟化合物气体和惰性气体的反应气体给常压等离子体发生器，产生常压辉光等离子体；以及将工件的表面暴露于所产生的常压辉光等离子体中，从而在该工件表面上形成碳氟化合物涂层。优选地，碳氟化合物气体选自以下气体组成的组：CF3、CF4、C2F6、C4F8及其混合物，反应气体中所含的碳氟化合物气体和氢气的体积比(碳氟化合物/氢)在0.1～10范围内。优选地，反应气体中所含的惰性气体的体积为该反应气体的总体积的至少90％，惰性气体包括氦气，且氦气的体积为惰性气体的总体积的至少60％。另外，在辉光等离子体产生步骤中，所述常压等离子体发生器可以使用在100KHz～60MHz频率下运行的RF电源。
根据本发明的另一方面，提供一种用碳氟化合物将工件表面涂覆成疏水性或超疏水性的方法，该方法包括步骤：通过提供包含烃气体、碳氟化合物气体和惰性气体的反应气体给常压等离子体发生器，产生常压辉光等离子体；以及将工件的表面暴露于所产生的常压辉光等离子体，从而在该工件表面上形成碳氟化合物涂层。优选地，碳氟化合物气体选自以下气体组成的组：CF3、CF4、C2F6、C4F8及其混合物，烃气体选自以下气体组成的组：C2H2、CH4、C2H4、C2H6、C3H8及其混合物。优选地，反应气体中所含的碳氟化合物气体和烃气体的体积比(碳氟化合物/烃)在0.1～10范围内，反应气体中所含的惰性气体的体积为该反应气体的总体积的至少90％，惰性气体包括氦气，且氦气的体积为惰性气体的总体积的至少60％。采用在100KHz～60MHz频率下运行的RF电源以产生等离子体。
根据本发明的另一方面，提供一种用烃涂覆工件表面的方法，该方法包括步骤：通过将反应气体供应到形成于第一电极和第二电极之间的放电空间，产生第一常压辉光等离子体，所述反应气体包括烃气体和惰性气体，第一电极和第二电极被连接到常压等离子体发生器的RF电源；以及将工件靠近流过所述放电空间的反应气体的下游的第一电极，所以在该放电空间所产生的等离子体被传送到第一电极和所工件之间的空间，以在其中产生第二常压辉光等离子体，由此，在该工件的表面上形成烃涂层。优选地，烃气体选自以下气体组成的组：C2H2、CH4、C2H4、C2H6、C3H8及其混合物，惰性气体的体积为反应气体的总体积的至少90％。更优选地，选自氦、氩及其混合物的气体的体积为惰性气体的总体积的至少60％。
在本发明的表面涂覆方法中，等离子体发生器的第一电极采取具有预定长度的棒的形状；第二电极与第一电极沿着第一电极的纵向间隔预定距离，以在电极之间形成放电空间；等离子体发生器进一步包括用通道形成的气体供应单元，通过所述通道，反应气体可被供应到放电空间；所述通道包括沿着第一电极的纵向形成的缓冲空间、沿着第一电极的纵向形成且具有朝着放电空间开放的一侧的混合空间、和用于使所述缓冲空间和所述混合空间的内壁彼此相通的孔。等离子体发生器可以进一步包括与第一电极相连的电容器。
可选择地，在本发明的表面涂覆方法中，等离子体发生器的第一电极采取具有预定长度的棒的形状；第二电极与第一电极沿着第一电极的纵向间隔预定距离，以在电极之间形成放电空间；等离子体发生器进一步包括用通道形成的气体供应单元以及与第一电极相连的电容器，通过所述通道，反应气体可被供应到所述放电空间。
附图说明
图1为根据本发明的第一实施方式的常压等离子体发生器的示意图；
图2为本发明的常压等离子体发生器中的辊对辊型样品供应单元的概念视图；
图3为本发明的常压等离子体发生器中的卷对卷型样品供应单元的概念视图；
图4为根据本发明的第二实施方式的常压等离子体发生器的示意图；
图5所示的是根据本发明处理的工件的FTIR分析数据；
图6所示的是根据本发明处理的工件的并且通过处理次数分类的FTIR分析数据；
图7为沉积在金膜上的超疏水涂层的XPS谱；
图8所示的是用CF4-H2-He气体处理的金膜的AFM图；
图9所示的是根据本发明的实施方式处理成超疏水性的工件的接触角图；
图10所示的是根据本发明的实施方式处理成疏水性的工件的接触角图；
图11所示的是水滴落在根据本发明的实施方式处理成超疏水性的膜上的图；
图12所示的是水滴落在根据本发明的实施方式处理成超疏水性的膜上的图像和E-SEM图像；
图13所示的是水和物体的表面之间的接触角的例子；
图14所示的是具有疏水性的植物叶子及其多孔结构；
图15所示的是使用碳纳米管处理的物体的疏水性表面结构的例子。
具体实施方式
下文将参照附图，详细描述根据本发明的优选实施方式将工件表面处理成疏水性或超疏水性的方法。
图1解释了用于根据本发明将工件表面处理成疏水性或超疏水性的常压等离子体发生器的构造。
常压发生器包括RF电源400、等离子体模块405、匹配箱401、样品供应单元421和气体供应单元。
RF电源400提供将反应气体电离成等离子态所需要的电能，匹配箱401将来源于RF电源400的电能以处于稳定频率波段的电能形式供应给等离子体模块405。
气体供应单元包括气体供应管410、411和412以及气体混合器413。气体供应管410、411和412供应用于产生等离子体和将工件表面处理成疏水性或超疏水性所需要的气体。可选择地，气体供应管可以包括多个管。气体混合器413使通过气体供应管410、411和412被引入的气体混合成为反应气体，该反应气体随后被供应给等离子体模块405。
等离子体模块405包括第一电极402、第二电极403、电介质404、气体供应通道407和放电空间406。
第一电极402与匹配箱401连接用于接收来自RF电源400的电能，并被电介质404覆盖。第二电极403接地并与第一电极402间隔某一距离，以形成电极之间的放电空间406。气体供应通道407容纳来自于气体混合器413的反应气体，并将反应气体供应到放电空间406中。在反应气体被引入到放电空间406之后，然后电能被提供给第一电极402，通过第一电极402和第二电极403之间的电压，反应气体在放电空间406内辉光放电并且同时转化为等离子态。
样品供应单元421在第一电极402之下提供将被表面处理的工件420。在放电空间406内所产生的等离子态的反应气体在第一电极402下流动。此时，如果工件420被放置在第一电极402之下处于放电空间406的出口侧，在该工件420的表面上方就会发生等离子体转化现象。
用于提供工件420的方法包括扫描法、辊对辊法(roll-to roll method)、卷对卷法(reel-to-reel)等。
图2所示的是一种通过辊对辊法在第一电极500之下提供工件502的方法。工件502通过辊503来运送，并且直接暴露于在第一电极500和接地电极504之间传送的等离子体，由此，它可以被处理成疏水性或超疏水性。此时，电极和工件之间的距离大约为1～10mm。接地电极504被置于稍低于所述辊的位置，由此，在工件和接地电极504之间产生间隙505。因此，工件可以以其底面不与接地电极504发生接触的状态下被顺利地运送。
图3所示的是一种通过卷对卷法在第一电极600之下提供工件602的方法。工件602通过辊603来运送，并且直接暴露于在第一电极600和接地电极604之间传送的等离子体601，由此，它可以被处理成疏水性或超疏水性。
RF电源具有100KHz～60MHz的工作频率，并且通过匹配箱401在稳定的频率波段下将RF功率应用于电极。第一电极被电介质404覆盖，由此，没有电弧产生且可以防止工件的损坏。
用于将工件的表面处理成疏水性和超疏水性的反应气体由惰性气体和工作气体组成。惰性气体优选为氦气，可以进一步包括氩气、氖气等。惰性气体优选具有不低于所述反应气体的总体积的90％，更优选地为95.00-99.99％。此外，优选惰性气体的体积的至少60％填充氦气。
为了将工件表面处理成疏水性或超疏水性(例如，达到接触角不小于150°的程度)，烃气和碳氟化合物气体被用作工作气体。优选地，所述烃气体选自以下组成的组：C2H2、CH4、C2H4、C2H6、C3H8及其混合物，碳氟化合物气体选自以下组成的组：CF3、CF4、C2F6、C4F8及其混合物。作为工作气体，氢气或SiH4气体可以被用来代替烃气，SF6气体也可以被用来代替碳氟化合物气体。
另外，碳氟化合物气体的体积优选控制在氢气或烃气体积的0.1～10倍。当工件表面暴露于等离子态的反应气体时，碳氟化合物以多氟烃的形式被涂覆在工件表面上，所以该工件显示出疏水性或超疏水性。此时，烃基气体构成了涂覆环境。
其它的用于将工件表面处理成疏水性的工作气体包括烃气。当工件表面暴露于等离子态的反应气体时，烃被涂覆在工件表面上，所以该工件显示出疏水性。
当等离子体430在反应空间406产生时，工件420在第一电极402之下通过样品供应单元422进行运送和传递，等离子体被传递和直接暴露于工件420。根据所使用的反应气体，工件420可以被处理成疏水性或超疏水性。工件420可以被在停顿状态下处理或者重复处理。通常，在工件小于等离子体产生区的情况下，工件可以被在停顿状态下或重复进行等离子体处理。
图4所示的是根据本发明另一实施方式的等离子体发生器。在该实施方式的常压等离子体发生器中，第一电极组件30与高频电源40电连接，用于通过匹配箱41提供高频功率。第二电极15与第一电极组件30间隔预定距离，以在所述电极之间形成放电空间15a。形成有入口11的气体供应单元10被构造为夹持和支撑第一电极组件30和第二电极15，通过所述入口11，反应气体可以被供应到第一电极组件30和第二电极15之间的放电空间15a。工件M被放置在流经放电空间15a的反应气体的下游，并且与第一电极组件30间隔预定距离。气体供应单元10的入口11被构造为与在第一电极装置30的纵向上形成的缓冲空间12相连接。进一步地，气体供应单元10形成有混合空间13a，其沿着第一电极组件30的纵向形成，且与缓冲空间12间隔某一距离，并且与放电空间15a相连接。另外，气体供应单元10具有多个孔13，其将混合空间13a和缓冲空间12相互连通。此外，第一电极组件30是一种长的元件，其一侧(在该图中由虚线表示)连接到电源，另一侧进行电连接，并且与电容连接接地。第一电极装置30包括导体32和沿导体32外周卷绕的硅树脂31。
当通过气体供应单元10的入口11供应反应气体时，如果RF功率被用于第一电极装置30，第一等离子体P1首先在放电空间15a内产生。由于第一电极装置和第二电极之间的距离小于第一电极装置和工件M表面之间的距离，产生在放电空间15a内的等离子体P1可以容易地被传送到工件M和第一电极装置之间的空间，从而产生用于稳定的表面处理的等离子体P2。特别是，由于电连接到第一电极装置的导体一侧端的电容C1接地，沿第一电极装置纵向的不均匀的电压分布可以被防止，从而产生稳定的等离子体P1和P2。电容C1允许通过充电和放电操作而使得第一电极装置上的电压是均匀分布的。由于高频功率的应用，电容即使不接地也可以被充电和放电。然而，优选电容接地。另外，通过入口11供应的反应气体沿着缓冲空间12的纵向具有初级均匀的压力分布，所述缓冲空间12沿着第一电极组件30的纵向形成。在均匀的压力下，通过多个孔13从缓冲空间12提供的反应气体碰撞混合空间13的内壁，然后，在混合空间内混合以使其沿着第一电极组件30的纵向具有第二均匀压力分布。在混合空间13中的反应气体具有均匀压力分布，其被供应到放电空间15a，所以稳定的等离子体P1和P2可以沿着第一电极组件30的纵向产生。
在该实施方式的等离子体发生器中，等离子体在放电空间内产生，然后被传送到工件表面上，由此，可以在工件表面上涂覆多氟烃或烃。然而，所述工件可被直接运送到产生等离子体的放电空间，以实施表面处理。
所述工件可以是金属材料、玻璃、硅晶片、氧化物、氮化物、陶瓷、聚合物、橡胶、硅树脂和纤维或其复合材料中的一种，除了液体和气体之外。
实施例
下文将详细描述本发明的实施例。
实施例1
目的：超疏水性      惰性气体：He(10升/分钟)
频率：13.56MHz      反应气体：CF4(15sccm(立方厘米/分钟))，H2(5sccm)
功率：250W          处理次数：15次
工件：铜片          处理速率：10毫米/秒
处理后的接触角：171°
实施例2
目的：超疏水性      惰性气体：He(10升/分钟)
频率：13.56MHz      反应气体：CF4(15sccm)，CH4(5sccm)
功率：250W          处理次数：15次
工件：铝片          处理速率：10毫米/秒
处理后的接触角：168°
实施例3
目的：超疏水性      惰性气体：He(10升/分钟)，Ar(1升/分钟)
频率：13.56MHz      反应气体：CF4(10sccm)，H2(5sccm)
功率：250W          处理次数：10次
工件：玻璃          处理速率：10毫米/秒
处理后的接触角：157°
实施例4
目的：超疏水性      惰性气体：He(10升/分钟)
频率：13.56MHz      反应气体：CF4(10sccm)，H2(5sccm)
功率：250W          处理次数：20次
工件：聚酰亚胺膜    处理速率：10毫米/秒
处理后的接触角：175°
实施例5
目的：疏水性        惰性气体：He(10升/分钟)
频率：13.56MHz      反应气体：CH4(10sccm)
功率：200W        处理次数：10次
工件：铜片        处理速率：10毫米/秒
处理后的接触角：112°
实施例6
目的：疏水性      惰性气体：He(10升/分钟)
频率：13.56MHz    反应气体：CH4(10sccm)
功率：200W        处理次数：10次
工件：玻璃        处理速率：10毫米/秒
处理后的接触角：115°
在实施例1到6中，氦被用作惰性气体以将工件表面处理成疏水性或超疏水性。金属、基于聚合物的膜和玻璃被用作工件。然而，由于所述处理是在常压下进行的，在真空方法中可能引起问题的排气无须考虑。从而，包括上述实施例描述的工件材料的各种材料都可以用作工件。
另外，由于等离子体具有鞘状面，本发明可以被用于各种工件如平板、针、大块型、表面、颗粒等的表面处理。
图5所示的是根据本发明的工件的FTIR数据。位于特定波长波段的顶点表示相关元素的结合形式和结合能。作为分析结果，已经发现CF2-、CF3-和CF-基多氟烃被涂覆在工件上。
图6所示的是根据本发明处理的工件的并且通过处理次数分类的FTIR数据。从图中可以看出，C-F基和C-C基元件的信号强度随处理次数的增加而增加。
图7所示的是沉积在金膜上的超疏水性涂层的XPS能谱。所测量的能谱对应于处理三次的涂层。C1s和F1s的高分辨率谱分别对应于处理三次和九次的涂层。作为将高分辨率谱分析成具有多个顶点的能谱的结果，可以看出，已经检测到具有各种结合能的碳-基和氟-基元素。所插入的数子表示处理的次数。为了将C-C置于285.0eV，C1s和F1s能谱通过所希望的数量进行补偿。
图8所示的是根据处理次数使用CF4-H2-He气体处理金膜的AFM图象，其中，(a)对应于未处理金膜的图象，而(b)、(c)、和(d)分别对应于金膜被处理三次、七次和十一次的图象。用于各个图象的对照物的尺寸为(a)14.4nm、(b)44.6nm、(c)64.0nm和(d)79.6nm。
从该图中可以看出，表面粗糙度随处理次数的增加而增加。进一步地，在十一次处理之后，可以获得次纳米级表面粗糙度。考虑到在真空方法中处理工件，当其表面粗糙度为微米级时，可获得超疏水性，可以看出，按照本发明的工件的表面，即使当它具有极低的表面粗糙度时，也显示出超疏水性。
已经证实，在平均处理速率为10毫米/秒时，每经过一次处理，涂覆约45的多氟烃。
图9所示的是由(a)铜、(b)硅晶片、(c)铝和(d)玻璃载片制成的工件的接触角，其根据本发明的实施方式被处理成疏水性。处理速率和处理次数分别为10毫米/秒和10次。
图10所示的是由(a)铜、(b)硅晶片、(c)棉、(d)纸和(e)玻璃载片制成的工件的接触角，其根据本发明的实施方式被处理成疏水性。处理速率和处理次数分别为10毫米/秒和10次。
图11所示的是水滴落在金膜(上图)和棉织物(下图)上的连续图象，其根据本发明的实施方式被涂覆成超疏水性。前六个图象每间隔2ms拍摄一次，剩余两个图象每间隔6ms拍摄一次。落在超疏水性工件上的水滴不仅没有粘附该到工件上，而且从该工件上弹起来。
图12(a)是表示水滴落在根据本发明的实施方式被处理成超疏水性金膜上的照片，图12(b)和(c)是表示在沉积于金膜的超疏水性涂层膜上冷凝的水滴的E-SEM图。蒸气压为5.54托，工件的温度为3.0℃，图12(b)和(c)中的比例尺分别为100mm和5mm。
工业实用性
根据本发明，使用常压辉光放电等离子体将工件表面处理成疏水性或超疏水性。通过调整处理速率和处理次数，容易改性所述工件的表面。
另外，根据工件的类型，不同的运输系统如扫描型、辊对辊型和卷对卷型可以被选择用于控制多氟烃的沉积速率。由于大面积的工件可以通过使用连续的工艺处理，对需要处理的工件的尺寸没有限制。
此外，在开放空间采用常压等离子体处理与采用真空等离子体处理相比较，具有较高的处理速率。因此，可以减少时间和节约成本，还可以提高产品的产量。
尽管本发明已经采用优选的实施方式描述并在附图中进行了解释，但是本发明并不因此而被限制，而是由附加的权利要求来定义。因此，对于本领域技术人员而言，可以容易地理解，在不脱离由附加权利要求定义的本发明的精神和范围的情况下，可以得到各种改进和修改。

Claims (40)

1.一种用碳氟化合物涂覆工件的表面的方法，包括步骤：
通过将反应气体供应到形成于第一电极和第二电极之间的放电空间，产生第一常压辉光等离子体，所述反应气体包含氢气、碳氟化合物气体和惰性气体，第一电极和第二电极与常压等离子体发生器的RF电源相连；以及
将工件靠近在流过所述放电空间的反应气体的下游的第一电极，使得在所述放电空间中产生的等离子体被传送到第一电极和所述工件之间的空间，以在其中产生第二常压辉光等离子体，由此，在所述工件的表面上形成碳氟化合物涂层。
2.如权利要求1的方法，其中，所述碳氟化合物气体选自以下组成的组：CF3、CF4、C2F6、C4F8及其混合物。
3.如权利要求1或2的方法，其中，所述反应气体中含有的碳氟化合物气体和氢气的体积比(碳氟化合物/氢)在0.1～10范围内。
4.如权利要求3的方法，其中，所述反应气体中含有的惰性气体的体积为该反应气体的总体积的至少90％。
5.如权利要求4的方法，其中，所述惰性气体包括氦气，氦气的体积为该惰性气体的总体积的至少60％。
6.如权利要求1的方法，其中，使用在100KHz～60MHz频率下运行的RF电源来产生等离子体。
7.如权利要求6的方法，其中，所述工件靠近第一电极至1～10mm范围内。
8.如权利要求5的方法，其中，使用在100KHz～60MHz频率下运行的RF电源来产生等离子体，并且所述工件靠近第一电极至1～10mm范围内。
9.如权利要求1的方法，其中：
所述等离子体发生器的第一电极采取具有预定长度的棒的形状；
第二电极与第一电极沿着第一电极的纵向间隔预定距离，由此在所述电极之间形成放电空间；
所述等离子体发生器进一步包括用通道形成的气体供应单元，通过该通道，所述反应气体可以被供应到所述放电空间中；以及
所述通道包括沿着第一电极的纵向形成的缓冲空间、沿着第一电极的纵向形成且具有朝着放电空间开放的一侧的混合空间、和用于使所述缓冲空间和所述混合空间的内壁彼此相通的孔。
10.如权利要求1的方法，其中：
所述等离子体发生器的第一电极采取具有预定长度的棒的形状；
第二电极与第一电极沿着第一电极的纵向间隔预定距离，以在所述电极之间形成放电空间；以及
所述等离子体发生器进一步包括用通道形成的气体供应单元以及与第一电极相连的电容器，通过所述通道，所述反应气体可以被供应到所述放电空间中。
11.如权利要求9的方法，其中，所述等离子体发生器进一步包括与第一电极相连的电容器。
12.一种用碳氟化合物涂覆工件的表面的方法，包括步骤：
通过将反应气体供应到形成于第一电极和第二电极之间的放电空间，产生第一常压辉光等离子体，所述反应气体包括烃气体、碳氟化合物气体和惰性气体，第一电极和第二电极与常压等离子体发生器的RF电源相连；以及
将工件靠近流过所述放电空间的反应气体的下游的第一电极，使得在所述放电空间中产生的等离子体被传送到第一电极和工件之间的空间，以在其中产生第二常压辉光等离子体，由此，在该工件的表面上形成碳氟化合物涂层。
13.如权利要求12的方法，其中，所述烃气体选自以下组成的组：C2H2、CH4、C2H4、C2H6、C3H8及其混合物。
14.如权利要求13的方法，其中，所述碳氟化合物气体选自以下组成的组：CF3、CF4、C2F6、C4F8及其混合物。
15.如权利要求12-14中任一项的方法，其中，所述反应气体中含有的碳氟化合物气体和烃气体的体积比(碳氟化合物/烃)在0.1～10范围内。
16.如权利要求15的方法，其中，所述反应气体中含有的惰性气体的体积为该反应气体的总体积的至少90％。
17.如权利要求4的方法，其中，所述惰性气体包括氦气，氦气的体积为该惰性气体的总体积的至少60％。
18.如权利要求12的方法，其中，使用在100KHz～60MHz频率下运行的RF电源来产生等离子体。
19.如权利要求18的方法，其中，所述工件靠近第一电极至1～10mm范围内。
20.如权利要求17的方法，其中，使用在100KHz～60MHz频率下运行的RF电源来产生等离子体，并且所述工件靠近第一电极至1～10mm范围内。
21.一种用碳氟化合物涂覆工件的表面的方法，包括步骤：
通过提供包含氢气、碳氟化合物气体和惰性气体的反应气体给常压等离子体发生器，产生常压辉光等离子体；以及
将工件表面暴露于所产生的常压辉光等离子体，从而在该工件表面上形成碳氟化合物涂层。
22.如权利要求21的方法，其中，所述碳氟化合物气体选自以下组成的组：CF3、CF4、C2F6、C4F8及其混合物。
23.如权利要求21或22的方法，其中，所述反应气体中含有的碳氟化合物气体和氢气的体积比(碳氟化合物/氢)在0.1～10范围内。
24.如权利要求23的方法，其中，所述反应气体中含有的惰性气体的体积为该反应气体的总体积的至少90％。
25.如权利要求24的方法，其中，所述惰性气体包括氦气，氦气的体积为该惰性气体的总体积的至少60％。
26.如权利要求21的方法，其中，在辉光等离子体产生步骤中，所述常压等离子体发生器使用在100KHz～60MHz频率下运行的RF电源。
27.一种用碳氟化合物涂覆工件的表面的方法，包括步骤：
通过提供包含烃气、碳氟化合物气体和惰性气体的反应气体给常压等离子体发生器，产生常压辉光等离子体；以及
将工件表面暴露于所产生的常压辉光等离子体，从而在该工件表面上形成碳氟化合物涂层。
28.如权利要求27的方法，其中，所述碳氟化合物气体选自以下组成的组：CF3、CF4、C2F6、C4F8及其混合物。
29.如权利要求28的方法，其中，所述烃气体选自以下组成的组：C2H2、CH4、C2H4、C2H6、C3H8及其混合物。
30.如权利要求27-29中任一项的方法，其中，所述反应气体中含有的碳氟化合物气体和烃气体的体积比(碳氟化合物/烃)在0.1～10范围内。
31.如权利要求30的方法，其中，所述反应气体中含有的惰性气体的体积为该反应气体的总体积的至少90％。
32.如权利要求31的方法，其中，所述惰性气体包括氦气，氦气的体积为该惰性气体的总体积的至少60％。
33.如权利要求27的方法，其中，使用在100KHz～60MHz频率下运行的RF电源来产生等离子体。
34.一种用烃涂覆工件的表面的方法，包括步骤：
通过将反应气体供应到形成于第一电极和第二电极之间的放电空间，产生第一常压辉光等离子体，所述反应气体包含烃气体和惰性气体，第一电极和第二电极与常压等离子体发生器的RF电源相连；以及
将工件靠近流过所述放电空间的反应气体的下游的第一电极，使得在所述放电空间中产生的等离子体被传送到第一电极和工件之间的空间，以在其中产生第二常压辉光等离子体，由此，在该工件的表面上形成烃涂层。
35.如权利要求34的方法，其中，所述烃气体选自以下组成的组：C2H2、CH4、C2H4、C2H6、C3H8及其混合物。
36.如权利要求35的方法，其中，所述惰性气体的体积为所述反应气体的总体积的至少90％。
37.如权利要求36的方法，其中，选自氦、氩及其混合物的气体的体积为所述惰性气体的总体积的至少60％。
38.如权利要求34-37中任一项的方法，其中：
等离子体发生器的第一电极采取具有预定长度的棒的形状；
第二电极与第一电极沿着第一电极的纵向间隔预定距离，以在所述电极之间形成放电空间；
所述等离子体发生器进一步包括用通道形成的气体供应单元，通过该通道，所述反应气体可以被供应到所述放电空间中；以及
所述通道包括沿着第一电极的纵向形成的缓冲空间、沿着第一电极的纵向形成且具有朝着放电空间开放的一侧的混合空间、和用于使所述缓冲空间和所述混合空间的内壁彼此相通的孔。
39.如权利要求34-37中任一项的方法，其中：
等离子体发生器的第一电极采取预定长度的棒的形状；
第二电极与第一电极沿着第一电极的纵向间隔预定距离，以在所述电极之间形成放电空间；以及
所述等离子体发生器进一步包括用通道形成的气体供应单元以及与第一电极相连的电容器，通过所述通道，所述反应气体可以被供应到所述放电空间中。
40.如权利要求38的方法，其中，所述等离子体发生器进一步包括与第一电极相连的电容器。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102070788A (zh) * 2010-11-17 2011-05-25 无锡中科光远生物材料有限公司 一种仿生制备水凝胶的方法
TWI381078B (zh) * 2008-10-09 2013-01-01 Atomic Energy Council 高分子材料之大氣電漿撥水與撥油改質結構及其改質方法
CN105761857A (zh) * 2016-02-24 2016-07-13 西安交通大学 一种cf4等离子体氟化绝缘子的方法
CN106319588A (zh) * 2016-10-31 2017-01-11 常州瑞丰特科技有限公司 基于电化学沉积的金属材料表面超疏水薄膜制备方法
CN107058981A (zh) * 2017-01-23 2017-08-18 无锡荣坚五金工具有限公司 一种低粘附、耐蚀涂层的制备方法
CN110739109A (zh) * 2019-10-10 2020-01-31 华北电力大学 提高c4f7n气体中绝缘子表面电气强度的系统和方法
CN112111712A (zh) * 2019-06-21 2020-12-22 逢甲大学 大气常压低温等离子体镀制抗刮疏水层的方法

Families Citing this family (340)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0710475D0 (en) * 2007-06-01 2007-07-11 Innovatek Medical Ltd Elastomeric sales
GB0710490D0 (en) * 2007-06-01 2007-07-11 Innovatek Medical Ltd Medicament dispenser device
FR2923494B1 (fr) * 2007-11-09 2010-01-15 Hutchinson Membranes imper-respirantes et leur procede de fabrication
KR101047034B1 (ko) * 2008-04-14 2011-07-06 (주)에이디에스 박막 패턴 형성 방법
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US20100159195A1 (en) * 2008-12-24 2010-06-24 Quincy Iii Roger B High repellency materials via nanotopography and post treatment
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
CN102460635B (zh) 2009-05-06 2014-12-24 3M创新有限公司 对容器进行等离子体处理的装置和方法
KR101102506B1 (ko) 2009-06-12 2012-01-04 주식회사 하이닉스반도체 수직채널형 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
WO2011056742A1 (en) 2009-11-04 2011-05-12 Ssw Holding Company, Inc. Cooking appliance surfaces having spill containment pattern and methods of making the same
KR101085181B1 (ko) * 2010-12-21 2011-11-18 한국기계연구원 플라즈마 표면 처리장치 및 그 처리방법
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9117657B2 (en) * 2013-06-07 2015-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for filling recesses using pre-treatment with hydrocarbon-containing gas
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
KR101620786B1 (ko) * 2015-06-08 2016-05-12 아주대학교산학협력단 초소수성 표면 형성 방법
KR101639378B1 (ko) * 2015-06-19 2016-07-13 성균관대학교산학협력단 박테리아 방지용 소수성 박막 및 이의 제조 방법
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
GB201515271D0 (en) * 2015-08-27 2015-10-14 Surrey Nanosystems Ltd Ultra low reflectivity coating and method therefor
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
GB201717996D0 (en) * 2017-10-31 2017-12-13 Portal Medical Ltd Medicament dispenser device
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202344708A (zh) 2018-05-08 2023-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20200052062A (ko) 2018-11-06 2020-05-14 우석대학교 산학협력단 순환유동층 반응기를 이용한 hdpe 분말의 cf4 플라즈마 표면개질
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
WO2021080032A1 (ko) * 2019-10-23 2021-04-29 한남대학교 산학협력단 초소수성 표면 코팅방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
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TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4869922A (en) * 1986-01-24 1989-09-26 Ausimont S.P.A. Method of coating with polyfluorocarbons
EP0346055B1 (en) * 1988-06-06 1995-04-19 Research Development Corporation Of Japan Method for causing plasma reaction under atmospheric pressure
JP3393444B2 (ja) * 1993-04-05 2003-04-07 株式会社ダイオー 大気圧グロ−放電プラズマ処理法
JP3720408B2 (ja) * 1994-03-18 2005-11-30 サムコ株式会社 ハロゲン化炭化水素ガス処理方法及び装置
JPH09208726A (ja) * 1996-02-02 1997-08-12 Sekisui Chem Co Ltd プラズマを利用した基材の表面処理方法
US6649222B1 (en) * 1998-09-07 2003-11-18 The Procter & Gamble Company Modulated plasma glow discharge treatments for making superhydrophobic substrates
US6652069B2 (en) * 2000-11-22 2003-11-25 Konica Corporation Method of surface treatment, device of surface treatment, and head for use in ink jet printer
US7887889B2 (en) * 2001-12-14 2011-02-15 3M Innovative Properties Company Plasma fluorination treatment of porous materials
KR20040095104A (ko) * 2003-05-06 2004-11-12 사단법인 고등기술연구원 연구조합 경표면 소재 도금 전처리용 상압 플라즈마 표면처리장치및 방법

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI381078B (zh) * 2008-10-09 2013-01-01 Atomic Energy Council 高分子材料之大氣電漿撥水與撥油改質結構及其改質方法
CN102070788A (zh) * 2010-11-17 2011-05-25 无锡中科光远生物材料有限公司 一种仿生制备水凝胶的方法
CN102070788B (zh) * 2010-11-17 2013-09-11 无锡中科光远生物材料有限公司 一种仿生制备水凝胶的方法
CN105761857A (zh) * 2016-02-24 2016-07-13 西安交通大学 一种cf4等离子体氟化绝缘子的方法
CN106319588A (zh) * 2016-10-31 2017-01-11 常州瑞丰特科技有限公司 基于电化学沉积的金属材料表面超疏水薄膜制备方法
CN107058981A (zh) * 2017-01-23 2017-08-18 无锡荣坚五金工具有限公司 一种低粘附、耐蚀涂层的制备方法
CN107058981B (zh) * 2017-01-23 2018-09-21 江苏菲沃泰纳米科技有限公司 一种低粘附、耐蚀涂层的制备方法
CN112111712A (zh) * 2019-06-21 2020-12-22 逢甲大学 大气常压低温等离子体镀制抗刮疏水层的方法
CN110739109A (zh) * 2019-10-10 2020-01-31 华北电力大学 提高c4f7n气体中绝缘子表面电气强度的系统和方法

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Publication number Publication date
CN101222983B (zh) 2012-09-05
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