JP5309317B2 - カーボンナノ構造体の製造方法及び製造装置 - Google Patents
カーボンナノ構造体の製造方法及び製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5309317B2 JP5309317B2 JP2006244057A JP2006244057A JP5309317B2 JP 5309317 B2 JP5309317 B2 JP 5309317B2 JP 2006244057 A JP2006244057 A JP 2006244057A JP 2006244057 A JP2006244057 A JP 2006244057A JP 5309317 B2 JP5309317 B2 JP 5309317B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon nanostructure
- base material
- plasma
- carbon
- producing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Description
本発明のカーボンナノ構造体の製造方法の他の態様は、前記相対距離を基材支持部によって制御し、前記基材は前記基材支持部を介して所定の電圧が加えられていることを特徴とする。
本発明のカーボンナノ構造体の製造装置の他の態様は、前記基材支持部は、前記基材に所定の電圧を加えるように構成されることを特徴とする。
本発明の第1の実施の形態に係るカーボンナノ構造体の製造装置について、図1の構成図を用いて以下に説明する。製造装置100は、主要構成としてカーボンナノ構造体を生成するプラズマ処理室101と、基材104をプラズマ処理室101内に送出する基材供給部102と、カーボンナノ構造体が生成された基材104を回収する基材回収部103とから構成されている。基材104は帯状の形状を有しており、基材供給部102からプラズマ処理室101を経由して基材回収部103まで連続して移送される。本実施形態の製造装置100では、カーボンナノ構造体としてカーボンナノウォールが生成される。
本発明の第2の実施の形態に係るカーボンナノ構造体の製造装置を、図4を用いて以下に説明する。図4は、本実施形態の製造装置のプラズマ処理室201のみを示しており、基材供給部102及び基材回収部103は第1の実施形態と同様のものを用いるものとしている。
本発明の第3の実施の形態に係るカーボンナノ構造体の製造装置について、図5の構成図を用いて以下に説明する。本実施形態の製造装置300では、加熱手段323がプラズマ処理室301内部の基材支持部321とは別の位置に設けられている。すなわち、本実施形態では加熱手段323を基材支持部321より前方の位置に設け、基材104が基材支持部321に到る前にこれを所定温度まで局所的に加熱するようにしている。
本発明の第4の実施の形態に係るカーボンナノ構造体の製造装置を、図6を用いて以下に説明する。図6は、本実施形態の製造装置のプラズマ処理室401のみを示している。本実施形態では、プラズマ源供給部411とラジカル源供給部412が基材104の移動方向とは垂直の方向にそれぞれ2つずつ設置されている。これにより、プラズマ113とラジカル114とが混合した混合領域115が、基材104の移動方向とは垂直の方向に線状に並んで2ヶ所形成され、カーボンナノウォールが基材104の移動方向とは垂直の方向に線状に生成される。
本発明の第5の実施の形態に係るカーボンナノ構造体の製造装置について、図7の構成図を用いて以下に説明する。本実施形態の製造装置500には、プラズマ処理室501の内部に触媒塗布部502と触媒分散部503を備えた触媒付加部504が備えられている。触媒付加部504は、基材支持部121より前方に設置されており、ここで所定の金属微粒子を基材104に付加するようにしている。
101、201、301、401、501 プラズマ処理室
102 基材供給部
103 基材回収部
104、901 基材
111、211、411 プラズマ源供給部
112、212、412 ラジカル源供給部
111s、112s、202s マイクロスリット
113、902 プラズマ
114、903 ラジカル
115 混合領域
116 導入口
117 排出口
121、321 基材支持部
121a 位置決め手段
122 電源
123、323 加熱手段
131 送出用ロール
132 引取機
133 ダンサー
134 巻取用ロール
202 チャンバー
203 排気口
502 触媒塗布部
503 触媒分散部
504 触媒付加部
900 プラズマCVD装置
Claims (27)
- プラズマ処理室内の成膜位置に配置された基材の表面にカーボンナノ構造体を生成するためのカーボンナノ構造体の製造方法であって、
帯状の前記基材を前記プラズマ処理室に連続的に供給し、
前記基材を所定温度まで局所的に加熱し、
第1の原料ガスのプラズマと第2の原料ガスのラジカルとが、それぞれ前記基材の移動方向とは垂直の方向に線状に分布して供給されて前記成膜位置の上部の略同一位置に混合領域を形成し、
前記ラジカルの供給量を制御し、
前記成膜位置に移送された前記基材と前記混合領域との相対距離を制御して前記基材の表面に前記カーボンナノ構造体を高速に生成し、
前記カーボンナノ構造体が生成された前記基材を連続的に回収する、
ことにより前記基材上に前記カーボンナノ構造体の成膜を連続的に形成する
ことを特徴とするカーボンナノ構造体の製造方法。 - 前記第1の原料ガスは、C2F6、CF4、C2H2、CH4のいずれか1種以上を含む
ことを特徴とする請求項1に記載のカーボンナノ構造体の製造方法。 - 前記第2の原料ガスは、水素である
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のカーボンナノ構造体の製造方法。 - 前記プラズマ処理室の内圧は、大気圧と同等、あるいは大気圧より減圧か加圧の雰囲気のいずれかである
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のカーボンナノ構造体の製造方法。 - 前記成膜位置に移送された前記基材は、記混合領域との相対距離が一定となるよう位置決め制御される
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のカーボンナノ構造体の製造方法。 - 前記プラズマと前記ラジカルとは、それぞれの供給量を独立して制御可能である
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のカーボンナノ構造体の製造方法。 - 前記プラズマは、前記成膜位置の上部に供給された前記第1の原料ガスを電離化したものである、あるいは前記成膜位置の上部以外で前記第1の原料ガスを電離化したのち前記成膜位置の上部に供給したものである
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のカーボンナノ構造体の製造方法。 - 前記ラジカルは、前記成膜位置の上部に供給された前記第2の原料ガスを活性化したものである、あるいは前記成膜位置の上部以外で前記第2の原料ガスを活性化したのち前記成膜位置の上部に供給したものである
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のカーボンナノ構造体の製造方法。 - 前記混合領域は、前記基材の移動方向とは垂直の方向に線状に並んで複数形成される
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のカーボンナノ構造体の製造方法。 - 前記混合領域は、前記基材の有効幅以上に形成される、
ことを特徴とする請求項9に記載のカーボンナノ構造体の製造方法。 - 前記プラズマ処理室には導入口及び排出口が備えられており、前記導入口から不活性ガスを導入し、前記プラズマ処理室の前記第1の原料ガスと前記プラズマと前記第2の原料ガスと前記ラジカルとが占める領域以外を前記不活性ガスで満たし、前記排出口から前記不活性ガスを排出させることで、前記不活性ガスの気流を制御する
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のカーボンナノ構造体の製造方法。 - 前記混合領域と前記基材との距離は、100mm以下である
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のカーボンナノ構造体の製造方法。 - 前記混合領域と前記基材との距離は、10mm以下である
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のカーボンナノ構造体の製造方法。 - 前記基材には、前記成膜位置で所定の電圧が加えられる
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のカーボンナノ構造体の製造方法。 - 前記混合領域における前記プラズマと前記ラジカルの少なくともいずれか一方の残存量を連続的もしくは定期的に測定し、前記残存量に基づいて前記プラズマと前記ラジカルの少なくともいずれか一方の供給量を制御する
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のカーボンナノ構造体の製造方法。 - 前記基材に対し、前記プラズマ処理室への供給時に加えられる張力と、前記カーボンナノ構造体生成時に加えられる張力と、前記プラズマ処理室からの回収時に加えられる張力の少なくともいずれか1以上が独立に制御される
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のカーボンナノ構造体の製造方法。 - 前記基材を、前記成膜位置あるいは前記成膜位置に到る前の所定位置で所定温度まで局所的に加熱する
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のカーボンナノ構造体の製造方法。 - 前記成膜位置に到る前の別の所定位置で前記基材の表面に所定の金属微粒子を塗布・分散させる
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のカーボンナノ構造体の製造方法。 - 前記金属微粒子は、Ni、Co、Feのうち少なくとも1種を含む
ことを特徴とする請求項18に記載のカーボンナノ構造体の製造方法。 - 前記カーボンナノ構造体は、カーボンナノウォールである
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のカーボンナノ構造体の製造方法。 - 前記カーボンナノ構造体は、カーボンナノチューブである
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のカーボンナノ構造体の製造方法。 - 前記相対距離を基材支持部によって制御し、前記基材は前記基材支持部を介して所定の電圧が加えられている
ことを特徴とする請求項5に記載のカーボンナノ構造体の製造方法。 - プラズマ処理室と、
前記プラズマ処理室に帯状の基材を連続的に供給する基材供給部と、
前記基材を所定温度まで局所的に加熱する加熱手段と、
前記プラズマ処理室内の所定の成膜位置で前記基材を配置する基材支持部と、
前記成膜位置の上部に第1の原料ガスのプラズマを供給するプラズマ源供給部と、
前記成膜位置の上部で前記プラズマとの混合領域を形成するよう第2の原料ガスのラジカルを供給するラジカル源供給部と、
前記基材と前記混合領域との相対距離を一定とするよう前記基材支持部の位置決め制御を行なう位置決め手段と、
カーボンナノ構造体の成膜が形成された前記基材を連続的に回収する基材回収部と、
を備えるとともに、
前記プラズマ源供給部及び前記ラジカル源供給部は、それぞれ前記プラズマ及び前記ラジカルを前記基材の移動方向とは垂直の方向に線状に供給するよう、それぞれマイクロスリットを備え、
前記ラジカルの供給量を制御する制御手段を備える
ことを特徴とするカーボンナノ構造体の製造装置。 - 前記プラズマ源供給部と前記ラジカル源供給部とは、前記基材の移動方向とは垂直の方向にそれぞれ複数配設される
ことを特徴とする請求項23に記載のカーボンナノ構造体の製造装置。 - 前記混合領域における前記プラズマと前記ラジカルの少なくともいずれか一方の残存量を連続的もしくは定期的に測定する測定手段と、
前記測定手段で測定された前記残存量に基づいて前記プラズマと前記ラジカルの少なくともいずれか一方の供給量を制御する供給量制御手段とをさらに備える
ことを特徴とする請求項23に記載のカーボンナノ構造体の製造装置。 - 前記成膜位置に到る前の所定位置で前記基材の表面に所定の金属微粒子を塗布・分散させる触媒付加部をさらに備える
ことを特徴とする請求項23に記載のカーボンナノ構造体の製造装置。 - 前記基材支持部は、前記基材に所定の電圧を加えるように構成される
ことを特徴とする請求項23に記載のカーボンナノ構造体の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006244057A JP5309317B2 (ja) | 2006-09-08 | 2006-09-08 | カーボンナノ構造体の製造方法及び製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006244057A JP5309317B2 (ja) | 2006-09-08 | 2006-09-08 | カーボンナノ構造体の製造方法及び製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008063196A JP2008063196A (ja) | 2008-03-21 |
JP5309317B2 true JP5309317B2 (ja) | 2013-10-09 |
Family
ID=39286214
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006244057A Active JP5309317B2 (ja) | 2006-09-08 | 2006-09-08 | カーボンナノ構造体の製造方法及び製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5309317B2 (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8951631B2 (en) | 2007-01-03 | 2015-02-10 | Applied Nanostructured Solutions, Llc | CNT-infused metal fiber materials and process therefor |
US8951632B2 (en) | 2007-01-03 | 2015-02-10 | Applied Nanostructured Solutions, Llc | CNT-infused carbon fiber materials and process therefor |
US9005755B2 (en) | 2007-01-03 | 2015-04-14 | Applied Nanostructured Solutions, Llc | CNS-infused carbon nanomaterials and process therefor |
JP5412638B2 (ja) * | 2008-06-27 | 2014-02-12 | 公立大学法人横浜市立大学 | リチウムイオン電池用負極材料及びそれを用いた急速充放電型リチウムイオン電池 |
WO2010019272A2 (en) * | 2008-08-15 | 2010-02-18 | Massachusetts Institute Of Technology | Layer-by-layer assemblies of carbon-based nanostructures and their applications in energy storage and generation devices |
US20100227134A1 (en) | 2009-03-03 | 2010-09-09 | Lockheed Martin Corporation | Method for the prevention of nanoparticle agglomeration at high temperatures |
JP5649225B2 (ja) | 2009-07-01 | 2015-01-07 | 日本ゼオン株式会社 | カーボンナノチューブ配向集合体の製造装置 |
EP2461953A4 (en) | 2009-08-03 | 2014-05-07 | Applied Nanostructured Sols | USE OF NANOPARTICLES IN COMPOSITE FIBERS |
CN102656016B (zh) * | 2009-10-16 | 2015-12-16 | 石墨烯广场株式会社 | 石墨烯卷对卷转印方法、由该方法制成的石墨烯卷及石墨烯卷对卷转印装置 |
JP5130275B2 (ja) * | 2009-11-11 | 2013-01-30 | トヨタ自動車株式会社 | リチウム二次電池用負極およびその製造方法 |
KR101132665B1 (ko) | 2009-12-23 | 2012-04-03 | 주식회사 포스코 | 표면 나노 구조체가 형성된 용융도금강판의 제조 방법 |
KR101405463B1 (ko) | 2010-01-15 | 2014-06-27 | 그래핀스퀘어 주식회사 | 기체 및 수분 차단용 그래핀 보호막, 이의 형성 방법 및 그의 용도 |
JP5546258B2 (ja) * | 2010-01-22 | 2014-07-09 | 日立造船株式会社 | カーボンナノチューブ形成用cvd装置 |
JP5546276B2 (ja) * | 2010-02-17 | 2014-07-09 | 日立造船株式会社 | カーボンナノチューブ形成用cvd装置 |
KR101630291B1 (ko) * | 2010-06-17 | 2016-06-14 | 한화테크윈 주식회사 | 그래핀의 전사 방법 |
EP2616189B1 (en) | 2010-09-14 | 2020-04-01 | Applied NanoStructured Solutions, LLC | Glass substrates having carbon nanotubes grown thereon and methods for production thereof |
CN103118975A (zh) | 2010-09-22 | 2013-05-22 | 应用奈米结构公司 | 具有碳纳米管成长于其上的碳纤维基板及其制造方法 |
JP2013001598A (ja) * | 2011-06-16 | 2013-01-07 | Hitachi Zosen Corp | カーボンナノチューブ生成用基板の製造方法および製造装置 |
JP5863318B2 (ja) * | 2011-08-03 | 2016-02-16 | 日立造船株式会社 | カーボンナノチューブ形成用cvd装置 |
JP5906261B2 (ja) | 2012-06-13 | 2016-04-20 | 株式会社三五 | リチウム二次電池用負極の製造方法 |
JP6312598B2 (ja) | 2012-10-29 | 2018-04-18 | 株式会社三五 | リチウムイオン二次電池用負極及びその製造方法 |
WO2019049921A1 (ja) * | 2017-09-11 | 2019-03-14 | 株式会社Ihi | 炭素繊維複合素材及びその製造方法、並びに炭素繊維複合素材の製造装置、プリプレグ、炭素繊維強化樹脂複合材料 |
US11673807B2 (en) | 2018-06-11 | 2023-06-13 | National University Corporation Tokai National Higher Education And Research System | Carbon nanostructured materials and methods for forming carbon nanostructured materials |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3593168B2 (ja) * | 1995-01-13 | 2004-11-24 | 積水化学工業株式会社 | シートの連続表面処理方法及び装置 |
JP2002008895A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-11 | Matsushita Electric Works Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP4168676B2 (ja) * | 2002-02-15 | 2008-10-22 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 製膜方法 |
JP2004241295A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Hitachi Zosen Corp | カーボンナノチューブを用いた電子放出素子用電極材料およびその製造方法 |
JP3991157B2 (ja) * | 2003-08-28 | 2007-10-17 | 日立造船株式会社 | カーボンナノチューブの製造装置 |
JP4786156B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2011-10-05 | 美根男 平松 | カーボンナノウォールの製造方法 |
JP4787968B2 (ja) * | 2005-03-22 | 2011-10-05 | 公益財団法人かがわ産業支援財団 | ナノ金属または金属酸化物担持活性炭の高効率製造方法 |
-
2006
- 2006-09-08 JP JP2006244057A patent/JP5309317B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008063196A (ja) | 2008-03-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5309317B2 (ja) | カーボンナノ構造体の製造方法及び製造装置 | |
US11462728B2 (en) | Structured composite materials | |
EP2674396B1 (en) | Method for producing graphene | |
EP3802418B1 (en) | Methods for forming carbon nanostructured materials | |
US11923176B2 (en) | Temperature-controlled chemical processing reactor | |
Levchenko et al. | Low-temperature plasmas in carbon nanostructure synthesis | |
NO345837B1 (en) | Apparatus for large scale producing 3D graphene and method describing the same | |
US20080182027A1 (en) | Synthesis of Carbon Nanotubes by Selectively Heating Catalyst | |
CN102259849A (zh) | 一种固态碳源制备石墨烯的方法 | |
JP2012517399A (ja) | エネルギー貯蔵用のメソポーラスカーボン材料 | |
WO2008013309A1 (fr) | Nanoparoi de carbone à structure contrôlée et procédé de contrôle de la structure d'une nanoparoi de carbone | |
Liu et al. | Advances of microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition in fabrication of carbon nanotubes: a review | |
TWI504049B (zh) | 電池及處理其電極的方法 | |
US20180145310A1 (en) | Method of preparing heteroatom-doped carbon nanomaterial | |
Kato et al. | Diffusion plasma chemical vapour deposition yielding freestanding individual single-walled carbon nanotubes on a silicon-based flat substrate | |
JP2005516766A (ja) | プラズマを使用する均一な及び不均一な化学反応を行うための方法 | |
WO2006085694A1 (ja) | 燃料電池用触媒層の製造方法及び製造装置 | |
CN114516631A (zh) | 石墨烯连续量产方法及该方法生产的石墨烯 | |
US7641884B2 (en) | Method for fabricating carbon nanotubes and carbon nano particles | |
Tewari et al. | Modeling of the in-situ nitrogen (N) doping of graphene-carbon nanotube (CNT) hybrids in a plasma medium and their field emission properties | |
KR20140017939A (ko) | 플라즈마를 통한 리튬이차전지 실리콘 음극소재 처리 방법 및 이를 이용한 리튬 이차전지의 전극 및 이를 포함하는 리튬 이차전지 | |
KR102047700B1 (ko) | 그래핀의 제조 장치, 제조 방법 및 그 그래핀 | |
KR102107167B1 (ko) | 나노튜브 합성장치 | |
US20220195593A1 (en) | Method for producing N-doped carbon nanomesh | |
WO2022046296A1 (en) | Temperature-controlled chemical processing reactor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090901 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120629 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120828 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20121004 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20121004 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130524 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130606 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5309317 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |