JP2005516766A - プラズマを使用する均一な及び不均一な化学反応を行うための方法 - Google Patents
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Abstract
Description
さらに本技術分野で公知の方法は、固形表面において化学反応を実施するためのプラズマ−刺激法であり、該方法は特に、膜の蒸着、エッチング、気化、及び他の方法を含み、該他の方法は低圧の非−平衡プラズマにおいて、該表面の相対的に低い温度で、液相なしに、進行する。
表面上で化学反応を行う他のプラズマ化学的な方法が公知であり、この方法では、大気圧で生成されたプラズマが処理室へ供給され、処理室には処理される表面が配置されかつ重合可能な作業物質が同時に処理室へ供給され、該作業物質が蒸着されて処理された表面を被覆する(米国特許第4,957,062号)。この方法は上記した方法と同じ欠点を有する。
上記課題は化学反応を行う方法が提案されたことによって解決され、該方法では、反応ガス源から反応ガスが真空反応室へ供給され、該室内で反応ガスの超音速流が形成され、反応ガスの該流れが電子ビームプラズマを生成するために電子ビームをそれに作用させて活性化され、反応ガスの該超音速流は以下の方法で形成される:真空反応室への入り口において、隣接する部位と比較して低い密度を有する陰圧の領域が形成され、反応ガスへの電子ビーム照射が陰圧の領域のノズルへ電子ビームを導入することによって行われる方法。
− 反応ガスの活性粒子が反応室中に存在する時間の短縮、このことにより、粒子間のこれらの粒子の望ましくない衝突の数が減少する。例えば、物質が蒸着する基板へ電子衝撃により活性化された粒子が到達するまでの時間が、拡散移転を伴う変形方法より100倍短く;かつ得られた物質又は蒸着膜に欠陥を生じる微細に分散した粒子の形成の可能性が顕著に減少する;
− 反応ガスパラメーターが、真空反応室に存在する諸条件から独立していること、及び目的生成物を得るプロセス又は膜の成長の再現性及び予測性を決定する、反応室中の反応ガスパラメーターと反応ガス源との間の関連性が独立していること。
− 活性化源のエネルギー及びパワーが独立して変化する可能性;
− 電子ビームプラズマにおける2次電子の存在による、放電プラズマ中の場合と比較して早い分子の活性化(特に解離)速度;
− 遅い2次電子を加速するために電子ビームプラズマへ電磁場を適用することによって活性化プロセスをさらに加速し、かつプラズマの空間に2次電子を保持する可能性。
− 高速の化学反応、このためには、ラジカル及び励起した粒子が高速で形成される反応混合物へ電子ビームからパワーを超高速かつコンパクトに供給することが条件である;
− 低いパワー入力、このためには、分子を解離することが可能な、公知の方法と比較して多数の電子ビームプラズマにおける電子、及び結果として外部環境との熱交換が最小となる高速の化学反応の両者が条件である;
− プロセスの絶対的な純粋性、このためには、純粋性が実現される反応器が加熱部品を有さないこと、及びラジカルがガスジェットの内部で形成され、ガスジェットが真空反応室から入ってくるバックグラウンドガスの分子を阻止することが条件である。
最も簡単な態様を図2に示す。一又は複数の反応ガス源からのジェットの軸は、リボンの形態にした基板の平面を横断するように導かれる。基板のリボンはピンチローラーから受け入れローラーへ移動する。一又は複数の反応ガス源は、反応ガス流の限度内において、リボンを横断するように動かされる。リボンと反応ガス源の移動によって、基板表面への均一な厚さの膜の形成が達成される。同一の結果を得るために、反応ガス源が固定される一方、往復運動をするリボン駆動機構が可能である。反応ガス源の数、その強度(合計、領域に関する、蒸着速度)を所望の膜の厚さ、リボンの幅及びプラントの一般的な容量から決定することができる。
化学反応を実施するための記載した方法の他の変形も可能である。
ステンレス鋼製の基板表面へケイ素膜を適用するために、モノシランSiH4及びアルゴンArガスを担体として含む反応ガスを使用する。基板へ膜を適用するプラントを図1に示された説明図に従って製造する。プラントは反応真空室(4)、電子銃(7)と組み合わせた環状の反応ガス源(2)を含む。電子銃と組み合わせた環状の反応ガス源を含むプラントは図4に示されている。
四塩化ケイ素SiCl4のトリクロロシランへの水素化を行う。このために図4に示し、例1で詳細に記載したプラントであって、断面が円筒液円筒形の水晶管を有し、これを基板(31)の代わりに設置したプラントを使用する。シリンダーの軸は反応ガス流の軸と一致する。モル比が1:4(四塩化ケイ素対水素)の四塩化ケイ素と水素の混合物を反応ガスとして、管(13)から前室(14)を通って環状の源へ導入する。反応ガスを特定の気化装置から供給する。2keVの加速電位を有する電子ビームを陰圧の領域において反応ガス流へ導入する。真空反応室からの出口に試料採取装置を配置し、ここでプラズマで処理された反応ガスの試料を採取する。試料採取装置として極低温トラップを使用し、該トラップは液体窒素温度まで冷却され、トラップ中で反応ガスが濃縮される。試料中の反応ガスの組成は質量分析装置を使用して分析される。試料を分析してモル比を決定し、2kJ/g(2kW/g・s)の特定の導入したパワーにおいて、この比は例えば0.2〜0.36である。同時にこの比は、熱力学的な計算によると、同条件下で0.18〜0.4である。このことは、実験データが平衡熱力学計算に非常に近いことを意味し、提案した方法では反応ガス源が平衡状態から最終の平衡状態へ非常に急速に移行し、特に外部環境との熱交換がなくても移行が生じることが確認される。四塩化ケイ素をトリクロロシランへプラズマ化学によって水素化する類似の方法とここに記載した方法とをパワー入力について比較すると、同じ水素化のレベルにおいてパワー入力が最小で4倍少ないことが示される。
目的生成物−トリクロロシランSiHCl3−は真空反応室からの反応ガスが入る濃縮室中の濃縮によって抽出される。
純粋な多結晶性ケイ素が得られる。このプロセスは、図4に示したプラント中で、例1と同一の条件下で行われる。金属フォイル製の円筒形態にある基板を、加熱した円筒状の水晶管中に置き、この場合水晶管の軸はSiH4及びHeを含む反応ガス流の軸と一致する。プラズマ中で活性化されたケイ素粒子が可能な限り多数、究極的にはこれらの粒子の全てが基板上に蒸着できるように、基板の形態は円筒状である。基板表面に蒸着したケイ素の質量により、特定のパワー入力及び基板表面における気体状モノシランから多結晶性ケイ素への転換係数を決定することができる。電子ビーム加速電位は2keV、ビーム電流は0.3A、反応ガス流の速度は12L/分、基板温度は750℃、特定のパワー入力はケイ素1g当たり200kJ、かつモノシランの使用係数は45%である。この基板に対して10分間プラントを運転したところ、厚さ32μmのケイ素の層が得られ、該層は冷却後に基板から剥離する。基板材料がケイ素の熱膨張係数と等しい直線的な熱膨張係数を有する場合には、得られたケイ素層は剥離されないであろう。厚いケイ素層を得るためには複数の個別のジェット源を使用し、移動する連続的な基板上にケイ素層を適用する。反応室の出口において基板リボンを急速に冷却することによって、得られた層が剥離される。剥離された純粋なケイ素を基板リボンから除去する。
1 反応ガスの超音速流
2 反応ガス源
3 入口ノズル
4 真空反応室
5 陰圧の領域
6 電子ビーム
7 電子銃
8 電子ビームプラズマ
9 基板
図4において
1 電子銃のカソード
2 電子銃のアノード
3 絶縁体
4 電子銃及び反応ガス源のハウジング
5 絶縁体
6 電子銃へ冷却剤を供給する管
7 電子銃の中空カソードの領域へ気体状ヘリウムを供給する管
8 電子銃から冷却剤を排出する管
9 電子銃の空間から空気を排出する付属品
10 環状の永久磁石
11 内部環状ノズルへ保護ガス(ヘリウム、水素)を供給する管
12 環状の保護ガス源及び反応ガス源のハウジング
13 反応ガスを供給する管
14 環状の前室−反応ガス源
15 絶縁体
16 電子銃の冷却剤
17 電子銃の取出器
18 保護ガスの入口環状ノズル
19 環状の前室−反応ガス源
20 電子銃の吸引した空間
21 中空カソード
22 カソードの開口部
23 取出器の開口部
24 付属品のグリッド
25 電位を供給するグリッド
26 電子ビーム
27 反応ガスの入口環状ノズル
28 陰圧の領域
29 反応ガスの超音速流
30 反応ガス流及び電子ビームの軸
31 基板
Claims (5)
- 反応ガスを反応ガス源から真空反応室へ供給する工程、該室内で反応ガスの超音速流を形成する工程及び電子ビームプラズマを生成するために電子ビームを反応ガスの超音速流に作用させてそれを活性化する工程、を含む化学反応を行う方法であって、反応ガスの超音速流が以下の方法で形成されることを特徴とする方法:真空反応室への入口において、隣接する領域より低い密度を有する陰圧の領域が反応ガス流の中央部位で形成され、反応ガスの超音速流への作用が電子ビームを陰圧の領域へ電子ビームを導入することによって電子ビームで行われる方法。
- 真空反応室における圧力より少なくとも10倍高いレベルで反応ガス源における圧力を維持することによって反応ガスの超音速流が形成されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 反応ガス源の絶対圧が666.6Pa(5torr)より低くないレベルで維持されることを特徴とする、請求項2に記載の方法。
- 真空反応室への入口で反応ガスの超音速流がその軸を横切る断面において輪の形、主として環状の形を有することを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 反応ガスの超音速流の軸に沿って向けられた電子ビームによって反応ガスの超音速流が作用を受けることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
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