CN101057340B - 半导体装置及用于其制造的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种半导体装置(20)，其包括带有集成的PN二极管的沟槽-MOS-势垒-肖特基-二极管，本发明还涉及用于其制造的方法。

Description

半导体装置及用于其制造的方法
技术领域
本发明涉及一种半导体装置，以及用于其制造的方法。
背景技术
在现代机动车中，越来越多的功能借助电器件来实现。由此出现了对于电功率的越来越高的要求。为了满足该要求，必须提高在机动车中的发电系统的效率。迄今，通常将PN二极管作为齐纳二极管使用在机动车的发电机系统中。PN二极管的优点一方面是低的截止电流并且另一方面是高的鲁棒性。然而，主要的缺点是比较而言高的流电压(Flussspannung)UF。在室温下，电流在大约0.7V的流电压UF时才开始流动。在其中电流密度大约为500A/cm2的正常的工作条件下，流电压UF上升直到超过1V。这导致了效率的降低。
基于理论上的考虑，肖特基二极管可以考虑作为替代。肖特基二极管具有明显比PN二极管低的流电压。例如在大约500A/cm2的电流密度情况下，肖特基二极管的流电压大约为0.5V至0.6V。此外，肖特基二极管作为多数载流子器件在快速的开关工作时提供了优点。然而，就已知而言，肖特基二极管使用在机动车发电机系统中还未实现。这可能可以归因于肖特基二极管的一些重要的缺点，这些缺点使得这种应用显得尚为遥远。首先，与PN二极管相比，肖特基二极管具有较高的截止电流。该截止电流还强烈地取决于截止电压。最后，肖特基二极管表现出较差的鲁棒性，特别是在高温时。这些缺点迄今阻止了肖特基二极管在机动车中的应用。
由1998年京都举办的功率半导体和IC国际讨论会的会议论文集的、T.Sakai等人所著的“Experimental investigation of dependence ofelectrical characteristics on device parameters in Trench MOS Barrier肖特基Diodes”，第293-296页，以及由DE 69428996T2已经公开了针对改进肖特基二极管的特性的措施，这些措施导致了所谓的TMBS(TMBS＝Trench-MOS-Barrier-Schottky-Diode)。这种TMBS的一个优点在于截止电流的可能的减小。在此，截止电流主要沿着被引入的二极管结构中的沟槽的表面流过二极管的MOS结构的准反型层。结果是，MOS结构可通过注入所谓的“热”载流子而被从n外延层(Epischicht)退化到氧化物层(Oxidschicht)，并且在特别不利的条件下甚至可被损毁。因为为了形成反型通道需要一定的时间，所以空间电荷区可在快速的开关过程开始时短时地进一步扩展，并且因此电场强度上升。这会导致二极管在击穿中的短时的、不希望的工作。由此，较少推荐将在截止电流方面被改善的TMBS作为齐纳二极管来使用并且在击穿区域中工作。
发明内容
按照本发明，提出了一种半导体装置，包括一个带有集成的PN二极管的沟槽-MOS-势垒-肖特基-二极管，所述PN二极管用作箝位元件，其中，在该包括一个由肖特基二极管、MOS结构和PN二极管构成的组合的半导体装置中，该PN二极管的击穿电压比该MOS结构和该肖特基二极管的击穿电压低，该半导体装置在截止运行中可以以400A/cm2至600A/cm2数量级的高电流密度工作。
按照本发明，提出了一种用于制造根据上述技术方案的半导体装置的方法，其中，将一个n层施加到一个n+衬底上，在该n层中引入一些沟槽，将这些沟槽用氧化物层覆盖，将该氧化物层从这些沟槽的底以及附加地从这些沟槽的壁的一部分去除，为了形成p区将这些沟槽的被去除氧化物层的部分用p掺杂的Si或者多晶硅填满，并且将该n+衬底和该n层用接触层覆盖，其中将这些沟槽的未被p区填满的区域完全地用所述接触层的材料填满。
按照本发明，还提出了一种用于制造根据上述技术方案的半导体装置的方法，其中，将一个n层施加到一个n+衬底上，在该n层中引入一些沟槽，将这些沟槽用氧化物层覆盖，将该氧化物层从这些沟槽的底局部地去除，将这些沟槽的底的被去除氧化物层的部分用掺杂物质覆盖，接着为了形成在这些沟槽下面的p区执行一个扩散过程，并且将该n+衬底和该n层用接触层覆盖，其中将这些沟槽完全地用所述接触层的材料填满。
具有上述技术方案的特征的本发明特别是提供了这样的优点，即防止了注入所谓的“热”载流子。这由此实现了，在击穿时出现的高的场强不在敏感的氧化物层附近，因为集成的PN二极管的击穿电压低于肖特基二极管和MOS结构的击穿电压。根据本发明构造的半导体装置的特色由此在于特别高的鲁棒性，它使得能够实现将半导体装置可靠地使用在机动车的车载网络中、特别是在车载网络的发电机系统中。特别有利的是，该半导体装置可以在数量级为几个10V的击穿电压下以及在几百A/cm2的电流密度情况下可靠工作地被使用。特别有利的是，半导体装置的第一实施变形方案包括一个n+衬底，一个n层设置在其上，在该层中引入了沟槽(
Figure G200580038217001D00031
)。这些沟槽最多在其深度的一部分被p区域填充。n+衬底和n-衬底分别承载有接触层，其中接触层在沟槽的壁区域中通过氧化物层与n层隔离。
根据本发明的半导体装置的第二实施变形方案包括n+衬底，在该衬底上设置有n层，在该n层中引入了沟槽。这些沟槽的壁完全地被氧化物层n+覆盖，然而这些沟槽的底最多被部分地以氧化物层覆盖。在沟槽下面，在n层中是通过扩散产生的p区。n+衬底和n层承载有接触层。
本发明的另外的优点和构型，以及用于制造该半导体装置的有利的方法由另外的申请文件结合以说明书和附图给出。
附图说明
本发明的实施例在下面参照附图来进一步阐述。在此：
图1示出了传统的TMBS二极管；
图2示出了根据本发明构建的半导体装置的第一实施例；
图3示出了半导体装置的第二实施例；
图4示出了第一制造方法的流程图；
图5示出了第二制造方法的流程图。
具体实施方式
图1示出了已公知的半导体装置10、即所谓的TMBS二极管，以下简称为“TMBS”。首先阐述这种TMBS的构造，以与此相比较更明显地突出借助本发明实现的优点。TMBS 10由n+衬底1和设置在该n+衬底上的n层2构成。在该n层2中引入通常也被称为“trenchs”的沟槽6。沟槽6的底面和壁用氧化物层7覆盖。在TMBS10的正面上的金属层4用作阳极电极。在TMBS10的背面上的金属层5用作阴极电极。在电学上看，TMBS 10是MOS结构(金属层4，氧化物层7和n层2)与肖特基二极管的组合。肖特基势垒在此处于作为阳极的金属层4和作为阴极的n层2之间。
在流动方向上，电流流过TMBS 10的由沟槽6包围的台面区域(Mesa-Bereich)3。沟槽6本身不用于电流通过。在流动方向上的用于电流通过的有效面积因此在TMBS的情况下小于在传统的平面肖特基二极管的情况中。这种TMBS 10的优点是减小了截止电流。在截止方向上，不但在MOS结构中而且在肖特基二极管中形成了空间电荷区。空间电荷区随着上升的电压而扩展，并且在小于TMBS 10的击穿电压的电压时，在在相邻的沟槽6之间的台面区域3的中间相遇。由此，导致高的截止电流的肖特基效应被屏蔽，并且减小了截止电流。该屏蔽效应强烈地取决于TMBS的结构参数，如特别是Dt(沟槽6的深度)、Wm(在沟槽6之间的间距)、Wt(沟槽6的宽度)以及To(氧化物层7的厚度)。针对肖特基效应的屏蔽作用因此在TMBS中与具有扩散的p阱的JBS(Junction Barrier Schottky Diode)相比明显更有效。然而已公知的TMBS的一个重要的缺点在于，MOS结构的减弱。在击穿时，在氧化物层7内以及直接在n层2中的氧化物层7的附近出现非常大的电场。截止电流主要沿着沟槽6的表面通过MOS结构的准反型层而流动。结果是，MOS结构可通过注入“热”载流子而被由n层2退化到氧化物层7，并且在确定的不利的工作条件下甚至可被损毁。因为为了形成反型通道需要一定的时间(深耗尽)，所以空间电荷区可在快速的开关过程开始时短时地进一步扩展，并且因此电场强度进一步上升。这会导致在击穿中的短时的、不希望的工作。由此，较少推荐将TMBS作为齐纳二极管来使用并且在击穿区域中工作。
本发明通过将用作箝位元件(Klammerelement)的PN二极管集成到TMBS中来避免该问题。以下将描述根据本发明所构造的半导体装置20，该半导体装置也可以简称为TMBS-PN。在该半导体装置20中，p区的布置用于使得PN二极管的击穿电压BV_pn比肖特基二极管的击穿电压BV_肖特基以及MOS结构的击穿电压BV_mos更低。此外，还用于使得在击穿时出现的大的场强不处于氧化物层的附近，并且因此不担心热载流子的注入。此外，截止电流主要通过PN二极管而不是通过MOS结构的反型层流动。该特性赋予了半导体装置20大的鲁棒性。因此，其特别适用于作为齐纳二极管使用在机动车的车载网络中，特别是与机动车的发电机系统相联系。
以下将参照图2描述根据本发明构建的半导体装置的第一实施例。
半导体装置20包括在沟槽6的下部区域中的由Si或者多晶硅(Poly-Si)构成的p掺杂区域8。优选的是，该区域8槽状地构造。详细而言，半导体装置20由n+衬底1、设置在该衬底1上的n层2以及引入到n层2中的沟槽(trenchs)6构成。优选的是，设置了至少两个沟槽6。沟槽6可以在本发明的一种优选的实施变形方案中作为在n层2中的、优选彼此平行延伸的条而构造。在本发明的另外的实施变形方案中，沟槽6也可以岛状地设置在n层2中。该岛状地设置的沟槽6的横截面在此可以被任意地构造。然而在良好的可复制性和容易制造的意义中，这些岛优选是规则的横截面，即例如是圆形、六角形等等。沟槽6优选地通过刻蚀过程来产生，该刻蚀过程在刻蚀区域中将n层2的材料去除。沟槽6的底面和壁被以氧化物层7覆盖。接触层4、5设置在半导体装置20的正面上作为阳极电极(4)以及在背面作为阴极电极(5)。氧化物层7位于沟槽6的侧壁和金属层4之间。沟槽6的下部区域8被以p掺杂的Si或者多晶硅填充。在此，p-区域8这样地布置，使得在n层2和p区域8之间不出现载流子补偿。在本发明的一种实施变形方案中，特别是接触层4也可以由两个彼此重叠的金属层构成。出于清楚的原因，这在图2中未被示出。用Dox表示沟槽6的以氧化物层7覆盖的深度部分。用Dp表示沟槽6的用p区域填充的深度部分。用Wm表示这些沟槽6的间距。用Wt表示沟槽6的宽或者设置在沟槽6中的p区域的宽。用To表示氧化物层7的厚度。
根据本发明所构造的半导体装置20可以合乎目的地以下面的方式制造。在此，也参照在图4中示出的流程图。从n+衬底1出发(步骤40)。在该n+衬底1上施加一个n层2(步骤41)。这优选地通过外延方法来实现。在随后的步骤42中，这些沟槽6被刻蚀到n层2中。随后，这些沟槽6用p掺杂的Si或多晶硅填满(步骤43)。在一个随后的刻蚀过程中，p掺杂的Si或者多晶硅在沟槽6中被刻蚀到这样的程度，使得只有沟槽6深度的一部分Dp还被用p掺杂的Si或者多晶硅填充(步骤44)。在下一个步骤45中，沟槽6的底和壁被一个氧化物层覆盖。在随后的刻蚀步骤(步骤46)中，氧化物层又被从沟槽6的底去除，使得仅仅还有沟槽6的壁被用氧化物层7覆盖。在另外的步骤47中，优选地在半导体装置20的正面和背面施加由金属构成的接触层4和5。
以下将阐述半导体装置20的工作原理。从电学上看，根据本发明构造的半导体装置20是MOS结构(接触层4，氧化物层7和n层2)、肖特基二极管(在作为阳极的接触层4和作为阴极的n层2之间的肖特基势垒)以及PN二极管(在作为阳极的p区8和作为阴极的n层2之间的PN结)的组合。在半导体装置20中，电流在流动方向上如在传统的TMBS 10中那样仅仅通过肖特基二极管而流动。在截止方向上，不但在MOS结构中而且在肖特基二极管中和在PN二极管中形成空间电荷区。这些空间电荷区随着上升的电压而扩展，并且在小于半导体装置20的击穿电压的电压时在处于这些相邻的沟槽6之间的台面区域3的中间相遇。通过这种方式，导致高的截止电流的肖特基效应被屏蔽并且由此减小了截止电流。该屏蔽效应强烈地取决于结构参数，如Dox(沟槽6的带有氧化物层的深度部分)、Wm(在沟槽之间的间距)、Wt(沟槽6或p区8的宽度)、Dp(沟槽6的具有p掺杂的Si或者多晶硅的深度部分)以及To(氧化物层的厚度)，并且因此可以通过所提及的结构参数的合适的分配而被有利地影响。半导体装置20拥有与传统的TMBS 10类似的针对肖特基效应的屏蔽作用，然而由于箝位功能(Klammerfunktion)附加地提供高的鲁棒性。PN二极管的击穿电压BV_pn在此有利地被这样设计，使得其低于肖特基二极管的击穿电压BV_肖特基以及MOS结构的击穿电压BV_mos。此外，还为此而考虑，即击穿在沟槽的底部发生。在击穿运行中，截止电流于是仅仅流动通过PN结而不会如在传统的TMBS10中那样通过MOS结构的反型层。根据本发明构造的半导体装置20由此拥有与PN二极管类似的鲁棒性。此外，在该半导体装置20中，不必担心注入“热”载流子，因为在击穿时的高场强并不位于MOS结构的附近。于是该半导体装置20特别好地适合于作为齐纳二极管而使用在机动车的车载网络中，特别是在机动车的发电机系统中。
本发明的另一种实施变形方案现在在下面参照附图3而被阐述。在该半导体装置30中，在沟槽6下面的p区8通过扩散被制造。半导体装置30又包括n+衬底1。在该衬底1上设置有一个n层2。在n层2中引入至少两个沟槽6。在正面和背面上，半导体装置30承载着接触层4或5。这些沟槽6的壁和它们的底的一部分被氧化物层7覆盖。在沟槽6下面设置有通过p掺杂剂、优选硼的扩散而生成的p区8。它们与n层2一同形成了PN二极管。除了在图2中已标明的结构参数，在图3中还新加入了以下的结构参数。用Wp0表示在掩膜上p区8的宽度。用Xjp表示至n层2中的扩散的侵入深度。在p区8的设计中必须保证，在击穿运行中，击穿在PN结8/2上发生，并且半导体装置30的击穿电压由PN二极管来确定。该实施变形方案也具有与本发明的参照图2所描述的第一实施例类似的有利特性，特别是具有可比的鲁棒性，。该第二实施变形方案与第一实施变形方案(图2)相比的优点特别在于，在此取消了用p掺杂的Si或者多晶硅填充沟槽6以及随后的对p掺杂的Si或者多晶硅的反刻蚀。硼覆盖(Bor-Belegung)与p扩散结合属于更简单的工艺步骤。
以下描述一种用于制造半导体装置30(根据图3的实施变形方案)的有利的方法，其中也参照图5中的流程图。还是从n+衬底1(步骤50)出发，在该衬底上优选通过外延施加一个n层2(步骤51)。通过一个刻蚀过程，沟槽6被引入n层2中(步骤52)。随后，沟槽6的底和侧壁被氧化物层覆盖(步骤53)。在一个随后的刻蚀步骤(步骤54)中，覆盖沟槽6的底的氧化物层部分地被去除。通过这种方式形成了用于随后的扩散过程的宽度Wp0的掩膜。为此首先将沟槽6的被去除氧化物层的区域用p掺杂剂、优选用硼覆盖(步骤55)。这优选地通过气相淀积或者通过离子注入来实现。随后执行扩散过程(步骤56)，其中硼扩散到n层2中并且形成p区8。在事先还对于接触区wp0的开口进行了光和刻蚀过程之后，接着又将接触层4和5施加到半导体装置30的正面和背面上(步骤57)。
在本发明的有利的另外的构型中，不但实施变形方案1而且实施变形方案2在边缘区域中可以还具有附加的结构用于减小边缘场强。这例如可以是低掺杂的p区、场极板(Feldplatten)或者类似的结构。
如已经提及的那样，根据本发明构造的半导体装置20、30由于其鲁棒性而特别适合于作为与机动车的车载网络相联系的齐纳二极管，特别适于用于机动车的发电机系统中。为此，半导体装置20、30合乎目的地具有在12V和30V之间的、特别是在15V和25V之间的击穿电压。特别有利的是，半导体装置20、30在截止运行中可以以几百A/cm2数量级的、特别是400A/cm2至大约600A/cm2的高电流密度工作。
参考标号表
1    n+衬底
2    n掺杂层
3    台面区域
4    接触层
5    接触层
6    沟槽
7    氧化物层
40   步骤
41        步骤
42        步骤
43        步骤
44        步骤
45        步骤
46        步骤
47        步骤
50        步骤
51        步骤
52        步骤
53        步骤
54        步骤
55        步骤
56        步骤
57        步骤
BV_mos    MOS结构的击穿电压
BV_pn     PN二极管的击穿电压
BV_肖特基 肖特基二极管的击穿电压
Dox       沟槽的具有氧化物层的深度部分
Dp        沟槽的具有Si或者多晶硅的深度部分
Dt        沟槽的深度
To        氧化物层的厚度
Wm        在沟槽之间的间距
Wt        沟槽的宽度
Wp0       在掩膜上p区的宽度

Claims (32)

1.半导体装置(20，30)，包括一个带有集成的PN二极管的沟槽-MOS-势垒-肖特基-二极管，所述PN二极管用作箝位元件，其特征在于，该半导体装置(20)包括一个n+衬底(1)，在该n+衬底上设置有一个n层(2)，在该n层中设置有一些沟槽(6)，这些沟槽(6)最多在其深度的一部分上被p区(8)填满，并且该n+衬底(1)和该n层(2)分别承载有一个接触层(4，5)，其中由该n层(2)所承载的接触层(4)在这些沟槽(6)的壁区域中通过一个氧化物层(7)与该n层(2)隔离，该由该n层(2)所承载的接触层(4)形成与该p区(8)的欧姆接触、与该n层(2)的肖特基接触，并且同时对于该MOS结构用作栅电极，在该包括一个由肖特基二极管、MOS结构和PN二极管构成的组合的半导体装置(20，30)中，该PN二极管的击穿电压比该MOS结构和该肖特基二极管的击穿电压低，该半导体装置在截止运行中以400A/cm2至600A/cm2数量级的高电流密度工作。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该p区(8)由p掺杂的Si构成。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该p区(8)由p掺杂的多晶硅构成。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，这些接触层(4，5)由金属构成。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，这些接触层(4，5)被多层地构造。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，这些沟槽(6)具有U形或者矩形的横截面。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置被这样构造，使得在该PN二极管击穿的情况下，该击穿在这些沟槽(6)的底部区域中发生。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，由该n层(2)所承载的接触层(4)完全地填充这些沟槽(6)。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，这些沟槽(6)条状地被构造。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有在10V和30V之间的击穿电压。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有在15V和25V之间的击穿电压。
12.根据权利要求1所述的半导体装置的应用，它被用作齐纳二极管。
13.根据权利要求1所述的半导体装置的应用，它被用在机动车的车载网络中。
14.根据权利要求13所述的半导体装置的应用，它被用在机动车的发电机系统中。
15.半导体装置(20，30)，包括一个带有集成的PN二极管的沟槽-MOS-势垒-肖特基-二极管，所述PN二极管用作箝位元件，其特征在于，该半导体装置包括一个n+衬底(1)，在该n+衬底上设置有一个n层(2)，在该n层(2)中设置有一些沟槽(6)，这些沟槽(6)的壁完全地被氧化物层(7)覆盖，而这些沟槽(6)的底最多部分地被氧化物层(7)覆盖，在这些沟槽(6)下面、在该n层(2)中设置有p区(8)，并且该n+衬底(1)和该n层(2)承载有接触层(4，5)，该由该n层(2)所承载的接触层(4)形成与该p区(8)的欧姆接触、与该n层(2)的肖特基接触，并且同时对于该MOS结构用作栅电极，在该包括一个由肖特基二极管、MOS结构和PN二极管构成的组合的半导体装置(20，30)中，该PN二极管的击穿电压比该MOS结构和该肖特基二极管的击穿电压低，该半导体装置在截止运行中以400A/cm2至600A/cm2数量级的高电流密度工作。
16.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，在这些沟槽(6)下面的p区(8)通过用一种掺杂物质对这些沟槽(6)的底的覆盖以及接着的扩散过程来产生，其中仅仅部分地覆盖这些沟槽(6)的底的氧化物层用作掩膜。
17.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，所述在这些沟槽(6)下面的p区(8)被这样地构造，使得在击穿运行中，该半导体装置的击穿电压由该PN二极管的击穿电压确定，该PN二极管由所述p区(8)和该n层(2)构成。
18.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，在击穿运行中，该击穿在处于这些沟槽(6)下面的p区(8)的区域中发生。
19.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，由该n层(2)所承载的接触层(4)完全地填充这些沟槽(6)。
20.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，这些沟槽(6)条状地被构造。
21.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有在10V和30V之间的击穿电压。
22.根据权利要求21所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有在15V和25V之间的击穿电压。
23.根据权利要求15所述的半导体装置的应用，它被用作齐纳二极管。
24.根据权利要求15所述的半导体装置的应用，它被用在机动车的车载网络中。
25.根据权利要求24所述的半导体装置的应用，它被用在机动车的发电机系统中。
26.用于制造根据权利要求1至11之一的半导体装置(20)的方法，其特征在于，将一个n层施加到一个n+衬底上，在该n层(2)中引入一些沟槽(6)，将这些沟槽(6)用氧化物层(7)覆盖，将该氧化物层从这些沟槽的底以及附加地从这些沟槽(6)的壁的一部分去除，为了形成p区(8)将这些沟槽(6)的被去除氧化物层(7)的部分用p掺杂的Si填满，并且将该n+衬底(1)和该n层(2)用接触层(4，5)覆盖，其中将这些沟槽(6)的未被p区(8)填满的区域完全地用所述接触层(4)的材料填满。
27.根据权利要求26所述的方法，其特征在于，为了形成p区(8)将这些沟槽(6)的被去除氧化物层(7)的部分用p掺杂的多晶硅填满。
28.用于制造根据权利要求15至22之一的半导体装置的方法，其特征在于，将一个n层(2)施加到一个n+衬底(1)上，在该n层(2)中引入一些沟槽(6)，将这些沟槽(6)用氧化物层(7)覆盖，将该氧化物层(7)从这些沟槽(6)的底局部地去除，将这些沟槽(6)的底的被去除氧化物层的部分用掺杂物质覆盖，接着为了形成在这些沟槽(6)下面的p区(8)执行一个扩散过程，并且将该n+衬底(1)和该n层(2)用接触层(4，5)覆盖，其中将这些沟槽(6)完全地用所述接触层(4)的材料填满。
29.根据权利要求28所述的方法，其特征在于，这些沟槽(6)的底用掺杂物质的覆盖通过由气相淀积掺杂物质来实现。
30.根据权利要求29所述的方法，其特征在于，这些沟槽(6)的底用掺杂物质的覆盖通过离子注入来实现。
31.根据权利要求29所述的方法，其特征在于，使用硼或者硼离子作为掺杂物质。
32.根据权利要求26至28之一所述的方法，其特征在于，在n+衬底(1)上的n层(2)借助外延过程来制造。
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