CN100523825C - 非接触型单面探针结构 - Google Patents

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Abstract

一种非接触型单面探针结构，在该结构中重复堆叠了多重绝缘薄膜和多重导电薄膜，该结构包括形成于该结构横截面的内导电薄膜部分上的探针电极，以及形成于环绕该探针电极的外导电薄膜部分的防护部分。因此，该结构能够形成具有导电薄膜厚度的探针电极，所述导电薄膜厚度与模式电极的管脚间距一致，从而能够在微型化的模式电极中探测到断路和短路。用作探针的横截面与接触孔相距特定的距离或者更远的距离，从而对噪音具有高的电阻。

Description

非接触型单面探针结构
技术领域
本发明涉及非接触型单面探针结构，尤其涉及一种在其中重复堆叠了多重绝缘薄膜和多重导电薄膜的非接触型单面探针结构，该结构包括形成于该结构横截面的内导电薄膜部分上的探针电极，以及形成于该结构横截面的外导电薄膜部分上的防护部分，该结构能够形成具有导电薄膜厚度的探针电极，该导电薄膜厚度与模式电极(pattern electrode)的管脚间距一致，从而能够在微型化的模式电极中探测到断路和短路。
背景技术
一般来说，诸如数据传输线的多线电缆中的断路和短路能够在将每根线与其它线分开之后通过测量电缆两端之间的电阻来测定。因此，需要两名或更多的操作人员。如果电缆包含大量的线，偶尔未记清线号，就必须重复探测，从而降低了探测的可靠性并增加了操作时间。
此外，如图1所示，在平板显示装置10(例如LCD和PDP)中，断路和短路可以通过将电流加至每一个模式电极15的一端并且测量相应的模式电极15另一端的电压来测定。断路和短路也可以通过使用显微镜或类似装置检查传导线来测定。图1中，附图标记20表示探针块，附图标记30表示探针。
因此，至少需要两枚探针来探测单个模式电极中的断路和短路。因而需要很多探针，成本也因而提高。此外，长模式电极需要两名或更多的操作人员在不同的位置进行测量，从而花费很多的时间和人力。
此外，如果是接触型探针，由于探针与模式电极是压力接触，可能发生接触错误。并且，在作为测量目标的模式电极上可能产生擦痕，从而导致另外的错误。
为了解决上述问题，一种非接触型单面探针被运用于检测装置，以在探针未与模式电极接触时在模式电极的一端探测断路和短路，其中用作非接触型探针电极的激励电极和感应电极被配置为单个模块。
图2示出了非接触型单面探针的横截面。如图2所示，作为探针电极的激励电极41和感应电极42被置于所述横截面的内侧部分，防护部分50被置于横截面的外侧部分并被电接地，从而防止由于外界噪音造成的影响，并防止施加到探针电极上的信号泄露到外界。
随着模式电极微型化和多针的趋势，探针也应微型化以探测模式电极中的断路和短路。尽管如此，由于探针电极和围绕探针电极的防护部分50应以传统结构构成，因此很难将传统结构应用于微型化的模式电极。
发明内容
因此，本发明针对上述问题应运而生，本发明的目的在于提供一种非接触型单面探针结构，在该结构中重复堆叠了多重绝缘薄膜和多重导电薄膜，该结构包括形成于该结构横截面的内导电薄膜部分上的探针电极，以及形成于其横截面的外导电薄膜部分上的防护部分，该结构能够形成具有导电薄膜厚度的探针电极，该导电薄膜厚度与模式电极的管脚间距一致，从而能够在微型化的模式电极中探测到断路和短路。
根据本发明的一个方面，提供了一种非接触型单面探针结构，该结构包括：探针电极，该探针电极形成于重复堆叠了多重绝缘薄膜和多重导电薄膜的横截面的内导电薄膜部分；防护部分，该防护部分形成于所述横截面的外导电薄膜部分，该外导电薄膜部分环绕所述探针电极；以及接触孔，该接触孔用于与探针电极和防护部分连接。
优选情况下，所述绝缘薄膜和所述导电薄膜为印刷电路板(PCB)或柔性印刷电路板(FPCB)。
优选情况下，所述绝缘薄膜和所述导电薄膜是通过沉积形成的薄膜。
根据本发明的另一个方面，提供了一种非接触型单面探针结构，该结构包括：多个第一层，每个所述第一层包括绝缘薄膜和导电薄膜，所述导电薄膜被置于绝缘薄膜上以形成防护部分；至少一层第二层，该第二层包括绝缘薄膜和导电薄膜，所述导电薄膜被置于绝缘薄膜上以具有构型于其上的探针电极和防护部分；防护接触孔，该防护接触孔用于与防护部分连接；以及电极接触孔，该电极接触孔用于与探针电极连接，其中按顺序堆叠的所述第一层、所述第二层和所述第一层的横截面形成探针。
优选情况下，所述探针电极被构型于所述第二层的多个电极中。
优选情况下，所述探针电极通过多次沉积第二层而加厚。
优选情况下，所述绝缘薄膜和导电薄膜是印刷电路板(PCB)或柔性印刷电路板(FPCB)。
优选情况下，所述绝缘薄膜和导电薄膜是通过沉积形成的薄膜。
如上所述，在根据本发明的非接触型单面探针结构中，多重绝缘薄膜和多重导电薄膜被重复堆叠，并且该结构包括形成于该结构横截面的内导电薄膜部分上的探针电极，以及形成于其横截面的外导电薄膜上的防护部分。因此，该结构能够形成具有导电薄膜厚度的探针电极，该导电薄膜厚度与模式电极的管脚间距一致，从而能够在微型化的模式电极中探测到断路和短路。
附图说明
通过以下结合附图的详细说明，能够更清晰地理解本发明的上述以及其他目的、特征和其他优点，其中：
图1为用于说明在一般模式电极中探测断路和短路的方法的示图；
图2示出了一般非接触型单面探针的平面图；
图3示出了根据本发明的非接触型单面探针的透视图；
图4A和4B说明了根据本发明的包括在非接触型单面探针中的各个层；以及
图5说明了根据本发明的非接触型单面探针的另一个实例。
具体实施方式
在下文中，将结合附图对本发明的一个优选实施方式进行说明，其中相同附图标记表示具有实际上与传统结构同样功能的相同部件。
图3示出了根据本发明的非接触型单面探针结构。
如图3所示，多重绝缘薄膜61和多重导电薄膜62被重复堆叠。作为探针电极的激励电极41和感应电极42形成于所述结构的横截面的内导电薄膜部分。防护部分50形成于环绕探针电极的外导电薄膜部分。因此，其整体剖面与图2所示的非接触型单面探针结构类似。也就是说，所述防护部分50形成于外侧部分，该外侧部分的管脚间距与绝缘薄膜61和导电薄膜62的厚度一致。作为探针电极的激励电极41和感应电极42形成于防护部分50内部。
此外，电缆100被提供以穿过电极接触孔91和防护接触孔92。探针电极41和42以及防护部分50通过所述电缆100与检测装置连接，从而通过探针电极41和42完成激励和感应，并且防护部分50被电接地。
在此情况下，绝缘薄膜61和导电薄膜62可通过堆叠印刷电路板(FCB)或柔性印刷电路板(FPCB)形成。为了形成具有更精细线的探针电极，绝缘薄膜61和导电薄膜62可通过根据半导体制造工艺沉积薄膜形成。
图4A和4B说明了根据本发明的包括在非接触型单面探针中的各个层。
如图4A所示，第一层70位于探针的防护部分50的上和下部分。第一层70的每一层包括绝缘薄膜61和形成于绝缘薄膜61之上的导电薄膜62。第一层70进一步包括电极接触孔91和防护接触孔92，所述电极接触孔91用于与激励电极41和感应电极42连接，所述防护接触孔92用于与防护部分50连接。
如图4B所示，第二层80的每一层包括绝缘薄膜61和形成于绝缘薄膜61之上的导电薄膜62，其中作为探针电极的激励电极41和传感电极42以及防护部分50被构型于导电薄膜62上。第二层80进一步包括电极接触孔91和防护接触孔92，所述电极接触孔91用于与激励电极41和感应电极42连接，所述防护接触孔92用于与防护部分50连接。
如图3所示，所述探针通过从底部往顶部堆叠第一层70、第二层80、第二层80和第一层70而形成。
在此情况下，用作探针电极的激励电极41和感应电极42可通过重复堆叠第二层80而加厚。
同时，如图5所示，激励电极41和感应电极42可以以双结构形成，并且电极接触孔91和防护接触孔92分别与激励电极41和感应电极42连接，从而形成单个模块。
如上所述，在根据本发明的非接触型单面探针结构中，多重绝缘薄膜和多重导电薄膜被重复堆叠，并且该结构包括形成于该结构横截面的内导电薄膜部分上的探针电极，以及形成于其横截面的外导电薄膜上的防护部分。因此，该结构能够形成具有导电薄膜厚度的探针电极，该导电薄膜厚度与模式电极的管脚间距一致，从而能够在微型化的模式电极中探测到断路和短路。
此外，在根据本发明的非接触型单面探针结构中，用作探针的横截面与接触孔相距特定的距离或者更远的距离，从而对噪音具有高的电阻。
此外，在根据本发明的非接触型单面探针结构中，绝缘薄膜和导电薄膜可根据半导体制造工艺而沉积薄膜形成。因此，其能够被应用于微型化的模式电极。
尽管为了说明目的而公开了本发明的优选实施方式，本领域技术人员仍能够在不背离权利要求所公开的本发明的范围和精神的情况下，进行多种修改、补充和替换。

Claims (8)

1.一种非接触型单面探针结构，该结构包括：
探针电极，该探针电极形成于交替重复堆叠了多重绝缘薄膜和多重导电薄膜的横截面的内导电薄膜部分；
防护部分，该防护部分形成于所述横截面的外导电薄膜部分，所述外导电薄膜部分环绕所述探针电极；以及
接触孔，该接触孔用于与所述探针电极和所述防护部分连接。
2.根据权利要求1所述的非接触型单面探针结构，其中所述绝缘薄膜和所述导电薄膜为印刷电路板或柔性印刷电路板。
3.根据权利要求1所述的非接触型单面探针结构，其中所述绝缘薄膜和所述导电薄膜是通过沉积形成的薄膜。
4.一种非接触型单面探针结构，该结构包括：
多个第一层，每个所述第一层包括绝缘薄膜和导电薄膜，所述导电薄膜被置于所述绝缘薄膜上以形成防护部分；
至少一层第二层，所述第二层包括绝缘薄膜和导电薄膜，所述导电薄膜被置于绝缘薄膜上以具有构型于其上的探针电极和防护部分；
防护接触孔，该防护接触孔用于与所述防护部分连接；以及
电极接触孔，该电极接触孔用于与所述探针电极连接，
其中按顺序堆叠的所述第一层、所述第二层和所述第一层的横截面形成探针。
5.根据权利要求4所述的非接触型单面探针结构，其中所述探针电极构型于所述第二层中的多个电极中。
6.根据权利要求4所述的非接触型单面探针结构，其中所述探针电极通过沉积多个所述第二层而被加厚。
7.根据权利要求4所述的非接触型单面探针结构，其中所述绝缘薄膜和所述导电薄膜为印刷电路板或柔性印刷电路板。
8.根据权利要求4所述的非接触型单面探针结构，其中所述绝缘薄膜和所述导电薄膜是通过沉积形成的薄膜。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100948062B1 (ko) 2008-07-07 2010-03-19 마이크로 인스펙션 주식회사 비접촉 싱글사이드 프로브
EP2237052A1 (en) * 2009-03-31 2010-10-06 Capres A/S Automated multi-point probe manipulation
KR101150762B1 (ko) * 2011-10-19 2012-06-08 실리콘밸리(주) 반도체소자 테스트용 콘텍트 제조방법

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04336441A (ja) * 1991-05-14 1992-11-24 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波帯プローブヘッド
JPH0627494A (ja) * 1992-02-14 1994-02-04 Inter Tec:Kk 薄膜トランジスタアクティブマトリクス基板の 検査方法及び装置
JPH06331711A (ja) * 1993-05-26 1994-12-02 Tokyo Kasoode Kenkyusho:Kk 非接触マルチプローブ
JPH10111316A (ja) * 1996-10-04 1998-04-28 Fujitsu Ltd 半導体検査装置及び半導体検査方法
JPH1144709A (ja) * 1997-07-29 1999-02-16 Texas Instr Japan Ltd プローブカード
JP3506896B2 (ja) * 1998-01-14 2004-03-15 株式会社リコー 近磁界プローブ及び近磁界プローブユニット及び近磁界プローブアレー及び磁界計測システム
JPH11211800A (ja) * 1998-01-27 1999-08-06 Ricoh Co Ltd Ｉｃパッケージ用プロービング装置
JP3415035B2 (ja) * 1998-08-07 2003-06-09 オー・エイチ・ティー株式会社 基板検査用センサプローブおよびその製造方法
JP4732557B2 (ja) * 1999-07-08 2011-07-27 株式会社日本マイクロニクス プローブ組立体の製造方法
KR100395812B1 (ko) * 1999-07-27 2003-08-27 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널의 검사장치
JP2001194405A (ja) * 2000-01-07 2001-07-19 Oht Kk 基板検査用プローブおよび基板検査方法
KR20010106963A (ko) * 2000-05-24 2001-12-07 은탁 타이머ｉｃ에 의한 비접촉식 프로브를 이용한 비접촉스캔방식의 ｐｄｐ전극패턴 검사장치 및 방법
KR100358484B1 (ko) * 2000-07-04 2002-10-30 마이크로 인스펙션 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널의 전극패턴 검사장치 및 그작동방법
JP4035418B2 (ja) * 2001-10-31 2008-01-23 株式会社本田電子技研 近接スイッチおよび物体検出装置
NO316796B1 (no) * 2002-03-01 2004-05-10 Idex Asa Sensormodul for maling av strukturer i en overflate, saerlig en fingeroverflate
JP3793945B2 (ja) 2002-05-30 2006-07-05 松下電器産業株式会社 電圧プローブ、これを用いた半導体装置の検査方法、およびモニタ機能付き半導体装置
US7411390B2 (en) * 2002-06-04 2008-08-12 Jentek Sensors, Inc. High resolution inductive sensor arrays for UXO
JP4481806B2 (ja) * 2004-12-03 2010-06-16 アルプス電気株式会社 容量検出型センサ

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