KR100796172B1 - 비접촉 싱글사이드 프로브 구조 - Google Patents

비접촉 싱글사이드 프로브 구조 Download PDF

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Abstract

본 발명은 비접촉 싱글사이드 프로브 구조에 관한 것으로서, 비접촉 싱글사이드 프로브의 구조를 다수개의 절연막과 도전막이 반복적으로 적층된 절단면의 내측 도전막 단면이 프로브 전극으로 형성되며 프로브 전극의 외곽영역에 적층된 도전막 단면이 가드부로 형성되도록 함으로써 패턴전극의 피치에 대응되는 도전막 두께로 프로브 전극을 형성함으로써 미세한 패턴전극에 대응하여 단선 및 단락을 검사할 수 있을 뿐만 아니라 전극과 콘택홀간 거리를 일정거리 이상 유지되어 노이즈에 강한 이점이 있다.
정전용량, 비접촉, 프로브, 절단면, 절연막, 도전막, 급전전극, 센서전극, 콘택홀

Description

비접촉 싱글사이드 프로브 구조{NON-CONTACT TYPE SINGLE SIDE PROBE CONSTRUCTION}
도 1은 일반적인 패턴전극의 단선 및 단락 검사방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 일반적인 비접촉 싱글사이드 프로브의 탐침자를 나타낸 평면도이다.
도 3은 본 발명에 의한 비접촉 싱글사이드 프로브의 탐침자를 나타낸 사시도이다.
도 4는 본 발명에 의한 비접촉 싱글사이드 프로브의 탐침자를 구성하는 각 레이어를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명에 의한 비접촉 싱글사이드 프로브의 탐침자를 나타낸 다른 실시예이다.
- 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 -
41 : 급전전극 42 : 센서전극
50 : 가드부 61 : 절연막
62 : 도전막 70 : 제 1레이어
80 : 제 2레이어 91 : 전극 콘택홀
92 : 가드 콘택홀 100 : 케이블
본 발명은 비접촉 싱글사이드 프로브 구조에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 비접촉 싱글사이드 프로브의 구조를 다수개의 절연막과 도전막이 반복적으로 적층된 절단면의 내측 도전막 단면이 프로브 전극으로 형성되며 프로브 전극의 외곽영역에 적층된 도전막 단면이 가드부로 형성되도록 함으로써 패턴전극의 피치에 대응되는 도전막 두께로 프로브 전극을 형성함으로써 미세한 패턴전극에 대응하여 단선 및 단락을 검사할 수 있도록 한 비접촉 싱글사이드 프로브 구조에 관한 것이다.
일반적으로 데이터 전송선과 같은 다선케이블의 단선 및 단락을 검사하기 위해서는 다른 회로와 분리시킨 뒤 케이블 양단간의 저항을 측정하는 방법으로써 반드시 2인 이상의 작업원인이 필요하게 되며, 케이블의 전선 수가 많은 경우에는 전선번호를 잃어버려 반복 체크해야 하는 경우가 종종 발생되어 신뢰도가 떨어질 뿐만 아니라 작업시간이 많이 소요되는 등의 많은 문제점이 있다.
또한, LCD나 PDP 등과 같은 평판표시소자의 투명전극의 단선 및 단락을 검출하기 위해서는 도 1에 도시된 바와 같이 일일이 하나하나의 패턴전극(15)의 일단에서 전류을 인가한 후 해당 패턴전극(15)의 반대단에서 전압을 측정하여 패턴전 극(15)의 단선 및 단락을 검사하거나, 현미경 등으로 도선을 추적하여 단선 및 단락을 검출하고 있다.
따라서 하나의 패턴전극의 단선 및 단락을 측정하여 이상유무를 체크하기 위해서는 최소 2개 이상의 프로브가 필요하게 되어 많은 수의 프로브가 소요되어 원가상승의 원인이 되는 문제점이 있을 뿐만 아니라 패턴전극의 길이가 길어질 경우에는 서로 다른 위치에서 측정하기 위한 2사람 이상의 측정자가 필요하게 됨에 따라 많은 시간과 많은 인력이 필요한 문제점이 있다.
또한, 접촉식 프로브의 경우 패턴전극에 가압 접촉됨에 따라 접촉불량이 발생할 수 있을 뿐만 아니라 측정대상 패턴전극에 스크래치(scratch)가 발생하여 또 다른 불량요인이 발생되는 문제점이 있다.
따라서, 이러한 문제점을 해결하기 위한 방법으로 비접촉 탐침전극의 급전전극과 센서전극이 하나의 모듈로 구성된 비접촉 싱글사이드 프로브를 이용하여 패턴전극의 일단에서 패턴전극에 접촉하지 않은 상태에서 패턴전극의 단선 및 단락을 검사하는 검사장치가 적용되고 있다.
이와 같은 비접촉 싱글사이드 프로브의 탐침자를 나타낸 평면은 도 2에 도시된 바와 같이 내측에 급전전극(41)으로 사용하거나 센서전극(42)으로 사용하기 위한 프로브 전극이 위치하며 그 외곽에 가드부(50)가 형성되어 접지시킴으로써 외부의 노이즈에 의한 영향을 받지 않도록 할 뿐만 아니라 프로브 전극에서 급전되는 신호가 외부로 누설되지 않도록 하고 있다.
그런데, 패턴전극이 계속해서 미세화 되어 가고 있으며 다핀화 되어 감에 따 라 패턴전극의 단선 및 단락을 검사하기 위한 프로브도 미세화되어 가야만 되지만 구조적으로 프로브 전극과 그 외곽을 감싸는 가드부(50)를 형성해야만 하기 때문에 미세 패턴에 대응할 수 없는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창작된 것으로서, 본 발명의 목적은 접촉식 싱글사이드 프로브의 구조를 다수개의 절연막과 도전막이 반복적으로 적층된 절단면의 내측 도전막 단면이 프로브 전극으로 형성되며 프로브 전극의 외곽영역에 적층된 도전막 단면이 가드부로 형성되도록 함으로써 패턴전극의 피치에 대응되는 도전막 두께로 프로브 전극을 형성함으로써 미세한 패턴전극에 대응하여 단선 및 단락을 검사할 수 있도록 한 비접촉 싱글사이드 프로브 구조를 제공함에 있다.
상기와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명에 의한 비접촉 싱글사이드 프로브 구조는 다수개의 절연막과 도전막이 반복적으로 적층된 결과물의 절단면에서 다수개의 도전막 중 안쪽에 위치한 어느 도전막의 일정영역으로 프로브 전극을 형성하고, 프로브 전극의 외곽영역에 위치하며 프로브 전극과 절연되는 어느 도전막의 다른 영역과 더불어 어느 도전막의 상하 층에 적층된 다른 도전막으로 가드부를 형성하여 절단면이 전극패턴과 대응되는 탐침자를 형성하고, 탐침자의 프로브 전극과 가드부를 각각 인터페이스 시키기 위한 콘택홀이 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 절연막과 도전막은 PCB나 FPCB인 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 절연막과 도전막은 증착하여 형성된 박막인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 의한 비접촉 싱글사이드 프로브 구조는 절연막 상부 전면에 가드부를 형성하기 위한 도전막이 형성된 제 1레이어와, 절연막 상부에 프로브 전극과 가드부가 패터닝된 도전막이 형성된 제 2레이어를 제 1레이어, 제 2레이어, 제 1레이어 순으로 순차 적층한 결과물의 절단면이 전극패턴과 대응되도록 형성된 탐침자와, 탐침자의 가드부와 인터페이스 시키기 위한 가드 콘택홀과, 탐침자의 프로브 전극과 인터페이스 시키기 위한 전극 콘택홀이 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 제 2레이어에는 프로브 전극이 복수개 패터닝된 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 제 2레이어를 복수개 적층하여 프로브 전극을 두껍게 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 절연막과 도전막은 PCB나 FPCB인 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 절연막과 도전막은 증착하여 형성된 박막인 것을 특징으로 한다.
이와 같이 이루어진 본 발명은 비접촉 싱글사이드 프로브의 구조를 다수개의 절연막과 도전막이 반복적으로 적층된 절단면의 안쪽에 위치한 도전막 단면이 프로브 전극으로 형성되며 프로브 전극의 외곽영역에 적층된 도전막 단면이 가드부로 형성되도록 함으로써 패턴전극의 피치에 대응되는 도전막 두께로 프로브 전극을 형성함으로써 미세한 패턴전극에 대응하여 단선 및 단락을 검사할 수 있도록 한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하며 종래 구성과 동일한 부분은 동일한 부호 및 명칭을 사용한다. 또한 본 실시예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것은 아니고, 단지 예시로 제시된 것이며 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상 내에서 많은 변형이 가능할 것이다
도 3은 본 발명에 의한 비접촉 싱글사이드 프로브 구조를 나타낸 도면이다.
여기에 도시된 바와 같이 다수개의 절연막(61)과 도전막(62)이 반복적으로 적층된 절단면의 안쪽에 위치한 도전막(62) 단면이 프로브 전극인 급전전극(41)과 센서전극(42)으로 형성되며 프로브 전극(41)(42)의 외곽영역에 적층된 도전막(62) 단면이 가드부(50)로 형성되어 전체적인 윤곽이 도 2에 도시된 비접촉 싱글사이드 프로브 구조와 유사하게 절연막(61)과 도전막(62)의 두께에 해당되는 피치의 외곽영역에 가드부(50)가 형성되고 그 중심에 프로브 전극으로써 급전전극(41)과 센서전극(42)이 형성되어 절단면이 전극패턴과 대응되는 탐침자를 형성하게 된다.
그리고, 프로브 전극(41)(42)을 통해 급전하거나 센싱하고 가드부(50)를 접지시키기 위해 케이블(100)을 전극 콘택홀(91)과 가드 콘택홀(92)을 통해 연결하여 검사장치와 인터페이스하게 되도록 한다.
이때 절연막(61)과 도전막(62)은 PCB(Printed Circuit Board ; 인쇄회로기판)나 FPCB(Flexible Printed Circuit Board ; 연성인쇄회로기판)를 적층하여 구성 할 수도 있으며 더욱 미세한 라인의 프로브 전극을 형성하기 위해서는 절연막(61)과 도전막(62)을 반도체 제조공정에 따라 박막증착을 통해 형성할 수도 있다.
도 4는 본 발명에 의한 비접촉 싱글사이드 프로브를 구성하는 각 레이어를 나타낸 도면이다.
먼저, (가)에 도시된 제 1레이어(70)는 탐침자의 가드부(50)를 형성하는 하부와 상부를 구성하는 층으로써 절연막(61) 상부 전면에 가드부(50)를 형성하기 위한 도전막(62)이 형성되며, 가드부(50)와 인터페이스 시키기 위한 가드 콘택홀(92)과, 급전전극(41)이나 센서전극(42)과 인터페이스 시키기 위한 전극 콘택홀(91)이 형성된다.
그리고, (나)에 도시된 제 2레이어(80)는 절연막(61) 상부에 프로브 전극을 이루는 급전전극(41)과 센서전극(42) 및 가드부(50)가 패터닝된 도전막(62)이 형성되며, 가드부(50)와 인터페이스 시키기 위한 가드 콘택홀(92)과, 급전전극(41)이나 센서전극(42)과 인터페이스 시키기 위한 전극 콘택홀(91)이 형성된다.
이와 같이 이루어진 제 1레이어(70)와 제 2레이어(80)를 도 3에 도시된 바와 같이 제 1레이어(70), 제 2레이어(80), 제 2레이어(80), 제 1레이어(70) 순으로 순차 적층한 절단면이 전극패턴과 대응되는 탐침자를 형성하게 된다.
이때, 프로브 전극인 급전전극(41) 및 센서전극(42)를 두껍게 형성하고자 할 경우에는 제 2레이어(80)를 반복 적층하여 두껍게 형성할 수 있다.
한편, 도 5에 도시된 바와 같이 급전전극(41)과 센서전극(42)을 이중으로 형성하고 각각의 급전전극(41)과 센서전극(42)을 연결하는 전극 콘택홀(91) 및 가드 콘택홀(92)을 각각 형성하여 하나의 모듈로 형성할 수도 있다.
상술한 바와 같이 본 발명은 비접촉 싱글사이드 프로브의 구조를 다수개의 절연막과 도전막이 반복적으로 적층된 절단면의 내측 도전막 단면이 프로브 전극으로 형성되며 프로브 전극의 외곽영역에 적층된 도전막 단면이 가드부로 형성되도록 함으로써 패턴전극의 피치에 대응되는 도전막 두께로 프로브 전극을 형성함으로써 미세한 패턴전극에 대응하여 단선 및 단락을 검사할 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명은 탐침자로 이용되는 절단면과 인터페이스를 위한 콘택홀간 거리를 일정거리 이상 유지할 수 있어 노이즈에 강한 이점이 있다.
또한, 본 발명은 절연막과 도전막을 반도체 공정상의 박막 증착공정에 의해서도 형성할 수 있어 미세한 패턴전극에 대응할 수 있는 이점이 있다.

Claims (8)

  1. 다수개의 절연막과 도전막이 반복적으로 적층된 결과물의 절단면에서 상기 다수개의 도전막 중 안쪽에 위치한 어느 도전막의 일정영역으로 프로브 전극을 형성하고, 상기 프로브 전극의 외곽영역에 위치하며 상기 프로브 전극과 절연되는 상기 어느 도전막의 다른 영역과 더불어 상기 어느 도전막의 상하 층에 적층된 다른 도전막으로 가드부를 형성하여 상기 절단면이 전극패턴과 대응되는 탐침자를 형성하고, 상기 탐침자의 상기 프로브 전극과 상기 가드부간 각각 인터페이스 시키기 위한 콘택홀이 포함되어 형성된 것을 특징으로 하는 비접촉 싱글사이드 프로브 구조.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 절연막과 상기 도전막은 PCB나 FPCB인 것을 특징으로 하는 비접촉 싱글사이드 프로브 구조.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 절연막과 상기 도전막은 증착하여 형성된 박막인 것을 특징으로 하는 비접촉 싱글사이드 프로브 구조.
  4. 절연막 상부 전면에 가드부를 형성하기 위한 도전막이 형성된 제 1레이어와, 절연막 상부에 프로브 전극과 가드부가 패터닝된 도전막이 형성된 제 2레이어를 상기 제 1레이어, 상기 제 2레이어, 상기 제 1레이어 순으로 순차 적층한 결과물의 절단면이 전극패턴과 대응되도록 형성된 탐침자와,
    상기 탐침자의 상기 가드부와 인터페이스 시키기 위한 가드 콘택홀과,
    상기 탐침자의 상기 프로브 전극과 인터페이스 시키기 위한 전극 콘택홀
    이 포함되어 형성된 것을 특징으로 하는 비접촉 싱글사이드 프로브 구조.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 제 2레이어에는 상기 프로브 전극이 복수개 패터닝된 것을 특징으로 하는 비접촉 싱글사이드 프로브 구조.
  6. 제 4항에 있어서, 상기 제 2레이어를 복수개 적층하여 상기 프로브 전극을 두껍게 형성하는 것을 특징으로 하는 비접촉 싱글사이드 프로브 구조.
  7. 제 4항에 있어서, 상기 절연막과 상기 도전막은 PCB나 FPCB인 것을 특징으로 하는 비접촉 싱글사이드 프로브 구조.
  8. 제 4항에 있어서, 상기 절연막과 상기 도전막은 증착하여 형성된 박막인 것을 특징으로 하는 비접촉 싱글사이드 프로브 구조.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100948062B1 (ko) 2008-07-07 2010-03-19 마이크로 인스펙션 주식회사 비접촉 싱글사이드 프로브
WO2013058465A1 (ko) * 2011-10-19 2013-04-25 실리콘밸리(주) 반도체소자 테스트용 콘텍트 제조방법

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2237052A1 (en) * 2009-03-31 2010-10-06 Capres A/S Automated multi-point probe manipulation

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010011257A (ko) * 1999-07-27 2001-02-15 김순택 플라즈마 디스플레이 패널의 검사장치
KR20010106963A (ko) * 2000-05-24 2001-12-07 은탁 타이머ic에 의한 비접촉식 프로브를 이용한 비접촉스캔방식의 pdp전극패턴 검사장치 및 방법
KR20020004256A (ko) * 2000-07-04 2002-01-16 은탁 플라즈마 디스플레이 패널의 전극패턴 검사장치 및 그작동방법
JP2003344448A (ja) 2002-05-30 2003-12-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電圧プローブ、これを用いた半導体装置の検査方法、およびモニタ機能付き半導体装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04336441A (ja) * 1991-05-14 1992-11-24 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波帯プローブヘッド
JPH0627494A (ja) * 1992-02-14 1994-02-04 Inter Tec:Kk 薄膜トランジスタアクティブマトリクス基板の 検査方法及び装置
JPH06331711A (ja) * 1993-05-26 1994-12-02 Tokyo Kasoode Kenkyusho:Kk 非接触マルチプローブ
JPH10111316A (ja) * 1996-10-04 1998-04-28 Fujitsu Ltd 半導体検査装置及び半導体検査方法
JPH1144709A (ja) * 1997-07-29 1999-02-16 Texas Instr Japan Ltd プローブカード
JP3506896B2 (ja) * 1998-01-14 2004-03-15 株式会社リコー 近磁界プローブ及び近磁界プローブユニット及び近磁界プローブアレー及び磁界計測システム
JPH11211800A (ja) * 1998-01-27 1999-08-06 Ricoh Co Ltd Icパッケージ用プロービング装置
JP3415035B2 (ja) * 1998-08-07 2003-06-09 オー・エイチ・ティー株式会社 基板検査用センサプローブおよびその製造方法
JP4732557B2 (ja) * 1999-07-08 2011-07-27 株式会社日本マイクロニクス プローブ組立体の製造方法
JP2001194405A (ja) * 2000-01-07 2001-07-19 Oht Kk 基板検査用プローブおよび基板検査方法
JP4035418B2 (ja) * 2001-10-31 2008-01-23 株式会社本田電子技研 近接スイッチおよび物体検出装置
NO316796B1 (no) * 2002-03-01 2004-05-10 Idex Asa Sensormodul for maling av strukturer i en overflate, saerlig en fingeroverflate
US7411390B2 (en) * 2002-06-04 2008-08-12 Jentek Sensors, Inc. High resolution inductive sensor arrays for UXO
JP4481806B2 (ja) * 2004-12-03 2010-06-16 アルプス電気株式会社 容量検出型センサ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010011257A (ko) * 1999-07-27 2001-02-15 김순택 플라즈마 디스플레이 패널의 검사장치
KR20010106963A (ko) * 2000-05-24 2001-12-07 은탁 타이머ic에 의한 비접촉식 프로브를 이용한 비접촉스캔방식의 pdp전극패턴 검사장치 및 방법
KR20020004256A (ko) * 2000-07-04 2002-01-16 은탁 플라즈마 디스플레이 패널의 전극패턴 검사장치 및 그작동방법
JP2003344448A (ja) 2002-05-30 2003-12-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電圧プローブ、これを用いた半導体装置の検査方法、およびモニタ機能付き半導体装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100948062B1 (ko) 2008-07-07 2010-03-19 마이크로 인스펙션 주식회사 비접촉 싱글사이드 프로브
WO2013058465A1 (ko) * 2011-10-19 2013-04-25 실리콘밸리(주) 반도체소자 테스트용 콘텍트 제조방법

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