CN100370237C - 具有调整功能的温度传感器电路及其调整方法 - Google Patents

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Abstract

一种温度传感器电路，包括：温度检测电路，其被构成为产生与环境温度和电流对应的第1温度电压；设定值保存电路，其以数字值保持与预定的环境温度有关的预先设定的第2温度电压；以及电流供给电路，其将电流供给温度检测电路。电流供给电路供给电流，使得第2温度电压和规定的环境温度中温度检测电路产生的第1温度电压变成相等。

Description

具有调整功能的温度传感器电路及其调整方法
技术领域
本发明涉及温度传感器，特别涉及具有调整功能的数字式温度传感器电路。
背景技术
温度传感器被广泛用于家用电器和医疗设备等众多领域，近年来，还被用于携带电话等移动通信装置。这些温度传感器多种多样，重要的是充分配置各自的领域中必需的性能。
下面用图1A来说明现有的温度传感器。图1A是表示数字式温度传感器电路的结构方框图。
如图所示，温度传感器电路100具有pMOS晶体管110、pnp型双极晶体管120、A/D变换器130及加法器140。晶体管110具有向晶体管120供给电流IF的电流源的功能。晶体管120通过基极和发射极被共用连接而具有二极管功能。而且，输出电流IF和与环境温度对应的温度电压VF。A/D变换器130对温度电压VF进行A/D变换并输出n比特的数字数据。加法器140将A/D变换器130输出的数字数据和相同n比特的数字数据的偏移值相加，将加法运算结果作为检测温度数据输出到外部。
这样，在图示的温度传感器电路中，利用晶体管120产生的电压VF随温度而变化来进行温度检测。再有，偏移值是用于校正晶体管120的特性的数据。下面用图1B来说明使用该偏移值的晶体管120的特性校正。图1B是表示温度和温度电压VF的关系的曲线图。
为使晶体管120在各温度中产生预先设定的温度电压VF而对其进行设计、制造。设这种情况是图1B中的“设定特性”所示的曲线。但是，因受晶体管120的制造偏差等影响，也有温度电压VF的温度依存关系与当初的设定不同的情况。这种情况是图1B中“实际特性”所示的曲线。因此，这样的情况下，需要对实际的值进行偏离设定值部分的校正(将其称为调整)。
调整如下进行。例如，在图1B的例中，观测某一点的温度T1的实际温度电压VF和设定温度电压之差。而且，将该值变换成数字数据，作为偏移值存储在温度传感器电路内的存储器中。然后，在温度检测时将上述偏移值与A/D变换器130输出的数字数据相加，将其结果作为检测温度数据。
这样，通过将预先准备的偏移值与实际的测定值相加，来校正晶体管120的特性偏差，可以实现正确的温度检测。
但是，在上述现有的温度传感器电路的调整功能中，有校正能力不充分的情况。在现有的方法中，比较某一点的温度(温度T1)的设定温度电压和实际的温度电压，将其差作为偏移值。然后，通过将偏移值与实际的温度电压VF相加来进行校正。换句话说，所谓“调整”就是使图1B中的温度电压VF的实际温度特性平行移动，在设定特性上进行。因此，在两者的特性斜率不同的情况下，两者在温度T1以外的温度范围内不一致。即，如图1B所示，如果比较设定特性和校正后的特性，则仅在温度T1时的温度电压VF一致，而在其他的温度(T2、T3)时完全不一致。
如上所述，现有的温度传感器通过将偏移值与检测值相加来进行调整，而不进行实际的温度电压VF本身的校正。因此，在温度依存关系的斜率与设定特性不同的情况下，不能充分进行校正，其结果是产生温度检测精度恶化的情况。
发明内容
根据本发明的温度传感器电路，该温度传感器电路包括：温度检测电路，其产生与环境温度和电流对应的第1温度电压；
设定值保存电路，其以数字值保持与预定的环境温度有关的预先设定的第2温度电压；以及
电流供给电路，其将所述电流供给所述温度检测电路，该电流供给电路供给所述电流，使得所述第2温度电压和所述规定的环境温度中所述温度检测电路产生的所述第1温度电压变成相等。
根据本发明温度传感器电路的调整方法，该方法包括：将与预定的温度对应的数字值的第1温度电压存储在第1保存电路中；
设定用于电流供给电路供给规定电流的数字值的控制信号；
根据环境温度和所述电流，将所述环境温度变换成第2温度电压；
控制所述电流来使得所述第1、第2温度电压变成相等；以及
将使所述第1、第2温度电压变成相等的所述电流供给到所述电流供给电路的所述控制信号保存在第2保存电路中。
附图说明
图1A是表示现有的温度传感器电路的结构的方框图。
图1B是图1A所示的温度传感器电路中的温度和温度电压之间关系的特性图。
图2是表示本发明一实施例的温度传感器电路的结构的方框图。
图3是表示本发明一实施例的温度传感器电路中的温度和温度电压之间关系的特性图。
图4A是表示本发明一实施例的温度传感器电路的结构的方框图。
图4B是表示本发明一实施例的温度传感器电路的调整工作流程的流程图。
图4C是表示本发明一实施例的温度传感器电路中的调整时的温度电压变化的特性图。
图4D是表示本发明一实施例的温度传感器电路的通常工作流程的流程图。
图5A是表示图4A所示的温度传感器电路的调整时的实质结构的方框图。
图5B是表示温度传感器电路的电压、温度、及数字数据之间关系的关系图。
图5C是表示图5A所示的温度传感器电路中的调整时的温度电压变化的特性图。
图5D是表示图4A所示的温度传感器电路的通常工作时的实质结构的方框图。
图5E是表示图5D所示的温度传感器电路的通常工作时从D/A变换器输出的电压变化的特性图。
具体实施方式
下面用图2说明本发明的一实施例的温度传感器电路及温度传感器电路的调整方法。图2是具有调整功能的温度传感器的方框图。
如图所示，温度传感器电路10具有电流供给部20、温度检测部30、设定值保存部40、比较变换部50及调整值保存部60。
电流供给部20具有多个电流源21、21、…、以及控制电流源21的开关22、22、…，并向输出节点N1供给电流IF。
温度检测部30例如是二极管31，其将阳极连接到节点N1、将阴极连接到接地电位的。而且，产生与电流IF和环境温度对应的温度电压VF。
设定值保存部40保存规定温度的预先设定的设定温度电压，例如它是非易失性半导体存储器。
比较变换部50在通常工作时比较过去的温度数据和当前的温度电压VF，将对应于该比较结果的数据作为检测温度数据(当前温度)来输出。而且在调整时，对设定值保存部40中保存的设定温度电压和温度电压VF进行比较。然后，按照该比较结果，来控制电流供给部20供给的电流IF，使设定温度电压和温度电压VF变为相等。
调整值保存部60保存调整时使设定温度电压和温度电压VF相等的上述控制信号信息(调整值)，例如它是非易失性半导体存储器。
下面，用图2、图3来说明上述构成的温度传感器电路的调整工作。图3是表示温度和温度电压VF之间关系的曲线图。如图所示，假设二极管31实际产生的温度电压VF的温度特性(图中的“实际的特性”所示的曲线)与预先设定的温度特性(图中的“设定特性”所示的曲线)有所不同。再有，以下将温度检测部30实际检测的温度电压表记为温度电压VF(实际)，将预先设定的理想的温度电压表记为VF(理想)。
首先，在设定值保存部40中保持预定的温度T1下的设定温度电压VF(理想)的值。该值仅是某一点的温度下的温度电压VF(理想)。接着，比较变换部50比较温度T1时由二极管31实际检测的温度电压VF(实际)和设定值保存部40中保存的设定温度电压VF(理想)。然后，按照其比较结果，将控制命令送出到电流供给部20。根据该控制命令，电流供给部20控制供给电流IF的值，使得由二极管31产生的温度电压VF(实际)与设定温度电压VF(理想)变成相等。然后，调整值保存部60保存变为VF(实际)＝VF(理想)的控制命令。即，调整值保存部60存储生成变为VF(实际)＝VF(理想)的电流IF的电流供给部20的工作条件。
于是，在调整工作中，通过控制电流IF，进行将预定的温度T1时的实际的温度电压VF(实际)本身变成与设定温度电压VF(理想)相等的校正。
下面说明通常工作。在通常工作时，电流供给部20将调整工作时被存储在调整值存储部60中的对应于控制命令的电流IF供给温度检测部30。温度检测部30的二极管31，输出与该电流IF和环境温度对应的温度电压VF(实际)。比较变换部50，比较该温度电压VF(实际)和前一个时刻的比较变换部50的输出，将该比较结果作为检测温度数据输出到外部。
根据上述的温度传感器电路，通过控制电流IF的值，进行使预定温度下的温度电压VF(实际)本身变为与设定温度电压VF(理想)相等的校正。通过如上所述的对电流IF进行控制来进行调整，如图3所示，不仅对成为校正对象的温度T1时的温度电压VF进行校正，而且可以同时进行其温度特性的斜率的校正。因此，可以提高温度传感器电路的检测精度。
下面用图4A来说明上述温度传感器电路的具体构成及工作。图4A是将图2所示的构成具体化的带有调整功能的数字式温度传感器电路的方框图。
如图所示，电流供给部20包括电流源电路23和开关24。电流源电路23具有pMOS晶体管25和pMOS晶体管26-1～26-n。pMOS晶体管25，其源极连接到电源电位，栅极连接到接地电位，被形成为始终导通的状态。N个pMOS晶体管26-1～26-n的源极连接到电源电位，栅极连接到传送n比特的数字信号的信号线L1。然后，与传送给信号线L1的数字信号的各比特对应的信号被输入到各栅极。此外，pMOS晶体管25、26-1～26-n的漏极被共用连接。从该漏极的共用连接节点，输出电流IF。开关24，对信号线L1进行与比较变换部50或调整值保存部60的输出的连接的切换。即，通过晶体管25来供给最小限度的电流IF，通过晶体管26-1～26-n对其进行叠加。
温度检测部30的二极管31，例如是基极和集电极被连接到接地电位、发射极被连接到电流供给部20的输出节点的pnp型的双极晶体管32。该晶体管32的发射极·集电极间电压，作为随电流IF和环境温度变动的温度电压VF(实际)，被从晶体管32的发射极和电流供给部20的输出节点的连接节点N1取出。
设定值保存部40，将预定温度T1时的设定温度电压VF(理想)的值作为n比特的数字数据(设定值)来保存。
比较变换部50具有比较器51、D/A变换器52、检测温度变换部53及开关54，是逐次比较型A/D变换电路。比较器51，比较在节点N1被检测的温度电压VF(实际)和D/A变换器52输出的模拟数据。检测温度变换部53，输出与比较器51的比较结果对应的n比特的数字数据。有关检测温度变换部的处理细节的说明将在后面进行叙述。该检测温度变换部53将检测温度作为n比特的数字数据来输出。D/A变换器52，将设定值保存部50或检测温度变换部53输出的数字数据变换成模拟数据。开关54，把向D/A变换器52的输入，与检测温度变换部53或设定值保存部40的输出的连接进行切换。
调整值保存部60，保存调整时检测温度变换部53输出的n比特数字数据。
下面说明具有上述构成的温度传感器电路的工作。首先，说明调整时的工作。调整工作，将比较变换部50的基准电压作为存储在设定值保存部40中的设定值，通过使用二分法来调整电流值IF，从而使晶体管32输出的温度电压VF(实际)与设定温度电压VF(理想)相等。下面用图4A至图4C来说明使用该二分法的电流IF的调整。图4B是表示调整时的工作流程的流程图。图4C是说明二分法的、表示比较次数、导通状态的晶体管数目及温度电压VF之间关系的图。
首先，在设定值保存部40中保存预定的温度T1时的与设定温度电压VF(理想)相当的n比特的数字数据(设定值)(步骤S10)。而且，在检测温度变换部53中设定电流供给部20的控制信号(步骤S11)。该控制信号也是n比特的数字数据。然后，电流供给部20根据控制信号使作为缺省值的n个pMOS晶体管26-1～26-n内的一半(n/2个)被导通状态。然后，在进行调整时，节点L1通过开关24被连接到检测温度变换部53的输出节点，D/A变换器52的输入节点通过开关54被连接到设定值保存部40的输出节点。而且，环境温度被设定为温度T1。
温度检测部30，将环境温度变换成温度电压VF(实际)(步骤S12)。D/A变换器52，对设定值保存部40中保存的设定值进行D/A变换(步骤S13)。通过该D/A变换获得的设定温度电压VF(理想)被输入到比较器51的一个输入端子。而且，实际的温度电压VF(实际)被输出到节点N1，然后被输入到比较器51的另一个输入端子。再有，假设上述电流源电路23中的n个pMOS晶体管26-1～26-n内的一半为导通状态的情况下出现在节点N1上的实际的温度电压VF(实际)为VF(实际1)。然后，比较器51对两者进行比较(步骤S14)。
此时，假设设定温度电压VF(理想)和实际的温度电压VF(实际1)之间的关系如图4C所示为VF(实际1)＜VF(理想)(步骤S15)。于是，检测温度变换部53根据该比较结果来设置新的控制命令(步骤S17)。然后，对于电流供给部20，再次使n/4个pMOS晶体管为导通状态，使整体的3n/4个pMOS晶体管为导通状态。其结果，电流IF增大，在晶体管32产生的温度电压VF(实际)也增大。此时，假设表现在节点N1上的温度电压为VF(实际2)。然后，由比较器51进行两者的比较。假设该比较结果为VF(实际2)＞VF(理想)。于是，检测温度变换部53使在导通状态的3n/4个晶体管内的、n/8个为截止状态，从而使整体的5n/8个晶体管为导通状态。由此，电流IF减少，晶体管32产生的温度电压VF(实际)也减少。接着，比较器在该状态下比较表现在节点N1上的温度电压和设定温度电压，如果不一致，则追加或削减n/16个晶体管后，再比较表现在节点N1上的温度电压和设定温度电压。重复进行该处理(步骤S14、S15、S17)，直至实际的温度电压VF(实际)＝设定温度电压VF(理想)。
如上所述，通过二分法，使应该导通状态的晶体管个数每次增减n/2个，同时逐次进行实际的温度电压VF(实际)和设定温度电压VF(理想)的比较。然后，使实际的温度电压VF(实际)逐渐接近设定温度电压VF(理想)。然后，与满足VF(实际)＝VF(理想)所需的pMOS晶体管26-1～26-n的个数相对应的控制命令(调整值)，根据写入信号被保存在调整值保存部60中(步骤S16)。
下面对于通常工作时用图4D来说明。图4D是表示通常工作流程的流程图。在通常工作时，节点L1通过开关24被连接到调整值保存部60的输出节点，D/A变换器52的输入节点通过开关54被连接到检测温度变换部53的输出节点。
首先，根据上述调整时调整值保存部60中保存的调整值，来控制电流供给部20(步骤S20)。即，在电流源电路23内包含的n个pMOS晶体管26-1～26-n中，通过仅使由调整值指定的晶体管为导通状态，来控制电流IF。由此，晶体管32产生的温度电压VF(实际)与设定温度电压VF(理想)相等。
而且，比较变换部50，对温度电压VF(实际)进行A/D变换，并将获得的n比特的数字数据作为检测温度数据输出。在通常工作时，比较变换部50进行的处理基本上与调整时进行的处理相同，但比较器51中作为基准的电压，是在节点N1检测的校正后的温度电压VF(实际)。
更具体地说，首先，将临时的温度数据VF(临时)设置在检测温度变换部中(步骤S24)。温度数据VF(临时)当然是n比特的数字数据。如果是刚调整之后，则温度数据VF(临时)也可以是控制命令本身。然后，在温度检测部30中，将环境温度变换成温度电压VF(实际)(步骤S22)。而且，D/A变换器52将温度数据VF(临时)变换成模拟值(步骤S23)。
然后，通过以温度电压VF(实际)作为基准的二分法，使在检测温度变换部53获得的n比特数字数据，与和温度电压VF(实际)对应的值一致(步骤S24、S25、S27)。然后，将与VF(实际)一致的、n比特数字数据的VF(临时)作为检测温度数据从检测温度变换部输出。
下面，更具体地说明上述温度传感器电路的工作。图5A是表示调整时的温度传感器的实质结构的方框图。而且，在图5A中，为了简单化，示出n＝8(pMOS晶体管26-1～26-n的数量)的情况。而且，在图5B还示出了在该温度传感器中预先设定的设定温度电压VF(理想)、环境温度及数字数据之间的关系。即，设定温度电压在0.00V全8.00V的范围变动，与之对应的环境温度为105℃至-65℃，与各温度对应的数字数据为从(00000000)至(11111111)。以下举例说明环境温度为25℃时进行调整的情况。
首先，如图5B所示，对应于环境温度25℃的数字数据是(10000000)，将该8比特数字数据作为设定值保存在设定值保存部40中。
此外，作为控制电流供给部20的控制信号，(11110000)被保存在检测温度变换部53中。该信号是进行调整时的缺省值。各比特，从高位比特起依次与晶体管26-1～26-8的控制命令相对应，“1”为导通状态，“0”为截止状态。因此，数据(11110000)的意义在于，使8个pMOS晶体管26-1～26-8内的一半、即4个晶体管26-1～26-4为导通状态，使晶体管26-5～26-8为截止状态。
而且，将环境温度设定为25℃，并且通过开关24将节点L1连接到检测温度变换部53的输出节点，通过开关54将D/A变换器52的输入节点连接到设定值保存部40的输出节点。
设定值保存部40内的设定值(10000000)，在D/A变换器52中被变换成模拟数据。该A/D变换当然以满足图5B所示的关系来进行。即，设定值(10000000)被变换成4V，并输入到比较器51的正输入端子。另一方面，表现在节点N1上的温度电压VF(实际)被输入到比较器51的负输入端子。这里，假设环境温度25℃时的实际的温度电压VF(实际)是与设定温度电压VF(理想)＝4V不同的3.5V。
于是，比较变换部50，根据上述说明的二分法，开始进行使温度电压VF(实际)与设定温度电压VF(理想)相等的处理。图5C是表示该处理流程的、表示比较器的比较次数、导通状态的晶体管的个数和电压VF之间关系的特性图。如图所示，在电流供给部20供给的电流IF是缺省值(4个晶体管26-1～26-4为导通状态)的情况下，VF(实际)＜VF(理想)(比较次数＝1)。所以，需要增加导通状态的晶体管数目来使电流IF上升。因此，检测温度变换部53使相当于所有pMOS晶体管数量的1/4数量(2个)的晶体管再次成为导通状态。即，使全体总共6个晶体管26-1～26-6为导通状态，使温度电压VF(实际)上升。即，产生控制信号(11111100)。
通过使6个晶体管26-1～26-6为导通状态来增加电流IF，使温度电压VF(实际)上升。其结果，假设温度电压VF(实际)超过设定温度电压VF(理想)＝4V，并为4.5V(比较次数＝2)。这样的话，接着需要减小电流IF，所以检测温度变换部53使相当于所有晶体管数1/8数目(1个)的晶体管为截止状态。即，使全体总共5个晶体管26-1～26-5为导通状态，降低温度电压VF(实际)。即，产生控制信号(11111000)。其结果，温度电压(实际)也下降，温度电压VF(实际)＝4V，与设定温度电压VF(理想)一致。然后，温度电压VF(实际)＝设定温度电压VF(理想)的控制信号(11111000)根据写入信号作为调整值被保持在调整值保存部60中。
如上所述，结束调整工作。
下面用图5B和图5D来说明通常工作。图5D是表示通常工作时的温度传感器电路的实质结构的方框图。以下举例说明环境温度从25℃变化到40℃情况下的工作。
首先，节点L1通过开关24连接到调整值保存部60的输出节点，D/A变换器52的输入节点通过开关54连接到检测温度变换部53的输出节点。然后，在调整值保存部60中，保存上述调整时获得的调整值(11111000)。因此，在电流源电路23内的8个pMOS晶体管26-1～26-8中，通过使5个pMOS晶体管26-1～26-5为导通状态，3个pMOS晶体管26-6～26-8为截止状态，将晶体管32输出的温度电压VF(实际)校正为设定温度电压VF(理想)。
而且，在检测温度变换部53中，环境温度25℃时的数字数据(10000000)被保存。该数据可以看成温度数据的缺省值。该数据由D/A变换器52变换成4V，被输入到比较器51的正负输入端子。而且，将出现在节点N1上的温度电压VF(实际)＝4V(25℃时的设定电压)输入到比较器51的反向输入端子。
在这样的状态下，假设环境温度从25℃变化为40℃。随着该变化，表现在节点N1上的温度电压VF(实际)从4V减少到3.25V。
于是，比较变换部50，根据上述说明的二分法，以温度电压VF(实际)作为基准，开始进行使检测温度变换部53输出的检测温度数据成为与VF(实际)相当的数字数据的处理。图5E是表示该处理流程的图。而且，该图是表示比较器的比较次数和与检测温度变换部53输出的数字值的检测温度数据对应的电压(D/A变换器52的输出V(dac))之间的关系的特性图。
首先，检测温度变换部53当初输出的检测温度数据是对应于25℃的4V(V(数模转换))。因此，根据实际的温度电压VF(实际)下降至3.25V，从而比较器5 1的比较结果为V(数模转换)＞VF(实际)(比较次数＝1)。在通常工作时，由于使V(数模转换)与VF(实际)一致，所以需要减小V(数模转换)。V(数模转换)的振幅宽度Vp-p是如图5B所示的8V，所以通过降低相当于该振幅宽度的1/4的电压(2V)，设定为V(数模转换)＝2V。因此，检测温度变换部53，产生与V(数模转换)＝2V对应的数字数据(01000000)。
接着，D/A变换器52对上述数据(01000000)进行D/A变换并输入到比较器51的正向输入端子。于是，比较器51的比较结果为A/D变换器输出V(数模转换)＝2V＜温度电压VF(实际)＝3.25V(比较次数＝2)。因此，接着需要使V(数模转换)上升。因此，检测温度变换部53上升相当于V(数模转换)的振幅宽度Vp-p的1/8的电压(1V)，产生相当于V(数模转换)＝3V的数字数据(01100000)。
而且，D/A变换器52对上述数据(01100000)进行D/A变换并输入到比较器51的正输入端子。于是，比较器51的比较结果依然是A/D变换器输出V(数模转换)＝3V＜温度电压VF(实际)＝3.25V(比较次数＝3)。因此，还需要使V(数模转换)上升。因此，检测温度变换部53上升相当于V(数模转换)的振幅宽度Vp-p的1/16的电压(0.5V)，产生相当于V(数模转换)＝3.5V的数字数据(01110000)。
然后，D/A变换器52对上述数据(01110000)进行D/A变换并输入到比较器51的正向输入端子。于是，比较器51的比较结果是A/D变换器输出V(数模转换)＝3.5V＜温度电压VF(实际)＝3.25V(比较次数＝4)。因此，接着需要减小V(数模转换)。因此，检测温度变换部53减小相当于V(数模转换)的振幅宽度Vp-p的1/32的电压(0.25V)，产生相当于V(数模转换)＝3.25V的数字数据(01101000)。
以上的结果满足了V(数模转换)＝V(实际)的关系，由检测温度变换部53将与当前温度40℃对应的数字数据(01101000)作为检测温度数据输出。
根据具有上述结构和工作的温度传感器电路，来控制流入二极管的电流的值。由此，使得以二极管检测的温度电压本身与设定温度电压相等来进行校正。因此，通过使某一点的温度的温度电压与设定温度电压一致，就可以使温度电压的温度特性在整个温度范围与设定的温度特性大致一致。其结果，可以提高温度传感器电路的温度检测精度。此外，温度传感器电路的工作控制可以使用数字信号来进行，所以对数字设备的温度传感器电路的组装变得十分容易。而且，可以将调整值及设定值作为数字数据来设定，所以可以提高调整的精度。
再有，本实施例不是本发明唯一的实施例，可以进行各种变形。即，就构成温度传感器电路的电路来说，有很多种结构，不限于图示的电路结构。电流供给部20和温度检测部30的结构不限于图示的结构，只要比较变换部50也具有作为逐次比较型的A/D变换器功能就可以。此外，也可以按与通常工作同样的处理来进行调整时的电流源电路23的控制。即，在上述实施例中，控制电流源电路23的调整值的各比特相当于各个pMOS晶体管的控制信号。但是，也可以将n比特构成的调整值作为一个控制信号来使用。具体地说，对于调整值为(00000000)时供给的电流IF，在调整值(00000001)时变为2·IF、在(00000010)时变为3·IF、…在调整值(11111111)时变为129·IF的电流量，也可以使该电流量本身每次增减1/2来进行调整。
对于本领域技术人员来说，将容易发现附加的优点和改进。因此，在其广泛的范围内，本发明不限于上述特别的细节和有代表性的实施例。因此，在不脱离由权利要求书和其等价物限定的一般的发明原理的精神和范围内，可以进行各种变更。

Claims (16)

1.一种温度传感器电路，包括：
温度检测电路，其被构成为产生与环境温度和电流对应的第1温度电压；
设定值保存电路，其以数字值保持与预定的环境温度有关的预先被设定的第2温度电压；以及
电流供给电路，其将所述电流供给所述温度检测电路，该电流供给电路供给所述电流，使得所述第2温度电压和所述规定的环境温度中所述温度检测电路产生的所述第1温度电压相等。
2.一种温度传感器电路，其具有第1、第2工作模式，包括：
电流供给电路，其向温度检测电路供给电流；
温度检测电路，其被构成为产生与环境温度和电流对应的第1温度电压；
设定值保存电路，其以数字值保持与预定的环境温度有关的预先设定的第2温度电压；
比较变换电路，其被构成为在所述第1工作模式时，比较所述第2温度电压和所述规定的环境温度中所述温度检测电路产生的所述第1温度电压，生成控制所述电流供给电路的数字值的控制信号，使得所述第1、第2温度电压相等；以及
调整值保存电路，其被构成为在所述第1工作模式中，保存使所述第1、第2温度电压相等的所述控制信号。
3.根据权利要求2的温度传感器电路，其中，
比较变换电路，其被构成为在所述第2工作模式中，将所述温度检测电路产生的所述第1温度电压变换成数字值，将该变换结果作为检测温度数据来输出，
所述调整值保存电路，其被构成为在所述第2工作模式中，将该控制信号送出到所述电流供给电路来调整该电流供给电路供给的电流。
4.根据权利要求2的温度传感器电路，其中，
比较变换电路包括：
比较器，其在所述第1工作模式中，比较所述第1温度电压和所述第2温度电压；
温度检测变换器，其在所述第1工作模式中，根据所述比较器的比较结果，来生成控制所述电流供给电路的所述控制信号，使得供给使所述第1、第2温度电压变成相等的所述电流；
D/A变换器，其在所述第1工作模式中，将所述设定值保存电路中保持的所述第2温度电压变换成模拟值并输入到所述比较器。
5.根据权利要求3的温度传感器电路，其中，
比较变换电路包括：
比较器，其在所述第2工作模式中，比较所述第1温度电压和所述检测温度数据；
温度检测变换器，其被构成为在所述第2工作模式中，根据所述比较器的比较结果，将所述检测温度数据变换成与所述第1温度电压对应的数字值并输出；以及
D/A变换器，其被构成为在所述第2工作模式中，将所述温度检测变换器输出的所述检测温度数据变换成模拟值并输入到所述比较器。
6.根据权利要求2的温度传感器电路，其中，
比较变换电路，是在所述第1工作模式时将所述第2温度电压作为基准值的逐次比较型的A/D变换器。
7.根据权利要求3的温度传感器电路，其中，
比较变换电路，是在所述第2工作模式时将所述第1温度电压作为基准值的逐次比较型的A/D变换器。
8.根据权利要求2的温度传感器电路，其中，
电流供给电路，配有多个晶体管，通过处于导通状态的该晶体管的数量来调整供给的电流值。
9.根据权利要求8的温度传感器电路，其中，
电流供给电路，在所述第1工作模式时，根据所述调整值保存电路中保持的所述控制信号，通过使几个所述晶体管为导通状态，来供给使所述第1、第2温度电压一致的电流。
10.根据权利要求3的温度传感器电路，其中，
电流供给电路，配有多个晶体管，通过处于导通状态的该晶体管的数量来调整供给的电流值；
所述电流供给电路，在所述第2工作模式时，由所述比较变换电路来调整处于导通状态的所述晶体管的数量，从而供给使所述第1、第2温度电压一致的电流。
11.根据权利要求2的温度传感器电路，其中，
温度检测电路是二极管。
12.根据权利要求2的温度传感器电路，其中，
设定值保存电路及所述调整值保存电路是非易失性的半导体存储器。
13.一种温度传感器电路的调整方法，包括：
将与预定的温度对应的数字值的第1温度电压存储在第1保存电路中；
设定用于电流供给电路供给预定电流的数字值的控制信号；
根据环境温度和所述电流，将所述环境温度变换成第2温度电压；
控制所述电流来使得所述第1、第2温度电压变成相等；以及
将使所述第1、第2温度电压变成相等的所述电流供给到所述电流供给电路的所述控制信号保存在第2保存电路中。
14.根据权利要求13的温度传感器电路的调整方法，其中，
对电流进行控制包括：
将所述第1温度电压变换成模拟值；
比较所述第1、第2温度电压；以及
在所述第1、第2温度电压不一致的情况下，通过调整所述控制信号来控制所述第2温度电压，重复进行变换成所述模拟值和进行比较。
15.根据权利要求13的温度传感器电路的调整方法，还包括：
在将所述控制信号保存在第2保存电路中后，设定数字值的温度数据；
根据环境温度和保存在所述第2保存电路中的所述控制信号，且根据所述电流供给电路供给的所述电流，将所述环境温度变换成第3温度电压；
控制所述温度数据，使得所述温度数据和所述第3温度电压变成相等；以及
将与所述第3温度电压相等的所述温度数据作为当前温度来输出。
16.根据权利要求15的温度传感器电路的调整方法，其中，
对温度数据进行控制包括：
将所述温度数据变换成模拟值；
比较所述温度数据和所述第3温度电压；以及
在所述温度数据和所述第3温度电压不一致的情况下，在调整数字值的所述温度数据后，重复进行变换成所述模拟值和进行比较。
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