JP2003149055A - 温度センサ及びその調整方法 - Google Patents
温度センサ及びその調整方法Info
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- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 温度検出の検出精度を向上できる温度センサ
及びその調整方法を提供すること。 【解決手段】 温度センサ１０は、周囲温度と電流とに
応じた第１温度電圧を発生する温度検出手段３０と、所
定の周囲温度について予め設定された第２温度電圧をデ
ィジタル値で保持する設定値格納手段４０と、前記温度
検出手段３０に前記電流を供給する電流供給手段２０と
を具備し、前記電流供給手段２０は、前記第２温度電圧
と、前記所定の周囲温度において前記温度検出手段３０
で発生する前記第１温度電圧とが等しくなるように、前
記電流を制御することを特徴としている。
及びその調整方法を提供すること。 【解決手段】 温度センサ１０は、周囲温度と電流とに
応じた第１温度電圧を発生する温度検出手段３０と、所
定の周囲温度について予め設定された第２温度電圧をデ
ィジタル値で保持する設定値格納手段４０と、前記温度
検出手段３０に前記電流を供給する電流供給手段２０と
を具備し、前記電流供給手段２０は、前記第２温度電圧
と、前記所定の周囲温度において前記温度検出手段３０
で発生する前記第１温度電圧とが等しくなるように、前
記電流を制御することを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、温度センサに関
するもので、特にトリミング機能付きのディジタル式温
度センサにおいて、温度検出用トランジスタの製造バラ
ツキが検出精度に与える悪影響を解消するための技術に
係る。
するもので、特にトリミング機能付きのディジタル式温
度センサにおいて、温度検出用トランジスタの製造バラ
ツキが検出精度に与える悪影響を解消するための技術に
係る。
【０００２】
【従来の技術】温度センサは、家電機器や医療機器等多
くの分野において広く用いられており、近年では携帯電
話等の移動体通信機器にも使用されるようになってきて
いる。これらの温度センサは多種多様であり、それぞれ
の分野に必要とされる性能を十分に備えていることが重
要である。
くの分野において広く用いられており、近年では携帯電
話等の移動体通信機器にも使用されるようになってきて
いる。これらの温度センサは多種多様であり、それぞれ
の分野に必要とされる性能を十分に備えていることが重
要である。
【０００３】従来の温度センサについて図１０を用いて
説明する。図１０はディジタル式温度センサの構成を示
すブロック図である。
説明する。図１０はディジタル式温度センサの構成を示
すブロック図である。
【０００４】図示するように、温度センサ１００はｐＭ
ＯＳトランジスタ１１０、ｐｎｐ型バイポーラトランジ
スタ１２０、Ａ／Ｄ変換器１３０及び加算器１４０を有
している。トランジスタ１１０は、トランジスタ１２０
に電流ＩＦを供給する電流源として機能する。トランジ
スタ１２０は、ベースとエミッタが共通接続されること
でダイオードとして機能する。そして、電流ＩＦと周囲
温度に応じた温度電圧ＶＦを出力する。Ａ／Ｄ変換器１
３０は、温度電圧ＶＦをＡ／Ｄ変換してｎビットのディ
ジタルデータを出力する。加算器１４０は、Ａ／Ｄ変換
器１３０の出力するディジタルデータと、同じくｎビッ
トのディジタルデータであるオフセット値とを加算し、
加算結果を検出温度データとして外部へ出力する。
ＯＳトランジスタ１１０、ｐｎｐ型バイポーラトランジ
スタ１２０、Ａ／Ｄ変換器１３０及び加算器１４０を有
している。トランジスタ１１０は、トランジスタ１２０
に電流ＩＦを供給する電流源として機能する。トランジ
スタ１２０は、ベースとエミッタが共通接続されること
でダイオードとして機能する。そして、電流ＩＦと周囲
温度に応じた温度電圧ＶＦを出力する。Ａ／Ｄ変換器１
３０は、温度電圧ＶＦをＡ／Ｄ変換してｎビットのディ
ジタルデータを出力する。加算器１４０は、Ａ／Ｄ変換
器１３０の出力するディジタルデータと、同じくｎビッ
トのディジタルデータであるオフセット値とを加算し、
加算結果を検出温度データとして外部へ出力する。
【０００５】このように、図示する温度センサではトラ
ンジスタ１２０で発生する電圧ＶＦが温度によって変化
することを利用して温度センスを行っている。なお、オ
フセット値とはトランジスタ１２０の特性を補正するた
めのデータである。このオフセット値を用いたトランジ
スタ１２０の特性補正について図１１を用いて説明す
る。図１１は温度と温度電圧ＶＦとの関係を示すグラフ
である。
ンジスタ１２０で発生する電圧ＶＦが温度によって変化
することを利用して温度センスを行っている。なお、オ
フセット値とはトランジスタ１２０の特性を補正するた
めのデータである。このオフセット値を用いたトランジ
スタ１２０の特性補正について図１１を用いて説明す
る。図１１は温度と温度電圧ＶＦとの関係を示すグラフ
である。
【０００６】トランジスタ１２０は、各温度において予
め設定された温度電圧ＶＦを発生するように設計・製造
される。それが図１１における“設定特性”が示すグラ
フであったとする。しかし、トランジスタ１２０の製造
バラツキ等の影響により、温度電圧ＶＦの温度依存性が
当初の設定と異なる場合がある。これが、図１１におけ
る“実際の特性”が示すグラフである。従って、このよ
うな場合には実際の値が設定値からずれている分を補正
する必要がある（これをトリミング（trimming）と呼
ぶ）。
め設定された温度電圧ＶＦを発生するように設計・製造
される。それが図１１における“設定特性”が示すグラ
フであったとする。しかし、トランジスタ１２０の製造
バラツキ等の影響により、温度電圧ＶＦの温度依存性が
当初の設定と異なる場合がある。これが、図１１におけ
る“実際の特性”が示すグラフである。従って、このよ
うな場合には実際の値が設定値からずれている分を補正
する必要がある（これをトリミング（trimming）と呼
ぶ）。
【０００７】トリミングは次のようにして行われる。例
えば図１１の例では、ある一点の温度Ｔ１おける実際の
温度電圧ＶＦと設定温度電圧との差を観測する。更に、
この値をディジタルデータに変換して、温度センサ内の
メモリにオフセット値として記憶させておく。そして、
実際の温度センサの使用時にはＡ／Ｄ変換器１３０が出
力するディジタルデータに上記オフセット値を加算し
て、その結果を検出温度データとする。
えば図１１の例では、ある一点の温度Ｔ１おける実際の
温度電圧ＶＦと設定温度電圧との差を観測する。更に、
この値をディジタルデータに変換して、温度センサ内の
メモリにオフセット値として記憶させておく。そして、
実際の温度センサの使用時にはＡ／Ｄ変換器１３０が出
力するディジタルデータに上記オフセット値を加算し
て、その結果を検出温度データとする。
【０００８】このように、実際の測定値に予め用意して
おいたオフセット値を加算することで、トランジスタ１
２０の特性バラツキを補正し、正確な温度センスが実現
できる。
おいたオフセット値を加算することで、トランジスタ１
２０の特性バラツキを補正し、正確な温度センスが実現
できる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の温度センサのトリミング機能では、補正能力が十分
でないという問題があった。従来の方法では、ある一点
の温度（温度Ｔ１）における設定温度電圧と実際の温度
電圧とを比較し、その差をオフセット値としている。そ
して、実際の温度電圧ＶＦにオフセット値を加算するこ
とで補正を行っている。換言すれば、“トリミング”と
は、図１１における温度電圧ＶＦの実際の温度特性を平
行移動させて、設定特性に重ねることである。従って、
両者の特性の傾きが異なる場合には、両者は温度Ｔ１以
外の温度範囲では一致しない。すなわち、図１１に示す
ように、設定特性と補正後の特性とを比較すると、温度
Ｔ１でのみ温度電圧ＶＦは一致するが、その他の温度
（Ｔ２、Ｔ３）では全く一致しない。
来の温度センサのトリミング機能では、補正能力が十分
でないという問題があった。従来の方法では、ある一点
の温度（温度Ｔ１）における設定温度電圧と実際の温度
電圧とを比較し、その差をオフセット値としている。そ
して、実際の温度電圧ＶＦにオフセット値を加算するこ
とで補正を行っている。換言すれば、“トリミング”と
は、図１１における温度電圧ＶＦの実際の温度特性を平
行移動させて、設定特性に重ねることである。従って、
両者の特性の傾きが異なる場合には、両者は温度Ｔ１以
外の温度範囲では一致しない。すなわち、図１１に示す
ように、設定特性と補正後の特性とを比較すると、温度
Ｔ１でのみ温度電圧ＶＦは一致するが、その他の温度
（Ｔ２、Ｔ３）では全く一致しない。
【００１０】このように、従来の温度センサであると、
オフセット値を検出値に加算することでトリミングを行
っており、実際の温度電圧ＶＦそのものの補正を行って
いなかった。従って、温度依存性の傾きが設定特性と異
なる場合には補正が十分には行われず、その結果、温度
の検出精度が悪化するという問題があった。
オフセット値を検出値に加算することでトリミングを行
っており、実際の温度電圧ＶＦそのものの補正を行って
いなかった。従って、温度依存性の傾きが設定特性と異
なる場合には補正が十分には行われず、その結果、温度
の検出精度が悪化するという問題があった。
【００１１】この発明は、上記事情に鑑みてなされたも
ので、その目的は、温度検出の検出精度を向上できる温
度センサを提供することにある。
ので、その目的は、温度検出の検出精度を向上できる温
度センサを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明に係る温度セン
サは、電流を供給する電流供給手段と、前記電流供給手
段の供給電流及び周囲温度に応じた第１温度電圧を発生
する温度検出手段とを具備し、該温度検出手段にて発生
する第１温度電圧により周囲温度を検知する温度センサ
であって、所望の周囲温度について予め設定された第２
温度電圧をディジタル値で保持する設定値格納手段を更
に備え、前記設定値格納手段に保持されている前記第２
温度電圧と、前記所望の周囲温度において前記温度検出
手段で発生する前記第１温度電圧とが等しくなるよう
に、前記電流供給手段の前記供給電流を制御することに
よってトリミングを行うことを特徴としている。
サは、電流を供給する電流供給手段と、前記電流供給手
段の供給電流及び周囲温度に応じた第１温度電圧を発生
する温度検出手段とを具備し、該温度検出手段にて発生
する第１温度電圧により周囲温度を検知する温度センサ
であって、所望の周囲温度について予め設定された第２
温度電圧をディジタル値で保持する設定値格納手段を更
に備え、前記設定値格納手段に保持されている前記第２
温度電圧と、前記所望の周囲温度において前記温度検出
手段で発生する前記第１温度電圧とが等しくなるよう
に、前記電流供給手段の前記供給電流を制御することに
よってトリミングを行うことを特徴としている。
【００１３】更にこの発明に係る温度センサは、電流を
供給する電流供給手段と、前記電流供給手段の供給電流
及び周囲温度に応じた第１温度電圧を発生する温度検出
手段と、所望の周囲温度について予め設定された第２温
度電圧をディジタル値で保持する設定値格納手段と、ト
リミング時にあっては、前記設定値格納手段に保持され
ている前記第２温度電圧と、前記所望の周囲温度におい
て前記温度検出手段が発生する前記第１温度電圧とを比
較して、前記第１温度電圧が前記第２温度電圧に等しく
なるように前記電流供給手段が供給する電流値を制御す
るディジタル値の制御信号を生成し、通常動作時にあっ
ては、前記温度検出手段が発生する前記第１温度電圧を
ディジタル値に変換し、該変換結果を検出温度データと
して出力する比較変換手段と、前記トリミング時にあっ
ては、前記比較変換手段が生成した前記制御信号を格納
し、前記通常動作時にあっては、該制御信号を前記電流
供給手段に送出して該電流供給手段の供給電流を調整す
る調整値格納手段とを具備することを特徴としている。
供給する電流供給手段と、前記電流供給手段の供給電流
及び周囲温度に応じた第１温度電圧を発生する温度検出
手段と、所望の周囲温度について予め設定された第２温
度電圧をディジタル値で保持する設定値格納手段と、ト
リミング時にあっては、前記設定値格納手段に保持され
ている前記第２温度電圧と、前記所望の周囲温度におい
て前記温度検出手段が発生する前記第１温度電圧とを比
較して、前記第１温度電圧が前記第２温度電圧に等しく
なるように前記電流供給手段が供給する電流値を制御す
るディジタル値の制御信号を生成し、通常動作時にあっ
ては、前記温度検出手段が発生する前記第１温度電圧を
ディジタル値に変換し、該変換結果を検出温度データと
して出力する比較変換手段と、前記トリミング時にあっ
ては、前記比較変換手段が生成した前記制御信号を格納
し、前記通常動作時にあっては、該制御信号を前記電流
供給手段に送出して該電流供給手段の供給電流を調整す
る調整値格納手段とを具備することを特徴としている。
【００１４】上記のような温度センサによれば、電流供
給手段が温度検出手段に供給する電流の値を制御するこ
とによって、温度検出手段にて検出される第１温度電圧
そのものを、予め設定された第２温度電圧に等しくなる
ように補正している。従って、ある一点の温度における
第１温度電圧を、所望の第２温度電圧に合わせるだけ
で、第１温度電圧の温度特性を全温度範囲で設定値とほ
ぼ完全に一致させることが出来る。そのため、温度セン
サの検出精度を向上できる。また、予め設定すべき第２
温度電圧及びトリミング時に得られた制御信号をディジ
タル値で取り扱うことが出来るため、トリミングの精度
向上を図ることができる。
給手段が温度検出手段に供給する電流の値を制御するこ
とによって、温度検出手段にて検出される第１温度電圧
そのものを、予め設定された第２温度電圧に等しくなる
ように補正している。従って、ある一点の温度における
第１温度電圧を、所望の第２温度電圧に合わせるだけ
で、第１温度電圧の温度特性を全温度範囲で設定値とほ
ぼ完全に一致させることが出来る。そのため、温度セン
サの検出精度を向上できる。また、予め設定すべき第２
温度電圧及びトリミング時に得られた制御信号をディジ
タル値で取り扱うことが出来るため、トリミングの精度
向上を図ることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態を図面
を参照して説明する。この説明に際し、全図にわたり、
共通する部分には共通する参照符号を付す。
を参照して説明する。この説明に際し、全図にわたり、
共通する部分には共通する参照符号を付す。
【００１６】この発明の一実施形態に係る温度センサに
ついて図１を用いて説明する。図１はトリミング機能を
有する温度センサのブロック図である。
ついて図１を用いて説明する。図１はトリミング機能を
有する温度センサのブロック図である。
【００１７】図示するように、温度センサ１０は電流供
給部２０、温度検出部３０、設定値格納部４０、比較変
換部５０及び調整値格納部６０を有している。
給部２０、温度検出部３０、設定値格納部４０、比較変
換部５０及び調整値格納部６０を有している。
【００１８】電流供給部２０は、複数の電流源２１、２
１、…、及び電流源２１を制御するスイッチ２２、２
２、…を有しており、出力ノードＮ１に電流ＩＦを供給
する。
１、…、及び電流源２１を制御するスイッチ２２、２
２、…を有しており、出力ノードＮ１に電流ＩＦを供給
する。
【００１９】温度検出部３０は、例えばノードＮ１にア
ノードが接続され、接地電位にカソードが接続されたダ
イオード３１である。そして、電流ＩＦと周囲温度Ｔに
応じた温度電圧ＶＦ（第１温度電圧）を発生する。
ノードが接続され、接地電位にカソードが接続されたダ
イオード３１である。そして、電流ＩＦと周囲温度Ｔに
応じた温度電圧ＶＦ（第１温度電圧）を発生する。
【００２０】設定値格納部４０は、所定の温度におけ
る、予め設定された設定温度電圧（第２温度電圧）を格
納する、例えば不揮発性半導体メモリである。
る、予め設定された設定温度電圧（第２温度電圧）を格
納する、例えば不揮発性半導体メモリである。
【００２１】比較変換部５０は、通常動作時において、
過去の温度データと現在の温度電圧ＶＦとを比較し、そ
の比較結果に応じたデータを検出温度データ（現在温
度）として出力する。またトリミング時には、設定値格
納部４０に格納されている設定温度電圧と温度電圧ＶＦ
とを比較する。そして、この比較結果に応じて、設定温
度電圧と温度電圧ＶＦとが等しくなるように、電流供給
部２０が供給する電流ＩＦを制御する。
過去の温度データと現在の温度電圧ＶＦとを比較し、そ
の比較結果に応じたデータを検出温度データ（現在温
度）として出力する。またトリミング時には、設定値格
納部４０に格納されている設定温度電圧と温度電圧ＶＦ
とを比較する。そして、この比較結果に応じて、設定温
度電圧と温度電圧ＶＦとが等しくなるように、電流供給
部２０が供給する電流ＩＦを制御する。
【００２２】調整値格納部６０は、トリミング時におい
て設定温度電圧と温度電圧ＶＦとが等しくなる上記制御
信号情報（調整値）を格納する、例えば不揮発性半導体
メモリである。
て設定温度電圧と温度電圧ＶＦとが等しくなる上記制御
信号情報（調整値）を格納する、例えば不揮発性半導体
メモリである。
【００２３】次に、上記構成の温度センサのトリミング
動作について図１、図２を用いて説明する。図２は温度
と温度電圧ＶＦとの関係を示すグラフである。図示する
ように、ダイオード３１で実際に発生する温度電圧ＶＦ
の温度特性（図中の“実際の特性”が示すグラフ）が、
予め設定された温度特性（図中の“設定特性”が示すグ
ラフ）と異なっていたとする。なお、以下では、温度検
出部３０で実際に検出される温度電圧を温度電圧ＶＦ
（real）、予め設定された理想的な温度電圧をＶＦ（id
eal）と表記する。
動作について図１、図２を用いて説明する。図２は温度
と温度電圧ＶＦとの関係を示すグラフである。図示する
ように、ダイオード３１で実際に発生する温度電圧ＶＦ
の温度特性（図中の“実際の特性”が示すグラフ）が、
予め設定された温度特性（図中の“設定特性”が示すグ
ラフ）と異なっていたとする。なお、以下では、温度検
出部３０で実際に検出される温度電圧を温度電圧ＶＦ
（real）、予め設定された理想的な温度電圧をＶＦ（id
eal）と表記する。
【００２４】まず、設定値格納部４０に所定の温度Ｔ１
における設定温度電圧ＶＦ（ideal）の値を保持させ
る。これはある一点の温度における温度電圧ＶＦ（idea
l）のみで良い。次に比較変換部５０は、温度Ｔ１にお
いてダイオード３１で実際に検出される温度電圧ＶＦ
（real）と、設定値格納部４０に格納されている設定電
圧ＶＦ（ideal）とを比較し、その比較結果に応じて電
流供給部２０に制御命令を送出する。この制御命令によ
って、電流供給部２０は、ダイオード３１で発生する温
度電圧ＶＦ（real）が設定温度電圧ＶＦ（ideal）と等
しくなるよう、供給電流ＩＦの値をコントロールする。
そして、調整値格納部６０は、ＶＦ（real）＝ＶＦ（id
eal）となる制御命令を格納する。すなわち、調整値格
納部６０は、ＶＦ（real）＝ＶＦ（ideal）となるよう
な電流ＩＦを生成する電流供給部２０の動作条件を記憶
する。
における設定温度電圧ＶＦ（ideal）の値を保持させ
る。これはある一点の温度における温度電圧ＶＦ（idea
l）のみで良い。次に比較変換部５０は、温度Ｔ１にお
いてダイオード３１で実際に検出される温度電圧ＶＦ
（real）と、設定値格納部４０に格納されている設定電
圧ＶＦ（ideal）とを比較し、その比較結果に応じて電
流供給部２０に制御命令を送出する。この制御命令によ
って、電流供給部２０は、ダイオード３１で発生する温
度電圧ＶＦ（real）が設定温度電圧ＶＦ（ideal）と等
しくなるよう、供給電流ＩＦの値をコントロールする。
そして、調整値格納部６０は、ＶＦ（real）＝ＶＦ（id
eal）となる制御命令を格納する。すなわち、調整値格
納部６０は、ＶＦ（real）＝ＶＦ（ideal）となるよう
な電流ＩＦを生成する電流供給部２０の動作条件を記憶
する。
【００２５】このように、トリミング動作においては、
電流ＩＦを制御することによって所定の温度Ｔ１におけ
る実際の温度電圧ＶＦ（real）自体を設定温度電圧ＶＦ
（ideal）に等しくなるような補正を行う。
電流ＩＦを制御することによって所定の温度Ｔ１におけ
る実際の温度電圧ＶＦ（real）自体を設定温度電圧ＶＦ
（ideal）に等しくなるような補正を行う。
【００２６】次に、通常動作時について説明する。通常
動作時においては、電流供給部２０はトリミング動作時
に調整値格納部６０に格納された制御命令に応じた電流
ＩＦを温度検出部３０へ供給する。温度検出部３０のダ
イオード３１では、その電流ＩＦと周囲温度に応じた温
度電圧ＶＦ（real）を出力する。比較変換部５０では、
この温度電圧ＶＦ（real）と、直前の時刻における比較
変換部５０の出力とを比較し、その比較結果を検出温度
データとして外部へ出力する。
動作時においては、電流供給部２０はトリミング動作時
に調整値格納部６０に格納された制御命令に応じた電流
ＩＦを温度検出部３０へ供給する。温度検出部３０のダ
イオード３１では、その電流ＩＦと周囲温度に応じた温
度電圧ＶＦ（real）を出力する。比較変換部５０では、
この温度電圧ＶＦ（real）と、直前の時刻における比較
変換部５０の出力とを比較し、その比較結果を検出温度
データとして外部へ出力する。
【００２７】上記のような温度センサによれば、電流Ｉ
Ｆの値を制御することによって、所定の温度における温
度電圧ＶＦ（real）そのものを補正し、設定温度電圧Ｖ
Ｆ（ideal）に等しくなるようにしている。このように
電流ＩＦを制御してトリミングを行うことにより、図２
に示すように補正対象となった温度Ｔ１における温度電
圧ＶＦのみならず、その温度特性の傾きの補正も同時に
行われる。従って、温度センサの検出精度を向上でき
る。
Ｆの値を制御することによって、所定の温度における温
度電圧ＶＦ（real）そのものを補正し、設定温度電圧Ｖ
Ｆ（ideal）に等しくなるようにしている。このように
電流ＩＦを制御してトリミングを行うことにより、図２
に示すように補正対象となった温度Ｔ１における温度電
圧ＶＦのみならず、その温度特性の傾きの補正も同時に
行われる。従って、温度センサの検出精度を向上でき
る。
【００２８】上記温度センサの具体的な構成及び動作に
ついて、図３を用いて説明する。図３は、図１に示す構
成を具体化した、トリミング機能付きのディジタル式温
度センサのブロック図である。
ついて、図３を用いて説明する。図３は、図１に示す構
成を具体化した、トリミング機能付きのディジタル式温
度センサのブロック図である。
【００２９】図示するように、電流供給部２０は電流源
回路２３及びスイッチ２４を備えている。電流源回路２
３は、ｐＭＯＳトランジスタ２５及びｐＭＯＳトランジ
スタ２６−１〜２６−ｎを有している。ｐＭＯＳトラン
ジスタ２５は、ソースが電源電位に接続され、ゲートが
接地電位に接続されており、常時オン状態とされてい
る。ｎ個のｐＭＯＳトランジスタ２６−１〜２６−ｎ
は、ソースが電源電位に接続され、ゲートがｎビットの
ディジタル信号を伝送する信号線Ｌ１に接続され、各ゲ
ートに信号線Ｌ１を伝送するディジタル信号の各ビット
に応じた信号が入力される。そして、ｐＭＯＳトランジ
スタ２５、２６−１〜２６−ｎのドレインは共通接続さ
れ、この共通ノードから電流ＩＦが出力される。スイッ
チ２４は、信号線Ｌ１と、比較変換部５０または調整値
格納部６０の出力との接続をスイッチングする。すなわ
ち、トランジスタ２５によって最小限の電流ＩＦが供給
され、それに対する重み付けがトランジスタ２６−１〜
２６−ｎによって行われる。
回路２３及びスイッチ２４を備えている。電流源回路２
３は、ｐＭＯＳトランジスタ２５及びｐＭＯＳトランジ
スタ２６−１〜２６−ｎを有している。ｐＭＯＳトラン
ジスタ２５は、ソースが電源電位に接続され、ゲートが
接地電位に接続されており、常時オン状態とされてい
る。ｎ個のｐＭＯＳトランジスタ２６−１〜２６−ｎ
は、ソースが電源電位に接続され、ゲートがｎビットの
ディジタル信号を伝送する信号線Ｌ１に接続され、各ゲ
ートに信号線Ｌ１を伝送するディジタル信号の各ビット
に応じた信号が入力される。そして、ｐＭＯＳトランジ
スタ２５、２６−１〜２６−ｎのドレインは共通接続さ
れ、この共通ノードから電流ＩＦが出力される。スイッ
チ２４は、信号線Ｌ１と、比較変換部５０または調整値
格納部６０の出力との接続をスイッチングする。すなわ
ち、トランジスタ２５によって最小限の電流ＩＦが供給
され、それに対する重み付けがトランジスタ２６−１〜
２６−ｎによって行われる。
【００３０】温度検出部３０のダイオード３１は、例え
ばベース及びコレクタが接地電位に接続され、エミッタ
が電流供給部２０の出力ノードに接続されたｐｎｐ型の
バイポーラトランジスタ３２である。このトランジスタ
３２のエミッタ・コレクタ間電圧が、電流ＩＦ及び周囲
温度によって変動する温度電圧ＶＦ（real）となり、ト
ランジスタ３２のエミッタと電流供給部２０の出力ノー
ドとの接続ノードＮ１から取り出される。
ばベース及びコレクタが接地電位に接続され、エミッタ
が電流供給部２０の出力ノードに接続されたｐｎｐ型の
バイポーラトランジスタ３２である。このトランジスタ
３２のエミッタ・コレクタ間電圧が、電流ＩＦ及び周囲
温度によって変動する温度電圧ＶＦ（real）となり、ト
ランジスタ３２のエミッタと電流供給部２０の出力ノー
ドとの接続ノードＮ１から取り出される。
【００３１】設定値格納部４０は、所定の温度Ｔ１にお
ける設定温度電圧ＶＦ（ideal）の値を、ｎビットのデ
ィジタルデータ（設定値）として格納している。
ける設定温度電圧ＶＦ（ideal）の値を、ｎビットのデ
ィジタルデータ（設定値）として格納している。
【００３２】比較変換部５０は、比較器５１、Ｄ／Ａ変
換器５２、検出温度変換部５３及びスイッチ５４を有し
ており、周知の逐次比較型Ａ／Ｄ変換回路である。比較
器５１は、ノードＮ１で検出される温度電圧ＶＦ（rea
l）と、Ｄ／Ａ変換器５２が出力するアナログデータと
を比較する。検出温度変換部５３は比較器５１での比較
結果に応じたｎビットのディジタルデータを出力する。
検出温度変換部における処理の詳細な説明は後述する。
この検出温度変換部５３が、通常動作時には検出温度を
ｎビットのディジタルデータとして出力する。Ｄ／Ａ変
換器５２は、設定値格納部５０または検出温度変換部５
３が出力するディジタルデータをアナログデータに変換
する。またスイッチ５４は、Ｄ／Ａ変換器５２への入力
と、検出温度変換部５３または設定値格納部４０の出力
との接続をスイッチングする。
換器５２、検出温度変換部５３及びスイッチ５４を有し
ており、周知の逐次比較型Ａ／Ｄ変換回路である。比較
器５１は、ノードＮ１で検出される温度電圧ＶＦ（rea
l）と、Ｄ／Ａ変換器５２が出力するアナログデータと
を比較する。検出温度変換部５３は比較器５１での比較
結果に応じたｎビットのディジタルデータを出力する。
検出温度変換部における処理の詳細な説明は後述する。
この検出温度変換部５３が、通常動作時には検出温度を
ｎビットのディジタルデータとして出力する。Ｄ／Ａ変
換器５２は、設定値格納部５０または検出温度変換部５
３が出力するディジタルデータをアナログデータに変換
する。またスイッチ５４は、Ｄ／Ａ変換器５２への入力
と、検出温度変換部５３または設定値格納部４０の出力
との接続をスイッチングする。
【００３３】調整値格納部６０は、トリミング時に検出
温度変換部５３が出力するｎビットデジタルデータを格
納する。
温度変換部５３が出力するｎビットデジタルデータを格
納する。
【００３４】次に、上記構成を有する温度センサの動作
について説明する。まず、トリミング時の動作について
説明する。トリミング動作は、比較変換部５０の基準電
圧を設定値格納部４０に格納された設定値とし、２分法
を用いて電流値ＩＦを調整することにより、トランジス
タ３２の出力する温度電圧ＶＦ（real）を設定電圧ＶＦ
（ideal）に等しくすることで行われる。この２分法を
用いた電流ＩＦの調整について、図３及び図４を用いて
説明する。図４は２分法について説明するためのもの
で、比較回数とオントランジスタ数及び温度電圧ＶＦと
の関係を示す図である。
について説明する。まず、トリミング時の動作について
説明する。トリミング動作は、比較変換部５０の基準電
圧を設定値格納部４０に格納された設定値とし、２分法
を用いて電流値ＩＦを調整することにより、トランジス
タ３２の出力する温度電圧ＶＦ（real）を設定電圧ＶＦ
（ideal）に等しくすることで行われる。この２分法を
用いた電流ＩＦの調整について、図３及び図４を用いて
説明する。図４は２分法について説明するためのもの
で、比較回数とオントランジスタ数及び温度電圧ＶＦと
の関係を示す図である。
【００３５】まず設定値格納部４０に、所定の温度Ｔ１
における設定温度電圧ＶＦ（ideal）に相当するｎビッ
トのディジタルデータ（設定値）が格納される。また、
電流供給部２０では、デフォルトとしてｎ個のｐＭＯＳ
トランジスタ２６−１〜２６−ｎの内の半分（ｎ／２
個）がオン状態とされる。そして、トリミングを行うに
あたって、ノードＬ１はスイッチ２４によって検出温度
変換部５３の出力ノードに接続され、Ｄ／Ａ変換器５２
の入力ノードはスイッチ５４によって設定値格納部４０
の出力ノードに接続される。その上で、周囲温度が温度
Ｔ１に設定される。
における設定温度電圧ＶＦ（ideal）に相当するｎビッ
トのディジタルデータ（設定値）が格納される。また、
電流供給部２０では、デフォルトとしてｎ個のｐＭＯＳ
トランジスタ２６−１〜２６−ｎの内の半分（ｎ／２
個）がオン状態とされる。そして、トリミングを行うに
あたって、ノードＬ１はスイッチ２４によって検出温度
変換部５３の出力ノードに接続され、Ｄ／Ａ変換器５２
の入力ノードはスイッチ５４によって設定値格納部４０
の出力ノードに接続される。その上で、周囲温度が温度
Ｔ１に設定される。
【００３６】Ｄ／Ａ変換器５２は、設定値格納部４０に
格納されている設定値のＤ／Ａ変換を行う。このＤ／Ａ
変換によって得られた設定温度電圧ＶＦ（ideal）は、
比較器５１の一方の入力端子に入力される。また、ノー
ドＮ１に現れる実際の温度電圧ＶＦ（real）が比較器の
他方の入力端子に入力される。なお、上記のように電流
源回路２３におけるｎ個のｐＭＯＳトランジスタ２６−
１〜２６−ｎの内の半分がオン状態の場合にノードＮ１
に現れる実際の温度電圧ＶＦ（real）を、ＶＦ（real
1）とする。そして、比較器５１は両者を比較する。こ
の時、設定温度電圧ＶＦ（ideal）と実際の温度電圧Ｖ
Ｆ（real1）との関係が、図４に示すようにＶＦ（real
1）＜ＶＦ（ideal）であったとする。すると、検出温度
変換部５３はこの比較結果に基づいて更にｎ／４個のｐ
ＭＯＳトランジスタをオン状態にして、全体として３ｎ
／４個のｐＭＯＳトランジスタをオン状態にする。その
結果、電流ＩＦは増大し、トランジスタ３２で発生する
温度電圧ＶＦ（real）も増大する。この時にノードＮ１
に現れる温度電圧をＶＦ（real2）とする。そして、比
較器５１によって両者の比較が行われるが、その比較結
果はＶＦ（real2）＞ＶＦ（ideal）であったとする。す
ると、検出温度変換部５３は、オン状態とされている３
ｎ／４個のトランジスタの内、ｎ／８個をオフ状態とし
て、全体として５ｎ／８個のトランジスタをオン状態に
する。これにより電流ＩＦは減少し、トランジスタ３２
で発生する温度電圧ＶＦ（real）も減少する。引き続
き、比較器はこの状態においてノードＮ１に現れる温度
電圧と設定温度電圧とを比較し、一致しなければ、ｎ／
１６個のトランジスタを追加、または削減して、ノード
Ｎ１に現れる温度電圧と設定温度電圧とを比較する。こ
の処理を、実際の温度電圧ＶＦ（real）＝設定温度電圧
ＶＦ（ideal）となるまで繰り返す。
格納されている設定値のＤ／Ａ変換を行う。このＤ／Ａ
変換によって得られた設定温度電圧ＶＦ（ideal）は、
比較器５１の一方の入力端子に入力される。また、ノー
ドＮ１に現れる実際の温度電圧ＶＦ（real）が比較器の
他方の入力端子に入力される。なお、上記のように電流
源回路２３におけるｎ個のｐＭＯＳトランジスタ２６−
１〜２６−ｎの内の半分がオン状態の場合にノードＮ１
に現れる実際の温度電圧ＶＦ（real）を、ＶＦ（real
1）とする。そして、比較器５１は両者を比較する。こ
の時、設定温度電圧ＶＦ（ideal）と実際の温度電圧Ｖ
Ｆ（real1）との関係が、図４に示すようにＶＦ（real
1）＜ＶＦ（ideal）であったとする。すると、検出温度
変換部５３はこの比較結果に基づいて更にｎ／４個のｐ
ＭＯＳトランジスタをオン状態にして、全体として３ｎ
／４個のｐＭＯＳトランジスタをオン状態にする。その
結果、電流ＩＦは増大し、トランジスタ３２で発生する
温度電圧ＶＦ（real）も増大する。この時にノードＮ１
に現れる温度電圧をＶＦ（real2）とする。そして、比
較器５１によって両者の比較が行われるが、その比較結
果はＶＦ（real2）＞ＶＦ（ideal）であったとする。す
ると、検出温度変換部５３は、オン状態とされている３
ｎ／４個のトランジスタの内、ｎ／８個をオフ状態とし
て、全体として５ｎ／８個のトランジスタをオン状態に
する。これにより電流ＩＦは減少し、トランジスタ３２
で発生する温度電圧ＶＦ（real）も減少する。引き続
き、比較器はこの状態においてノードＮ１に現れる温度
電圧と設定温度電圧とを比較し、一致しなければ、ｎ／
１６個のトランジスタを追加、または削減して、ノード
Ｎ１に現れる温度電圧と設定温度電圧とを比較する。こ
の処理を、実際の温度電圧ＶＦ（real）＝設定温度電圧
ＶＦ（ideal）となるまで繰り返す。
【００３７】以上のように、２分法によって、オン状態
とすべきトランジスタの個数をｎ／２個づつ増減しなが
ら、実際の温度電圧ＶＦ（real）と設定温度電圧ＶＦ
（ideal）との比較を逐次行い、実際の温度電圧ＶＦ（r
eal）を設定温度電圧ＶＦ（ideal）に近づけていく。そ
して、ＶＦ（real）＝ＶＦ（ideal）を満たすのに必要
なｐＭＯＳトランジスタ２６−１〜２６−ｎの個数に相
当する制御信号（調整値）が、書き込み信号に基づいて
調整値格納部６０に格納される。
とすべきトランジスタの個数をｎ／２個づつ増減しなが
ら、実際の温度電圧ＶＦ（real）と設定温度電圧ＶＦ
（ideal）との比較を逐次行い、実際の温度電圧ＶＦ（r
eal）を設定温度電圧ＶＦ（ideal）に近づけていく。そ
して、ＶＦ（real）＝ＶＦ（ideal）を満たすのに必要
なｐＭＯＳトランジスタ２６−１〜２６−ｎの個数に相
当する制御信号（調整値）が、書き込み信号に基づいて
調整値格納部６０に格納される。
【００３８】次に通常動作時について説明する。通常動
作時においては、ノードＬ１はスイッチ２４によって調
整値格納部６０の出力ノードに接続され、Ｄ／Ａ変換器
５２の入力ノードはスイッチ５４によって検出温度変換
部５３の出力ノードに接続される。
作時においては、ノードＬ１はスイッチ２４によって調
整値格納部６０の出力ノードに接続され、Ｄ／Ａ変換器
５２の入力ノードはスイッチ５４によって検出温度変換
部５３の出力ノードに接続される。
【００３９】電流源回路２３内に含まれるｎ個のｐＭＯ
Ｓトランジスタ２６−１〜２６−ｎは、上記トリミング
時に調整値格納部６０に格納された調整値によって指定
されたトランジスタのみがオン状態とされることによ
り、電流ＩＦが制御される。これにより、トランジスタ
３２で発生する温度電圧ＶＦ（real）は、設定温度電圧
ＶＦ（ideal）に等しくなる。
Ｓトランジスタ２６−１〜２６−ｎは、上記トリミング
時に調整値格納部６０に格納された調整値によって指定
されたトランジスタのみがオン状態とされることによ
り、電流ＩＦが制御される。これにより、トランジスタ
３２で発生する温度電圧ＶＦ（real）は、設定温度電圧
ＶＦ（ideal）に等しくなる。
【００４０】その上で、比較変換部５０は、温度電圧Ｖ
Ｆ（real）をＡ／Ｄ変換して得たｎビットのディジタル
データを検出温度データとして出力する。通常動作時に
おいて比較変換部５０で行われる処理は基本的にはトリ
ミング時と同様であるが、比較器５１において基準とな
る電圧は、ノードＮ１で検出される補正済みの温度電圧
ＶＦ（real）である。この電圧ＶＦ（real）を基準とし
た２分法によって、検出温度変換部５３で得られるｎビ
ットディジタルデータを、温度電圧ＶＦ（real）に相当
する値に一致させる。
Ｆ（real）をＡ／Ｄ変換して得たｎビットのディジタル
データを検出温度データとして出力する。通常動作時に
おいて比較変換部５０で行われる処理は基本的にはトリ
ミング時と同様であるが、比較器５１において基準とな
る電圧は、ノードＮ１で検出される補正済みの温度電圧
ＶＦ（real）である。この電圧ＶＦ（real）を基準とし
た２分法によって、検出温度変換部５３で得られるｎビ
ットディジタルデータを、温度電圧ＶＦ（real）に相当
する値に一致させる。
【００４１】次に、上記温度センサの動作をより具体的
に説明する。図５はトリミング時における温度センサの
実質的な構成を示すブロック図であり、簡単化のため
に、ｎ＝８（ｐＭＯＳトランジスタ２６−１〜２６−ｎ
の数）の場合を示している。また、当該温度センサにお
いて予め設定された設定温度電圧ＶＦ（ideal）、周囲
温度、及びディジタルデータの関係を図６に示す。すな
わち、設定温度電圧は０．００Ｖから８．００Ｖまでの
範囲で変動し、それに対応する周囲温度は１０５℃から
−６５℃、各温度に対応するディジタルデータは（００
００００００）から（１１１１１１１１）である。例と
して、周囲温度２５℃でトリミングを行う場合について
以下説明する。
に説明する。図５はトリミング時における温度センサの
実質的な構成を示すブロック図であり、簡単化のため
に、ｎ＝８（ｐＭＯＳトランジスタ２６−１〜２６−ｎ
の数）の場合を示している。また、当該温度センサにお
いて予め設定された設定温度電圧ＶＦ（ideal）、周囲
温度、及びディジタルデータの関係を図６に示す。すな
わち、設定温度電圧は０．００Ｖから８．００Ｖまでの
範囲で変動し、それに対応する周囲温度は１０５℃から
−６５℃、各温度に対応するディジタルデータは（００
００００００）から（１１１１１１１１）である。例と
して、周囲温度２５℃でトリミングを行う場合について
以下説明する。
【００４２】まず図６に示すように、周囲温度２５℃に
対応するディジタルデータは（１０００００００）であ
り、この８ビットディジタルデータが設定値格納部４０
に設定値として格納される。
対応するディジタルデータは（１０００００００）であ
り、この８ビットディジタルデータが設定値格納部４０
に設定値として格納される。
【００４３】また、電流供給部２０を制御する制御信号
として、（１１１１００００）が検出温度変換部５３に
格納される。これは、トリミングを行うにあたってのデ
フォルト値であって、各ビットは、上位ビットから順次
トランジスタ２６−１〜２６−８の制御命令に相当し、
“１”でオン状態、“０”でオフ状態とするものであ
る。従って、データ（１１１１００００）の意味すると
ころは、８個のｐＭＯＳトランジスタ２６−１〜２６−
８の内の半分、すなわち４つのトランジスタ２６−１〜
２６−４をオン状態とし、トランジスタ２６−５〜２６
−８をオフ状態にするということである。
として、（１１１１００００）が検出温度変換部５３に
格納される。これは、トリミングを行うにあたってのデ
フォルト値であって、各ビットは、上位ビットから順次
トランジスタ２６−１〜２６−８の制御命令に相当し、
“１”でオン状態、“０”でオフ状態とするものであ
る。従って、データ（１１１１００００）の意味すると
ころは、８個のｐＭＯＳトランジスタ２６−１〜２６−
８の内の半分、すなわち４つのトランジスタ２６−１〜
２６−４をオン状態とし、トランジスタ２６−５〜２６
−８をオフ状態にするということである。
【００４４】更に、周囲温度が２５℃に設定されると共
に、スイッチ２４によってノードＬ１は検出温度変換部
５３の出力ノードに接続され、スイッチ５４によってＤ
／Ａ変換器５２の入力ノードは設定値格納部４０の出力
ノードに接続される。
に、スイッチ２４によってノードＬ１は検出温度変換部
５３の出力ノードに接続され、スイッチ５４によってＤ
／Ａ変換器５２の入力ノードは設定値格納部４０の出力
ノードに接続される。
【００４５】設定値格納部４０内の設定値（１００００
０００）は、Ｄ／Ａ変換器５２においてアナログデータ
に変換される。このＡ／Ｄ変換は、当然ながら図６に示
す関係を満たすようにして行われる。すなわち、設定値
（１０００００００）は４Ｖに変換されて、比較器５１
の正転入力端子に入力される。他方、比較器５１の反転
入力端子には、ノードＮ１に現れる温度電圧ＶＦ（rea
l）が入力される。ここで、周囲温度２５℃における実
際の温度電圧ＶＦ（real）が設定温度電圧ＶＦ（idea
l）＝４Ｖと異なり３．５Ｖであったと仮定する。
０００）は、Ｄ／Ａ変換器５２においてアナログデータ
に変換される。このＡ／Ｄ変換は、当然ながら図６に示
す関係を満たすようにして行われる。すなわち、設定値
（１０００００００）は４Ｖに変換されて、比較器５１
の正転入力端子に入力される。他方、比較器５１の反転
入力端子には、ノードＮ１に現れる温度電圧ＶＦ（rea
l）が入力される。ここで、周囲温度２５℃における実
際の温度電圧ＶＦ（real）が設定温度電圧ＶＦ（idea
l）＝４Ｖと異なり３．５Ｖであったと仮定する。
【００４６】すると、比較変換部５０は上記説明した２
分法に基づいて、温度電圧ＶＦ（real）を設定温度電圧
ＶＦ（ideal）に等しくなるよう処理を始める。図７
は、本処理の流れを示すものであり、比較器での比較回
数とオン状態のトランジスタの個数及び電圧ＶＦとの関
係を示す特性図である。図示するように、電流供給部２
０の供給する電流ＩＦがデフォルト（４個のトランジス
タ２６−１〜２６−４がオン状態）である場合には、Ｖ
Ｆ（real）＜ＶＦ（ideal）である（比較回数＝１）か
ら、オン状態のトランジスタ数を増やして電流ＩＦを上
昇させる必要がある。従って、検出温度変換部５３は全
ｐＭＯＳトランジスタ数の１／４に相当する数（２個）
のトランジスタを更にオン状態とし、全体として６個の
トランジスタ２６−１〜２６−６をオン状態として、温
度電圧ＶＦ（real）を上昇させる。すなわち制御信号
（１１１１１１００）を発生する。
分法に基づいて、温度電圧ＶＦ（real）を設定温度電圧
ＶＦ（ideal）に等しくなるよう処理を始める。図７
は、本処理の流れを示すものであり、比較器での比較回
数とオン状態のトランジスタの個数及び電圧ＶＦとの関
係を示す特性図である。図示するように、電流供給部２
０の供給する電流ＩＦがデフォルト（４個のトランジス
タ２６−１〜２６−４がオン状態）である場合には、Ｖ
Ｆ（real）＜ＶＦ（ideal）である（比較回数＝１）か
ら、オン状態のトランジスタ数を増やして電流ＩＦを上
昇させる必要がある。従って、検出温度変換部５３は全
ｐＭＯＳトランジスタ数の１／４に相当する数（２個）
のトランジスタを更にオン状態とし、全体として６個の
トランジスタ２６−１〜２６−６をオン状態として、温
度電圧ＶＦ（real）を上昇させる。すなわち制御信号
（１１１１１１００）を発生する。
【００４７】６個のトランジスタ２６−１〜２６−６を
オン状態とすることにより電流ＩＦが増加し、温度電圧
ＶＦ（real）は上昇する。その結果、温度電圧ＶＦ（re
al）は設定温度電圧（ideal）＝４Ｖを超えて４．５Ｖ
であったとする（比較回数＝２）。とすれば、次は電流
ＩＦを小さくする必要があるから、検出温度変換部５３
は、全トランジスタ数の１／８に相当する数（１個）の
トランジスタをオフ状態とし、全体として５個のトラン
ジスタ２６−１〜２６−５をオン状態として、温度電圧
ＶＦ（real）を低減させる。すなわち制御信号（１１１
１１０００）を発生する。その結果、温度電圧（real）
も下降し、温度電圧ＶＦ（real）＝４Ｖとなり、設定温
度電圧ＶＦ（ideal）に一致する。そして、温度電圧Ｖ
Ｆ（real）＝設定温度電圧ＶＦ（ideal）とする制御信
号（１１１１１０００）が、書き込み信号に基づいて調
整値格納部６０に調整値として保持される。以上のよう
にしてトリミング動作が完了する。
オン状態とすることにより電流ＩＦが増加し、温度電圧
ＶＦ（real）は上昇する。その結果、温度電圧ＶＦ（re
al）は設定温度電圧（ideal）＝４Ｖを超えて４．５Ｖ
であったとする（比較回数＝２）。とすれば、次は電流
ＩＦを小さくする必要があるから、検出温度変換部５３
は、全トランジスタ数の１／８に相当する数（１個）の
トランジスタをオフ状態とし、全体として５個のトラン
ジスタ２６−１〜２６−５をオン状態として、温度電圧
ＶＦ（real）を低減させる。すなわち制御信号（１１１
１１０００）を発生する。その結果、温度電圧（real）
も下降し、温度電圧ＶＦ（real）＝４Ｖとなり、設定温
度電圧ＶＦ（ideal）に一致する。そして、温度電圧Ｖ
Ｆ（real）＝設定温度電圧ＶＦ（ideal）とする制御信
号（１１１１１０００）が、書き込み信号に基づいて調
整値格納部６０に調整値として保持される。以上のよう
にしてトリミング動作が完了する。
【００４８】次に、通常動作について図６及び図８を用
いて説明する。図８は通常動作時における温度センサの
実質的な構成を示すブロック図である。例として、周囲
温度が２５℃から４０℃に変化した場合の動作について
以下説明する。
いて説明する。図８は通常動作時における温度センサの
実質的な構成を示すブロック図である。例として、周囲
温度が２５℃から４０℃に変化した場合の動作について
以下説明する。
【００４９】まず、ノードＬ１はスイッチ２４によって
調整値格納部６０の出力ノードに接続され、Ｄ／Ａ変換
器５２の入力ノードはスイッチ５４によって検出温度変
換部５３の出力ノードに接続されている。そして、調整
値格納部６０には、上記トリミング時に得た調整値（１
１１１１０００）が格納されている。従って、電流源回
路２３内の８個のｐＭＯＳトランジスタ２６−１〜２６
−８のうち、５個のｐＭＯＳトランジスタ２６−１〜２
６−５がオン状態、３個のｐＭＯＳトランジスタ２６−
６〜２６−８がオフ状態とされることで、トランジスタ
３２の出力する温度電圧ＶＦ（real）は設定温度電圧Ｖ
Ｆ（ideal）に補正されている。
調整値格納部６０の出力ノードに接続され、Ｄ／Ａ変換
器５２の入力ノードはスイッチ５４によって検出温度変
換部５３の出力ノードに接続されている。そして、調整
値格納部６０には、上記トリミング時に得た調整値（１
１１１１０００）が格納されている。従って、電流源回
路２３内の８個のｐＭＯＳトランジスタ２６−１〜２６
−８のうち、５個のｐＭＯＳトランジスタ２６−１〜２
６−５がオン状態、３個のｐＭＯＳトランジスタ２６−
６〜２６−８がオフ状態とされることで、トランジスタ
３２の出力する温度電圧ＶＦ（real）は設定温度電圧Ｖ
Ｆ（ideal）に補正されている。
【００５０】また、検出温度変換部５３には、周囲温度
２５℃時のディジタルデータ（１０００００００）が格
納されており、このデータがＤ／Ａ変換器５２で４Ｖに
変換されて、比較器５１の正転入力端子に入力されてい
る。更に、比較器５１の反転入力端子には、ノードＮ１
に現れる温度電圧ＶＦ（real）＝４Ｖ（２５℃時の設定
電圧）が入力されている。
２５℃時のディジタルデータ（１０００００００）が格
納されており、このデータがＤ／Ａ変換器５２で４Ｖに
変換されて、比較器５１の正転入力端子に入力されてい
る。更に、比較器５１の反転入力端子には、ノードＮ１
に現れる温度電圧ＶＦ（real）＝４Ｖ（２５℃時の設定
電圧）が入力されている。
【００５１】このような状態で、周囲温度が２５℃から
４０℃に変化したとする。それに伴って、ノードＮ１に
現れる温度電圧ＶＦ（real）が、４Ｖから３．２５Ｖに
減少する。
４０℃に変化したとする。それに伴って、ノードＮ１に
現れる温度電圧ＶＦ（real）が、４Ｖから３．２５Ｖに
減少する。
【００５２】すると、比較変換部５０は上記説明した２
分法に基づいて、温度電圧ＶＦ（real）を基準にして、
検出温度変換部５３が出力する検出温度データがＶＦ
（real）に相当するディジタルデータとなるよう処理を
始める。図９は、本処理の流れを示すものであり、比較
器での比較回数と検出温度変換部５３が出力するディジ
タル値の検出温度データに対応する電圧（Ｄ／Ａ変換器
５２の出力Ｖ（dac））との関係を示す特性図である。
分法に基づいて、温度電圧ＶＦ（real）を基準にして、
検出温度変換部５３が出力する検出温度データがＶＦ
（real）に相当するディジタルデータとなるよう処理を
始める。図９は、本処理の流れを示すものであり、比較
器での比較回数と検出温度変換部５３が出力するディジ
タル値の検出温度データに対応する電圧（Ｄ／Ａ変換器
５２の出力Ｖ（dac））との関係を示す特性図である。
【００５３】まず、当初、検出温度変換部５３が出力す
る検出温度データは２５℃に対応する４Ｖ（Ｖ（da
c））である。従って、実際の温度電圧ＶＦ（real）が
３．２５Ｖに低下したことにより、比較器５１での比較
結果はＶ（dac）＞ＶＦ（real）である（比較回数＝
１）。通常動作時では、Ｖ（dac）をＶＦ（real）に一
致させるのであるから、Ｖ（dac）を小さくする必要が
ある。Ｖ（dac）の振幅幅Ｖp-pは、図６に示すように８
Ｖであるから、この振幅幅の１／４に相当する電圧（２
Ｖ）を低減することにより、Ｖ（dac）＝２Ｖに設定す
る。そのために、検出温度変換部５３では、Ｖ（dac）
＝２Ｖに対応するディジタルデータ（０１０００００
０）を発生する。
る検出温度データは２５℃に対応する４Ｖ（Ｖ（da
c））である。従って、実際の温度電圧ＶＦ（real）が
３．２５Ｖに低下したことにより、比較器５１での比較
結果はＶ（dac）＞ＶＦ（real）である（比較回数＝
１）。通常動作時では、Ｖ（dac）をＶＦ（real）に一
致させるのであるから、Ｖ（dac）を小さくする必要が
ある。Ｖ（dac）の振幅幅Ｖp-pは、図６に示すように８
Ｖであるから、この振幅幅の１／４に相当する電圧（２
Ｖ）を低減することにより、Ｖ（dac）＝２Ｖに設定す
る。そのために、検出温度変換部５３では、Ｖ（dac）
＝２Ｖに対応するディジタルデータ（０１０００００
０）を発生する。
【００５４】次に、Ｄ／Ａ変換器５２は上記データ（０
１００００００）をＤ／Ａ変換して比較器５１の正転入
力端子に入力する。すると、比較器５１での比較結果
は、Ａ／Ｄ変換器出力Ｖ（dac）＝２Ｖ＜温度電圧ＶＦ
（real）＝３．２５Ｖである（比較回数＝２）。従っ
て、次はＶ（dac）を上昇させる必要がある。そこで検
出温度変換部５３は、Ｖ（dac）の振幅幅Ｖp-pの１／８
に相当する電圧（１Ｖ）を上昇させたＶ（dac）＝３Ｖ
に相当するディジタルデータ（０１１０００００）を発
生する。
１００００００）をＤ／Ａ変換して比較器５１の正転入
力端子に入力する。すると、比較器５１での比較結果
は、Ａ／Ｄ変換器出力Ｖ（dac）＝２Ｖ＜温度電圧ＶＦ
（real）＝３．２５Ｖである（比較回数＝２）。従っ
て、次はＶ（dac）を上昇させる必要がある。そこで検
出温度変換部５３は、Ｖ（dac）の振幅幅Ｖp-pの１／８
に相当する電圧（１Ｖ）を上昇させたＶ（dac）＝３Ｖ
に相当するディジタルデータ（０１１０００００）を発
生する。
【００５５】更に、Ｄ／Ａ変換器５２は上記データ（０
１１０００００）をＤ／Ａ変換して比較器５１の正転入
力端子に入力する。すると、比較器５１での比較結果
は、依然としてＡ／Ｄ変換器出力Ｖ（dac）＝３Ｖ＜温
度電圧ＶＦ（real）＝３．２５Ｖである（比較回数＝
３）。従って、更にＶ（dac）を上昇させる必要があ
る。そこで検出温度変換部５３は、Ｖ（dac）の振幅幅
Ｖp-pの１／１６に相当する電圧（０．５Ｖ）を上昇さ
せたＶ（dac）＝３．５Ｖに相当するディジタルデータ
（０１１１００００）を発生する。
１１０００００）をＤ／Ａ変換して比較器５１の正転入
力端子に入力する。すると、比較器５１での比較結果
は、依然としてＡ／Ｄ変換器出力Ｖ（dac）＝３Ｖ＜温
度電圧ＶＦ（real）＝３．２５Ｖである（比較回数＝
３）。従って、更にＶ（dac）を上昇させる必要があ
る。そこで検出温度変換部５３は、Ｖ（dac）の振幅幅
Ｖp-pの１／１６に相当する電圧（０．５Ｖ）を上昇さ
せたＶ（dac）＝３．５Ｖに相当するディジタルデータ
（０１１１００００）を発生する。
【００５６】そして、Ｄ／Ａ変換器５２は上記データ
（０１１１００００）をＤ／Ａ変換して比較器５１の正
転入力端子に入力する。すると、比較器５１での比較結
果は、Ａ／Ｄ変換器出力Ｖ（dac）＝３．５Ｖ＜温度電
圧ＶＦ（real）＝３．２５Ｖである（比較回数＝４）。
従って、次はＶ（dac）を減少させる必要がある。そこ
で検出温度変換部５３は、Ｖ（dac）の振幅幅Ｖp-pの１
／３２に相当する電圧（０．２５Ｖ）を減少させたＶ
（dac）＝３．２５Ｖに相当するディジタルデータ（０
１１０１０００）を発生する。
（０１１１００００）をＤ／Ａ変換して比較器５１の正
転入力端子に入力する。すると、比較器５１での比較結
果は、Ａ／Ｄ変換器出力Ｖ（dac）＝３．５Ｖ＜温度電
圧ＶＦ（real）＝３．２５Ｖである（比較回数＝４）。
従って、次はＶ（dac）を減少させる必要がある。そこ
で検出温度変換部５３は、Ｖ（dac）の振幅幅Ｖp-pの１
／３２に相当する電圧（０．２５Ｖ）を減少させたＶ
（dac）＝３．２５Ｖに相当するディジタルデータ（０
１１０１０００）を発生する。
【００５７】以上の結果、Ｖ（dac）＝Ｖ（real）の関
係が満たされ、現在温度４０℃に対応するディジタルデ
ータ（０１１０１０００）が検出温度変換部５３より検
出温度データとして出力される。
係が満たされ、現在温度４０℃に対応するディジタルデ
ータ（０１１０１０００）が検出温度変換部５３より検
出温度データとして出力される。
【００５８】上記のような構成及び動作を有する温度セ
ンサによれば、ダイオードに流れ込む電流の値を制御す
ることによって、ダイオードにて検知される温度電圧そ
のものを設定温度電圧に等しくなるように補正してい
る。従って、ある一点の温度における温度電圧を設定温
度電圧に合わせるだけで、温度電圧の温度特性を全温度
範囲で設定とほぼ完全に一致させることが出来る。その
結果、温度センサの検出精度を向上できる。また、温度
センサの動作制御はディジタル信号を用いて行うことが
可能であるから、ディジタル機器への温度センサの組み
込みが大変容易となる。加えて、調整値及び設定値をデ
ィジタルデータとして設定することが出来るため、トリ
ミングの精度向上を図ることができる。
ンサによれば、ダイオードに流れ込む電流の値を制御す
ることによって、ダイオードにて検知される温度電圧そ
のものを設定温度電圧に等しくなるように補正してい
る。従って、ある一点の温度における温度電圧を設定温
度電圧に合わせるだけで、温度電圧の温度特性を全温度
範囲で設定とほぼ完全に一致させることが出来る。その
結果、温度センサの検出精度を向上できる。また、温度
センサの動作制御はディジタル信号を用いて行うことが
可能であるから、ディジタル機器への温度センサの組み
込みが大変容易となる。加えて、調整値及び設定値をデ
ィジタルデータとして設定することが出来るため、トリ
ミングの精度向上を図ることができる。
【００５９】なお、温度センサを構成する為の回路には
多くの種類の構成があり、図示した回路構成に限られる
ものではない。すなわち、電流供給部２０や温度検出部
３０の構成は、図示した構成に限られるものではない
し、比較変換部５０も逐次比較型のＡ／Ｄ変換回路とし
て機能するものであれば足りる。また、トリミング時の
電流源回路２３の制御を、通常動作時と同様の処理で行
っても良い。すなわち、上記実施形態では、電流源回路
２３を制御する調整値の各ビットが、個々のｐＭＯＳト
ランジスタの制御信号に相当する信号となっていた。し
かし、ｎビットからなる調整値を１つの制御信号として
取り扱ってもよい。具体的には、調整値が（０００００
０００）の際に供給される電流ＩＦに対して、調整値
（０００００００１）の際には２・ＩＦ、（０００００
０１０）の際には３・ＩＦ、…調整値（１１１１１１１
１）の際には１２９・ＩＦという電流量になるようにし
ておき、この電流量自体を１／２づつ増減させてトリミ
ングを行っても良い。
多くの種類の構成があり、図示した回路構成に限られる
ものではない。すなわち、電流供給部２０や温度検出部
３０の構成は、図示した構成に限られるものではない
し、比較変換部５０も逐次比較型のＡ／Ｄ変換回路とし
て機能するものであれば足りる。また、トリミング時の
電流源回路２３の制御を、通常動作時と同様の処理で行
っても良い。すなわち、上記実施形態では、電流源回路
２３を制御する調整値の各ビットが、個々のｐＭＯＳト
ランジスタの制御信号に相当する信号となっていた。し
かし、ｎビットからなる調整値を１つの制御信号として
取り扱ってもよい。具体的には、調整値が（０００００
０００）の際に供給される電流ＩＦに対して、調整値
（０００００００１）の際には２・ＩＦ、（０００００
０１０）の際には３・ＩＦ、…調整値（１１１１１１１
１）の際には１２９・ＩＦという電流量になるようにし
ておき、この電流量自体を１／２づつ増減させてトリミ
ングを行っても良い。
【００６０】なお、本願発明は上記実施形態に限定され
るものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範
囲で種々に変形することが可能である。更に、上記実施
形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される
複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の
発明が抽出されうる。例えば、実施形態に示される全構
成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が
解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発
明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合に
は、この構成要件が削除された構成が発明として抽出さ
れうる。
るものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範
囲で種々に変形することが可能である。更に、上記実施
形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される
複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の
発明が抽出されうる。例えば、実施形態に示される全構
成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が
解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発
明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合に
は、この構成要件が削除された構成が発明として抽出さ
れうる。
【００６１】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、温度検出の検出精度を向上できる温度センサを提供
できる。
ば、温度検出の検出精度を向上できる温度センサを提供
できる。
【図１】この発明の一実施形態に係る温度センサの構成
を示すブロック図。
を示すブロック図。
【図２】この発明の一実施形態に係る温度センサにおけ
る温度と温度電圧との関係を示す特性図。
る温度と温度電圧との関係を示す特性図。
【図３】この発明の一実施形態に係る温度センサの構成
を示すブロック図。
を示すブロック図。
【図４】この発明の一実施形態に係る温度センサにおけ
るトリミング時の温度電圧の変化を示す特性図。
るトリミング時の温度電圧の変化を示す特性図。
【図５】図３に示す温度センサのトリミング時における
実質的構成を示すブロック図。
実質的構成を示すブロック図。
【図６】温度センサの電圧、温度、及びディジタルデー
タの関係を示す関係図。
タの関係を示す関係図。
【図７】図５に示す温度センサにおけるトリミング時の
温度電圧の変化を示す特性図。
温度電圧の変化を示す特性図。
【図８】図３に示す温度センサの通常動作時における実
質的構成を示すブロック図。
質的構成を示すブロック図。
【図９】図８に示す温度センサにおける通常動作時に、
Ｄ／Ａ変換器から出力される電圧の変化を示す特性図。
Ｄ／Ａ変換器から出力される電圧の変化を示す特性図。
【図１０】従来の温度センサの構成を示すブロック図。
【図１１】図１０に示す温度センサにおける温度と温度
電圧との関係を示す特性図。
電圧との関係を示す特性図。
１０、１００…温度センサ
２０…電流供給部
２１…電流源
２２、２４、５４…スイッチ
２３…電流源回路
２５、２６−１〜２６−ｎ、１１０…ｐＭＯＳトランジ
スタ ３０…温度検出部 ３１…ダイオード ３２、１２０…ｐｎｐ型バイポーラトランジスタ ４０…設定値格納部 ５０…比較変換部 ５１…比較器 ５２…Ｄ／Ａ変換器 ５３…検出温度変換部 ６０…調整値格納部 １３０…Ａ／Ｄ変換器 １４０…加算器
スタ ３０…温度検出部 ３１…ダイオード ３２、１２０…ｐｎｐ型バイポーラトランジスタ ４０…設定値格納部 ５０…比較変換部 ５１…比較器 ５２…Ｄ／Ａ変換器 ５３…検出温度変換部 ６０…調整値格納部 １３０…Ａ／Ｄ変換器 １４０…加算器
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１４年１１月１４日（２００２．１１．
１４）
１４）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 温度センサ及びその調整方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】この発明は、上記事情に鑑みてなされたも
ので、その目的は、温度検出の検出精度を向上できる温
度センサ及びその調整方法を提供することにある。
ので、その目的は、温度検出の検出精度を向上できる温
度センサ及びその調整方法を提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明に係る温度セン
サは、周囲温度と電流とに応じた第１温度電圧を発生す
る温度検出手段と、所定の周囲温度について予め設定さ
れた第２温度電圧をディジタル値で保持する設定値格納
手段と、前記温度検出手段に前記電流を供給する電流供
給手段とを具備し、前記電流供給手段は、前記第２温度
電圧と、前記所定の周囲温度において前記温度検出手段
で発生する前記第１温度電圧とが等しくなるように、前
記電流を制御することを特徴としている。
サは、周囲温度と電流とに応じた第１温度電圧を発生す
る温度検出手段と、所定の周囲温度について予め設定さ
れた第２温度電圧をディジタル値で保持する設定値格納
手段と、前記温度検出手段に前記電流を供給する電流供
給手段とを具備し、前記電流供給手段は、前記第２温度
電圧と、前記所定の周囲温度において前記温度検出手段
で発生する前記第１温度電圧とが等しくなるように、前
記電流を制御することを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】更にこの発明に係る温度センサは、トリミ
ング動作モードと通常動作モードとを有する温度センサ
であって、電流を供給する電流供給手段と、前記電流供
給手段の供給する前記電流及び周囲温度に応じた第１温
度電圧を発生する温度検出手段と、所定の周囲温度につ
いて予め設定された第２温度電圧をディジタル値で保持
する設定値格納手段と、前記トリミング動作モードにお
いては、前記第２温度電圧と、前記所定の周囲温度にお
いて前記温度検出手段が発生する前記第１温度電圧とを
比較して、前記第１、第２温度電圧を等しくするように
前記電流供給手段を制御するディジタル値の制御信号を
生成する比較変換手段と、前記トリミング動作モードに
おいては、前記第１、第２温度電圧を等しくする前記制
御信号を格納する調整値格納手段とを具備することを特
徴としている。またこの発明に係る温度センサの調整方
法は、所定の温度に対応するディジタル値の第１温度電
圧を第１格納回路に格納するステップと、電流供給回路
が所定の電流を供給するためのディジタル値の制御信号
を設定するステップと、周囲温度と前記電流とに基づい
て、前記周囲温度を第２温度電圧に変換するステップ
と、前記第１、第２温度電圧が等しくなるよう前記電流
を制御するステップと、前記第１、第２温度電圧が等し
くなる前記電流を前記電流供給回路に供給させる前記制
御信号を、第２格納回路に格納するステップとを具備す
ることを特徴としている。
ング動作モードと通常動作モードとを有する温度センサ
であって、電流を供給する電流供給手段と、前記電流供
給手段の供給する前記電流及び周囲温度に応じた第１温
度電圧を発生する温度検出手段と、所定の周囲温度につ
いて予め設定された第２温度電圧をディジタル値で保持
する設定値格納手段と、前記トリミング動作モードにお
いては、前記第２温度電圧と、前記所定の周囲温度にお
いて前記温度検出手段が発生する前記第１温度電圧とを
比較して、前記第１、第２温度電圧を等しくするように
前記電流供給手段を制御するディジタル値の制御信号を
生成する比較変換手段と、前記トリミング動作モードに
おいては、前記第１、第２温度電圧を等しくする前記制
御信号を格納する調整値格納手段とを具備することを特
徴としている。またこの発明に係る温度センサの調整方
法は、所定の温度に対応するディジタル値の第１温度電
圧を第１格納回路に格納するステップと、電流供給回路
が所定の電流を供給するためのディジタル値の制御信号
を設定するステップと、周囲温度と前記電流とに基づい
て、前記周囲温度を第２温度電圧に変換するステップ
と、前記第１、第２温度電圧が等しくなるよう前記電流
を制御するステップと、前記第１、第２温度電圧が等し
くなる前記電流を前記電流供給回路に供給させる前記制
御信号を、第２格納回路に格納するステップとを具備す
ることを特徴としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】上記のような温度センサ及びその調整方法
によれば、電流供給手段が温度検出手段に供給する電流
の値を制御することによって、温度検出手段にて検出さ
れる第１温度電圧そのものを、予め設定された第２温度
電圧に等しくなるように補正している。従って、ある一
点の温度における第１温度電圧を、所望の第２温度電圧
に合わせるだけで、第１温度電圧の温度特性を全温度範
囲で設定値とほぼ完全に一致させることが出来る。その
ため、温度センサの検出精度を向上できる。また、予め
設定すべき第２温度電圧及びトリミング時に得られた制
御信号をディジタル値で取り扱うことが出来るため、ト
リミングの精度向上を図ることができる。
によれば、電流供給手段が温度検出手段に供給する電流
の値を制御することによって、温度検出手段にて検出さ
れる第１温度電圧そのものを、予め設定された第２温度
電圧に等しくなるように補正している。従って、ある一
点の温度における第１温度電圧を、所望の第２温度電圧
に合わせるだけで、第１温度電圧の温度特性を全温度範
囲で設定値とほぼ完全に一致させることが出来る。その
ため、温度センサの検出精度を向上できる。また、予め
設定すべき第２温度電圧及びトリミング時に得られた制
御信号をディジタル値で取り扱うことが出来るため、ト
リミングの精度向上を図ることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００６１】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、温度検出の検出精度を向上できる温度センサ及びそ
の調整方法を提供できる。
ば、温度検出の検出精度を向上できる温度センサ及びそ
の調整方法を提供できる。
Claims (8)
- 【請求項１】 電流を供給する電流供給手段と、前記電
流供給手段の供給電流及び周囲温度に応じた第１温度電
圧を発生する温度検出手段とを具備し、該温度検出手段
にて発生する第１温度電圧により周囲温度を検知する温
度センサであって、 所望の周囲温度について予め設定された第２温度電圧を
ディジタル値で保持する設定値格納手段を更に備え、 前記設定値格納手段に保持されている前記第２温度電圧
と、前記所望の周囲温度において前記温度検出手段で発
生する前記第１温度電圧とが等しくなるように、前記電
流供給手段の前記供給電流を制御することによってトリ
ミングを行うことを特徴とする温度センサ。 - 【請求項２】 電流を供給する電流供給手段と、 前記電流供給手段の供給電流及び周囲温度に応じた第１
温度電圧を発生する温度検出手段と、 所望の周囲温度について予め設定された第２温度電圧を
ディジタル値で保持する設定値格納手段と、 トリミング時にあっては、前記設定値格納手段に保持さ
れている前記第２温度電圧と、前記所望の周囲温度にお
いて前記温度検出手段が発生する前記第１温度電圧とを
比較して、前記第１温度電圧が前記第２温度電圧に等し
くなるように前記電流供給手段が供給する電流値を制御
するディジタル値の制御信号を生成し、通常動作時にあ
っては、前記温度検出手段が発生する前記第１温度電圧
をディジタル値に変換し、該変換結果を検出温度データ
として出力する比較変換手段と、 前記トリミング時にあっては、前記比較変換手段が生成
した前記制御信号を格納し、前記通常動作時にあって
は、該制御信号を前記電流供給手段に送出して該電流供
給手段の供給電流を調整する調整値格納手段とを具備す
ることを特徴とする温度センサ。 - 【請求項３】 前記比較変換手段は、第１入力端子及び
前記第１温度電圧が入力される第２入力端子を有する比
較器と、 前記比較器における比較結果に基づいたディジタルデー
タを前記制御信号または前記検出温度データとして生成
する温度検出変換部と、 前記温度検出変換部が生成するディジタル値の前記検出
温度データ、または前記設定値格納手段に保持されてい
るディジタル値の前記第２温度電圧をアナログ値に変換
して、該変換結果を前記比較器の第１入力端子に入力す
る前記するＤ／Ａ変換器と を備え、前記トリミング時にあっては、前記Ｄ／Ａ変換
器は前記設定値格納手段に保持されているディジタル値
の前記第２温度電圧をアナログ値に変換し、前記比較器
は、前記第１温度電圧と、アナログ値に変換された前記
第２温度電圧とを比較し、前記温度検出変換部は、前記
比較器における比較結果に基づいて、前記第１温度電圧
が前記第２温度電圧に等しくなるよう前記電流供給手段
を制御するディジタル値の制御信号を生成し、 前記通常動作時にあっては、前記Ｄ／Ａ変換器は前記温
度検出変換部が出力するディジタル値の前記検出温度デ
ータをアナログ値に変換し、前記比較器は、前記第１温
度電圧と、アナログ値に変換された前記検出温度データ
とを比較し、前記温度検出変換部は、前記比較器におけ
る比較結果に基づいて、前記検出温度データを前記第１
温度電圧に対応するディジタル値に変換することを特徴
とする請求項２記載の温度センサ。 - 【請求項４】 前記比較変換手段は、通常動作時にあっ
ては前記第１温度電圧を基準値とし、トリミング時にあ
っては前記第２温度電圧を基準値とする逐次比較型のＡ
／Ｄ変換器であることを特徴とする請求項２または３記
載の温度センサ。 - 【請求項５】 前記電流供給手段は複数のトランジスタ
を備え、オン状態にある該トランジスタの数によって供
給電流を調整することを特徴とする請求項２乃至４いず
れか１項記載の温度センサ。 - 【請求項６】 前記電流供給手段は、トリミング時にあ
っては、オン状態にある前記トランジスタの数を前記比
較変換手段によって調整されることにより、前記第１、
第２温度電圧が一致する電流を供給し、 通常動作時にあっては、前記調整値格納部に保持された
前記制御信号に基づく数の前記トランジスタがオン状態
とされることを特徴とする請求項５記載の温度センサ。 - 【請求項７】 前記温度検出手段はダイオードであるこ
とを特徴とする請求項２乃至６いずれか１項記載の温度
センサ。 - 【請求項８】 前記設定値格納手段及び前記調整値格納
手段は不揮発性の半導体メモリであることを特徴とする
請求項２乃至７いずれか１項記載の温度センサ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001343574A JP3721119B2 (ja) | 2001-11-08 | 2001-11-08 | 温度センサ |
| US10/286,294 US6674185B2 (en) | 2001-11-08 | 2002-11-04 | Temperature sensor circuit having trimming function |
| CNB021504067A CN100370237C (zh) | 2001-11-08 | 2002-11-08 | 具有调整功能的温度传感器电路及其调整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001343574A JP3721119B2 (ja) | 2001-11-08 | 2001-11-08 | 温度センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003149055A true JP2003149055A (ja) | 2003-05-21 |
| JP3721119B2 JP3721119B2 (ja) | 2005-11-30 |
Family
ID=19157241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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