CN102289239A - 浮栅的可编程低压降调节器及其方法 - Google Patents

浮栅的可编程低压降调节器及其方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开涉及浮栅的可编程低压降调节器及其方法。在一个实施方式中，低压降(LDO)调节器包括可编程电压参考和可编程频率补偿电路中的至少一个，并且可配置以产生输出电压。可编程电压参考包括耦合到参考输出的浮栅晶体管，并且可配置用于将参考电压提供至误差放大器的输入。可编程的频率补偿电路回应包括至少一个浮栅晶体管的可编程电流参考电路，其可配置调整频率补偿参量。提供控制电路以有选择地对浮栅晶体管的浮栅编程，以调整输出电压和/或调整输出电压的频率分量。

Description

浮栅的可编程低压降调节器及其方法
技术领域
本公开一般涉及可编程低压降调节器及其方法。
背景技术
低压降(LDO)调节器是可配置成以非常小的输入-输出差分电压工作、而同时提供额定的受调输出电压的电路。按照惯例，与这种LDO调节器有关的参量可基于一次性可编程的方法进行调整，比如在产品测试期间的激光微调或电金属线保险丝熔化。这种器件有时被称为一次性可编程(OTP)器件。
目前，通过金属掩模选择实现了在一系列固定值以外选择参量值。一些LDO产品为顾客提供了选择相对于额定的输出电压DC电平被稍作修正的值的能力，这通过将外部控制引脚连接到接地端或者连接到某个输入电平来实现。然而，这种器件提供了有限的微调选择，在特定应用工作的状态下，其可能不足以调整这种LDO调节器的性能。
高精度的LDO电压调节器需要精细调节DC和AC参量，其精细调节一般是在制造流程中的晶圆级前端测试期间执行的。然而，装配过程产生可能引发偏移的机械应力，该偏移影响被封装部分装配后的精度。常规的微调选择可能不足以补偿这种装配后的偏移。
发明内容
根据本公开的一个方面，提供一种低压降调节器，包括：可编程电压参考，其包括耦合到参考输出的至少一个浮栅晶体管，并且可配置成提供参考电压；传输器件，其包括耦合到电压输入的输入端子、提供电压输出的输出端子、以及传输控制输入；反馈电路，其包括耦合到所述输出端子的反馈输入端子、以及反馈输出端子；误差放大器，其包括耦合到所述参考输出以接收所述参考电压的第一误差放大器输入、耦合到所述反馈输出端子的第二误差放大器输入、以及耦合到所述传输器件的传输控制输入的误差放大器输出；以及控制电路，其可配置成对所述至少一个浮栅晶体管上的电荷进行编程，以调整所述参考电压并且控制所述输出电压。
根据本公开的另一方面，提供一种低压降调节器，包括：传输器件，其包括耦合到电压输入的输入端子、提供输出电压的输出端子、以及传输控制输入；反馈电路，其包括耦合到所述输出端子的反馈输入端子、以及反馈输出端子；误差放大器，其包括用于接收参考电压的第一误差放大器输入、耦合到所述反馈电路的输出端子的第二误差放大器输入、以及耦合到所述传输器件的所述传输控制输入的误差放大器输出；可编程参考电路，其包括至少一个浮栅晶体管，所述可编程参考电路可配置成产生参考信号；以及可编程频率补偿电路，其包括耦合到所述输出端子的第一补偿输入和耦合到所述误差放大器的补偿输出，所述可编程频率补偿电路响应于所述参考信号，以调整所述输出电压的频率响应。
根据本公开的又一方面，提供一种使用可编程低压降调节器提供输出电压的方法，所述方法包括：在所述可编程低压降调节器的输入处接收电压输入信号；通过所述可编程低压降调节器的串行接口从控制电路接收配置数据；使用根据所述配置数据编程的可编程参考电路生成参考电压；使用串行传输器件调节所述电压输入信号，所述串行传输器件耦合到所述输入，并且被配置成在输出端子处产生输出电压；使用反馈电路对所述输出电压进行采样，所述反馈电路被配置成产生反馈电压；使用误差放大器将所述反馈电压与所述参考电压进行比较，所述误差放大器被配置成在所述误差放大器的放大器输出处产生误差信号，所述放大器输出耦合到所述串行传输器件以调整所述输出电压；以及使用耦合到所述误差放大器的可编程频率补偿电路，根据所述配置数据提供频率补偿。
附图说明
图1是可编程LDO调节器的实施方式的部分原理图和部分框图。
图2是图1中的可编程LDO调节器的实施方式的部分原理图和部分框图。
图3是图1-2中的LDO调节器的电压模式的参考电路的实施方式的部分原理图和部分框图，所述电压模式参考电路包括可编程的浮栅晶体管。
图4是关于图1-3中的LDO调节器的输出电压与输入电压的关系曲线的图示。
图5是在频率补偿微调之前，对于各个负载电流，图1-3的LDO调节器的实施方式的频率响应的极点和零点位置的根轨迹图。
图6是在频率补偿微调之后，对于各个负载电流，图1-3的LDO调节器的实施方式的频率响应的极点和零点位置的根轨迹图。
图7是可编程LDO调节器的另一个实施方式的部分原理图和部分框图，其包括电流模式的参考电路。
在以下描述中，在不同附图中所使用的相同参考标记指明了相似的或相同的项。
具体实施方式
下面公开了可编程LDO调节器的实施方式，其提供了用于高精度模拟微调输出电压的DC和AC参量的装置。特别是，可编程LDO调节器包括非易失性的可编程能力，该能力不但能够在前端测试期间在晶圆级上实现，而且能够在芯片装配之后实现，芯片装配之后包括在后端测试期间和/或在用户模式的操作中。
不同的LDO调节器通常的特点是具有大范围的DC和AC参量，它们通过用于相同集成电路的金属掩模选择来实现。然而能够利用数字可编程能力来调整各个DC和AC参量，消除这种金属掩模，由于其离散的变化性，数字可编程能力具有固有的精度限制。因此，以下公开的LDO调节器的实施方式包括浮栅的金属氧化物半导体(MOS)器件，其特点是有非离散的(模拟的)微调能力以提供高级别的精度。这种浮栅的MOS器件可使用控制电路来编程。此外，公开了一种串行接口，其用于将数据和控制信号传递到控制电路，以配置LDO调节器。
图1是可编程LDO调节器100的实施方式的部分原理图和部分框图。LDO调节器100包括可编程电压参考102，该可编程电压参考102包括：连接到用于承载输入电压(VIN)的电压输入端子122的第一端子，连接到控制电路114的控制输入132，以及用于给误差放大器104的第一输入提供参考电压(VREF)的参考输入124。误差放大器104包括连接到用于从反馈电路108接收反馈信号的反馈端子128的第二输入。另外，误差放大器104包括：连接到传输器件106的输出，连接到电压输入端子122的功率输入，以及连接到可编程频率补偿电路110的控制输入。
传输器件106包括连接到电压输入端子122的第一输入和输出端子126，以提供输出电压，并且给负载提供负载电流(IL)，所述负载由负载阻抗(ZL)112表示。反馈电路108包括连接到输出端子126的输入，以及连接到误差放大器104的第二输入的反馈端子128。
可编程频率补偿电路110包括连接到输出端子126的补偿输入和连接到误差放大器104的控制输入的补偿输出。可编程频率补偿电路110还包括连接到控制电路114的补偿控制输入130。
控制电路114连接到串行接口116以接收数据118和控制信号120。串行接口116能够为定制的单线、双线或三线串行接口。可供选择地，串行接口116能够是标准的集成电路(IC)至IC(I2C)总线接口、串行外围接口(SPI)、微型线串行接口、通用串行总线接口、或者其他的串行接口。串行接口116可配置成连接到外部源，以便接收数据和控制信息，该控制信息能够由控制电路114使用以配置可编程电压参考102和可编程频率补偿电路110中的至少一个。外部源可以是电源管理集成电路(PMIC)、片上系统(SOC)电路、其他类型的电路、或者其任意组合。
如图1中所示，可编程LDO调节器100包括使用浮栅晶体管的可编程电压参考以提供可变的参考电压。在一个实施方式中，可变的电压参考将参考电压提供给误差放大器，以使得输出电压可编程。在另一个实施方式中，可变的参考电压用来调整频率参量。在又一个实施方式中，将可变的参考电压的这两种用途进行组合。
图2是LDO调节器200的实施方式比如图1中的可编程LDO调节器的部分原理图和部分框图，所述LDO调节器200包括高压控制器204和隧道结构206和208，用于对可编程电压参考102和可编程频率补偿电路110进行编程。在所示实施方式中，控制电路114包括控制逻辑202和高电压控制器204，它们是被通信地连接的。
控制逻辑202可配置成控制高电压控制器204。另外，控制逻辑202可以协调通过串行接口116到达外部源和来自外部源的数据信号118和控制信号120的通信。高电压控制器204通过隧道结构208连接到可编程电压参考102，并且通过隧道结构206连接到可编程频率补偿电路110。
在配置过程期间，高电压控制器204有选择地通过隧道结构206将高电压信号施加到与可编程频率补偿电路110有关的参考源的相应的一个或多个浮栅MOS器件的一个或多个浮栅，以便调整至少一个频率补偿参量。高电压信号可使用电荷泵(未显示)来生成。可供选择地，编程信号可经由串行接口116从外部源接收。
另外，在配置过程期间，高电压控制器204有选择地启动一个或多个开关，比如下面在图3中描绘的开关，以便将可编程电压参考102从误差放大器104隔离开，并且通过隧道结构208将高电压信号施加到可编程电压参考102的相应的一个或多个浮栅MOS器件的一个或多个浮栅。以下在图3中描绘了一个包括可编程浮栅MOS器件的电压模式可编程参考电路的实施方式。
图3是可编程LDO调节器300的实施方式的部分原理图和部分框图，所述可编程LDO调节器300包括被实现为电压模式参考电路的可编程电压参考102的实施方式，所述可编程电压参考102则包括可编程浮栅晶体管306和308。可供选择地，可编程电压参考能够被实现为包括了可编程浮栅晶体管的电流模式参考。在所示实施方式中，可编程电压参考102包括PMOS晶体管302和304，其具有公共控制栅极和连接到电源端子(VDD)的公共源极。PMOS晶体管302包括连接到公共栅极和放大器312的正输入的漏极。PMOS晶体管304包括连接到放大器312的负输入的漏极。
浮栅晶体管306包括：漏极，其连接到PMOS晶体管302的漏极；控制栅极，其连接到接地端；以及源极。浮栅晶体管308包括：漏极，其连接到PMOS晶体管304的漏极；控制栅极，其通过开关320连接到放大器312的放大器输出，并且通过开关322连接到高电压控制器204。第二浮栅晶体管308还包括连接到第一浮栅晶体管306的源极的源极。浮栅晶体管306和308的源极连接到NMOS晶体管310的漏极，该NMOS晶体管310包括用于接收偏置信号的栅极和连接到接地端的源极。
浮栅晶体管306具有可编程浮栅，其被配置成存储电荷，并由电容器316表示。可编程浮栅连接到隧道结构326，其连接到高电压控制器204用于对电荷编程。浮栅晶体管308具有可编程浮栅，其被配置成存储电荷，并由电容器318表示。可编程浮栅连接到隧道结构328，其连接到高电压控制器204用于对电荷编程。
可编程电压参考102还包括开关314和320，以便有选择地将放大器312的放大器输出连接到误差放大器104的第一输入以提供参考电压(VREF)，以及连接到晶体管308的栅极。另外，可编程电压参考包括开关322和324，以便有选择地将晶体管308的栅极和放大器312的输出连接到高电压控制器204。高电压控制器204和/或控制逻辑202有选择地配置开关320、322、314、和324用于编程或用于操作。
在操作模式下，开关320和314闭合，并且开关322和324打开。第一电流(I1)流过浮栅晶体管306，并且在浮栅晶体管306的漏极上的电压信号(其根据由电容器316所表示的浮栅电荷被编程)被提供至放大器312的负输入。第二电流(I2)流过浮栅晶体管308，并且浮栅晶体管308的漏极上的电压信号(其根据由电容器318所表示的浮栅电荷被编程)被提供至放大器312的正输入。放大器312产生与在其正输入和负输入上的电压信号相关的输出信号。输出信号被提供作为在误差放大器104的第一输入上的参考电压(VREF)，并且被施加到浮栅晶体管308的栅极上以提供负反馈。
在编程模式期间，开关320和314打开，并且开关322和324闭合。在这种模式中，浮栅晶体管308的栅极连接到高电压控制器204，该高电压控制器204控制栅极上的电压，并且通过隧道器件326和328将高电压电荷施加到浮栅晶体管306和308的可编程浮栅。放大器312的输出充当比较器，其提供了由高电压控制器204使用的输出信号，以便控制可编程参考电路102的编程。
在一个例子中，高电压控制器204被配置成将高电压信号施加到隧道器件326，以调整在晶体管306的浮栅上的电荷。在相同的时间上，高电压控制器204将目标参考电平施加到浮栅晶体管308的栅极，因此要提供特殊浮栅到源极的电压差，该电压差确定了关于晶体管308的DC偏置点。对浮栅晶体管306的编程目的在于调整浮栅上的电荷，以此方式生成关于晶体管306的浮栅到源极的电压差，这与对晶体管308的编程的目的相类似。当差分对的两个晶体管306和308达到等效偏置状态时，充当比较器的放大器312生成通过开关324提供至高电压控制器204的信号，以便结束编程循环。
在另一个例子中，高电压控制器204还将高电压循环施加到隧道结构328，以便对浮栅晶体管308编程。高电压控制器204和控制逻辑202协作调整浮栅晶体管306和308的浮栅电荷，以调整它们的等效临界电压，以便产生所需的参考电压，该参考电压被提供至误差放大器104以控制输出电压。
在所示实施方式中，省略了可编程频率补偿电路110。然而，应当理解的是，在其他的实施方式中能够包括可编程频率补偿电路110。
图4是LDO调节器比如关于图1-3中的LDO调节器的实施方式的输出电压与输入电压关系曲线的图示400，该LDO调节器被配置成支持1000mA的负载电流，并且使用0.25μm技术来实现。关系曲线400示出浮栅参考线性调节产生了实质上稳定的输出电压，甚至对于相对低的输入电压时也是如此。例如，当LDO调节器被编程以产生2V的额定输出电压时，该输出具有关于输入电压的、相对线性的变化，其在大约0.25伏特到大约2.25伏特的范围内，并且对于2.25伏特以上的输入电压，LDO调节器产生稳定的2.0伏特的输出电压。类似于4伏特和6伏特的目标输出电压，LDO调节器产生关于输入电压的、实质上线性的输出电压，其在大约0.25伏特到目标电压以上大约0.25伏特的范围内，并且随后产生稳定的输出电压，该输出电压为所期望的输出电压。因此，甚至是在输入-输出的差分电压相对较低时，都能提供稳定的输出电压。
此外，图1-3的LDO调节器是稳定的，其稳定性能够通过在频域中测试在根轨迹图上极点和零点的位置来表明。由图1-3中的LDO调节器所提供的频率补偿的例子被提供在下面的图5和6的图示500和600中，它们分别具有和不具有频率补偿编程(或微调)。
图5是在微调之前，对于各个负载电流，图1-3的LDO调节器的实施方式的频率响应的极点和零点位置的根轨迹图500。在微调之前，LDO调节器电路是稳定的，这意味着所有的极点和零点都在根轨迹图500的第2和3象限中；然而，对于近似10mA的负载电流(IL)，极点P2和P3的轨迹靠近Y轴。虽然不危害稳定性，但是LDO调节器的频率响应变得略差于所期望的性能，带有更大的过冲和下冲，以及带有减小的相位容限。因此，期望调整极点和零点的位置以增强稳定性。
图6是在微调之后(即在编程之后)，对于各个负载电流，图1-3的LDO调节器的实施方式的频率响应的极点和零点位置的根轨迹图600。在一个例子中，可使用在图1-2和7中所描绘的可编程频率补偿电路来配置频率响应。图示600示出第二和第三极点向左平移，从而增加了LDO调节器的稳定性。此外，频率响应的调整被用来增加瞬态响应的速度，和降低与所需输出电压相关的输出电压信号的过冲、下冲、和瞬变(ringing)。
当与图5中的图示500进行比较时，根轨迹图600显示第二和第三极点向左平移，进一步远离Y轴，并且对于和未被微调的LDO调节器相同的负载电流，这些极点仍完全在虚域的左半平面内。因此，在微调之后，LDO调节器具有被改进的瞬态响应和更好的相位容限，并且使得其与未被微调的LDO调节器相比较更加稳定。
图7是可编程LDO调节器700比如图1的LDO调节器100的实施方式的部分原理图和部分框图，其包括可被配置成控制可编程频率补偿电路110的电流模式参考电路710的实施方式。可编程频率补偿电路110包括电容器704，其连接到输出端子126，并且连接到可调整的有源阻抗702，该有源阻抗702连接到电流模式参考电路710以接收可编程电流(IPROG)。此外，可编程频率补偿电路110连接到误差放大器104。在一个实施方式中，可调整的有源阻抗702可包括可调整的增益级。
误差放大器104包括第一放大器706，其包括连接到可编程电压参考102的负输入，连接到反馈端子128的正输入，以及连接到可调整的有源阻抗702的第一放大器输出。误差放大器104还包括第二放大器708，其包括连接到第一放大器输出的正输入，连接到传输器件106的负输入，以及连接到其负输入和连接到传输器件106的第二放大器。
可调整的有源阻抗702回应来自电流模式参考电路710的可编程电流(IPROG)。电流模式参考电路710包括PMOS晶体管712、714、和716，这些晶体管具有公共栅极和连接到电源端子(VDD)的公共源极。PMOS晶体管712包括连接到本征晶体管718的漏极的漏极，该本征晶体管718包括以二极管连接到其漏极的栅极，并且包括源极。PMOS晶体管714包括连接到PMOS晶体管712、714、和716的公共栅极的漏极。此外，PMOS晶体管714的漏极连接到本征(或零值临界电压)晶体管720的漏极，该本征晶体管720包括连接到本征晶体管718的栅极的栅极，并且包括源极。PMOS晶体管716包括连接到可调整的有源阻抗702的漏极，以提供可编程的电流(IPROG)，其控制与可调整的有源阻抗702相关的频率补偿参量，比如阻抗或增益。
电流模式参考电路710包括电阻器722，其具有连接到本征晶体管718的源极的第一端子，和连接到双浮栅MOS器件724的漏极和第一控制栅极728的第二端子。MOS器件724还包括连接到电阻器722的第一端子的第二控制栅极，正如由线路726所指示的一样。MOS器件724还包括可编程浮栅，其具有由电容器730表示的可编程电荷。隧道结构742将MOS器件724的可编程浮栅耦合到高电压控制器204，以便允许控制电路114配置在浮栅上的可编程电荷。
电流模式参考电路710还包括电阻器732，其具有连接到本征晶体管720的源极的第一端子，和连接到双浮栅MOS器件734的漏极的第二端子。MOS器件734包括连接到MOS器件724的第一控制栅极728的第一控制栅极，连接到电阻器732的第二端子的第二控制栅极，以及连接到接地端的源极。MOS器件734还包括可编程浮栅，其具有由电容器738表示的可编程电荷。隧道结构744将MOS器件734的可编程浮栅耦合到高电压控制器204，以允许控制电路114配置在浮栅上的可编程电荷。
晶体管712和714以电流镜配置进行连接。本征晶体管718以二极管连接，并且本征晶体管720所具有的栅极与本征晶体管718的栅极是共用的，它们分别将电阻器722的第一端子和晶体管732的第一端子偏置到近似相等的电压电平上。第一电流(I1)流过电阻器722，以产生从其第一端子上的电压到其第二端子上的漏极电压(VD1)的差分的电压。相类似地，第二电流(I2)流过电阻器732，以产生从其第一端子上的电压到其第二端子上的漏极电压(VD2)的差分的电压。MOS晶体管724的第一控制栅极是以二极管连接的，并且公共的漏极电压(VD1)被施加到MOS晶体管724的第一栅极和MOS晶体管734的第一控制栅极这两者的栅极728。与电阻器722的第一端子相关的第二电压被施加到MOS晶体管724的第二控制栅极。MOS晶体管734的第二控制栅极是以二极管连接的，并且由漏极电压(VD2)偏置。
操作在MOS晶体管724的第二栅电极和MOS晶体管724的第一栅电极之间的电压差以控制电流，建立被反射通过MOS晶体管734的电流I1。操作差分电压以调整通过MOS晶体管724的电流，以便控制第二电流(I2)和频率补偿编程电流(IPROG)。假设PMOS晶体管712、714、和716具有实质上相等的尺寸，并且本征晶体管718和720具有实质上相等的尺寸，则第一电流(I1)实质上等于第二电流(I2)，该第二电流实质上等于可编程的电流(IPROG)，该可编程的电流偏置频率补偿电路110以调整频率补偿参量。
因此，电流模式参考电路710提供频率补偿的模拟调整。浮栅电荷配置MOS晶体管724和734的工作点，并且栅电极的互连偏置MOS晶体管724和734，以提供频率补偿电路710的连续电流调整。虽然电流模式参考电路710被描绘为与可编程的频率补偿电路110分离，应当理解的是，电流模式参考电路710可以被包括在可编程频率补偿电路110内。
另外，在可供选择的实施方式中，电流模式参考电路710可用电压模式参考来代替，比如在图3中所描绘的电压模式参考电路102的实施方式，其参考电压可被转换成可编程的电流并施加到频率补偿电路110。
结合以上根据图1-7公开的LDO调节器和编程方法，LDO调节器包括可编程电压参考和可编程频率补偿电路，其包括能够被配置成控制输出电压的DC和AC参量的可编程浮栅MOS器件。
在一方面，LDO调节器包括控制电路和可编程电压参考，该可编程电压参考包括第一和第二浮栅晶体管。在特定情况下，控制电路可配置成有选择地对第一和第二浮栅晶体管进行编程，以便控制参考电压。在另一个特定情况下，控制电路包括高电压控制器和控制逻辑电路，高电压控制器可配置成对第一和第二浮栅晶体管中的至少一个执行编程操作，所述控制逻辑电路耦合到高电压控制器并可配置成控制编程操作以对输出电压进行编程。
在另一方面，LDO调节器包括可编程频率补偿电路，其包括可调整的有源阻抗。在一种情况下，可编程频率补偿电路包括电流模式的参考电路，其包括至少一个浮栅晶体管，该至少一个浮栅晶体管可配置成产生频率补偿参考电流。可调整的有源阻抗回应频率补偿参考电流，以产生对于输出电压的所需频率补偿。在另一种情况下，控制电路可配置成对至少一个浮栅晶体管的浮栅进行编程，以便控制频率补偿参考电流。
在另一方面，LDO调节器包括：传输器件、误差放大器、以及可编程频率补偿电路。可编程频率补偿电路包括：第一补偿端子，其耦合到传输器件的输出端子；第二补偿端子，其耦合到误差放大器；以及电容器，其包括耦合到第一补偿端子的第一电容性端子，并且包括第二电容性端子。可编程频率补偿电路还包括可调整的有源阻抗，该有源阻抗包括：第一阻抗端子，其耦合到第二电容性端子；第二阻抗端子，其耦合到第二补偿端子；以及补偿控制输入，其耦合到可编程参考电路。
根据另一方面，LDO调节器包括可编程电压参考，其具有第一浮栅晶体管、第二浮栅晶体管、以及参考放大器。第一浮栅晶体管包括：漏极，其用于接收第一电流；控制栅极，其耦合到接地端；以及源极。第二浮栅晶体管包括：漏极，其用于接收第二电流；控制栅极；以及源极，其耦合到第一浮栅晶体管的源极。参考放大器包括：第一参考放大器输入，其耦合到第一浮栅晶体管的漏极；第二参考放大器输入，其耦合到第二浮栅晶体管的漏极；以及参考放大器输出，其耦合到第二浮栅晶体管的控制栅极，用于提供参考电压。在一个特定情况下，LDO调节器包括控制电路，其可配置有选择地对第一和第二浮栅晶体管进行编程，以便控制参考电压。
根据另一方面，一种使用可编程低压降(LDO)调节器来提供输出电压的方法包括：在可编程LDO调节器的输入处接收电压输入信号；以及通过可编程LDO调节器的串行接口从控制电路接收配置数据。该方法还包括：使用根据配置数据进行编程的可编程参考电路来生成参考电压；使用串行传输器件调节电压输出信号，所述串行传输器件耦合到输入，并且被配置成在输出端子上产生输出电压；以及使用反馈电路采样输出电压，所述反馈电路被配置成产生反馈电压。此外，该方法包括使用误差放大器将反馈电压与参考电压进行比较，所述误差放大器被配置成在误差放大器的放大器输出上产生误差信号。放大器输出耦合到串行传输器件以调整输出电压。所述方法还包括使用耦合到误差放大器上的可编程频率补偿电路来根据配置数据提供频率补偿。
在一种特定情况下，该方法还包括根据配置数据对可编程LDO调节器的可编程参考电路的至少一个浮栅晶体管上的电荷进行编程，以便调整参考电压。另外，在这种情况下，该方法包括将参考电压提供至误差放大器以产生误差信号从而控制串行传输器件，并且将串行传输器件的输出信号提供到可编程LDO调节器的输出端子。
虽然本发明已经根据优选的实施方式被描述，但本领域中的技术人员将认识到可以在形式和细节上做出改变而不偏离本发明的范围。

Claims (10)

1.一种低压降调节器，包括：
可编程电压参考，其包括耦合到参考输出的至少一个浮栅晶体管，并且可配置成提供参考电压；
传输器件，其包括耦合到电压输入的输入端子、提供电压输出的输出端子、以及传输控制输入；
反馈电路，其包括耦合到所述输出端子的反馈输入端子、以及反馈输出端子；
误差放大器，其包括耦合到所述参考输出以接收所述参考电压的第一误差放大器输入、耦合到所述反馈输出端子的第二误差放大器输入、以及耦合到所述传输器件的传输控制输入的误差放大器输出；以及
控制电路，其可配置成对所述至少一个浮栅晶体管上的电荷进行编程，以调整所述参考电压并且控制所述输出电压。
2.如权利要求1所述的低压降调节器，其中所述可编程电压参考包括：
第一浮栅晶体管，其包括用于接收第一电流的漏极、耦合到接地端的控制栅极、以及源极；
第二浮栅晶体管，其包括用于接收第二电流的漏极、控制栅极、以及耦合到所述第一浮栅晶体管的源极的源极；以及
参考放大器，其包括耦合到所述第一浮栅晶体管的漏极的第一参考放大器输入、耦合到所述第二浮栅晶体管的漏极的第二参考放大器输入、以及参考放大器输出，该参考放大器输出耦合到所述第二浮栅晶体管的所述控制栅极，并且包括用于提供所述参考电压的所述参考输出。
3.如权利要求1所述的低压降调节器，还包括：
可编程频率补偿电路，其包括：
第一补偿端子，其耦合到所述传输器件的所述输出端子；
第二补偿端子，其耦合到所述误差放大器；
电容器，其包括耦合到所述第一补偿端子的第一端子，并包括第二端子；以及
可调整的有源阻抗，其包括耦合到所述电容器的所述第二端子的第一阻抗端子、以及耦合到所述第二补偿端子的第二阻抗端子。
4.如权利要求3所述的低压降调节器，还包括：
串行接口，其耦合到所述控制电路，并且可配置成耦合到外部源，以便接收数据和控制信号；以及
其中所述控制电路响应于所述控制信号，以有选择地对所述可编程电压参考和所述可编程频率补偿电路中的至少一个进行编程。
5.如权利要求3所述的低压降调节器，其中所述误差放大器包括：
第一放大器，其包括用于接收所述参考电压的第一放大器输入、耦合到所述反馈电路的所述输出端子的第二放大器输入、以及耦合到所述可编程频率补偿电路的所述第二补偿端子的第一放大器输出端子；以及
第二放大器，其包括耦合到所述第一放大器输出端子的第一放大器输入、第二放大器输入、以及耦合到所述传输器件且耦合到所述第二放大器的所述第二放大器输入的第二放大器输出。
6.一种低压降调节器，包括：
传输器件，其包括耦合到电压输入的输入端子、提供输出电压的输出端子、以及传输控制输入；
反馈电路，其包括耦合到所述输出端子的反馈输入端子、以及反馈输出端子；
误差放大器，其包括用于接收参考电压的第一误差放大器输入、耦合到所述反馈电路的输出端子的第二误差放大器输入、以及耦合到所述传输器件的所述传输控制输入的误差放大器输出；
可编程参考电路，其包括至少一个浮栅晶体管，所述可编程参考电路可配置成产生参考信号；以及
可编程频率补偿电路，其包括耦合到所述输出端子的第一补偿输入和耦合到所述误差放大器的补偿输出，所述可编程频率补偿电路响应于所述参考信号，以调整所述输出电压的频率响应。
7.如权利要求6所述的低压降调节器，其中所述可编程参考电路包括：
电流镜电路，其包括用于提供所述参考信号的输出电流电极；
可调整的有源阻抗，其包括耦合到所述电流镜电路的第一阻抗端子，并且包括第二阻抗端子；
第一双浮栅晶体管，其包括：
漏极，其耦合到所述第二阻抗端子；
第一控制栅极，其耦合到所述漏极；
第二控制栅极，其耦合到所述第一阻抗端子；以及
源极，其耦合到供电端子；
第二双浮栅晶体管，其包括：
漏极，其耦合到所述电流镜电路；
第一控制栅极，其耦合到所述第一双浮栅晶体管的所述第一控制栅极；
第二控制栅极，其耦合到所述第二双浮栅晶体管的所述漏极；以及
源极，其耦合到所述供电端子。
8.如权利要求6所述的低压降调节器，还包括：
可编程电压参考，其包括耦合到所述第一误差放大器输入的参考输出，所述可编程电压参考包括可配置成调整所述参考电压的至少一个浮栅晶体管。
9.一种使用可编程低压降调节器提供输出电压的方法，所述方法包括：
在所述可编程低压降调节器的输入处接收电压输入信号；
通过所述可编程低压降调节器的串行接口从控制电路接收配置数据；
使用根据所述配置数据编程的可编程参考电路生成参考电压；
使用串行传输器件调节所述电压输入信号，所述串行传输器件耦合到所述输入，并且被配置成在输出端子处产生输出电压；
使用反馈电路对所述输出电压进行采样，所述反馈电路被配置成产生反馈电压；
使用误差放大器将所述反馈电压与所述参考电压进行比较，所述误差放大器被配置成在所述误差放大器的放大器输出处产生误差信号，所述放大器输出耦合到所述串行传输器件以调整所述输出电压；以及
使用耦合到所述误差放大器的可编程频率补偿电路，根据所述配置数据提供频率补偿。
10.如权利要求9所述的方法，还包括：
根据所述配置数据对所述可编程低压降调节器的电流参考电路的至少一个浮栅晶体管中的电荷进行编程，以调整所述可编程频率补偿电路的频率补偿参量。
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