CN104485818B - 带测试模式的dc/dc转换器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种带测试模式的DC/DC转换器，其包括输出电路、PWM控制器、误差放大器、参考电压产生电路、开关器件和测试模式电路。输出电路包括功率开关，其用于在功率开关的导通和关断控制下将一输入电压转换为输出电压；参考电压产生电路用于产生并输出可修调的参考电压；误差放大器用于将参考电压与反馈节点的电压的差值进行放大，以生成并输出误差放大电压；PWM控制器用于将误差放大电压与三角波信号进行比较以生成并输出脉宽调制信号；测试模式电路的电源端与所述输入电压相连，其接地端与地节点相连，其控制端与误差放大器的输出端相连，其输出端经由第一开关器件与反馈节点相连。与现有技术相比，本发明中的DC/DC转换器的输出电压的精度较高。

Description

带测试模式的DC/DC转换器
【技术领域】
本发明涉及DC/DC转换器技术领域，特别涉及一种带测试模式的DC/DC转换器。
【背景技术】
直流-直流转换器(DC/DC Converter)是一种常见的、应用广泛的电源管理电路，其不仅能够实现电压源转换，并且具有体积小，结构简单，转换效率高等优点。
传统的DC/DC转换器在晶圆测试时，通常无法通过闭环测试其输出电压，如图1所示，其为现有技术中的一种DC/DC转换器的电路示意图，该DC/DC转换器在晶圆测试时，主要是对参考电压VR进行修调(比如，通过改变参考电压产生电路Dandgap中的电阻来修调其输出的参考电压VR)，使参考电压VR的精度很高。虽然未修调前参考电压VR的误差是输出电压VO产生偏差的主要原因，但如果只将参考电压VR修调准确，由于DC/DC转换器的误差放大器EA还存在一定输入失调电压(其也称为输入偏差电压)，导致大批量生产时芯片之间存在此偏差，这样会导致最终产品的精度较低或满足高精度时良率下降。
因此，有必要提出一种改进的技术方案来克服上述问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种带测试模式的DC/DC转换器，其输出电压的精度较高。
为了解决上述问题，本发明提供一种DC/DC转换器，其包括输出电路、PWM控制器、误差放大器、参考电压产生电路、开关器件和测试模式电路。所述输出电路包括功率开关，其用于在功率开关的导通和关断控制下将一输入电压转换为输出电压，并输出该输出电压；所述参考电压产生电路用于产生并输出可修调的参考电压；所述误差放大器的第一输入端与所述参考电压产生电路的输出端相连，其第二输入端与所述输出电路的输出端相连，所述误差放大器的第二输入端与所述输出电路的输出端之间的连接节点为反馈节点，所述误差放大器用于将参考电压与反馈节点的电压的差值进行放大，以生成并输出误差放大电压；所述PWM控制器用于将所述误差放大电压与三角波信号进行比较以生成并输出脉宽调制信号，该脉宽调制信号用于控制所述输出电路中的功率开关的导通和关断；所述测试模式电路包括电源端、接地端、控制端和输出端，其电源端与所述输入电压相连，其接地端与地节点相连，其控制端与所述误差放大器的输出端相连，其输出端经由所述第一开关器件与所述反馈节点相连。
进一步的，所述第一开关器件在所述DC/DC转换器处于测试模式下导通，在所述DC/DC转换器处于非测试模式下关断。当所述DC/DC转换器处于测试模式时，通过测量反馈节点FB的电压得到修调测试电压，基于修调测试电压修调所述参考电压产生电路输出的参考电压的大小，从而将修调测试电压调整至目标电压，在所述DC/DC转换器处于测试模式下时，所述参考电压产生电路、所述误差放大器、所述第一开关器件和所述测试模式电路构成负反馈环路，该负反馈环路在反馈节点的电压等于所述参考电压产生电路输出的参考电压时稳定。
进一步的，所述测试模式电路包括NMOS晶体管MN21和第一电流源I21，
NMOS晶体管MN21的漏极与所述输入电压相连，其栅极与所述误差放大器的输出端相连，其源极与所述第一电流源I21的正极相连，所述第一电流源I21的负极与地节点相连，所述NMOS晶体管MN21和第一电流源I21之间的连接节点与所述第一开关器件的一个连接端相连，所述第一开关器件的另一个连接端与所述反馈节点相连。
进一步的，所述测试模式电路包括NMOS晶体管MN31、PMOS晶体管MP1、第一电流源I31和第二电流源I32。所述第二电流源I32的正极与所述输入电压连接，其负极与所述PMOS晶体管MP1的源极相连；PMOS晶体管MP1的栅极与所述误差放大器的输出端相连，其漏极与地节点相连。所述NMOS晶体管MN31的漏极与所述输入电压相连，其源极与所述第一电流源I31的正极相连，其栅极与PMOS晶体管MP1的源极相连；所述第一电流源I31的负极与地节点相连；所述NMOS晶体管MN31和第一电流源I31之间的连接节点与所述第一开关器件的一个连接端相连，所述第一开关器件的另一个连接端与所述反馈节点相连。
进一步的，PMOS晶体管MP1的阈值电压的绝对值与NMOS晶体管MN31的阈值电压接近或者相等。
进一步的，所述测试模式电路包括NMOS晶体管MN41、NMOS晶体管MN2、第一电流源I41和第二电流源I42。所述第二电流源I42的正极与所述输入电压连接，其负极与所述NMOS晶体管MN2的漏极相连；NMOS晶体管MN2的栅极与其漏极，NMOS晶体管MN2的源极与所述误差放大器的输出端相连；所述NMOS晶体管MN41的漏极与所述输入电压相连，其源极与所述第一电流源I41的正极相连，其栅极与NMOS晶体管MN2的栅极相连；所述第一电流源I41的负极与地节点相连；所述NMOS晶体管MN41和第一电流源I41之间的连接节点与所述第一开关器件的一个连接端相连，所述第一开关器件的另一个连接端与所述反馈节点相连。
进一步的，NMOS晶体管MN41的阈值电压与NMOS晶体管MN2的阈值电压接近或者相等。
进一步的，所述DC/DC转换器还包括有采样电路，其输入端连接于所述输出电路的输出端，其输出端连接所述误差放大器的第二输入端，所述采样电路的输出端为所述反馈节点，其采样所述输出电路的输出端的电压得到反馈电压，并输出给所述误差放大器的第二输入端，所述输出电路为升压输出电路或者降压输出电路，所述误差放大器的第一输入端为正相输入端，其第二输入端为负相输入端。
进一步的，所述输出电路为升压输出电路，其包括一个功率开关K1、二极管D1、电感L1和电容C1，所述功率开关K1、电感L1和电容C1依次串联于所述输入电压和地节点之间，所述功率开关K1的控制端与所述PWM控制器的输出端相连；二极管D1的正极与地节点相连，其负极与功率开关K1和电感L1之间的连接节点相连。
进一步的，所述DC/DC转换器还包括连接于反馈节点与地节点之间的电容C2，所述电容C2的电容值为0～20 pF，所述二极管D1替换为另一个功率开关，该另一个功率开关的控制端也与所述PWM控制器的输出端相连。
与现有技术相比，本发明中的DC/DC转换器设置有测试负反馈环路，在晶圆测试时，该测试反馈环路导通，通过修调参考电压产生电路Dandgap输出的参考电压将反馈节点FB的电压调至目标电压，从而在正常工作模式时，可以消除参考电压VR的误差和误差放大器EA的输入失调电压对输出电压VO的影响，进而提高输出电压的精度。
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。其中：
图1为现有技术中的一种DC/DC转换器的电路示意图；
图2为本发明中的DC/DC转换器在一个实施例中的电路示意图；
图3为本发明中的DC/DC转换器在另一个实施例中的电路示意图；和
图4为本发明中的DC/DC转换器在再一个实施例中的电路示意图。
【具体实施方式】
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本发明至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非均指同一个实施例，也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。除非特别说明，本文中的连接、相连、相接的表示电性连接的词均表示直接或间接电性相连。
请参考图2所示，其为本发明在一个实施例中的DC/DC转换器的电路示意图。图2中的DC/DC转换器包括输出电路210、参考电压产生电路Bandgap220、误差放大器EA、PWM控制器230、开关器件K22和测试模式电路240。
所述输出电路210包括功率开关，其用于在功率开关的导通和关断控制下将一输入电压VIN转换为输出电压VO，并输出该输出电压VO。
在图2所示的实施例中，DC/DC转换器为升压DC/DC转换器，所述输出电路210为升压输出电路。在图2所示的实施例中，所述输出电路210包括一个功率开关K1、二极管D1、电感L1和电容C1，所述功率开关K1、电感L1和电容C1依次串联于所述输入电压VIN和地节点GND之间，所述功率开关K1的控制端与所述PWM控制器230的输出端相连；二极管D1的正极与地节点GND相连，其负极与功率开关K1和电感L1之间的连接节点相连。需要说明的是，在其他实施例中，所述输出电路210也可以为现有技术中其他结构的升压输出电路，比如，可以将二极管D1替换为功率开关K3，该功率开关K3的控制端也与所述PWM控制器220的输出端相连。
所述参考电压产生电路Bandgap220用于产生并输出可修调的参考电压VR。通常，所述参考电压产生电路Bandgap220包括修调电阻，通过对该修调电阻的有效阻值进行修调，可改变所述参考电压产生电路Bandgap220输出的参考电压VR的大小。其中，所述参考电压产生电路Bandgap220中的修调电阻可以采用现有技术中的任意一种修调电阻技术，故在此不再赘述。
所述误差放大器EA的第一输入端与所述参考电压产生电路Bandgap220的输出端相连，其第二输入端与所述输出电路210的输出端相连，所述误差放大器EA的第二输入端与所述输出电路210的输出端之间的连接节点为反馈节点FB，所述误差放大器EA用于将参考电压VR与反馈节点FB的电压的差值进行放大，以生成并输出误差放大电压EAO。在图2所示的实施例中，所述误差放大器EA的第一输入端为正相输入端，其第二输入端为负相输入端。需要知道的是，所述误差放大器EA的第二输入端与所述输出电路210的输出端相连可以是间接相连，比如两者之间还连接有采样电路(未图示)。该采样电路的输入端连接于所述输出电路210的输出端，其输出端连接所述误差放大器EA的第二输入端，所述采样电路的输出端为所述反馈节点FB，其采样所述输出电路的输出端VO的电压得到反馈电压，并输出给所述误差放大器的第二输入端。
所述PWM(Pulse Width Modulation，脉冲宽度调制)控制器230用于将所述误差放大电压EAO与三角波信号进行比较以生成并输出脉宽调制信号PWMO，该脉宽调制信号PWMO用于控制所述输出电路210中的功率开关的导通和关断。在图2所示的实施例中，所述脉宽调制信号PWMO用于控制功率开关K1的导通和关断。
所述测试模式电路240包括电源端、接地端、控制端和输出端，其电源端与所述输入电压VIN相连，其接地端与地节点GND相连，其控制端与所述误差放大器EA的输出端相连，其输出端经由所述开关器件K22与所述反馈节点FB。
所述开关器件K22的控制端与测试模式信号TestMode相连，当所述DC/DC转换器处于测试模式时(比如，在晶圆测试时)，所述测试模式信号TestMode为第一逻辑电平，其控制所述开关器件K22导通；当所述DC/DC转换器处于非测试模式时(比如，晶圆测试完成或DC/DC转换器处于正常工作状态时)，所述测试模式信号TestMode为第二逻辑电平，其控制所述开关器件K22关断。
为了便于理解本发明，以下结合图2具体介绍本发明中的DC/DC转换器的工作原理。
当DC/DC转换器处于正常工作模式时，所述测试模式信号TestMode被设置为第二逻辑电平(比如，高电平)，其控制所述开关器件K22关断，所述测试模式电路240不影响电路正常工作。在正常工作状态下，所述误差放大器EA以参考电压VR为基准，通过负反馈将反馈节点FB的电压调整至等于参考电压VR，从而实现对输出电压VO的精确控制。负反馈的工作原理为：当反馈节点FB的电压高于参考电压VR时，误差放大器EA将误差放大电压EAO调低，PWM控制器230将减小脉宽调制信号PWMO的占空比，导致输出电路210的输出电压VO降低，从而使反馈节点FB的电压降低；当反馈节点FB的电压低于参考电压VR时，误差放大器EA将误差放大电压EAO调高，PWM控制器230将增加脉宽调制信号PWMO的占空比，导致输出电路210的输出电压VO增大，从而使反馈节点FB的电压升高。当负反馈稳定时，反馈节点FB的电压等于参考电压VR。
当DC/DC转换器处于晶圆测试模式时，所述测试模式信号TestMode被设置为第一逻辑电平(比如，低电平)，其控制所述开关器件K22导通，此时，参考电压产生电路Bandgap220、误差放大器EA、测试模式电路240和开关器件K22构成测试负反馈环路。通过测量反馈节点FB的电压可以得到修调测试电压VT，基于修调测试电压VT修调所述参考电压产生电路Bandgap的修调电阻的有效阻值，以改变参考电压VR的大小，从而将修调测试电压VT调整至修调测试电压VT的目标电压。这样，当DC/DC转换器在正常工作模式时，反馈节点FB的电压也会准确。
以下进一步详细说明DC/DC转换器处于晶圆测试模式的工作原理。假设初始未修调前的参考电压为VR0，误差放大器EA的输入失调电压Vos＝VP-VN,此时，测量到反馈节点FB的电压为VR0-Vos，其中VP为误差放大器EA的正相输入端电压，VN为误差放大器EA的负相输入端电压，输入失调电压Vos为随机数，可以为正数，也可以为负数；在修调时，通过修调所述参考电压产生电路Bandgap220的修调电阻的有效阻值，可以改变参考电压VR的大小，使VR-Vos接近或等于目标电压(例如，0.6V)，此时，参考电压VR则等于Vos+0.6V。在晶圆测试模式，对反馈节点FB的电压修调完成后(即通过修调使反馈节点FB的电压等于目标电压)，再进入正常工作模式时，参考电压VR也等于Vos+0.6V，则反馈节点FB的电压为Vos+0.6V-Vos＝0.6V，这样就可以消除参考电压VR的误差和误差放大器EA的输入失调电压对输出电压VO的影响，进而提高DC/DC转换器的输出电压VO的精度。
综上可知，本发明中的DC/DC转换器通过在误差放大器EA的输出端和反馈节点FB之间设置开关器件K22和测试模式电路240，以在晶圆测试时，使参考电压产生电路Bandgap、误差放大器EA、测试模式电路240和开关器件K2构成测试负反馈环路，通过修调参考电压产生电路Dandgap输出的参考电压将反馈节点FB的电压调至目标电压，从而在正常工作模式时，消除参考电压VR的误差和误差放大器EA的输入失调电压对输出电压VO的影响，提高输出电压的精度。
请继续参考图2所示，在图2所示的实施例中，所述测试模式电路240包括NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor)晶体管MN21和第一电流源I21。NMOS晶体管MN21的漏极与所述输入电压VIN相连，其栅极与所述误差放大器EA的输出端相连，其源极与所述第一电流源I21的正极相连，所述第一电流源I21的负极与地节点GND相连，所述NMOS晶体管MN21和第一电流源I21之间的连接节点与所述开关器件K22的一个连接端相连，所述开关器件K22的另一个连接端与所述反馈节点FB相连。在此，增加NMOS晶体管MN1和第一电流源I1的目的是增强驱动能力，避免探针漏电导致修调时测量电压不准确。
需要特别说明的是，在设计时，还需保证在反馈节点FB和地节点GND之间连接0～20pF(皮法)的电容C2，这样可以保证环路稳定，因为当探针接触反馈节点FB时，会产生寄生电容，此寄生电容值的大小与测试机台和测试环境有关。
实际上，图2中的DC/DC转换器还存在一定的不足，具体为：图2的实施例的正常工作模式，由于PWM控制器230常用电压较低的三角波电压(例如0.6V左右)与误差放大器EA输出的误差放大电压EAO比较，因此正常工作时误差放大器EA输出的误差放大电压EAO的工作电平在0.6V左右；在图2的实例的修调测试模式，由于修调测量时反馈节点FB的电压等于参考电压VR(一般也为0.6V左右)，而NMOS晶体管MN1的栅极电压至少要比反馈节点FB的电压高Vthn(阈值电压，一般为0.8V左右)，此时，误差放大电压EAO的电压为1.4V左右。可知，修调测量模式中的误差放大电压EAO的电压与正常工作模式中的误差放大电压EAO的电压差别较大(1.4V-0.6V＝0.8V)，这样会等效在误差放大器EA输入端存在一定输入偏差，此偏差为0.8V/Av，这里0.8V为上述两个工作状态下误差放大电压EAO的电压差，Av为误差放大器EA的低频增益，假设Av为100，则导致的误差为8mV。
由此可知，可以通过减小误差放大电压EAO在上述两个工作状态下的工作电压差值，有助于减小误差放大器EA的等效输入偏差，从而可以提高DC/DC转换器的输出电压精度。请参考图3所示，其为其为本发明在一个优选实施例中的DC/DC转换器的电路示意图，所述DC/DC转换器包括输出电路310、参考电压产生电路Bandgap320、误差放大器EA、PWM控制器330、开关器件K32和测试模式电路340，其它电路的原理都与图2中的相应模块相同，不同之处在于本实施例对图2中的测试模式电路240的电路结构进行了改进。图3中的测试模式电路340包括NMOS晶体管MN31、PMOS(P-channel Metal Oxide Semiconductor)晶体管MP1、第一电流源I31和第二电流源I32。所述第二电流源I32的正极与所述输入电压VIN连接，其负极与所述PMOS晶体管MP1的源极相连；PMOS晶体管MP1的栅极与所述误差放大器EA的输出端相连，其漏极与地节点GND相连。所述NMOS晶体管MN31的漏极与所述输入电压VIN相连，其源极与所述第一电流源I31的正极相连，其栅极与PMOS晶体管MP1的源极相连；所述第一电流源I31的负极与地节点GND相连；所述NMOS晶体管MN31和第一电流源I31之间的连接节点与所述开关器件K32的一个连接端相连，所述开关器件K32的另一个连接端与所述反馈节点FB相连。
图3与图2相比存在下述优点。在正常工作下，由于三角波电压为0.6V左右，误差放大电压EAO仍为0.6V左右；在修调测试模式下，进行修调测量时，反馈节点FB的电压为0.6V左右(等于参考电压VR)，NMOS晶体管MN31的栅极电压等于0.6V+Vthn，PMOS晶体管MP1的栅极电压(即误差放大电压EAO)的电压等于0.6V+Vthn-|Vthp|，其中，Vthn为NMOS晶体管MN31的阈值电压，Vthp为PMOS晶体管MP1的阈值电压。选用为PMOS晶体管MP1的阈值电压的绝对值与NMOS晶体管MN1的阈值电压接近，则可以有效补偿误差放大电压EAO在上述两个工作状态下的工作电压差异，减小偏差，使得修调后正常工作状态下的反馈节点FB的电压更准确(即更接近于目标电压)，从而使DC/DC转换器的输出电压就更准确。
请参考图4所示，其为其为本发明在另一个优选实施例中的DC/DC转换器的电路示意图，所述DC/DC转换器包括输出电路410、参考电压产生电路Bandgap420、误差放大器EA、PWM控制器430、开关器件K42和测试模式电路440，其它电路的原理都与图3中的相应模块相同，其与图3的区别在于，将图3中测试模式电路340中的PMOS晶体管MP1替换为NMOS晶体管MN2，误差放大器EA的输出端与NMOS晶体管MN2的源极相连，NMOS晶体管MN2的栅极与其漏极相连并与电流源I42的负极相连，电流源I42的正极与输入电压VIN相连，NMOS晶体管MN2的栅极与NMOS晶体管MN41的栅极相连。具体的，图4中的测试模式电路440包括NMOS晶体管MN41、NMOS晶体管MN2、第一电流源I41和第二电流源I42。所述第二电流源I42的正极与所述输入电压VIN连接，其负极与所述NMOS晶体管MN2的漏极相连；NMOS晶体管MN2的栅极与其漏极，NMOS晶体管MN2的源极与所述误差放大器EA的输出端相连。所述NMOS晶体管MN41的漏极与所述输入电压VIN相连，其源极与所述第一电流源I41的正极相连，其栅极与NMOS晶体管MN2的栅极相连；所述第一电流源I41的负极与地节点GND相连；所述NMOS晶体管MN41和第一电流源I41之间的连接节点与所述开关器件K42的一个连接端相连，所述开关器件K42的另一个连接端与所述反馈节点FB相连。
图4中的DC/DC转换器在正常工作下，由于三角波电压为0.6V左右，误差放大电压EAO仍为0.6V左右；在修调测试模式下，进行修调测量时，反馈节点FB的电压为0.6V左右(等于参考电压VR)，NMOS晶体管MN41的栅极电压等于0.6V+Vthn1，NMOS晶体管MN2的栅极电压(即误差放大电压EAO)的电压等于0.6V+Vthn1-Vthn2，其中，Vthn1为NMOS晶体管MN41的阈值电压，Vthn2为NMOS晶体管MN2的阈值电压。选用NMOS晶体管MN41的阈值电压与NMOS晶体管MN2的阈值电压接近或相等(或选用NMOS晶体管MN41和MN2为相同类型，则可以有效补偿误差放大电压EAO在上述两个工作状态下的工作电压差异，减小偏差，使得修调后正常工作状态下的反馈节点FB的电压更准确(即更接近于目标电压)，从而使DC/DC转换器的输出电压就更准确。
需要特别说明的是，图2-图4都以升压DC/DC转换器为例，其实本发明的原理也适用于降压DC/DC转换器。
在本发明中，“连接”、“相连”、“连”、“接”等表示电性连接的词语，如无特别说明，则表示直接或间接的电性连接。
需要指出的是，熟悉该领域的技术人员对本发明的具体实施方式所做的任何改动均不脱离本发明的权利要求书的范围。相应地，本发明的权利要求的范围也并不仅仅局限于前述具体实施方式。

Claims (10)

1.一种DC/DC转换器，其特征在于，其包括输出电路、PWM控制器、误差放大器、参考电压产生电路、第一开关器件和测试模式电路，
所述输出电路包括功率开关，其用于在功率开关的导通和关断控制下将一输入电压转换为输出电压，并输出该输出电压；
所述参考电压产生电路用于产生并输出可修调的参考电压；
所述误差放大器的第一输入端与所述参考电压产生电路的输出端相连，其第二输入端与所述输出电路的输出端相连，所述误差放大器的第二输入端与所述输出电路的输出端之间的连接节点为反馈节点，所述误差放大器用于将参考电压与反馈节点的电压的差值进行放大，以生成并输出误差放大电压；
所述PWM控制器用于将所述误差放大电压与三角波信号进行比较以生成并输出脉宽调制信号，该脉宽调制信号用于控制所述输出电路中的功率开关的导通和关断；
所述测试模式电路包括电源端、接地端、控制端和输出端，其电源端与所述输入电压相连，其接地端与地节点相连，其控制端与所述误差放大器的输出端相连，其输出端经由所述第一开关器件与所述反馈节点相连。
2.根据权利要求1所述的DC/DC转换器，其特征在于，
所述第一开关器件在所述DC/DC转换器处于测试模式下导通，在所述DC/DC转换器处于非测试模式下关断，
当所述DC/DC转换器处于测试模式时，通过测量反馈节点FB的电压得到修调测试电压，基于修调测试电压修调所述参考电压产生电路输出的参考电压的大小，从而将修调测试电压调整至目标电压，
在所述DC/DC转换器处于测试模式下时，所述参考电压产生电路、所述误差放大器、所述第一开关器件和所述测试模式电路构成负反馈环路，该负反馈环路在反馈节点的电压等于所述参考电压产生电路输出的参考电压时稳定。
3.根据权利要求2所述的DC/DC转换器，其特征在于，所述测试模式电路包括NMOS晶体管MN21和第一电流源I21，
NMOS晶体管MN21的漏极与所述输入电压相连，其栅极与所述误差放大器的输出端相连，其源极与所述第一电流源I21的正极相连，所述第一电流源I21的负极与地节点相连，所述NMOS晶体管MN21和第一电流源I21之间的连接节点与所述第一开关器件的一个连接端相连，所述第一开关器件的另一个连接端与所述反馈节点相连。
4.根据权利要求2所述的DC/DC转换器，其特征在于，所述测试模式电路包括NMOS晶体管MN31、PMOS晶体管MP1、第一电流源I31和第二电流源I32，
所述第二电流源I32的正极与所述输入电压连接，其负极与所述PMOS晶体管MP1的源极相连；PMOS晶体管MP1的栅极与所述误差放大器的输出端相连，其漏极与地节点相连，
所述NMOS晶体管MN31的漏极与所述输入电压相连，其源极与所述第一电流源I31的正极相连，其栅极与PMOS晶体管MP1的源极相连；所述第一电流源I31的负极与地节点相连；所述NMOS晶体管MN31和第一电流源I31之间的连接节点与所述第一开关器件的一个连接端相连，所述第一开关器件的另一个连接端与所述反馈节点相连。
5.根据权利要求4所述的DC/DC转换器，其特征在于，PMOS晶体管MP1的阈值电压的绝对值与NMOS晶体管MN31的阈值电压接近或者相等。
6.根据权利要求2所述的DC/DC转换器，其特征在于，所述测试模式电路包括NMOS晶体管MN41、NMOS晶体管MN2、第一电流源I41和第二电流源I42，
所述第二电流源I42的正极与所述输入电压连接，其负极与所述NMOS晶体管MN2的漏极相连；NMOS晶体管MN2的栅极与其漏极相连，NMOS晶体管MN2的源极与所述误差放大器的输出端相连；
所述NMOS晶体管MN41的漏极与所述输入电压相连，其源极与所述第一电流源I41的正极相连，其栅极与NMOS晶体管MN2的栅极相连；所述第一电流源I41的负极与地节点相连；所述NMOS晶体管MN41和第一电流源I41之间的连接节点与所述第一开关器件的一个连接端相连，所述第一开关器件的另一个连接端与所述反馈节点相连。
7.根据权利要求6所述的DC/DC转换器，其特征在于，NMOS晶体管MN41的阈值电压与NMOS晶体管MN2的阈值电压接近或者相等。
8.根据权利要求1-7任一所述的DC/DC转换器，其特征在于，其还包括有采样电路，其输入端连接于所述输出电路的输出端，其输出端连接所述误差放大器的第二输入端，所述采样电路的输出端为所述反馈节点，其采样所述输出电路的输出端的电压得到反馈电压，并输出给所述误差放大器的第二输入端，
所述输出电路为升压输出电路或者降压输出电路，
所述误差放大器的第一输入端为正相输入端，其第二输入端为负相输入端。
9.根据权利要求8所述的DC/DC转换器，其特征在于，所述输出电路为降压输出电路，其包括一个功率开关K1、二极管D1、电感L1和电容C1，
所述功率开关K1、电感L1和电容C1依次串联于所述输入电压和地节点之间，所述功率开关K1的控制端与所述PWM控制器的输出端相连；二极管D1的正极与地节点相连，其负极与功率开关K1和电感L1之间的连接节点相连。
10.根据权利要求9所述的DC/DC转换器，其特征在于，其还包括连接于反馈节点与地节点之间的电容C2，所述电容C2的电容值为0～20pF，
所述二极管D1替换为另一个功率开关，该另一个功率开关的控制端也与所述PWM控制器的输出端相连。
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