CN101514925B - 温度检测电路 - Google Patents

温度检测电路 Download PDF

Info

Publication number
CN101514925B
CN101514925B CN200910118047.7A CN200910118047A CN101514925B CN 101514925 B CN101514925 B CN 101514925B CN 200910118047 A CN200910118047 A CN 200910118047A CN 101514925 B CN101514925 B CN 101514925B
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature
circuit
temperature sensor
sensor circuit
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN200910118047.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101514925A (zh
Inventor
五十岚敦史
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ablic Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Instruments Inc filed Critical Seiko Instruments Inc
Publication of CN101514925A publication Critical patent/CN101514925A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101514925B publication Critical patent/CN101514925B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)

Abstract

本发明提供即便扩大检测温度的设定范围，也可降低最低工作电压的温度检测电路。在本发明的温度检测电路中，使温度传感器电路具有调整输出电压的电压电平的功能，将在规定温度下的温度传感器电路的输出电压和基准电压电路的参考电压抑制为较低。

Description

温度检测电路
技术领域
本发明涉及利用半导体电路的温度特性的温度检测电路。
背景技术
图11是传统温度检测电路的示意图。
该温度检测电路由正电源端子001、负电源端子002、基准电压电路200、温度传感器电路300、比较器400、及输出端子700构成。
基准电压电路200的负极与负电源端子002连接，以正极作为输出端子101，与比较器400的反相输入端子连接，在规定温度下输出与温度传感器电路300的输出电压相等的参考电压。
温度传感器电路300由恒流源310和二极管320构成，恒流源310的一端与正电源端子001连接，另一端与二极管320的阳极连接，二极管320的阴极与负电源端子002连接，二极管320以阳极作为输出端子100与比较器400的非反相输入端子连接，输出具有随温度上升而降低的特性的电压。
比较器400的输出端子与温度检测电路的输出端子700连接，对基准电压电路200的参考电压和温度传感器电路300的输出电压进行比较，并根据比较结果输出负电源电位或正电源电位。
接着，就该温度检测电路的工作进行说明。
图12的V100是温度传感器电路300的输出端子100的电压，V101是基准电压电路200的输出端子101的电压。当温度低于规定温度时，输出电压V100大于参考电压V101，因此比较器400输出正电源电位。当温度高于规定温度时，温度传感器电路300的输出电压V100小于参考电压V101，因此比较器400输出负电源电位。因而，该温度检测电路在规定温度下进行切换输出逻辑的工作，可检测出规定温度(参照专利文献1：日本特许第3139194号)。
在此，参考电压V101被调整为在规定温度下与温度传感器电路300的输出电压V100相等，但即便在调整后也出现图中的ΔV那样的偏差。
该参考电压V101的偏差ΔV在温度检测电路中成为引起检测温度的偏差ΔT的因素。于是，在传统温度检测电路中，通过使恒流源310具有负温度特性或增加二极管320的串联连接数目，来使输出电压V100的温度梯度陡峭，以抑制参考电压V101的偏差ΔV对检测温度的偏差ΔT产生的影响。
在温度检测电路中，当变更检测的温度时，一般变更基准电压电路200的参考电压V101，而不更改温度传感器电路300的特性。
但是，在上述的温度检测电路中，如图13所示，当考虑两个规定温度Tx和Ty的场合，在温度低于Tx的Ty时的参考电压V101y的电位高于V101x。即，规定温度的设定范围越向低温侧扩大，输出电压V100和参考电压V101就越高，存在使温度检测电路的最低工作电压上升的问题。相反，在利用具有正温度梯度的温度传感器电路的场合，规定温度的设定范围越向高温侧扩大，输出电压V100和参考电压V101就越高，存在使温度检测电路的最低工作电压上升的问题。
发明内容
本发明鉴于传统技术的上述问题构思而成，其目的在于即便扩大检测温度范围的场合也抑制最低工作电压的上升。
为了解决传统技术的问题，本发明的温度检测电路采用如下结构。
一种温度检测电路，其特征在于包括：输出对应于温度的输出电压的温度传感器电路；输出参考电压的基准电压电路；比较所述温度传感器电路的输出电压和所述参考电压的比较电路；以及输入控制信号和所述比较电路的输出信号，输出以规定温度为界反相的检测信号的逻辑电路，其中，所述温度传感器电路具有调整所述输出电压的特性的功能，所述逻辑电路具有根据所述控制信号在所述比较电路的输出信号的有效范围内使检测信号反相的功能。
(发明效果)
依据本发明的温度检测电路，由于温度传感器电路具有调整输出电压特性的功能，且逻辑电路具有根据控制信号在比较电路的输出信号的有效范围内使检测信号反相的功能，即便扩大检测温度范围的情况下也能抑制最低工作电压的上升。
附图说明
图1是本发明的温度检测电路的结构示意图。
图2是本发明第一实施方式的温度检测电路中的温度传感器电路的示意图。
图3是图2的温度传感器电路的特性示意图。
图4是本发明第一实施方式的温度检测电路的工作示意图。
图5是本发明第二实施方式的温度检测电路中的温度传感器电路的示意图。
图6是图5的温度传感器电路的特性示意图。
图7是本发明第二实施方式的温度检测电路的工作示意图。
图8是本发明第二实施方式的另一例温度传感器电路的示意图。
图9是图8的温度传感器电路的特性示意图。
图10是本发明第二实施方式的另一例温度检测电路的工作示意图。
图11是传统温度检测电路的结构示意图。
图12是传统温度检测电路的特性示意图。
图13是传统温度检测电路的特性示意图。
(符号说明)
001正电源端子；002负电源端子；100温度传感器电路的输出端子；101基准电压电路的输出端子；102比较器的输出端子；200基准电压电路；300、300a、300b温度传感器电路；310、311恒流源；320、321二极管；330、331、332开关；400比较器；500逻辑电路；600输入端子；700输出端子；V100端子100的电压；V101、V101x、V101y端子101的电压；V102端子102的电压；V600端子600的电压；V700端子700的电压。
具体实施方式
以下，参照附图，详细说明本发明的实施方式。
(实施方式1)
图1是第一实施方式的温度检测电路的结构示意图。图2是表示一例第一实施方式的温度检测电路中的温度传感器电路300的电路图。
第一实施方式的温度检测电路由正电源端子001、负电源端子002、基准电压电路200、温度传感器电路300、比较器400、逻辑电路500、输入端子600、及输出端子700构成。
基准电压电路200的负极与负电源端子002连接、以正极作为输出端子101，与比较器400的反相输入端子连接。基准电压电路200的参考电压通过利用熔丝补偿或EEPROM变更电阻或MOS晶体管等元件尺寸来进行调整，从而在规定温度下输出与温度传感器电路300的输出电压相等的参考电压。
温度传感器电路300的输出端子100与比较器400的非反相输入端子连接。温度传感器电路300例如图2所示，由以下部分构成：温度传感器电路300a，由正电源端子001、负电源端子002、恒流源310、及二极管320构成，且恒流源320的一端与正电源端子001连接，另一端与二极管320的阳极连接，二极管320的阴极与负电源端子002连接，以二极管320的阳极作为输出端子，输出具有负温度梯度的电压；温度传感器电路300b，由正电源端子001、负电源端子002、恒流源311、及二极管321构成，且恒流源321的一端与负电源端子002连接，另一端与二极管321的阴极连接，二极管321的阳极与正电源端子001连接，以二极管321的阴极作为输出端子，输出具有正温度梯度的电压；选择温度传感器电路300a和温度传感器电路300b中的某一个温度传感器电路的开关330、331；以及输出端子100。其中，温度传感器电路300a或温度传感器电路300b的输出电压输出到端子100。
在此，温度传感器电路300a和300b可为输出具有正负不同且大小相等的温度梯度的电压的温度传感器电路，如图2所示，温度传感元件并不限于一个二极管，可为多个二极管串联连接的温度传感元件，或者由电阻等具有温度特性的元件组合构成。
比较器400的输出端子102与逻辑电路500的一个输入端子连接。比较器400比较基准电压电路200的参考电压和温度传感器电路300的输出电压，并根据比较结果输出负电源电位或正电源电位。
逻辑电路500的另一输入端子与输入端子600连接，输出端子与温度检测电路的输出端子700连接。逻辑电路500响应比较器400的输出信号和从输入端子600输入的控制信号，向端子700输出负电源电位或正电源电位。该场合的逻辑电路500例如可由OR电路构成。
接着，就第一实施方式的温度检测电路的工作进行说明。图3是第一实施方式的温度传感器电路的输出特性的示意图。3a表示温度传感器电路300a的输出电压，3b表示温度传感器电路300b的输出电压。
图4是第一实施方式的温度检测电路的工作示意图。V100表示温度传感器电路300的输出端子100的电压，V101表示基准电压电路200的输出端子101的电压，V102表示比较器400的输出端子102的电压，V600表示输入端子600的电压，V700表示温度检测电路的输出端子700的电压。
由于温度传感器电路300a、300b的输出电压具有图3所示的3a、3b那样的特性，温度传感器电路300的输出电压V100是例如通过控制开关330、331选择各电压中低的一方来获得的。若设温度传感器电路300a、300b的输出电压具有交点的温度为Ta，则V100在小于温度Ta的范围内相对于温度以一定温度梯度上升，以温度Ta为顶点，在温度Ta以上的范围内以同样的温度梯度降低。
若利用具有这种温度特性的温度传感器电路，则在将规定温度Tx设定为低于Ta的温度时，与利用图3所示的3a那样特性的温度传感器电路的场合相比，可将参考电压V101设定为更低。但是，图4的V100和V101在包含规定温度Tx的2个温度上具有交点，因此比较器400可在该2个温度上进行切换输出逻辑的工作。于是，通过从输入端子600输入如V600那样的控制信号，使输出电压V700仅在检测温度1点上进行切换输出逻辑的工作。可检测出规定温度。
在此，控制开关330、331的信号可为将比较温度传感器电路300a或300b的输出电压和未图示的另一基准电压电路输出的参考电压而生成的逻辑进行反相的信号，也可为将比较温度传感器电路300a的输出电压和300b的输出电压而生成的逻辑进行反相的信号。另外，输入到输入端子600的控制信号可为与控制开关330、331的信号相同的信号，也可任意地从外部输入信号。
温度传感器电路300a和300b输出具有正负不同且大小相等的温度梯度的电压，无论将规定温度设定在哪个区域中，检测温度的精度都不会改变。在图4中，记载了规定温度Tx设定为低于Ta的温度时的工作，但是当规定温度Tx设定为高于Ta的温度时，控制信号V600输入反相的信号即可。
依据如以上那样构成的第一实施方式的温度检测电路，在维持检测温度精度的情况下扩大检测温度的设定范围时，可抑制温度检测电路的最低工作电压的上升。
(实施方式2)
图5是第二实施方式的温度检测电路中的温度传感器电路的电路图。第二实施方式的温度检测电路的温度传感器电路300由恒流源310、311、二极管320、及开关332、333构成。
恒流源310的一端与正电源端子001连接，另一端与开关332连接，恒流源311的一端与正电源端子001连接，另一端与开关333连接，二极管320的阴极侧电极与负电源端子002连接，阳极侧电极与开关332的另一端和开关333的另一端和输出端子100连接。
接着，就该温度检测电路的工作进行说明。图6的3c是在图5的温度传感器电路300中，恒流源310向二极管320供电时输出端子100的电压，3是恒流源311向二极管320供电时输出端子100的电压。图7的V100是温度传感器电路300的输出端子100的电压，V101是基准电压电路200的输出端子101的电压，V102是比较器400的输出端子102的电压，V600是输入端子600的电压，V700是温度检测电路的输出端子700的电压。又，该场合的逻辑电路500可由例如使控制信号V600反相后输入的NAND电路构成。
通过根据温度控制开关332、333并调整向二极管320供电的恒流值，可获得图7所示的V100那样的特性。若使用具有这种温度特性的温度传感器电路，则在将规定温度Tx设定为低于Ta的温度时，可将参考电压V101设定为比使用图6所示的3c那样特性的温度传感器电路时更低。但是，图7的V100和V101在包含规定温度Tx的2个温度上具有交点，因此比较器400在2个温度上进行切换输出逻辑的工作。于是，通过从输入端子600输入如V600那样的控制信号，输出电压V700可只在检测温度1点上进行切换输出逻辑的工作，可检测出规定温度。
在此，控制开关332、333的信号可为比较温度传感器电路300的输出电压和未图示的另一基准电压电路输出的参考电压，并根据所述输出电压是否高于所述参考电压来使逻辑反相的信号。另外，输入到输入端子600的控制信号可为与控制开关330、331的信号相同的信号，也可为任意地从外部输入的信号。
在低温时为了降低温度传感器电路的输出电压，可考虑减少串联连接的二极管数目的方案，但在这时，温度传感器电路的输出电压的温度梯度会变小，在低温侧检测温度精度会恶化。因此，如本发明的电路那样，最好在不改变串联连接的二极管数目的情况下，根据调整电流值来降低电压电平。
依据上述那样的第二实施方式的温度检测电路，在维持检测温度精度并扩大检测温度的设定范围的场合，可抑制温度检测电路的最低工作电压的上升。
另外，在第二实施方式的温度检测电路中，采用如图9所示特性的二极管320时，可通过作成如图8所示温度传感器电路的电路结构来获得同样的效果。
图10示出比较器400的输出端子102的电压V102、输入端子600的电压V600、温度传感器电路300的输出端子100的电压V100、基准电压电路200的输出端子101的电压V101的工作波形，以及此时的温度检测电路的输出端子700的电压V700的输出波形。此时的逻辑电路500可由例如NAND电路构成。
在此，控制开关332、333的信号可为比较温度传感器电路300的输出电压和未图示的另一基准电压电路输出的参考电压，并根据所述输出电压是否高于所述参考电压来使逻辑反相的信号。另外，输入到输入端子600的控制信号可为与控制开关330、331的信号相同的信号，也可为任意地从外部输入的信号。另外，输入到输入端子600的控制信号可为与控制开关332、333的信号相同的信号，也可在设定规定温度和参考电压时固定逻辑。
为了在高温时降低温度传感器电路的输出电压，可考虑减少串联连接的二极管数目的方案，但是在这时，温度传感器电路的输出电压的温度梯度会变小，在高温侧检测温度精度会恶化。因此，如本发明的电路那样，最好在不改变串联连接的二极管数目的情况下，根据调整电流值来降低电压电平。
依据如上述的温度检测电路，也同样地，在维持检测温度精度并扩大检测温度的设定范围时，可抑制温度检测电路的最低工作电压的上升。

Claims (2)

1.一种温度检测电路，其特征在于包括：
温度传感器电路，输出对应于温度的输出电压，所述温度传感器电路具有调整所述输出电压的特性的功能；
基准电压电路，输出参考电压；
比较电路，比较所述温度传感器电路的输出电压和所述参考电压；以及
逻辑电路，输入控制信号和所述比较电路的输出信号，根据输入的所述控制信号在所述比较电路的输出信号的有效范围内，输出以规定温度为界反相的检测信号，
所述温度传感器电路，具有：第一温度传感器电路，其具备与正电源端子连接的第一温度传感元件、和在所述第一温度传感元件与负电源端子之间设置的第一恒流电路，所述第一温度传感器电路输出对应于温度的输出电压；第二温度传感器电路，其具备与正电源端子连接的第二恒流电路、和在所述第二恒流电路与负电源端子之间设置的第二温度传感元件，所述第二温度传感器电路输出对应于温度的输出电压；以及开关电路，选择所述第一温度传感器电路的输出电压与所述第二温度传感器电路的输出电压中低的一方作为输出电压加以输出，
所述第一温度传感器电路的输出电压与所述第二温度传感器电路的输出电压的温度特性的斜度为绝对值相等且符号相反。
2.如权利要求1所述的温度检测电路，其特征在于：所述温度传感元件是二极管。
CN200910118047.7A 2008-02-18 2009-02-18 温度检测电路 Expired - Fee Related CN101514925B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008036433 2008-02-18
JP2008-036433 2008-02-18
JP2008036433A JP5060988B2 (ja) 2008-02-18 2008-02-18 温度検出回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101514925A CN101514925A (zh) 2009-08-26
CN101514925B true CN101514925B (zh) 2014-03-05

Family

ID=40954567

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200910118047.7A Expired - Fee Related CN101514925B (zh) 2008-02-18 2009-02-18 温度检测电路

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7880528B2 (zh)
JP (1) JP5060988B2 (zh)
CN (1) CN101514925B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109710015A (zh) * 2018-12-29 2019-05-03 西安紫光国芯半导体有限公司 一种门延时稳定电路及方法

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010151458A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Seiko Instruments Inc 温度検出回路
DE102009023354B3 (de) * 2009-05-29 2010-12-02 Austriamicrosystems Ag Schaltungsanordnung und Verfahren zur Temperaturmessung
JP5250501B2 (ja) * 2009-08-04 2013-07-31 ルネサスエレクトロニクス株式会社 温度検出回路
JP5389635B2 (ja) * 2009-12-25 2014-01-15 セイコーインスツル株式会社 温度検出システム
US8432214B2 (en) * 2011-03-21 2013-04-30 Freescale Semiconductor, Inc. Programmable temperature sensing circuit for an integrated circuit
JP5327258B2 (ja) * 2011-03-30 2013-10-30 ブラザー工業株式会社 インクジェット記録装置
US8896349B2 (en) * 2011-06-16 2014-11-25 Freescale Semiconductor, Inc. Low voltage detector
KR101276947B1 (ko) * 2011-06-27 2013-06-19 엘에스산전 주식회사 저전력, 고정밀, 넓은 온도범위의 온도 센서
JP5738141B2 (ja) * 2011-09-20 2015-06-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及び温度センサシステム
US9316542B2 (en) * 2012-09-27 2016-04-19 Freescale Semiconductor, Inc. Thermal sensor system and method based on current ratio
JP6168810B2 (ja) * 2013-03-27 2017-07-26 キヤノン株式会社 インクジェット記録装置、検出方法
US9035693B2 (en) * 2013-08-14 2015-05-19 Nanya Technology Corporation Temperature detecting apparatus, switch capacitor apparatus and voltage integrating circuit thereof
JP2015122635A (ja) * 2013-12-24 2015-07-02 三菱プレシジョン株式会社 増幅回路
JP6353689B2 (ja) * 2014-04-24 2018-07-04 エイブリック株式会社 過熱検出回路及び半導体装置
CN104132761B (zh) 2014-08-04 2016-01-27 中国矿业大学 多点煤岩体应力实时监测装置及方法
JP6450184B2 (ja) 2014-12-24 2019-01-09 エイブリック株式会社 過熱検出回路及び半導体装置
CN105987764A (zh) * 2015-02-04 2016-10-05 核工业北京地质研究院 一种快速测量井下测温探管
CN106468600B (zh) * 2015-08-19 2019-02-12 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 校正电路及装置、温度检测电路及方法、测试方法
JP6149953B1 (ja) * 2016-02-01 2017-06-21 オンキヨー株式会社 保護回路、及び、スイッチング電源
CN106525262A (zh) * 2016-10-13 2017-03-22 安徽万瑞冷电科技有限公司 一种二极管温度变送器及其变送方法
CN106502299B (zh) * 2016-12-20 2017-11-28 华通信安(北京)科技发展有限公司 一种温控调压电路
CN107066016B (zh) * 2017-05-25 2018-08-24 华通信安(北京)科技发展有限公司 一种温控调压电路
CN109375671A (zh) * 2018-10-17 2019-02-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示器及其感温调控模块
US11125629B2 (en) 2018-12-04 2021-09-21 Nxp Usa, Inc. Temperature detection circuitry
US10429879B1 (en) 2018-12-04 2019-10-01 Nxp Usa, Inc. Bandgap reference voltage circuitry
CN110968144B (zh) * 2019-11-25 2022-01-18 上海申矽凌微电子科技有限公司 基于温度传感器电路的模拟输出方法、系统、介质及设备

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101101911A (zh) * 2006-07-06 2008-01-09 株式会社理光 温度检测方法,温度检测电路及半导体装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3139194B2 (ja) * 1993-02-17 2001-02-26 富士電機株式会社 半導体素子用温度検出回路装置
JPH0714340A (ja) * 1993-06-24 1995-01-17 Sony Corp データカートリッジ
JP4753531B2 (ja) * 2003-02-05 2011-08-24 株式会社リコー 半導体集積回路における温度検出回路
JP4219750B2 (ja) * 2003-06-26 2009-02-04 シャープ株式会社 Ｉｃチップの温度保護回路
US7193543B1 (en) * 2005-09-02 2007-03-20 Standard Microsystems Corporation Conversion clock randomization for EMI immunity in temperature sensors
DE102005045635B4 (de) * 2005-09-23 2007-06-14 Austriamicrosystems Ag Anordnung und Verfahren zur Bereitstellung eines temperaturabhängigen Signals
US7484886B2 (en) * 2006-05-03 2009-02-03 International Business Machines Corporation Bolometric on-chip temperature sensor

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101101911A (zh) * 2006-07-06 2008-01-09 株式会社理光 温度检测方法,温度检测电路及半导体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109710015A (zh) * 2018-12-29 2019-05-03 西安紫光国芯半导体有限公司 一种门延时稳定电路及方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009192507A (ja) 2009-08-27
US7880528B2 (en) 2011-02-01
JP5060988B2 (ja) 2012-10-31
US20090206912A1 (en) 2009-08-20
CN101514925A (zh) 2009-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101514925B (zh) 温度检测电路
US10432176B2 (en) Relaxation oscillators with reduced errors or no errors in output frequencies caused by changes in temperatures and/or fabrication processes
US10804694B2 (en) Over-temperature protection circuitry and driving method
US7579898B2 (en) Temperature sensor device and methods thereof
CN100370237C (zh) 具有调整功能的温度传感器电路及其调整方法
JP4765858B2 (ja) 温度検出装置
CN107750420B (zh) 电压生成电路及过电流检测电路
CN100438264C (zh) 充电电路、设有该电路的半导体装置
TWI424441B (zh) 溫度感測系統以及相關溫度感測方法
KR101445424B1 (ko) 검출 회로 및 센서 장치
US20060256494A1 (en) Overheat detecting circuit
JP2012222681A (ja) 半導体スイッチング素子駆動装置
US11454655B2 (en) Current detection apparatus
US9874479B2 (en) Temperature detection device
US8371750B2 (en) Physical quantity detecting apparatus
US20080159038A1 (en) Semiconductor memory device and method for driving the same
JP2011250196A (ja) タイマー回路
JP5310219B2 (ja) 物理量検出装置
US7902844B2 (en) Voltage drop measurement circuit
CN104377759A (zh) 一种充电控制电路及电压调整方法
JP5309637B2 (ja) 充電制御用半導体集積回路
JP5904129B2 (ja) 補正回路、及び、その製造方法
CN212160033U (zh) 一种电源电压的检测电路
CN118174242B (zh) 过温保护电路和过温保护结构
WO2023085045A1 (ja) 温度検知装置、温度検知方法及びコンピュータプログラム

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20160316

Address after: Chiba County, Japan

Patentee after: SEIKO INSTR INC

Address before: Chiba, Chiba, Japan

Patentee before: Seiko Instruments Inc.

CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Chiba County, Japan

Patentee after: EPPs Lingke Co. Ltd.

Address before: Chiba County, Japan

Patentee before: SEIKO INSTR INC

CP01 Change in the name or title of a patent holder
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20140305

Termination date: 20190218

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee