JP6353689B2 - 過熱検出回路及び半導体装置 - Google Patents
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Description
図3は、従来の過熱検出回路の回路図である。従来の過熱検出回路は、基準電圧部10、感温部20、コンパレータ30を備えている。従来の過熱検出回路は、感温素子であるPN接合素子21に生じる電圧と、基準電圧回路11が出力する基準電圧Vrefとを、コンパレータ30が比較判定することにより、過熱状態を検出する。PN接合素子21に生じる電圧は、PN接合素子21が定電流回路22の定電流でバイアスされている限り、基本的には負の温度特性を示す。周囲の温度が高くなり、PN接合素子21に生じる電圧が基準電圧Vrefを下回ると、コンパレータ30が過熱状態を示す信号を出力する。
感温素子であるPN接合素子と、PN接合素子にバイアス電流を供給する定電流回路と、PN接合素子が発生する電圧と基準電圧とを比較するコンパレータと、高温において基準電圧回路にリーク電流を流す第二PN接合素子と、高温において定電流回路のリーク電流をバイパスする第三PN接合素子と、を備えた構成とした。
図1は、本実施形態の過熱検出回路の回路図である。
本実施形態の過熱検出回路は、基準電圧部10と、感温部20と、コンパレータ30を備えている。基準電圧部10は、基準電圧回路11と、PN接合素子12と、を備えている。感温部20は、PN接合素子21と、定電流回路22と、PN接合素子23と、を備えている。PN接合素子21は、感温素子である。PN接合素子12とPN接合素子23は、高温時にリーク電流を調整するための素子である。
コンパレータ30は、PMOSトランジスタ31、32と、NMOSトランジスタ33、34、37と、定電流回路35、36と、PN接合素子38と、を備えている。PMOSトランジスタ31、32とNMOSトランジスタ33、34と定電流回路35は、初段アンプを構成している。NMOSトランジスタ37と定電流回路36は、2段目のアンプを構成している。PN接合素子38は、高温時にリーク電流を流して、出力端子をプルダウンするための素子である。
コンパレータ30は、基準電圧Vrefと電圧Vpnが入力され、その比較結果を出力端子から過熱検出回路の出力端子OUTに出力する。
感温素子であるPN接合素子21は、温度に応じた電圧Vpnを発生する。コンパレータ30は、基準電圧回路11が出力する基準電圧Vrefと電圧Vpnを、比較判定することにより、過熱状態を検出する。
12、21、23 PN接合素子
20 感温部
22、35 定電流回路
30 コンパレータ
Claims (3)
- 感温素子であるPN接合素子と、
前記PN接合素子にバイアス電流を供給する定電流回路と、
基準電圧を出力する基準電圧回路と、
前記PN接合素子が発生する電圧と前記基準電圧とを比較するコンパレータと、を備えた過熱検出回路であって、
高温において前記基準電圧回路にリーク電流を流す第二PN接合素子と、
高温において前記定電流回路のリーク電流をバイパスする第三PN接合素子と、を備えたことを特徴とする過熱検出回路。 - 前記コンパレータは、
前記PN接合素子が発生する電圧と前記基準電圧とが入力される差動増幅回路と、
前記差動増幅回路の出力がゲートに入力されるMOSトランジスタと、
前記MOSトランジスタのドレインに接続された第二定電流回路と、
前記第二定電流回路に接続され、高温においてリーク電流を流す第四PN接合素子と、を備え、
前記MOSトランジスタと前記第二定電流回路の接続点が前記コンパレータの出力端子であることを特徴とする請求項1記載の過熱検出回路。 - 請求項1または2記載の過熱検出回路を備えた半導体装置。
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