JP2014153156A - 温度検知回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】標準CMOSプロセスを用いた回路構成で、精度よく温度検知が可能な温度検知回路を提供する。
【解決手段】第1のV−T特性に設定され所定の電流値のミラー電流Iを生成するバンドギャップリファレンス回路(BGR回路)10と、ミラー電流Iにより第2のV−T特性に設定される検知回路20と、バンドギャップリファレンス回路10の第1の検出電圧VTEMP1と検知回路20の第2の検出電圧VTEMP2とを比較することにより検知回路20により検知される検知温度が設定温度Tsに達したことを検出するコンパレータ回路30と、を有して温度検知回路を構成する。
【選択図】図1
【解決手段】第1のV−T特性に設定され所定の電流値のミラー電流Iを生成するバンドギャップリファレンス回路(BGR回路)10と、ミラー電流Iにより第2のV−T特性に設定される検知回路20と、バンドギャップリファレンス回路10の第1の検出電圧VTEMP1と検知回路20の第2の検出電圧VTEMP2とを比較することにより検知回路20により検知される検知温度が設定温度Tsに達したことを検出するコンパレータ回路30と、を有して温度検知回路を構成する。
【選択図】図1
Description
本発明は、温度検知回路に関する。
従来、温度検知回路としては、バイポーラトランジスタを使用して過熱検知する過熱検知回路が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
上記特許文献1に記載の過熱検知回路は、逆バイアスされたダイオードと、そのダイオードのリーク電流がそのベース電流となるように接続されたNPNトランジスタとを備え、温度上昇によるダイオードのリーク電流の増加をNPNトランジスタの動作点の変化として捉えてパワーデバイスの温度異常を検知する。この回路によれば、ダイオード及びNPNトランジスタをパワーデバイスまたはパワーデバイス駆動集積回路と同一の半導体基板に形成することにより低コスト化及び小型化が図られる、とされている。
しかし、標準CMOSプロセスによる回路では、バイポーラトランジスタを使用することができない。また、バイポーラトランジスタを使用せずに、抵抗とダイオード等による温度検知回路では、検知温度が電源電圧依存性を持つため、検知温度を精度よく決められないという問題があった。
従って、本発明の目的は、標準CMOSプロセスを用いた回路構成で、精度よく温度検知が可能な温度検知回路を提供することにある。
[1]本発明は、上記目的を達成するため、第1のV−T特性に設定され所定の電流値のミラー電流を生成するバンドギャップリファレンス回路と、前記ミラー電流により第2のV−T特性に設定される検知回路と、前記バンドギャップリファレンス回路の第1の検出電圧と前記検知回路の第2の検出電圧とを比較することにより前記検知回路により検知される検知温度が設定温度に達したことを検出するコンパレータ回路と、を有することを特徴とする温度検知回路を提供する。
[2]前記温度検知回路は、CMOSプロセスにより形成されていることを特徴とする上記[1]に記載の温度検知回路であってもよい。
[3]また、前記設定温度は、前記バンドギャップリファレンス回路内の抵抗比、前記検知回路の抵抗との比、及び、前記バンドギャップリファレンス回路内のダイオード数の比により設定されることを特徴とする上記[1]又は[2]に記載の温度検知回路であってもよい。
[4]また、前記設定温度は、過熱温度であることを特徴とする上記[1]から[3]のいずれか1に記載の温度検知回路であってもよい。
本発明によれば、標準CMOSプロセスを用いた回路構成で、精度よく温度検知が可能な温度検知回路を提供することができる。
(本発明の実施の形態)
図1は、本発明の実施の形態に係る温度検知回路の回路図である。本発明の実施の形態に係る温度検知回路1は、第1のV−T特性に設定され所定の電流値のミラー電流Iを生成するバンドギャップリファレンス回路(BGR回路)10と、ミラー電流Iにより第2のV−T特性に設定される検知回路20と、バンドギャップリファレンス回路10の第1の検出電圧VTEMP1と検知回路20の第2の検出電圧VTEMP2とを比較することにより検知回路20により検知される検知温度が設定温度Tsに達したことを検出するコンパレータ回路30と、を有して構成されている。
図1は、本発明の実施の形態に係る温度検知回路の回路図である。本発明の実施の形態に係る温度検知回路1は、第1のV−T特性に設定され所定の電流値のミラー電流Iを生成するバンドギャップリファレンス回路(BGR回路)10と、ミラー電流Iにより第2のV−T特性に設定される検知回路20と、バンドギャップリファレンス回路10の第1の検出電圧VTEMP1と検知回路20の第2の検出電圧VTEMP2とを比較することにより検知回路20により検知される検知温度が設定温度Tsに達したことを検出するコンパレータ回路30と、を有して構成されている。
ここで、検知温度は、検知回路20の温度、又は、その周囲の温度である。
(バンドギャップリファレンス回路10)
バンドギャップリファレンス回路(BGR回路)10は、図1の左側の3列で構成されている。このバンドギャップリファレンス回路10の左列のPMOSトランジスタP1、NMOSトランジスタN1、ダイオードD1は、電源電圧VccとグランドGNDの間に直列に接続されている。中列のPMOSトランジスタP2、NMOSトランジスタN2、抵抗R1、ダイオードD2は、電源電圧VccとグランドGNDの間に直列に接続されている。また、右列のPMOSトランジスタP3、検出抵抗R2、ダイオードD3は、電源電圧VccとグランドGNDの間に直列に接続されている。
バンドギャップリファレンス回路(BGR回路)10は、図1の左側の3列で構成されている。このバンドギャップリファレンス回路10の左列のPMOSトランジスタP1、NMOSトランジスタN1、ダイオードD1は、電源電圧VccとグランドGNDの間に直列に接続されている。中列のPMOSトランジスタP2、NMOSトランジスタN2、抵抗R1、ダイオードD2は、電源電圧VccとグランドGNDの間に直列に接続されている。また、右列のPMOSトランジスタP3、検出抵抗R2、ダイオードD3は、電源電圧VccとグランドGNDの間に直列に接続されている。
上記のPMOSトランジスタP1、PMOSトランジスタP2、PMOSトランジスタP3は、同一サイズのトランジスタとして構成され、それぞれのゲートがPMOSトランジスタP2のドレインに接続されている。また、NMOSトランジスタN1、NMOSトランジスタN2は、同一サイズのトランジスタとして構成され、それぞれのゲートがNMOSトランジスタN1のドレインに接続されている。
したがって、PMOSトランジスタP1、PMOSトランジスタP2、PMOSトランジスタP3とNMOSトランジスタN1、NMOSトランジスタN2は、それぞれ、カレントミラー回路を構成する。よって、それぞれの回路を流れる電流は同一のミラー電流Iとなる。
上記の構成において、ダイオードD1、D2、D3は、それぞれ、1個、K個、1個のダイオードで構成され、ダイオードD2はそのK個が並列に接続されて形成されている。
電源電圧Vcc、グランドGNDの電位は、左列、中列、右列のすべてに共通である。
右列のPMOSトランジスタP3のソースと検出抵抗R2の接続点の電位は、第1の検出電圧VTEMP1とされている。
(検知回路20)
検知回路20は、PMOSトランジスタP4、検出抵抗R3から構成され、このPMOSトランジスタP4と検出抵抗R3が電源電圧VccとグランドGNDの間に直列に接続されて構成されている。
検知回路20は、PMOSトランジスタP4、検出抵抗R3から構成され、このPMOSトランジスタP4と検出抵抗R3が電源電圧VccとグランドGNDの間に直列に接続されて構成されている。
この検知回路20の電源電圧Vcc、グランドGNDの電位は、バンドギャップリファレンス回路10と共通である。
PMOSトランジスタP4のソースと検出抵抗R3の接続点の電位は、第2の検出電圧VTEMP3とされている。
(コンパレータ回路30)
コンパレータ回路(比較回路)30は、オペアンプにより構成することができる。非反転入力端子には第1の検出電圧VTEMP1が入力され、反転入力端子には第2の検出電圧VTEMP2が入力される。第2の検出電圧VTEMP2が第1の検出電圧VTEMP1より大きくなると、コンパレータ回路30の出力端子の出力VTは、LレベルからHレベルに反転して出力される。これにより、設定温度Tsに到達したことが検知できる。
コンパレータ回路(比較回路)30は、オペアンプにより構成することができる。非反転入力端子には第1の検出電圧VTEMP1が入力され、反転入力端子には第2の検出電圧VTEMP2が入力される。第2の検出電圧VTEMP2が第1の検出電圧VTEMP1より大きくなると、コンパレータ回路30の出力端子の出力VTは、LレベルからHレベルに反転して出力される。これにより、設定温度Tsに到達したことが検知できる。
上記示したバンドギャップリファレンス回路10、検知回路20、コンパレータ回路(比較回路)30は、他の回路と同様に、同一基板上に、標準CMOSプロセスにより形成することができる。
(V−T特性)
図2は、横軸温度と縦軸電圧の関係を示すものであり、バンドギャップリファレンス回路10の検出電圧VTEMP1(V)及び検知回路20の検出電圧VTEMP2(V)と温度T(K)との関係を示すV−T特性図である。
図2は、横軸温度と縦軸電圧の関係を示すものであり、バンドギャップリファレンス回路10の検出電圧VTEMP1(V)及び検知回路20の検出電圧VTEMP2(V)と温度T(K)との関係を示すV−T特性図である。
以上に基づいて、バンドギャップリファレンス回路10の検出電圧VTEMP1(V)と温度T(K)との関係を示す第1のV−T特性を示すと図1のようになる。
以上に基づいて、バンドギャップリファレンス回路10の検出電圧VTEMP2(V)と温度T(K)との関係を示す第2のV−T特性を示すと図1のようになる。
ここで、VD3は、ダイオードD3の順方向ドロップ電圧(V)、KBは、ボルツマン定数で、1.38×10―23(J/K)、eは、電気素量で、1.60×10―19(クーロン)、Kは、ダイオードD1(1個)とダイオードD2(K個)の個数比、R1、R2、R3は、それぞれ抵抗値(Ω)である。
上記の式から、検知温度Tは、抵抗比、R1/R2、R2/R3、及び、ダイオードD1とD2の個数比Kで設定することができる。すなわち、設定温度は、バンドギャップリファレンス回路10内の抵抗比R1/R2、検知回路20の抵抗との比R2/R3、及び、バンドギャップリファレンス回路10内のダイオード数の比Kにより設定される。このように設定される設定温度Tsは、特定の温度を検知するために適宜設定することができ、また、ある一定温度以上になる過熱検知のための過熱温度として設定することもできる。
(本発明の実施の形態の効果)
本発明の実施の形態に係る温度検知回路1は、次のような効果を有する。
(1)温度検知回路1は、バンドギャップリファレンス回路がPMOS、NMOSトランジスタ等により構成されるので、すべての回路を標準CMOSプロセスを用いた回路構成とすることができる。
(2)また、従来から使用されるバンドギャップリファレンス回路にコンパレータ回路を追加するのみで温度検知回路を構成できるので、回路面積を小さくすることが可能になる。
(3)本実施の形態に係る温度検知回路を含むIC回路が基準電圧源を含む構成の場合は、その基準電圧源とバンドギャップリファレンス回路を共通とすることができる。
(4)検知温度Tは、バンドギャップリファレンス回路10内の抵抗比R1/R2、検知回路20の抵抗との比R2/R3、及び、バンドギャップリファレンス回路10内のダイオード数の比Kにより設定される。したがって、検知温度Tは、電源電圧に比例しないので、電源電圧の変動にも強い高精度な温度検知が可能な温度検知回路を実現することができる。
(5)また、抵抗比により検知温度Tが得られるので、抵抗の絶対値に比例しない高精度な温度検知が可能な温度検知回路を実現することができる。
(6)温度検知回路で設定される設定温度Tsは、特定の温度を検知するために適宜設定することができ、また、ある一定温度以上になる過熱検知のための過熱温度として設定することもできる。
本発明の実施の形態に係る温度検知回路1は、次のような効果を有する。
(1)温度検知回路1は、バンドギャップリファレンス回路がPMOS、NMOSトランジスタ等により構成されるので、すべての回路を標準CMOSプロセスを用いた回路構成とすることができる。
(2)また、従来から使用されるバンドギャップリファレンス回路にコンパレータ回路を追加するのみで温度検知回路を構成できるので、回路面積を小さくすることが可能になる。
(3)本実施の形態に係る温度検知回路を含むIC回路が基準電圧源を含む構成の場合は、その基準電圧源とバンドギャップリファレンス回路を共通とすることができる。
(4)検知温度Tは、バンドギャップリファレンス回路10内の抵抗比R1/R2、検知回路20の抵抗との比R2/R3、及び、バンドギャップリファレンス回路10内のダイオード数の比Kにより設定される。したがって、検知温度Tは、電源電圧に比例しないので、電源電圧の変動にも強い高精度な温度検知が可能な温度検知回路を実現することができる。
(5)また、抵抗比により検知温度Tが得られるので、抵抗の絶対値に比例しない高精度な温度検知が可能な温度検知回路を実現することができる。
(6)温度検知回路で設定される設定温度Tsは、特定の温度を検知するために適宜設定することができ、また、ある一定温度以上になる過熱検知のための過熱温度として設定することもできる。
本発明に係る代表的な実施の形態及び図示例を例示したが、上記実施の形態、及び図示例は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。従って、上記実施の形態、及び図示例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
1…温度検知回路
10…バンドギャップリファレンス回路
20…検知回路
30…コンパレータ回路
P1、P2、P3、P4…PMOSトランジスタ
N1、N2…NMOSトランジスタ
D1、D2、D3…ダイオード
R1…抵抗
R2…検出抵抗
R3…検出抵抗
VTEMP1…第1の検出電圧
VTEMP2…第2の検出電圧
I…ミラー電流
Ts…設定温度
10…バンドギャップリファレンス回路
20…検知回路
30…コンパレータ回路
P1、P2、P3、P4…PMOSトランジスタ
N1、N2…NMOSトランジスタ
D1、D2、D3…ダイオード
R1…抵抗
R2…検出抵抗
R3…検出抵抗
VTEMP1…第1の検出電圧
VTEMP2…第2の検出電圧
I…ミラー電流
Ts…設定温度
Claims (4)
- 第1のV−T特性に設定され所定の電流値のミラー電流を生成するバンドギャップリファレンス回路と、
前記ミラー電流により第2のV−T特性に設定される検知回路と、
前記バンドギャップリファレンス回路の第1の検出電圧と前記検知回路の第2の検出電圧とを比較することにより前記検知回路により検知される検知温度が設定温度に達したことを検出するコンパレータ回路と、
を有することを特徴とする温度検知回路。 - 前記温度検知回路は、CMOSプロセスにより形成されていることを特徴とする請求項1に記載の温度検知回路。
- 前記設定温度は、前記バンドギャップリファレンス回路内の抵抗比、前記検知回路の抵抗との比、及び、前記バンドギャップリファレンス回路内のダイオード数の比により設定されることを特徴とする請求項1又は2に記載の温度検知回路。
- 前記設定温度は、過熱温度であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の温度検知回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2013022295A JP2014153156A (ja) | 2013-02-07 | 2013-02-07 | 温度検知回路 |
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JP2013022295A Pending JP2014153156A (ja) | 2013-02-07 | 2013-02-07 | 温度検知回路 |
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Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005017139A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Sharp Corp | 温度判定回路およびicチップの温度保護回路 |
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2013
- 2013-02-07 JP JP2013022295A patent/JP2014153156A/ja active Pending
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