JP2010014445A - 半導体温度センサ - Google Patents
半導体温度センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010014445A JP2010014445A JP2008172684A JP2008172684A JP2010014445A JP 2010014445 A JP2010014445 A JP 2010014445A JP 2008172684 A JP2008172684 A JP 2008172684A JP 2008172684 A JP2008172684 A JP 2008172684A JP 2010014445 A JP2010014445 A JP 2010014445A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- circuit
- temperature detection
- pnp bipolar
- temperature sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
【課題】温度検出の精度を高くできる半導体温度センサを提供する。
【解決手段】電流供給回路10aの定電流回路13は、定電流を流す。電流供給回路10aのカレントミラー回路は、定電流回路13の定電流に基づき、温度検出用電流を出力端子から供給する。温度検出回路10bは、温度検出用電流及び温度に基づき、出力電圧を出力する。リーク電流吸収回路10cのMOSトランジスタ19は、PMOSトランジスタ15と同一のサイズであって同一の導電型であり、温度検出用電流(PMOSトランジスタ15のドレイン電流)の中のリーク電流を吸収する。
【選択図】図1
【解決手段】電流供給回路10aの定電流回路13は、定電流を流す。電流供給回路10aのカレントミラー回路は、定電流回路13の定電流に基づき、温度検出用電流を出力端子から供給する。温度検出回路10bは、温度検出用電流及び温度に基づき、出力電圧を出力する。リーク電流吸収回路10cのMOSトランジスタ19は、PMOSトランジスタ15と同一のサイズであって同一の導電型であり、温度検出用電流(PMOSトランジスタ15のドレイン電流)の中のリーク電流を吸収する。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体温度センサに関する。
従来の半導体温度センサについて説明する。図3は、従来の半導体温度センサを示す回路図である。図4は、従来の半導体温度センサを示す回路図である。
図3に示すように、定電流回路53が定電流を流し、PMOSトランジスタ54〜55によるカレントミラー回路により、定電流に基づいた温度検出用電流がPNPバイポーラトランジスタ56のエミッタに流れる。PNPバイポーラトランジスタ56のエミッタ電流に基づいたベース電流がPNPバイポーラトランジスタ57のエミッタに流れ、PNPバイポーラトランジスタ57のエミッタ電流に基づいたベース電流がPNPバイポーラトランジスタ58のエミッタに流れ、出力端子52に出力電圧が出力される。PNPバイポーラトランジスタ56〜58は温度特性を有するので、温度が高くなると、出力電圧は低くなり、温度が低くなると、出力電圧は高くなり、温度に基づいた出力電圧が出力される。
図4に示すように、定電流回路73が定電流を流し、PMOSトランジスタ74〜77によるカレントミラー回路により、定電流に基づいた温度検出用電流がPNPバイポーラトランジスタ78〜80のエミッタに流れる。さらに、PNPバイポーラトランジスタ78のエミッタ電流に基づいたベース電流もPNPバイポーラトランジスタ79のエミッタに流れ、PNPバイポーラトランジスタ79のエミッタ電流に基づいたベース電流もPNPバイポーラトランジスタ80のエミッタに流れ、出力端子72に出力電圧が出力される。PNPバイポーラトランジスタ78〜80は温度特性を有するので、温度が高くなると、出力電圧は低くなり、温度が低くなると、出力電圧は高くなり、温度に基づいた出力電圧が出力される(例えば、特許文献1参照)。
特開平05−248962号公報
しかし、従来の半導体温度センサでは、定電流回路の定電流に基づいた電流だけでなくてPMOSトランジスタのリーク電流もPNPバイポーラトランジスタに流れてしまう。よって、リーク電流分、PNPバイポーラトランジスタによる出力電圧が不正確になってしまう。
本発明は、上記課題に鑑みてなされ、温度検出の精度を高くできる半導体温度センサを提供する。
本発明は、上記課題を解決するため、半導体温度センサにおいて、定電流回路の定電流に基づき、温度検出用電流を出力端子から供給する電流供給回路と、前記電流供給回路の出力端子に設けられ、前記温度検出用電流及び温度に基づき、出力電圧を出力する温度検出回路と、前記電流供給回路の出力端子に設けられ、前記温度検出用電流の中のリーク電流を吸収するリーク電流吸収回路と、を備えることを特徴とする半導体温度センサを提供する。
本発明では、リーク電流吸収回路が温度検出用電流の中のリーク電流を吸収するので、リーク電流が温度検出回路に流れにくくなる。よって、温度検出回路による出力電圧がリーク電流に依存しにくくなり、出力電圧が正確になる。
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
<第一実施形態>
まず、半導体温度センサの構成について説明する。図1は、第一実施形態の半導体温度センサを示す回路図である。
まず、半導体温度センサの構成について説明する。図1は、第一実施形態の半導体温度センサを示す回路図である。
[要素]半導体温度センサは、定電流回路13、PMOSトランジスタ14〜15、PNPバイポーラトランジスタ16〜18及びPMOSトランジスタ19を備える。半導体温度センサは、電源端子10、接地端子11及び出力端子12を備える。
PMOSトランジスタ14〜15は、カレントミラー回路を構成する。定電流回路13及びPMOSトランジスタ14〜15は、電流供給回路10aを構成する。PNPバイポーラトランジスタ16〜18は、温度検出回路10bを構成する。PMOSトランジスタ19は、リーク電流吸収回路10cを構成する。
[要素の接続関係]PMOSトランジスタ14は、ゲート及びドレインをPMOSトランジスタ15のゲート及び定電流回路13の出力端子に接続され、ソースを電源端子10に接続される。PMOSトランジスタ15は、ソースを電源端子10に接続され、ドレインを出力端子12に接続される。
PNPバイポーラトランジスタ16は、ベースをPNPバイポーラトランジスタ17のエミッタに接続され、エミッタを出力端子12に接続され、コレクタを接地端子11に接続される。PNPバイポーラトランジスタ17は、ベースをPNPバイポーラトランジスタ18のエミッタに接続され、コレクタを接地端子11に接続される。PNPバイポーラトランジスタ18は、ベース及びコレクタを接地端子11に接続される。
PMOSトランジスタ19は、ゲート及びソースをPMOSトランジスタ15のドレインに接続され、ドレインを接地端子11に接続される。
[要素の機能]電流供給回路10aの定電流回路13は、定電流を流す。電流供給回路10aのカレントミラー回路は、定電流回路13の定電流に基づき、温度検出用電流を出力端子から供給する。温度検出回路10bは、温度検出用電流及び温度に基づき、出力電圧を出力する。リーク電流吸収回路10cのMOSトランジスタ19は、PMOSトランジスタ15と同一のサイズであって同一の導電型であり、温度検出用電流(PMOSトランジスタ15のドレイン電流)の中のリーク電流を吸収する。
次に、半導体温度センサの動作について説明する。
[半導体温度センサの動作]定電流回路13が定電流を流し、PMOSトランジスタ14〜15によるカレントミラー回路により、定電流に基づいた温度検出用電流がPNPバイポーラトランジスタ16のエミッタに流れる。PNPバイポーラトランジスタ16のエミッタ電流に基づいたベース電流がPNPバイポーラトランジスタ17のエミッタに流れ、PNPバイポーラトランジスタ17のエミッタ電流に基づいたベース電流がPNPバイポーラトランジスタ18のエミッタに流れ、出力端子12に出力電圧が出力される。PNPバイポーラトランジスタ16〜18は温度特性を有するので、温度が高くなると、出力電圧は低くなり、温度が低くなると、出力電圧は高くなり、温度に基づいた出力電圧が出力される。
この時、PMOSトランジスタ15は、ソース・ドレイン間のチャネルリーク電流とN型ウェル(または、N型サブストレート)・ドレイン間のジャンクションリーク電流と定電流回路13の定電流に基づいた電流とを含む温度検出用電流を供給する。しかし、PMOSトランジスタ19はPMOSトランジスタ15のリーク電流とほぼ等しいリーク電流を流すので、ほぼ全てのPMOSトランジスタ15のリーク電流はPMOSトランジスタ19に流れ、定電流回路13の定電流に基づいた電流だけがPNPバイポーラトランジスタ16に流れる。
[効果]このようにすると、リーク電流吸収回路10cが温度検出用電流の中のリーク電流を吸収するので、リーク電流が温度検出回路10bに流れにくくなる。よって、温度検出回路10bによる出力電圧がリーク電流に依存しにくくなり、出力電圧が正確になる。ここで、温度が高くなると、その分、リーク電流も多くなるので、温度が高いほど、リーク電流を吸収するリーク電流吸収回路10cの効果も高くなる。
なお、リーク電流吸収回路10cは、PMOSトランジスタ19を有しているが、NMOSトランジスタ(図示せず)を有しても良い。この時、NMOSトランジスタのサイズは、PMOSトランジスタ15のリーク電流とほぼ等しいリーク電流を流すようなサイズである。
<第二実施形態>
まず、半導体温度センサの構成について説明する。図2は、第二実施形態の半導体温度センサを示す回路図である。
まず、半導体温度センサの構成について説明する。図2は、第二実施形態の半導体温度センサを示す回路図である。
[要素]半導体温度センサは、定電流回路33、PMOSトランジスタ34〜17、PNPバイポーラトランジスタ38〜40及びPMOSトランジスタ41〜43を備える。半導体温度センサは、電源端子30、接地端子31及び出力端子32を備える。
PMOSトランジスタ34〜37は、カレントミラー回路を構成する。定電流回路33及びPMOSトランジスタ34〜37は、電流供給回路30aを構成する。PNPバイポーラトランジスタ38〜40は、温度検出回路30bを構成する。PMOSトランジスタ41〜43は、リーク電流吸収回路30cを構成する。
[要素の接続関係]PMOSトランジスタ34は、ゲート及びドレインをPMOSトランジスタ35〜37のゲート及び定電流回路33の出力端子に接続され、ソースを電源端子30に接続される。PMOSトランジスタ35は、ソースを電源端子30に接続され、ドレインをPNPバイポーラトランジスタ39のベース及びPNPバイポーラトランジスタ40のエミッタに接続される。PMOSトランジスタ36は、ソースを電源端子30に接続され、ドレインをPNPバイポーラトランジスタ38のベース及びPNPバイポーラトランジスタ39のエミッタに接続される。PMOSトランジスタ37は、ソースを電源端子30に接続され、ドレインを出力端子32及びPNPバイポーラトランジスタ38のエミッタに接続される。
PNPバイポーラトランジスタ16は、コレクタを接地端子31に接続される。PNPバイポーラトランジスタ17は、コレクタを接地端子31に接続される。PNPバイポーラトランジスタ16は、ベース及びコレクタを接地端子31に接続される。PMOSトランジスタ41は、ゲート及びソースをPMOSトランジスタ37のドレインに接続され、ドレインを接地端子31に接続される。
PMOSトランジスタ42は、ゲート及びソースをPMOSトランジスタ36のドレインに接続され、ドレインを接地端子31に接続される。PMOSトランジスタ43は、ゲート及びソースをPMOSトランジスタ35のドレインに接続され、ドレインを接地端子31に接続される。
[要素の機能]リーク電流吸収回路30cのMOSトランジスタ41は、PMOSトランジスタ37と同一のサイズであって同一の導電型であり、温度検出用電流(PMOSトランジスタ37のドレイン電流)の中のリーク電流を吸収する。リーク電流吸収回路30cのMOSトランジスタ42は、PMOSトランジスタ36と同一のサイズであって同一の導電型であり、温度検出用電流(PMOSトランジスタ36のドレイン電流)の中のリーク電流を吸収する。リーク電流吸収回路30cのMOSトランジスタ43は、PMOSトランジスタ35と同一のサイズであって同一の導電型であり、温度検出用電流(PMOSトランジスタ35のドレイン電流)の中のリーク電流を吸収する。
次に、半導体温度センサの動作について説明する。
[半導体温度センサの動作]定電流回路33が定電流を流し、PMOSトランジスタ34〜37によるカレントミラー回路により、定電流に基づいた温度検出用電流がPNPバイポーラトランジスタ38〜40のエミッタに流れる。さらに、PNPバイポーラトランジスタ38のエミッタ電流に基づいたベース電流もPNPバイポーラトランジスタ39のエミッタに流れ、PNPバイポーラトランジスタ39のエミッタ電流に基づいたベース電流もPNPバイポーラトランジスタ40のエミッタに流れ、出力端子32に出力電圧が出力される。PNPバイポーラトランジスタ38〜40は温度特性を有するので、温度が高くなると、出力電圧は低くなり、温度が低くなると、出力電圧は高くなり、温度に基づいた出力電圧が出力される。
この時、PMOSトランジスタ37は、ソース・ドレイン間のチャネルリーク電流とN型ウェル(または、N型サブストレート)・ドレイン間のジャンクションリーク電流と定電流回路33の定電流に基づいた電流とを含む温度検出用電流を供給する。しかし、PMOSトランジスタ41はPMOSトランジスタ37のリーク電流とほぼ等しいリーク電流を流すので、ほぼ全てのPMOSトランジスタ37のリーク電流はPMOSトランジスタ41に流れ、定電流回路33の定電流に基づいた電流だけがPNPバイポーラトランジスタ38に流れる。PMOSトランジスタ35〜36も同様である。
[効果]このようにすると、PNPバイポーラトランジスタ38のベース電流だけでなくてリーク電流をほとんど持たないPMOSトランジスタ36の温度検出用電流も、PNPバイポーラトランジスタ39のエミッタに流れる。また、PNPバイポーラトランジスタ39のベース電流だけでなくてリーク電流をほとんど持たないPMOSトランジスタ35の温度検出用電流も、PNPバイポーラトランジスタ40のエミッタに流れる。よって、カレントミラー回路のミラー比が適宜調整されると、PNPバイポーラトランジスタ38〜40のエミッタ電流が等しくできるので、出力電圧が正確になる。
10 電源端子 11 接地端子
12 出力端子 13 定電流回路
14〜15、19 PMOSトランジスタ 16〜18 PNPバイポーラトランジスタ
10a 電流供給回路 10b 温度検出回路
10c リーク電流吸収回路
12 出力端子 13 定電流回路
14〜15、19 PMOSトランジスタ 16〜18 PNPバイポーラトランジスタ
10a 電流供給回路 10b 温度検出回路
10c リーク電流吸収回路
Claims (3)
- 半導体温度センサにおいて、
温度検出用電流を供給する電流供給回路と、
前記電流供給回路の出力端子に設けられ、前記温度検出用電流及び温度に基づき、出力電圧を出力する温度検出回路と、
前記電流供給回路の出力端子に設けられ、前記温度検出用電流の中のリーク電流を吸収するリーク電流吸収回路と、
を備えることを特徴とする半導体温度センサ。 - 前記電流供給回路は、
定電流を流す定電流回路と、
前記定電流に基づき、前記温度検出回路に前記温度検出用電流を供給するカレントミラー回路 と、を有し、
前記リーク電流吸収回路は、
ゲートとソースとを互いに接続した、前記カレントミラー回路の出力用MOSトランジスタと同一サイズ且つ同一導電型のMOSトランジスタ、を有する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体温度センサ。 - 前記電流供給回路は、
定電流を流す定電流回路と、
前記定電流に基づき、前記温度検出回路に前記温度検出用電流を供給するカレントミラー回路 と、を有し、
前記リーク電流吸収回路は、
ゲートとソースとを互いに接続した、前記カレントミラー回路の出力用MOSトランジスタのリーク電流とほぼ等しい電流を流すサイズ且つ前記出力用MOSトランジスタと異なる導電型のMOSトランジスタ、を有する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体温度センサ。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008172684A JP2010014445A (ja) | 2008-07-01 | 2008-07-01 | 半導体温度センサ |
US12/459,371 US20100008398A1 (en) | 2008-07-01 | 2009-06-30 | Semiconductor temperature sensor |
CN200910139807A CN101620014A (zh) | 2008-07-01 | 2009-06-30 | 半导体温度传感器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008172684A JP2010014445A (ja) | 2008-07-01 | 2008-07-01 | 半導体温度センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010014445A true JP2010014445A (ja) | 2010-01-21 |
Family
ID=41505140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008172684A Pending JP2010014445A (ja) | 2008-07-01 | 2008-07-01 | 半導体温度センサ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100008398A1 (ja) |
JP (1) | JP2010014445A (ja) |
CN (1) | CN101620014A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011232831A (ja) * | 2010-04-23 | 2011-11-17 | Oki Data Corp | 基準電圧発生回路とこれを用いた駆動装置、プリントヘッド及び画像形成装置 |
JP2015210133A (ja) * | 2014-04-24 | 2015-11-24 | セイコーインスツル株式会社 | 過熱検出回路及び半導体装置 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4960808B2 (ja) * | 2007-08-30 | 2012-06-27 | セイコーインスツル株式会社 | 半導体温度センサ |
JP5034919B2 (ja) * | 2007-12-13 | 2012-09-26 | 富士電機株式会社 | 温度センサ回路 |
TW200947861A (en) * | 2008-05-09 | 2009-11-16 | Tai 1 Microelectronics Corp | Temperature sensing circuit operable under low voltage |
JP5185772B2 (ja) * | 2008-10-28 | 2013-04-17 | セイコーインスツル株式会社 | Pdm出力型温度センサ |
US8760216B2 (en) * | 2009-06-09 | 2014-06-24 | Analog Devices, Inc. | Reference voltage generators for integrated circuits |
US9004756B2 (en) * | 2012-04-10 | 2015-04-14 | Freescale Semiconductor, Inc. | Temperature sensor |
US9006000B2 (en) | 2012-05-03 | 2015-04-14 | Sandisk Technologies Inc. | Tj temperature calibration, measurement and control of semiconductor devices |
US9082465B2 (en) | 2013-02-12 | 2015-07-14 | Qualcomm Incorporated | Weak keeper circuit for memory device |
JP6557136B2 (ja) * | 2015-03-05 | 2019-08-07 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 電子装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6369646B1 (en) * | 2001-01-29 | 2002-04-09 | Delphi Technologies, Inc. | Leakage current compensation circuit |
US6955164B2 (en) * | 2004-02-17 | 2005-10-18 | Delphi Technologies, Inc. | Automotive ignition system with sparkless thermal overload protection |
JP4863818B2 (ja) * | 2006-08-29 | 2012-01-25 | セイコーインスツル株式会社 | 温度センサ回路 |
JP4960808B2 (ja) * | 2007-08-30 | 2012-06-27 | セイコーインスツル株式会社 | 半導体温度センサ |
WO2009060907A1 (ja) * | 2007-11-08 | 2009-05-14 | Rohm Co., Ltd. | 半導体装置ならびにそれを備えた電源および演算処理装置 |
US20110121888A1 (en) * | 2009-11-23 | 2011-05-26 | Dario Giotta | Leakage current compensation |
-
2008
- 2008-07-01 JP JP2008172684A patent/JP2010014445A/ja active Pending
-
2009
- 2009-06-30 US US12/459,371 patent/US20100008398A1/en not_active Abandoned
- 2009-06-30 CN CN200910139807A patent/CN101620014A/zh active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011232831A (ja) * | 2010-04-23 | 2011-11-17 | Oki Data Corp | 基準電圧発生回路とこれを用いた駆動装置、プリントヘッド及び画像形成装置 |
JP2015210133A (ja) * | 2014-04-24 | 2015-11-24 | セイコーインスツル株式会社 | 過熱検出回路及び半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100008398A1 (en) | 2010-01-14 |
CN101620014A (zh) | 2010-01-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2010014445A (ja) | 半導体温度センサ | |
US10067000B2 (en) | Inverter and ring oscillator with high temperature sensitivity | |
JP5547429B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5952035B2 (ja) | ローパスフィルタ回路及びボルテージレギュレータ | |
JP4960808B2 (ja) | 半導体温度センサ | |
CN108958344B (zh) | 基体偏压产生电路 | |
US20150048879A1 (en) | Bandgap reference voltage circuit and electronic apparatus thereof | |
JP2019174976A (ja) | ボルテージレギュレータ | |
US9000825B2 (en) | Active diode circuit | |
US20100207666A1 (en) | Comparator circuit | |
TW201344203A (zh) | 極低啟動電流電源偵測裝置 | |
JP2006269902A (ja) | 半導体集積回路 | |
JP2008252029A (ja) | 半導体装置 | |
KR20150107628A (ko) | 전압 검출 회로 | |
JP5272467B2 (ja) | 基準電圧発生回路およびリセット回路を内蔵した半導体集積回路 | |
US20080303498A1 (en) | Current Generator | |
US20160087529A1 (en) | Bootstrap Circuit | |
KR20150049142A (ko) | 기준 전압 발생 회로 | |
JP6666716B2 (ja) | 温度検出回路及びそれを用いた回路装置 | |
US20140198421A1 (en) | Over Temperature Protection Circuit | |
JP2012251917A (ja) | 温度検出回路 | |
US8836382B1 (en) | Mixed voltage driving circuit | |
US8049549B2 (en) | Delta phi generator with start-up circuit | |
JP4842213B2 (ja) | 半導体温度センサ | |
JP2009265954A (ja) | 半導体集積回路装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091108 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091113 |