CN106468600B - 校正电路及装置、温度检测电路及方法、测试方法 - Google Patents
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Abstract
一种校正电路及装置、温度检测电路及方法、测试方法,所述校正电路,包括:转换单元、分配单元,校正电阻、比较器和至少两个选择开关;所述转换单元适于输出表征待测目标的温度大小的采集电流;所述分配单元适于根据所述采集电流提供与所述选择开关数量相同的校正电流,并一一输出至所述选择开关的第一端;所述校正电阻的第一端连接全部选择开关的第二端和所述比较器的第一输入端,所述校正电阻的第一端适于提供采集电压至所述比较器的第一输入端;所述比较器的第二输入端适于输入基准电压;所述校正电阻的第二端接地。
Description
技术领域
本发明涉及电子电路领域,尤其涉及一种校正电路及装置、温度检测电路及方法、测试方法。
背景技术
高低温检测电路(temperature detector)在各种电路中得到普遍的应用,当环境温度达到某一温度阈值后,电路会输出相应的提示信号。
如图1所示,在现有温度检测电路中,基准电压VREF根据待测目标的温度阈值来设定,如电子元件的环境温度的高温阈值。转换电路11输出表征所述待测目标的温度大小的采集电流Isensor。采集电流Isensor通过电阻R11和电阻R12组成的电路转化为采集电压Vsensor。比较器根据采集电压Vsensor和基准电压VREF的大小输出比较结果VO。当待测目标的温度发生变化,如越来越高,则在某一时刻比较结果VO会发生变化,如由“0”变为“1”,这表示待测目标的温度达到温度阈值。所以,根据比较结果VO可以判断出待测目标的温度是否达到温度阈值。
图2为采集电压随待测目标的温度变化的趋势图,从图2可以看出,采集电压随待测目标的温度上升而逐渐下降。假设理想情况下采集电压随待测目标的温度变化趋势为直线S0,而工艺变化导致实际情况下采集电压随待测目标的温度变化趋势为直线S1或直线S2。
当采集电压穿过基准电压时,比较器输出的比较结果发生变化。从直线S0可以看出,理想情况下,待测目标的温度达到第一温度阈值Td0时比较器输出的比较结果发生跳变。而从直线S1和直线S2可以看出,实际情况下,待测目标的温度需要达到第二温度阈值Td1或第三温度阈值Td2时比较器输出的比较结果才会发生跳变。所以,工艺的变化使采集电压随待测目标的温度变化趋势发生偏差,在实际测量过程中,导致比较器输出跳变的温度也发生变化。
因此,在精度要求比较高的应用场合需要加入校正(trimming)功能来保证温度检测的准确性。图3示出一种现有带校正功能的温度检测电路。
基准电压VREF仍然与待测目标的温度阈值相对应。转换电路21输出表征所述待测目标的温度大小的采集电流Isensor。当开关K21、开关K2和开关K23中的任一开关闭合而其他两个开关断开时,采集电流Isensor通过电阻R21、电阻R22和电阻R23组成的电路转化为采集电压Vsensor。比较器根据采集电压Vsensor和基准电压VREF的大小输出比较结果VO。
当开关K21闭合、开关K22和开关K23断开时,采集电压Vsensor的电压值vsensor=isensor*(r1+r2+r3),isensor为采集电流Isensor的电流值,r1为电阻R21的电阻值,r2为电阻R22的电阻值,r3为电阻R23的电阻值;当开关K22闭合、开关K21和开关K23断开时,采集电压Vsensor的电压值vsensor=isensor*(r2+r3);当开关K23闭合、开关K21和开关K22断开时,采集电压Vsensor的电压值vsensor=isensor*r3。从采集电压Vsensor的电压值计算公式可以看出,开关K21、开关K22和开关K23依次闭合时,采集电压Vsensor的电压值逐渐降低。
为了正确的校正温度检测电路,需要在使用温度检测电路进行温度检测之前进行测试操作,以在开关K21、开关K22和开关K23中选出实际进行温度检测时应当闭合的开关。温度阈值可以包括高温阈值和/或低温阈值,下面对测试操作做详细说明。
将待测目标的温度稳定在高温阈值,例如100℃,转换电路21输出表征所述高温阈值的采集电流Isensor,采集电流Isensor的电流值保持不变,然后依次控制开关K21、开关K22和开关K23闭合,而其他两个开关断开。依次闭合开关的过程中,选取能够使比较器输出的比较结果VO发生跳变的开关,该开关即为温度检测电路检测待测目标的温度是否达到所述高温阈值时需闭合的开关。
将待测目标的温度稳定在低温阈值,例如-40℃,转换电路21输出表征所述低温阈值的采集电流Isensor,采集电流Isensor的电流值保持不变,然后依次控制开关K21、开关K22和开关K23闭合,而其他两个开关断开。选取能够使比较器输出的比较结果VO发生跳变的开关,该开关即为温度检测电路检测待测目标的温度是否达到所述低温阈值时需闭合的开关。
然而,上述测试操作对实现待测目标的温度稳定在高温阈值或低温阈值的设备提出了很高的要求。在实际应用中,实现极高温度和极低温度都是非常困难的,这样增大了温度检测电路的校正难度。
发明内容
本发明解决的问题是现有温度检测电路的校正方法难度大。
为解决上述问题,本发明提供一种校正电路,包括:转换单元、分配单元,校正电阻、比较器和至少两个选择开关;
所述转换单元适于输出表征待测目标的温度大小的采集电流;
所述分配单元适于根据所述采集电流提供与所述选择开关数量相同的校正电流,并一一输出至所述选择开关的第一端;
所述校正电阻的第一端连接全部选择开关的第二端和所述比较器的第一输入端,所述校正电阻的第一端适于提供采集电压至所述比较器的第一输入端;
所述比较器的第二输入端适于输入基准电压;
所述校正电阻的第二端接地。
可选的,所述分配单元包括:第一电流镜电路和第二电流镜电路;
所述第一电流镜电路包括:第一NMOS管和第二NMOS管,所述第一NMOS管的漏极连接第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极后适于输入所述采集电流,所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极均接地;
所述第二电流镜电路包括:第一PMOS管和至少两个第二PMOS管,所述第二PMOS管的数量与所述选择开关数量相同;
所述第一PMOS管的源极连接所述第二PMOS管的源极和电源电压,所述第一PMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的栅极、第二PMOS管的栅极和第二NMOS管的漏极;所述第二PMOS管的漏极和所述选择开关的第一端一一对应连接。
本发明还提供一种校正装置,所述校正装置适于执行第一测试操作,所述校正装置包括:
上述的校正电路;
温度控制单元,适于在所述第一测试操作中,使所述待测目标的温度稳定在第一预设温度,所述第一预设温度小于所述待测目标的高温阈值且大于低温阈值;
第一电压设置单元,适于在所述第一测试操作中,将所述基准电压的电压值设置为与所述第一预设温度的大小相关;
开关选择单元,适于在所述第一测试操作中,依次闭合一个或多个选择开关,使所述采样电压按照电压值由大到小或者由小到大的趋势变化。
可选的,所述校正装置还包括:
第一确定单元,适于在所述选择开关中确定第一校正开关,所述第一校正开关为:所述开关选择单元在所述第一测试操作中依次闭合一个或多个选择开关时,使所述比较器输出的比较结果发生跳变的选择开关。
可选的,所述校正装置还适于执行第二测试操作;
所述温度控制单元,还适于在所述第二测试操作中,使所述待测目标的温度稳定在第二预设温度,所述第二预设温度小于所述待测目标的高温阈值且大于低温阈值,所述第二预设温度与所述第一预设温度的不相同;
所述第一电压设置单元,还适于在所述第二测试操作中,将所述基准电压的电压值设置为与所述第二预设温度的大小相关;
所述开关选择单元,还适于在所述第二测试操作中,依次闭合一个或多个选择开关,使所述采样电压按照电压值由大到小或者由小到大的趋势变化。
可选的,所述校正装置还包括:
第二确定单元,适于在所述选择开关中确定第二校正开关,所述第二校正开关为:所述开关选择单元在所述第二测试操作中依次闭合一个或多个选择开关时,使所述比较器输出的比较结果发生跳变的选择开关。
本发明还提供一种温度检测电路,包括:
上述的校正电路;
第二电压设置单元,适于将所述基准电压的电压值设置为与所述待测目标的高温阈值或低温阈值的大小相关;
第一开关控制单元,适于闭合一个或多个选择开关。
本发明还提供一种温度检测电路,包括:
上述包括第一确定单元的校正装置;
第二电压设置单元,适于将所述基准电压的电压值设置为与所述待测目标的高温阈值或低温阈值的大小相关;
第二开关控制单元,适于闭合所述选择开关中的第一校正开关且断开其他选择开关。
本发明还提供一种温度检测电路,包括:
上述包括第一确定单元的校正装置;
上述包括第二确定单元的校正装置;
第三电压设置单元,适于将包括第一确定单元的校正装置中的基准电压和包括第二确定单元的校正装置中的基准电压中的一个电压值设置为与所述高温阈值的大小相关,另一个电压值设置为与所述低温阈值的大小相关;
第三开关控制单元,适于闭合所述选择开关中的第一校正开关和第二校正开关且断开其他选择开关。
本发明还提供一种利用上述校正电路进行的测试方法,包括:执行第一测试操作,所述执行第一测试操作包括:
使所述待测目标的温度稳定在第一预设温度,所述第一预设温度小于所述待测目标的高温阈值且大于低温阈值;
将所述基准电压的电压值设置为与所述第一预设温度的大小相关;
依次闭合一个或多个选择开关,使所述采样电压按照电压值由大到小或者由小到大的趋势变化。
可选的,所述测试方法还包括:
在所述选择开关中确定第一校正开关,所述第一校正开关为:在所述第一测试操作中依次闭合一个或多个选择开关时,使所述比较器的输出信号发生跳变的选择开关。
可选的,所述测试方法还包括:执行第二测试操作,所述执行第二测试操作包括:
使所述待测目标的温度稳定在第二预设温度,所述第二预设温度小于所述待测目标的高温阈值且大于低温阈值,所述第二预设温度与所述第一预设温度的不相同;
将所述基准电压的电压值设置为与所述第二预设温度的大小相关;
依次闭合一个或多个选择开关,使所述采样电压按照电压值由大到小或者由小到大的趋势变化。
可选的,所述测试方法还包括:
在所述选择开关中确定第二校正开关,所述第二校正开关为:在所述第二测试操作中依次闭合一个或多个选择开关时,使所述比较器的输出信号发生跳变的选择开关。
本发明还提供一种利用上述校正电路进行的温度检测方法,包括:
将所述基准电压的电压值设置为与所述待测目标的高温阈值或低温阈值的大小相关;
闭合一个或多个选择开关。
本发明还提供一种使用包括第一确定单元的校正装置进行的温度检测方法,包括:
将所述基准电压的电压值设置为与所述待测目标的高温阈值或低温阈值的大小相关;
闭合所述选择开关中的第一校正开关且断开其他选择开关。
本发明还提供一种利用校正装置进行的温度检测方法,所述校正装置包括包含第一确定单元的校正装置和包含第二确定单元的校正装置,所述温度检测方法包括:
将包含第一确定单元的校正装置中的基准电压和包含第二确定单元的校正装置中的基准电压中的一个电压值设置为与所述高温阈值的大小相关,另一个电压值设置为与所述低温阈值的大小相关;
闭合所述选择开关中的第一校正开关和第二校正开关且断开其他选择开关。
与现有技术相比,本发明的校正电路可以使采集电压随待测目标的温度变化直线沿采集电压轴上下平移而斜率不变。所以,只需在容易实现的温度下进行测试操作,例如常温,就可以获得实际检测高温阈值和/或低温阈值时需闭合的选择开关。
附图说明
图1为现有温度检测电路结构示意图;
图2为待测目标的温度与采集电压的关系示意图;
图3为现有带校正功能的温度检测电路结构示意图;
图4为待测目标的温度与采集电压的关系分析示意图
图5为本发明校正电路的结构示意图;
图6为本发明校正装置的结构示意图;
图7为本发明温度检测电路的结构示意图。
具体实施方式
本申请发明人在图2所示的采集电压随待测目标的温度变化的趋势图上做了进一步的研究。如图4所示,直线S0表示理想情况下采集电压随待测目标的温度变化趋势,直线S1和直线S2表示实际情况下采集电压随待测目标的温度变化趋势。Tn和VREF_NT分别表示常温和常温对应的第一基准电压,Td0和VREF_Td分别表示高温阈值和高温阈值对应的第二基准电压。
当直线S0、直线S1和直线S2斜率相同时,直线S0上常温Tn和高温阈值Td0对应的采集电压的电压差△V,与直线S1上常温Tn和高温阈值Td0对应的采集电压的电压差△V,以及直线S2上常温Tn和高温阈值Td0对应的采集电压的电压差△V均相等。所以,将常温对应的采集电压补偿电压差△V,就可以得到在高温阈值下校正的效果。可以理解的是,低温阈值和高温阈值的情况近似,此处不再赘述。
为了保持直线S0、直线S1和直线S2斜率相同,即直线S0、直线S1和直线S2仅为沿采集电压轴(Y轴)的平移,则采集电流Isensor流过的电路阻值需要保持不变;在该情况下,将待测目标的温度稳定在常温执行测试操作所确定闭合的开关可以作为实际检测高温阈值或低温阈值时需闭合的开关。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
如图5所示,本发明实施例提供一种校正电路,包括:转换单元1、分配单元2,校正电阻R3、比较器3和至少两个选择开关。
所述转换单元1适于输出表征待测目标的温度大小的采集电流Isensor。转换单元1可以采用现有温度电流转换电路,本领域技术人员可以知晓现有温度电流转换电路的具体结构,此处不再赘述。
所述分配单元2适于根据所述采集电流Isensor提供与所述选择开关数量相同的校正电流,并一一输出至所述选择开关的第一端。所述校正电流的电流值可以相同,也可以互不相同。具体的,每个校正电流的电流值可以与采集电流Isensor的电流值的比例相同或互不相同。
所述校正电阻R3的第一端连接全部选择开关的第二端和所述比较器3的第一输入端。所述校正电阻R3的第一端适于提供采集电压Vsensor至所述比较器3的第一输入端。
所述比较器3的第二输入端适于输入基准电压VREF。所述校正电阻R3的第二端接地GND。
当一个或多个选择开关闭合时,采集电压Vsensor由经过闭合的选择开关的校正电流经过校正电阻R3来提供至比较器3的第一输入端。即采集电压Vsensor的电压值vsensor=(isensor+△i)*R,isensor为采集电流Isensor的电流值,R为校正电阻R3的电阻值,△i为输入到比较器3第一输入端的电流与采集电流Isensor的电流值差值。
由上述采集电压Vsensor的电压值计算公式可以看出,本实施例的校正电路可以使采集电压Vsensor随待测目标的温度变化直线沿采集电压轴(Y轴)上下平移而斜率不变。所以,只需在容易实现的温度下进行测试操作,例如常温,就可以获得实际检测高温阈值和/或低温阈值时需闭合的选择开关。
在本实施例中,所述分配单元2可以包括:第一电流镜电路21和第二电流镜电路22。
所述第一电流镜电路21包括:第一NMOS管MN1和第二NMOS管MN2。
所述第一NMOS管MN1的漏极连接第一NMOS管MN1的栅极和第二NMOS管MN2的栅极后适于输入所述采集电流Isensor。第一NMOS管MN1的源极和所述第二NMOS管MN2的源极均接地GND。
所述第二电流镜电路22包括:第一PMOS管MP1和至少两个第二PMOS管,所述第二PMOS管的数量与所述选择开关数量相同。
所述第一PMOS管MP1的源极连接所述第二PMOS管的源极和电源电压Vdd。所述第一PMOS管MP1的漏极连接所述第一PMOS管MP1的栅极、第二PMOS管的栅极和第二NMOS管MN2的漏极。所述第二PMOS管的漏极和所述选择开关的第一端一一对应连接。
根据电流镜的镜像原理可以得知,第二PMOS管与第一PMOS管MP1的尺寸比可以根据校正电流与采集电流Isensor的电流值比例来确定。所述NMOS管和PMOS管的尺寸是指:NMOS管和PMOS管的宽长比。在本实施例中,所述校正电流的电流值可以相同,也可以互不相同。所以,所述第二PMOS管的尺寸可以相同,也可以不相同。
图5以3个选择开关和3个第二PMOS管为例。所述3个选择开关包括:第一选择开关K31、第二选择开关K32和第三选择开关K33。所述3个第二PMOS管包括:第1个第二PMOS管MP21、第2个第二PMOS管MP22和第3个第二PMOS管MP23。
所述第一PMOS管的源极连接第1个第二PMOS管MP21的源极、第2个第二PMOS管MP22的源极、第3个第二PMOS管MP23的源极和电源电压Vdd。所述第一PMOS管MP1的漏极连接所述第一PMOS管MP1的栅极、第1个第二PMOS管MP21的栅极、第2个第二PMOS管MP22的栅极、第3个第二PMOS管MP23的栅极和第二NMOS管MN2的漏极。所述第1个第二PMOS管MP21的漏极连接第一选择开关K31的第一端,第2个第二PMOS管MP22的漏极连接第二选择开关K32的第一端,第3个第二PMOS管MP23的漏极连接第三选择开关K33的第一端。
如图6所示,本发明还提供一种校正装置,所述校正装置适于执行第一测试操作,所述校正装置包括上述实施例所述的校正电路,以及温度控制单元4、第一电压设置单元51和开关选择单元(图中未示)。
温度控制单元4适于在所述第一测试操作中,使所述待测目标的温度稳定在第一预设温度,所述第一预设温度小于所述待测目标的高温阈值且大于低温阈值。
所述第一电压设置单元51适于在所述第一测试操作中,将所述基准电压VREF的电压值设置为与所述第一预设温度的大小相关。
开关选择单元适于在所述第一测试操作中,依次闭合一个或多个选择开关,使所述采样电压Vsensor按照电压值由大到小或者由小到大的趋势变化。
所述高温阈值的温度范围可以为:88℃至102℃,所述低温阈值的温度范围可以为:-26℃至-40℃。为了降低温度控制的难度,所述第一预设温度可以选择常温。具体的,所述第一预设温度的温度范围可以为:20℃至30℃。
下面实施例以第一NMOS管MN1与第二NMOS管MN2的尺寸比为1:1,第一PMOS管MP1与第1个第二PMOS管MP21、第2个第二PMOS管MP22、第3个第二PMOS管MP23的尺寸比为1:1:2:3为例继续说明。
分配单元2提供至第一选择开关K31的第一端、第二选择开关K32的第一端和第三选择开关K33的第一端的采集电流Isensor的电流值分别为:isensor、2*isensor、3*isensor。当第一选择开关K31闭合而第二选择开关K32和第三选择开关K33断开时,采集电压Vsensor的电压值vsensor=isensor*R;当第二选择开关K32闭合而第一选择开关K31和第三选择开关K33断开时,采集电压Vsensor的电压值vsensor=2*isensor*R;当第三选择开关K33闭合而第一选择开关K31和第二选择开关K32断开时,采集电压Vsensor的电压值vsensor=3*isensor*R。
所以,当温度控制单元4使待测目标的温度稳定在第一预设温度后,采集电流Isensor的电流值保持恒定,此时开关选择单元依次闭合第一选择开关K31的第一端、第二选择开关K32的第一端和第三选择开关K33,可以实现采集电压Vsensor的电压值按照由小到大的趋势变化。可以理解的是,上述举例仅以一个开关闭合而其他两个开关断开为例说明,实际使用中,也可以闭合多个开关,只要能使采集电压Vsensor的电压值按照由小到大或由大到小的趋势变化即可。本领域技术人员可以根据实际情况来设定选择开关的闭合次序以及闭合数量,此处不加限制。
所述校正装置还可以包括第一确定单元(图中未示)。
第一确定单元适于在所述选择开关中确定第一校正开关,所述第一校正开关为:所述开关选择单元在所述第一测试操作中依次闭合一个或多个选择开关时,使所述比较器3输出的比较结果发生跳变的选择开关。所述比较结果发生跳变是指:比较结果由1变为0,或者由0变为1。
在前述原理说明中已经分析过,当采集电压随待测目标的温度变化直线斜率不变时,常温执行测试操作所确定闭合的开关可以作为实际高温阈值或低温阈值温度检测时需闭合的开关。所以,本实施例第一确定单元所确定的第一校正开关即可以作为实际高温阈值或低温阈值温度检测时需闭合的选择开关。
所以,如图7所示,本发明还提供一种温度检测电路,包括上述实施例的校正电路、第二电压设置单元52和第一开关控制单元(图中未示)。
第二电压设置单元52适于将所述基准电压VREF的电压值设置为与所述待测目标的高温阈值或低温阈值的大小相关。第一开关控制单元适于闭合一个或多个选择开关。所述第一开关控制单元闭合的选择开关可以是依据上述校正装置执行第一测试操作后确定的第一校正开关。
可以理解的是,在实际温度检测过程中,可以使用一个温度检测电路来实现高温阈值或低温阈值的检测;也可以使用两个温度检测电路来实现高温阈值和低温阈值的检测,即利用一个温度检测电路实现高温阈值的检测,利用另一个温度检测电路实现低温阈值的检测。
所述高温阈值和低温阈值的温度检测电路中的校正电路和第一开关控制单元可以相同,而区别在于:两个第二电压设置单元52提供的基准电压VREF的电压值一个与所述待测目标的高温阈值相关,另一个与低温阈值的大小相关。所以,依据本实施例,可以仅执行一次测试操作,就可以确定在高温阈值和低温阈值检测中需闭合的选择开关。
然而,为了提高温度检测的准确度,也可以选择两个容易实现的预设温度进行两次测试操作。具体的,所述校正装置还适于执行第二测试操作。
继续参考图6,所述温度控制单元4还适于在所述第二测试操作中,使所述待测目标的温度稳定在第二预设温度,所述第二预设温度小于所述待测目标的高温阈值且大于低温阈值,所述第二预设温度与所述第一预设温度的不相同。
所述第一电压设置单元51还适于在所述第二测试操作中,将所述基准电压VREF的电压值设置为与所述第二预设温度的大小相关。
所述开关选择单元还适于在所述第二测试操作中,依次闭合一个或多个选择开关,使所述采样电压按照电压值由大到小或者由小到大的趋势变化。
第二测试操作与第一测试操作过程类似,此处不再赘述。与第二测试操作相对应的,所述校正装置还可以包括:第二确定单元(图中未示)。
所述第二确定单元适于在所述选择开关中确定第二校正开关,所述第二校正开关为:所述开关选择单元在所述第二测试操作中依次闭合一个或多个选择开关时,使所述比较器3输出的比较结果发生跳变的选择开关。
所述第一预设温度和第二预设温度的可以依据与高温阈值和低温阈值相近但容易实现的温度来确定。具体的,所述高温阈值的温度范围可以为:88℃至102℃,所述低温阈值的温度范围可以为:-26℃至-40℃。所述第一预设温度的温度范围可以为:40℃至50℃,所述第二预设温度的温度范围可以为:-10℃至0℃。
通过执行两次测试操作,可以确定第一校正开关和第二校正开关,第一校正开关和第二校正开关可以分别作为高温阈值和低温阈值温度检测时需闭合的选择开关。所以,本发明还提供一种温度检测电路,包括上述包含第一确定单元的校正装置、包含第二确定单元的校正装置、第三电压设置单元和第三开关控制单元。
第三电压设置单元适于两个校正装置中的基准电压中的一个电压值设置为与所述高温阈值的大小相关,另一个电压值设置为与所述低温阈值的大小相关。第三开关控制单元适于闭合所述选择开关中的第一校正开关和第二校正开关且断开其他选择开关。
依据本实施例,即便也需要进行两次测试操作,但是降低了测试操作所需的温度恒定设备难度,从而降低了校正难度。
与上述实施例提供的电路和装置相对应的,本发明还提供了一种利用上述实施例的校正电路进行的测试方法,包括:执行第一测试操作,所述执行第一测试操作包括:使所述待测目标的温度稳定在第一预设温度,所述第一预设温度小于所述待测目标的高温阈值且大于低温阈值;将所述基准电压的电压值设置为与所述第一预设温度的大小相关;依次闭合一个或多个选择开关,使所述采样电压按照电压值由大到小或者由小到大的趋势变化。
所述的测试方法还可以包括:在所述选择开关中确定第一校正开关,所述第一校正开关为:在所述第一测试操作中依次闭合一个或多个选择开关时,使所述比较器的输出信号发生跳变的选择开关。
可选的,所述的测试方法还可以包括:执行第二测试操作,所述执行第二测试操作包括:使所述待测目标的温度稳定在第二预设温度,所述第二预设温度小于所述待测目标的高温阈值且大于低温阈值,所述第二预设温度与所述第一预设温度的不相同;将所述基准电压的电压值设置为与所述第二预设温度的大小相关;依次闭合一个或多个选择开关,使所述采样电压按照电压值由大到小或者由小到大的趋势变化。
可选的,所述的测试方法还可以包括:在所述选择开关中确定第二校正开关,所述第二校正开关为:在所述第二测试操作中依次闭合一个或多个选择开关时,使所述比较器的输出信号发生跳变的选择开关。
本发明还提供了一种利用上述实施例的校正电路进行的温度检测方法,包括:将所述基准电压的电压值设置为与所述待测目标的高温阈值或低温阈值的大小相关;闭合一个或多个选择开关。
本发明还提供了一种利用上述实施例的校正电路进行的温度检测方法,包括:将所述基准电压的电压值设置为与所述待测目标的高温阈值或低温阈值的大小相关;闭合所述选择开关中的第一校正开关且断开其他选择开关。
本发明还提供了一种利用上述实施例的校正装置进行的温度检测方法,所述校正装置包括:包含第一确定单元的校正装置和包含第二确定单元的校正装置,所述温度检测方法包括:将包含第一确定单元的校正装置和包含第二确定单元的校正装置中的基准电压中的一个电压值设置为与所述高温阈值的大小相关,另一个电压值设置为与所述低温阈值的大小相关;闭合所述选择开关中的第一校正开关和第二校正开关且断开其他选择开关。
虽然本发明披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (16)
1.一种校正电路,其特征在于,包括:转换单元、分配单元,校正电阻、比较器和至少两个选择开关;
所述转换单元适于输出表征待测目标的温度大小的采集电流;
所述分配单元适于根据所述采集电流提供与所述选择开关数量相同的校正电流,并一一输出至所述选择开关的第一端;
所述校正电阻的第一端连接全部选择开关的第二端和所述比较器的第一输入端,所述校正电阻的第一端适于提供采集电压至所述比较器的第一输入端;
所述比较器的第二输入端适于输入基准电压;
所述校正电阻的第二端接地。
2.如权利要求1所述的校正电路,其特征在于,所述分配单元包括:第一电流镜电路和第二电流镜电路;
所述第一电流镜电路包括:第一NMOS管和第二NMOS管,所述第一NMOS管的漏极连接第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极后适于输入所述采集电流,所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极均接地;
所述第二电流镜电路包括:第一PMOS管和至少两个第二PMOS管,所述第二PMOS管的数量与所述选择开关数量相同;
所述第一PMOS管的源极连接所述第二PMOS管的源极和电源电压,所述第一PMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的栅极、第二PMOS管的栅极和第二NMOS管的漏极;所述第二PMOS管的漏极和所述选择开关的第一端一一对应连接。
3.一种校正装置,其特征在于,所述校正装置适于执行第一测试操作,所述校正装置包括:
权利要求1所述的校正电路;
温度控制单元,适于在所述第一测试操作中,使所述待测目标的温度稳定在第一预设温度,所述第一预设温度小于所述待测目标的高温阈值且大于低温阈值;
第一电压设置单元,适于在所述第一测试操作中,将所述基准电压的电压值设置为与所述第一预设温度的大小相关;
开关选择单元,适于在所述第一测试操作中,依次闭合一个或多个选择开关,使所述采集电压按照电压值由大到小或者由小到大的趋势变化。
4.如权利要求3所述的校正装置,其特征在于,还包括:
第一确定单元,适于在所述选择开关中确定第一校正开关,所述第一校正开关为:所述开关选择单元在所述第一测试操作中依次闭合一个或多个选择开关时,使所述比较器输出的比较结果发生跳变的选择开关。
5.如权利要求3所述的校正装置,其特征在于,所述校正装置还适于执行第二测试操作;
所述温度控制单元,还适于在所述第二测试操作中,使所述待测目标的温度稳定在第二预设温度,所述第二预设温度小于所述待测目标的高温阈值且大于低温阈值,所述第二预设温度与所述第一预设温度的不相同;
所述第一电压设置单元,还适于在所述第二测试操作中,将所述基准电压的电压值设置为与所述第二预设温度的大小相关;
所述开关选择单元,还适于在所述第二测试操作中,依次闭合一个或多个选择开关,使所述采集电压按照电压值由大到小或者由小到大的趋势变化。
6.如权利要求5所述的校正装置,其特征在于,还包括:
第二确定单元,适于在所述选择开关中确定第二校正开关,所述第二校正开关为:所述开关选择单元在所述第二测试操作中依次闭合一个或多个选择开关时,使所述比较器输出的比较结果发生跳变的选择开关。
7.一种温度检测电路,其特征在于,包括:
权利要求1所述的校正电路;
第二电压设置单元,适于将所述基准电压的电压值设置为与所述待测目标的高温阈值或低温阈值的大小相关;
第一开关控制单元,适于闭合一个或多个选择开关。
8.一种温度检测电路,其特征在于,包括:
权利要求4所述的校正装置;
第二电压设置单元,适于将所述基准电压的电压值设置为与所述待测目标的高温阈值或低温阈值的大小相关;
第二开关控制单元,适于闭合所述选择开关中的第一校正开关且断开其他选择开关。
9.一种温度检测电路,其特征在于,包括:
权利要求4所述的校正装置;
权利要求6所述的校正装置;
第三电压设置单元,适于将权利要求4所述的校正装置中的基准电压和权利要求6所述的校正装置中的基准电压中的一个电压值设置为与所述高温阈值的大小相关,另一个电压值设置为与所述低温阈值的大小相关;
第三开关控制单元,适于闭合所述选择开关中的第一校正开关和第二校正开关且断开其他选择开关。
10.一种利用权利要求1所述的校正电路进行的测试方法,其特征在于,包括:执行第一测试操作,所述执行第一测试操作包括:
使所述待测目标的温度稳定在第一预设温度,所述第一预设温度小于所述待测目标的高温阈值且大于低温阈值;
将所述基准电压的电压值设置为与所述第一预设温度的大小相关;
依次闭合一个或多个选择开关,使所述采集电压按照电压值由大到小或者由小到大的趋势变化。
11.如权利要求10所述的测试方法,其特征在于,还包括:
在所述选择开关中确定第一校正开关,所述第一校正开关为:在所述第一测试操作中依次闭合一个或多个选择开关时,使所述比较器的输出信号发生跳变的选择开关。
12.如权利要求10所述的测试方法,其特征在于,还包括:执行第二测试操作,所述执行第二测试操作包括:
使所述待测目标的温度稳定在第二预设温度,所述第二预设温度小于所述待测目标的高温阈值且大于低温阈值,所述第二预设温度与所述第一预设温度的不相同;
将所述基准电压的电压值设置为与所述第二预设温度的大小相关;
依次闭合一个或多个选择开关,使所述采集电压按照电压值由大到小或者由小到大的趋势变化。
13.如权利要求12所述的测试方法,其特征在于,还包括:
在所述选择开关中确定第二校正开关,所述第二校正开关为:在所述第二测试操作中依次闭合一个或多个选择开关时,使所述比较器的输出信号发生跳变的选择开关。
14.一种利用权利要求1所述的校正电路进行的温度检测方法,其特征在于,包括:
将所述基准电压的电压值设置为与所述待测目标的高温阈值或低温阈值的大小相关;
闭合一个或多个选择开关。
15.一种使用权利要求4所述的校正装置进行的温度检测方法,其特征在于,包括:
将所述基准电压的电压值设置为与所述待测目标的高温阈值或低温阈值的大小相关;
闭合所述选择开关中的第一校正开关且断开其他选择开关。
16.一种利用校正装置进行的温度检测方法,其特征在于,所述校正装置包括权利要求4所述的校正装置和权利要求6所述的校正装置,所述温度检测方法包括:
将权利要求4所述的校正装置中的基准电压和权利要求6所述的校正装置中的基准电压中的一个电压值设置为与所述高温阈值的大小相关,另一个电压值设置为与所述低温阈值的大小相关;
闭合所述选择开关中的第一校正开关和第二校正开关且断开其他选择开关。
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