JP2009192507A - 温度検出回路 - Google Patents

温度検出回路 Download PDF

Info

Publication number
JP2009192507A
JP2009192507A JP2008036433A JP2008036433A JP2009192507A JP 2009192507 A JP2009192507 A JP 2009192507A JP 2008036433 A JP2008036433 A JP 2008036433A JP 2008036433 A JP2008036433 A JP 2008036433A JP 2009192507 A JP2009192507 A JP 2009192507A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
circuit
temperature sensor
voltage
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008036433A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009192507A5 (ja
JP5060988B2 (ja
Inventor
Atsushi Igarashi
敦史 五十嵐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Instruments Inc filed Critical Seiko Instruments Inc
Priority to JP2008036433A priority Critical patent/JP5060988B2/ja
Priority to US12/378,190 priority patent/US7880528B2/en
Priority to CN200910118047.7A priority patent/CN101514925B/zh
Publication of JP2009192507A publication Critical patent/JP2009192507A/ja
Publication of JP2009192507A5 publication Critical patent/JP2009192507A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5060988B2 publication Critical patent/JP5060988B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/01Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)

Abstract

【課題】 検出温度の設定範囲を広げた場合においても最低動作電圧を低くすることができる温度検出回路を提供する。
【解決手段】 温度センサ回路に出力電圧の電圧レベルを調整する機能を持たせ、所定温度における温度センサ回路の出力電圧と基準電圧回路の参照電圧を低く抑える。
【選択図】 図1

Description

本発明は半導体回路の温度特性を利用した温度検出回路に関する。
図11は、従来の温度検出回路を示す図である。
この温度検出回路は、正の電源端子001、負の電源端子002、基準電圧回路200、温度センサ回路300、コンパレータ400、出力端子700により構成されている。
基準電圧回路200は、負極を負の電源端子002に、正極を出力端子101としてコンパレータ400の反転入力端子に接続されており、所定温度において温度センサ回路300の出力電圧と等しい参照電圧を出力する。
温度センサ回路300は、定電流源310とダイオード320で構成されており、定電流源310は一端を正の電源端子001、他の一端をダイオード320のアノードに接続され、ダイオード320のカソードは負の電源端子002に接続され、ダイオード320のアノードを出力端子100として、コンパレータ400の非反転入力端子に接続されており、温度の上昇に応じて低下する特性を持つ電圧を出力する。
コンパレータ400は、出力端子を温度検出回路の出力端子700に接続されており、基準電圧回路200の参照電圧と温度センサ回路300の出力電圧を比較し、比較結果に応じて負の電源電位または正の電源電位を出力する。
次に、この温度検出回路の動作について説明する。
図12のV100は温度センサ回路300の出力端子100の電圧であり、V101は基準電圧回路200の出力端子101の電圧である。温度が所定温度よりも低い場合、出力電圧V100は参照電圧V101より大きいため、コンパレータ400は正の電源電位を出力する。温度が所定温度よりも高い場合、温度センサ回路300の出力電圧V100は参照電圧V101より小さいため、コンパレータ400は負の電源電位を出力する。従って、この温度検出回路は所定温度において出力論理を切り替える動作を行い、所定温度を検出することができる(特許文献1参照)。
ここで、参照電圧V101は所定温度において温度センサ回路300の出力電圧V100と等しくなるように調整されるが、調整された後であっても図中のΔVのようなばらつきを生じる。
この参照電圧V101のばらつきΔVは温度検出回路においては検出温度のばらつきΔTの原因
となる。そこで、従来の温度検出回路では、定電流源310に負の温度特性を持たせることや、ダイオード320の直列接続される数を増やすことにより、出力電圧V100の温度勾配を急峻にさせ、参照電圧V101のばらつきΔVが検出温度のばらつきΔTに及ぼす影響を抑えようと
している。
特許第3139194号
温度検出回路において、検出する温度を変更する場合には、温度センサ回路300の特性を変更するのではなく、基準電圧回路200の参照電圧V101を変更するのが一般的である。
しかし、上述した温度検出回路では、図13に示すように2つの所定温度TxおよびTyを考えた場合に、Txより低温であるTyにおける参照電圧V101yの方がV101xと比較して高電位になる。即ち、所定温度の設定範囲を低温側へ広げるほど、出力電圧V100および参照電圧V101が高くなり、温度検出回路の最低動作電圧を上昇させるという問題がある。逆に、正の温度勾配を持つ温度センサ回路を利用した場合、所定温度の設定範囲を高温側へ広げるほど、出力電圧V100および出力電圧V101が高くなり、温度検出回路の最低動作電圧を上昇させるという問題がある。
本発明は、従来のこのような課題に鑑みてなされたものであり、検出温度範囲を広げた場合においても最低動作電圧の上昇を抑えることを目的とする。
従来の課題を解決するために、本発明の温度検出回路は以下のような構成とした。
温度に応じた出力電圧を出力する温度センサ回路と、参照電圧を出力する基準電圧回路と、前記温度センサ回路の出力電圧と前記参照電圧とを比較する比較回路と、制御信号と前記比較回路の出力信号とを入力して、所定温度を境に反転する検出信号を出力する論理回路と、を備えた温度検出回路であって、前記温度センサ回路は、前記出力電圧の特性を調整する機能を有し、前記論理回路は、前記制御信号によって前記比較回路の出力信号の有効な範囲において検出信号を反転する機能を有することを特徴とする温度検出回路を提供する。
本発明の温度検出回路によれば、温度センサ回路は出力電圧の特性を調整する機能を有し、論理回路は制御信号によって比較回路の出力信号の有効な範囲において検出信号を反転する機能を有する回路構成としたので、検出温度範囲を広げた場合においても最低動作電圧の上昇を抑えることが出来る。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
(実施形態1)
図1は、第1の実施形態の温度検出回路の構成を示す図である。図2は、第1の実施形態の温度検出回路における温度センサ回路300の一例を示す回路図である。
第1の実施形態の温度検出回路は、正の電源端子001、負の電源端子002、基準電圧回路200、温度センサ回路300、コンパレータ400、論理回路500、入力端子600、出力端子700により構成されている。
基準電圧回路200は、負極を負の電源端子002に、正極を出力端子101としてコンパレータ400の反転入力端子に接続されている。基準電圧回路200の参照電圧は、ヒューズトリミングやEEPROMにより抵抗やMOSトランジスタ等の素子サイズを変更することによって調整され、所定温度において温度センサ回路300の出力電圧と等しい参照電圧を出力する。
温度センサ回路300は、出力端子100をコンパレータ400の非反転入力端子に接続されている。温度センサ回路300は、例えば図2に示すように、正の電源端子001、負の電源端子002、定電流源310、ダイオード320により構成され、定電流源320は一端を正の電源端子001に、他の一端をダイオード320のアノードに接続され、ダイオード320のカソードは負の電源端子002に接続され、ダイオード320のアノードを出力端子として負の温度勾配をもつ電圧を出力する温度センサ回路300aと、正の電源端子001、負の電源端子002、定電流源311、ダイオード321により構成され、定電流源321は一端を負の電源端子002に、他の一端をダイオード321のカソードに接続され、ダイオード321のアノードは正の電源端子001に接続され、ダイオード321のカソードを出力端子として正の温度勾配をもつ電圧を出力する温度センサ回路300bと、どちらか一方の温度センサ回路を選択するスイッチ330、331と、出力端子100で構成されており、温度センサ回路300aまたは温度センサ回路300bの出力電圧を端子100に出力する。
ここで、温度センサ回路300aおよび300bは、正負が異なり、大きさが等しい温度勾配を持つ電圧を出力する温度センサ回路であれば良く、図2のように温度センサ素子は1個のダイオードに限らず、複数個のダイオードを直列接続したものであっても良く、または抵抗などの温度特性を持つ素子の組み合わせによって構成されていても良い。
コンパレータ400は、出力端子102を論理回路500の一方の入力端子に接続されている。コンパレータ400は、基準電圧回路200の参照電圧と温度センサ回路300の出力電圧を比較し、比較結果に応じて負の電源電位または正の電源電位を出力する。
論理回路500は、他の入力端子を入力端子600に接続され、出力端子を温度検出回路の出力端子700に接続されている。論理回路500はコンパレータ400の出力信号と、入力端子600より入力される制御信号に応じて、負の電源電位または正の電源電位を端子700に出力する。この場合の論理回路500は、例えばOR回路で構成することが出来る。
次に、第1の実施形態の温度検出回路の動作について説明する。図3は、第1の実施形態の温度センサ回路の出力特性を示す図である。3aは温度センサ回路300aの出力電圧、3bは温度センサ回路300bの出力電圧である。
図4は、第1の実施形態の温度検出回路の動作を示す図である。V100は温度センサ回路300の出力端子100の電圧、V101は基準電圧回路200の出力端子101の電圧、V102はコンパレータ400の出力端子102の電圧、V600は入力端子600の電圧、V700は温度検出回路の出力端子700の電圧である。
温度センサ回路300の出力電圧V100は、温度センサ回路300a、300bの出力電圧が図3に示す3a、3bのような特性を持っているため、例えばそれぞれの電圧の低い方を選択するようにスイッチ330、331を制御することで得られる。温度センサ回路300a、300bの出力電圧が交点を持つ温度をTaとすると、V100は温度Ta未満では温度に対して一定の温度勾配で上昇し、温度Taを頂点として温度Ta以上では同様の温度勾配で低下していく。
このような温度特性を持つ温度センサ回路を用いると、所定温度TxをTaよりも低い温度に設定する場合に、図3に示す3aのような特性の温度センサ回路を用いる場合と比較して参照電圧V101を低く設定することができる。しかし、図4のV100とV101は所定温度Txを含む2温度で交点を持つため、コンパレータ400はその2温度で出力論理を切り替える動作をする。そこで、V600のような制御信号を入力端子600から入力することで、出力電圧V700が検出温度1点でのみ出力論理を切り替える動作を行い、所定温度を検出することができる。
ここで、スイッチ330、331を制御する信号は、温度センサ回路300aまたは300bの出力電圧と図示しない他の基準電圧回路が出力する参照電圧を比較して、生成される論理を反転する信号であっても良く、温度センサ回路300aの出力電圧と300bの出力電圧を比較して、生成される論理を反転する信号であっても良い。また、入力端子600に入力される制御信号は、スイッチ330、331を制御する信号と同じであっても良く、任意に外部から信号を入力しても良い。
温度センサ回路300aおよび300bは、正負が異なり、大きさが等しい温度勾配を持つ電圧を出力するものであり、どちらの領域において所定温度を設定しても、検出温度の精度は変わらない。図4において、所定温度TxをTaよりも低い温度に設定する場合の動作について記載したが、所定温度TxをTaよりも高い温度に設定する場合には、制御信号V600は反転した信号を入力すればよい。
以上のように構成した第1の実施形態の温度検出回路によると、検出温度精度を維持しつつ検出温度の設定範囲を広げた場合において、温度検出回路の最低動作電圧の上昇を抑えることができる。
(実施形態2)
図5は、第2の実施形態の温度検出回路における温度センサ回路の回路図である。第2の実施形態の温度検出回路の温度センサ回路300は、定電流源310、311、ダイオード320、スイッチ332、333で構成されている。
定電流源310は一端を正の電源端子001、他の一端をスイッチ332に接続され、定電流源311は一端を正の電源端子001、他の一端をスイッチ333に接続され、ダイオード320のカソード側電極は負の電源端子002、アノード側電極はスイッチ332の他の一端とスイッチ333の他の一端と出力端子100に接続されている。
次に、この温度検出回路の動作について説明する。図6の3cは、図5の温度センサ回路300において、ダイオード320に定電流源310が給電されたときの出力端子100の電圧であり、3c’はダイオード320に定電流源311が給電されたときの出力端子100の電圧である。図7のV100は、温度センサ回路300の出力端子100の電圧、V101は基準電圧回路200の出力端子101の電圧、V102はコンパレータ400の出力端子102の電圧、V600は入力端子600の電圧、V700は温度検出回路の出力端子700の電圧である。そして、この場合の論理回路500は、例えば制御信号V600を反転して入力するNAND回路で構成することが出来る。
温度に応じてスイッチ332、333を制御しダイオード320に給電する定電流値を調整することで、図7に示すV100のような特性を得ることができる。このような温度特性を持つ温度センサ回路を用いると、所定温度TxをTaよりも低い温度に設定する場合に、図6に示す3cのような特性の温度センサ回路を用いる場合と比較して参照電圧V101を低く設定することができる。しかし、図7のV100とV101は所定温度Txを含む2温度で交点を持つため、コンパレータ400は2温度で出力論理を切り替える動作をする。そこで、V600のような制御信号を入力端子600から入力することで、出力電圧V700が検出温度1点でのみ出力論理を切り替える動作を行い、所定温度を検出することができる
ここで、スイッチ332、333を制御する信号は、温度センサ回路300の出力電圧と図示しない他の基準電圧回路が出力する参照電圧を比較して、前記出力電圧が前記参照電圧よりも高いか否かによって論理を反転する信号であっても良い。また、入力端子600に入力される制御信号は、スイッチ330、331を制御する信号と同じであっても良く、任意に外部から信号を入力しても良い。
低温時において温度センサ回路の出力電圧を下げるために、直列接続されたダイオードの数を減らすことも考えられるが、この場合、温度センサ回路の出力電圧の温度勾配が小さくなってしまい、低温側において検出温度精度が悪化してしまうことになる。そのため、本発明の回路のように、直列接続されるダイオードの数を変えることなく、電流値の調整によって電圧レベルを下げることが望ましい。
上述したような第2の実施形態の温度検出回路によると、検出温度精度を維持しつつ検出温度の設定範囲を広げた場合において、温度検出回路の最低動作電圧の上昇を抑えることができる。
また、第2の実施形態の温度検出回路において、図9に示すような特性のダイオード320を用いた場合は、図8に示すような温度センサ回路の回路構成とすることで同様の効果を得ることが出来る。
図10に、コンパレータ400の出力端子102の電圧V102、入力端子600の電圧V600、温度センサ回路300の出力端子100の電圧V100、基準電圧回路200の出力端子101の電圧V101の動作波形と、そのときの温度検出回路の出力端子700の電圧V700の出力波形を示す。この場合の論理回路500は、例えばNAND回路で構成することが出来る。
ここで、スイッチ332、333を制御する信号は、温度センサ回路300の出力電圧と図示しない他の基準電圧回路が出力する参照電圧を比較して、前記出力電圧が前記参照電圧よりも高いか否かによって論理を反転する信号であっても良い。また、入力端子600に入力される制御信号は、スイッチ330、331を制御する信号と同じであっても良く、任意に外部から信号を入力しても良い。また、入力端子600に入力される制御信号は、スイッチ332、333を制御する信号と同じであっても良く、所定温度と参照電圧の設定時に論理を固定させておいても良い。
高温時において温度センサ回路の出力電圧を下げるために、直列接続されたダイオードの数を減らすことも考えられるが、この場合、温度センサ回路の出力電圧の温度勾配が小さくなってしまい、高温側において検出温度精度が悪化してしまうことになる。そのため、本発明の回路のように、直列接続されるダイオードの数を変えることなく、電流値の調整によって電圧レベルを下げることが望ましい。
上述のような温度検出回路によると同様に、検出温度精度を維持しつつ検出温度の設定範囲を広げた場合において、温度検出回路の最低動作電圧の上昇を抑えることができる。
本発明の温度検出回路の構成を示す図である。 本発明の第1の実施形態の温度検出回路における温度センサ回路を示す図である。 図2の温度センサ回路の特性を示す図である。 本発明の第1の実施形態の温度検出回路の動作を示す図である。 本発明の第2の実施形態の温度検出回路における温度センサ回路を示す図である。 図5の温度センサ回路の特性を示す図である。 本発明の第2の実施形態の温度検出回路の動作を示す図である。 本発明の第2の実施形態の他の例の温度センサ回路を示す図である。 図8の温度センサ回路の特性を示す図である。 本発明の第2の実施形態の他の例の温度検出回路の動作を示す図である。 従来の温度検出回路の構成を示す図である。 従来の温度検出回路の特性を示す図である。 従来の温度検出回路の特性を示す図である。
符号の説明
001 ・・・ 正の電源端子
002 ・・・ 負の電源端子
100 ・・・ 温度センサ回路の出力端子
101 ・・・ 基準電圧回路の出力端子
102 ・・・ コンパレータの出力端子
200 ・・・ 基準電圧回路
300、300a、300b ・・・ 温度センサ回路
310、311 ・・・ 定電流源
320、321 ・・・ ダイオード
330、331、332 ・・・ スイッチ
400 ・・・ コンパレータ
500 ・・・ 論理回路
600 ・・・ 入力端子
700 ・・・ 出力端子
V100 ・・・ 端子100の電圧
V101、V101x、V101y ・・・ 端子101の電圧
V102 ・・・ 端子102の電圧
V600 ・・・ 端子600の電圧
V700 ・・・ 端子700の電圧

Claims (5)

  1. 温度に応じた出力電圧を出力する温度センサ回路と、
    参照電圧を出力する基準電圧回路と、
    前記温度センサ回路の出力電圧と前記参照電圧とを比較する比較回路と、
    制御信号と前記比較回路の出力信号とを入力して、所定温度を境に反転する検出信号を出力する論理回路と、を備えた温度検出回路であって、
    前記温度センサ回路は、前記出力電圧の特性を調整する機能を有し、
    前記論理回路は、前記制御信号によって前記比較回路の出力信号の有効な範囲において検出信号を反転する機能を有することを特徴とする温度検出回路。
  2. 前記温度センサ回路は、複数の温度センサ素子を備え、温度に応じていずれか一つを選択して出力することを特徴とする請求項1記載の温度検出回路。
  3. 前記複数の温度センサ素子は、前記出力電圧の温度特性の傾きが、絶対値が等しく符号が反対の2個の温度センサであることを特徴とする、請求項2記載の温度検出回路
  4. 前記温度センサ回路は、
    温度センサ素子と、
    前記温度センサ素子に定電流を流す複数の定電流回路と、
    前記複数の定電流回路を切り替えて前記温度センサ素子と接続するスイッチ回路とを備え、温度に応じていずれか一つを選択して出力することを特徴とする請求項1記載の温度検出回路。
  5. 前記温度センサ素子は、ダイオードであることを特徴とする請求項2から4のいずれか記載の温度検出回路。
JP2008036433A 2008-02-18 2008-02-18 温度検出回路 Expired - Fee Related JP5060988B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008036433A JP5060988B2 (ja) 2008-02-18 2008-02-18 温度検出回路
US12/378,190 US7880528B2 (en) 2008-02-18 2009-02-11 Temperature detection circuit
CN200910118047.7A CN101514925B (zh) 2008-02-18 2009-02-18 温度检测电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008036433A JP5060988B2 (ja) 2008-02-18 2008-02-18 温度検出回路

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2009192507A true JP2009192507A (ja) 2009-08-27
JP2009192507A5 JP2009192507A5 (ja) 2011-01-27
JP5060988B2 JP5060988B2 (ja) 2012-10-31

Family

ID=40954567

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008036433A Expired - Fee Related JP5060988B2 (ja) 2008-02-18 2008-02-18 温度検出回路

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7880528B2 (ja)
JP (1) JP5060988B2 (ja)
CN (1) CN101514925B (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012208051A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Brother Ind Ltd 温度検出装置
JP2014071110A (ja) * 2012-09-27 2014-04-21 Freescale Semiconductor Inc 電流比に基づく熱センサシステムおよび方法
JP2014188868A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Canon Inc インクジェット記録装置、検出方法
JP2015122635A (ja) * 2013-12-24 2015-07-02 三菱プレシジョン株式会社 増幅回路
KR20160078273A (ko) 2014-12-24 2016-07-04 에스아이아이 세미컨덕터 가부시키가이샤 과열 검출 회로 및 반도체 장치

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010151458A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Seiko Instruments Inc 温度検出回路
DE102009023354B3 (de) * 2009-05-29 2010-12-02 Austriamicrosystems Ag Schaltungsanordnung und Verfahren zur Temperaturmessung
JP5250501B2 (ja) * 2009-08-04 2013-07-31 ルネサスエレクトロニクス株式会社 温度検出回路
JP5389635B2 (ja) * 2009-12-25 2014-01-15 セイコーインスツル株式会社 温度検出システム
US8432214B2 (en) * 2011-03-21 2013-04-30 Freescale Semiconductor, Inc. Programmable temperature sensing circuit for an integrated circuit
US8896349B2 (en) * 2011-06-16 2014-11-25 Freescale Semiconductor, Inc. Low voltage detector
KR101276947B1 (ko) * 2011-06-27 2013-06-19 엘에스산전 주식회사 저전력, 고정밀, 넓은 온도범위의 온도 센서
JP5738141B2 (ja) * 2011-09-20 2015-06-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及び温度センサシステム
US9035693B2 (en) * 2013-08-14 2015-05-19 Nanya Technology Corporation Temperature detecting apparatus, switch capacitor apparatus and voltage integrating circuit thereof
JP6353689B2 (ja) * 2014-04-24 2018-07-04 エイブリック株式会社 過熱検出回路及び半導体装置
CN104132761B (zh) 2014-08-04 2016-01-27 中国矿业大学 多点煤岩体应力实时监测装置及方法
CN105987764A (zh) * 2015-02-04 2016-10-05 核工业北京地质研究院 一种快速测量井下测温探管
CN106468600B (zh) * 2015-08-19 2019-02-12 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 校正电路及装置、温度检测电路及方法、测试方法
JP6149953B1 (ja) * 2016-02-01 2017-06-21 オンキヨー株式会社 保護回路、及び、スイッチング電源
CN106525262A (zh) * 2016-10-13 2017-03-22 安徽万瑞冷电科技有限公司 一种二极管温度变送器及其变送方法
CN106502299B (zh) * 2016-12-20 2017-11-28 华通信安(北京)科技发展有限公司 一种温控调压电路
CN107066016B (zh) * 2017-05-25 2018-08-24 华通信安(北京)科技发展有限公司 一种温控调压电路
CN109375671A (zh) * 2018-10-17 2019-02-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示器及其感温调控模块
US10429879B1 (en) 2018-12-04 2019-10-01 Nxp Usa, Inc. Bandgap reference voltage circuitry
US11125629B2 (en) 2018-12-04 2021-09-21 Nxp Usa, Inc. Temperature detection circuitry
CN109710015B (zh) * 2018-12-29 2021-03-02 西安紫光国芯半导体有限公司 一种门延时稳定电路及方法
CN110968144B (zh) * 2019-11-25 2022-01-18 上海申矽凌微电子科技有限公司 基于温度传感器电路的模拟输出方法、系统、介质及设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06242176A (ja) * 1993-02-17 1994-09-02 Fuji Electric Co Ltd 半導体素子用温度検出回路装置
JPH0714340A (ja) * 1993-06-24 1995-01-17 Sony Corp データカートリッジ
JP2004239734A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Ricoh Co Ltd 温度検出回路
JP2005017139A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Sharp Corp 温度判定回路およびicチップの温度保護回路

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7193543B1 (en) * 2005-09-02 2007-03-20 Standard Microsystems Corporation Conversion clock randomization for EMI immunity in temperature sensors
DE102005045635B4 (de) * 2005-09-23 2007-06-14 Austriamicrosystems Ag Anordnung und Verfahren zur Bereitstellung eines temperaturabhängigen Signals
US7484886B2 (en) * 2006-05-03 2009-02-03 International Business Machines Corporation Bolometric on-chip temperature sensor
JP4836693B2 (ja) * 2006-07-06 2011-12-14 株式会社リコー 温度検出回路、温度検出回路を有する半導体装置及び温度検出方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06242176A (ja) * 1993-02-17 1994-09-02 Fuji Electric Co Ltd 半導体素子用温度検出回路装置
JPH0714340A (ja) * 1993-06-24 1995-01-17 Sony Corp データカートリッジ
JP2004239734A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Ricoh Co Ltd 温度検出回路
JP2005017139A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Sharp Corp 温度判定回路およびicチップの温度保護回路

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012208051A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Brother Ind Ltd 温度検出装置
US8757759B2 (en) 2011-03-30 2014-06-24 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Temperature detecting apparatus
JP2014071110A (ja) * 2012-09-27 2014-04-21 Freescale Semiconductor Inc 電流比に基づく熱センサシステムおよび方法
JP2014188868A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Canon Inc インクジェット記録装置、検出方法
JP2015122635A (ja) * 2013-12-24 2015-07-02 三菱プレシジョン株式会社 増幅回路
KR20160078273A (ko) 2014-12-24 2016-07-04 에스아이아이 세미컨덕터 가부시키가이샤 과열 검출 회로 및 반도체 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US7880528B2 (en) 2011-02-01
CN101514925A (zh) 2009-08-26
JP5060988B2 (ja) 2012-10-31
CN101514925B (zh) 2014-03-05
US20090206912A1 (en) 2009-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5060988B2 (ja) 温度検出回路
US10281941B2 (en) Voltage generating circuit and overcurrent detecting circuit
US8749224B2 (en) Voltage detection circuit and method for controlling the same
JP5431396B2 (ja) 定電圧電源回路
JP5242186B2 (ja) 半導体装置
JP2006194885A (ja) 温度感知システム及びその温度感知方法
KR101445424B1 (ko) 검출 회로 및 센서 장치
JP5392291B2 (ja) 半導体スイッチング素子駆動装置
JP2019110677A (ja) 電力変換装置
US20140049245A1 (en) Reference voltage generation circuit of semiconductor device
CN105606240B (zh) 温度检测电路及半导体装置
US20090296779A1 (en) Temperature detector and the method using the same
JPWO2017037780A1 (ja) 電力変換装置、および、半導体装置
JP2009044297A (ja) 検出回路及びその検出回路を使用した電子機器
JP5729254B2 (ja) ヒシテリシス装置
JP4966265B2 (ja) 電流ドライバ回路
US9964979B2 (en) Method with function parameter setting and integrated circuit using the same
JP2018097748A (ja) 電圧異常検出回路及び半導体装置
JP5889700B2 (ja) パワーオン・リセット回路及び半導体装置
US9748933B2 (en) Multi-step slew rate control circuits
JP4465330B2 (ja) 安定化電源回路の動作制御方法
JP2010130170A (ja) 電流ドライバ回路
JP2008098995A (ja) シュミット回路
JP2007258530A (ja) 低電圧検出回路
JP2006066459A (ja) 温度検出回路

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20091108

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20091113

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101208

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20101208

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120501

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120502

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120620

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120724

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120806

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150810

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5060988

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees