CN103680612A - 优化电可擦写非易失性存储器读写性能的方法 - Google Patents

优化电可擦写非易失性存储器读写性能的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103680612A
CN103680612A CN201210358990.7A CN201210358990A CN103680612A CN 103680612 A CN103680612 A CN 103680612A CN 201210358990 A CN201210358990 A CN 201210358990A CN 103680612 A CN103680612 A CN 103680612A
Authority
CN
China
Prior art keywords
nonvolatile memory
erasable nonvolatile
electrically
parameter
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201210358990.7A
Other languages
English (en)
Inventor
刘俊
姚翔
辛吉升
曹刚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Original Assignee
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp filed Critical Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Priority to CN201210358990.7A priority Critical patent/CN103680612A/zh
Publication of CN103680612A publication Critical patent/CN103680612A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

本发明公开了一种优化电可擦写非易失性存储器读写性能的方法，在不同温度下进行芯片测试时，把每一个正常的芯片的电可擦写非易失性存储器电路工作参数设置成目标值的偏移修正值找出，并以代码的方式分别写入所述存储器电路内的某组特定地址中，每一组偏移修正值代码分别对应某个温度区间内的偏移修正值。在芯片正常工作时，通过温度传感电路读取芯片温度，分别调用相应温度区间存储代码的地址组内的参数偏移修正值，再由参数设置电路对所述存储器的读写参数进行设定，使得在工作温度区间内电可擦写非易失性存储器的工作参数均能接近目标值，减小了不同芯片间不同工作温度下嵌入式电可擦写非易失性存储器集成电路的读写特性差异。

Description

优化电可擦写非易失性存储器读写性能的方法
技术领域
本发明涉及半导体集成电路设计、测试领域，特别是指一种优化电可擦写非易失性存储器读写性能的方法。
背景技术
随着集成电路的关键尺寸越来越小，对于嵌入式电可擦写非易失性存储器来说，其擦写的后的阈值电压、电流的差别也越来越小。由于工艺稳定性，以及存储器工作环境的差别，或者是存储器工作负荷引起自身温度的变化，使得存储器的实际工作参数会在自身设计参数(目标值)附近产生波动，或者不同芯片之间也有差别，即发生一定的漂移，使嵌入式电可擦写非易失性存储器并不是一直都处于最佳的工作状态。为了保证最大的擦写窗口，通常在硅片设计时会加入一定的存储器工作参数(例如，读写的电压和时间等)修正电路，然后在芯片测试时把每一个正常的芯片的相关参数都修正到目标值，并把相关偏移修正值以代码的方式存储在特定的存储器地址中。在芯片正常工作时，通过调用该组偏移修正值代码使得存储器的工作参数更接近目标值。这样可以避免因为生产线上的工艺波动和均匀性等造成的参数偏差。但是该存储器参数的修正只能选择在某个特定的温度下进行，比如：常温(25℃)或高温(85℃)下。如图1所示，在25℃下进行嵌入式电可擦写非易失性存储器参数，对于擦写电压的修正，在25℃时，不同的芯片的擦写电压具有最接近目标值8V的分布，但是在其他的温度下该擦写电压的分布变得分散而且平均值也有一定的漂移，如-25℃或85℃处。这样虽然在进行修正的工作温度下芯片的电路参数得到了修正，但是在其他的温度下，由于每个芯片间，硅片间，以及不同批次间的差异，每个芯片的存储器工作参数会发生不同量的变化，从而不能保证整个器件设计工作温度条件下，每个存储器芯片内的电可擦写非易失性存储器集成电路的读写特性都能保持一致。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种优化电可擦写非易失性存储器读写性能的方法，保证在不同的工作温度下，所述电可擦写非易失性存储器都能达到最佳的读写状态。
为解决上述问题，本发明提供的一种优化电可擦写非易失性存储器读写性能的方法，包含：
在不同温度区间进行芯片读写测试，把每一个正常的电可擦写非易失性存储器工作参数的目标值的偏移修正值找出，并以代码的方式分别储存在所述电可擦写非易失性存储器电路内的某组特定地址中，使每一组偏移修正值代码分别对应某个温度区间内的目标值的偏移修正值，在所述电可擦写非易失性存储器正常工作时，通过温度传感电路读取存储器芯片温度，并调用该工作温度所对应温度区间内代码地址组内的的参数偏移修正值，再由参数设置电路对所述电可擦写非易失性存储器的读写参数进行设定，使得不同电可擦写非易失性存储器在工作温度区间内的工作参数均能更接近目标值。
进一步地，所述电可擦写非易失性存储器的工作参数，是指会影响电可擦写非易失性存储器的工作特性的参数，如读写的电压和时间。
进一步地，所述电可擦写非易失性存储器的工作参数的目标值，是指所述电可擦写非易失性存储器的设计最佳工作参数。
进一步地，所述偏移修正值对应的代码被写入电可擦写非易失性存储器电路内的特定地址组中，这些特定地址专门用于存放偏移修正值代码组。
进一步地，每一组代码分别对应某个温度区间内的偏移修正值。
进一步地，所述温度区间是由每一组偏移修正值被找出时的所述电可擦写非易失性存储器芯片测试温度决定。
进一步地，通过温度传感电路取得所述电可擦写非易失性存储器芯片实时工作温度。
进一步地，偏移修正值是通过地址选择电路选中相应的偏移修正值的代码所在的地址组，然后读取电路读取相应代码，再由参数设置电路对电可擦写非易失性存储器的读写参数进行设定，使得相应的电可擦写非易失性存储器电路工作参数更接近目标值。
进一步地，所述地址选择电路是指具有能将某一特定地址选中功能的电路。本发明所述的优化电可擦写非易失性存储器读写性能的方法，通过将预先测试得出的最优电可擦写非易失性存储器电路工作参数的偏移修正值代码写入特定地址，在芯片实际工作时，将其温度通过温度传感电路读出，以此读取特定地址组中的相应温度区间的预先存储的偏移修正值代码，实时优化电可擦写非易失性存储器的读写参数，使芯片在其整个设计工作温度区间内都能保持最佳的读写状态。
附图说明
图1是普通存储器不同工作温度下的擦写电压分布图；
图2是本发明优化过后的存储器在不同温度下的擦写电压分布图；
图3是本发明所述的测试时目标值的偏移修正值找出方法示意图；
图4是本发明所述芯片读写参数设置流程图。
具体实施方式
本发明所述的优化电可擦写非易失性存储器读写性能的方法，结合附图说明如下：
在不同温度区间内进行芯片读写测试时，将工作温度划分为几个区间，比如低温区、常温区以及高温区，在每一个测试温度区间内，把每一个正常的电可擦写非易失性存储器电路目标值的偏移修正值找出，并以代码的方式分别写入非易失性存储器电路内的某组特定地址中，使每一组偏移修正值代码分别对应该温度区间内的偏移修正值；在芯片正常工作时，先通过温度传感电路读取芯片实时温度值，再根据这一温度值所在的相应温度区间，将特定地址中该温度区间内的偏移修正值代码调出，设置为该芯片的实时工作参数，使得在该温度区间内的工作参数更接近目标值，达到优化电可擦写非易失性存储器擦写性能的目的。
图3显示的是测试时目标值的偏移修正值原理示意图，将温度区间划分为低温区、常温区以及高温区。低温区内，测试时，对芯片进行读写操作，变换不同的参数，如电压及延迟时间等，直到找出最佳的读写参数，即将该温度下存储器芯片读写的目标值的偏移修正值找出，然后以代码的形式写入到存储器某一特定地址，如地址组1上，该低温度区间的目标值的偏移修正值确定完毕。例如：芯片在85℃下测试，那么其所得偏移修正值对应的温度区间为55℃～90℃；芯片在25℃下测试，那么其所得偏移修正值对应的温度区间为0℃～55℃；芯片在-25℃下测试，那么其所得偏移修正值对应的温度区间为-45℃～0℃；等等。同理，对常温区以及高温区的测试，采用同样的方法进行相应温度区间内目标值的偏移修正值的确定及存储。
在芯片接到指令开始读写操作时，先通过温度传感电路读取存储器芯片的当前实际温度，如图4所示，并在特定地址内将预存的相应温度区间内电可擦写非易失性存储器的目标值的偏移修正值代码找出。假如当前温度传感电路读取的存储器芯片温度为-20℃，该温度属于地址组1所存储的代码修正范围内，则由地址选择电路将地址组1选中，非易失性存储器读取电路将其目标值的偏移修正值代码调入芯片内部电可擦写非易失性存储器的参数设置电路，将该温度下的存储器芯片的读写参数设置完毕，芯片即可在最佳状态下进行读写操作。如图2所示，分别在-25℃、25℃以及85℃下进行嵌入式电可擦写非易失性存储器参数，如擦写电压的修正，在各个温度下，不同芯片的擦写电压都具有最接近目标值8V的分布。
同理，在常温区间或者高温区间内的芯片读写参数设定操作方法类似。
以上所述，为了说明的简洁，仅将温度区间粗略地划分为低温区、常温区以及高温区。在实际应用中，对于温度区间的划分可根据制造工艺，或者实际应用的需要，如对所述的存储器芯片的读写精度的要求等，将温度区间划分得更细致，使得所述电可擦写非易失性存储器的读写性能更精确稳定。如图4所示，仅相应设定了地址组1、地址组2及地址组3。实际可根据需要，将温度区间划分更细，并相应设定地址组4、地址组5……。同时，图2仅示出了对于读写电压的修正，对于影响所述电可擦写非易失性存储器工作性能还有读写的Timing(延迟时间)等重要参数，其设置的方法与电压相同。
以上仅为本发明的优选实施例，并不用于限定本发明。对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种优化电可擦写非易失性存储器读写性能的方法，其特征在于：在不同温度区间进行芯片读写测试，把每一个正常的电可擦写非易失性存储器工作参数的目标值的偏移修正值找出，并以代码的方式分别储存在所述电可擦写非易失性存储器电路内的某组特定地址中，使每一组偏移修正值代码分别对应某个温度区间内的目标值的偏移修正值，在所述电可擦写非易失性存储器正常工作时，通过温度传感电路读取存储器芯片温度，并调用该工作温度所对应温度区间内代码地址组内的的参数偏移修正值，再由参数设置电路对所述电可擦写非易失性存储器的读写参数进行设定，使得不同电可擦写非易失性存储器在工作温度区间内的工作参数均能更接近目标值。
2.根据权利要求1所述的一种优化电可擦写非易失性存储器读写性能的方法，其特征在于：所述电可擦写非易失性存储器的工作参数，是指会影响电可擦写非易失性存储器的工作特性的参数，如读写的电压和时间。
3.根据权利要求1所述的一种优化电可擦写非易失性存储器读写性能的方法，其特征在于：所述电可擦写非易失性存储器的工作参数的目标值，是指所述电可擦写非易失性存储器的设计最佳工作参数。
4.根据权利要求1所述的一种优化电可擦写非易失性存储器读写性能的方法，其特征在于：所述偏移修正值对应的代码被写入电可擦写非易失性存储器电路内的特定地址组中，这些特定地址专门用于存放偏移修正值代码组。
5.根据权利要求1所述的一种优化电可擦写非易失性存储器读写性能的方法，其特征在于：每一组代码分别对应某个温度区间内的偏移修正值。
6.根据权利要求5所述的一种优化电可擦写非易失性存储器读写性能的方法，其特征在于：所述温度区间是由每一组偏移修正值被找出时的所述电可擦写非易失性存储器芯片测试温度决定。
7.根据权利要求1所述的一种优化电可擦写非易失性存储器读写性能的方法，其特征在于：通过温度传感电路取得所述电可擦写非易失性存储器芯片实时工作温度。
8.根据权利要求1所述的一种优化电可擦写非易失性存储器读写性能的方法，其特征在于：偏移修正值通过地址选择电路选中相应的偏移修正值的代码所在的地址组，然后通过读取电路读取相应代码，再由参数设置电路对电可擦写非易失性存储器的读写参数进行设定，使得相应的电可擦写非易失性存储器电路工作参数更接近目标值。
9.根据权利要求8所述的一种优化电可擦写非易失性存储器读写性能的方法，其特征在于：所述地址选择电路是指具有能将某一特定地址选中功能的电路。
CN201210358990.7A 2012-09-24 2012-09-24 优化电可擦写非易失性存储器读写性能的方法 Pending CN103680612A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210358990.7A CN103680612A (zh) 2012-09-24 2012-09-24 优化电可擦写非易失性存储器读写性能的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210358990.7A CN103680612A (zh) 2012-09-24 2012-09-24 优化电可擦写非易失性存储器读写性能的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103680612A true CN103680612A (zh) 2014-03-26

Family

ID=50317926

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210358990.7A Pending CN103680612A (zh) 2012-09-24 2012-09-24 优化电可擦写非易失性存储器读写性能的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103680612A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106356096A (zh) * 2015-07-15 2017-01-25 上海华虹集成电路有限责任公司 非易失性存储器擦写控制方法及电路
CN109545264A (zh) * 2018-10-31 2019-03-29 大唐微电子技术有限公司 一种对含闪存flash芯片的晶圆级测试方法、装置
CN111435290A (zh) * 2019-01-15 2020-07-21 爱思开海力士有限公司 控制器、控制器的操作方法以及存储器系统
CN112147488A (zh) * 2020-09-25 2020-12-29 杰华特微电子（杭州）有限公司 芯片参数的测试及校准方法
CN117198365A (zh) * 2023-11-02 2023-12-08 合肥康芯威存储技术有限公司 一种存储器的处理系统及处理方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101587745A (zh) * 2009-06-23 2009-11-25 成都市华为赛门铁克科技有限公司 数据读写方法和非易失性存储介质
US20100110815A1 (en) * 2008-11-04 2010-05-06 Seungjae Lee Non-Volatile Memory Device Having Temperature Compensator and Memory System Thereof
US20100110786A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device, memory system including the same, and memory test system
CN101796589A (zh) * 2007-09-07 2010-08-04 美光科技公司 用于移除系统影响的存储器控制器自校准

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101796589A (zh) * 2007-09-07 2010-08-04 美光科技公司 用于移除系统影响的存储器控制器自校准
US20100110786A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device, memory system including the same, and memory test system
US20100110815A1 (en) * 2008-11-04 2010-05-06 Seungjae Lee Non-Volatile Memory Device Having Temperature Compensator and Memory System Thereof
CN101587745A (zh) * 2009-06-23 2009-11-25 成都市华为赛门铁克科技有限公司 数据读写方法和非易失性存储介质

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106356096A (zh) * 2015-07-15 2017-01-25 上海华虹集成电路有限责任公司 非易失性存储器擦写控制方法及电路
CN106356096B (zh) * 2015-07-15 2020-01-10 上海华虹集成电路有限责任公司 非易失性存储器擦写控制方法及电路
CN109545264A (zh) * 2018-10-31 2019-03-29 大唐微电子技术有限公司 一种对含闪存flash芯片的晶圆级测试方法、装置
CN111435290A (zh) * 2019-01-15 2020-07-21 爱思开海力士有限公司 控制器、控制器的操作方法以及存储器系统
CN112147488A (zh) * 2020-09-25 2020-12-29 杰华特微电子（杭州）有限公司 芯片参数的测试及校准方法
CN117198365A (zh) * 2023-11-02 2023-12-08 合肥康芯威存储技术有限公司 一种存储器的处理系统及处理方法
CN117198365B (zh) * 2023-11-02 2024-02-06 合肥康芯威存储技术有限公司 一种存储器的处理系统及处理方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103680612A (zh) 优化电可擦写非易失性存储器读写性能的方法
US9070454B1 (en) Flash memory
US7990778B2 (en) Nonvolatile semiconductor memory and method for testing the same
KR100895190B1 (ko) 반도체 기억 장치 및 리프레시 주기 제어 방법
US20140050026A1 (en) Method of Executing Wear Leveling in a Flash Memory Device According to Ambient Temperature Information and Related Flash Memory Device
CN103105570A (zh) 一种开启电压的测试方法及系统
CN104064215A (zh) 半导体存储装置
CN108387837A (zh) 芯片的测试方法
CN105489247A (zh) 一种存储器芯片的测试方法和装置
CN103312158A (zh) 升压电路
EP1953762B1 (en) Memory device with reduced standby power consumption and method for operating same
CN103346735A (zh) 一种微控制器的时钟信号生成方法、装置及微控制器
US20170052839A1 (en) Memory system
US7120073B2 (en) Integrated circuit devices having reducing variable retention characteristics
EP3503396A1 (en) Semiconductor device, sensor terminal, and semiconductor device control method
CN104751875B (zh) 应用于nvm芯片的失效位图分析方法
CN107577440A (zh) 提高存储器寿命的方法
CN110739021A (zh) 半导体存储器的测试方法
CN103293505A (zh) 一种拓宽工作温度范围的温度补偿方法及其电子校准件
KR20130072712A (ko) 비휘발성 메모리 장치 및 그 제어 방법
US10672453B2 (en) Voltage system providing pump voltage for memory device and method for operating the same
CN102592672A (zh) Flash EEPROM动态参考源电路结构
CN104091615A (zh) 电荷泵系统及存储器
CN114121058B (zh) 存储器的调节方法、调节系统以及半导体器件
KR100383763B1 (ko) 반도체 소자의 메모리 셀의 테스트 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20140326

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication