CH702999A1 - Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten mittels Hochgeschwindigkeitsflammspritzen. - Google Patents

Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten mittels Hochgeschwindigkeitsflammspritzen. Download PDF

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Abstract

Es wird eine Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten mittels Hochgeschwindigkeitsflammspritzen vorgeschlagen. Die Vorrichtung ist mit einer Brennkammer (4), einer ersten Brennstoffleitung (L1) zum Zuführen eines flüssigen oder gasförmigen Brennstoffs, sowie zumindest einer Gasleitung zum Zuführen eines oxidativen Gases versehen. Im Weiteren weist die Vorrichtung eine zweite Brennstoffleitung zum Zuführen eines flüssigen oder gasförmigen Brennstoffs sowie zumindest eine weitere Gasleitung zum Zuführen eines Gases auf. Um die verschiedenen Medien der Brennkammer (4) gezielt und definiert zuführen zu können, ist die Vorrichtung mit einem Düsenkörper (7) versehen, der einerseits eine zentrale Öffnung oder Düse zum Zuführen eines flüssigen Brennstoffs in die Brennkammer (4) aufweist. Andererseits weist der Düsenkörper (7) lochkreisförmig angeordnete Bohrungen auf, über welche einzelne Medien der Brennkammer (4) zugeführt werden.

Description

[0001] Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten mittels Hochgeschwindigkeitsflammspritzen gemäss dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
[0002] Vorrichtungen der hier zur Rede stehenden Art sind in vielfältigsten Ausführungsformen bekannt und werden für verschiedenste Zwecke eingesetzt. Sie werden beispielsweise für das Aufbringen von temperaturbeständigen und/oder harten und/oder abriebfesten und/oder chemisch beständigen Schichten auf Oberflächen verschiedenster Substrate eingesetzt.
[0003] Aus dem Stand der Technik sind Vorrichtungen bekannt, die mit einem gasförmigen Brennstoff betrieben werden. Bekannt sind auch Vorrichtungen, die mit flüssigem Brennstoff betrieben werden können. Gattungsgemässe Vorrichtungen besitzen üblicherweise zumindest einen Anschluss für den Brennstoff sowie einen weiteren für ein oxidatives Gas. Insbesondere bei Vorrichtungen, die mit einem flüssigen Brennstoff betrieben werden, kann noch ein zusätzlicher Anschluss für die Zufuhr von Druckluft vorgesehen werden. All diesen bekannten Vorrichtungen haftet jedoch der Nachteil an, dass deren Einsatzgebiet beschränkt ist.
[0004] Die Erfindung zielt darauf ab, eine Vorrichtung gemäss dem Oberbegriff des Anspruchs 1 derart weiterzubilden, dass diese universell einsetzbar ist.
[0005] Hierzu wird nach der Erfindung eine Vorrichtung gemäss dem Anspruch 1 bereitgestellt.
[0006] Bevorzugte Ausführungsformen der Vorrichtung sind in den abhängigen Ansprüchen 2 bis 8 umschrieben.
[0007] Im Anspruch 9 ist zudem ein Düsenkörper für eine nach einem der Ansprüche 1 bis 8 ausgebildete Vorrichtung definiert, während Anspruch 10 eine bevorzugte Weiterbildung des Düsenkörpers beschreibt.
[0008] Nachfolgend wird ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand von Zeichnungen näher erläutert. In diesen Zeichnungen zeigt: <tb>Fig. 1<sep>Die Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten mittels Hochgeschwindigkeitsflammspritzen in einer Ansicht von hinten; <tb>Fig. 2<sep>die Vorrichtung in einem Schnitt entlang der Linie A-A in Fig. 1; <tb>Fig. 3<sep>die Vorrichtung in einem Schnitt entlang der Linie B-B in Fig. 1; <tb>Fig. 4<sep>die Vorrichtung in einem Schnitt entlang der Linie C-C in Fig. 1; <tb>Fig. 5<sep>die Vorrichtung in einem Schnitt entlang der Linie D-D in Fig. 1; <tb>Fig. 6a<sep>einen Düsenkörper in einer Ansicht von vorne; <tb>Fig. 6b<sep>den Düsenkörper in einem Schnitt entlang der Linie A-A in Fig. 6a, und <tb>Fig. 6c<sep>den Düsenkörper in einem Schnitt entlang der Linie B-B in Fig. 6a.
[0009] Die Fig. 1 zeigt die Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten mittels Hochgeschwindigkeitsflammspritzen in einer Ansicht von der Rückseite. Aus dieser Darstellung ist ersichtlich, dass die Vorrichtung, nachfolgend auch Brenner genannt, auf der Rückseite mit einer Vielzahl von Anschlüssen versehen ist, über welche einerseits die zum Betrieb des Brenners notwendigen Medien zugeführt werden können. Zusätzlich ist ein Anschluss für einen Drucksensor und ein weiterer für eine Zündeinheit vorgesehen. Es versteht sich, dass die Anzahl und Anordnung der Anschlüsse variieren kann. Im vorliegenden Beispiel sind die Anschlüsse A1 bis A9 für die Zufuhr folgender Medien vorgesehen: A1 flüssiger Brennstoff, A2 Sauerstoff, A3 Sauerstoff optional, A4 Stickstoff, A5 gasförmiger Brennstoff, A6 Kühlwasser ein, A7 Kühlwasser aus, A8 Pulver, A9 Pulver. Natürlich können anstelle der vorgängig genannten Medien über die Anschlüsse A1 bis A7 auch andere flüssige oder gasförmige Medien zugeführt werden können. Der Anschluss A10 ist für die Zündeinheit und der Anschluss A11 für den genannten Drucksensor vorgesehen.
[0010] Die Fig. 2 zeigt in vereinfachter Darstellung die Vorrichtung in einem Längsschnitt entlang der Linie A-A in Fig. 1. Da der grundsätzliche Aufbau und die Wirkungsweise von gattungsgemässen Vorrichtungen bekannt ist, wird nachfolgend nicht auf sämtliche Elemente eingegangen. Derartige Vorrichtungen sind der Fachwelt insbesondere auch unter dem Namen HVOF (High Velocity Oxygen Fuel) Brenner bzw. Anlagen bekannt.
[0011] Der Brenner umfasst einen Grundkörper 1, an dem rückseitig ein Anschlusskörper 2 angebracht ist. Innerhalb des Grundkörpers 1 ist ein Hohlkörper 3 angeordnet, welcher im Innern die eigentliche Brennkammer 4 bildet. Der rohrförmige Ausgang des Hohlkörpers 3 ist mit einer Rohrdüse 5 verbunden, die endseitig den Auslass 6 des Brenners bildet. Auf der der Brennkammer 4 zugewandten Seite ist ein Düsenkörper 7 zentral in den Anschlusskörper 2 eingesetzt. Der Düsenkörper 7 ist austauschbar in dem Anschlusskörper 2 aufgenommen, wobei er in axialer Richtung mittels eines Ringkörpers 8 fixiert ist. Dazu ist der Ringkörper 8 mit einem ringförmigen Fortsatz 9 versehen, der in axialer Richtung an dem Düsenkörper 7 zur Anlage kommt. Der Ringkörper 8 seinerseits legt sich in axialer Richtung an einer Schulter des Hohlkörpers 3 an. Der Ringkörper 8 ist mit zwei axialen Durchgangsbohrungen 10, 11 versehen, welche mit je einer zugehörigen, in den Anschlusskörper eingelassenen Leitung L10, L11 fluchten.
[0012] Um den Anschlusskörper 2 an dem Grundkörper 1 zu fixieren und weitere Elemente wie den Düsenkörper 7 und den Ringkörper 8 in axialer Richtung zu Positionieren und Fixieren ist an dem Grundkörper 1 eine Überwurfmutter 21 angeordnet, deren Innengewinde an einem Aussengewinde des Anschlusskörpers 2 anzugreifen bestimmt ist und beim Festziehen den Anschlusskörper 2 in axialer Richtung gegen den Grundkörper 1 zieht. Eine weitere Überwurfmutter 22 ist am vorderen Ende des Grundkörpers 1 angeordnet, mittels welcher die Rohrdüse 5 zusammen mit dem Hohlkörper 3 und dem Ringkörper 8 in Richtung des Anschlusskörpers 2 belastet wird. Jedenfalls kann die Vorrichtung durch das Vorsehen von zwei Überwurfmuttern 21, 22 in der gezeigten Art schnell und einfach zusammengebaut und auch wieder auseinandergenommen werden. Dies hat insbesondere den Vorteil, dass allfällige Verschleissteile wie beispielsweise der Hohlkörper 3, die Rohrdüse 5 oder der Düsenkörper 7 schnell und einfach ausgetauscht werden können.
[0013] Wie ersichtlich, führt von jedem Anschluss eine Leitung ins Innere des Anschlusskörpers 2. Von dem Brennstoff-Anschluss A1 führt eine Brennstoff-Leitung L1 zentral durch den Anschlusskörper 2 zu dem Düsenkörper 7, welcher dem Vermischen der zum Betrieb des Brenners notwendigen Medien und dem gezielten Zuführen eines Brennstoffgemischs sowie allfälliger weiterer Gase in die Brennkammer 4 dient. Der Düsenkörper 7 ist austauschbar in dem Anschlusskörper 2 aufgenommen. Nach dem Lösen der Überwurfmutter 21 kann der Anschlusskörper 2 von dem Grundkörper abgenommen und der Düsenkörper 7 entnommen und ggf. ausgetauscht oder ersetzt werden.
[0014] Auf die mit dem jeweiligen Kühlwasseranschluss A6, A7 verbundenen Leitungen L6, L7 wird nicht näher eingegangen, da solche dem Kühlen der thermisch hochbelasteten Teile dienenden Kühlwasserleitungen bekannt sind. Der Anschluss A10 ist über eine axiale Leitung L10 mit der Brennkammer verbunden. Der Anschluss A10 dient dem Anschliessen eines Drucksensors (nicht dargestellt), mittels welchem der in der Brennkammer 4 vorherrschende Druck gemessen werden kann. Von dem Anschluss A11 führt ebenfalls eine Leitung L11 axial durch den Anschlusskörper 2 hindurch in die Brennkammer 4. Diese Leitung L11 dient der Aufnahme einer Zündeinheit (nicht dargestellt), mit welcher das Brennstoffgemisch in der Brennkammer 4 gezündet werden kann. Von den beiden Pulveranschlüssen A8, A9 führt je eine Leitung L8, L9 schräg in die Vorrichtung hinein. Die beiden Pulverleitungen L8, L9 münden im Wesentlichen radial in die Rohrdüse 5. Die Pulverleitungen L8, L9 dienen dem Zuführen von Beschichtungspulver, welches beim Eintreten in die Rohrdüse 5 von dem heissen Gasstrom mitgerissen und durch die vorherrschende Temperatur zumindest teilweise aufgeschmolzen wird. Anstelle des Zuführens des Beschichtungsmaterials in Pulverform könnte dieses beispielsweise auch in Drahtform zugeführt werden.
[0015] Die Fig 3. zeigt die Vorrichtung in einem Längsschnitt entlang der Linie B-B in Fig. 1. Aus dieser Darstellung ist insbesondere ersichtlich, dass von dem Anschluss A5 ein Leitung L5 schräg durch den Anschlusskörper 2 hindurch zu einem vorderen Ringkanal 14 des Düsenkörpers 7 führt. Von dem Anschluss A3 führt ein weiterer Kanal schräg durch den Anschlusskörper 2 hindurch zu dem vorderen Ringkanal 14 des Düsenkörpers 7.
[0016] Aus der Fig. 4, welche die Vorrichtung in einem Schnitt entlang der Linie C-C in Fig. 1 zeigt, ist ersichtlich, dass von dem Anschluss A2 eine Leitung L2 zu einem hinteren Ringkanal 18 des Düsenkörpers 7 führt.
[0017] Die Fig. 5 zeigt die Vorrichtung in einem Längsschnitt entlang der Linie D-D in Fig. 1. Hieraus ist erkennbar, dass der Anschluss A4 über eine schräge Leitung mit dem vorderen Ringkanal 14 des Düsenkörpers 7 verbunden ist.
[0018] Zusammenfassend lässt sich somit festhalten, dass die Anschlüsse A3, A4 und A5 über die drei zugehörigen Leitungen L3, L4 und L5 mit dem vorderen Ringkanal 14 verbunden sind, während der Anschluss A2 über die Leitung L2 zu dem hinteren Ringkanal 18 führt. Sofern über zumindest zwei der drei mit dem vorderen Ringkanal 14 verbundenen Leitungen L3, L4, L5 je ein Medium zugeführt wird, so vermischen sich diese Medien im Ringkanal 14.
[0019] Vorzugsweise sind zumindest die beiden Brennstoffleitungen L1, L5 mit je einem Ventil (nicht dargestellt) versehen, mittels welchen die Zufuhr von Brennstoff beeinflusst werden kann. Natürlich können solche Ventile auch für einzelne oder sämtliche Gasleitungen L2, L3, L4 vorgesehen werden.
[0020] Anhand der Fig. 6a, 6b und 6c wird der Aufbau des Düsenkörpers 7 näher erläutert. Die Fig. 6azeigt den Düsenkörper 7 in einer Ansicht von der Brennkammerseite her, während die Fig. 6beinen Längsschnitt durch den Düsenkörper 7 entlang der Linie A-A in Fig. 6azeigt. Die Fig. 6czeigt einen Längsschnitt durch den Düsenkörper 7 entlang der Linie B-B in Fig. 6a. In der Fig. 6bist erkennbar, dass von dem hinteren Ringkanal 18 axiale Bohrungen 19 zu der vorderen Stirnseite des Düsenkörpers 7 führen. In der Fig. 6cist erkennbar, dass von dem vorderen Ringkanal 14 weitere axiale Bohrungen 15 zu der vorderen Stirnseite des Düsenkörpers 7 führen.
[0021] In der Fig. 6a ist erkennbar, dass die mit dem hinteren Ringkanal 18 verbundenen Bohrungen 19 gleichmässig verteilt auf einem inneren Lochkreis 20 angeordnet sind, während die mit dem vorderen Ringkanal 14 verbundenen Bohrungen 15 gleichmässig verteilt auf einem äusseren Lochkreis 16 angeordnet sind. Beide Lochkreise 16, 20 sind koaxial zu einer zentralen Öffnung 13 des Düsenkörpers 7 angeordnet. Die zentrale Öffnung 13 des Düsenkörpers 7 dient der Aufnahme einer Einspritzdüse oder eines Einspritzventils (nicht dargestellt), welches dem Einspritzen des flüssigen Brennstoffs in die Brennkammer dient. Der Düsenkörper 7 ist dazu mit einem Innengewinde versehen, welches dem Befestigen einer solchen Einspritzdüse dient. Da solche Einspritzdüsen bekannt sind, wird hier nicht näher darauf eingegangen.
[0022] Der Vorteil eines derartigen Brenners besteht darin, dass dieser universell einsetzbar ist. So kann der Brenner beispielsweise mit zwei Brennstoffen gleichzeitig betrieben werden, indem der Brennkammer 4 über den Düsenkörper 7 –Einspritzdüse - zentral ein erster Brennstoff, beispielsweise Kerosin, zugeführt wird, während der Brennkammer 4 gleichzeitig ein weiterer Brennstoff, beispielsweise Wasserstoff, zugeführt wird. Der zweite Brennstoff kann dabei über die Bohrungen 15, 19 des äusseren oder inneren Lochkreises 16, 20 des Düsenkörpers 7 zugeführt werden. Zudem können der Brennkammer den Anforderungen entsprechend über die beiden Anschlüsse A3, A4 beliebig weitere Medien zugeführt werden. So kann über den Anschluss A2 und/oder A3 ein oxidatives Gas wie beispielsweise Sauerstoff zugeführt werden. Sofern der Sauerstoff über den Anschluss A3 zugeführt wird, vermischt sich dieser im vorderen Ringkanal 14 mit dem über den Anschluss A4 und/oder A5 zugeführten Medium. Beispielsweise kann über den Anschluss A4 auch ein Inertgas wie beispielsweise Stickstoff zugeführt werden, was bewirkt, dass die Temperatur im Brennraum gesenkt wird. In der Fachsprache wird diesbezüglich von der Zufuhr eines «cold» Gases gesprochen. Die lochkreisförmige Anordnung der Bohrungen hat den Vorteil, dass die verschiedenen Medien der Brennkammer gleichmässig und zentral zugeführt werden können. So eignet sich der Brenner insbesondere auch zum Aufschmelzen von groben Pulvern und Auftragen von dicken Schichten und zum Erzeugen von rauen Oberflächen, da beim Betrieb des Brenners mit zwei Brennstoffen pro Zeiteinheit sehr hohe Temperaturen und/oder hohe Aufschmelzraten des Beschichtungspulvers und/oder sehr hohe Gasgeschwindigkeiten erreicht werden können.
[0023] Je nach Betriebsart kann es vorteilhaft sein, über die Bohrungen 15, 19 des inneren und/oder äusseren Lochkreises 16, 20 des Düsenkörpers 7 ein gasförmiges Medium in die Brennkammer strömen zu lassen, damit eine Verschmutzung der Bohrungen und/oder ein Eindringen von Brennkammergasen in die genannten Bohrungen 15, 19 verhindert wird.
[0024] Natürlich kann der Brenner auch nur mit einem Brennstoff betrieben werden, wobei grundsätzlich sowohl flüssige wie auch gasförmige Brennstoffe in Frage kommen. Während als flüssiger Brennstoff insbesondere Kerosin zum Einsatz kommt, können als gasförmige Brennstoffe beispielsweise Wasserstoff, Erdgas, Propylen, Propan oder Ethylen eingesetzt werden. Es versteht sich, dass die vorgängig erwähnten Betriebsarten keinesfalls als abschliessend zu betrachten sind, sondern dass mit der in den Ansprüchen definierten Vorrichtung eine grosse Zahl unterschiedlicher Betriebsarten möglich ist, wobei natürlich auch die Anzahl und Anordnung der beschriebenen Anschlüsse und Leitungen variieren kann.
[0025] Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäss gestalteten Brenners besteht darin, dass im Betrieb ohne Unterbruch von dem einen auf den anderen Brennstoff umgeschaltet werden kann.
[0026] Aber auch die Ausgestaltung des Brenners kann natürlich variieren. So könnte der Düsenkörper 7 beispielsweise anstelle oder zusätzlich zu den lochkreisförmig angeordneten Bohrungen 15, 19 mit einem Ringkanal, oder ringkreisförmig ausgebildeten Abschnitten versehen werden, über welche ein Medium oder mehrere Medien der Brennkammer 4 zugeführt werden.

Claims (10)

1. Vorrichtung zur Beschickung von Substraten mittels Hochgeschwindigkeitsflammspritzen, mit einer Brennkammer (4), einer ersten Brennstoffleitung (L1) zum Zuführen eines flüssigen oder gasförmigen Brennstoffs, sowie zumindest einer Gasleitung (L2) zum Zuführen eines oxidativen Gases, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung eine zweite Brennstoffleitung (L5) zum Zuführen eines flüssigen oder gasförmigen Brennstoffs sowie zumindest eine weitere Gasleitung (L3, L4) zum Zuführen eines Gases aufweist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung einen Düsenkörper (7) aufweist, der mit einer zentralen Öffnung (13) oder Düse zum Zuführen eines flüssigen Brennstoffs in die Brennkammer (4) versehen ist, und dass die zum Zuführen eines flüssigen oder gasförmigen Brennstoffs vorgesehene weitere Gasleitung (L3, L4) über einen Ringkanal oder über lochkreisförmig angeordnete Bohrungen (15) in die Brennkammer (4) mündet.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung einen Anschlusskörper (2) mit einem zentral darin angeordneten Düsenkörper (7) aufweist, wobei der Düsenkörper (7) eine mittige Öffnung (13) zur Aufnahme eines Einspritzventils zum Einspritzen eines flüssigen Brennstoffs aufweist, und wobei koaxial zur der mittigen Öffnung (13) ein Ringkanal oder lochkreisförmig angeordnete Bohrungen (15, 19) zum Zuführen eines weiteren Mediums in die Brennkammer (4) angeordnet sind.
4. Vorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Anschlusskörper (2) mittels einer hinteren Überwurfmutter (21) an dem Grundkörper (1) fixierbar ist und der Düsenkörper (7) austauschbar in den Anschlusskörper (2) eingesetzt ist, und dass ein Ringkörper (8) zum axialen Fixieren des Düsenkörpers (7) im Anschlusskörper (2) vorgesehen ist.
5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung einen die Brennkammer (4) begrenzenden Hohlkörper (3) und einen der Führung des Heissgasstroms dienenden Düsenkörper (7) umfasst, wobei der Hohlkörper (3) wie auch der Düsenkörper (7) austauschbar in dem Grundkörper (1) aufgenommen sind und mittels einer weiteren Überwurfmutter (22) in axialer Richtung fixiert sind.
6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Düsenkörper (7) zumindest einen Ringkanal (14) umfasst, in den zumindest eine zum Zuführen eines Mediums dienende Leitung (L3, L4, L5) mündet, wobei von dem Ringkanal (14) eine Vielzahl von Bohrungen (15) ausgehen, welche in der Form eines Lochkreises (16) in die Brennkammer (4) münden.
7. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Düsenkörper zumindest zwei Ringkanäle aufweist, wobei von jedem Ringkanal zumindest je eine Leitung in die Brennkammer mündet, und wobei in den einen Ringkanal zumindest eine Brennstoffleitung sowie zumindest eine Gasleitung mündet, und wobei in den anderen Ringkanal zumindest eine Leitung zum Zuführen eines Gases mündet..
8. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest einzelne Leitungen (L1-L5) mit einem Ventil zum Beeinflussen der Zufuhr des jeweiligen Mediums versehen sind,
9. Düsenkörper für eine nach einem der vorangehenden Ansprüche ausgebildete Vorrichtung, dadurch gekennzeichnet, dass der Düsenkörper (7) ein zentrale Öffnung (13) zur Aufnahme eines Einspritzventils aufweist und mit einer Vielzahl von radial ausserhalb der Öffnung (13) angeordneten Bohrungen (15, 19) zum Zuführen eines Mediums oder mehrerer Medien versehen ist.
10. Düsenkörper nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Düsenkörper (7) mit einer Vielzahl von lochkreisförmig angeordneten Bohrungen (15, 19) zum Zuführen eines flüssigen und/oder gasförmigen Mediums versehen ist.
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Families Citing this family (310)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US8992656B2 (en) * 2011-12-21 2015-03-31 Praxair Technology, Inc. Controllable solids injection
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
JP5780502B2 (ja) * 2013-06-20 2015-09-16 芳▲高▼ 中川 溶射装置
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
EP2868388A1 (de) * 2013-10-29 2015-05-06 Alstom Technology Ltd Vorrichtung für HVOF-Sprühverfahren
ITBO20130619A1 (it) * 2013-11-12 2015-05-13 Ibix Srl Metodo e apparecchiatura per la spruzzatura a fiamma di polveri termoplastiche
US9605343B2 (en) 2013-11-13 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same
US10683571B2 (en) * 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
CN113196444A (zh) * 2018-12-20 2021-07-30 应用材料公司 用于供应改良的气流至处理腔室的处理空间的方法和设备
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
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CN111549309B (zh) * 2020-05-29 2022-04-12 中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院 一种低温高速火焰喷涂枪
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
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USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
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KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3378203A (en) * 1965-02-25 1968-04-16 Metallisation Ltd Metal spraying apparatus
US4375954A (en) * 1979-12-26 1983-03-08 Roger Trudel Oil and gas combination nozzle
EP0458018A2 (de) * 1990-05-22 1991-11-27 UTP Schweissmaterial GmbH &amp; Co. KG Verfahren und Vorrichtung zum Hochgeschwindigkeitsflammspritzen von hochschmelzenden draht- und pulverförmigen Zusatzwerkstoffen zum Beschichten von Oberflächen
DE4429142A1 (de) * 1994-08-17 1996-02-22 Osu Maschinenbau Gmbh Verfahren und Düsenspritzkopf zum Hochgeschwindigkeitsflammspritzen von pulverförmigen Materialien
EP0848998A2 (de) * 1996-12-18 1998-06-24 Castolin S.A. Flammspritzvorrichtung und Verfahren zum thermischen Spritzen

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4622007A (en) * 1984-08-17 1986-11-11 American Combustion, Inc. Variable heat generating method and apparatus
DE4239903C1 (de) * 1992-11-27 1994-06-30 Franz Kuenzli Ag Wangen Injektor-Mundstück für Brenneraggregate
US5834066A (en) * 1996-07-17 1998-11-10 Huhne & Kunzli GmbH Oberflachentechnik Spraying material feeding means for flame spraying burner
DE10394064D2 (de) * 2002-11-19 2005-10-06 Erwin Dieter Huehne Niedertemperatur Hochgeschwindigkeits- Flammspritzsystem
JP5319288B2 (ja) * 2005-10-17 2013-10-16 ナショナル・リサーチ・カウンシル・オブ・カナダ 被膜および粉末の反応性噴射形成

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3378203A (en) * 1965-02-25 1968-04-16 Metallisation Ltd Metal spraying apparatus
US4375954A (en) * 1979-12-26 1983-03-08 Roger Trudel Oil and gas combination nozzle
EP0458018A2 (de) * 1990-05-22 1991-11-27 UTP Schweissmaterial GmbH &amp; Co. KG Verfahren und Vorrichtung zum Hochgeschwindigkeitsflammspritzen von hochschmelzenden draht- und pulverförmigen Zusatzwerkstoffen zum Beschichten von Oberflächen
DE4429142A1 (de) * 1994-08-17 1996-02-22 Osu Maschinenbau Gmbh Verfahren und Düsenspritzkopf zum Hochgeschwindigkeitsflammspritzen von pulverförmigen Materialien
EP0848998A2 (de) * 1996-12-18 1998-06-24 Castolin S.A. Flammspritzvorrichtung und Verfahren zum thermischen Spritzen

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Publication number Publication date
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